JPH06158308A - インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH06158308A JPH06158308A JP4336700A JP33670092A JPH06158308A JP H06158308 A JPH06158308 A JP H06158308A JP 4336700 A JP4336700 A JP 4336700A JP 33670092 A JP33670092 A JP 33670092A JP H06158308 A JPH06158308 A JP H06158308A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング期間にターゲットが黒化しに
くく、安定して低い薄膜抵抗値のＩＴＯ膜を得る。 【構成】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からな
る焼結体であり、相対密度が９０％以上で単相構造を有
し、比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃｍ以下であるインジウ
ム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。
くく、安定して低い薄膜抵抗値のＩＴＯ膜を得る。 【構成】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からな
る焼結体であり、相対密度が９０％以上で単相構造を有
し、比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃｍ以下であるインジウ
ム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、薄膜エ
レクトロルミネッセンス表示装置等に使用され、透明電
極となるインジウム・スズ酸化物膜を形成するのに用い
られるインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用タ
ーゲットおよびその製造方法に関する。
レクトロルミネッセンス表示装置等に使用され、透明電
極となるインジウム・スズ酸化物膜を形成するのに用い
られるインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用タ
ーゲットおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウムＩｎ2Ｏ3の中に酸化スズ
ＳｎＯ2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物
膜（以下ＩＴＯ膜と称する）は高い透光性と高い導電性
を備えており、液晶表示素子やエレクトロルミネッセン
スなどの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷
結防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されて
いる。このようなＩＴＯ膜は通常スパッタリング法、電
子ビーム蒸着、ＣＶＤ法等により形成されるものであ
る。このなかで、インジウム酸化物とスズ酸化物の焼結
体をターゲットとして不活性ガスイオンによりスパッタ
リングすることによりＩＴＯ膜を形成するスパッタリン
グ法は、他の方法よりも装置の構成が単純であり、今後
主流になっていくものと考えられている。
ＳｎＯ2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物
膜（以下ＩＴＯ膜と称する）は高い透光性と高い導電性
を備えており、液晶表示素子やエレクトロルミネッセン
スなどの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷
結防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されて
いる。このようなＩＴＯ膜は通常スパッタリング法、電
子ビーム蒸着、ＣＶＤ法等により形成されるものであ
る。このなかで、インジウム酸化物とスズ酸化物の焼結
体をターゲットとして不活性ガスイオンによりスパッタ
リングすることによりＩＴＯ膜を形成するスパッタリン
グ法は、他の方法よりも装置の構成が単純であり、今後
主流になっていくものと考えられている。
【０００３】しかし、インジウム酸化物とスズ酸化物の
焼結体のように複合焼結体をターゲットとして用いた場
合は、スパッタリング中の酸素の解離、インジウム酸化
物とスズ酸化物のスパッタリング速度の違いなどの原因
によりターゲット組成そのものの組成比では薄膜が形成
されないという問題があった。特にＩＴＯ膜を形成する
場合、膜の導電性は形成される膜中の酸素量に極めて敏
感に影響される。そのためスパッタリング中の酸素量の
変動を抑制することは、スパッタリング法を用いて均質
なＩＴＯ膜を生産する上で重要な課題であった。
焼結体のように複合焼結体をターゲットとして用いた場
合は、スパッタリング中の酸素の解離、インジウム酸化
物とスズ酸化物のスパッタリング速度の違いなどの原因
によりターゲット組成そのものの組成比では薄膜が形成
されないという問題があった。特にＩＴＯ膜を形成する
場合、膜の導電性は形成される膜中の酸素量に極めて敏
感に影響される。そのためスパッタリング中の酸素量の
変動を抑制することは、スパッタリング法を用いて均質
なＩＴＯ膜を生産する上で重要な課題であった。
【０００４】最近このような酸素量の変動を抑制する手
段として、特開平３−４４４６５号公報に、使用するタ
ーゲットそのものから酸素を事前に減少させておくこと
