JPH06158392A - めっき装置 - Google Patents
めっき装置Info
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- JPH06158392A JPH06158392A JP33657392A JP33657392A JPH06158392A JP H06158392 A JPH06158392 A JP H06158392A JP 33657392 A JP33657392 A JP 33657392A JP 33657392 A JP33657392 A JP 33657392A JP H06158392 A JPH06158392 A JP H06158392A
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっき液に対する流動障害が少なく、均一な
めっき膜厚及びめっき膜組成が得られる噴流型のめっき
装置を提供することである。 【構成】 めっき槽１はめっき液１１が噴流として供給
される。カソード電極装置３はめっき液１１の噴流内に
位置するようにめっき槽１に取り付けられている。アノ
ード電極装置２はアノード電極板２１が中心部付近に中
心孔２３を有すると共に、中心孔２３の周りに多数の小
孔２４を有し、中心孔２３及び小孔２４がめっき液１１
の流通路を構成し、カソード電極装置２と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されている。
めっき膜厚及びめっき膜組成が得られる噴流型のめっき
装置を提供することである。 【構成】 めっき槽１はめっき液１１が噴流として供給
される。カソード電極装置３はめっき液１１の噴流内に
位置するようにめっき槽１に取り付けられている。アノ
ード電極装置２はアノード電極板２１が中心部付近に中
心孔２３を有すると共に、中心孔２３の周りに多数の小
孔２４を有し、中心孔２３及び小孔２４がめっき液１１
の流通路を構成し、カソード電極装置２と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、めっき装置に関し、更
に詳しくは、各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜
磁気ヘッド用ウエハ等にめっきを施すのに好適なめっき
装置に係る。
に詳しくは、各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜
磁気ヘッド用ウエハ等にめっきを施すのに好適なめっき
装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄
膜磁気ヘッド用ウエハ等においては、被めっき物である
基板もしくはウエハ上の限られた平面積内でめっきをし
なければならない。そのためのめっき装置として、噴流
めっき装置が知られている。噴流めっき装置において
は、めっき槽内にめっき液が噴流として供給される。め
っき槽内には、カソード電極装置がめっき液の噴流内に
位置するように取り付けられると共に、多数の小孔を有
するアノード電極板がカソード電極装置と対向するよう
に配置されている。アノード電極板としては、全面にわ
たって多数の孔を有するエクスパンデッド．プレートが
用いられている。エクスパンデッド．プレートは、板材
に刻みを格子状に入れた後、引っ張って拡大することに
より、多孔板としたものである。
膜磁気ヘッド用ウエハ等においては、被めっき物である
基板もしくはウエハ上の限られた平面積内でめっきをし
なければならない。そのためのめっき装置として、噴流
めっき装置が知られている。噴流めっき装置において
は、めっき槽内にめっき液が噴流として供給される。め
っき槽内には、カソード電極装置がめっき液の噴流内に
位置するように取り付けられると共に、多数の小孔を有
するアノード電極板がカソード電極装置と対向するよう
に配置されている。アノード電極板としては、全面にわ
たって多数の孔を有するエクスパンデッド．プレートが
用いられている。エクスパンデッド．プレートは、板材
に刻みを格子状に入れた後、引っ張って拡大することに
より、多孔板としたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、全面に
わたって多数の孔を有するアノード電極板を用いると、
孔を構成する格子がめっき液の流れに対して大きな流動
障害となって乱流を発生し、均一なめっき膜厚及びめっ
き膜組成を得る妨げとなる。
わたって多数の孔を有するアノード電極板を用いると、
孔を構成する格子がめっき液の流れに対して大きな流動
障害となって乱流を発生し、均一なめっき膜厚及びめっ
き膜組成を得る妨げとなる。
【０００４】特に、アノード電極板としてエキスパンデ
ッド．プレートを用いた場合、孔の周りの格子の内壁面
が、同一方向に傾斜する傾斜面となるため、めっき液が
内壁面の傾斜方向に沿って流れるようになる。このた
め、偏っためっき液の流れのために、めっき膜厚及び膜
組成の均一性が損なわれる。
ッド．プレートを用いた場合、孔の周りの格子の内壁面
が、同一方向に傾斜する傾斜面となるため、めっき液が
内壁面の傾斜方向に沿って流れるようになる。このた
め、偏っためっき液の流れのために、めっき膜厚及び膜
組成の均一性が損なわれる。
【０００５】そこで、本発明の課題は、めっき液に対す
る流動障害が少なく、均一なめっき膜厚及びめっき膜組
