JPH0615683A

JPH0615683A - トランスファ成形装置およびその被成形体

Info

Publication number: JPH0615683A
Application number: JP17356192A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Honda; 智本田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1992-07-01
Filing date: 1992-07-01
Publication date: 1994-01-25

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】本発明のトランスファ成形装置は、ポット５中
の空気を排出するためのエアベント１８を特設したもの
である。【効果】本発明のトランスファ成形装置は、キャビティ
３中に充填される溶融樹脂に空気が巻き込まれることが
なくなるので、成形欠陥としてのボイドの発生を防止す
るこができる。

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の目的］

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばＩＣカード、半
導体装置の封止などに好適するトランスファ成形装置お
よびその被成形体に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電子部品は、プラスチック中に
閉じ込められ、このプラスチックを介して、気密性を保
持して外気、環境から保護されるとともに、その機械的
安定性を高めて、一層安定した電気的性能を発揮させる
ことができる。ところで、この電子部品の封止は、当
初、液状のエポキシレジンを用いたポッティング法また
はキャスティング法が主流であったが、ＩＣ，ＬＳＩの
時代になると、入出力ピンの数が増え、パッケージ外形
の精密さを要求されるようになったこと、またその量が
増えたため、大量生産に向く生産方式が要求されるよう
になったこと、また信頼性もより高いものに対する要求
が強くなったことなどから、粉末のエポキシレジンを用
いたトランスファ成形法が導入されるようになった。そ
の後、今日に至るまで、このトランスファ成形法が主流
になっている。このトランスファ成形法による封止は、
キャン封止やセラミック封止に比べ気密性には劣るもの
の、安く大量に生産できること、また素子のパッシベー
ション技術の向上、封止材料の飛躍的な向上などによ
り、信頼性が大幅に改善されたこともあり、今日の電子
部品封止の主流となっている。

【０００３】しかるに、近時、高密度実装化のニーズか
ら、例えばＳＯＰ（Small OutlinePackage ）などの面
実装型パッケージと呼ばれる薄型、小型のパッケージの
比率が高まってきている。そこで、これに対応して、ト
ランスファ成形用の金型、リードフレームの形状、封止
樹脂などが改良されてきている。しかしながら、面実装
型パッケージは、厚さが数ｍｍ以下であるので、樹脂が
キャビティに充填されない未充填不良、クラックやボイ
ドの発生、リードの変形等の成形欠陥の発生率が高くな
り、製品歩留の低下の原因となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、高密度
実装化の要請による薄型、小型の半導体装置のトランス
ファ成形法による封止においては、種々の成形欠陥が多
発する傾向がある。

【０００５】この発明は、上記事情を顧慮してなされた
もので、上述した従来のトランスファ成形方法がもって
いる技術的課題を解決し、面実装型半導体装置などをは
じめとする薄型の電子部品の封止を確実かつ能率的に行
うことができるトランスファ成形装置およびその被成形
体を提供することを目的とする。［発明の構成］

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のトランスファ成
形装置は、ポット中の空気を排出するためのエアベント
を特設したものである。本発明のトランスファ成形装置
は、キャビティの内壁面がダイパッドに対向する部位を
除いて粗面に形成したものである。本発明のトランスフ
ァ成形装置は、ゲートの中途にくびれ部を設けたもので
ある。本発明のトランスファ成形装置は、減圧成形する
場合において、少なくともキャビティに連設されたエア
ベントを開閉自在としたものである。

【０００７】本発明の被成形体は、リードフレームと、
このリードフレーム上に搭載された半導体素子と、この
半導体素子を封止する樹脂部とからなり、かつ、上記リ
ードフレームは、外枠と、この外枠に囲まれた中央部に
配設され上記半導体素子が搭載されるダイパッドと、こ
のダイパッドと外枠とを橋絡する吊りピンと、外枠の内
側からダイパッドに向かって複数本櫛歯状に突設された
リードと、これらリードと半導体素子を電気的に接続す
る細線とを有し、リードの細線接続部位以外の部分並び
に吊りピンの横断面は屈曲又は湾曲形状に形成したもの
である。

