JPH0615699B2 - Photoconductive member for electrophotography - Google Patents

Photoconductive member for electrophotography

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JPH0615699B2
JPH0615699B2 JP59260686A JP26068684A JPH0615699B2 JP H0615699 B2 JPH0615699 B2 JP H0615699B2 JP 59260686 A JP59260686 A JP 59260686A JP 26068684 A JP26068684 A JP 26068684A JP H0615699 B2 JPH0615699 B2 JP H0615699B2
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aluminum alloy
photoconductive
photoconductive member
aluminum
support
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高久 川村
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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真用光導電部材に関する。The present invention relates to a photoconductive member for electrophotography.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構造体に幅
広く利用されているが、とりわけ、光導電部材の支持体
等精密加工を要求される電気乃至電子デバイスの構成部
材として、その利用動が高まりつつある。
Aluminum alloys are widely used in various structures such as building materials and automobile parts. Especially, their use is increasing as a constituent member of electric or electronic devices that require precision processing such as a support for a photoconductive member. .

しかしながら、例えば日本工業規格(JIS)により規
格化された展伸材、鋳物用、ダイガスト等の汎用のアル
ミニウム合金には、Mg、Cu、Mn、Si、Zn等の
積極的に添加される成分をはじめとする各種組成成分と
共に各種不純物成分が含有されており、これらが介在物
として組織中に析出して粒界段差を生起させたり、ある
いは水素ガスが組織中に空孔(Blister)として
存在して、精密加工の際の加工性を損ない、延いてはア
ルミニウム合金を構成部材とする電子部品等の特性を劣
化させることになる。
However, for example, general-purpose aluminum alloys such as wrought materials, castings, and Daigast standardized by the Japanese Industrial Standards (JIS) contain components such as Mg, Cu, Mn, Si, and Zn that are positively added. Various impurity components are contained in addition to various composition components such as the above, and these are precipitated as inclusions in the structure to cause a grain boundary step, or hydrogen gas exists in the structure as voids (Blister). As a result, the workability during precision processing is impaired, and the characteristics of electronic parts and the like having an aluminum alloy as a constituent member are deteriorated.

この様な事状を、光導電部材を1例として、更に詳しく
説明すると、例えば電子写真感光体は、通常、アルミニ
ウム合金から成る円筒状等の支持体表面上に光導電層を
設けて構成される。
Such a situation will be described in more detail by taking a photoconductive member as an example. For example, an electrophotographic photosensitive member is usually formed by providing a photoconductive layer on the surface of a cylindrical support made of an aluminum alloy. It

光導電層の材料としては有機乃至無機の各種光導電物質
が用いられているが、例えば1価の元素でダングリング
ボンドが修飾されたアモルフアスシリコン(以下、a−
Siという)は、その優れた光導伝性、耐擦性、耐熱性
のために光導電層の材料としての応用が期待されてい
る。このa−Siを実用に供するためには、a−Siの
光導電層に加えて、支持体からの電荷の注入を阻止する
電荷注入阻止層、SiN、SiC等の表面保護層等
を用い、目的に応じた多層構成とする必要がある。そし
てこの際の光導電部材の均一性は極めて重要であり、光
導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥が存在すると
美麗な画像が提供できないばかりでなく、実用に耐えな
いものとなる。
Various organic or inorganic photoconductive substances are used as materials for the photoconductive layer. For example, amorphous silicon whose dangling bonds are modified with a monovalent element (hereinafter referred to as a-
Si) is expected to be applied as a material for the photoconductive layer because of its excellent optical conductivity, abrasion resistance and heat resistance. To provide the a-Si into practical use, in addition to the photoconductive layer of a-Si, a charge injection blocking layer for blocking the injection of charges from the support, SiN X, a surface protective layer such as SiC X It is necessary to use a multi-layer structure according to the purpose. At this time, the uniformity of the photoconductive member is extremely important, and if there are defects such as nonuniform photoconductive properties and pinholes, not only a beautiful image cannot be provided, but also it cannot be put to practical use.

特にa−Siは、膜の形態が支持体の表面形状に大きく
作用されることが知られている。とりわけ、殆どの部分
でほぼ均一の光導電特性が必要となる大面積の電子写真
感光体ドラムにおいては、支持体の表面状態は極めて重
要であり、支持体表面に欠陥が存在すると膜の均一性が
悪くなり、柱状構造や球状突起が形成されるため、光導
電的不均一さの生じる原因となる。
In particular, it is known that the film shape of a-Si greatly affects the surface shape of the support. Especially, in the case of a large-area electrophotographic photosensitive drum, which requires almost uniform photoconductive properties in most parts, the surface condition of the support is extremely important. Deteriorates, and columnar structures and spherical projections are formed, which causes photoconductive nonuniformity.

