JPH06158309A - セラミック円筒内面への被膜形成方法 - Google Patents
セラミック円筒内面への被膜形成方法Info
- Publication number
- JPH06158309A JPH06158309A JP31492092A JP31492092A JPH06158309A JP H06158309 A JPH06158309 A JP H06158309A JP 31492092 A JP31492092 A JP 31492092A JP 31492092 A JP31492092 A JP 31492092A JP H06158309 A JPH06158309 A JP H06158309A
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- JP
- Japan
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- ceramic cylinder
- center electrode
- holder
- coating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、電界の不均一が解消され、被膜の
膜厚分布が均一化されるセラミック円筒内面への被膜形
成方法を提供することを目的とする。 【構成】この発明のセラミック円筒内面への被膜形成方
法は、円柱状中心電極３を有する円形基台４の周囲に回
転自在に配置されたリング状ホルダ−５上にセラミック
円筒１を載置し、所定雰囲気中でホルダ−を回転しなが
ら中心電極に負電圧をホルダ−に正電圧をそれぞれ印加
してグロ−放電を発生させ、スパッタリング法によりセ
ラミック円筒内面に被膜を形成する場合、セラミック円
筒の内側で且つ中心電極の周囲に所定間隔で複数の棒状
補助電極７を中心電極に平行に配設することにより、上
記の目的を達成することが出来る。
膜厚分布が均一化されるセラミック円筒内面への被膜形
成方法を提供することを目的とする。 【構成】この発明のセラミック円筒内面への被膜形成方
法は、円柱状中心電極３を有する円形基台４の周囲に回
転自在に配置されたリング状ホルダ−５上にセラミック
円筒１を載置し、所定雰囲気中でホルダ−を回転しなが
ら中心電極に負電圧をホルダ−に正電圧をそれぞれ印加
してグロ−放電を発生させ、スパッタリング法によりセ
ラミック円筒内面に被膜を形成する場合、セラミック円
筒の内側で且つ中心電極の周囲に所定間隔で複数の棒状
補助電極７を中心電極に平行に配設することにより、上
記の目的を達成することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック円筒内面
への被膜形成方法に関する。
への被膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に高周波加速器は電子・陽電子など
の荷電粒子の運動エネルギを上昇させるため、加速用共
振空胴に外部から結合器を介してマイクロ波エネルギが
導入される。結合器は入力部の円筒状のアルミナセラミ
ックス窓と出力部の同軸アンテナから構成されており、
通常、数十ＫＷあるいはそれ以上の高周波電力（周波数
は約５００ＭＨｚ）が供給される。大電力が結合器に供
給された時、誘電体損失やマルチパクタ放電によりアル
ミナセラミックス窓の温度が上昇する。それを防止する
ため、図３に示すようにアルミナセラミックス窓１の内
面に厚さ１００オングストロ−ム前後のＴｉＮ被膜２が
形成されている。
の荷電粒子の運動エネルギを上昇させるため、加速用共
振空胴に外部から結合器を介してマイクロ波エネルギが
導入される。結合器は入力部の円筒状のアルミナセラミ
ックス窓と出力部の同軸アンテナから構成されており、
通常、数十ＫＷあるいはそれ以上の高周波電力（周波数
は約５００ＭＨｚ）が供給される。大電力が結合器に供
給された時、誘電体損失やマルチパクタ放電によりアル
ミナセラミックス窓の温度が上昇する。それを防止する
ため、図３に示すようにアルミナセラミックス窓１の内
面に厚さ１００オングストロ−ム前後のＴｉＮ被膜２が
形成されている。
【０００３】このＴｉＮ被膜２の形成に当たっては、従
来、直流スパッタリング法が用いられ、図４に示すよう
に、Ｔｉからなる円柱状中心電極３を有する円形基台４
の周囲に回転自在に配置された金属製のリング状ホルダ
−５上に、円筒状のアルミナセラミックス窓１を載置す
る。そして、ＡｒとＮ2 雰囲気中でホルダ−５を回転し
ながら中心電極３に負電圧をホルダ−５に正電圧をそれ
ぞれ印加してグロ−放電を発生させ、スパッタリング法
によりＡｒ+ でスパッタされたＴｉ（もしくはＴｉＮ）
をアルミナセラミックス窓１内面に厚さ１００オングス
トロ−ム前後堆積させＴｉＮ被膜２を形成する。尚、図
４中の符号６は直流電源である。
来、直流スパッタリング法が用いられ、図４に示すよう
に、Ｔｉからなる円柱状中心電極３を有する円形基台４
の周囲に回転自在に配置された金属製のリング状ホルダ
−５上に、円筒状のアルミナセラミックス窓１を載置す
る。そして、ＡｒとＮ2 雰囲気中でホルダ−５を回転し
ながら中心電極３に負電圧をホルダ−５に正電圧をそれ
ぞれ印加してグロ−放電を発生させ、スパッタリング法
によりＡｒ+ でスパッタされたＴｉ（もしくはＴｉＮ）
をアルミナセラミックス窓１内面に厚さ１００オングス
トロ−ム前後堆積させＴｉＮ被膜２を形成する。尚、図
４中の符号６は直流電源である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、中心電極３