により、スパッタリング進行中の酸素量の変動を抑制す
る方法が開示された。すなわちこの方法は、焼結後のタ
ーゲットに対して、酸化インジウムおよび酸化スズから
酸素が熱解離する条件で２次焼結を行なって、ターゲッ
ト中の酸素を減らすことにより、スパッタリング進行中
では酸素量の変動が少ないものとする方法である。
段として、特開平３−４４４６５号公報に、使用するタ
ーゲットそのものから酸素を事前に減少させておくこと
により、スパッタリング進行中の酸素量の変動を抑制す
る方法が開示された。すなわちこの方法は、焼結後のタ
ーゲットに対して、酸化インジウムおよび酸化スズから
酸素が熱解離する条件で２次焼結を行なって、ターゲッ
ト中の酸素を減らすことにより、スパッタリング進行中
では酸素量の変動が少ないものとする方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の特開平
３−４４４６５号に記載される方法では、スパッタリン
グ進行中の酸素量の変動は抑えることができるが、もと
もと金属酸化物でなければならない焼結体中の酸素を減
少させることは、化学量論組成からずれることになり、
薄膜中の酸素欠乏によって欠陥が増加することになる。
この酸素欠乏による欠陥の増加は、生成するＩＴＯ膜の
抵抗値を増加させることになり、本来のＩＴＯ膜が有す
る導電性が得られないという問題があった。さらに本発
明者が、スパッタリング進行中のターゲットのスパッタ
リング面の組織と得られる薄膜の特性の関係を検討した
ところ、スパッタリングによるエロージョンが進行する
と、スパッタリング面に黒化物が発生し、これに伴って
形成する膜の薄膜抵抗が増大していくという結果になる
ことがわかった。
３−４４４６５号に記載される方法では、スパッタリン
グ進行中の酸素量の変動は抑えることができるが、もと
もと金属酸化物でなければならない焼結体中の酸素を減
少させることは、化学量論組成からずれることになり、
薄膜中の酸素欠乏によって欠陥が増加することになる。
この酸素欠乏による欠陥の増加は、生成するＩＴＯ膜の
抵抗値を増加させることになり、本来のＩＴＯ膜が有す
る導電性が得られないという問題があった。さらに本発
明者が、スパッタリング進行中のターゲットのスパッタ
リング面の組織と得られる薄膜の特性の関係を検討した
ところ、スパッタリングによるエロージョンが進行する
と、スパッタリング面に黒化物が発生し、これに伴って
形成する膜の薄膜抵抗が増大していくという結果になる
ことがわかった。
【０００６】また、ＩＴＯ膜の抵抗値の増大はターゲッ
トの密度が低い場合にも発生する。これはターゲットの
密度が低いと、ターゲット自体の熱伝導率が低いものと
なるため、ターゲットと接合したバッキングプレートで
冷却しても十分に冷却できない部分が生じる。このよう
な状態になるとターゲットが部分的に高温のままになる
ので、その部分の酸素が一部解離してしまうためであ
る。このような酸素の解離の発生も、ターゲット中の酸
素欠乏の増加となり、生成するＩＴＯ膜の抵抗値の増大
の原因となる。本発明の目的はスパッタリング期間にタ
ーゲットが黒化しにくく、安定して低い薄膜抵抗値のＩ
ＴＯ膜が得られるターゲットおよびその製造方法を提供
することである。
トの密度が低い場合にも発生する。これはターゲットの
密度が低いと、ターゲット自体の熱伝導率が低いものと
なるため、ターゲットと接合したバッキングプレートで
冷却しても十分に冷却できない部分が生じる。このよう
な状態になるとターゲットが部分的に高温のままになる
ので、その部分の酸素が一部解離してしまうためであ
る。このような酸素の解離の発生も、ターゲット中の酸
素欠乏の増加となり、生成するＩＴＯ膜の抵抗値の増大
の原因となる。本発明の目的はスパッタリング期間にタ
ーゲットが黒化しにくく、安定して低い薄膜抵抗値のＩ
ＴＯ膜が得られるターゲットおよびその製造方法を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ターゲット
表面の黒化とターゲットのミクロ組織を検討したとこ
ろ、ターゲットの黒化はターゲット表面に突起が発生す
ることが原因であること、その突起にはスズが他の部分
より濃縮されていること、突起部は酸素濃度が低く、タ
ーゲット表面に突起が生成したままでスパッタリングを
つづけるとスパッタリングが進行するにつれてＩＴＯ膜
の抵抗値が増大することを知見した。本発明者は、この
ような突起の発生を抑えるために、ターゲットの組織と
ターゲット密度に着目し検討を行なったところ、９０％
以上の相対密度を有し、しかも焼結体を単相構造とする
ことにより、突起の発生しにくいターゲットが得られ、
安定して薄膜抵抗の低いＩＴＯ膜が形成できることを見
出した。
表面の黒化とターゲットのミクロ組織を検討したとこ
ろ、ターゲットの黒化はターゲット表面に突起が発生す
ることが原因であること、その突起にはスズが他の部分
より濃縮されていること、突起部は酸素濃度が低く、タ
ーゲット表面に突起が生成したままでスパッタリングを
つづけるとスパッタリングが進行するにつれてＩＴＯ膜
の抵抗値が増大することを知見した。本発明者は、この
ような突起の発生を抑えるために、ターゲットの組織と
ターゲット密度に着目し検討を行なったところ、９０％
以上の相対密度を有し、しかも焼結体を単相構造とする
ことにより、突起の発生しにくいターゲットが得られ、
安定して薄膜抵抗の低いＩＴＯ膜が形成できることを見
出した。
【０００８】すなわち本発明は、実質的にインジウム、
スズおよび酸素からなる焼結体であり、相対密度が９０
％以上で単相構造を有し、比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃ
ｍ以下であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物