成が得られる噴流型のめっき装置を提供することであ
る。
る流動障害が少なく、均一なめっき膜厚及びめっき膜組
成が得られる噴流型のめっき装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、めっき槽と、カソード電極装置と、アノ
ード電極装置とを含むめっき装置であって、前記めっき
槽は、めっき液が噴流として供給されるものであり、前
記カソード電極装置は、前記めっき液の噴流内に位置す
るように前記めっき槽に取り付けられており、前記アノ
ード電極装置は、アノード電極板を含み、前記アノード
電極板が中心部付近に中心孔を有すると共に、前記中心
孔の周りに多数の小孔を有し、前記中心孔及び前記小孔
が前記めっき液の流通路を構成し、前記カソード電極装
置と対向するように、前記めっき槽内に配置されてい
る。
め、本発明は、めっき槽と、カソード電極装置と、アノ
ード電極装置とを含むめっき装置であって、前記めっき
槽は、めっき液が噴流として供給されるものであり、前
記カソード電極装置は、前記めっき液の噴流内に位置す
るように前記めっき槽に取り付けられており、前記アノ
ード電極装置は、アノード電極板を含み、前記アノード
電極板が中心部付近に中心孔を有すると共に、前記中心
孔の周りに多数の小孔を有し、前記中心孔及び前記小孔
が前記めっき液の流通路を構成し、前記カソード電極装
置と対向するように、前記めっき槽内に配置されてい
る。
【０００７】
【作用】めっき槽はめっき液が噴流として供給されるも
のであり、カソード電極装置はめっき液の噴流内に位置
するようにめっき槽に取り付けられており、アノード電
極板は多数の小孔がめっき液の流通路を構成し、カソー
ド電極装置と対向するように、めっき槽内に配置されて
いるから、各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁
気ヘッド用ウエハ等のめっきに有効な噴流型のめっき装
置が得られる。
のであり、カソード電極装置はめっき液の噴流内に位置
するようにめっき槽に取り付けられており、アノード電
極板は多数の小孔がめっき液の流通路を構成し、カソー
ド電極装置と対向するように、めっき槽内に配置されて
いるから、各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁
気ヘッド用ウエハ等のめっきに有効な噴流型のめっき装
置が得られる。
【０００８】アノード電極装置は、アノード電極板が中
心部付近に中心孔を有するから、最も流動障害が大きく
なる中心部分で流動障害が除去される。このため、均一
なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能にな
る。
心部付近に中心孔を有するから、最も流動障害が大きく
なる中心部分で流動障害が除去される。このため、均一
なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能にな
る。
【０００９】好ましい実施例では、小孔を形成する格子
は、断面がめっき液の流れ方向に取られた対称軸に関し
て線対称性を有する。このような構成であると、めっき
液の流れに偏りがなくなり、めっき液が実質的にアノー
ド電極板の主面に対して直交する方向に流れるようにな
る。このため、より一層、均一なめっき膜厚及びめっき
膜組成を得ることが可能になる。
は、断面がめっき液の流れ方向に取られた対称軸に関し
て線対称性を有する。このような構成であると、めっき
液の流れに偏りがなくなり、めっき液が実質的にアノー
ド電極板の主面に対して直交する方向に流れるようにな
る。このため、より一層、均一なめっき膜厚及びめっき
膜組成を得ることが可能になる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係るめっき装置の概略を示す
図である。図において、１はめっき槽、２はアノード電
極装置、３はカソード電極装置、４は被めっき物であ
る。
図である。図において、１はめっき槽、２はアノード電
極装置、３はカソード電極装置、４は被めっき物であ
る。
【００１１】めっき槽１は、槽本体１０内にめっき液１
１を収納している。１２はめっき液１１の供給路、１３
はめっき液１１の回収路である。めっき液１１は供給路
１２を通り槽内１０に供給され、槽内１０から回収路１
３を通して回収される。めっき液１１の浴組成は得よう
とするめっき膜に応じて選択される。
１を収納している。１２はめっき液１１の供給路、１３
はめっき液１１の回収路である。めっき液１１は供給路
１２を通り槽内１０に供給され、槽内１０から回収路１
３を通して回収される。めっき液１１の浴組成は得よう
とするめっき膜に応じて選択される。
【００１２】めっき槽１にはめっき液１１が噴流として
供給される。そのための具体的構成として、アノード電
極装置２はめっき槽１の下側に配置され、カソード電極
装置３３は上側に配置されている。アノード電極装置２
はめっき液供給路１２を有しており、めっき液１１はめ
っき液供給路１２を通して噴流となる。カソード電極装
置３は、カソード電極３１及び被めっき物４がめっき液
１１の噴流内に位置するように取り付けられている。
供給される。そのための具体的構成として、アノード電
極装置２はめっき槽１の下側に配置され、カソード電極
装置３３は上側に配置されている。アノード電極装置２
はめっき液供給路１２を有しており、めっき液１１はめ
っき液供給路１２を通して噴流となる。カソード電極装
