JPH0772851B2 - 位相制御回路の多重装置 - Google Patents

位相制御回路の多重装置

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JPH0772851B2
JPH0772851B2 JP60246121A JP24612185A JPH0772851B2 JP H0772851 B2 JPH0772851 B2 JP H0772851B2 JP 60246121 A JP60246121 A JP 60246121A JP 24612185 A JP24612185 A JP 24612185A JP H0772851 B2 JPH0772851 B2 JP H0772851B2
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ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電源によって負荷に供給される電気エネルギー
の制御に関し、更に詳細には、負荷および電源と直列の
少なくとも1つの電力制御スイッチ手段とこの少なくと
も1つのスイッチ手段を適当に作動させるための制御回
路の間に要求される部品と相互の接続の数を減少させる
新規な多重装置に関する。
〔従来の技術〕
交流電源から負荷によって消費される電力を制御するた
めに位相制御回路を使用することは知られている。この
形式の電力制御回路は各電源波形の半サイクルのある時
限にわたって電源をまたいで負荷を接続する。負荷の物
理的特性に影響されないランプ調光回路(開ループ制御
回路)の可変抵抗のような外部パラメータや、自己較正
応答(閉ループ制御回路)を得るための負荷からのフィ
ードバック情報に応答して負荷接続時間間隔の時限を制
御することは知られている。電源をまたいで負荷と直列
の少なくとも1つの固態装置で開ループあるいは閉ルー
プの負荷制御回路を構成すること、および順位相制御あ
るいは逆位相制御の状態で少なくとも1つの電力スイッ
チ装置を操作することも知られている。順位相制御状態
では、電力スイッチ装置は、特定のライン電圧波形の半
サイクルが始まって各ラインの電圧が零と交叉した後し
ばらくの間非導通状態にあり、零でないライン−ライン
電圧が存在するときライン電圧波形の半サイクルの間に
導通状態(オン)に制御され、次のライン−ライン電圧
が零と交叉するとき導通状態から外される(オフ)。導
通の終了は自己整流作用であるか(電力スイッチ装置が
SCRあるいは類似の装置であれば)、あるいは装置の外
部の制御回路によって提供されるオフ信号に応答する被
駆動オフ作用である(少なくとも1つの電力スイッチ装
置が絶縁ゲートトランジスタ(IGT)、バイポーラ接合
トランジスタ、電力MOSFET等のようなオフの制御可能な
装置であれば)。逆位相制御状態では、、少なくとも1
つの電力スイッチ装置(本出願の譲受人に譲渡され、言
及することによって、ここで一体化される1983年(昭和
58年)9月6日に出願された米国特許願第529,296号に
もっと詳細に説明され、かつ、特許請求されている)は
各ライン電圧が零と交叉するとき導通状態に制御され、
この後ある時間の間導通を維持し(開ループあるいは閉
ループの入力に応答して)、この後零でない電圧が負荷
をまたいで存在する間導通から外れ、次のライン電圧が
零と交叉するまで非導通を維持する。オフに駆動され得
る電力スイッチ装置だけが逆位相制御回路に利用できる
ことが理解される。
どの形式の負荷制御回路も少なくとも次の手段を必要と
する…(a)ライン電圧が零と交叉するのを判定する手
段、その零交叉手段はライン電圧波形の正に向かう零交
叉と負に向かう零交叉を判定する一対の入力信号を必要
とする、(b)少なくとも1つのスイッチ装置にオンお
よびオフ信号を接続する手段、(c)回路共通接続部。
使用者に最大の信頼性と最小のコストを与えるため、制
御回路と負荷/スイッチ装置の組合せ間の部品の相互接
続部の数を最小に低減することが望ましい。同じような
理由により、集積回路形式で制御回路を提供することが
望ましい。しかし、負荷の閉ループ制御の提供が、特
に、負荷が加速的な欠陥におち入り易い場合に、望まし
い。特定の負荷のパラメータが大になると、負荷のパラ
メータのフィードバック制御が負荷および/あるいはス
イッチ装置とスイッチ装置制御回路自身の間の少なくと
も1つの追加的な相互接続を必要とする。また、ライン
自身から制御回路へ動作電力を提供することが望まし
く、少なくとも1つ(および通常は複数)の追加的な相
互接続を必要とする。他の要求、かつ、あるいは望まし
い特徴は負荷/スイッチ装置とスイッチ制御回路間の相
互接続の数を増加させる。スイッチ電圧の変化速度(dV
/dt)が減少すると、例えば、スイッチ操作によって生
じる電磁干渉を減少させてスイッチ装置の限度(スイッ
チ装置の加速的な欠陥に影響を有する)等を越えないよ
うにすることが必要である。「オン」スイッチ装置が飽
和状態にあって加速的な欠陥等を生じさせる過度の電力
消費をさせないようにするためにスイッチ装置の導通状
態に制御された回路の電圧および/あるいは電流を監視
することが必要である。例えば、非再発電半導体の制御
スイッチは本発明者による米国特許願第499,579号で説
明され、かつ、特許請求されているように提供され得る
し、また、電力スイッチ半導体の過度の電力消費の防止
は本発明者による米国特許願第499,590号で説明され、
かつ、特許請求されているように提供され得る。両特許