膜用スパッタリング用ターゲットである。本発明ターゲ
ットにおいて、その組織を単相構造としたのは、スパッ
タリング時の投入電力１Ｗ／ｃｍ2、スパッタリングガ
ス圧１Ｐａ、基板温度２５℃の条件でスパッタリングを
実施したとき、３０時間スパッタリングしても抵抗値の
変動を２％以下とすることが可能となったからである。
本発明において組織が単相構造であるとは、スズが酸化
インジウム格子間に存在するドーパント状態にあり、Ｉ
ｎＯ3相以外にＳｎ０2相、Ｉｎ4Ｓｎ3０12相等の中間化
合物相を形成していないことをいう。単相構造であるこ
との確認は、Ｘ線回折およびミクロ組織観察により行う
ことができる。図１に単相構造のミクロ組織写真を、ま
た図２に異相を含む複相構造のミクロ組織写真を示す。
図２の異相は、ＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）
の分析結果より、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12であることが同定され
た。また、本発明において相対密度を９０％以上とした
のは、９０％未満であると低密度に起因して、スパッタ
リング進行中の薄膜抵抗の増加が避けられず、単相構造
とすることによる薄膜抵抗の安定化の効果が明瞭に現れ
ないためである。本発明ターゲットにおいて比抵抗値を
１×１０-3Ω・ｃｍ以下とするのは、ＩＴＯ膜の比抵抗
値を１０-4Ω・ｃｍ台にするために必要だからである。
スズおよび酸素からなる焼結体であり、相対密度が９０
％以上で単相構造を有し、比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃ
ｍ以下であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物
膜用スパッタリング用ターゲットである。本発明ターゲ
ットにおいて、その組織を単相構造としたのは、スパッ
タリング時の投入電力１Ｗ／ｃｍ2、スパッタリングガ
ス圧１Ｐａ、基板温度２５℃の条件でスパッタリングを
実施したとき、３０時間スパッタリングしても抵抗値の
変動を２％以下とすることが可能となったからである。
本発明において組織が単相構造であるとは、スズが酸化
インジウム格子間に存在するドーパント状態にあり、Ｉ
ｎＯ3相以外にＳｎ０2相、Ｉｎ4Ｓｎ3０12相等の中間化
合物相を形成していないことをいう。単相構造であるこ
との確認は、Ｘ線回折およびミクロ組織観察により行う
ことができる。図１に単相構造のミクロ組織写真を、ま
た図２に異相を含む複相構造のミクロ組織写真を示す。
図２の異相は、ＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）
の分析結果より、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12であることが同定され
た。また、本発明において相対密度を９０％以上とした
のは、９０％未満であると低密度に起因して、スパッタ
リング進行中の薄膜抵抗の増加が避けられず、単相構造
とすることによる薄膜抵抗の安定化の効果が明瞭に現れ
ないためである。本発明ターゲットにおいて比抵抗値を
１×１０-3Ω・ｃｍ以下とするのは、ＩＴＯ膜の比抵抗
値を１０-4Ω・ｃｍ台にするために必要だからである。
【０００９】また、本発明者は、ターゲット材を単相構
造とする方法として、平均粒径０．１μｍ以下の酸化イ
ンジウム−酸化スズ複合粉末を利用すれば良いことを見
いだした。すなわち、本発明のターゲットの製造方法
は、平均粒径０．１μｍ以下の酸化インジウム−酸化ス
ズ複合粉末をプレス成形した後、１〜１０気圧の加圧酸
素雰囲気中、１５００〜１７００℃で焼結しすることを
特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング
用ターゲットの製造方法である。平均粒径０．１μｍ以
下の酸化インジウム−酸化スズ複合粉末は、例えばイン
ジウム−スズ合金を加熱溶融したものを１３００℃程度
に加熱されたチャンバー内に噴霧することにより製造す
ることができる。
造とする方法として、平均粒径０．１μｍ以下の酸化イ
ンジウム−酸化スズ複合粉末を利用すれば良いことを見
いだした。すなわち、本発明のターゲットの製造方法
は、平均粒径０．１μｍ以下の酸化インジウム−酸化ス
ズ複合粉末をプレス成形した後、１〜１０気圧の加圧酸
素雰囲気中、１５００〜１７００℃で焼結しすることを
特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング
用ターゲットの製造方法である。平均粒径０．１μｍ以
下の酸化インジウム−酸化スズ複合粉末は、例えばイン
ジウム−スズ合金を加熱溶融したものを１３００℃程度
に加熱されたチャンバー内に噴霧することにより製造す
ることができる。
【００１０】本発明の製造方法の特徴は、ターゲットの
組織を単相構造とするために酸化インジウム−酸化スズ
複合粉末を用いる点にある。すなわち、酸化インジウム
と酸化スズの混合粉末の場合、組織的に均一な焼結体を
得ることができずＳｎ０2、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12などの異相
の発生を抑制することができないのに対し、均一性の優
れた酸化インジウム−酸化スズ複合粉末では焼結体の組
織も均一になりＳｎ０2、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12などの異相の
発生を抑制することができる。
組織を単相構造とするために酸化インジウム−酸化スズ
