JPH06167533A - 自己消弧形素子のスイッチング試験回路 - Google Patents
自己消弧形素子のスイッチング試験回路Info
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- JPH06167533A JPH06167533A JP32032492A JP32032492A JPH06167533A JP H06167533 A JPH06167533 A JP H06167533A JP 32032492 A JP32032492 A JP 32032492A JP 32032492 A JP32032492 A JP 32032492A JP H06167533 A JPH06167533 A JP H06167533A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 自己消弧形素子のスイッチング動作を誘導性
負荷条件下で試験評価する場合、負荷電流環流用環流ダ
イオード電流を任意値に独立的に設定して、同ダイオー
ドの逆回復特性との関係を評価することが困難であった
のを改善する。 【構成】 環流ダイオード１０と直列に環流電源コンデ
ンサ１１を接続したものを誘導性の負荷装置３両端に設
置し、同コンデンサ１１両端には還流回路用直流電源１
２を設けて、負荷回路を構成し、直流電源１と前記負荷
回路および供試素子となる自己消弧形素子５とをぞれぞ
れ直列に接続した試験回路により、前記環流回路用直流
電源１２の電圧を調整して環流電流値を予め設定し、誘
導性負荷時の自己消弧形素子５の挙動を評価する自己消
弧形素子のスイッチング試験回路。
負荷条件下で試験評価する場合、負荷電流環流用環流ダ
イオード電流を任意値に独立的に設定して、同ダイオー
ドの逆回復特性との関係を評価することが困難であった
のを改善する。 【構成】 環流ダイオード１０と直列に環流電源コンデ
ンサ１１を接続したものを誘導性の負荷装置３両端に設
置し、同コンデンサ１１両端には還流回路用直流電源１
２を設けて、負荷回路を構成し、直流電源１と前記負荷
回路および供試素子となる自己消弧形素子５とをぞれぞ
れ直列に接続した試験回路により、前記環流回路用直流
電源１２の電圧を調整して環流電流値を予め設定し、誘
導性負荷時の自己消弧形素子５の挙動を評価する自己消
弧形素子のスイッチング試験回路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイポーラトランジス
タ、絶縁ゲートトランジスタ、ＳＩサイリスタおよびＧ
ＴＯサイリスタなどの自己消弧形素子のスイッチング試
験回路に関するものである。
タ、絶縁ゲートトランジスタ、ＳＩサイリスタおよびＧ
ＴＯサイリスタなどの自己消弧形素子のスイッチング試
験回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より自己消弧形素子のスイッチング
試験は、直流電源から負荷装置を純抵抗として自己消弧
形素子をスイッチングさせるか、もしくは、負荷装置を
誘導負荷として、負荷装置に並列接続した環流ダイオー
ドを設けて負荷電流を環流し得るよう構成して、自己消
弧形素子をスイッチングさせ、自己消弧形素子自体に印
加される電圧や負荷電流の大きさによる挙動を動作速度
やスイッチング損失等の特性値として計測し、自己消弧
形素子の評価を目的として試験が行われてきた。
試験は、直流電源から負荷装置を純抵抗として自己消弧
形素子をスイッチングさせるか、もしくは、負荷装置を
誘導負荷として、負荷装置に並列接続した環流ダイオー
ドを設けて負荷電流を環流し得るよう構成して、自己消
弧形素子をスイッチングさせ、自己消弧形素子自体に印
加される電圧や負荷電流の大きさによる挙動を動作速度
やスイッチング損失等の特性値として計測し、自己消弧
形素子の評価を目的として試験が行われてきた。
【０００３】以下、この種従来技術の例を図面により説
明する。
明する。
【０００４】図７は従来技術による自己消弧形素子のス
イッチング試験回路の本願に係わる構成を示す試験回路
図である。
イッチング試験回路の本願に係わる構成を示す試験回路
