JPH06163943A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
電子デバイスの製造方法Info
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- JPH06163943A JPH06163943A JP33345792A JP33345792A JPH06163943A JP H06163943 A JPH06163943 A JP H06163943A JP 33345792 A JP33345792 A JP 33345792A JP 33345792 A JP33345792 A JP 33345792A JP H06163943 A JPH06163943 A JP H06163943A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電子デバイスの構成片同士を電圧
印加によって静電接合させる電子デバイスの製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、互いに重ね合わされた第１のデバ
イス片１１と第２のデバイス片１４をその接合面で静電
接合させる際、前記第１のデバイス片１１には陽電荷を
印加すると共に、前記第２のデバイス片１４の非接合面
側には、当該第２のデバイス片１４と同一または同種材
料からなるダミーデバイス片２４を重ね合わせ、当該ダ
ミーデバイス片２４側に陰電荷を印加し、加熱条件下で
静電接合させた後、当該ダミーデバイス片２４を除去す
ることにより、前記第２のデバイス片１４などに含有さ
れる陽イオン移動物質やその化合物などによる析出物が
当該第２のデバイス片１４の非接合側に残留されないよ
うにする電子デバイスの製造方法にある。
印加によって静電接合させる電子デバイスの製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、互いに重ね合わされた第１のデバ
イス片１１と第２のデバイス片１４をその接合面で静電
接合させる際、前記第１のデバイス片１１には陽電荷を
印加すると共に、前記第２のデバイス片１４の非接合面
側には、当該第２のデバイス片１４と同一または同種材
料からなるダミーデバイス片２４を重ね合わせ、当該ダ
ミーデバイス片２４側に陰電荷を印加し、加熱条件下で
静電接合させた後、当該ダミーデバイス片２４を除去す
ることにより、前記第２のデバイス片１４などに含有さ
れる陽イオン移動物質やその化合物などによる析出物が
当該第２のデバイス片１４の非接合側に残留されないよ
うにする電子デバイスの製造方法にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイスの構成片
同士を電圧印加によって静電接合させる電子デバイスの
製造方法に関するものである。
同士を電圧印加によって静電接合させる電子デバイスの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体圧力センサを製造する場
合、例えば、次のような方法により製造している。先
ず、シリコンウェハ片１に所望の大きさの半導体圧力セ
ンサチップ２群を多数形成し、次に、図３に示したよう
に、各センサチップ２のダイヤフラム部２ａを下向きに
して、上記シリコンウェハ片１を、各チップ２に対応し
た台座５をなすガラス板片４に重ね合わせる。この後、
両者を接合させるため、シリコンウェハ片１の非接合面
側には陽電荷を印加し、ガラス板片４の非接合面側には
陰電荷を印加し、これらの印加電圧を４００〜６００Ｖ
程度としつつ、通常４００〜５００℃の加熱条件下で静
電接合（陽極接合）させている。
合、例えば、次のような方法により製造している。先
ず、シリコンウェハ片１に所望の大きさの半導体圧力セ
ンサチップ２群を多数形成し、次に、図３に示したよう
に、各センサチップ２のダイヤフラム部２ａを下向きに
して、上記シリコンウェハ片１を、各チップ２に対応し
た台座５をなすガラス板片４に重ね合わせる。この後、
両者を接合させるため、シリコンウェハ片１の非接合面
側には陽電荷を印加し、ガラス板片４の非接合面側には
陰電荷を印加し、これらの印加電圧を４００〜６００Ｖ
程度としつつ、通常４００〜５００℃の加熱条件下で静
電接合（陽極接合）させている。
【０００３】この静電接合は、高温の加熱条件下で行わ
れるため、通常、ガラス板中に微量成分として含まれて
いる、陽イオン移動物質（例えば、Ｎａ+ ，Ｌｉ+ ，Ｂ
+ など）が高電圧の陰電極６側に引き付けられ、シリコ