複合粉末を用いる点にある。すなわち、酸化インジウム
と酸化スズの混合粉末の場合、組織的に均一な焼結体を
得ることができずＳｎ０2、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12などの異相
の発生を抑制することができないのに対し、均一性の優
れた酸化インジウム−酸化スズ複合粉末では焼結体の組
織も均一になりＳｎ０2、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12などの異相の
発生を抑制することができる。
【００１１】本発明において、原料粉末として均一性に
優れる複合粉末を全量用いることが最も望ましい。しか
し、この複合粉末を主成分とし、平均粒径０．１μｍ以
下の酸化インジウムおよび平均粒径０．１μｍ以下の酸
化スズの一種または二種を混合した混合粉末を用いるこ
ともできる。本発明において、用いる粉末の平均粒径を
０．１μｍ以下とするのは、相対密度が９０％以上の焼
結体を得るのが困難だからである。また本発明におい
て、焼結雰囲気を１気圧以上の加圧酸素雰囲気中とする
のは高密度化のために必要だからであるが、１０気圧程
度で密度向上の効果は飽和する。したがって、経済面を
も考慮し焼結雰囲気を１気圧〜１０気圧の加圧酸素雰囲
気とする。焼結温度は、１５００℃未満では相対密度９
０％以上の焼結体が獲られず、一方１７００℃を越える
と酸化スズ、酸化インジウムの分解による密度低下が生
ずるので１５００〜１７００℃とする。
優れる複合粉末を全量用いることが最も望ましい。しか
し、この複合粉末を主成分とし、平均粒径０．１μｍ以
下の酸化インジウムおよび平均粒径０．１μｍ以下の酸
化スズの一種または二種を混合した混合粉末を用いるこ
ともできる。本発明において、用いる粉末の平均粒径を
０．１μｍ以下とするのは、相対密度が９０％以上の焼
結体を得るのが困難だからである。また本発明におい
て、焼結雰囲気を１気圧以上の加圧酸素雰囲気中とする
のは高密度化のために必要だからであるが、１０気圧程
度で密度向上の効果は飽和する。したがって、経済面を
も考慮し焼結雰囲気を１気圧〜１０気圧の加圧酸素雰囲
気とする。焼結温度は、１５００℃未満では相対密度９
０％以上の焼結体が獲られず、一方１７００℃を越える
と酸化スズ、酸化インジウムの分解による密度低下が生
ずるので１５００〜１７００℃とする。
【００１２】
（実施例１）インジウム−スズ合金を加熱溶融後、１３
００℃に加熱されたチャンバー内へ噴霧する乾式法によ
り酸化インジウム−酸化スズ複合粉末を製造し、この粉
末を分級し、図１に示す平均粒径を有する粉末を準備し
た。さらに、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末は各々
インジウム、スズを同様に乾式法により図１に示す平均
粒径のものを得た。これらの粉末を混合する場合は、所
定の比率になるようにボールミルによって２４時間混合
した。複合粉末単独の場合は、この粉末にポリビニルア
ルコール（ＰＶＡ）を１％添加して造粒し、これを冷間
プレスで成形圧力３０００Ｋｇ／ｃｍ2で成形した。こ
の成形体を１６００℃で５気圧の加圧酸素雰囲気中で６
時間保持し焼結を行なった。得られた焼結体を研削によ
り直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのターゲットに加工し
た。図１のターゲットのスパッタ面中央のミクロ組織を
鏡面加工後光学顕微鏡で観察した。図４にＮｏ．１の、
また図５にＮｏ．８のミクロ組織写真を示すが、Ｎｏ．
１は単相構造、またＮｏ．８はＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12からなる
異相を含む複相構造であることがわかった。他のターゲ
ットの相構造は図１に記載する。
００℃に加熱されたチャンバー内へ噴霧する乾式法によ
り酸化インジウム−酸化スズ複合粉末を製造し、この粉
末を分級し、図１に示す平均粒径を有する粉末を準備し
た。さらに、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末は各々
インジウム、スズを同様に乾式法により図１に示す平均
粒径のものを得た。これらの粉末を混合する場合は、所
定の比率になるようにボールミルによって２４時間混合
した。複合粉末単独の場合は、この粉末にポリビニルア
ルコール（ＰＶＡ）を１％添加して造粒し、これを冷間
プレスで成形圧力３０００Ｋｇ／ｃｍ2で成形した。こ
の成形体を１６００℃で５気圧の加圧酸素雰囲気中で６
時間保持し焼結を行なった。得られた焼結体を研削によ
り直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのターゲットに加工し
た。図１のターゲットのスパッタ面中央のミクロ組織を
鏡面加工後光学顕微鏡で観察した。図４にＮｏ．１の、
また図５にＮｏ．８のミクロ組織写真を示すが、Ｎｏ．
１は単相構造、またＮｏ．８はＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12からなる
異相を含む複相構造であることがわかった。他のターゲ
ットの相構造は図１に記載する。
【００１３】図１に示すように、原料の複合粉末の平均
粒径が０．１μｍを越える試料Ｎｏ．６は焼結密度が９
０％未満となった。また、スズ含有量が１０％のＮｏ．
８は複相構造の組織となり、また混合粉末で製造したＮ
ｏ．７も複相構造の組織を示した。さらに、スズ量が１
％のＮｏ．９はターゲット自体の比抵抗値が大きいこと
がわかる。これらの試料のターゲットを用いて、次の条
件でスパッタリングを行なった。 スパッタ電力 1.0W/cm2 スパッタガス組成 99%アルゴン+1%酸素の混合ガ