置３は、カソード電極３１及び被めっき物４がめっき液
１１の噴流内に位置するように取り付けられている。
【００１３】アノード電極装置２はアノード電極板２１
を含む。参照符号２２は電極支持装置である。アノード
電極板２１はめっき液供給路１２を横断するように配置
される。図２はアノード電極板２１の平面図であり、中
心部付近に比較的大きな中心孔２３を有するとともに、
その回りに多数の小孔２４を有する。
を含む。参照符号２２は電極支持装置である。アノード
電極板２１はめっき液供給路１２を横断するように配置
される。図２はアノード電極板２１の平面図であり、中
心部付近に比較的大きな中心孔２３を有するとともに、
その回りに多数の小孔２４を有する。
【００１４】めっき槽１はめっき液１１が噴流として供
給されるものであり、カソード電極装置３はめっき液１
１の噴流内に位置するようにめっき槽１に取り付けられ
ており、アノード電極板２１は多数の小孔がめっき液の
流通路を構成し、カソード電極装置３と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されているから、各種電子部品
用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等のめ
っきに有効な噴流型のめっき装置が得られる。
給されるものであり、カソード電極装置３はめっき液１
１の噴流内に位置するようにめっき槽１に取り付けられ
ており、アノード電極板２１は多数の小孔がめっき液の
流通路を構成し、カソード電極装置３と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されているから、各種電子部品
用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等のめ
っきに有効な噴流型のめっき装置が得られる。
【００１５】アノード電極装置２は、アノード電極板２
１が中心部付近に中心孔２３を有するから、最も流動障
害が大きくなる中心部分で流動障害が除去される。この
ため、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが
可能になる。
１が中心部付近に中心孔２３を有するから、最も流動障
害が大きくなる中心部分で流動障害が除去される。この
ため、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが
可能になる。
【００１６】小孔２４を形成する格子２５は、断面がめ
っき液の流れ方向ａに取られた対称軸に関して線対称性
を有する。その具体例を図３〜図５に示す。図３は断面
が円形状である実施例を示し、図４は断面が矩形状であ
る実施例を示し、図５は断面が３角形状である実施例を
示している。この他にも種々の断面形状が考えられる。
このような構成であると、めっき液の流れに偏りがなく
なり、実質的にアノード電極板２１の主面に対して直交
する方向に流れるようになる。このため、より一層、均
一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能にな
る。
っき液の流れ方向ａに取られた対称軸に関して線対称性
を有する。その具体例を図３〜図５に示す。図３は断面
が円形状である実施例を示し、図４は断面が矩形状であ
る実施例を示し、図５は断面が３角形状である実施例を
示している。この他にも種々の断面形状が考えられる。
このような構成であると、めっき液の流れに偏りがなく
なり、実質的にアノード電極板２１の主面に対して直交
する方向に流れるようになる。このため、より一層、均
一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能にな
る。
【００１７】電極支持装置２２は全体として筒状であっ
て、めっき槽１の底部に一体的に取りつけられており、
その軸方向の中間部において、アノード電極板２１を電
気絶縁して支持している。アノード電極板２１はリード
配線２５によって端子２６に導かれている。２７はリー
ド配線２４をめっき液１１から保護する配管である。
て、めっき槽１の底部に一体的に取りつけられており、
その軸方向の中間部において、アノード電極板２１を電
気絶縁して支持している。アノード電極板２１はリード
配線２５によって端子２６に導かれている。２７はリー
ド配線２４をめっき液１１から保護する配管である。
【００１８】カソード電極装置３は、めっき槽１の槽内
１０においてアノード電極装置２と対向するようにめっ
き槽１に取り付けられている。カソード電極装置３は、
リング状カソード電極３１と、押え部材３２と、ケース
部材３３とを含んでいる。カソード電極３１は被めっき
物４の外周縁を受け、押え部材３２は被めっき物４をカ
ソード電極３１に押付けている。ケース部材３３はカソ
ード電極３１及び被めっき物４の後方に、閉じられた空
間３４を形成している。また、ケース部材３３は空間３
４に連なる気体導入路３５及び気体排出路３７を有す
る。気体導入路３５を通して導入される気体は、空気や
窒素などである。３６はカソード電極３１に導通する端
子である。
１０においてアノード電極装置２と対向するようにめっ
き槽１に取り付けられている。カソード電極装置３は、
リング状カソード電極３１と、押え部材３２と、ケース
部材３３とを含んでいる。カソード電極３１は被めっき
物４の外周縁を受け、押え部材３２は被めっき物４をカ