ンウェハ片１とガラス板片４の接合境界面には、電気的
に負の状態が生じる。一方、シリコンウェハ片１側はプ
ラスに帯電されているので、両者の境界面は静電気力に
より強固に接触されるようになり、この力によって当該
境界面が化学的に結合されるようになって、上記静電接
合が行われるものと、考えられている。この静電接合の
際、上記ガラス板４中を移動した微量の陽イオン移動物
質やその化合物などによる析出物７が、例えば図４に示
したように、ガラス板片４の非接合面側に析出するよう
になる。
れるため、通常、ガラス板中に微量成分として含まれて
いる、陽イオン移動物質（例えば、Ｎａ+ ，Ｌｉ+ ，Ｂ
+ など）が高電圧の陰電極６側に引き付けられ、シリコ
ンウェハ片１とガラス板片４の接合境界面には、電気的
に負の状態が生じる。一方、シリコンウェハ片１側はプ
ラスに帯電されているので、両者の境界面は静電気力に
より強固に接触されるようになり、この力によって当該
境界面が化学的に結合されるようになって、上記静電接
合が行われるものと、考えられている。この静電接合の
際、上記ガラス板４中を移動した微量の陽イオン移動物
質やその化合物などによる析出物７が、例えば図４に示
したように、ガラス板片４の非接合面側に析出するよう
になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この静電接
合の後には、各センサチップ２および台座５を一体にし
て取り出すために、図５に示したように、ガラス板片４
の非接合面側にダイシングシート８を接着させて固定
し、この状態から、切断している。この場合、上記図４
に示したように、ガラス板片４の非接合面側に析出物７
が存在すると、ガラス板片４に対するダイシングシート
８の接着力が弱められ、切断時、センサチップ２や台座
５に加わる振動などの衝撃によって、ダイシングシート
８が剥離し、センサチップ２や台座５が飛散するなどの
トラブルが生じて、歩留りの低下を招くなどの問題があ
った。
合の後には、各センサチップ２および台座５を一体にし
て取り出すために、図５に示したように、ガラス板片４
の非接合面側にダイシングシート８を接着させて固定
し、この状態から、切断している。この場合、上記図４
に示したように、ガラス板片４の非接合面側に析出物７
が存在すると、ガラス板片４に対するダイシングシート
８の接着力が弱められ、切断時、センサチップ２や台座
５に加わる振動などの衝撃によって、ダイシングシート
８が剥離し、センサチップ２や台座５が飛散するなどの
トラブルが生じて、歩留りの低下を招くなどの問題があ
った。
【０００５】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
なされたもので、静電接合時、第２のデバイス片にダミ
ーデバイス片を設け、このダミーデバイス片側に析出物
を析出させることにより、第２のデバイス片側に析出物
が残留されないようにした電子デバイスの製造方法を提
供せんとするものである。
なされたもので、静電接合時、第２のデバイス片にダミ
ーデバイス片を設け、このダミーデバイス片側に析出物
を析出させることにより、第２のデバイス片側に析出物
が残留されないようにした電子デバイスの製造方法を提
供せんとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かゝる本発明の特徴は、
互いに重ね合わされた第１のデバイス片と第２のデバイ
ス片をその接合面で静電接合させる際、前記第１のデバ
イス片には陽電荷を印加すると共に、前記第２のデバイ
ス片の非接合面側には、当該第２のデバイス片と同一ま
たは同種材料からなるダミーデバイス片を重ね合わせ、
当該ダミーデバイス片側に陰電荷を印加し、加熱条件下
で静電接合させた後、当該ダミーデバイス片を除去する
ことにより、前記第２のデバイス片などに含有される陽
イオン移動物質やその化合物などによる析出物が当該第
２のデバイス片の非接合側に残留されないようにする電
子デバイスの製造方法にある。
互いに重ね合わされた第１のデバイス片と第２のデバイ
ス片をその接合面で静電接合させる際、前記第１のデバ
イス片には陽電荷を印加すると共に、前記第２のデバイ
ス片の非接合面側には、当該第２のデバイス片と同一ま
たは同種材料からなるダミーデバイス片を重ね合わせ、
当該ダミーデバイス片側に陰電荷を印加し、加熱条件下
で静電接合させた後、当該ダミーデバイス片を除去する
ことにより、前記第２のデバイス片などに含有される陽
イオン移動物質やその化合物などによる析出物が当該第
２のデバイス片の非接合側に残留されないようにする電