出願とも1983年(昭和58年)5月31日に出願され、本出
願の譲受人に譲渡され、言及されることによってここで
一体化される。電力スイッチ半導体制御回路がこのよう
な追加的な特徴を含むときその間の相互接続の数および
必要とされる固体部品(抵抗、コンデンサ等)の数は無
視できない。派生するコスト、およびその追加的な欠陥
率は主として全体の負荷制御装置のコストおよび/ある
いは信頼性を決定する。例えば、一対の電力スイッチ半
導体用の集積回路駆動手段を有する閉ループランプ制御
回路は回路を完成されるために10個の外部抵抗と12個の
相互接続を必要とする。スイッチ装置制御(集積)回路
の外部の部品数を減少させるための、かつ、制御(集
積)回路と電力スイッチ装置および負荷間の相互接続数
を減少させるための何らかの手段を提供することが高く
望まれる。
〔問題点を解決するための手段(発明の要約)〕
本発明による多重装置は、交流電源から負荷を介して流
れる電流を制御するために負荷に接続される少なくとも
1つの電力スイッチ装置を前記少なくとも1つのスイッ
チ装置の導通を制御するための制御回路により相互接続
するものであり、第1および第2の信号を比較して前記
第2の信号よりそれぞれ小および大である前記第1の信
号に応答して第1および第2の出力状態の1つを提供す
る手段と、前記第1の信号として共通の予め選択された
極性を電源交流信号波形の両半サイクルに提供するため
の全波整流器手段と、第1制御回路手段の出力の状態に
応答して第1および第2の基準レベルの1つのレベルに
おいて前記第2の信号を提供するためのスイッチ手段
と、他の制御回路手段の出力の状態に応答して既知の要
因によって第1の信号を減衰させる手段を含んでいる。
従って、この多重装置は多数の相互接続と外部素子を必
要とせずに複数の異なった回路パラメータを監視するた
めにスイッチ装置の関係する1つの装置にそれぞれ接続
された少なくとも1つの抵抗素子に関連して動作する。
この多重装置は、また、少なくとも1つの制御回路、比
較器、整流器、スイッチおよび減衰手段に動作電位を提
供するための電源手段を含む。
実施例においては、整流器手段は第1のコンパレータと
一対のスイッチ手段を使用する。複数のそれぞれのスイ
ッチ手段は少なくとも1つの導通制御装置によって実現
されて集積半導体回路の制御回路手段により多重装置の
完全な集積化を容易にする。
従って、本発明の目的は交流電源から負荷抵抗に供給さ
れるエネルギーの少なくとも1つのパラメータを制御す
る位相制御回路において少なくとも1つの電力スイッチ
装置とスイッチ装置制御手段間の相互接続と素子の数を
減少する新規な多重回路を提供することである。
本発明のこの目的および他の目的は図面を参照して以下
の詳細な説明を読むことにより明らかになる。
〔実施例〕
第1図および第1a図を参照すると、本発明による実施例
の多重装置10が交流電源手段16の第1および第2のライ
ン端子L1およびL2の間で負荷抵抗Rlを有する負荷14と直
列に接続された少なくとも1つの電力スイッチ手段12の
導通および非導通の時間間隔を制御する制御回路手段11
に接続されている。図示上、電力スイッチ手段12は一対
の電力スイッチ装置12a−1および12a−2を有し、各ス
イッチ装置はダイオード等の反転導通素子によって並列
にされた導通制御回路を有し、直列接続電力スイッチ装
置12aは共通電位接続点12−1に接続された共通接合部
を有する。電力スイッチ装置はスイッチ制御入力12−3
の信号状態に応答してスイッチ回路ノード12−2bに(あ
るいはスイッチ回路ノード12−2bから)スイッチ回路ノ
ード12−2bを実質的に接続したり、接続を解除するよう
に働く。制御回路手段11はオン/オフ信号(手段10、11
を有する同じ集積回路に含まれる負荷パラメータ設定/
監視手段(図示さず)から)を第1の入力端子11−1で
受け、また、端子11−2の多重手段10の入出力に応答し
て入力端子11−3においてスイッチ装置制御信号を提供
する。図示されていない負荷設定回路部は開ループある
いは閉ループ型で良く、通常入力が集積多重/制御回路
へ分離された端子において供給される。
電力スイッチ装置は一対のスイッチ装置の電圧サンプル
抵抗素子12b−1、12b−2を含むモジュール12にパッケ
ージされる方が良く、各素子は抵抗Rを有し、ノード12
−2aあるいは12−2bの1つとモジュール出力12−4aある
いは12−4bの関係する1つの間に接続されている。スイ
ッチ装置モジュールには制御回路の正の作動電圧+Vが
提供される共通電位端子12−1と端子12−5(第1a図)
間に接続される電源フィルタコンデンサ12cを有した方
が良い。図示上、スイッチ手段12a−1および12a−2は
それぞれ絶縁ゲートトランジスタ12a−1aあるいは12−2
aを有し、このトランジスタは、他の装置のゲート端子
と並列に、かつ、モジュール制御入力12−3に接続さた
ゲート端子と、回路共通電位端子12−1に並列に接続さ
れたエミッタ電極と、スイッチモジュールノード12−2a
あるいは12−2bの1つに接続されたコレクタ電極を有す
る。関連する反転導通ダイオード12a−1bあるいは12a−
2bは各スイッチ装置の導通制御陽極−陰極回路をまたい
で、例えば、各IGTのエミッタ−コレクタ回路をまたい
で形成される。従って、制御回路(手段10、11の組合
せ)とスイッチモジュール12の間に4つの相互接続が必
要であり、2つの外部抵抗(素子12b−1、12b−2)が
基本的な位相制御回路にとって必要であり、制御回路動