ス スパッタガス圧 1Pa 基板温度 25℃ 初めの２時間スパッタリングすることにより得られた膜
の初期抵抗値（ａ）と３０時間スパッタリングを行なっ
た後、新しい基板に交換しさらにスパッタリングを行な
い得られた膜の抵抗値（ｂ）を図２に示す。
粒径が０．１μｍを越える試料Ｎｏ．６は焼結密度が９
０％未満となった。また、スズ含有量が１０％のＮｏ．
８は複相構造の組織となり、また混合粉末で製造したＮ
ｏ．７も複相構造の組織を示した。さらに、スズ量が１
％のＮｏ．９はターゲット自体の比抵抗値が大きいこと
がわかる。これらの試料のターゲットを用いて、次の条
件でスパッタリングを行なった。 スパッタ電力 1.0W/cm2 スパッタガス組成 99%アルゴン+1%酸素の混合ガ
ス スパッタガス圧 1Pa 基板温度 25℃ 初めの２時間スパッタリングすることにより得られた膜
の初期抵抗値（ａ）と３０時間スパッタリングを行なっ
た後、新しい基板に交換しさらにスパッタリングを行な
い得られた膜の抵抗値（ｂ）を図２に示す。
【００１４】図２に示すように、本発明のターゲットの
試料Ｎｏ．１ないし５および試料Ｎｏ．１０は３０時間
スパッタリング後の抵抗値が初期値に対して２％以下し
か変化せず極めて安定して低抵抗のＩＴＯ薄膜が得られ
た。これに対して、比較例のターゲットである試料Ｎ
ｏ．９では初期値の抵抗が高く、および試料Ｎｏ．６な
いし８は抵抗値が初期値に対して１５％以上も変化して
おり、長期のスパッタリングには耐えられないものであ
った。また、３０時間のスパッタリング終了後のスパッ
タリング面を見ると、比較例のターゲットである試料Ｎ
ｏ．６および試料Ｎｏ．８は、本発明のターゲットの試
料Ｎｏ．１ないし５、および試料Ｎｏ．１０に比べて極
めて黒く変色していた。
試料Ｎｏ．１ないし５および試料Ｎｏ．１０は３０時間
スパッタリング後の抵抗値が初期値に対して２％以下し
か変化せず極めて安定して低抵抗のＩＴＯ薄膜が得られ
た。これに対して、比較例のターゲットである試料Ｎ
ｏ．９では初期値の抵抗が高く、および試料Ｎｏ．６な
いし８は抵抗値が初期値に対して１５％以上も変化して
おり、長期のスパッタリングには耐えられないものであ
った。また、３０時間のスパッタリング終了後のスパッ
タリング面を見ると、比較例のターゲットである試料Ｎ
ｏ．６および試料Ｎｏ．８は、本発明のターゲットの試
料Ｎｏ．１ないし５、および試料Ｎｏ．１０に比べて極
めて黒く変色していた。
【００１５】本発明のターゲットの試料Ｎｏ．１および
比較例のターゲットの試料Ｎｏ．７について、スパッタ
リング処理後のスパッタリング面の表面を走査型電子顕
微鏡でスパッタリング面に対して４５度方向から観察し
た結果を、図６および図７にそれぞれ示す。図６と図７
を比較すると明らかなように、比較例を示す図７には、
スパッタリング表面に略円錐状の巨大な突起１が多量に
発生している。この突起部をＥＰＭＡで分析したところ
突起先端部にスズ原子が濃化していることが確認され、
さらに酸素濃度も他の部分より低下していた。この結果
から、ターゲットの複相化にともなう異相により突起が
発生し、この突起部分の酸素濃度が低下して、成膜する
ＩＴＯ膜の抵抗値の増大の原因になっていることがわか
った。
比較例のターゲットの試料Ｎｏ．７について、スパッタ
リング処理後のスパッタリング面の表面を走査型電子顕
微鏡でスパッタリング面に対して４５度方向から観察し
た結果を、図６および図７にそれぞれ示す。図６と図７
を比較すると明らかなように、比較例を示す図７には、
スパッタリング表面に略円錐状の巨大な突起１が多量に
発生している。この突起部をＥＰＭＡで分析したところ
突起先端部にスズ原子が濃化していることが確認され、
さらに酸素濃度も他の部分より低下していた。この結果
から、ターゲットの複相化にともなう異相により突起が
発生し、この突起部分の酸素濃度が低下して、成膜する
ＩＴＯ膜の抵抗値の増大の原因になっていることがわか
った。
【００１６】（実施例２）実施例１と同様に製造したス
ズ含有量が４重量％の酸化インジウム−酸化スズ混合粉
末を用いて、最終の焼結温度を図３に示すように１４５
０℃から１６５０℃とし、５気圧加圧酸素雰囲気および
大気中とした以外は実施例１と同じ条件でターゲットを
製造した。これらのターゲットを用いて実施例１と同様
にスパッタリングを行ない、ＩＴＯ膜の抵抗値を測定し
た。
ズ含有量が４重量％の酸化インジウム−酸化スズ混合粉
末を用いて、最終の焼結温度を図３に示すように１４５
０℃から１６５０℃とし、５気圧加圧酸素雰囲気および
大気中とした以外は実施例１と同じ条件でターゲットを
製造した。これらのターゲットを用いて実施例１と同様
にスパッタリングを行ない、ＩＴＯ膜の抵抗値を測定し
た。
【００１７】結果を図３に示す。図３に示すように、焼
結温度の低い比較例の試料Ｎｏ．１４は相対密度が８７
％と低いため抵抗値の変化率が大きい。一方試料Ｎｏ．
１５焼結温度は１６００℃と高いにもかかわらず大気中
焼結であるため相対密度が８０％と低く、結果として抵
抗値の変化率がきわめて大きいものになった。この結果
から、９０％以上の相対密度で安定して抵抗値の低いＩ
ＴＯ膜が得られることがわかる。
結温度の低い比較例の試料Ｎｏ．１４は相対密度が８７
％と低いため抵抗値の変化率が大きい。一方試料Ｎｏ．
１５焼結温度は１６００℃と高いにもかかわらず大気中
焼結であるため相対密度が８０％と低く、結果として抵
抗値の変化率がきわめて大きいものになった。この結果
から、９０％以上の相対密度で安定して抵抗値の低いＩ
ＴＯ膜が得られることがわかる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の９０％以上の相対密度を有し、
単相構造のターゲットによればスパッタリング期間にタ