ところが、アルミニウム合金の管材等を支持体として使
用する場合、その表面に鏡面仕上げ、エンボス加工等精
密な各種切削乃至は研摩加工を施す過程において、前述
した各種介在物により、例えばハードスポットと呼ばれ
る固い部分が存在したり、水素ガスによる空孔(Bli
ster)が存在したりすると、例えば切削加工による
鏡面化過程において、切削バイトに対する切削抵抗とな
り、アルミニウムシリンダー表面に欠陥部分を生ずる原
因となり、アルミニウム支持体表面上に1〜10μm程
度のひび割れ、エグレ状の傷、更には微細な凹凸あるい
は空孔(Blister)より発生するスジ状キズを発
生させる要因となっている。
However, when an aluminum alloy pipe material is used as a support, in the process of performing various precision cutting or polishing such as mirror finishing or embossing on the surface, a hard spot called a hard spot, for example, is caused by the above-mentioned various inclusions. Part is present, or there are holes (Bli
is present, it becomes a cutting resistance against a cutting tool in a mirror-finishing process by a cutting process, for example, causing a defective portion on the surface of the aluminum cylinder, cracks of 1 to 10 μm on the surface of the aluminum support, and an egre Is a factor that causes streaks such as scratches, fine fine irregularities, or voids (Blisters).

そこで、本発明者らは、アルミニウム合金における不純
物成分及び空孔(Blister)に着目し、特に含有
される水素の量を規制することにより、前述した従来の
問題点が解決されることを見出し、本発明を完成するに
至った。
Therefore, the present inventors have found that the above-mentioned conventional problems can be solved by paying attention to the impurity component and the vacancy (Blister) in the aluminum alloy, and particularly by controlling the amount of hydrogen contained. The present invention has been completed.

〔発明の目的及び概要〕[Object and Summary of Invention]

本発明の電子写真用光導電部材は、支持体上に光導電層
を有する電子写真用光導電部材において、前記支持体
が、アルミニウムを基質とし、含有する水素の量がアル
ミニウム100グラムに対して1.0cc以下であるア
ルミニウム合金から成ることを特徴とする。
The electrophotographic photoconductive member of the present invention is an electrophotographic photoconductive member having a photoconductive layer on a support, wherein the support uses aluminum as a substrate, and the amount of hydrogen contained is 100 g of aluminum. It is characterized in that it is made of an aluminum alloy of 1.0 cc or less.

〔発明の具体的説明及び実施例〕[Specific Description and Examples of Invention]

汎用のアルミニウム合金には、一般に、電解精錬から圧
延、押出等の塑性加工に至るまでの過程等において生成
し、混入し、残存する水素が、アルミニウム100グラ
ムに対して1ccを超えて含有されている。これによ
り、合金体の組織中に空孔状の組織異常を生起させ、精
密加工の際の加工性を損じたり、精密加工により得られ
る電子部品等の特性を劣化させる原因となっていた。本
発明においては、かかる不都合を生ずる水素の含量がア
ルミニウム100グラムに対して1.0cc前後で組織
異常の状況が大きく変わり、水素含有を1.0cc以下
に抑制することにより、前記組織異常による不都合が解
消されることを見出した。水素の含量が、アルミニウム
100グラムに対して1.0ccを超えると、前述した
様に、合金体の組織中に欠陥が生成され、精密加工の
時、例えば生成された表面の鏡面仕上時にバイトによっ
て欠陥を生じさせる空孔(Blister)の大きさと
存在密度が大きくなり、5μm以上の空孔(Blist
er)が在する様により、好ましくない。水素の更に好
ましい含量は、アルミニウム100グラムに対して0.
7cc以下である。アルミニウム合金中の水素含量を本
発明に規定している範囲に抑制する具体的な方法として
は、例えば、アルミニウム合金溶解時に、脱ガス工程と
して塩素ガスを溶湯中に吹込み、合金組織中に存在す水
素ガスをHClとして除去する法、あるいは溶解したア
ルミニウム合金を真空炉中に一定時間保持し合金組織中
に存在する水素ガスを真空中に拡散除去する方法などが
挙げられる。
In general-purpose aluminum alloys, hydrogen that is produced, mixed and left in the process from electrolytic refining to plastic working such as rolling and extrusion generally exceeds 1 cc per 100 g of aluminum. There is. This causes a void-like structure abnormality in the structure of the alloy body, impairing workability during precision processing, and deteriorating the characteristics of electronic parts and the like obtained by precision processing. In the present invention, when the hydrogen content causing such inconvenience is about 1.0 cc with respect to 100 g of aluminum, the situation of the tissue abnormality greatly changes, and by suppressing the hydrogen content to 1.0 cc or less, the inconvenience due to the tissue abnormality is caused. It was found that If the hydrogen content exceeds 1.0 cc per 100 g of aluminum, defects are generated in the structure of the alloy body, as described above, and due to the bite during precision machining, for example, during the mirror finishing of the generated surface. The size and the existence density of the holes (Blister) that cause the defect are increased, and the holes (Blist) of 5 μm or more are formed.
er) is present, which is not preferable. The more preferable content of hydrogen is 0.
It is 7 cc or less. As a specific method for suppressing the hydrogen content in the aluminum alloy within the range specified in the present invention, for example, when the aluminum alloy is melted, chlorine gas is blown into the molten metal as a degassing step to exist in the alloy structure. A method of removing hydrogen gas as HCl or a method of holding the molten aluminum alloy in a vacuum furnace for a certain period of time and diffusing and removing the hydrogen gas existing in the alloy structure into a vacuum can be used.