図である。
【０００５】図７において、直流電源１より逆流防止ダ
イオード２を経由して、ー般的には誘導性負荷として抵
抗器とリアクトルで構成される負荷装置３と、自己消弧
形素子のターンオン時の電流上昇率調整のために設けた
配線の浮遊インダクタンスを模擬した空心リアクトル
４、および自己消弧形素子５で形成される直列回路で構
成されている。ここで、ゲート駆動装置６は自己消弧形
素子５のゲート制御を行う装置であり、スナバダイオー
ド７、スナバコンデンサ８、スナバ抵抗器９は供試素子
の保護用のスナバ回路である。負荷装置３に並列に接続
された環流ダイオード１０は、自己消弧形素子の応用上
想定される負荷装置のリアクトルに蓄えられたエネルギ
ーの環流時に自己消弧形素子５をターンオンする場合、
ダイオードの逆回復特性が影響する点を評価をする目的
で設けられている。
イオード２を経由して、ー般的には誘導性負荷として抵
抗器とリアクトルで構成される負荷装置３と、自己消弧
形素子のターンオン時の電流上昇率調整のために設けた
配線の浮遊インダクタンスを模擬した空心リアクトル
４、および自己消弧形素子５で形成される直列回路で構
成されている。ここで、ゲート駆動装置６は自己消弧形
素子５のゲート制御を行う装置であり、スナバダイオー
ド７、スナバコンデンサ８、スナバ抵抗器９は供試素子
の保護用のスナバ回路である。負荷装置３に並列に接続
された環流ダイオード１０は、自己消弧形素子の応用上
想定される負荷装置のリアクトルに蓄えられたエネルギ
ーの環流時に自己消弧形素子５をターンオンする場合、
ダイオードの逆回復特性が影響する点を評価をする目的
で設けられている。
【０００６】次に図７の動作について、負荷装置３の電
流波形を示す図３〜５の動作説明図を用いて、以下に説
明する。なお、図５は図３の期間ｔ0 〜ｔ1 の範囲を拡
大した図である。
流波形を示す図３〜５の動作説明図を用いて、以下に説
明する。なお、図５は図３の期間ｔ0 〜ｔ1 の範囲を拡
大した図である。
【０００７】図７において、負荷装置３に含まれる抵抗
器の抵抗値とリアクトルのインダクタンスによる時定数
に対して、自己消弧形素子５のスイッチング動作周期が
充分に短い場合、負荷装置３の電流は図３に示す動作説
明図のようになる。
器の抵抗値とリアクトルのインダクタンスによる時定数
に対して、自己消弧形素子５のスイッチング動作周期が
充分に短い場合、負荷装置３の電流は図３に示す動作説
明図のようになる。
【０００８】すなわち、自己消弧形素子５がターンオン
すると、負荷電流の内、図３中の期間ｔ0 〜ｔ1 、ｔ2
〜ｔ3 、ｔ4 〜ｔ5 のように、記号Ｉs で示した電流波
形部分が自己消弧形素子５の電流となる。この電流波形
の内、図５の期間ｔ0 〜ｔ01のピーク電流Ｉp 部を含む
部分は、直流電源１の正極から環流ダイオード１０、空
心リアクトル４、自己消弧形素子５、直流電源１の負極
のルートで環流ダイオード１０に逆電圧が印加され、環
流ダイオードの大きな逆回復電流が流れている期間であ
る。
すると、負荷電流の内、図３中の期間ｔ0 〜ｔ1 、ｔ2
〜ｔ3 、ｔ4 〜ｔ5 のように、記号Ｉs で示した電流波
形部分が自己消弧形素子５の電流となる。この電流波形
の内、図５の期間ｔ0 〜ｔ01のピーク電流Ｉp 部を含む
部分は、直流電源１の正極から環流ダイオード１０、空
心リアクトル４、自己消弧形素子５、直流電源１の負極
のルートで環流ダイオード１０に逆電圧が印加され、環
流ダイオードの大きな逆回復電流が流れている期間であ
る。
【０００９】ー方、自己消弧形素子５がターンオフする
と、負荷装置３の電流は同３図中の陰影部の期間ｔ1 〜
ｔ2 、ｔ3 〜ｔ4 の記号Ｉd で示す電流波形となり、負
荷電流が環流ダイオード１０の電流として環流する。
と、負荷装置３の電流は同３図中の陰影部の期間ｔ1 〜
ｔ2 、ｔ3 〜ｔ4 の記号Ｉd で示す電流波形となり、負
荷電流が環流ダイオード１０の電流として環流する。
【００１０】つまり、環流ダイオードが逆回復電流のな
い理想的な素子であったとすると、前述の記号Ｉp で示
す電流は流れず、記号Ｉs の電流波形は初期値をＩv 、
最終値をＩm とする、図７の直流電源１の電源電圧と負
