JPH0813140A - インジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法ならびにインジウム酸化物系膜およびインジウム酸化物系膜の製造方法 - Google Patents
インジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法ならびにインジウム酸化物系膜およびインジウム酸化物系膜の製造方法Info
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- JPH0813140A JPH0813140A JP15202594A JP15202594A JPH0813140A JP H0813140 A JPH0813140 A JP H0813140A JP 15202594 A JP15202594 A JP 15202594A JP 15202594 A JP15202594 A JP 15202594A JP H0813140 A JPH0813140 A JP H0813140A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗率の低いインジウム酸化物系スパッタリ
ング用ターゲットを提供する。 【構成】 平均粒径０．１μm以下の酸化インジウム粉
末を成形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲気
中、１４００〜１７００℃で焼結して相対密度が９０％
以上で、比抵抗値が９．５×１０-2Ω・cm以下の低抵抗
なインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットとす
ることができ、しかもこのターゲットを用いてスパッタ
リングを行うことによりスパッタリング期間にターゲッ
トのスパッタリング面に突起の発生が少なく黒化しにく
いため、安定して低い抵抗値の膜が得られる。そのため
ターゲットの寿命が長くなり、ターゲットをとりだして
ターゲットのスパッタリング表面を再研磨して変質部分
を除くといった作業を大幅に削減できる。
ング用ターゲットを提供する。 【構成】 平均粒径０．１μm以下の酸化インジウム粉
末を成形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲気
中、１４００〜１７００℃で焼結して相対密度が９０％
以上で、比抵抗値が９．５×１０-2Ω・cm以下の低抵抗
なインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットとす
ることができ、しかもこのターゲットを用いてスパッタ
リングを行うことによりスパッタリング期間にターゲッ
トのスパッタリング面に突起の発生が少なく黒化しにく
いため、安定して低い抵抗値の膜が得られる。そのため
ターゲットの寿命が長くなり、ターゲットをとりだして
ターゲットのスパッタリング表面を再研磨して変質部分
を除くといった作業を大幅に削減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、薄膜エ
レクトロルミネッサンス表示装置等に使用され、透明電
極となるインジウム酸化物系膜等を形成するのに用いら
れるインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットお
よびその製造方法に関する。
レクトロルミネッサンス表示装置等に使用され、透明電
極となるインジウム酸化物系膜等を形成するのに用いら
れるインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウムＩｎ2Ｏ3中に酸化スズＳ
ｎＯ2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物膜
（以下ＩＴＯ膜と称する）は高い透光性と高い導電性を
備えており、液晶表示素子やエレクトロルミネッサンス
などの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷結
防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されてい
る。このようなＩＴＯ膜は通常スパッタリング法、電子
ビーム蒸着、ＣＶＤ法等により形成されるものである。
このなかで、インジウム酸化物とスズ酸化物の焼結体を
ターゲットとして不活性ガスイオンによりスパッタリン
グすることによりＩＴＯ膜を形成するスパッタリング法
は、他の方法よりも装置の構成が単純であり、主流にな
っている。
ｎＯ2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物膜
（以下ＩＴＯ膜と称する）は高い透光性と高い導電性を
備えており、液晶表示素子やエレクトロルミネッサンス
などの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷結
防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されてい
る。このようなＩＴＯ膜は通常スパッタリング法、電子
ビーム蒸着、ＣＶＤ法等により形成されるものである。
このなかで、インジウム酸化物とスズ酸化物の焼結体を
ターゲットとして不活性ガスイオンによりスパッタリン
グすることによりＩＴＯ膜を形成するスパッタリング法
は、他の方法よりも装置の構成が単純であり、主流にな
っている。
【０００３】焼結体ターゲットは、当初Ｉｎ2Ｏ3粉末と
ＳｎＯ2粉末の混合粉末を焼結することから出発した
が、種々の問題点が提起された。その一つとしてスパッ
タリング中の異常放電現象がある。この異常放電現象が
生ずるとスパッタリング膜の特性が均一にならず、また
異常放電現象発生を放置してスパッタリングを続ける
と、スパッタリング面に黒化物が発生し、これに伴って
形成する膜の薄膜抵抗が増大していくという結果になる
ことがわかった。この問題に対して、特開平４-１６０
０４７号では、実質的にインジウム、酸素及び３重量％
以上のスズから成り、相対密度が８０％以上であるＩＴ
Ｏ焼結体において、電子線マイクロアナライザーの線分
析におけるスズ組成が平均組成の０.８〜１.２倍の範囲
内にあり、表面抵抗値が１mΩ/cm2以下であり、ＳｎＯ2
相の(１１０)面のＸ線回折のピークの積分強度が、Ｉｎ
2Ｏ3相の(２２２)面のＸ線回折ピークの積分強度の０.