この様に、本明においてはアルミニウム合金中に含有さ
れる水素量を規定したが、基質アルミニウムをはじめと
するその他の合金成分については、特に制限はなく、成
分の種類、組成等については任意に選択することができ
る。従って、本発明のアルミニウム合金には、日本工業
規格(JIS)、AA規格、BS規格、DIN規格、国
際合金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等として規
格化あるいは登録されている、純アルミニウム系、Al
−Cu系、Al−Mn系、Al−Si系、Al−Mg
系、Al−Mg−Si系、Al−Zn−Mg系等の組成
の合金、Al−Cu−Mg系(ジユラルミン、超ジユラ
ルミン等)、Al−Cu−Si系(ラウタル等)、Al
−Cu−Ni−Mg系(Y合金、RR合金等)、アルミ
ニウム粉末焼結体(SAP)等が包含される。
As described above, in the present invention, the amount of hydrogen contained in the aluminum alloy is specified, but other alloy components such as the substrate aluminum are not particularly limited, and the kind of the component, the composition, etc. can be arbitrarily set. You can choose. Therefore, the aluminum alloy of the present invention is standardized or registered as a wrought material, casting, die casting, etc. in Japanese Industrial Standards (JIS), AA standard, BS standard, DIN standard, international alloy registration, etc. Aluminum type, Al
-Cu system, Al-Mn system, Al-Si system, Al-Mg
System, alloys of composition such as Al-Mg-Si system, Al-Zn-Mg system, Al-Cu-Mg system (duralumin, super-duralamine, etc.), Al-Cu-Si system (laural, etc.), Al
-Cu-Ni-Mg system (Y alloy, RR alloy, etc.), aluminum powder sintered body (SAP), etc. are included.

本発明においてアルミニウム合金の組成と選択するに
は、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、
耐食性、加工性、耐熱性、寸法精度等を考慮して適宜に
選択すれば良いが、例えば精密加工に際して、鏡面化切
削加工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグネ
シウム及び銅を共存させることによって、アルミニウム
合金の快削性が向上する。マグネシウムあるいは銅の含
量は、それぞれ0.5〜10重量%の範囲が好ましく、
特に1〜7重量%の範囲が望ましい。マグネシムウ含有
が余りにも高過ぎると結晶粒界部分に粒界腐食が生じ易
くなるため、10重量%を超えて添加することは望まし
くない。
In the present invention, to select the composition of the aluminum alloy, as a characteristic according to the purpose of use, for example, mechanical strength,
It may be appropriately selected in consideration of the corrosion resistance, workability, heat resistance, dimensional accuracy, etc., but for example, in the case of precision machining, when accompanied by mirror cutting, coexist magnesium and copper in the aluminum alloy. This improves the free-cutting property of the aluminum alloy. The content of magnesium or copper is preferably in the range of 0.5 to 10% by weight,
Particularly, the range of 1 to 7% by weight is desirable. If the magnesium content is too high, intergranular corrosion is likely to occur in the crystal grain boundary portion, so it is not desirable to add more than 10% by weight.

また、アルミニウム合金中に含有される鉄は、共存する
アルミニウムやケイ素とFe−Al系やFe−Al−S
i系の金属間化合物を形成し、アルミニウムマトリック
ス中にハードスポットとして現れる。特にこのハードス
ポットは鉄含量2000ppmを境にして鉄が増加する
と急激に増加し、例えば鏡面切削加工等の際に悪影響を
及ぼす。従って、本発明のアルミニウム合金における好
ましい鉄含量は、2000ppm以下、更には1000
ppm以下である。
Further, the iron contained in the aluminum alloy is such that the coexisting aluminum or silicon and the Fe-Al system or Fe-Al-S.
An i-based intermetallic compound is formed and appears as a hard spot in the aluminum matrix. In particular, this hard spot sharply increases as the iron content increases at an iron content of 2000 ppm, which adversely affects, for example, mirror cutting. Therefore, the preferable iron content in the aluminum alloy of the present invention is 2000 ppm or less, and further 1000
It is below ppm.

因みに、本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示する。
Incidentally, the concrete composition of the aluminum alloy of the present invention is illustrated below.