作電圧が負荷付勢電源16からも供給されると追加的な相
互接続と1つの追加外部素子(コンデンサ12)が必要に
なる。制御手段入力11−1へ閉ループオン−オフ信号を
提供するために他の相互接続が更に必要になる。
実質的に抵抗素子の端子12−4aおよび12−4bにおいて利
用できる情報から複数の信号(制御手段11によって要求
される)を提供するための多重装置は、電力モジュール
の第1のサンプル出力端子12−4aに接続された多重装置
の第1の入力端子10−4aに接続された非反転正入力20a
と、電力モジュールの第2のサンプル出力端子12−4bに
接続された多重装置の第2の入力端子10−4bに接続され
た反転負入力12bを有する第1のコンパレータ手段20を
有する。第1および第2のスイッチ手段22、24は多重手
段のサンプル入力端子10−4bあるいは10−4aに接続され
た第1の選択接点端子22aあるいは24aを有する単極、投
入型のものである。これらの第1の2つのスイッチ手段
の第2の選択端子22bあるいは24bは多重手段のサンプル
入力端子10−4aあるいは10−4bに交叉接続さている。第
1スイッチ手段22の共通端子22cは回路共通電位に接続
され、第2スイッチ手段24の共通端子24bは第2コンパ
レータ手段26の第1入力26aに接続されている。第1お
よび第2のスイッチ手段22、24のスイッチ位置制御入力
22d、24dは第1のコンパレータ手段20の出力20Cに並列
に一緒に接続され、第1および第2のスイッチ手段22、
24は多重手段のサンプル入力端子10−4aあるいは10−4b
のそれぞれを第1のコンパレータ手段の出力20cの論理
レベルに応答して第2のコンパレータ入力26aあるいは
共通電位へ交互に接続する双極、双投入型スイッチ手段
の形状を有する。他のスイッチ手段28は本質的に閉回路
へ接続される第1の選択端子28aと、抵抗素子R′の他
の抵抗素子を介して回路共通電位へ接続される第2の選
択端子28bと、第2のコンパレータ反転入力26aに接続さ
れた共通接点28cを有する。共通端子28cはスイッチ手段
制御入力28dの論理A信号に応答して閉回路端子28aと分
路抵抗端子28b間で制御される。スイッチ手段28が本質
的に閉回路状態と本質的に短絡状態(端子28b、28cを接
続する)間で制御される。端子28′d(回路共通電位に
接続される)と端子28′c(直列抵抗30、従って、コン
パレータ入力26aに接続される)間に導通制御回路を有
し、論理A信号が加えられる制御入力28′dを有する導
通制御装置28′が利用された。
第2コンパレータ26の非反転正入力26bは一対の基準電
圧Vr1およびVr2の選択された1つを受ける。基準電圧V
r1(図示されたない手段によって提供されるが、この技
術にとって周知)はスイッチ手段32の第1の選択端子32
aで提供される第1の正極性電圧である。第1の基準電
圧Vr1はスイッチ手段12aが導通し始めるライン−ライン
電位を実質的に設定し、例えば、零電圧と装置12aの期
待される最小順方向導通電圧降下の間の小さな大きさで
ある。第2の基準電圧Vr2は第2のスイッチ手段の選択
端子32bの基準電圧Vr1より大なる大きさで提供される他
の正極性電圧である。第2の基準電圧は、導通スイッチ
装置が所望の電圧飽和モードか、あるいは望ましくない
動作線形モードであるかを判定するため電力スイッチ装
置の「飽和」電圧の所望のレベルを設定し、通常Vr2
大きさはIGTスイッチ装置12a−1a、12a−2aにとって約
3ボルトである。2つの基準電圧の1つはスイッチ手段
制御入力32dに提供される基準電圧スイッチの論理B信
号に応答してスイッチ手段共通端子32dに提供される。
各形式の単極、双投入型スイッチ素子がスイッチ手段2
2、24および/あるいは32に利用されるが、完全な固態
スイッチ手段が手段22、24、32に利用されることが好ま
しく、集積半導体回路で完全な集積化ができる1つのス
イッチ手段が第1a図に示されている。単極、双投入型ス
イッチ手段は第1および第2の導通制御素子34、36を有
し、それぞれスイッチ手段共通端子32cに一緒に接続さ
れる導通制御回路の1つの端子と、スイッチ手段の第1
の選択端子32a(装置34)あるいは第2の選択端子32b
(装置36)の1つに接続される他の導通制御回路端子と
を有する。導通制御入力34a(共通端子32cと第1の選択
端子32a間に接続された装置34の)はスイッチ手段制御
入力32dに直接接続されるが、他の導通制御装置の制御
入力36aはスイッチ手段制御入力32dに接続された入力を
有する論理反転手段37の出力に接続される。第1の論理
レベル、例えば、制御入力32dの高論理レベルに応答し
て導通制御装置34あるいは36、例えば、装置34はその制
御入力における作動(enable)信号レベル、例えば、入
力34aの高論理レベルを受け、選択端子の1つ、例え
ば、第1の選択端子32aを共通端子32cに接続するように
導通し、他の装置、例えば、装置36はその制御入力で低
論理レベル(インバータ37の作用で)を受け、共通端子
32cから他の選択端子、例えば、第2の選択端子32bを実
質的に絶縁する非導通状態にある。逆に、制御入力32d
の低論理レベルに応答して装置、例えば、装置34は作動
しないで第1の選択端子32aを共通端子32cから実質的に
絶縁する。インバータおよび一対の導通制御装置により
なる同じスイッチ手段はスイッチ手段22、24のそれぞれ
に利用できる。
ゲート制御回路手段11(鎖線によって囲まれた)は多重
手段10を含む同じ集積回路の一部であることが好まし