【０００８】本発明の被成形体は、リードフレームの半
導体素子搭載部位に半導体素子を格納する凹部を形成
し、かつ、この凹部の深さを、半導体素子の厚さとほぼ
同じに設定し、凹部に格納された半導体素子とリードフ
レームとが面一となるようにしたものである。

【０００９】

【作用】本発明のトランスファ成形装置は、キャビティ
中に充填される溶融樹脂に空気が巻き込まれることがな
くなるので、成形欠陥としてのボイドの発生を防止する
こができる。

【００１０】本発明のトランスファ成形装置は、溶融樹
脂がゲートからキャビティに流入する際の、溶融樹脂の
流動速度は均一化することにより、溶融樹脂の未充填不
良の発生を抑止することができる。

【００１１】本発明のトランスファ成形装置は、ゲート
の中途にくびれ部を設けたので、被成形体の樹脂部とイ
ンサート部との剥離やゲート部近傍におけるクラックの
発生を防止でき、成形品質や歩留の向上に寄与すること
ができる。

【００１２】本発明のトランスファ成形装置は、樹脂成
形前の減圧雰囲気形成のための排気速度を著しく高くす
ることが可能となり、成形能率の向上に寄与することが
可能となる。

【００１３】本発明の被成形体は、リード及び吊りピン
の剛性が強化されことにより、トランスファ成形時に、
溶融樹脂の流入圧力により変形することがなくなり、金
属細線の断線、短絡、リードフレームの樹脂部からの露
出等の信頼性を損なう不良の発生を防止することができ
る。

【００１４】本発明の被成形体は、ゲートから流入した
溶融樹脂は流動の妨げとなるものがなくなり、溶融樹脂
の流動速度が均一化する結果、未充填不良の発生を抑止
することができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。

【００１６】図１及び図２は、この実施例のトランスフ
ァ成形装置Ｍを示している。このトランスファ成形装置
は、上型１と下型２からなる金型部Ｍ０と、この金型部
Ｍ０により形成される複数のキャビティ３…（上型１と
下型２の内底面１ａ，２ａ間の距離は例えば９００μ
ｍ）＜図３及び図４参照＞と、下型２に設けられ円柱状
に成形された例えばエポキシ樹脂などからなるレジンタ
ブレット４を格納し溶融するポット５と、このポット５
にてレジンタブレット４が溶融して生成した溶融樹脂Ｒ
をキャビティ３…に案内するランナ６と、このランナ６
から各キャビティ３…に対応して分岐し溶融した溶融樹
脂Ｒをキャビティ３…に案内するゲート７…と、上型１
及び下型２に内設されポット５中のレジンタブレット４
を誘導加熱により溶融させるヒータ（図示せず。）と、
ポット５に摺動自在に嵌入するプランジャ９と、このプ
ランジャ９をその軸方向に駆動するプランジャ駆動機構
１０と、上型１を下型２に対して接離させる型開き機構
１１と、ランナ６中の空気を抜くためのエアベント機構
１２と、下型２に設けられ被成形体Ｌ（図３及び図４参
照）を突き出す離型機構１４とからなっている。しかし
て、ランナ６は、下型２の中央を横切るように直線状に
設けられている。そして、このランナ６の一端は、エア
ベント機構１２の一部をなしているエアベント１５を介
して外部に開口している。また、ランナ６の他端は、下
型２の一側部にてポット５に連結している。そして、ゲ
ート７…は、ランナ６の両側部にて一対ずつほぼ等間隔
で分岐している。さらに、ゲート７…には、キャビティ
３…が連設されている。しかして、ゲート７…は、キャ
ビティ３…の厚さ方向の中央部に位置するように、上型
１と下型２のパーティングライン位置に設けられてい
る。そして、これらキャビティ３…の内壁面は、図３及
び図４に示すように、後述するダイパッド２４…に対向
する部位を除いて粗面３ａ…に形成されている。しかし
て、離型機構１４は、ポット５の周囲に等配して設けら
れた４本のエジェクタピン１６…と、これらエジェクタ
ピン１６…をそれらの軸方向に進退駆動する図示せぬエ
ジェクタピン駆動手段とからなっている。さらに、エア
ベント機構１２は、前述したエアベント１５と、ポット
５の周囲に刻設されたリング状の溝１７と、この溝１７
とポット５を連通させるリング状のエアベント１８とか
らなっている。