５％以下であることを特徴とするＩＴＯ焼結体ターゲッ
トを提案している。このターゲットは、ＳｎＯ2相の存
在量を低減することにより先の問題点を解決せんとする
ものである。なお、ＳｎＯ2相の低減は、原料粉末を１
３５０℃以上、好ましくは１４００〜１５５０℃の温度
範囲で１０時間以上熱処理することによってＳｎＯ2相
とＩｎ2Ｏ3相とを十分に反応させＳｎＯ2相の量を大幅
に減少させることにより実現される。
ＳｎＯ2粉末の混合粉末を焼結することから出発した
が、種々の問題点が提起された。その一つとしてスパッ
タリング中の異常放電現象がある。この異常放電現象が
生ずるとスパッタリング膜の特性が均一にならず、また
異常放電現象発生を放置してスパッタリングを続ける
と、スパッタリング面に黒化物が発生し、これに伴って
形成する膜の薄膜抵抗が増大していくという結果になる
ことがわかった。この問題に対して、特開平４-１６０
０４７号では、実質的にインジウム、酸素及び３重量％
以上のスズから成り、相対密度が８０％以上であるＩＴ
Ｏ焼結体において、電子線マイクロアナライザーの線分
析におけるスズ組成が平均組成の０.８〜１.２倍の範囲
内にあり、表面抵抗値が１mΩ/cm2以下であり、ＳｎＯ2
相の(１１０)面のＸ線回折のピークの積分強度が、Ｉｎ
2Ｏ3相の(２２２)面のＸ線回折ピークの積分強度の０.
５％以下であることを特徴とするＩＴＯ焼結体ターゲッ
トを提案している。このターゲットは、ＳｎＯ2相の存
在量を低減することにより先の問題点を解決せんとする
ものである。なお、ＳｎＯ2相の低減は、原料粉末を１
３５０℃以上、好ましくは１４００〜１５５０℃の温度
範囲で１０時間以上熱処理することによってＳｎＯ2相
とＩｎ2Ｏ3相とを十分に反応させＳｎＯ2相の量を大幅
に減少させることにより実現される。
【０００４】また、特開平４-２９３７６９号には、焼
結密度８０％〜１００％以下、焼結粒径５μm以上３０
μm以下、かつ少なくとも焼結粒子表面に(Ｉｎ0.6Ｓｎ
0.4)2Ｏ3が存在しないＩＴＯ焼結体ターゲットが開示さ
れている。このターゲットは、低温スパッタリングで低
抵抗の透明電極膜の形成を可能とすることを目的とする
ものであり、ＩＴＯ粉末成形体を１４５０℃〜１６００
℃以下で焼結させた後、この焼結体を少なくとも酸素を
含有する雰囲気１０００℃以上１３００℃以下の温度範
囲で熱処理することにより得られる。すなわち、酸素含
有雰囲気において(Ｉｎ0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3を熱分解させる
ことにより、(Ｉｎ0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3を消失させるのであ
る。
結密度８０％〜１００％以下、焼結粒径５μm以上３０
μm以下、かつ少なくとも焼結粒子表面に(Ｉｎ0.6Ｓｎ
0.4)2Ｏ3が存在しないＩＴＯ焼結体ターゲットが開示さ
れている。このターゲットは、低温スパッタリングで低
抵抗の透明電極膜の形成を可能とすることを目的とする
ものであり、ＩＴＯ粉末成形体を１４５０℃〜１６００
℃以下で焼結させた後、この焼結体を少なくとも酸素を
含有する雰囲気１０００℃以上１３００℃以下の温度範
囲で熱処理することにより得られる。すなわち、酸素含
有雰囲気において(Ｉｎ0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3を熱分解させる
ことにより、(Ｉｎ0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3を消失させるのであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、特開平
４-１６００４７号および特開平４-２９３７６９号は、
ＩＴＯターゲットにとって有害となる相の低減を達成し
ており、有効な技術である。しかし、いずれも焼結以外
に熱処理工程が必要となるため生産効率、コストの面か
ら言えば望ましいものではない。また、特開平４-１６
００４７号ではＳｎＯ2相の 低減は達成されるが(Ｉｎ
0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3相といった中間化合物相の低減は達成
されず、逆に特開平４-２９３７６９号では(Ｉｎ0.6Ｓ
ｎ0.4)2Ｏ3相の低減は達成されるがＳｎＯ2相の低減は
達成されない。一方、焼結体ターゲットにＳｎを含有さ
せなければＳｎＯ2相及び(Ｉｎ0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3相共に
生成しないようにすることができる。しかし、その場合
には焼結体ターゲットの抵抗率が約１０-1Ω・cmと高く
なり、その焼結体ターゲットにより得られる膜の抵抗率
も約１０-3Ω・cmと高くなる。本発明は以上の従来技術