い。正の動作電位+V(コンパレータ20、26、インバー
タ手段37、およびゲート制御手段11の全てによって要求
される)を提供するため、多重装置10は、外部フィルタ
コンデンサ12cに関連して、交流ライン−ライン電圧か
ら所望の極性(例えば、正極性)の直流電圧を提供する
手段38を含む。手段38は、ダイオード38a、38bのような
一対の一方向性導通素子を有することが好ましく、各ダ
イオードは端子10−4aあるいは10−4bの1つに接続され
る陽極と、集積回路のフィルタコンデンサ端子10−5に
一緒に結合する陰極を有し、その端子に正の動作電圧+
Vが供給される。この技術にとって周知のツェナーダイ
オード38cや他の回路のような手段が、必要であれば、
動作電位+Vを調整するためにたよ利用される。
制御回路手段11は制御回路端子のオン/オフ制御端子11
−1に接続される第1の入力40aを有する2入力アンド
ゲート40を有する(低論理「オフ」レベル、例えば、約
0ボルトと高論理「オン」レベル、例えば、+Vボルト
の間で入力11−1を切り換えるため図示されない開ルー
プあるいは閉ループ制御手段に接続するため)。第2の
ゲート40bは電圧VZ,Lが表れる多重手段の第2のコンパ
レータ出力10−2bにそれ自身接続される他の制御回路手
段入力11−2bに接続さている。ゲート出力40cは前述し
た米国特許願第499,579号に開示されているゲート駆動d
v/dt制御手段44の第1の、あるいはオン/オフ制御入力
44aに接続されている。この手段は多重手段出力10−2a
のVX信号を受けるように入力11−2aに接続された第2
の、あるいはdv/dtフィードバック情報入力42bを有す
る。手段出力44cは入力42a、42bの信号に応答して集積
回路端子10−3へ従って、スイッチ装置モジュール12の
制御入力端子12−3へIGTゲート電圧VGを供給するよう
に制御回路手段出力11−3に接続されている。出力42c
は実質的に一定の基準電圧Vr(それを越えるとIGT12a−
1aおよび12a−2aの1つが導通状態になる導通閾値電圧V
thに実質的に等しい)を受ける非反転+入力50bを有す
る第3のコンパレータ手段50の反転−入力50aにも接続
されている。第3のコンパレータ出力50cはNORゲートの
他の入力44bに接続され、また、多重手段入力10−2d、
従って、スイッチ手段32の制御入力32dへ導くため制御
回路手段出力11−2dの論理B信号を提供する。NORゲー
ト出力44cは多重手段入力10−2c、従って、導通制御手
段28′の制御電極28′dに結合するため制御回路手段出
力11−2cへ論理A信号を提供する。
第1図、第1a図および第2図を参照すると、実施例の多
重手段10は、制御回路手段11およびスイッチ装置モジュ
ール12に関連して次のように動作する。初期時間toに先
立って動作電圧+Vを提供するため調整ダイオード38
c、例えば、約+15ボルトのツェナー電圧によって設定
される最大電圧+Vにフィルタコンデンサ12cを充電す
るように十分なライン電圧サイクルが発生していて整流
器38を導通させる。時間toにおいて、スイッチ装置12
a、例えば、IGT12a−1a、12a−2aが「オフ」状態であ
る。第1のコンパレータ出力20cは、反転入力20bがもは
や非反転入力20aの電位よりも正でないので高論理レベ
ルへ切り換える。出力20cおよび制御入力22d、22dの高
論理レベルに応答してスイッチ手段22、24はそれぞれの
共通端子22c、24cをそれぞれの第1選択端子22a、24a
(図示のように)へ接続するように動作させられる。ラ
インL2の端子電位は、端子10−4b、12−4bがいまスイッ
チ手段22の作用で共通電位に結合されたので抵抗12b−
2をまたいで表れる。この電圧は非導通ダイオード12a
−2bにかかる導通電圧降下に制限される。回路の共通、
かつ、ラインL2の電位に関して、正方向に増加するライ
ンL1端子の電位は多重手段出力10−2aのVX電圧として表
れる。零交叉時間toのすぐ後、また、しばらくの間電圧
VXは第2コンパレータ入力26bの電圧が正極性である基
準電圧Vr1あるいはVr2の1つに実質的に等しいのでその
電圧より小である。それ故、第2のコンパレータの出力
26cの電圧は零交叉時間toで高論理レベルへ低論理レベ
ルから変わり、オン/オフ制御入力11−1は負荷が「オ
ン」状態へ命令されることを示す高論理レベルであれ
ば、両アンドゲート入力40a、40bはゲート出力40cも各
ライン−ライン電位の零交叉時間to、tO′、to″……等
において高論理レベルになるように高論理レベルであ
る。ゲート出力40cと入力42aの高論理レベル、および入
力42bの低レベルに応答して出力42cは比較的高い電位レ
ベル(そこに供給される動作電位+Vにほぼ等しい)に
スイッチされる。従って、スイッチモジュール制御電圧
Vgは正の高論理レベルであり、正の陽極(コレクタ/ド
レイン)電圧、即ち、装置12a−1aを有する電力モジュ
ール装置12a−1aあるいは12a−2aの1つを導通状態へス
イッチする。出力42cの高論理レベルは第3のコンパレ
ータ入力50aに表れ、第3のコンパレータの第2入力50b
の基準電圧Vr(スイッチ装置の導通閾値電圧Vthに実質
的に等しく設定される)より大であり、第3のコンパレ
ータ出力50cを低論理レベルにさせる。この低論理レベ
ルは第3のスイッチ手段制御入力32dに加えられる論理
B電圧として表れ、導通制御装置36を導通させて第2コ