子デバイスの製造方法にある。
【０００７】
【作用】本発明では、静電接合時、析出物がダミーデバ
イス片側に析出される。そして、その後このダミーデバ
イス片は除去されるため、第２のデバイス片側に析出物
は殆ど残留されることになる。
イス片側に析出される。そして、その後このダミーデバ
イス片は除去されるため、第２のデバイス片側に析出物
は殆ど残留されることになる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明に係る電子デバイスの製造方
法の一実施例になる一工程（静電接合工程）を示した概
略縦断面図である。図中、１１はダイヤフラム部１２ａ
を有する多数の半導体圧力センサチップ１２群が形成さ
れたシリコンウェハ片などからなる第１のデバイス片、
１４はこの第１のデバイス片１１に重ね合わされ、半導
体圧力センサチップ１２群の各チップ１２に対応した台
座１５をなすガラス板片などからなる第２のデバイス
片、２４はこの第２のデバイス片１４に重ね合わされた
ダミーデバイス片である。
法の一実施例になる一工程（静電接合工程）を示した概
略縦断面図である。図中、１１はダイヤフラム部１２ａ
を有する多数の半導体圧力センサチップ１２群が形成さ
れたシリコンウェハ片などからなる第１のデバイス片、
１４はこの第１のデバイス片１１に重ね合わされ、半導
体圧力センサチップ１２群の各チップ１２に対応した台
座１５をなすガラス板片などからなる第２のデバイス
片、２４はこの第２のデバイス片１４に重ね合わされた
ダミーデバイス片である。
【０００９】このダミーデバイス片２４としては、第２
のデバイス片１４などに含有される陽イオン移動物質
（例えば、ガラス板片の場合Ｎａ+ ，Ｌｉ+ ，Ｂ+ な
ど）が移動できる材料であればよく、この点からする
と、当該第２のデバイス片１４と同一または同種材料か
らなるものが好ましい。本例では第２のデバイス片１４
と同一のガラス板片としてある。
のデバイス片１４などに含有される陽イオン移動物質
（例えば、ガラス板片の場合Ｎａ+ ，Ｌｉ+ ，Ｂ+ な
ど）が移動できる材料であればよく、この点からする
と、当該第２のデバイス片１４と同一または同種材料か
らなるものが好ましい。本例では第２のデバイス片１４
と同一のガラス板片としてある。
【００１０】上記図１のような状態において、第１のデ
バイス片１１の非接合面側には陽電荷を印加し、ダミー
デバイス片２４の非接合面側には陰電荷を印加し、これ
らの印加電圧を４００〜６００Ｖ程度としつつ、通常４
００〜５００℃の加熱条件下で静電接合（陽極接合）さ
せる。
バイス片１１の非接合面側には陽電荷を印加し、ダミー
デバイス片２４の非接合面側には陰電荷を印加し、これ
らの印加電圧を４００〜６００Ｖ程度としつつ、通常４
００〜５００℃の加熱条件下で静電接合（陽極接合）さ
せる。
【００１１】そうすると、第２のデバイス片１４のガラ
ス板中の陽イオン移動物質は、ダミーデバイス片２４側
の高電圧の陰電極１６側に引き付けられ、第２のデバイ
ス片１４中を通り越して、図２に示したように、ダミー
デバイス片２４の非接合面側に達し、この部分におい
て、当該ダミーデバイス片２４からの陽イオン移動物質
と一緒になって、析出物１７として析出される。この
後、ダミーデバイス片２４を第２のデバイス片１４から
外したところ、当該第２のデバイス片１４側には、殆ど
析出物１７の残留はなかった。
ス板中の陽イオン移動物質は、ダミーデバイス片２４側
の高電圧の陰電極１６側に引き付けられ、第２のデバイ
ス片１４中を通り越して、図２に示したように、ダミー
デバイス片２４の非接合面側に達し、この部分におい
て、当該ダミーデバイス片２４からの陽イオン移動物質
と一緒になって、析出物１７として析出される。この
後、ダミーデバイス片２４を第２のデバイス片１４から
外したところ、当該第２のデバイス片１４側には、殆ど
析出物１７の残留はなかった。
【００１２】さらに、この後、第２のデバイス片１４の
非接合面側にダイシングシートを接着させてダイジング
（切断）を行うわけであるが、析出物の殆ど残留がない
ため、ダイシングシートとの強い接着力が得られた。こ
の結果、センサチップ１２や台座１５などの飛散もな
く、歩留りのよい製造が可能であった。もちろん、析出
物の不存在により、設備や出来上がった半導体圧力セン
サの析出物による汚染も防止される。
非接合面側にダイシングシートを接着させてダイジング
（切断）を行うわけであるが、析出物の殆ど残留がない
ため、ダイシングシートとの強い接着力が得られた。こ
の結果、センサチップ１２や台座１５などの飛散もな