における問題に鑑みてなされたものであって、抵抗率の
低いインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットお
よびその製造方法を提供することを目的とする。
４-１６００４７号および特開平４-２９３７６９号は、
ＩＴＯターゲットにとって有害となる相の低減を達成し
ており、有効な技術である。しかし、いずれも焼結以外
に熱処理工程が必要となるため生産効率、コストの面か
ら言えば望ましいものではない。また、特開平４-１６
００４７号ではＳｎＯ2相の 低減は達成されるが(Ｉｎ
0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3相といった中間化合物相の低減は達成
されず、逆に特開平４-２９３７６９号では(Ｉｎ0.6Ｓ
ｎ0.4)2Ｏ3相の低減は達成されるがＳｎＯ2相の低減は
達成されない。一方、焼結体ターゲットにＳｎを含有さ
せなければＳｎＯ2相及び(Ｉｎ0.6Ｓｎ0.4)2Ｏ3相共に
生成しないようにすることができる。しかし、その場合
には焼結体ターゲットの抵抗率が約１０-1Ω・cmと高く
なり、その焼結体ターゲットにより得られる膜の抵抗率
も約１０-3Ω・cmと高くなる。本発明は以上の従来技術
における問題に鑑みてなされたものであって、抵抗率の
低いインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットお
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
解決するため、種々検討を行った結果、焼結体の密度を
高くすることによって従来のインジウム酸化物系スパッ
タリング用ターゲットよりも低抵抗なインジウム酸化物
系スパッタリング用ターゲットを得ることができ、しか
もその場合に実質的にＳｎを含有させないようにするこ
とによりＳｎＯ2相および中間化合物相が存在しないタ
ーゲットを得ることができることを知見し、本発明に想
到した。すなわち、本発明のインジウム酸化物系スパッ
タリング用ターゲットは、実質的にインジウムおよび酸
素からなる焼結体であり、相対密度が９０％以上である
ことを特徴とする。また、比抵抗値が９．５×１０-2Ω
・cm以下であるインジウム酸化物系スパッタリング用タ
ーゲットを用いることにより、低抵抗のインジウム酸化
物系膜を得ることができる。前記焼結体は実質的にイン
ジウムおよび酸素からなるが、製造上不可避的に混入す
るＦｅ，Ｓｉ，Ｃａ等の不純物を含有しうる。不純物の
含有量は、Ｆｅ３０ppm以下、Ｓｉ５０〜１００ppm程度
となるが、全体で５００ｐｐｍ以下とするのが望まし
い。また本発明のインジウム系スパッタリング用ターゲ
ットの製造方法は、平均粒径１μm以下の酸化インジウ
ム粉末を成形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲
気中、１４００〜１７００℃で焼結することを特徴とす
る。加えて本発明のインジウム系酸化物膜の製造方法
は、実質的にインジウムおよび酸素からなる焼結体であ
り、相対密度が９０％以上であるインジウム酸化物系ス
パッタリング用ターゲットを用いてスパッタリングを行
うことを特徴とする。
解決するため、種々検討を行った結果、焼結体の密度を
高くすることによって従来のインジウム酸化物系スパッ
タリング用ターゲットよりも低抵抗なインジウム酸化物
系スパッタリング用ターゲットを得ることができ、しか
もその場合に実質的にＳｎを含有させないようにするこ
とによりＳｎＯ2相および中間化合物相が存在しないタ
ーゲットを得ることができることを知見し、本発明に想
到した。すなわち、本発明のインジウム酸化物系スパッ
タリング用ターゲットは、実質的にインジウムおよび酸
素からなる焼結体であり、相対密度が９０％以上である
ことを特徴とする。また、比抵抗値が９．５×１０-2Ω
・cm以下であるインジウム酸化物系スパッタリング用タ
ーゲットを用いることにより、低抵抗のインジウム酸化
物系膜を得ることができる。前記焼結体は実質的にイン
ジウムおよび酸素からなるが、製造上不可避的に混入す
るＦｅ，Ｓｉ，Ｃａ等の不純物を含有しうる。不純物の
含有量は、Ｆｅ３０ppm以下、Ｓｉ５０〜１００ppm程度
となるが、全体で５００ｐｐｍ以下とするのが望まし
い。また本発明のインジウム系スパッタリング用ターゲ
ットの製造方法は、平均粒径１μm以下の酸化インジウ
ム粉末を成形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲
気中、１４００〜１７００℃で焼結することを特徴とす
る。加えて本発明のインジウム系酸化物膜の製造方法
は、実質的にインジウムおよび酸素からなる焼結体であ
り、相対密度が９０％以上であるインジウム酸化物系ス
パッタリング用ターゲットを用いてスパッタリングを行
うことを特徴とする。