荷装置３のインダクタンスの比で電流の上昇率が決まる
電流波形となる。 また、記号Ｉd の電流波形は、環流
ダイオード電流として負荷装置３と環流ダイオードで形
成される環流回路内の抵抗とインダクタンスによる減衰
時定数に従い電流が減少し、自己消弧形素子の点弧によ
り電流値Ｉv で環流ダイオードの順方向電流が終了する
波形となる。
い理想的な素子であったとすると、前述の記号Ｉp で示
す電流は流れず、記号Ｉs の電流波形は初期値をＩv 、
最終値をＩm とする、図７の直流電源１の電源電圧と負
荷装置３のインダクタンスの比で電流の上昇率が決まる
電流波形となる。 また、記号Ｉd の電流波形は、環流
ダイオード電流として負荷装置３と環流ダイオードで形
成される環流回路内の抵抗とインダクタンスによる減衰
時定数に従い電流が減少し、自己消弧形素子の点弧によ
り電流値Ｉv で環流ダイオードの順方向電流が終了する
波形となる。
【００１１】従って、自己消弧形素子５のターンオン電
流の試験目標値はＩv に環流ダイオードの逆回復電流を
加算した値のＩp となり、ターンオフ電流試験目標値は
Ｉmに、それぞれ設定される。
流の試験目標値はＩv に環流ダイオードの逆回復電流を
加算した値のＩp となり、ターンオフ電流試験目標値は
Ｉmに、それぞれ設定される。
【００１２】しかしながら、図７の回路で自己消弧形素
子５のオン期間が短く、オフ期間が長い場合や負荷装置
３に含まれる抵抗器とリアクトルのインダクタンスによ
る時定数が短い場合については、自己消弧形素子５の環
流電流が持続的に流れずに減衰する。そのため、自己消
弧形素子５のターンオンのタイミングで負荷装置３の電
流は流れず、図４に示すような断続電流となり、ターン
オン電流は必ず零から立ち上がる波形となって、供試素
子のターンオン時に所定の電流値を与えた試験はできな
い。またこの場合、環流ダイオードの順方向電流が流れ
ていないタイミングで環流ダイオードに逆電圧が印加さ
れるため、環流ダイオードの逆回復電流は流れず、図３
や図５に示すピーク電流Ｉp を責務として与える条件の
試験も当然実施できない。
子５のオン期間が短く、オフ期間が長い場合や負荷装置
３に含まれる抵抗器とリアクトルのインダクタンスによ
る時定数が短い場合については、自己消弧形素子５の環
流電流が持続的に流れずに減衰する。そのため、自己消
弧形素子５のターンオンのタイミングで負荷装置３の電
流は流れず、図４に示すような断続電流となり、ターン
オン電流は必ず零から立ち上がる波形となって、供試素
子のターンオン時に所定の電流値を与えた試験はできな
い。またこの場合、環流ダイオードの順方向電流が流れ
ていないタイミングで環流ダイオードに逆電圧が印加さ
れるため、環流ダイオードの逆回復電流は流れず、図３
や図５に示すピーク電流Ｉp を責務として与える条件の
試験も当然実施できない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従って、以上の説明か
ら明確なように、図７の従来方式の試験回路の場合、供
試素子である自己消弧形素子５に、ターンオン時やター
ンオフ時の試験条件として所定の目標試験条件に合致し
た印加電圧、電流値を与えるためには、負荷装置内部の
時定数を変更すべく、抵抗器やリアクトルの定数切り替
えやスイッチング動作周期をその都度変更設定する必要
が生じるなど、試験装置として具備すべき試験条件の独
立設定性に乏しい試験装置となる。更に、ターンオン電
流値Ｉv を零でない所定の値に設定するためには、図４
のような断続波形では実現できないところから、供試素
子を繰り返し動作させるか、供試素子に並列に負荷電流
設定用の制御素子を別に設け、負荷装置３の電流を連続
電流とする必要がある。
ら明確なように、図７の従来方式の試験回路の場合、供
試素子である自己消弧形素子５に、ターンオン時やター
ンオフ時の試験条件として所定の目標試験条件に合致し
た印加電圧、電流値を与えるためには、負荷装置内部の
時定数を変更すべく、抵抗器やリアクトルの定数切り替
えやスイッチング動作周期をその都度変更設定する必要
が生じるなど、試験装置として具備すべき試験条件の独