く、歩留りのよい製造が可能であった。もちろん、析出
物の不存在により、設備や出来上がった半導体圧力セン
サの析出物による汚染も防止される。
【００１３】なお、上記実施例では、第１のデバイス片
１１がダイヤフラム部１２ａを有する多数の半導体圧力
センサチップ１２群が形成されたシリコンウェハ片、第
２のデバイス片１４が半導体圧力センサチップ１２に対
応した台座１５をなすガラス板片、ダミーデバイス片２
４が第２のデバイス片１４と同一のガラス板片であった
が、本発明は、これに限定されるものではない。他の電
子デバイスでも、静電接合を行う場合で、本発明と同様
の問題があるときには、もちろん適用することができ
る。
１１がダイヤフラム部１２ａを有する多数の半導体圧力
センサチップ１２群が形成されたシリコンウェハ片、第
２のデバイス片１４が半導体圧力センサチップ１２に対
応した台座１５をなすガラス板片、ダミーデバイス片２
４が第２のデバイス片１４と同一のガラス板片であった
が、本発明は、これに限定されるものではない。他の電
子デバイスでも、静電接合を行う場合で、本発明と同様
の問題があるときには、もちろん適用することができ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
係る電子デバイスの製造方法によれば、次のような優れ
た効果が得られる。 （１）静電接合時、第２のデバイス片の非接合面側にダ
ミーデバイス片を設け、このダミーデバイス片側に析出
物を析出させ、その後、このダミーデバイス片を除去す
る方法であるため、第２のデバイス片側には析出物の残
留が殆どなくなる。この結果、例えば第２のデバイス片
とダイシングシートとの強固な接着が得られ、ダイジン
グの際におけるセンサチップなどの飛散などが効果的に
防止でき、歩留りのよい製造が可能となる。 （２）また、析出物がダミーデバイス片と共に完全に除
去される方法であるため、析出物がその後の設備や電子
デバイス側が持ち込まれて、これらを汚染することもな
くなるため、設備の保守・管理が容易になる他、製品の
影響を最小限に抑えられ、安定性が高く、信頼性に優れ
たセンサデバイスなどが得られる。
係る電子デバイスの製造方法によれば、次のような優れ
た効果が得られる。 （１）静電接合時、第２のデバイス片の非接合面側にダ
ミーデバイス片を設け、このダミーデバイス片側に析出
物を析出させ、その後、このダミーデバイス片を除去す
る方法であるため、第２のデバイス片側には析出物の残
留が殆どなくなる。この結果、例えば第２のデバイス片
とダイシングシートとの強固な接着が得られ、ダイジン
グの際におけるセンサチップなどの飛散などが効果的に
防止でき、歩留りのよい製造が可能となる。 （２）また、析出物がダミーデバイス片と共に完全に除
去される方法であるため、析出物がその後の設備や電子
デバイス側が持ち込まれて、これらを汚染することもな
くなるため、設備の保守・管理が容易になる他、製品の
影響を最小限に抑えられ、安定性が高く、信頼性に優れ
たセンサデバイスなどが得られる。
【図１】本発明に係る電子デバイスの製造方法の一実施
例になる静電接合工程を示した概略縦断面図である。
例になる静電接合工程を示した概略縦断面図である。
【図２】図１の製造方法による静電接合後、第２のデバ
イス片からダミーデバイス片を除去する途中を示した部
分拡大縦断面図である。
イス片からダミーデバイス片を除去する途中を示した部
分拡大縦断面図である。
【図３】従来の電子デバイスの製造方法に係る静電接合
工程を示した概略縦断面図である。
工程を示した概略縦断面図である。
【図４】図３の製造方法による静電接合後の第２のデバ
イス片における析出物の析出状態を示した部分拡大縦断
面図である。
イス片における析出物の析出状態を示した部分拡大縦断
面図である。
【図５】従来の電子デバイスの製造方法に係るダイジン
グ工程を示した概略縦断面図である。
グ工程を示した概略縦断面図である。
１１ 第１のデバイス片 １２ 半導体圧力センサチップ １２ａ ダイヤフラム部 １４ 第２のデバイス片 １５ 台座 １６ 陰電極 １７ 析出物 ２４ ダミーデバイス片
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに重ね合わされた第１のデバイス片
と第２のデバイス片をその接合面で静電接合させる際、
前記第１のデバイス片には陽電荷を印加すると共に、前
記第２のデバイス片の非接合面側には、当該第２のデバ
イス片と同一または同種材料からなるダミーデバイス片
を重ね合わせ、当該ダミーデバイス片側に陰電荷を印加
