JPH06163761A - 磁気センサ - Google Patents

磁気センサ

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Publication number
JPH06163761A
JPH06163761A JP4331003A JP33100392A JPH06163761A JP H06163761 A JPH06163761 A JP H06163761A JP 4331003 A JP4331003 A JP 4331003A JP 33100392 A JP33100392 A JP 33100392A JP H06163761 A JPH06163761 A JP H06163761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
thin film
insulating substrate
magnetic sensor
heat dissipation
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4331003A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Miyakoshi
俊彦 宮越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Instruments Corp
Original Assignee
Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd filed Critical Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4331003A priority Critical patent/JPH06163761A/ja
Publication of JPH06163761A publication Critical patent/JPH06163761A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515Forming coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡易な構成で、磁気センサにおける磁気感度
のばらつきを小さくすることを可能にする。 【構成】 絶縁基板11における磁性薄膜12の形成面
とは反対側の面に、非磁性金属からなる放熱部材13を
当接配置し、熱伝導が良好でない絶縁基板11に蓄えら
れようとする磁性薄膜12からの熱を、放熱部材13を
通して外部に放熱させ、磁性薄膜12の感磁パターンを
ほぼ均質な温度すなわち均質な熱抵抗に維持するように
したもの。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に磁性薄膜
を備えた磁気センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、ロータリエンコーダーや回転
検出器等において、磁気センサが広く用いられている。
磁気センサは、絶縁基板上に磁性薄膜を形成したもので
あり、例えば図3に示されているように、絶縁基板とし
てのガラス基板1上に、磁気検出用の磁性薄膜としての
磁気抵抗薄膜2が、所定の感磁パターンを構成するよう
に形成されている。この磁気抵抗薄膜2は、保護膜3に
より被覆されている。また上記磁気抵抗薄膜2の一端部
(図示左端)からは、ハンダ4を介して導電端子5が引
き出されており、上記ハンダ4は、端子塗料6により被
覆され保護されている。
【0003】さらに図3中の二点鎖線で示されているよ
うに、樹脂材等の非磁性部材からなる支持枠(センサホ
ルダー)7に、上述した構成の磁気センサを取り付ける
構成がしばしば採用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような構
成を有する従来の磁気センサでは、絶縁基板1及び支持
枠(センサホルダー)7の熱伝導が良好でなく、そのた
め磁性薄膜の感磁パターンのそれぞれに温度差が発生す
ることがある。このような温度差を生じると、温度差に
対応して感磁パターンの抵抗値が変化してしまい、磁気
感度をばらつかせる原因となる。
【0005】そこで本発明は、簡易な構造で磁気感度を
均質に維持することができるようにした磁気センサを提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明にかかる第1の手段は、絶縁基板上に磁性薄膜を
形成した磁気センサにおいて、上記絶縁基板における磁
性薄膜形成面と反対側の面に、非磁性金属からなる放熱
部材を当接して配置した構成を有している。また本発明
にかかる第2の手段は、上記第1の手段において、磁性
薄膜が磁気抵抗薄膜からなる構成を有している。さらに
本発明にかかる第3の手段は、上記第1の手段におい
て、放熱部材が非磁性の板状金属からなる構成を有して
いる。さらにまた本発明にかかる第4の手段は、上記第
1の手段において、放熱部材が非磁性の厚膜ペーストか
らなる構成を有している。本発明にかかる第5の手段
は、上記第1の手段において、絶縁基板及び放熱部材が
非磁性部材からなる支持枠に取り付けらた構成を有して
いる。
【0007】
【作用】このような構成を有する各手段においては、熱
伝導が良好でない絶縁基板及びホルダーに蓄えられよう
とする磁性薄膜からの熱が、放熱部材を通して外部に放
熱され、磁性薄膜の感磁パターンのそれぞれがほぼ均質
な温度に維持されるため、磁気センサの熱抵抗が減少さ
れて均質に維持されるようになっている。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1に示されている実施例は、例えばMR
センサに本発明を適用したものであって、図に示されて
いるように、絶縁基板11の片面(図示上面)上に、磁
気検出用の磁性薄膜12が、所定の感磁パターンを構成
するように形成されている。このとき上記絶縁基板11
としては、ガラス、セラミック、シリコン、サファイ
ア、石英、ガラスセラミック等の材料が用いられるとと
もに、前記磁性薄膜12は、例えば磁気抵抗薄膜として
形成されている。なお図1中において、上記磁気抵抗薄
膜12から引き出される導電端子及び磁性薄膜12に被
覆される保護膜の図示は省略されている。
【0009】また上記絶縁基板11における磁性薄膜1
2の形成面とは反対側の面(図示下面)に、板状の放熱
部材13が当接するようにして配置されている。この放
熱部材13は、Cr、Cu、Al、Ag、Au等の非磁性金属ある
いは厚膜ペーストから形成されている。
【0010】このような実施例にかかる磁気センサにお
いては、磁性薄膜12からの熱が、熱伝導が良好でない
絶縁基板11に蓄えられようとしても、図1中の矢印で
示されているように上記熱は、放熱部材13を通して外
部に放熱される。そのため磁性薄膜12を構成する感磁
パターンのそれぞれが、ほぼ均質な温度に維持され、そ
れに伴って熱抵抗が均質となるように減少し維持される
ことから、磁気感度が均質化されるようになっている。
【0011】また図2に示された実施例では、上述した
実施例の磁気センサにおける絶縁基板11及び放熱部材
13が、支持枠としてのセンサホルダー14に取り付け
られている。上記センサホルダー14は、非磁性の高分
子プラスチックあるいは非磁性金属材料から形成されて
いる。
【0012】このような第2実施例にかかる磁気センサ
においても、熱伝導が良好でない絶縁基板11及びセン
サホルダー14に蓄えられようとする磁性薄膜12から
の熱が、放熱部材13を通して外部に放熱され、上記第
1実施例と同様な作用・効果が得られる。
【0013】なお本発明は、MRセンサ以外の磁気セン
サに対しても同様に適用することができ、さらに磁気抵
抗薄膜以外の磁性薄膜を有するあらゆるタイプの磁気セ
ンサに対しても同様に適用することができる。
【0014】
【発明の効果】以上述べたように本発明にかかる磁気セ
ンサは、絶縁基板における磁性薄膜形成面とは反対側の
面に、非磁性金属からなる放熱部材を当接配置し、熱伝
導が良好でない絶縁基板に蓄えられようとする磁性薄膜
からの熱を、放熱部材を通して外部に放熱させるように
したものであるから、簡易な構成で、磁性薄膜の感磁パ
ターンをほぼ均質な温度すなわち均質な熱抵抗に維持し
て、磁気センサにおける磁気感度のばらつきを小さくす
ることができ、磁気センサの信頼性を向上させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における磁気センサの構造を
表した縦断面説明図である。
【図2】本発明の他の実施例における磁気センサの構造
を表した縦断面説明図である。
【図3】従来における磁気センサの構造例を表した縦断
面説明図である。
【符号の説明】
11 絶縁基板 12 磁性薄膜 13 放熱部材 14 センサホルダー