立設定性に乏しい試験装置となる。更に、ターンオン電
流値Ｉv を零でない所定の値に設定するためには、図４
のような断続波形では実現できないところから、供試素
子を繰り返し動作させるか、供試素子に並列に負荷電流
設定用の制御素子を別に設け、負荷装置３の電流を連続
電流とする必要がある。
【００１４】前者の場合は負荷電流で供試素子の損失に
より自己加熱を招き、試験接合温度を所定値に設定する
ことが困難となる。後者の場合は、試験装置として供試
素子以上で、繰り返し動作に耐える容量を持つ制御素子
の設置が必要となり試験装置の複雑、大形化となるなど
の欠点を有していた。
より自己加熱を招き、試験接合温度を所定値に設定する
ことが困難となる。後者の場合は、試験装置として供試
素子以上で、繰り返し動作に耐える容量を持つ制御素子
の設置が必要となり試験装置の複雑、大形化となるなど
の欠点を有していた。
【００１５】本発明の目的は、自己消弧形素子のスイッ
チング試験の際、供試素子に与える試験条件として、試
験接合温度を素子の自己加熱によらず外部加熱手段によ
り任意に設定しながら、印加電圧、電流の条件指定も任
意独立に設定でき、種種の条件変更に伴う供試素子の特
性変化を追求できる、簡易かつ便利な試験装置を提供す
ることにある。
チング試験の際、供試素子に与える試験条件として、試
験接合温度を素子の自己加熱によらず外部加熱手段によ
り任意に設定しながら、印加電圧、電流の条件指定も任
意独立に設定でき、種種の条件変更に伴う供試素子の特
性変化を追求できる、簡易かつ便利な試験装置を提供す
ることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記目
的は、環流ダイオードと直列に環流電源コンデンサを挿
入して、同コンデンサ両電極に低圧の可変電源である環
流回路用直流電源を接続することにより、負荷装置、環
流ダイオードおよび環流コンデンサのループに持続的
に、かつ、任意の直流電流を与える構成とし、供試素子
である自己消弧形素子自体のスイッチング動作を単発化
するか、極低周波数の動作として達成することができ
る。
的は、環流ダイオードと直列に環流電源コンデンサを挿
入して、同コンデンサ両電極に低圧の可変電源である環
流回路用直流電源を接続することにより、負荷装置、環
流ダイオードおよび環流コンデンサのループに持続的
に、かつ、任意の直流電流を与える構成とし、供試素子
である自己消弧形素子自体のスイッチング動作を単発化
するか、極低周波数の動作として達成することができ
る。
【００１７】
【作用】環流電源コンデンサと環流回路用直流電源を設
けたことにより、同コンデンサを含む負荷装置と環流ダ
イオードの形成するループに、直流電源や負荷装置内の
抵抗値やインダクタンスによる時定数および供試素子の
動作周期との相互関係に殆ど影響されずに、環流回路用
直流電源の電圧調整のみにより、独立に環流電流を任意
の一定値に設定することができる。
けたことにより、同コンデンサを含む負荷装置と環流ダ
イオードの形成するループに、直流電源や負荷装置内の
抵抗値やインダクタンスによる時定数および供試素子の
動作周期との相互関係に殆ど影響されずに、環流回路用
直流電源の電圧調整のみにより、独立に環流電流を任意
の一定値に設定することができる。
【００１８】従って、供試素子の自己消弧形素子の動作
が単発的に駆動される場合や極低周波数の短通流期間の
駆動時には、供試素子の一回のスイッチング動作による
発熱が供試素子の外部加熱手段による接合温度の設定値
に殆ど影響されないため、接合温度の設定もほぼ独立に
設定できる。このため、自己消弧形素子のスイッチング
試験装置として、具備すべき試験条件の独立設定性と簡
便な試験装置を得ることができる。
が単発的に駆動される場合や極低周波数の短通流期間の
駆動時には、供試素子の一回のスイッチング動作による
発熱が供試素子の外部加熱手段による接合温度の設定値
に殆ど影響されないため、接合温度の設定もほぼ独立に
設定できる。このため、自己消弧形素子のスイッチング
試験装置として、具備すべき試験条件の独立設定性と簡