〔Al−Mg系〕[Al-Mg system]

Mg 0.5〜10重量% Si 0.5重量%以下 Fe 0.25重量%以下(好ましくは2000pp
m以下) Cu 0.04〜0.2重量% Mn 0.01〜1.0重量% Cr 0.05〜0.5重量% Zn 0.03〜0.25重量% Ti Tr又は0.05〜0.20重量% H Al 100グラムに対して1.0cc以下 Al 実質的に残部 〔Al−Mn系〕 Mn 0.3〜1.5重量% Si 0.5重量%以下 Fe 0.25重量%以下(好ましくは2000pp
m以下) Cu 0.05〜0.3重量% Mg 0.2〜1.3重量% Cr 0又は0.1〜0.2重量% Zn 0.1〜0.4重量% Ti Tr又は0.1重量%程度 H Al 100グラムに対して1.0cc以下 Al 実質的に残部 〔Al−Cu系〕 Cu 1.5〜6.0重量% Si 0.5重量%以下 Fe 0.25重量%以下(好ましくは2000pp
m以下) Mn 0又は0.2〜1.2重量% Mg 0.2〜1.8重量% Cr 0.1重量%程度 Zn 0.2〜0.3重量% Ti Tr又は0.15〜0.2 重量% H Al 100グラムに対して1.0cc以下 Al 実質的に残部 〔Al−Mg−Si系〕 Mg 0.35〜1.5重量% Si 0.5〜10重量% Fe 0.25重量%以下(好ましくは2000pp
m以下) Cu 0.1〜0.4重量% Mn 0.03〜0.8重量% Cr 0.03〜0.35重量% Zn 0.1〜0.25重量% Ti Tr又は0.1 〜0.15重量% H Al 100グラムに対して1.0cc以下 Al 実質的に残部 〔純アルミニウム系〕 Mg 0.05〜0.5重量% Si 0.3重量%以下 Fe 0.25重量%以下(好ましくは2000pp
m以下) Cu 0.03〜0.1重量% Mn 0.02〜0.05重量% Cr Tr Zn 0.03〜0.1重量% Ti Tr又は0.03〜0.1 重量% H Al 100グラムに対して1.0cc以下 Al 実質的に残部 (但し、前記Trとは積極的に添加しない場合の痕跡量
を意味する。) 本発明のアルミニウム合金は、圧延、押出等の塑性加工
を経た後、切削乃至は研摩等の機械的方法、乃至は化学
エッチング等化学的乃至物理的方法を伴なう精密加工を
施し、必要に応じて熱処理、調質等を随時組合せて、使
用目的に応じた適宜の形状に賦形される。例えば電子写
真感光体ドラム等の厳格な寸法精度を要求される管状の
構成部材に賦形する場合は、通常の押出加工により得ら
れるポートホール押出管あるいはマンドレル押出管を、
更に冷間引抜加工して得られる引抜管を使用するのが好
ましく、この様な管を用い、例えば管表面に鏡面仕上
げ、エンボシング等のための切削乃至は研摩等の機械的
方法、乃至は化学エッチング等化学的乃至物理的方法を
伴なう精密加工を施した場合に、本発明のアルミニウム
合金の特長が特に顕著に現われる。
Mg 0.5-10 wt% Si 0.5 wt% or less Fe 0.25 wt% or less (preferably 2000 pp
m or less) Cu 0.04 to 0.2 wt% Mn 0.01 to 1.0 wt% Cr 0.05 to 0.5 wt% Zn 0.03 to 0.25 wt% Ti Tr or 0.05 to 0.20 wt % H 2 Al 100 gram or less 1.0 cc Al substantially the balance [Al-Mn system] Mn 0.3 to 1.5 wt% Si 0.5 wt% or less Fe 0.25 wt% or less (preferably Is 2000pp
m or less) Cu 0.05 to 0.3 wt% Mg 0.2 to 1.3 wt% Cr 0 or 0.1 to 0.2 wt% Zn 0.1 to 0.4 wt% Ti Tr or 0. About 1% by weight H 2 Al 100 gram or less 1.0 cc Al substantially the balance [Al-Cu system] Cu 1.5 to 6.0% by weight Si 0.5% by weight or less Fe 0.25% by weight Below (preferably 2000pp
m or less) Mn 0 or 0.2 to 1.2 wt% Mg 0.2 to 1.8 wt% Cr about 0.1 wt% Zn 0.2 to 0.3 wt% Ti Tr or 0.15 to 0.2 wt% H 2 Al 100 grams 1.0cc or less Al substantially balance [Al-Mg-Si-based] Mg 0.35 to 1.5 wt% Si 0.5 to 10 wt% Fe 0.25% by weight or less based on (Preferably 2000 pp
m or less) Cu 0.1 to 0.4 wt% Mn 0.03 to 0.8 wt% Cr 0.03 to 0.35 wt% Zn 0.1 to 0.25 wt% Ti Tr or 0.1 to 0.15 wt % H 2 Al 100 gram or less 1.0 cc Al substantially the balance [pure aluminum-based] Mg 0.05 to 0.5 wt% Si 0.3 wt% or less Fe 0.25 wt% or less (preferably 2000pp
m or less) Cu 0.03 to 0.1 wt% Mn 0.02 to 0.05 wt% Cr Tr Zn 0.03 to 0.1 wt% Ti Tr or 0.03 to 0.1 wt% H 2 Al 100 g 1.0 cc or less Al Substantially the rest (however, Tr means the amount of traces when not positively added.) The aluminum alloy of the present invention is subjected to plastic working such as rolling and extrusion, and then cutting. Or mechanical treatment such as polishing, or precision processing accompanied by chemical or physical method such as chemical etching, and optionally heat treatment, tempering, etc. are optionally combined, and an appropriate treatment according to the purpose of use is performed. Shaped into shape. For example, when shaping into a tubular component member that requires strict dimensional accuracy such as an electrophotographic photosensitive drum, a porthole extruded tube or a mandrel extruded tube obtained by ordinary extrusion processing is used.
Further, it is preferable to use a drawn tube obtained by cold drawing, and using such a tube, for example, a mirror surface finish of the tube surface, a mechanical method such as cutting or polishing for embossing, or a chemical method. The characteristics of the aluminum alloy of the present invention are particularly remarkable when subjected to precision processing involving chemical or physical methods such as etching.