【００１７】一方、図３及び図４は、この実施例のトラ
ンスファ成形装置Ｍにより成形される被成形体Ｌを示し
ている。この被成形体Ｌは、厚さ例えば１００μｍの薄
板状のリードフレーム１９と、このリードフレーム１９
上に搭載された厚さ例えば２００μｍの半導体素子２０
…と、この半導体素子２０…を封止する厚さ例えば９０
０μｍの樹脂部２１…とからなっている。しかして、上
記リードフレーム１９は、図５に示すように、全体とし
て帯状をなすものであって、半導体素子２０…ごとのユ
ニット２２…が長手方向に繰り返し形成してなるもので
ある。そして、このユニット２２は、矩形状をなす外枠
２３と、この外枠２３に囲まれた中央部に配設された矩
形状のダイパッド２４と、このダイパッド２４と外枠２
３とを橋絡する一対の吊りピン２５，２５と、外枠２３
の内側からダイパッド２４に向かって複数本櫛歯状に突
設されたリード２６…とからなっている。すなわち、樹
脂部２１は、リードフレーム１９並びに半導体素子２０
がインサート成形されてなるものである。しかして、吊
りピン２５，２５の長手方向は、リードフレーム１９の
長手方向と一致するようにダイパッド２４の両側に設け
られている。そして、吊りピン２５，２５は中途部にて
下方に折曲され、ダイパッド２４は、外枠２３よりもΔ
Ｌだけ低くなっていて、このダイパッド２４に搭載され
た半導体素子２０の厚さ方向中心部と外枠２３が同じ高
さとなるように設定されている。また、リード２６…の
長手方向は、リードフレーム１９の長手方向と直交する
ように設けられている。そして、半導体素子２０の端子
と各リード２６…の先端との間には金属細線Ｇ…がワイ
ヤボンディングにより接続されている。ところで、上記
吊りピン２５，２５並びにリード２６…は、金属細線Ｇ
…が接合される部分を除いて、図６又は図７に示すよう
に、その横断面がＶ字状又はＵ字状（波状又は鋸歯状で
もよい。）に形成され（図５の二点鎖線領域）、剛性が
高くなっている。しかして、このトランスファ成形装置
Ｍにより被成形体Ｌを成形する場合、まず、型開き機構
１１により、上型１を下型２に対して離間させる。つい
で、下型２のキャビティ３…上にリードフレーム１９を
所定の位置に位置決めする。つぎ、型開き機構１１によ
り上型１を下型２に対して密接させ、型締めする。そし
て、ポット５にレジンタブレット４を装填し、ヒータに
よりこのレジンタブレット４を溶融させる。このレジン
タブレット４は、エポキシ樹脂（例えばビススフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂）、硬化剤（例えばアミン類）、硬
化促進剤（例えば含窒素化合物類）、可撓化剤（例えば
シリコーンオイル、ゴム）、充填剤（例えば溶融シリ
カ）、カップリング剤（例えばエポキシシラン）、難燃
助剤（例えば三酸化アンチモン）、着色剤（例えばカー
ボンブラック）、離型剤（例えばワックス類）等の混合
物である。なお、このときの金型温度は、１６０〜１９
０°Ｃが最適である。ついで、プランジャ９を矢印Ａ１
方向に前進させ、ポット５中の溶融樹脂Ｒを例えば３０
〜１００ｋｇｆ／ｍｍ² で加圧する。すると、溶融樹脂
Ｒは、ポット５から、ランナ６及びゲート７…を経由し
てキャビティ３…に充填される。この溶融樹脂Ｒの流動
に伴って、ランナ６の中の空気は、ランナ６の末端に設
けられたエアベント１５から排出される。さらに、ポッ
ト５内において、このポット５と溶融樹脂Ｒとの間に滞
留している空気は、エアベント１８を介して、溝１７側
に排出され、さらにエジェクタピン１６…が嵌挿されて
いる孔を介して外部に排出される。その結果、溶融樹脂
Ｒ中にポット５内の空気が巻き込まれ、この溶融樹脂Ｒ
とともに空気がキャビティ３…中に流入しボイドが発生
することを防止することができる。