【０００７】本発明のターゲットにおいて比抵抗値を
９．５×１０-2Ω・cm以下とするのは、本発明のターゲ
ットを用いてスパッタリングを行うことによって得られ
るインジウム系酸化物膜の比抵抗値を１０-4Ω・cm台に
するために有効だからである。
９．５×１０-2Ω・cm以下とするのは、本発明のターゲ
ットを用いてスパッタリングを行うことによって得られ
るインジウム系酸化物膜の比抵抗値を１０-4Ω・cm台に
するために有効だからである。
【０００８】本発明において、用いる粉末の平均粒径を
１μm以下とするのは、平均粒径が１μmを越えると相対
密度が９０％以上の焼結体を得るのが困難だからであ
り、平均粒径０．１μｍ以下の粉末を用いることがより
望ましい。焼結温度は、１４００℃未満では相対密度９
０％以上の焼結体が得られず、一方１７００℃を越える
と酸化インジウムの分解による密度低下が生ずるので１
４００〜１７００℃とする。また本発明では焼結雰囲気
における酸素濃度を５０％以上とする。これにより得ら
れる焼結体の密度を９０％以上とすることができ、その
結果、低抵抗のインジウム酸化物系スパッタリング用タ
ーゲットを得ることができる。
１μm以下とするのは、平均粒径が１μmを越えると相対
密度が９０％以上の焼結体を得るのが困難だからであ
り、平均粒径０．１μｍ以下の粉末を用いることがより
望ましい。焼結温度は、１４００℃未満では相対密度９
０％以上の焼結体が得られず、一方１７００℃を越える
と酸化インジウムの分解による密度低下が生ずるので１
４００〜１７００℃とする。また本発明では焼結雰囲気
における酸素濃度を５０％以上とする。これにより得ら
れる焼結体の密度を９０％以上とすることができ、その
結果、低抵抗のインジウム酸化物系スパッタリング用タ
ーゲットを得ることができる。
【０００９】また本発明製造方法では、実質的にＳｎを
添加しない。すなわち、前記特開平４-１６００４７
号、同４-２９３７６９号の実施例に示されるように、
従来Ｉｎ2Ｏ3粉末に対してＳｎＯ2粉末は１０wt％、つ
まりＳｎ量に換算すると８wt％程度含有されていたのに
対し本発明ではＳｎを実質的に添加しない。これはＳｎ
が含有されるとＳｎＯ2量、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相等の中間
化合物相が生成するからである。ただし、前記酸化イン
ジウム粉末は、不純物としてＦｅ，Ｓｉ等がそれぞれを
１０ppm以下、１０〜８０ppm程度含まれることがある。
添加しない。すなわち、前記特開平４-１６００４７
号、同４-２９３７６９号の実施例に示されるように、
従来Ｉｎ2Ｏ3粉末に対してＳｎＯ2粉末は１０wt％、つ
まりＳｎ量に換算すると８wt％程度含有されていたのに
対し本発明ではＳｎを実質的に添加しない。これはＳｎ
が含有されるとＳｎＯ2量、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相等の中間
化合物相が生成するからである。ただし、前記酸化イン
ジウム粉末は、不純物としてＦｅ，Ｓｉ等がそれぞれを
１０ppm以下、１０〜８０ppm程度含まれることがある。
【００１０】
（実施例１）インジウム合金を加熱溶融後、１３００℃
に加熱されたチャンバー内へ噴霧する乾式法により酸化
インジウム粉末を製造し、この粉末を分級して平均粒径
を０．１μm以下とし、この粉末にポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）を１％添加して造粒し、これを冷間プレス
で成形圧力３０００kg/cm2で成形した。この成形体を１
４００℃の酸素雰囲気中で６時間保持し焼結を行った。
その際焼結雰囲気における酸素濃度は５０％とした。
に加熱されたチャンバー内へ噴霧する乾式法により酸化
インジウム粉末を製造し、この粉末を分級して平均粒径
を０．１μm以下とし、この粉末にポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）を１％添加して造粒し、これを冷間プレス
で成形圧力３０００kg/cm2で成形した。この成形体を１
４００℃の酸素雰囲気中で６時間保持し焼結を行った。
その際焼結雰囲気における酸素濃度は５０％とした。
【００１１】（実施例２）他は実施例１と同様にして焼
結温度を１５００℃として焼結を行った。 （実施例３）他は実施例１と同様にして焼結雰囲気にお
ける酸素濃度を６０％として焼結を行った。 （比較例１）他は実施例１と同様にして原料粉末の平均
粒径を２μmとして焼結体を得た。 （比較例２）他は実施例１と同様にして焼結雰囲気にお
ける焼結温度を１３００℃として焼結を行った。 （比較例３）他は実施例１と同様にして焼結雰囲気にお
ける酸素濃度を４０％として焼結を行った。 以上の実施例及び比較例によって得られた焼結体の諸特
性を表１に示す。なお、表１には参考となる公知の文献
値を併せて示す。