本発明のアルミニウム合金は、電子写真感光体等の光導
電部材の支持体、コンプーターメモリー用磁気デイスク
基板、レーザースキヤン用のポリゴンミラー基体に最適
である、ダイヤバイトにより鏡面仕上げ、円筒研削仕上
げ、ラッピング仕上げ等の手段を用いて、Rmax=1
μm以下の表面粗さ、好ましくは Rmax=0.05
μm以下の平面度に仕上げられる各種電気乃至は電子デ
バイスの構成部材として有用である。
The aluminum alloy of the present invention is most suitable for a support for a photoconductive member such as an electrophotographic photoreceptor, a magnetic disk substrate for a computer memory, a polygon mirror substrate for a laser scan, a mirror surface finish by a diamond tool, a cylindrical grinding finish, lapping. R max = 1 using means such as finishing
Surface roughness of less than or equal to μm, preferably R max = 0.05
It is useful as a constituent member of various electric or electronic devices that are finished to a flatness of μm or less.

以下、本発明のアルミニウム合金を支持体として用い、
光導電物質としてa−Siを用いた電子写真用の光導電
部材について、本発明の光導電部材の構成例を説明す
る。
Hereinafter, using the aluminum alloy of the present invention as a support,
Regarding the photoconductive member for electrophotography using a-Si as the photoconductive substance, a configuration example of the photoconductive member of the present invention will be described.

この様な光導電部材は、例えば支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層(感光層)及び表面保護層を順次積層した
構成を有している。
Such a photoconductive member has, for example, a structure in which a charge injection blocking layer, a photoconductive layer (photosensitive layer) and a surface protective layer are sequentially laminated on a support.

支持体の形状は、所望によって検定されるが、例べば電
子写真用として使用するのであれば、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が十分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、こ
の様な場合にも、支持体の製造上及び取扱い上、更には
機械的強度等の点から、通常は、10μm以上とされ
る。
The shape of the support may be verified as desired, but in the case of use for electrophotography, for example, in the case of continuous high speed copying, it is desirable to have an endless belt shape or a cylindrical shape.
The thickness of the support is appropriately determined so that a desired photoconductive member is formed, but when flexibility is required as the photoconductive member, a range in which the function as a support is sufficiently exhibited If it is inside, it will be made as thin as possible. However, even in such a case, it is usually 10 μm or more from the viewpoints of production and handling of the support, and mechanical strength and the like.

支持体表面は、光導電部材の均一性を保つために例えば
鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施され、また、感
光体を光源としてレーザー光等の可干渉性単色光を使用
するデジタル画像情報記録に使用する場合に、干渉縞模
様を防止するためなどに、例えば旋盤、フライス盤等を
用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工あるいは化学
エッチング等他の精密加工により規則的乃至は不規則の
例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。
In order to maintain the uniformity of the photoconductive member, the surface of the support is mirror-finished by, for example, mirror-cutting processing, and digital image information using coherent monochromatic light such as laser light with the photoconductor as the light source. When used for recording, in order to prevent interference fringe patterns, for example, by means of mechanical precision machining such as diamond cutting using a lathe, milling machine, etc. or other precision machining such as chemical etching Fine irregularities are attached.

電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び/又はハロゲン
原子を含有するa−Siで構成されると共に、伝導性を
支配する物質として、通常半導体の不純物として用いら
れる周期律表第III族乃至は第V族に属する元素の原子
が含有される。電荷注入阻止層の層厚は、好ましくは
0.01〜10μm、より好適には0.05〜8μm、
最適には0.07〜5μmとされるのが望ましい。
The charge injection blocking layer is composed of, for example, a-Si containing a hydrogen atom and / or a halogen atom, and is a substance that controls conductivity, and is usually used as an impurity of a semiconductor. It contains atoms of elements belonging to Group V. The layer thickness of the charge injection blocking layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.05 to 8 μm,
Optimally, it is desirable that the thickness is 0.07 to 5 μm.