し、加熱条件下で静電接合させた後、当該ダミーデバイ
ス片を除去することにより、前記第２のデバイス片など
に含有される陽イオン移動物質やその化合物などによる
析出物が当該第２のデバイス片の非接合側に残留されな
いようにすることを特徴とする電子デバイスの製造方
法。 - 【請求項２】 前記第１のデバイス片が多数の半導体圧
力センサチップ群が形成されたウェハ片で、前記第２の
デバイス片が前記半導体圧力センサチップ群の各チップ
に対応した台座をなすガラス板片であることを特徴とす
る請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33345792A JPH06163943A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33345792A JPH06163943A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 電子デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163943A true JPH06163943A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18266299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33345792A Pending JPH06163943A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163943A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510315A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | コーニング インコーポレイテッド | 絶縁体上歪半導体構造及び絶縁体上歪半導体構造を作成する方法 |
| WO2009104329A1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2011041069A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Seiko Instruments Inc | パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2012033713A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Kyocera Corp | 空洞半導体基板、ならびに空洞半導体基板および半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP33345792A patent/JPH06163943A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510315A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | コーニング インコーポレイテッド | 絶縁体上歪半導体構造及び絶縁体上歪半導体構造を作成する方法 |
| WO2009104329A1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2009200778A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| US8448311B2 (en) | 2008-02-21 | 2013-05-28 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing a piezoelectric vibrator |
| JP2011041069A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Seiko Instruments Inc | パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2012033713A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Kyocera Corp | 空洞半導体基板、ならびに空洞半導体基板および半導体素子の製造方法 |
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