【００１８】一方、キャビティ３…の内壁面がダイパッ
ド２４…に対向する部位を除いて粗面３ａ…となってい
ることにより、溶融樹脂Ｒがゲート７…からキャビティ
３…に流入する際の、溶融樹脂Ｒの流動速度は均一化す
る。すなわち、もしキャビティ３…の内壁面が粗面３ａ
…でなかったとすると、ダイパッド２４…の表裏部分は
他の部分よりも狭隘であるので、溶融樹脂Ｒの流動速度
は、ダイパッド２４…の表裏部分にて減速してしまう。
この結果、キャビティ３…内で溶融樹脂Ｒが不均一に充
填する結果、未充填不良を惹起することになる。しか
し、この実施例においては、粗面３ａ…が形成されてい
ることにより、溶融樹脂Ｒの流動速度は均一化するの
で、未充填不良の発生を抑止することができる。

【００１９】さらに、溶融樹脂Ｒがキャビティ３…に流
入する際に、吊りピン２５，２５並びにリード２６…に
は過大な圧力が加わるが、この実施例においては、これ
ら吊りピン２５，２５並びにリード２６…は、横断面が
Ｖ字状又はＵ字状に形成され、剛性が高められているの
で、溶融樹脂Ｒの流入に伴う変形に耐えることができ
る。その結果、金属細線の断線、短絡、リードフレーム
１９の樹脂部２１からの露出等の信頼性を損なう不良の
発生を防止することができる。

【００２０】なお、上記実施例においては、エアベント
１８を通過した空気は、溝１７を経由して、エジェクタ
ピン１６…が嵌挿されている孔を介して外部に排出され
るようになっているが、図８に示すように、金型の外部
に開口する空気排出溝２７を介して、エアベント１８を
通過した空気を排出するようにしてもよい。

【００２１】また、図９及び図１０に示すように、本発
明の他の実施例における被成形体Ｌ１を示すもので、こ
の被成形体Ｌ１は、厚さ例えば４００μｍの薄板状のリ
ードフレーム３０と、このリードフレーム３０上に搭載
された厚さ例えば２００μｍの半導体素子３１と、この
半導体素子３１を封止する樹脂部３２とからなってい
る。そして、リードフレーム３０の半導体素子３１搭載
部位には、この半導体素子３１を格納する凹部３３が形
成されている。これら凹部３３の深さは、半導体素子３
１の厚さと同じ２００μｍに設定され、この凹部３３に
格納された半導体素子３１とリードフレーム３０とが面
一となっている。

【００２２】このような構成の被成形体Ｌ１を前記トラ
ンスファ成形装置Ｍを用いて成形する場合、上型１の内
底面１ａと半導体素子３１上面との距離Ｄ１と、リード
フレーム３０の上面と上型１の内底面１ａとの距離Ｄ２
と、下型２の内底面２ａと半導体素子３１を搭載してい
るダイパッド３１ａ下面との距離Ｄ３と、下型２の内底
面２ａとリードフレーム３０の下面との距離Ｄ４は等し
くなる。よって、ゲート７から流入した溶融樹脂Ｒは流
動の妨げとなるものがないので、流動速度が均一化する
結果、未充填不良の発生を抑止することができる。

【００２３】なお、この場合、リードフレーム３０の厚
さをすべて等しくすることなく、例えば、図１１及び図
１２に示す被成形体Ｌ２のように、キャビティ３内にお
いてのみ、リードフレーム３０の厚さを例えば４００μ
ｍとし、上型１と下型２とにより介挿されるリードフレ
ーム３０の厚さを例えば１００μｍとしても同様の作用
効果を奏することができる。さらに、図１３に示す被成
形体Ｌ３のように、リードフレーム３０のリード２６…
のワイヤＧ…接続部位のみ厚さを例えば１００μｍと薄
くしてもよい。