ーゲットのスパッタリング面に突起の発生が少なく黒化
しにくいため、安定して低い抵抗値のＩＴＯ膜が得られ
る。これによりターゲットの寿命が長くなり、ターゲッ
トをとりだしてターゲットのスパッタリング表面を再研
磨して変質部分を除くといった作業を大幅に削減でき
る。
単相構造のターゲットによればスパッタリング期間にタ
ーゲットのスパッタリング面に突起の発生が少なく黒化
しにくいため、安定して低い抵抗値のＩＴＯ膜が得られ
る。これによりターゲットの寿命が長くなり、ターゲッ
トをとりだしてターゲットのスパッタリング表面を再研
磨して変質部分を除くといった作業を大幅に削減でき
る。
【図１】本発明ターゲットと比較例の粒径、相対密度、
結晶相、比抵抗値を表わす図である。
結晶相、比抵抗値を表わす図である。
【図２】本発明ターゲットと比較例の抵抗値、抵抗値変
化率を表わす図である。
化率を表わす図である。
【図３】本発明ターゲットと比較例の焼結条件による相
対密度、膜抵抗、抵抗値、抵抗値変化率を示す図であ
る。
対密度、膜抵抗、抵抗値、抵抗値変化率を示す図であ
る。
【図４】光学顕微鏡による本発明ターゲットのミクロ金
属組織写真である。
属組織写真である。
【図５】光学顕微鏡による比較例ターゲットのミクロ金
属組織写真である。
属組織写真である。
【図６】スパッタリング後の本発明のターゲットのスパ
ッタリング面を走査型電子顕微鏡により観察した時のス
ケッチ図である。
ッタリング面を走査型電子顕微鏡により観察した時のス
ケッチ図である。
【図７】スパッタリング後の比較例のターゲットのスパ
ッタリング面を走査型電子顕微鏡により観察した時のス
ケッチ図である。
ッタリング面を走査型電子顕微鏡により観察した時のス
ケッチ図である。
１ 突起
Claims (3)
- 【請求項１】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、相対密度が９０％以上で単相構造
を有し、比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃｍ以下であること
を特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリン
グ用ターゲット。 - 【請求項２】 平均粒径０．１μｍ以下の酸化インジウ
ム−酸化スズ複合粉末をプレス成形した後、１〜１０気
圧の加圧酸素雰囲気中、１５００〜１７００℃で焼結し
することを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパ
ッタリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項３】 平均粒径０．１μｍ以下の酸化インジウ
ム−酸化スズ複合粉末と平均粒径０．１μｍ以下の酸化
インジウムおよび平均粒径０．１μｍ以下の酸化スズの
一種または二種の混合粉末をプレス成形した後、１〜１
０気圧の加圧酸素雰囲気中、１５００〜１７００℃で焼
結しすることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用
スパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4336700A JPH06158308A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
| US08/155,813 US5435826A (en) | 1992-11-24 | 1993-11-23 | Sputtering target and method for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4336700A JPH06158308A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06158308A true JPH06158308A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18301899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4336700A Pending JPH06158308A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5435826A (ja) |
| JP (1) | JPH06158308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002030429A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Tosoh Corp | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4427060C1 (de) * | 1994-07-29 | 1995-11-30 | Heraeus Gmbh W C | Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid und Verfahren für seine Herstellung |
| US6033620A (en) * | 1995-04-18 | 2000-03-07 | Tosoh Corporation | Process of preparing high-density sintered ITO compact and sputtering target |