便な試験装置を得ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明による自己消弧形素子のスイッ
チング試験装置の一実施例を図面により詳細に説明す
る。
チング試験装置の一実施例を図面により詳細に説明す
る。
【００２０】図１は本発明の自己消弧形素子のスイッチ
ング試験装置の基本回路図である。図１において、１は
供試素子にターンオン直前の印加電圧や負荷電流を与え
る直流電源であり、３はごく電気抵抗の小さいリアクト
ルで構成された負荷装置、４は供試素子がターンオンす
る時の電流上昇率を調整するための空心リアクトルであ
り、ターンオフ時には図６に示す電圧のオーバシュート
量Ｖp を供試素子の試験条件として与えることができ
る。なお、このオーバシュート量Ｖp は空心リアクトル
４のインダクタンス、供試素子電流の増加により増加
し、スナバコンデンサ８の容量増や供試素子や試験回路
内の損失により減少し、大凡の量が決定されるので、空
心リアクトル４にタップを設けるなどとしてインダクタ
ンスを調整することにより、所定のオーバシュート量Ｖ
p とすることができる。
ング試験装置の基本回路図である。図１において、１は
供試素子にターンオン直前の印加電圧や負荷電流を与え
る直流電源であり、３はごく電気抵抗の小さいリアクト
ルで構成された負荷装置、４は供試素子がターンオンす
る時の電流上昇率を調整するための空心リアクトルであ
り、ターンオフ時には図６に示す電圧のオーバシュート
量Ｖp を供試素子の試験条件として与えることができ
る。なお、このオーバシュート量Ｖp は空心リアクトル
４のインダクタンス、供試素子電流の増加により増加
し、スナバコンデンサ８の容量増や供試素子や試験回路
内の損失により減少し、大凡の量が決定されるので、空
心リアクトル４にタップを設けるなどとしてインダクタ
ンスを調整することにより、所定のオーバシュート量Ｖ
p とすることができる。
【００２１】５は供試素子である自己消弧形素子であ
り、７、８、９はそれぞれ供試素子５の保護用のスナバ
ダイオード、スナバコンデンサ、スナバ抵抗器であり、
１０は環流ダイオード、１３は直流電源である。
り、７、８、９はそれぞれ供試素子５の保護用のスナバ
ダイオード、スナバコンデンサ、スナバ抵抗器であり、
１０は環流ダイオード、１３は直流電源である。
【００２２】図２は図１に基づいた一実施例を示す回路
図で、構成、作用は図２にて説明する。なお、図２にい
て、２は逆流防止ダイオード、６は自己消弧形素子５の
ゲート駆動装置である。また、図１の直流電源１３の代
わりに、環流電源コンデンサ１１と環流回路用直流電源
１２とを並列配置して使用している。
図で、構成、作用は図２にて説明する。なお、図２にい
て、２は逆流防止ダイオード、６は自己消弧形素子５の
ゲート駆動装置である。また、図１の直流電源１３の代
わりに、環流電源コンデンサ１１と環流回路用直流電源
１２とを並列配置して使用している。
【００２３】図２において、図３の試験電流波形を供試
素子の自己消弧形素子５に与えるために、環流回路用直
流電源１２から環流電源コンデンサ１１を充電し、この
コンデンサより環流ダイオード１０を介して負荷装置３
に所定値の直流電流を持続的に予め流しておく。これに
より、図３の試験電流波形のように供試素子を単発的に
駆動しターンオンさせても、直流電源１より、逆流防止
ダイオード２を経由して、環流ダイオード１０の逆方向
に電圧が印加され、環流ダイオードの逆回復電流となっ
て空心リアクトル４を介して、自己消弧形素子５にピー
ク値Ｉp なる試験電流を与えることができる。そのた
め、自己消弧形素子５の試験接合温度を自己加熱によら
ず、ほぼ外部的に与えた条件として評価することができ
る。
素子の自己消弧形素子５に与えるために、環流回路用直
流電源１２から環流電源コンデンサ１１を充電し、この
コンデンサより環流ダイオード１０を介して負荷装置３
に所定値の直流電流を持続的に予め流しておく。これに
より、図３の試験電流波形のように供試素子を単発的に
駆動しターンオンさせても、直流電源１より、逆流防止
ダイオード２を経由して、環流ダイオード１０の逆方向
に電圧が印加され、環流ダイオードの逆回復電流となっ