【００２４】また、図１４及び図１５は、本発明の他の
実施例のトランスファ成形装置Ｍ１を示すものであっ
て、このトランスファ成形装置Ｍ１は、上型４１と下型
４２からなる金型部４２と、この金型部４２により形成
される複数のキャビティ４３…（上型４１と下型４２の
内底面４１ａ，４２ａ間の距離は例えば９００μｍ）
と、上型４１に設けられ円柱状に成形された例えばエポ
キシ樹脂などからなるレジンタブレット（図示せず。）
を格納し溶融するポット（図示せず。）と、このポット
（図示せず。）にて溶融したレジンタブレット（図示せ
ず。）をキャビティ４３…に案内するランナ４６と、こ
のランナ４６から各キャビティ４３…に対応して分岐し
溶融樹脂Ｒをキャビティ４３…に案内するゲート４７…
と、上型４１及び下型４２に内設されポット中のレジン
タブレットを誘導加熱により溶融させるヒータ（図示せ
ず。）と、ポットに摺動自在に嵌入するプランジャ（図
示せず。）と、ランナ４６中の空気を抜くためのエアベ
ント機構５０と、上型４１と下型４２により形成される
ランナ４６及びキャビティ４３…及びゲート４７…を気
密に密封する密封機構５１と、この密封機構５１により
形成される密封空間５１ａを減圧する減圧機構５２とか
らなっている。しかして、エアベント機構５０は、ラン
ナ４６のポットとは反対側の端部に設けられた第１のエ
アベント５３と、キャビティ４３…のランナ６とは反対
側の端部に設けられた第２のエアベント５４…と、上端
部にこれら第２のエアベント５４…が形成され上型４１
に対して摺動自在に下型４２に嵌挿されたサイドピン５
５…（図１６参照）と、これらのサイドピン５５…を軸
方向に進退駆動するエアシリンダ（図示せず。）とから
なっている。ここで、サイドピン５５…の幅は、キャビ
ティ４３…の幅とほぼ等しく設定されている。一方、密
封機構５１は、上型４１にその側壁を包囲するように一
体的に取付けられた上型枠５６と、下型４２にその側壁
を包囲するように一体的に取付けられた下型枠５７とか
らなり、上型４１と下型４２が密着すると同時にこれら
上型枠５６と下型枠５７が気密に密着するように設けら
れている。さらに、減圧機構５２は、真空ポンプ５８
と、この真空ポンプ５８と密封機構５１との間に接続さ
れ密封空間５１ａ内の空気を真空ポンプ５８に案内する
ための減圧ダクト５９とを有している。

【００２５】しかして、このトランスファ成形装置Ｍ１
においては、まず上型４１と下型４２を型締めする。し
かして、図示せぬエアシリンダによりサイドピン５５…
を矢印Ｂ１方向に下降させる。すると、サイドピン５５
…と上型４１との間には、図１６に示すような通気孔６
０…が形成される。この通気孔６０…は、第２のエアベ
ント５４…よりもはるかに大きい。ついで、真空ポンプ
５８を起動して密封空間５１ａ内の空気を減圧ダクト５
９を介して除去する。これに伴って、ランナ６及びゲー
ト４７…及びキャビティ４３…の中の空気は、第１のエ
アベント５３並びに通気孔６０…を介して排気される。
この排気完了後に、サイドピン５５…を矢印Ｂ２方向に
上昇させ原位置に復帰させる。このような排気作業にお
いては、通気孔６０…が、第２のエアベント５４…より
もはるかに大きいので、第２のエアベント５４…を介し
て排気する場合に比べて、排気速度が著しく高くなるの
で、この後にトランスファ成形装置Ｍと同様にして行わ
れる成形作業に迅速に移行することができる利点を有し
ている。

【００２６】なお、上記実施例においては、複数のサイ
ドピン５５…を各キャビティ４３…ごとに設けている
が、第１７図に示すように、一本のサイドブロック６１
を上型４１に対して進退自在に下型４２に取付けても同
様の作用効果を奏することができる。