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板上に磁性薄膜を形成した磁気セ
    ンサにおいて、 上記絶縁基板における磁性薄膜形成面と反対側の面に、
    非磁性金属からなる放熱部材を当接して配置したことを
    特徴とする磁気センサ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の磁気センサにおいて、 磁性薄膜が、磁気抵抗薄膜からなることを特徴とする磁
    気センサ。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の磁気センサにおいて、 放熱部材が、非磁性の板状金属からなることを特徴とす
    る磁気センサ。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の磁気センサにおいて、 放熱部材が、非磁性の厚膜ペーストからなることを特徴
    とする磁気センサ。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の磁気センサにおいて、 絶縁基板及び放熱部材が、非磁性部材からなる支持枠に
    取り付けられていることを特徴とする磁気センサ。
JP4331003A 1992-11-17 1992-11-17 磁気センサ Withdrawn JPH06163761A (ja)

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JP4331003A JPH06163761A (ja) 1992-11-17 1992-11-17 磁気センサ

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JP4331003A JPH06163761A (ja) 1992-11-17 1992-11-17 磁気センサ

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JPH06163761A true JPH06163761A (ja) 1994-06-10

Family

ID=18238745

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JP4331003A Withdrawn JPH06163761A (ja) 1992-11-17 1992-11-17 磁気センサ

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