とホルダ−５との間で直流グロ−放電が発生するもの
の、円筒状のアルミナセラミックス窓１が高さ約２００
ｍｍの絶縁体なので、電界が不均一になり、アルミナセ
ラミックス窓１の内面にＴｉＮ被膜２が均一に形成出来
ない。
とホルダ−５との間で直流グロ−放電が発生するもの
の、円筒状のアルミナセラミックス窓１が高さ約２００
ｍｍの絶縁体なので、電界が不均一になり、アルミナセ
ラミックス窓１の内面にＴｉＮ被膜２が均一に形成出来
ない。
【０００５】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、電界の不均一が解消され、被膜の膜厚分布が均一化
されるセラミック円筒内面への被膜形成方法を提供する
ことを目的とする。
で、電界の不均一が解消され、被膜の膜厚分布が均一化
されるセラミック円筒内面への被膜形成方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、円柱状中心
電極を有する円形基台の周囲に回転自在に配置されたリ
ング状ホルダ−上にセラミック円筒を載置し、所定雰囲
気中でホルダ−を回転しながら中心電極に負電圧をホル
ダ−に正電圧をそれぞれ印加してグロ−放電を発生さ
せ、スパッタリング法によりセラミック円筒内面に被膜
を形成する場合、セラミック円筒の内側で且つ中心電極
の周囲に所定間隔で複数の棒状補助電極を中心電極に平
行に配設してなるセラミック円筒内面への被膜形成方法
である。
電極を有する円形基台の周囲に回転自在に配置されたリ
ング状ホルダ−上にセラミック円筒を載置し、所定雰囲
気中でホルダ−を回転しながら中心電極に負電圧をホル
ダ−に正電圧をそれぞれ印加してグロ−放電を発生さ
せ、スパッタリング法によりセラミック円筒内面に被膜
を形成する場合、セラミック円筒の内側で且つ中心電極
の周囲に所定間隔で複数の棒状補助電極を中心電極に平
行に配設してなるセラミック円筒内面への被膜形成方法
である。
【０００７】
【作用】この発明によれば、電界の不均一が解消され、
被膜の膜厚分布が均一化される。
被膜の膜厚分布が均一化される。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
【０００９】この発明によるセラミック円筒内面への被
膜形成方法は図１および図２に示すように構成され、図
１が斜視図であり、図２はその平面図である。先ず使用
する装置について述べると、従来例（図４）と同一箇所
には同一符号を付すことにすれば、円形基台４の中心に
はＴｉからなる円柱状中心電極３が植設され、この中心
電極３の周囲に所定間隔でサ−クル状に複数例えば４個
の棒状補助電極７が中心電極３に平行に配設されてい
る。更に、円形基台４の周囲には金属製のリング状ホル
ダ−５が回転自在に配置され、このホルダ−５は直流電
源６の正極に接続され、中心電極３は負極に接続されて
いる。
膜形成方法は図１および図２に示すように構成され、図
１が斜視図であり、図２はその平面図である。先ず使用
する装置について述べると、従来例（図４）と同一箇所
には同一符号を付すことにすれば、円形基台４の中心に
はＴｉからなる円柱状中心電極３が植設され、この中心
電極３の周囲に所定間隔でサ−クル状に複数例えば４個
の棒状補助電極７が中心電極３に平行に配設されてい
る。更に、円形基台４の周囲には金属製のリング状ホル
ダ−５が回転自在に配置され、このホルダ−５は直流電
源６の正極に接続され、中心電極３は負極に接続されて
いる。
【００１０】被膜の形成に当たっては、ホルダ−５上に
セラミック円筒例えば高周波加速器の円筒状のアルミナ
セラミックス窓１を載置し、所定雰囲気中でホルダ−５
を回転しながら中心電極３に負電圧をホルダ−５に正電
圧をそれぞれ印加してグロ−放電を発生させ、スパッタ
リング法によりアルミナセラミックス窓１内面にＴｉ被
膜２（図３参照）を形成する。この時、中心電極３と補
助電極７の間で直流放電を起こす。そして、アルミナセ
ラミックス窓１は補助電極７の影になるものの、直流ス
パッタリング中は中心電極３および補助電極７の周りを
回転しているので、影の部分のアルミナセラミックス窓
１内面にＴｉＮ被膜２が形成されないことはない。又、
直流放電は中心電極３と補助電極７との間で生じるの
で、安定し且つ電界の不均一を低減出来る。この結果、
ＴｉＮ被膜２のアルミナセラミックス窓１の高さ方向の
膜厚分布を従来に比べ均一化出来る。
セラミック円筒例えば高周波加速器の円筒状のアルミナ
セラミックス窓１を載置し、所定雰囲気中でホルダ−５
を回転しながら中心電極３に負電圧をホルダ−５に正電
圧をそれぞれ印加してグロ−放電を発生させ、スパッタ
リング法によりアルミナセラミックス窓１内面にＴｉ被
膜２（図３参照）を形成する。この時、中心電極３と補
助電極７の間で直流放電を起こす。そして、アルミナセ
ラミックス窓１は補助電極７の影になるものの、直流ス
パッタリング中は中心電極３および補助電極７の周りを
回転しているので、影の部分のアルミナセラミックス窓
１内面にＴｉＮ被膜２が形成されないことはない。又、
直流放電は中心電極３と補助電極７との間で生じるの
で、安定し且つ電界の不均一を低減出来る。この結果、
ＴｉＮ被膜２のアルミナセラミックス窓１の高さ方向の
膜厚分布を従来に比べ均一化出来る。
【００１１】尚、上記説明ではセラミック円筒として高
周波加速器のアルミナセラミックス窓１を例に挙げた
が、この発明はアルミナセラミックス窓１に限定される
ことなく、セラミック円筒一般に適用出来ることは言う
までもない。
周波加速器のアルミナセラミックス窓１を例に挙げた