ソード電極３１に押付けている。ケース部材３３はカソ
ード電極３１及び被めっき物４の後方に、閉じられた空
間３４を形成している。また、ケース部材３３は空間３
４に連なる気体導入路３５及び気体排出路３７を有す
る。気体導入路３５を通して導入される気体は、空気や
窒素などである。３６はカソード電極３１に導通する端
子である。
【００１９】被めっき物４は、各種電子部品用基板、Ｉ
Ｃ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等であり、めっき
液１１と接する下面４１がめっき付着面となっており、
空間３４側に位置する背面４２はめっきを必要としない
面となっている。背面４２に押え部材３２からの押し付
け力が加わり、その押し付け力により、めっき付着面と
なる下面４１の外周縁がカソード電極３１に接触し導通
する。従って、押え部材３２の押付け力によって被めっ
き物４をカソード電極３１に接触させることができ、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等にめっきを施すのに好適なめっき装置が得られ
る。
Ｃ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等であり、めっき
液１１と接する下面４１がめっき付着面となっており、
空間３４側に位置する背面４２はめっきを必要としない
面となっている。背面４２に押え部材３２からの押し付
け力が加わり、その押し付け力により、めっき付着面と
なる下面４１の外周縁がカソード電極３１に接触し導通
する。従って、押え部材３２の押付け力によって被めっ
き物４をカソード電極３１に接触させることができ、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等にめっきを施すのに好適なめっき装置が得られ
る。
【００２０】ケース部材３３は、カソード電極３１及び
被めっき物４の後方に閉じられた空間３４を形成すると
共に、空間３４に連なる気体導入路３５を有している。
従って、気体導入路３５を通して空間３４内に導入され
た気体の圧力により、空間３４内へのめっき液１１の漏
れを阻止できる。このため、被めっき物４の下面４１と
カソード電極３１との接触界面からの液漏れがなくな
り、被めっき物４の背面４２側にめっきが付着すること
がない。空間３４内の圧力は気体排出路３６の直径また
は弁３７の調整によって適正な値に調整できる。
被めっき物４の後方に閉じられた空間３４を形成すると
共に、空間３４に連なる気体導入路３５を有している。
従って、気体導入路３５を通して空間３４内に導入され
た気体の圧力により、空間３４内へのめっき液１１の漏
れを阻止できる。このため、被めっき物４の下面４１と
カソード電極３１との接触界面からの液漏れがなくな
り、被めっき物４の背面４２側にめっきが付着すること
がない。空間３４内の圧力は気体排出路３６の直径また
は弁３７の調整によって適正な値に調整できる。
【００２１】図示の押え部材３２は棒状であって、ケー
ス部材３３にねじ止めなどの手段によって取りつけら
れ、先端が空間３４を通して被めっき物４の背面４２に
接触し、被めっき物４をカソード電極３１に押付けてい
る。
ス部材３３にねじ止めなどの手段によって取りつけら
れ、先端が空間３４を通して被めっき物４の背面４２に
接触し、被めっき物４をカソード電極３１に押付けてい
る。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るめっき
装置によれば、次のような効果が得られる。 （ａ）めっき槽はめっき液が噴流として供給されるもの
であり、カソード電極装置はめっき液の噴流内に位置す
るようにめっき槽に取り付けられており、アノード電極
板は多数の小孔が噴流めっき液の流通路を構成し、カソ
ード電極装置と対向するように、めっき槽内に配置され
ているから、各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜
磁気ヘッド用ウエハ等のめっきに有効な噴流型のめっき
装置が得られる。 （ｂ）アノード電極装置は、アノード電極板が中心部付
近に中心孔を有するから、最も流動障害が大きくなる中
心部分で流動障害が除去される。このため、均一なめっ
き膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能になる。 （ｃ）小孔を形成する格子は、断面がめっき液の流れ方
向に取られた対称軸に関して線対称性を有する。このよ
うな構成であると、めっき液の流れに偏りがなくなり、
実質的にアノード電極板の主面に対して直交する方向に
流れるとみなすことができるようになる。このため、よ
り一層、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ること
が可能になる。
装置によれば、次のような効果が得られる。 （ａ）めっき槽はめっき液が噴流として供給されるもの
であり、カソード電極装置はめっき液の噴流内に位置す
るようにめっき槽に取り付けられており、アノード電極
板は多数の小孔が噴流めっき液の流通路を構成し、カソ
ード電極装置と対向するように、めっき槽内に配置され
ているから、各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜
磁気ヘッド用ウエハ等のめっきに有効な噴流型のめっき
装置が得られる。 （ｂ）アノード電極装置は、アノード電極板が中心部付