【００２７】また、上記実施例においては、複数のサイ
ドピン５５…の幅はキャビティ４３…の幅とほぼ等しく
設定されているが、特にこれに制約されることはなく、
サイドピン５５…の幅をキャビティ４３…の幅よりも小
さくしてもよい。

【００２８】さらにまた、上記実施例においては、サイ
ドピン５５…の上端部に第２のエアベント５４…を設け
ているが、この第２のエアベント５４…を省略し、サイ
ドピン５５…の位置調整によりエアベントを形成するよ
うにしてもよい。また、第１のエアベント５３を第２の
エアベント５４…と同様に開閉自在としてもよい。

【００２９】つぎに、図１８及び図１９は本発明の他の
実施例のトランスファ成形装置Ｍ２の要部を示すもので
あって、このトランスファ成形装置Ｍ２は、上型７１と
下型７２からなる金型部Ｍ２Ｏと、この金型部Ｍ２Ｏに
より形成される複数のキャビティ７３と、上型７１に設
けられ円柱状に成形された例えばエポキシ樹脂などから
なるレジンタブレット（図示せず。）を格納し溶融する
ポット（図示せず。）と、このポットにてレジンタブレ
ット（図示せず。）が溶融した溶融樹脂Ｒをキャビティ
７３に案内するランナ７６と、このランナ７６からキャ
ビティ７３に対応して分岐し溶融樹脂Ｒをキャビティ７
３に案内するゲート７７と、上型７１及び下型７２に内
設されポット中のレジンタブレットを誘導加熱により溶
融させるヒータ（図示せず。）と、ポットに摺動自在に
嵌入するプランジャ（図示せず。）と、ランナ７６中の
空気を抜くためのエアベント機構（図示せず。）と、こ
のプランジャをその軸方向に駆動するプランジャ駆動機
構（図示せず。）と、下型７２を上型７１に対して接離
させる型開き機構（図示せず。）と、下型７２に設けら
れ被成形体Ｌ４を突き出す離型機構７８とからなってい
る。この離型機構７８は、上型７１に摺動自在に嵌挿さ
れたエジェクタピン７９と、このエジェクタピン７９を
その軸方向に駆動するエジェクタピン駆動機構８０と、
成形終了後にこのエジェクタピン駆動機構８０の作動と
同期してゲート７７を切断するゲートカット機構７７ａ
とからなっている。そして、エジェクタピン７９は、ラ
ンナ７６の一部に当接し、被成形体Ｌ４を上型７１から
離型させるようになっている。さらに、ゲート７７…
は、中途にくびれ部８１が形成されている。すなわち、
ゲート７７…の厚さは、ランナ７６側からくびれ部８１
に近付くにつれて減少し、このくびれ部８１からキャビ
ティ７３側にいくにつれて厚さが増加するように設けら
れている。また、ゲート７７…の幅は、ランナ７６側か
らくびれ部８１に近付くにつれて減少し、このくびれ部
８１からキャビティ７３側にいくにつれて幅が増加する
ように設けられている。そして、ゲートカット機構は、
このくびれ部８１を切断するように設定されている。

【００３０】しかして、このトランスファ成形装置Ｍ２
により成形される被成形体Ｌ４は、例えばＩＣカードで
あって、基板８２と、この基板８２上に搭載された半導
体素子（図示せず。）と、この半導体素子（図示せ
ず。）を気密に封止する樹脂部８４とからなっている。
つまり、この被成形体Ｌ４はトランスファ成形装置Ｍ２
によりインサート成形されてなるものである。

【００３１】このような被成形体Ｌ４をトランスファ成
形装置Ｍ２によりインサート成形する場合、まず、半導
体素子を搭載した基板８２を、上型７１と下型７２との
間に介挿する。つぎに、ポットから溶融樹脂Ｒを、ラン
ナ７６及びゲート７７を経由してキャビティ７３に流入
させ、キャビティ７３に溶融樹脂Ｒを充填させ、半導体
素子を樹脂部８４により封止する。そして、この樹脂部
８４が固化した後、型開き機構により下型７２を上型７
１から離間させる。ついで、離型機構７８のエジェクタ
ピン７９をランナ７６に当接させ、下型７２から被成形
体Ｌ４を離型させると同時に、ゲートカット機構により
前記くびれ部８１を切断する。この場合、切断に伴う応
力は、くびれ部８１に集中するので、基板８２からの樹
脂部８４の剥離９１（図２０参照）や樹脂部８４のゲー
ト７７近傍のクラック９２（図２１参照）の発生を防止
することができる。その結果、成形品質や歩留の向上に
大幅に寄与することができる。