ンパレータの非反転入力26bへ第2の基準電圧Vr2を加え
させる(一方、他の導通制御装置34はその制御電極34a
で低論理レベルを受け、実質的に非導通状態である)。
第3コンパレータの出力50cの低論理レベルは他の入力4
4aでアンドゲート出力40cから高論理レベルを受けるNOR
ゲート44の第2入力44bに提供され、それに応答してNOR
ゲート出力44cは導通制御装置28′dの制御入力28′d
の論理A信号にとって低論理レベルを提供する。それ
故、導通制御装置28′は非導通状態にあり、抵抗素子30
は入力26aと回路共通電位間に接続されない。従って、
正に向かう零交時間toのすぐ後、交流ライン−ライン電
圧のサイン曲線波形60の初期の正極性部60aの間、負荷1
4は電源16間に接続され、第2a図の影部62で示されるよ
うに負荷電流が流れる。同時に、正確な全波整流器(コ
ンパレータ20とスイッチ手段22、24によって形成され
る)の出力の電圧VXはサイン曲線(第2b図)の初期部64
aとして正方向に増加し始める。更に、論理B信号は低
論理レベルであるので、スイッチ手段32は、第2c図の波
形の部分66によって示されるように、スイッチ手段32か
ら第2のコンパレータ入力26bにもっと大きい基準電圧V
r2を提供するように動作する。装置12a−1aあるいは12a
−2aの導通に関連するノード12−2aあるいは12−2bの1
つにおける電圧が、第2b図の波形部64の間に示されるよ
うに、Vr2によって設定される最大「飽和」電圧より大
きくない限り、入力11−1の電圧が高論理レベルの「オ
ン」状態を維持すれば、ゲート信号Vgは高論理レベルを
維持し、導通スイッチ装置12aを導通状態に保持し続け
る。「オン」制御レベルが入力11−1に存在する間に導
通しているIGTの陽極電圧が第2の基準電圧Vr2によって
設定された電圧を越えれば、第2コンパレータ26の出力
26cがゲート出力40cと入力42aにおいて低論理レベルを
提供してオフにする制御シーケンスを開始させてスイッ
チ装置を保護するように高論理レベルに切り換える。導
通しているIGTの陽極電圧が第2の基準電圧を越えなく
とも、入力11−1が時間t1において低論理レベルの「オ
フ」制御状態に低下すると、ゲート出力40cはオフにす
る制御シーケンスを開始させる低論理レベルを入力42a
に提供する。
時間t1において、ゲート入力40aが低論理レベルへ切り
換えられる正常導通時限の終了に、あるいは第2基準電
圧Vr2によってセットされた電圧よりも大きく、かつ、
ゲート入力40bで低零レベルにするスイッチ装置陽極電
圧に応答してアンドゲート出力40cは低零レベルに低下
する。手段42は出力42cにおけるゲート駆動信号のオフ
にする制御を減少させる。このオフ制御作用が開始する
と、NORゲート44の両入力は低零レベルであり、ゲート
出力44cに高論理レベルを提供する。高論理レベルであ
る論理A信号に応答して導通制御装置28′は導通してVX
信号ノードから最も遠い抵抗素子30の端子を共通電位に
接続し、分圧器(現在導通している電力スイッチ装置12
a−1aあるいは12a−2aの1つと関連するサンプル抵抗12
b−1あるいは12b−2の1つと、抵抗素子30より構成さ
れる)はノード電圧で動作して電圧VXを提供する。それ
故、入力26aの電圧VXは、部分68aにおけるように、等式
VX=(R′/(R+R′))・VAに基づく電圧に突然低
下する。ここで、VAは導通するスイッチ装置の陽極電圧
である。初期オフ動作に続いて、手段42が分圧抵抗30に
関連してサンプル抵抗12b−1、12b−2を介して入力42
bへフィードバックされるdV/dt情報に応答してVg電圧を
減少させて出力46cの電圧を次第に減少させる。これに
よってスィッチ装置12aの導通しているところがオフに
させられる。この次第にオフにさせられる作用は破線部
62aによって示され(第2a図)、オフ制御手段42がない
と生じる急激なオフ現象62a′の発生を抑える。従っ
て、手段42にとって前もってセットされるdV/dtの最大
値によって決まる時間間隔tはオンの開始から終了する
まで要求され、時間t1において普通に命令されるオフの
開始にとって(低論理「オフ」レベルに低下する入力11
−1における制御電圧に応答して)、スイッチ装置の導
通しているものは時間t1+τまで完全にオフにはならな
い。このとき、スイッチ装置のゲート制御電圧Vgは第3
コンパレータの入力端子50bの基準電圧Vrに実質的に等
しいスイッチ装置の導通閾値電圧に実質的に等しい。そ
れから導通を行う装置の陽極電圧が基準電圧Vr2によっ
てセットされるレベルを越えると時間t1の前でいつでも
同じ作用が生じる。従って、オフが始まってある時間間
隔でτにおいてのみ、例えば、時間t1+τにおいて第3
コンパレータの出力50cの電圧が前の低論理レベルから
高論理レベルへ上って2つのスイッチ作用を同時に行わ
せる。第1のスイッチ作用はNORゲート出力44cに現在存
在する低論理レベルによって行われて低論理レベルA信
号を提供して装置28′の導通を外し、それによって分圧
抵抗素子30はもはや多重手段出力10−2aと回路共通電位
の間には接続されない。第2のスイッチ作用は制御入力
32dの高論理レベルB信号に応答して第3スイッチ手段3
2に第2コンパレータの非反転入力26bへもっと小さい基
準電圧Vr1信号を結合させる。従って、第2コンパレー
タの基準電圧V26bは部分66aの間Vr2レベルにあり、第2
部分66bの開始時に基準電圧Vr1へ低下し、一方、第2コ
