JPS6010672A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6010672A JPS6010672A JP58119604A JP11960483A JPS6010672A JP S6010672 A JPS6010672 A JP S6010672A JP 58119604 A JP58119604 A JP 58119604A JP 11960483 A JP11960483 A JP 11960483A JP S6010672 A JPS6010672 A JP S6010672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chips
- chip
- semiconductor device
- manufacturing
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置、特に固体撮像素子等の製造工
程中におけるゴミの付着防止対策を図った半導体装置の
製造方法に関するものである。なお、以下の説明では半
導体装置として、固体撮像素子の製造方法を例にとり説
明する。
程中におけるゴミの付着防止対策を図った半導体装置の
製造方法に関するものである。なお、以下の説明では半
導体装置として、固体撮像素子の製造方法を例にとり説
明する。
従来の固体撮像素子の製造工程χ第１図の工程図と第２
図の流れ図により説明する。なお、第２図の■〜■は各
ステップを示す。第１図において、１は各工程７経て作
製された半導体ウェハであり、この半導体ウェハ１をダ
イシングにより各千ツブ２に分離し■、このチップ２を
パッケージ３０所定位置にダイボンドした後■、チップ
２とパッケージ３に設けられているピン４とを金属細線
（図示せず）によりワイヤボンドし■、さらにチップ２
ンガラスシールして■５固体撮像素子５が形成される。
図の流れ図により説明する。なお、第２図の■〜■は各
ステップを示す。第１図において、１は各工程７経て作
製された半導体ウェハであり、この半導体ウェハ１をダ
イシングにより各千ツブ２に分離し■、このチップ２を
パッケージ３０所定位置にダイボンドした後■、チップ
２とパッケージ３に設けられているピン４とを金属細線
（図示せず）によりワイヤボンドし■、さらにチップ２
ンガラスシールして■５固体撮像素子５が形成される。
従来の固体撮像素子は以上のような工程で製造されてい
るので、工程中にゴミがチップ２に付着し、モニタに写
すと黒キズが現われるなどの欠点があり、歩留り低下の
原因となるなどの欠点があった。
るので、工程中にゴミがチップ２に付着し、モニタに写
すと黒キズが現われるなどの欠点があり、歩留り低下の
原因となるなどの欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点Ｚ除去する
ためになされたもので、チップへのゴミの付着乞防止し
て歩留りの向上を図った半導体装置の製造方法を提供す
るものである。以下こり発明について説明する。
ためになされたもので、チップへのゴミの付着乞防止し
て歩留りの向上を図った半導体装置の製造方法を提供す
るものである。以下こり発明について説明する。
第３図、第４図はこの発明の一実施例を示す固体撮像素
子の製造工程図および流れ図である。なお、第４図の■
〜［Ｆ］は各ステップを示す。第３図において、各工程
を経て作製された半導体ウェハに感光性樹脂をコーティ
ングした半導体ウェハ１１ｙｌｌ−■、ダイシングによ
り各チップ１２に分離し■、このチップ１２をパッケー
ジ１３０所定位置にダイポンドする◎。その後、チップ
１２とパンケージ１３に設けられたビン１４とを金属細
線（図示せず）でワイヤポンドした後■、チップ１２の
感光性樹脂ン剥離液１５により剥離した後［Ｆ］、チッ
プ１２上をガラスシールして［Ｆ］、固体撮像素子１６
が作製される。
子の製造工程図および流れ図である。なお、第４図の■
〜［Ｆ］は各ステップを示す。第３図において、各工程
を経て作製された半導体ウェハに感光性樹脂をコーティ
ングした半導体ウェハ１１ｙｌｌ−■、ダイシングによ
り各チップ１２に分離し■、このチップ１２をパッケー
ジ１３０所定位置にダイポンドする◎。その後、チップ
１２とパンケージ１３に設けられたビン１４とを金属細
線（図示せず）でワイヤポンドした後■、チップ１２の
感光性樹脂ン剥離液１５により剥離した後［Ｆ］、チッ
プ１２上をガラスシールして［Ｆ］、固体撮像素子１６
が作製される。
なお、上記実施例では、ワイヤボンブイノブ後に、感光
性樹脂の剥離を行う工程を示しているが、これはダイシ
ング後のいずれかの工程で剥離するようにすればよい。
性樹脂の剥離を行う工程を示しているが、これはダイシ
ング後のいずれかの工程で剥離するようにすればよい。
また、上記実施例では、固体撮像素子の製造工程につ〜
、・て説明したが、この発明は他の半導体装置全般にわ
たって採用することもできる。
、・て説明したが、この発明は他の半導体装置全般にわ
たって採用することもできる。
以上説明したように、この発明は、半導体ウェハの表面
を感光性樹脂でコーティングし、ダイシング後のいずれ
かの工程でこの感光性樹脂を剥離するようにしたので、
ダイシング後の各チップにゴミが付着するのを防止でき
、したがって、各チップに黒ギズ等が伺くことがな（、
歩留りの向上を図ることができる効果がある。
を感光性樹脂でコーティングし、ダイシング後のいずれ
かの工程でこの感光性樹脂を剥離するようにしたので、
ダイシング後の各チップにゴミが付着するのを防止でき
、したがって、各チップに黒ギズ等が伺くことがな（、
歩留りの向上を図ることができる効果がある。
第１図、第２図は従来の固体撮像素子の製造工程ン示す
図およびその流れ図、第３図、第４図は 晧この発明の
一実施例による固体撮像素子の製造工程を示す図および
その流れを示す図である。 図中、１１は半導体ウェハ、１２はチップ、１３はパッ
ケージ、１４はピン、１５は剥離液、１６は固体撮像素
子である。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第２図 第１図 第４図 第３図 −３４１−−
図およびその流れ図、第３図、第４図は 晧この発明の
一実施例による固体撮像素子の製造工程を示す図および
その流れを示す図である。 図中、１１は半導体ウェハ、１２はチップ、１３はパッ
ケージ、１４はピン、１５は剥離液、１６は固体撮像素
子である。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第２図 第１図 第４図 第３図 −３４１−−
Claims (4)
- （１）半導体ウェハを各チップにダイシングし、前記チ
ップをパッケージにダイボンドし、さらに、前記チップ
とパッケージ間に金属細線をワイヤボンドした後、前記
チップをガラスシールする半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体ウェハ全面に感光性樹脂をコーティング
し、前記ダイシング後のいずれかの工程で前記感光性樹
脂を剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）感光性樹脂の剥離は、ダイシング後に行うことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置
の製造方法。 - （３）感光性樹脂の剥離は、ダイボンド後に行うこと′
ｆｔ特徴とする特許請求の範囲第ｆｌｊ項記載の半導体
装置の製造方法。 - （４）感光性樹脂の剥離は、ワイヤボンド後に行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119604A JPS6010672A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119604A JPS6010672A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010672A true JPS6010672A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14765503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119604A Pending JPS6010672A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025568A (ja) * | 1988-02-11 | 1990-01-10 | Eev Ltd | イメージ装置の製作方法 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58119604A patent/JPS6010672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025568A (ja) * | 1988-02-11 | 1990-01-10 | Eev Ltd | イメージ装置の製作方法 |
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