【００３２】

【発明の効果】本発明のトランスファ成形装置は、ポッ
ト中の空気を排出するためのエアベントを特設したの
で、キャビティ中に充填される溶融樹脂に空気が巻き込
まれることがなくなる。したがって、成形欠陥としての
ボイドの発生を防止するこができる。

【００３３】また、本発明のトランスファ成形装置は、
キャビティの内壁面がダイパッドに対向する部位を除い
て粗面に形成されていることにより、溶融樹脂がゲート
からキャビティに流入する際の、溶融樹脂の流動速度は
均一化する。よって、溶融樹脂の未充填不良の発生を抑
止することができる。

【００３４】また、本発明のトランスファ成形装置は、
ゲートの中途にくびれ部を設けたので、被成形体の樹脂
部とインサート部との剥離やゲート部近傍におけるクラ
ックの発生を防止でき、成形品質や歩留の向上に寄与す
ることができる。

【００３５】さらに、本発明のトランスファ成形装置
は、減圧成形する場合において、少なくともキャビティ
に連設されたエアベントを開閉自在としたので、樹脂成
形前の減圧雰囲気形成のための排気速度を著しく高くす
ることが可能となり、成形能率の向上に寄与することが
可能となる。

【００３６】一方、本発明の被成形体は、リードフレー
ムと、このリードフレーム上に搭載された半導体素子
と、この半導体素子を封止する樹脂部とからなり、か
つ、上記リードフレームは、外枠と、この外枠に囲まれ
た中央部に配設され上記半導体素子が搭載されるダイパ
ッドと、このダイパッドと外枠とを橋絡する吊りピン
と、外枠の内側からダイパッドに向かって複数本櫛歯状
に突設されたリードと、これらリードと半導体素子を電
気的に接続する細線とを有し、リードの細線接続部位以
外の部分並びに吊りピンの横断面は屈曲形状に形成され
ているので、直線状に比べて剛性が高くなっている。そ
の結果、これらリード及び吊りピンが、トランスファ成
形時に、溶融樹脂の流入圧力により変形することがなく
なり、金属細線の断線、短絡、リードフレームの樹脂部
からの露出等の信頼性を損なう不良の発生を防止するこ
とができる。

【００３７】さらにまた、本発明の被成形体は、リード
フレームの半導体素子搭載部位に半導体素子を格納する
凹部を形成し、かつ、この凹部の深さを、半導体素子の
厚さとほぼ同じに設定し、凹部に格納された半導体素子
とリードフレームとが面一となるようにしているので、
ゲートから流入した溶融樹脂は流動の妨げとなるものが
なくなり、溶融樹脂の流動速度が均一化する結果、未充
填不良の発生を抑止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のトランスファ成形装置の要
部断面正面図である。

