JPH0363830B2 - - Google Patents
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- JPH0363830B2 JPH0363830B2 JP24935084A JP24935084A JPH0363830B2 JP H0363830 B2 JPH0363830 B2 JP H0363830B2 JP 24935084 A JP24935084 A JP 24935084A JP 24935084 A JP24935084 A JP 24935084A JP H0363830 B2 JPH0363830 B2 JP H0363830B2
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体チツプの裏面に共通電極、表
面に複数個の個別電極を有するモノリシツク発光
ダイオードアレイに関するものである。
面に複数個の個別電極を有するモノリシツク発光
ダイオードアレイに関するものである。
［従来の技術］
従来、モノリシツク発光ダイオードとしては、
単結晶基板の上に成長させたエピタキシヤル成長
層に不純物を拡散させた構造が知られている。
単結晶基板の上に成長させたエピタキシヤル成長
層に不純物を拡散させた構造が知られている。
第５図は、従来のモノリシツク発光ダイオード
アレイの上面図、第６図は第５図におけるＡ−
A′断面の斜視図である。
アレイの上面図、第６図は第５図におけるＡ−
A′断面の斜視図である。
図中、１はｎ型GaAs基板、２および３はそれ
ぞれエピタキシヤル成長させたｎ型GaAs1-xPx層
およびｎ型GaAs層である。４および５は、ｎ型
GaAs層３の表面からZnを選択拡散させることに
よつて形成したｐ型領域であつて、４は発光再結
合部、５は各発光再結合部４よりなる個々の発光
ダイオード部門のアイソレーシヨンストライプで
ある。６は各発光ダイオード部のｎ型GaAs層３
の電極部９上に設けられた通電用の個別プラス電
極、７はｎ型GaAs基板の裏面に設けられた各発
光ダイオード部共通のマイナス電極である。
ぞれエピタキシヤル成長させたｎ型GaAs1-xPx層
およびｎ型GaAs層である。４および５は、ｎ型
GaAs層３の表面からZnを選択拡散させることに
よつて形成したｐ型領域であつて、４は発光再結
合部、５は各発光再結合部４よりなる個々の発光
ダイオード部門のアイソレーシヨンストライプで
ある。６は各発光ダイオード部のｎ型GaAs層３
の電極部９上に設けられた通電用の個別プラス電
極、７はｎ型GaAs基板の裏面に設けられた各発
光ダイオード部共通のマイナス電極である。
プラス電極６、マイナス電極７間に正バイヤス
を加えると、ｎ型GaAs1-xPx層２からの電子はｐ
型領域である発光再結合部４に注入され、発光再
結合による光は、個別プラス電極６およびｎ型
GaAs層３に設けられた光取り出し孔８を通つて
矢印Ｃの示す如く外部に放出される。
を加えると、ｎ型GaAs1-xPx層２からの電子はｐ
型領域である発光再結合部４に注入され、発光再
結合による光は、個別プラス電極６およびｎ型
GaAs層３に設けられた光取り出し孔８を通つて
矢印Ｃの示す如く外部に放出される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、従来の拡散型発光ダイオードアレイは
上記したような構成であるため、次のような問題
点をもつている。
上記したような構成であるため、次のような問題
点をもつている。
(1) Znの選択拡散を必要とするため、拡散マス
クの形成工程を含め工程が複雑である。
クの形成工程を含め工程が複雑である。
(2) Znの選択拡散はアンプル内拡散であり、製
造コストが高くなる。
造コストが高くなる。
(3) Znの選択拡散はインターステイシヤルな部