結温度を１５００℃として焼結を行った。 （実施例３）他は実施例１と同様にして焼結雰囲気にお
ける酸素濃度を６０％として焼結を行った。 （比較例１）他は実施例１と同様にして原料粉末の平均
粒径を２μmとして焼結体を得た。 （比較例２）他は実施例１と同様にして焼結雰囲気にお
ける焼結温度を１３００℃として焼結を行った。 （比較例３）他は実施例１と同様にして焼結雰囲気にお
ける酸素濃度を４０％として焼結を行った。 以上の実施例及び比較例によって得られた焼結体の諸特
性を表１に示す。なお、表１には参考となる公知の文献
値を併せて示す。
【００１２】表１に示すように、原料粉末の平均粒径が
２μmの比較例１の試料及び焼結雰囲気における焼結温
度を１３００℃として焼結を行った比較例２の試料及び
焼結雰囲気における酸素濃度を４０％として焼結を行っ
た比較例３の試料では焼結体の相対密度が９０％未満と
なり、抵抗率は本発明実施例１〜実施例３の試料に比べ
低くなる。
２μmの比較例１の試料及び焼結雰囲気における焼結温
度を１３００℃として焼結を行った比較例２の試料及び
焼結雰囲気における酸素濃度を４０％として焼結を行っ
た比較例３の試料では焼結体の相対密度が９０％未満と
なり、抵抗率は本発明実施例１〜実施例３の試料に比べ
低くなる。
【００１３】
【表１】焼結体特性
【００１４】これらの試料のターゲットを用いて、表２
に示す条件でスパッタリングを行った。
に示す条件でスパッタリングを行った。
【００１５】
【表２】スパッタリング条件
【００１５】得られた膜の膜特性について表３に示す。
【００１６】
【表３】膜特性
【００１７】表３に示すように、本発明の実施例１〜実
施例３のターゲットを用いて得られた試料では膜抵抗率
が各比較例のものに比し１／２程度となっている。
施例３のターゲットを用いて得られた試料では膜抵抗率
が各比較例のものに比し１／２程度となっている。
【発明の効果】以上のように本発明のインジウム酸化物
系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法によれ
ば、平均粒径０．１μm以下の酸化インジウム粉末を成
形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲気中、１４
００〜１７００℃で焼結して相対密度が９０％以上で、
比抵抗値が９．５×１０-2Ω・cm以下のインジウム酸化
物系スパッタリング用ターゲットとすることができ、従
来のインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットよ
りも低抵抗である。
系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法によれ
ば、平均粒径０．１μm以下の酸化インジウム粉末を成
形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲気中、１４
００〜１７００℃で焼結して相対密度が９０％以上で、
比抵抗値が９．５×１０-2Ω・cm以下のインジウム酸化
物系スパッタリング用ターゲットとすることができ、従
来のインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットよ
りも低抵抗である。
Claims (5)
- 【請求項１】 実質的にインジウムおよび酸素からなる
焼結体であり、相対密度が９０％以上であることを特徴
とするインジウム酸化物系スパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項２】 比抵抗値が９．５×１０-2Ω・cm以下で
ある請求項１に記載のインジウム酸化物系スパッタリン
グ用ターゲット。 - 【請求項３】 平均粒径１μm以下の酸化インジウム粉
末を成形した後、酸素濃度が５０％以上の酸素雰囲気
中、１４００〜１７００℃で焼結することを特徴とする
インジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットの製造
方法。 - 【請求項４】 実質的にインジウムおよび酸素からな
り、比抵抗値が５×１０-4Ω・cm以下であるインジウム
酸化物系膜。 - 【請求項５】 実質的にインジウムおよび酸素からなる
焼結体であり、相対密度が９０％以上であるインジウム
酸化物系スパッタリング用ターゲットを用いて行うイン