【図２】本発明の一実施例のトランスファ成形装置の要
部平面図ある。

【図３】本発明の一実施例の被成形体の断面図である。

【図４】本発明の一実施例の被成形体の図３のＩＶ−Ｉ
Ｖ線に沿う矢視断面図である。

【図５】本発明の一実施例の被成形体の要部平面図であ
る。

【図６】本発明の一実施例の被成形体の要部断面図であ
る。

【図７】本発明の一実施例の被成形体の変形例を示す要
部断面図である。

【図８】本発明の一実施例のトランスファ成形装置の変
形例を示す要部断面正面図である。

【図９】本発明の他の実施例における被成形体の断面図
である。

【図１０】本発明の他の実施例における被成形体の図９
のＸ−Ｘ線に沿う矢視断面図である。

【図１１】本発明の他の実施例における被成形体の変形
例を示す要部断面図である。

【図１２】本発明の他の実施例の被成形体の図１１のＸ
ＩＩ−ＸＩＩ線に沿う矢視断面図である。

【図１３】本発明の他の実施例における被成形体の変形
例を示す要部断面図である。

【図１４】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部断面正面図である。

【図１５】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部平面図ある。

【図１６】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の作動説明図である。

【図１７】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の変形例を示す要部平面図ある。

【図１８】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部平面図ある。

【図１９】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部断面正面図である。

【図２０】従来のトランスファ成形装置の成形欠陥を示
す要部断面正面図である。

【図２１】従来のトランスファ成形装置の成形欠陥を示
す要部断面正面図である。

【符号の説明】

１：上型，２：下型，３：キャビティ，５：ポット，
６：ランナ，７：ゲート，１８：エアベント，１９：リ
ードフレーム，２０：半導体素子，２１：樹脂部，２
４：ダイパッド，２５：吊りピン，２６：リード，３
０：リードフレーム，３１：半導体素子，３３：凹部，
４１：上型，４２：下型，４３：キャビティ，４６：ラ
ンナ，４７：ゲート，５１：密封機構，５２：減圧機
構，５３：第１のエアベント，５４：第２のエアベン
ト，５５：サイドピン，６０：通気孔，７１：上型，７
２：下型，７３：キャビティ，７６：ランナ，７７：ゲ
ート，７９：エジェクタピン，８１：くびれ部，Ｌ１，
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４：被成形体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャと、上記
ランナ及び上記キャビティ内の空気の排出通路となる第
１のエアベントと、上記ポットに隣接して設けられこの
ポット内の空気の排出通路となる第２のエアベントとを
具備することを特徴とするトランスファ成形装置。
【請求項２】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャとを具備
し、上記キャビティ内にインサートされる基板上に固着
された被封止体を樹脂封止するトランスファ成形装置に
おいて、上記キャビティの上記被封止体に対向する部位
を除く部分が粗面に形成されていることを特徴とするト
ランスファ成形装置。
【請求項３】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャとを具備
し、上記ゲートの中途にくびれ部を設けたことを特徴と
するトランスファ成形装置。
【請求項４】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャと、上記
ランナ及び上記キャビティ内の空気の排出通路となるエ
アベントと、上記エアベントが開口するとともに少なく
とも上記上型と上記下型の密接部位を気密に封止する密
封手段と、この密封手段により包囲された空間を減圧す
る減圧手段とを具備し、上記エアベントを開口量調整自
在に設けたことを特徴とするトランスファ成形装置。
【請求項５】薄板状のリードフレームと、このリードフ
レーム上に搭載された半導体素子と、この半導体素子を
封止する樹脂部とを具備し、かつ、上記リードフレーム
は、外枠と、この外枠に囲まれた部位に配設され上記半
導体素子が固着されたダイパッドと、上記外枠と上記ダ
イパッドを橋絡する複数の吊りピンと、外枠の内側から
ダイパッドに向かって複数本櫛歯状に突設され先端部と
上記半導体素子とが金属細線を介して電気的に接続され
たリードとを有し、上記リードの上記金属細線接続部位
以外の部分並びに上記吊りピンの横断面は屈曲又は湾曲
形状に形成され剛性が強化されていることを特徴とする
被成形体。
【請求項６】外枠と、この外枠に囲まれた部位に配設さ
れたダイパッドと、上記外枠と上記ダイパッドを橋絡す
る複数の吊りピンと、外枠の内側からダイパッドに向か
って複数本櫛歯状に突設されたリードと、ダイパッド上
にダイボンディングにより接着された半導体素子と、上
記リードの先端部と上記半導体素子を電気的に接続する
金属細線と、上記ダイパッド上に形成され且つ上記半導
体素子を封止する樹脂部とを具備し、上記ダイパッドの
上記半導体素子搭載部位にこの半導体素子を格納する凹
部を形成し、かつ、この凹部の深さを、半導体素子の厚
さとほぼ同じに設定し、上記凹部に格納された上記半導
体素子と上記ダイパッドとを面一にしたことを特徴とす
る被成形体。