分を含むため、特に結晶欠陥部で異常拡散を生
じ易く、歩留りを低下するおそれがある。
分を含むため、特に結晶欠陥部で異常拡散を生
じ易く、歩留りを低下するおそれがある。
(4) 駆動用集積回路としてはプラス電極を共通、
マイナス電極を個別に設けることが望ましい
が、−族化合物半導体では、実用的なドナ
ー拡散源がないためｎ型基板しか用いられず、
従つてマイナス電極を共通にしたアレイしか得
られない。
マイナス電極を個別に設けることが望ましい
が、−族化合物半導体では、実用的なドナ
ー拡散源がないためｎ型基板しか用いられず、
従つてマイナス電極を共通にしたアレイしか得
られない。
(5) 各発光ダイオード部の個別電極はリードワイ
ヤで配線されているため、ボンデイング等の工
数がかかり、微細構造にはむかない。
ヤで配線されているため、ボンデイング等の工
数がかかり、微細構造にはむかない。
［発明の目的］
本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を
解消し、Znの選択拡散工程を必要とせず、従つ
て簡単な工程で低コストの製造ができ、結晶欠陥
の存在もあまり歩留りに影響することなく、更に
はワイヤボンデイング不用の新規な構造のメサ型
モノリシツク発光ダイオードアレイを提供するこ
とにある。
解消し、Znの選択拡散工程を必要とせず、従つ
て簡単な工程で低コストの製造ができ、結晶欠陥
の存在もあまり歩留りに影響することなく、更に
はワイヤボンデイング不用の新規な構造のメサ型
モノリシツク発光ダイオードアレイを提供するこ
とにある。
［問題点を解決するため手段］
すなわち、本発明の要旨は、GaAs基板上にｐ
−ｎ接合面が形成されるよう少なくとも一層の混
晶系エピタキシヤル層が成長され、前記ｐ−ｎ接
合面が相直交するメサ・エツチング溝により一列
に並ぶ複数個の発光ダイオード部に分割されてな
る発光ダイオードアレイにおいて、各隣接する前
記発光ダイオード部門に設けられている前記メ
サ・エツチング溝は逆メサ方向のエツチング溝で
あり、それに直交し前記発光ダイオードアレイを
縦断する前記メサ・エツチング溝は順メサ方向の
エツチング溝であり、前記各発光ダイオード部の
電極部に接続される金属膜配線が前記電極部から
前記順メサ方向のエツチング溝上を通つて引き出
されていることにある。
−ｎ接合面が形成されるよう少なくとも一層の混
晶系エピタキシヤル層が成長され、前記ｐ−ｎ接
合面が相直交するメサ・エツチング溝により一列
に並ぶ複数個の発光ダイオード部に分割されてな
る発光ダイオードアレイにおいて、各隣接する前
記発光ダイオード部門に設けられている前記メ
サ・エツチング溝は逆メサ方向のエツチング溝で
あり、それに直交し前記発光ダイオードアレイを
縦断する前記メサ・エツチング溝は順メサ方向の
エツチング溝であり、前記各発光ダイオード部の
電極部に接続される金属膜配線が前記電極部から
前記順メサ方向のエツチング溝上を通つて引き出
されていることにある。
［要旨の補足説明］
一般に、セン亜鉛鉱型の−族化合物半導体
結晶にあつては、化学エツチングの速度や劈開方
向に異方性が強く存在し、そのため、素子形成用
単結晶ウエハとしては、（100）面ないしこれに近
い面方位をもつたものが用いられる。
結晶にあつては、化学エツチングの速度や劈開方
向に異方性が強く存在し、そのため、素子形成用
単結晶ウエハとしては、（100）面ないしこれに近
い面方位をもつたものが用いられる。
例えば、第３図に示す如く、（100）面を〈011〉
方向およびこれと直角な〈０１１〉方向にメサ・
エツチングすれば、それぞれのメサの稜角は
〈011〉方向のものでは鋭角になるためこれを逆メ
サと呼び、〈011〉方向ないしこれに近い方向を逆
メサ方向と呼んでいる。反対に、稜角が鈍角にな
る〈０１１〉方向ないしこれに近い方向を順メサ