| DE19540379C1 (de) * | 1995-08-18 | 1996-09-26 | Heraeus Gmbh W C | Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
| EP0761838B1 (de) * | 1995-08-18 | 2001-08-08 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
| JP3862385B2 (ja) * | 1996-11-08 | 2006-12-27 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 酸化スズ含有酸化インジウム粉及び焼結体の製造方法 |
| JP3576364B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2004-10-13 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Ｉｔｏスパッタリングターゲットのクリーニング方法 |
| DE19822570C1 (de) * | 1998-05-20 | 1999-07-15 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zum Herstellen eines Indium-Zinn-Oxid-Formkörpers |
| US6858102B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| US6113761A (en) | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| CN1425196A (zh) | 1999-11-24 | 2003-06-18 | 霍尼韦尔国际公司 | 导电互连 |
| US6451222B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target |
| US7404877B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-07-29 | Springworks, Llc | Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD |
| US20050199861A1 (en) * | 2001-12-12 | 2005-09-15 | Wu L. W. | Manufacturing method for transparent and conductive coatings |
| US6884327B2 (en) * | 2002-03-16 | 2005-04-26 | Tao Pan | Mode size converter for a planar waveguide |
| US7378356B2 (en) | 2002-03-16 | 2008-05-27 | Springworks, Llc | Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films |
| US8394522B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
| US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US8431264B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US7993773B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-08-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| AU2003261463A1 (en) | 2002-08-27 | 2004-03-19 | Symmorphix, Inc. | Optically coupling into highly uniform waveguides |
| US7205662B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Symmorphix, Inc. | Dielectric barrier layer films |
| US8728285B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
| US7238628B2 (en) | 2003-05-23 | 2007-07-03 | Symmorphix, Inc. | Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides |
| US20070039817A1 (en) * | 2003-08-21 | 2007-02-22 | Daniels Brian J | Copper-containing pvd targets and methods for their manufacture |
| JP2007529626A (ja) * | 2004-03-15 | 2007-10-25 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | スパッタターゲットの熱応力緩和方法 |
| KR101127370B1 (ko) | 2004-12-08 | 2012-03-29 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | ＬｉＣｏＯ２의 증착 |
| US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