ジウム酸化物系膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15202594A JPH0813140A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | インジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法ならびにインジウム酸化物系膜およびインジウム酸化物系膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15202594A JPH0813140A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | インジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法ならびにインジウム酸化物系膜およびインジウム酸化物系膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0813140A true JPH0813140A (ja) | 1996-01-16 |
Family
ID=15531419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15202594A Pending JPH0813140A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | インジウム酸化物系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法ならびにインジウム酸化物系膜およびインジウム酸化物系膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0813140A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1867617A1 (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-19 | Schott AG | Opto-ceramics, optical elements prepared therefrom as well as mapping optics |
| WO2012029407A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
| JP2012051747A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
| US20180231828A1 (en) * | 2016-07-12 | 2018-08-16 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Indium tin oxide thin film and preparation method thereof, array substrate and display apparatus comprising the same |
| KR20240167821A (ko) | 2022-03-29 | 2024-11-28 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기 |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15202594A patent/JPH0813140A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1867617A1 (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-19 | Schott AG | Opto-ceramics, optical elements prepared therefrom as well as mapping optics |
| US7700510B2 (en) | 2006-06-14 | 2010-04-20 | Schott Ag | Opto-ceramics made from In2O3 or oxides Y, Lu, Sc, Yb, In, Gd, and La, optical elements made therefrom, and mapping optics including the optical elements |
| WO2012029407A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
| JP2012051745A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
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| KR20240167821A (ko) | 2022-03-29 | 2024-11-28 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기 |
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