電荷注入阻止層の代りに、例えばAl、Si
、Si、ポリカーボネート等の電気絶縁材料
から成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電荷注入阻
止層と障壁層とを併用することもできる。
Instead of the charge injection blocking layer, for example, Al 2 O 3 , Si
A barrier layer made of an electrically insulating material such as O 2 , Si 3 N 4 or polycarbonate may be provided, or the charge injection blocking layer and the barrier layer may be used in combination.

光導電層は、例えば水素原子とハロゲン原子を含有する
a−Siで構成され、所望により電荷注入阻止層に用い
るのとは別種の伝導性を支配する質が含有される。光導
電層の層厚は、好ましくは1〜100μm、より好適に
は1〜80μm、最適には2〜50μmとされるのが望
ましい。
The photoconductive layer is made of, for example, a-Si containing hydrogen atoms and halogen atoms, and if desired, contains a quality of conductivity different from that used for the charge injection blocking layer. The layer thickness of the photoconductive layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 1 to 80 μm, and most preferably 2 to 50 μm.

表面保護層は、例えばSiC、SiN等で構成さ
れ、層厚は、好ましくは0.01〜10μm、より好適
には0.02〜5μm、最適には0.04〜5μmとさ
れるのが望ましい。
The surface protective layer is composed of, for example, SiC X , SiN X, or the like, and the layer thickness is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.02 to 5 μm, and most preferably 0.04 to 5 μm. Is desirable.

本発明において、a−Siで構成される光導電層等を形
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンプレーテイング法等の従来公知の種々の
放電現象を放電現象を利用する真空堆積法が適用され
る。
In the present invention, to form a photoconductive layer composed of a-Si, for example, a glow discharge method, a sputtering method,
Alternatively, a vacuum deposition method utilizing various known discharge phenomena such as an ion plating method, which utilizes the discharge phenomenon, is applied.

次にグロー放電分解法による光導電部材の製造法の1例
について説明する。
Next, an example of a method for manufacturing a photoconductive member by the glow discharge decomposition method will be described.

第1図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。堆積槽1は、ベースプレート2と槽壁3とトッ
ププレート4とから構成され、この堆積槽1内には、カ
ソード電極5が設けられており、a−Si堆積膜が形成
される特定の組成を有するアルミニウム合金製のドラム
状支持体6はカソード電極5の中央部に設置され、アノ
ード電極としての役割も兼ねている。
FIG. 1 shows an apparatus for producing a photoconductive member by the glow discharge decomposition method. The deposition tank 1 is composed of a base plate 2, a tank wall 3 and a top plate 4. Inside the deposition tank 1, a cathode electrode 5 is provided, and a specific composition for forming an a-Si deposition film is formed. The aluminum alloy drum-shaped support body 6 is installed in the central portion of the cathode electrode 5 and also serves as an anode electrode.

この製造装置を使用してa−Si堆積膜をドラム状支持
体上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ7及び
リークバルブ8を閉じ、排気バルブ9を開け、堆積槽1
内を排気する。真空計10の読みが約5×10-6tor
rになった時点で原料ガス流入バルブ7を開いて、マス
フローコントローラー11内で所定の混合比に調整され
た、例えばSiHガス、Siガス、SiF
ス等の原料混合ガスを堆積槽1内に流入させる。このと
き、堆積槽1内の圧力が所望の値になる様に真空計10
の読みを見ながら、排気バルブ9の開口度を調整する。
そしてドラム状支持体6の表面温度が加熱ヒータエー1
2により所定の温度に設定されていることを確認した
後、高周波電源13を所望の電力に設定して堆積槽1内
にグロー放電を生起させる。
In order to form an a-Si deposited film on the drum-shaped support using this manufacturing apparatus, first, the source gas inflow valve 7 and the leak valve 8 are closed, the exhaust valve 9 is opened, and the deposition tank 1
Exhaust the inside. The reading of the vacuum gauge 10 is about 5 × 10 -6 torr
When the temperature reaches r, the raw material gas inflow valve 7 is opened to deposit a raw material mixed gas, such as SiH 4 gas, Si 2 H 6 gas, or SiF 4 gas, which is adjusted to a predetermined mixing ratio in the mass flow controller 11. It is made to flow into the tank 1. At this time, the vacuum gauge 10 is adjusted so that the pressure in the deposition tank 1 reaches a desired value.
The opening degree of the exhaust valve 9 is adjusted while watching the reading.
The surface temperature of the drum-shaped support 6 is the heater 1
After confirming that the temperature is set to a predetermined temperature by 2, the high frequency power supply 13 is set to a desired power to cause glow discharge in the deposition tank 1.

また、層形成を行なっている間は、層形成の均一化を図
るためにドラム状支持体6をモータ14により一定速度
で回転させる。このようにしてドラム状支持体6上に、
a−Si堆積膜を形成することができる。
During the layer formation, the drum-shaped support 6 is rotated at a constant speed by the motor 14 in order to make the layer formation uniform. In this way, on the drum-shaped support 6,
An a-Si deposited film can be formed.