ンパレータの入力26aの電圧は、部分68によって示され
るように、実質的に、ダイオード38cのツェナー電圧に
よって実現する動作電位+Vのレベル、例えば、約15ボ
ルトまで線形に上昇する。電源電圧が時間to′におい
て、負極性電源波形の半サイクルに入る前に零交叉しよ
うとするときライン−ライン半サイクル波形が、部分70
(第2b図)の間に、もっと小さい電圧に減少するまで、
抵抗12bの作用によって、部分64bに示されるように、電
圧VXは実質的にツェナーダイオード38cの電圧に維持さ
れる(現実には、ツェナーダイオード38cの電圧と導通
ダイオード38の導通しているものの電圧に第2スイッチ
手段24を介した電圧降下を加えたものに等しい電圧)。
従って、時間toにおいて零交叉するすぐ前では、電圧VX
は再び零レベルの大きさであり、他の第2コンパレータ
の入力(V26b)の電圧は再びVr1のレベルである。
時間to′の負に向かう零交叉において、第1コンパレー
タの入力20a、20bの極性変化によって第1および第2の
スイッチ手段22、24は多重手段入力10−4aを共通電位
(スイッチ手段22を介して)に効果的に接続するととも
に他のサンプル電圧入力端子10−4bを第2スイッチ手段
の共通端子24cに接続するように動作し、他のライン端
子12−2aおよび回路共通電位端子10−1、12−1に関し
て正極性信号としての電圧VXを再び提供する。第2およ
び第3のコンパレータ26、50、ゲート40、44および手段
42の動作は正極性の半サイクルの間その動作を繰り返
し、それによって初期導通部分(第2a図)はVX部分(第
2b図)およびV26b部分(第2c図)とともに通常時間t1
まで続く。今導通しているスイッチ装置12a−2aの陽極
電圧が第2の基準Vr2レベルを越えずに、かつ、通常の
オフ動作が時間t1′に行われないと、急激な導通終了動
作72a′は発生せず、実質的に線形のオフ動作72aが行わ
れて導通は実質的に線形に増加する部分68′の終了時で
時限t′の部分66a′の後の時間t1′+τ′に終了す
る。各時間間隔の時限は最大選択値dV/dtおよびオフ制
御動作の開始時に存在するスイッチ装置の陽極電圧に応
答するので、時限τおよびτ′は、必ずしも必要ではな
いが、等しい。その後、基準電圧Vr1は、部分66b′に示
されるように、第2コンパレータの非反転入力へ提供さ
れ、一方、第2コンパレータの反転入力は、電源波形半
サイクルが時間to′の次の正に向かう零交叉の前の低下
部分70′を提供する振幅に低下するときに終了する実質
的に定電圧部分64b′を迎える。このようにして、多重
手段10は制御手段11の協力を得て電源16の波形の時間
to、to′、to″…の零交叉を検出し、導通する電力スイ
ッチ装置の陽極電圧を監視し、導通している装置が飽和
から外されるとオフ動作を提供し、「オフ」時間t1ある
いはその前の時間で、関連する零交叉の後において、装
置12a−1aあるいは12a−2aの導通しているものの陽極の
減少電圧が前にセットされたdV/dtの最大値に効果的に
制限される場合にオフ制御動作を提供し、各電源波形の
半サイクルの残りの比較的大きな部分の間電源容量の変
化を提供し、かつ、次の電源波形の零交叉を検出して電
源波形の次の半サイクルの動作を行わせる制御多重装置
を自動的に準備することにより、電源波形の半サイクル
部分の全体が終了する。
交流電源をまたいで負荷と直列の少なくとも1つの電力
スイッチ装置を制御する集積回路制御手段を利用する本
発明の多重装置の一実施例が詳細に説明されたが、多く
の変形と修正が当該技術分野の者にとって明らかであ
る。それ故、添付された特許請求の範囲によってのみ限
定されるものであり、実施例によって特定された詳細な
説明等によって限定されないものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は交流電源をまたいで負荷と直列に接続された一
対の電力スイッチ半導体と、電力スイッチ半導体装置を
制御するための電圧制御速度変化フィードバックゲート
制御回路手段と、本発明の新規な多重手段の実施例を利
用した位相制御回路の説明図。 第1a図は追加される回路の詳細を示し、新規な多重手段
の動作方法を理解するのに有用な第1図の装置の詳しい
説明図。 第2図は第1図のおよび第1a図の回路の3つの時間的信
号波形図であり、本発明の原理を理解するのに有用な信
号波形図。 符号の説明 10……多重装置、11……制御回路手段 12……電力スイッチ手段 14……負荷、16……電源

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)導通制御信号VGに応答して飽和導通
    状態へ制御され、AC電源16からの電流を制御するために
    負荷14に接続された少なくとも1つのスイッチ装置12a
    −1、12a−2を有する電力スイッチモジュール12と、
    (B)補助「オン」制御信号が提供されさえすれば、前
    記スイッチモジュール12へ前記制御信号VGを提供するた
    めに電力スイッチモジュール12の制御回路手段11との相
    互接続を多重化する回路の組み合わせを含み、 第1および第2の多重化回路端子12−4aおよび12−4b
    と、 前記第1および第2の端子12−4aおよび12−4bのそれぞ
    れの1つと、負荷−電源直列回路の第1および第2の反
    対側の端部12−2aおよび12−2bのそれぞれの1つとの間
    に接続された第1および第2の実質的に抵抗性の素子12