が、この発明はアルミナセラミックス窓１に限定される
ことなく、セラミック円筒一般に適用出来ることは言う
までもない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
セラミック円筒の内側で且つ中心電極の周囲に所定間隔
で複数の棒状補助電極を中心電極に平行に配設している
ので、電界の不均一が解消され、被膜の膜厚分布が均一
化される。
セラミック円筒の内側で且つ中心電極の周囲に所定間隔
で複数の棒状補助電極を中心電極に平行に配設している
ので、電界の不均一が解消され、被膜の膜厚分布が均一
化される。
【図１】この発明の一実施例に係るセラミック円筒内面
への被膜形成方法を示す斜視図。
への被膜形成方法を示す斜視図。
【図２】図１の平面図。
【図３】セラミック円筒の一例である円筒状のアルミナ
セラミックス窓を示す断面図。
セラミックス窓を示す断面図。
【図４】従来のセラミック円筒内面への被膜形成方法を
示す斜視図。
示す斜視図。
１…アルミナセラミックス窓（セラミック円筒）、２…
ＴｉＮ被膜、３…中心電極、４…円形基台、５…ホルダ
−、６…直流電源、７…棒状補助電極。
ＴｉＮ被膜、３…中心電極、４…円形基台、５…ホルダ
−、６…直流電源、７…棒状補助電極。
Claims (1)
- 【請求項１】 円柱状中心電極を有する円形基台の周囲
に回転自在に配置されたリング状ホルダ−上にセラミッ
ク円筒を載置し、所定雰囲気中で上記ホルダ−を回転し
ながら上記中心電極に負電圧を上記ホルダ−に正電圧を
それぞれ印加してグロ−放電を発生させ、スパッタリン
グ法により上記セラミック円筒内面に被膜を形成するセ
ラミック円筒内面への被膜形成方法において、 上記セラミック円筒の内側で且つ上記中心電極の周囲に
所定間隔で複数の棒状補助電極を上記中心電極に平行に
配設してなることを特徴とするセラミック円筒内面への
被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31492092A JPH06158309A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | セラミック円筒内面への被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31492092A JPH06158309A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | セラミック円筒内面への被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06158309A true JPH06158309A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18059241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31492092A Pending JPH06158309A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | セラミック円筒内面への被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06158309A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1025564A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Ion Kogaku Kenkyusho:Kk | コーティング方法およびコーティング装置 |
| CN110221185A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-10 | 广东电网有限责任公司 | 一种模拟高压电缆中间接头界面沿面放电试验装置 |
| CN111962038A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-11-20 | 兰州天亿石化设备维修技术有限公司 | 一种大口径高压金属软管内壁镀膜装置及方法 |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP31492092A patent/JPH06158309A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1025564A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Ion Kogaku Kenkyusho:Kk | コーティング方法およびコーティング装置 |
| CN110221185A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-10 | 广东电网有限责任公司 | 一种模拟高压电缆中间接头界面沿面放电试验装置 |
| CN111962038A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-11-20 | 兰州天亿石化设备维修技术有限公司 | 一种大口径高压金属软管内壁镀膜装置及方法 |
| CN111962038B (zh) * | 2020-09-23 | 2023-05-12 | 兰州天亿石化设备维修技术有限公司 | 一种大口径高压金属软管内壁镀膜装置及方法 |
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