て空心リアクトル４を介して、自己消弧形素子５にピー
ク値Ｉp なる試験電流を与えることができる。そのた
め、自己消弧形素子５の試験接合温度を自己加熱によら
ず、ほぼ外部的に与えた条件として評価することができ
る。
【００２４】なお、もし環流ダイオードとして理想的な
逆回復電流のない素子を使用したとすれば、自己消弧形
素子５のターンオン直後の電流は、直流電源１の電圧と
空心リアクトル４のインダクタンスの比で決まる電流上
昇率で上昇し、Ｉv なる電流値に制限された電流波形が
供試素子である自己消弧形素子５に与えられので、種種
の電流値Ｉv に対して評価する場合には、環流回路用直
流電源１２に出力電圧の調整手段を設けるなどして、電
流値Ｉv を任意に調整することにより、容易に自己消弧
形素子５のターンオン直後の電流値依存性の評価をする
ことができる。
逆回復電流のない素子を使用したとすれば、自己消弧形
素子５のターンオン直後の電流は、直流電源１の電圧と
空心リアクトル４のインダクタンスの比で決まる電流上
昇率で上昇し、Ｉv なる電流値に制限された電流波形が
供試素子である自己消弧形素子５に与えられので、種種
の電流値Ｉv に対して評価する場合には、環流回路用直
流電源１２に出力電圧の調整手段を設けるなどして、電
流値Ｉv を任意に調整することにより、容易に自己消弧
形素子５のターンオン直後の電流値依存性の評価をする
ことができる。
【００２５】また、当然ながら、自己消弧形素子５のタ
ーンオン特性の評価として、種種の逆回復特性を有する
環流ダイオード１０の特性との関係を評価する場合に
は、環流ダイオードの入れ替えにより容易に評価するこ
ともできる。
ーンオン特性の評価として、種種の逆回復特性を有する
環流ダイオード１０の特性との関係を評価する場合に
は、環流ダイオードの入れ替えにより容易に評価するこ
ともできる。
【００２６】次に、自己消弧形素子５がターンオンした
後は、直流電源１の電圧と負荷装置内のインダクタンス
の比でほぼ決定される電流上昇率で自己消弧形素子５の
オン期間中上昇し、電流値Ｉm に達する。従って、自己
消弧形素子５のターンオフ試験電流値はＩm となる。こ
の電流値は環流ダイオードにとっては、順方向電流の初
期値となり、負荷装置３を環流するので、自己消弧形素
子５のターンオフ条件に着目した試験条件とするには、
前述のターンオン時と同様に環流回路用直流電源１２の
電圧を調整して、電流値Ｉm を目標試験条件値とするこ
とでできる。
後は、直流電源１の電圧と負荷装置内のインダクタンス
の比でほぼ決定される電流上昇率で自己消弧形素子５の
オン期間中上昇し、電流値Ｉm に達する。従って、自己
消弧形素子５のターンオフ試験電流値はＩm となる。こ
の電流値は環流ダイオードにとっては、順方向電流の初
期値となり、負荷装置３を環流するので、自己消弧形素
子５のターンオフ条件に着目した試験条件とするには、
前述のターンオン時と同様に環流回路用直流電源１２の
電圧を調整して、電流値Ｉm を目標試験条件値とするこ
とでできる。
【００２７】なお、図３や図５中の電流値Ｉm をできる
限り電流値Ｉv に近い値として、矩形波的な波形を与え
て自己消弧形素子５を評価するには、負荷装置３内のイ
ンダクタンスを限りなく大きくして、自己消弧形素子５
の通電期間を動作繰り返し周期に比して充分短くするこ
とにより、負荷電流の上昇を抑えられ目的を達すること
もできる。
限り電流値Ｉv に近い値として、矩形波的な波形を与え
て自己消弧形素子５を評価するには、負荷装置３内のイ
ンダクタンスを限りなく大きくして、自己消弧形素子５
の通電期間を動作繰り返し周期に比して充分短くするこ
とにより、負荷電流の上昇を抑えられ目的を達すること
もできる。
【００２８】また以上の説明から明確なように、自己消
弧形素子５の駆動回路として駆動周期を単発的に動作さ
せるか、例えば１０ヘルツ程度以下の低周波数で駆動す
るようにして、自己消弧形素子５のオン期間が駆動周期
に比して充分短かくすれば、素子の自己加熱による接合
温度の変化は差ほど大きくなく、試験条件の独立性を損
なうこともない。
弧形素子５の駆動回路として駆動周期を単発的に動作さ
せるか、例えば１０ヘルツ程度以下の低周波数で駆動す