以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples.

実施例1〜3、比較例1、2 精密切削用のエアーダンパー付旋盤 (PNEUMO PRECISION INC.製)
に、先端部曲率0.01(mm-1)のダイヤモンドバイト
を、シリンダー中心角に対して5゜の負のすくい角を得
る様にセットした。次にこの旋盤の回転軸フランジに、
第1表に示した水素含量の異なる5種のAl−Mg系ア
ルミニウム合金製シリンダー(Mg含量はいずれも4重
量%、Fe含量は2000ppm以下)を真空チヤック
し、付設したノズルからの白燈油噴霧、同じく付設した
真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、周速10
00(m/min)、送り速度0.01(mm/R)の
条件で、外径が80mmΦとなる様鏡面切削を施した。
このようにして鏡面加工したシリンダーにつき、鏡面加
工後に生じている表面欠陥(エグレ状の傷、ひび割れ、
空孔により生ずるスジ状キズ)を目視及び金属顕微鏡に
より検査し、その数を調べた。なお、シリンダイーに含
有される水素の量を作製したシリンダーの一部を切りと
り、これをサンプルとし、ラボラトリー・イクイップメ
ンツ・コーポレーシヨン製RH−1E型を用い、その仕
様書に従って測定した。
Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 Lathe with air damper for precision cutting (manufactured by PNEUMO PRECISION INC.)
Then, a diamond bite having a tip curvature of 0.01 (mm -1 ) was set so as to obtain a negative rake angle of 5 ° with respect to the cylinder center angle. Next, on the rotary shaft flange of this lathe,
5 types of Al-Mg-based aluminum alloy cylinders with different hydrogen contents shown in Table 1 (Mg contents are all 4% by weight, Fe contents are 2000 ppm or less) are vacuum-checked, and white kerosene is sprayed from the attached nozzles. , A peripheral speed of 10 while using suction of cutting chips from a vacuum nozzle also attached.
Mirror cutting was performed under the conditions of 00 (m / min) and a feed rate of 0.01 (mm / R) so that the outer diameter was 80 mmΦ.
With respect to a cylinder that has been mirror-finished in this way, surface defects (egre-like scratches, cracks,
The number of streaky scratches caused by the holes was examined visually and by a metallurgical microscope. The amount of hydrogen contained in Cylinder E was cut out from a part of the prepared cylinder, and this sample was used as a sample and measured according to the specifications using a model RH-1E manufactured by Laboratory Equipments Corporation.

次に、これらの鏡面加工したアルミニウム合金製シリン
ダーのそれぞれの上に、第1図に示した光導電部材の製
造装置を用い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、
下記の条件により光導電部材を作製した。
Next, on each of these mirror-finished aluminum alloy cylinders, using the photoconductive member manufacturing apparatus shown in FIG. 1, according to the glow discharge decomposition method detailed above,
A photoconductive member was produced under the following conditions.

アルミニウムシリンダー温度:250℃ 堆積膜形成時の堆積室内内圧:0.3Torr 放電周波数:13.56MHz 堆積膜形成速度:20Å/sec 放電電力:0.18W/cm こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、キヤノン
(株)製400RE複写装置に設置して画出しを行な
い、白点状の画像欠陥(0.3mmΦ以上)の評価を実
施した。これらの評価結果を第1表に示した。
Aluminum cylinder temperature: 250 ° C. Internal pressure of deposition chamber during deposition film formation: 0.3 Torr Discharge frequency: 13.56 MHz Deposition film formation rate: 20 Å / sec Discharge power: 0.18 W / cm 2 Electrophotographic photoreceptors thus obtained The drum was installed in a 400RE copying machine manufactured by Canon Inc. to perform image formation, and white dot image defects (0.3 mmΦ or more) were evaluated. The results of these evaluations are shown in Table 1.

なお、実施例1〜3の各電子写真感光体ドラムについて
は、更に100万枚の耐久試験を、23℃/相対湿度5
0%、30℃/相対湿度90%、5℃/相対湿度20%
の各環境下で実施したが、画像欠陥、特に白抜け等の欠
陥の増加もなく、良好な耐久性を有していることが確認
された。
For each of the electrophotographic photosensitive drums of Examples 1 to 3, a durability test of 1 million sheets was performed at 23 ° C./relative humidity of 5
0%, 30 ° C / 90% relative humidity, 5 ° C / 20% relative humidity
It was confirmed that it has good durability without any increase in image defects, especially defects such as white spots.

実施例4〜6、比較例3〜5 Al−Mg系アルミニウム合金の代りに、Al−Mn
系、Al−Mg−Si系、及び、純アルミニウム系のア
ルミニウム合金(Fe含量は何れも1000ppm以
下)を用いた以外は、実施例1と同一のアルミニウム合
金製シリンダー並びに光導電部材を作製した。
Examples 4 to 6 and Comparative Examples 3 to 5 Instead of Al-Mg based aluminum alloy, Al-Mn
The same aluminum alloy cylinder and photoconductive member as in Example 1 were prepared, except that the Al, Mg, Si, and pure aluminum aluminum alloys (each Fe content was 1000 ppm or less) were used.