    −b1および12−b2と、 前記第1および第2の回路端子12−4aおよび12−4bに接
    続された第1および第2の入力20aおよび20bと、前記入
    力の1つの電位が他の入力の電位より大きいときに応答
    して第1および第2の状態の1つの信号を提供する出力
    20cを有したコンパレータ20、およびコンパレータ20の
    出力の第1および第2の状態に応答して第1および第2
    の選択可能な端子22a/24aおよび22b/24bの間を接続する
    ように制御される共通端子22c、24cを有する一対のスイ
    ッチ手段22、24であって第1のスイッチ手段22の第1の
    選択可能な端子22aと第2のスイッチ手段24の第2の選
    択可能な端子24bは前記第1および第2の回路端子12−4
    aおよび12−4bの1つ12−4aと並列接続され、前記第1
    のスイッチ手段22の第2の選択可能な端子22bと前記第
    2のスイッチ手段24の第1の選択可能な端子24aは前記
    回路端子12−4aおよび12−4bの他の1つ12−4bに並列に
    接続され、前記一対のスイッチ手段22、24の1つ22の共
    通端子22cは回路共通端子に接続され、かつ、前記一対
    のスイッチ手段22、24の他のスイッチ手段24の共通端子
    24cは予め選択された極性を有した点10−2aにおける第
    1の信号VXとして前記第1および第2の回路端子12−4
    a、12−4bの間でAC信号波形の両半サイクルを多重化す
    る一対のスイッチ手段22、24を含む第1の手段20、22、
    24と、 予め選択された極性と実質的に零の大きさを有する第1
    の基準電位VR1と、予め選択された極性と前記スイッチ
    手段の飽和電圧より大きくならないように選択された零
    でない大きさを有する第2の基準電位VR2のそれぞれの
    1つを提供するために第1の論理信号Bのそれぞれの第
    1および第2の状態に応答する手段32と、 前記ゼロクロス信号VZ,Lと端子11−1における前記補
    助「オン」信号の存在に応答して前記電源信号波形のそ
    れぞれの半サイクルの間前記第1の信号Bが前記制御回
    路手段11に前記制御信号VGを提供させるように前記第1
    の基準信号VR1の実質的な零の大きさより小さい大きさ
    であるときはいつも第1の状態において前記制御回路手
    段11へ端子10−2bにおけるゼロクロス・ターンオン駆動
    信号を提供するための第2の手段26と、 前記少なくとも1つのスイッチ装置12a−1、12a−2が
    飽和導通状態を離れると前記制御回路手段11に前記導通
    制御信号VGを除去させるように前記少なくとも1つのス
    イッチ装置12a−1、12a−2の導通状態を監視させるた
    めに少なくとも前記抵抗性の素子12b−1、12b−2と前
    記第1の手段20、22、24とともに動作する第3の手段2
    8、30を含む位相制御回路の多重装置。
  2. 【請求項2】前記第2の手段は前記第1の信号を受ける
    第1の入力26aと、32cにおける前記基準電位を受ける第
    2の入力26bと、出力26cを有する第2のコンパレータ26
    を含み、前記第1の入力26aにおける信号VXの大きさが
    前記第2の入力26bにおける基準電位の大きさより小な
    るとき前記出力26cにおいて前記第1の状態にある前記
    ターンオン駆動信号が提供される特許請求の範囲第1項
    の位相制御回路の多重装置。
  3. 【請求項3】装置に動作電位Vを提供するために前記第
    1および第2の端子10−4a、10−4bに接続された電源手
    段38を含む特許請求の範囲第2項の位相制御回路の多重
    装置。
  4. 【請求項4】前記電源手段38が前記制御回路手段11に動
    作電位Vを提供する特許請求の範囲第3項の位相制御回
    路の多重装置。
  5. 【請求項5】前記電源手段38が変動するDC電位を提供す
    るために前記第1および第2の回路端子10−4a、10−4b
    におけるAC信号を整流するための手段38a、38bと、実質
    的に一定のDC電位Vを提供するために変動するDC電位を
    フィルタするための手段12cを含む特許請求の範囲第3
    項の位相制御回路の多重装置。
  6. 【請求項6】前記整流するための手段38a、38bが一対の
    一方向に導通する半導体素子を含み、前記フィルタする
    ための手段がフィルタ静電容量38cを含む特許請求の範
    囲第5項の位相制御回路の多重装置。
  7. 【請求項7】前記フィルタ静電容量38cが物理的に前記
    スイッチモジュール12に位置している特許請求の範囲第
    6項の位相制御回路の多重装置。
  8. 【請求項8】動作電位Vの大きさを規制するための手段
    38cを含む特許請求の範囲第6項の位相制御回路の多重
    装置。
  9. 【請求項9】前記制御回路手段11が導通および非導通状
    態に前記スイッチモジュール12を制御するレベルにある
    制御信号VGに応答して第1および第2の状態にある第1
    の論理信号Bを提供し、前記電位提供手段32が前記少な
    くとも1つのスイッチ素子12a−1、12a−2の飽和電圧
    の大きさに実質的に等しい大きさVR2を有する第2の電
    位源と、前記第1の論理信号Bの前記第1および第2の