近に中心孔を有するから、最も流動障害が大きくなる中
心部分で流動障害が除去される。このため、均一なめっ
き膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能になる。 （ｃ）小孔を形成する格子は、断面がめっき液の流れ方
向に取られた対称軸に関して線対称性を有する。このよ
うな構成であると、めっき液の流れに偏りがなくなり、
実質的にアノード電極板の主面に対して直交する方向に
流れるとみなすことができるようになる。このため、よ
り一層、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ること
が可能になる。
【図１】本発明に係るめっき装置の概略図である。
【図２】本発明に係るめっき装置に用いられるアノード
電極板の平面図である。
電極板の平面図である。
【図３】本発明に係るめっき装置に用いられるアノード
電極板の一部拡大断面図である。
電極板の一部拡大断面図である。
【図４】本発明に係るめっき装置に用いられるアノード
電極板の他の実施例を示す一部拡大断面図である。
電極板の他の実施例を示す一部拡大断面図である。
【図５】本発明に係るめっき装置に用いられるアノード
電極板の他の実施例を示す一部拡大断面図である。
電極板の他の実施例を示す一部拡大断面図である。
１ めっき槽 ２ アノード電極装置 ２１ アノード電極板 ２３ 中心孔 ２４ 小孔 ２５ 格子 ３ カソード電極装置 ３１ カソード電極 ４ 被めっき物
Claims (2)
- 【請求項１】 めっき槽と、カソード電極装置と、アノ
ード電極装置とを含むめっき装置であって、 前記めっき槽は、めっき液が噴流として供給されるもの
であり、 前記カソード電極装置は、前記めっき液の噴流内に位置
するように前記めっき槽に取り付けられており、 前記アノード電極装置は、アノード電極板を含み、前記
アノード電極板が中心部付近に中心孔を有すると共に、
前記中心孔の周りに多数の小孔を有し、前記中心孔及び
前記小孔が前記めっき液の流通路を構成し、前記カソー
ド電極装置と対向するように、前記めっき槽内に配置さ
れているめっき装置。 - 【請求項２】 前記小孔を形成する格子は、断面がめっ
き液の流れ方向に取られた対称軸に関して線対称性を有
する請求項１に記載のめっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33657392A JP3221519B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33657392A JP3221519B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | めっき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06158392A true JPH06158392A (ja) | 1994-06-07 |
| JP3221519B2 JP3221519B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=18300544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33657392A Expired - Fee Related JP3221519B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221519B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500325B2 (en) * | 1997-04-28 | 2002-12-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of plating semiconductor wafer and plated semiconductor wafer |
| DE19861248B4 (de) * | 1997-04-28 | 2005-03-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Wafers |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP33657392A patent/JP3221519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500325B2 (en) * | 1997-04-28 | 2002-12-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of plating semiconductor wafer and plated semiconductor wafer |
| DE19861248B4 (de) * | 1997-04-28 | 2005-03-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Wafers |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3221519B2 (ja) | 2001-10-22 |
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