かくして得られたシリンダーの鏡面化過程で発生した欠
陥数並びに画出しを行なった際の画像欠陥を実施例1と
同様に評価し、結果を第2表に示した。
The number of defects generated in the mirror-finishing process of the cylinder thus obtained and the image defects at the time of image formation were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 2.

〔発明の効果〕 本発明のアルミニウム合金によれば、含有する水素によ
る空孔(Blister)等の組織異常が抑制され、乃
至は全くなくなり、精密加工による加工性の低下や加工
製品の所望される特性の劣化が抑えられるため、精密加
工が必要とされる電気乃至は電子デバイスの構成部材、
とりわけ精密加工による正確な表面形状が望まれる光導
電部材、コンプーターメモリー用磁気デイスク基板、レ
ーザースキヤン用のポリゴンミラー基体等の電気乃至は
電子デバイス構成部材として好適である。
[Advantages of the Invention] According to the aluminum alloy of the present invention, structural abnormalities such as voids (Blister) due to contained hydrogen are suppressed or completely eliminated, resulting in deterioration of workability due to precision processing and desired processed products. Since deterioration of characteristics is suppressed, components of electric or electronic devices that require precision processing,
Particularly, it is suitable as an electric or electronic device constituent member such as a photoconductive member for which an accurate surface shape is desired by precision processing, a magnetic disk substrate for a computer memory, a polygon mirror substrate for a laser scan, and the like.

また、このアルミニウム合金を引抜加工して得られる管
材は、正確な表面形状並びに高い寸法精度が得られるた
め、とりわけ電子写真感光体ドラムの支持体等精密な管
状構成部材等を構成するのに好適である。
Further, since the pipe material obtained by drawing this aluminum alloy can obtain an accurate surface shape and high dimensional accuracy, it is particularly suitable for forming a precise tubular component member such as a support for an electrophotographic photosensitive drum. Is.

更に、本発明のアルミニウム合金を支持体として用いた
光導電部材は、電気的、光学的乃至は光導電的特性の均
一性に優れ、就中、電子写真用として用いた場合、画像
欠陥が少なく、高品質な画像を得ることができる。
Furthermore, the photoconductive member using the aluminum alloy of the present invention as a support is excellent in the uniformity of electrical, optical or photoconductive properties, and when used for electrophotography, there are few image defects. , You can get high quality images.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、グロー放電解法による光導電部材の製造装置
を示した図である。 1……堆積槽、 2……ベースプレート、 3……槽壁、 4……トッププレート、 5……カソード電極、 6……ドラム状支持体、 7……原料ガス流入バルブ、 8……リークバルブ。 9……排気バルブ、 10……真空計、 11……マスフローコントローラ、 12……加熱ヒーター、 13……高周波電源、 14……モータ。
FIG. 1 is a view showing an apparatus for manufacturing a photoconductive member by the glow discharge solution method. 1 ... Deposition tank, 2 ... Base plate, 3 ... Tank wall, 4 ... Top plate, 5 ... Cathode electrode, 6 ... Drum-like support, 7 ... Raw material gas inflow valve, 8 ... Leak valve . 9 ... Exhaust valve, 10 ... Vacuum gauge, 11 ... Mass flow controller, 12 ... Heating heater, 13 ... High frequency power supply, 14 ... Motor.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】支持体上に光導電層を有する電子写真用光
導電部材において、前記支持体が、アルミニウムを基質
とし、含有する水素の量がアルミニウム100グラムに
対して1.0cc以下であるアルミニウム合金から成るこ
とを特徴とする電子写真用光導電部材。
1. A photoconductive member for electrophotography having a photoconductive layer on a support, wherein the support uses aluminum as a substrate and the amount of hydrogen contained is 1.0 cc or less per 100 g of aluminum. A photoconductive member for electrophotography, which is made of an aluminum alloy.
【請求項2】光導電層が、ケイ素原子を含む非晶質材料
から成る層を含むものである特許請求の範囲第(1)項
記載の電子写真用光導電部材。
2. The photoconductive member for electrophotography according to claim 1, wherein the photoconductive layer includes a layer made of an amorphous material containing silicon atoms.
【請求項3】前記アルミニウム合金がマグネシウムを
0.5〜10重量%の範囲で含有する特許請求の範囲第
(1)項記載の電子写真用光導電部材。
3. The photoconductive member for electrophotography according to claim 1, wherein the aluminum alloy contains magnesium in an amount of 0.5 to 10% by weight.
【請求項4】前記アルミニウム合金が鉄を2000ppm
以下含有する特許請求の範囲第(1)項記載の電子写真
用光導電部材。
4. The aluminum alloy contains 2000 ppm of iron.
The photoconductive member for electrophotography according to claim (1), which further comprises:
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