| US7838133B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
| CN101523571A (zh) | 2006-09-29 | 2009-09-02 | 无穷动力解决方案股份有限公司 | 柔性基板上沉积的电池层的掩模和材料限制 |
| US8197781B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
| US8268488B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-09-18 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film electrolyte for thin film batteries |
| CN101903560B (zh) | 2007-12-21 | 2014-08-06 | 无穷动力解决方案股份有限公司 | 用于电解质膜的溅射靶的方法 |
| US8518581B2 (en) | 2008-01-11 | 2013-08-27 | Inifinite Power Solutions, Inc. | Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices |
| WO2009124191A2 (en) | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Infinite Power Solutions, Inc. | Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting |
| JP2012500610A (ja) | 2008-08-11 | 2012-01-05 | インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド | 電磁エネルギー獲得ための統合コレクタ表面を有するエネルギーデバイスおよびその方法 |
| CN102150185B (zh) | 2008-09-12 | 2014-05-28 | 无穷动力解决方案股份有限公司 | 具有经由电磁能进行数据通信的组成导电表面的能量装置及其方法 |
| WO2010042594A1 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Environmentally-powered wireless sensor module |
| CN102576828B (zh) | 2009-09-01 | 2016-04-20 | 萨普拉斯特研究有限责任公司 | 具有集成薄膜电池的印刷电路板 |
| EP2577777B1 (en) | 2010-06-07 | 2016-12-28 | Sapurast Research LLC | Rechargeable, high-density electrochemical device |
| CN114436642A (zh) * | 2020-11-06 | 2022-05-06 | 湖南七点钟文化科技有限公司 | 一种氧化铟锡合金靶材的制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071800A (en) * | 1989-02-28 | 1991-12-10 | Tosoh Corporation | Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof |
| US4962071A (en) * | 1989-05-01 | 1990-10-09 | Tektronix, Inc. | Method of fabricating a sintered body of indium tin oxide |
| JPH03207858A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-11 | Nippon Mining Co Ltd | Ｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2904358B2 (ja) * | 1990-10-19 | 1999-06-14 | 住友金属鉱山株式会社 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
| JPH04293769A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-19 | Tosoh Corp | 低温成膜用ｉｔｏスパッタリングタ−ゲット |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP4336700A patent/JPH06158308A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-23 US US08/155,813 patent/US5435826A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002030429A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Tosoh Corp | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5435826A (en) | 1995-07-25 |
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