るようにして、自己消弧形素子５のオン期間が駆動周期
に比して充分短かくすれば、素子の自己加熱による接合
温度の変化は差ほど大きくなく、試験条件の独立性を損
なうこともない。
【００２９】本発明は、自己消弧形素子５の効率的評価
を目的としており、少なくとも、自己消弧形素子５の両
端電圧、電流、およびベースまたは、ゲート電圧、電流
の計測手段を備え、前述の単発または低周波で駆動され
た任意の期間の波形を記憶させることにより、自己消弧
形素子のスイッチング試験により得られた各波形データ
を基に、動作速度の時間表示、損失の計算等の処理や供
試素子間の特性比較ができるなど、一層効果的である。
を目的としており、少なくとも、自己消弧形素子５の両
端電圧、電流、およびベースまたは、ゲート電圧、電流
の計測手段を備え、前述の単発または低周波で駆動され
た任意の期間の波形を記憶させることにより、自己消弧
形素子のスイッチング試験により得られた各波形データ
を基に、動作速度の時間表示、損失の計算等の処理や供
試素子間の特性比較ができるなど、一層効果的である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試験条件を独立的に与えることができるので、トランジ
スタ、ＧＴＯサイリスタ、ＳＩサイリスタ、ＩＧＢＴ
（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）などの自己消
弧形素子の誘導性負荷に対する各種素子特性の挙動を単
一的に評価できるため、特に素子特性の改良に際し、簡
易で効率的な自己消弧形素子のスイッチング試験装置を
提供することができる。
試験条件を独立的に与えることができるので、トランジ
スタ、ＧＴＯサイリスタ、ＳＩサイリスタ、ＩＧＢＴ
（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）などの自己消
弧形素子の誘導性負荷に対する各種素子特性の挙動を単
一的に評価できるため、特に素子特性の改良に際し、簡
易で効率的な自己消弧形素子のスイッチング試験装置を
提供することができる。
【図１】本発明の自己消弧形素子のスイッチング試験装
置の基本回路図である。
置の基本回路図である。
【図２】図１に基づいた一実施例を示す回路図である。
【図３】本発明の動作や従来の試験装置の動作を説明
し、自己消弧形素子のスイッチング試験のため供試素子
に与える試験電流波形である。
し、自己消弧形素子のスイッチング試験のため供試素子
に与える試験電流波形である。
【図４】従来および本発明の環流電流が零となる特別な
条件下の動作を説明するための動作波形の説明図であ
る。
条件下の動作を説明するための動作波形の説明図であ
る。
【図５】図３の動作電流波形のうち供試素子電流部分の
拡大図である。
拡大図である。
【図６】図５に対応する供試素子電圧の波形図である。
【図７】従来の自己消弧素子のスイッチング試験装置の
試験回路図である。 １ 直流電源 ２ 逆流防止ダイオード ３ 負荷装置 ４ 空心リアクトル ５ 自己消弧形素子 ６ ゲート駆動装置 ７ スナバダイオード ８ スナバコンデンサ ９ スナバ抵抗器 １０ 環流ダイオード １１ 環流電源コンデンサ １２ 環流回路用直流電源 １３ 直流電源
試験回路図である。 １ 直流電源 ２ 逆流防止ダイオード ３ 負荷装置 ４ 空心リアクトル ５ 自己消弧形素子 ６ ゲート駆動装置 ７ スナバダイオード ８ スナバコンデンサ ９ スナバ抵抗器 １０ 環流ダイオード １１ 環流電源コンデンサ １２ 環流回路用直流電源 １３ 直流電源
Claims (4)
- 【請求項１】直流電源と、逆流防止ダイオードと、負荷
装置と、カソードを直流電源の正極に対抗させた環流ダ
イオードを負荷装置に並列に配したものと、空心リアク
トルと、自己消弧形素子とをそれぞれ直列に接続して、
該素子自体をオン、オフすることにより、自己消弧形素
子のスイッチング特性を試験する試験回路において、該
環流ダイオードと直列に環流コンデンサを配設して、該
環流コンデンサには、環流ダイオード、環流コンデン
サ、負荷装置で形成されるー周ループに、環流ダイオー