    状態の1つの存在に応答して前記第2のコンパレータの
    第2の入力26bへの基準電位としての前記第1および第
    2の基準電位VR1、VR2の1つを接続するための他のスイ
    ッチ手段32を含み、前記第2のコンパレータの出力26c
    が前記第2の基準電位VR2を越える飽和電圧値に応答し
    て第2の状態に変化することによって前記少なくとも1
    つのスイッチ装置12a−1、12a−2が非導通状態へ制御
    される特許請求の範囲第1項の位相制御回路の多重装
    置。
  10. 【請求項10】前記他のスイッチ手段32が前記第1およ
    び第2の基準電位VR1、VR2の1つと前記第2のコンパレ
    ータの第2の入力26bの間に接続された制御される回路
    の電流を制御する制御入力を有する一対の制御導通装置
    34、36と、第1の基準電位に接続された装置の制御入力
    へ直接前記第1の論理信号を加え、第2の基準電位VR2
    に接続された装置の制御入力36aに論理反転37を与える
    手段を含む特許請求の範囲第9項の位相制御回路の多重
    装置。
  11. 【請求項11】前記制御回路手段11はもはや端子11−1
    における前記補助「オン」を受けない状態と、前記少な
    くとも1つのスイッチ装置は飽和導通状態を離れる状態
    の中で最初に発生する状態に応答して前記スイッチモジ
    ュール12を流れる電流を次第にオフにする手段42、44、
    50を含む特許請求の範囲第1項の位相制御回路の多重装
    置。
  12. 【請求項12】前記制御回路手段11は、この手段11が前
    記補助「オン」信号をもはや受けない状態と、前記少な
    くとも1つのスイッチ装置が飽和導通状態を離れる状態
    の中で最初に発生する状態に応答して第2の論理信号A
    を発生し、前記第1の信号VXの大きさの増加に応答して
    前記スイッチモジュールをオフにし、前記第3の手段2
    8、30は前記第2の論理信号Aの開始に応答して前記制
    御回路手段へ提供される前記第1の信号VXの大きさを減
    衰させるために前記実質的に抵抗性の素子の1つに前記
    第3の手段を介して動作的に接続される手段28、30を含
    み、前記次第にオフにする手段42は前記スイッチモジュ
    ールのdV/dtの変化を所定の最大値に制限するために減
    衰した第1の信号VXに関連して動作する特許請求の範囲
    第11項の位相制御回路の多重装置。
  13. 【請求項13】前記減衰させるための手段が前記第1の
    手段の出力24cに結合された第1の端部、および第2の
    端部を有した抵抗性素子30と、少なくとも1つの前記実
    質的な抵抗性の素子に関連して、前記第1の信号の大き
    さを減少させるために、前記第2の論理信号に応答して
    回路共通電位に前記抵抗性の素子30の第2の端部を接続
    するための追加スイッチ手段28を含む特許請求の範囲第
    12項の位相制御回路の多重装置。
  14. 【請求項14】前記スイッチ手段12の次第にオフになる
    状態の休止の後に電源波形の半サイクルの残部のために
    前記第1の基準電位VR1を前記第2のコンパレータ26の
    第2の入力26bに印加するための手段32を含むむ特許請
    求の範囲第12項の位相制御回路の多重装置。
  15. 【請求項15】装置に動作電位を提供するために前記第
    1および第2の回路端子に接続された電源手段38を含む
    特許請求の範囲第11項の位相制御回路の多重装置。
  16. 【請求項16】前記電源手段が前記制御回路手段に動作
    電位を提供する特許請求の範囲第15項の位相制御回路の
    多重装置。
  17. 【請求項17】前記電源手段が変動するDC電位を提供す
    るために前記第1および第2の回路端子のAC信号を整流
    するための手段38a、38bと、実質的に一定のDC電位を提
    供するために変動するDC電位をフィルタするための手段
    12cを含む特許請求の範囲第15項の位相制御回路の多重
    装置。
  18. 【請求項18】前記整流するための手段が一対の一方向
    に導通する半導体素子を含み、前記フィルタするための
    手段がフィルタ静電容量を含む特許請求の範囲第17項の
    位相制御回路の多重装置。
  19. 【請求項19】前記フィルタ静電容量が物理的に前記ス
    イッチモジュールに位置している特許請求の範囲第18項
    の位相制御回路の多重装置。
  20. 【請求項20】動作電位の大きさを規制するための手段
    38cを含む特許請求の範囲第19項の位相制御回路の多重
    装置。
  21. 【請求項21】前記第1および第2の実質的な抵抗性の
    素子12b−1、12b−2は実質的に同じ抵抗値Rを有する
    特許請求の範囲第1項の位相制御回路の多重装置。
JP60246121A 1984-11-02 1985-11-01 位相制御回路の多重装置 Expired - Lifetime JPH0772851B2 (ja)

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US667926 1984-11-02

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