ドの整流方向に合致した循環電流を供給する環流回路用
直流電源を接続して構成したことを特徴とする自己消弧
形素子のスイッチング試験回路。 - 【請求項２】前記環流回路用電源に環流電流の調整手段
を設けたことを特徴とする請求項１記載の自己消弧形素
子のスイッチング試験回路。 - 【請求項３】前記自己消弧形素子の動作を単発、または
およそ１０ヘルツ以下の低周波にて駆動するように構成
したゲート駆動装置を具備する自己消弧形素子のスイッ
チング試験回路。 - 【請求項４】前記自己消弧形素子の少なくとも、両端電
圧、電流、ベースまたは、ゲート電圧、電流の計測手段
を備え、自己消弧形素子の動作を単発、またはおよそ１
０ヘルツ以下の低周波にて駆動された任意の期間の波形
を記憶させたことを特徴とする請求項１記載の自己消弧
形素子のスイッチング試験回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32032492A JPH06167533A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 自己消弧形素子のスイッチング試験回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32032492A JPH06167533A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 自己消弧形素子のスイッチング試験回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167533A true JPH06167533A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18120219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32032492A Pending JPH06167533A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 自己消弧形素子のスイッチング試験回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06167533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010107432A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体統合試験方法、および半導体試験装置 |
| JP2024116869A (ja) * | 2023-02-16 | 2024-08-28 | 株式会社東芝 | 測定方法及び測定装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569068A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Thyristor circuit |
| JPS61149869A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Canon Inc | 波形解析システム |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP32032492A patent/JPH06167533A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569068A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Thyristor circuit |
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| JP2024116869A (ja) * | 2023-02-16 | 2024-08-28 | 株式会社東芝 | 測定方法及び測定装置 |
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