方向と呼んでいる。
方向およびこれと直角な〈０１１〉方向にメサ・
エツチングすれば、それぞれのメサの稜角は
〈011〉方向のものでは鋭角になるためこれを逆メ
サと呼び、〈011〉方向ないしこれに近い方向を逆
メサ方向と呼んでいる。反対に、稜角が鈍角にな
る〈０１１〉方向ないしこれに近い方向を順メサ
方向と呼んでいる。
ところで、第４図ａ，ｂにそれぞれのメサ断面
図を示した如く、第４図ａ、において逆メサ方向
のエツチング法では融着金属膜１６がメサ稜部で
段切れを起こし、反対に第４図ｂにおいて順メサ
方向のエツチング部では蒸着金属膜１６の段切れ
は起こらない。なお、第３図および第４図中、１
２は結晶基板、１３は絶縁膜である。
図を示した如く、第４図ａ、において逆メサ方向
のエツチング法では融着金属膜１６がメサ稜部で
段切れを起こし、反対に第４図ｂにおいて順メサ
方向のエツチング部では蒸着金属膜１６の段切れ
は起こらない。なお、第３図および第４図中、１
２は結晶基板、１３は絶縁膜である。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
第１図に本発明のメサ型モノリシツク発光ダイ
オードアレイの上面図、第２図に第１図のＢ−
B′断面の斜視図を示す。
オードアレイの上面図、第２図に第１図のＢ−
B′断面の斜視図を示す。
図中、２１はＰ型GaAs基板、２２はエピタキ
シヤル成長させたｐ型Ga1-xAlxAs層であり、そ
の混晶比ｘのはｘ＝0.10〜0.35程度の範囲内で、
これは希望する発光波長によつて適宜定められ
る。２３はｐ型Ga1-xAlxAs層２２上にエピタキ
シヤル成長させたｎ型Ga1−yAlyAs層であり、
その混晶比ｙは、上記混晶比ｘよりも高くするこ
とによつて、ｐ型Ga1-xAlxAs層２２からの発光
波長に対する光透過性と、このｎ型Ga1-yAlyAl
層２３からの電子の注入効率の増加およびｐ型
Ga1-xAlxAs層２２内に注入さた少数キヤリアの
閉じ込めを図つている。
シヤル成長させたｐ型Ga1-xAlxAs層であり、そ
の混晶比ｘのはｘ＝0.10〜0.35程度の範囲内で、
これは希望する発光波長によつて適宜定められ
る。２３はｐ型Ga1-xAlxAs層２２上にエピタキ
シヤル成長させたｎ型Ga1−yAlyAs層であり、
その混晶比ｙは、上記混晶比ｘよりも高くするこ
とによつて、ｐ型Ga1-xAlxAs層２２からの発光
波長に対する光透過性と、このｎ型Ga1-yAlyAl
層２３からの電子の注入効率の増加およびｐ型
Ga1-xAlxAs層２２内に注入さた少数キヤリアの
閉じ込めを図つている。
２６は、ｎ型Ga1-yAlyAs層２３の電極部２９
に接続される配線用の個別マイナス電極であり、
金属膜が蒸着されている。
に接続される配線用の個別マイナス電極であり、
金属膜が蒸着されている。
２４は、個別マイナス電極２６と電極部２９以
外のｎ型Ga1-yAlyAs層２３とを絶縁するために
設けられたフオスホ・シリケート・ガラス
（PSG）膜である。
外のｎ型Ga1-yAlyAs層２３とを絶縁するために
設けられたフオスホ・シリケート・ガラス
（PSG）膜である。
２５はメサ・エツチング溝で、２５ａは逆メサ
方向のエツチング溝、２５ｂは順メサ方向のエツ
チング溝であり、それぞれ各発光ダイオード部３
０をアイソレートするために設けられている。な
お、各隣接する発光ダイオード部３０間には逆メ
サ方向のエツチング溝が設けられ、素子を縦断す
るように順メサ方向のエツチング溝が設けられる
ようにしなければならない。
方向のエツチング溝、２５ｂは順メサ方向のエツ
チング溝であり、それぞれ各発光ダイオード部３
０をアイソレートするために設けられている。な
お、各隣接する発光ダイオード部３０間には逆メ
サ方向のエツチング溝が設けられ、素子を縦断す
るように順メサ方向のエツチング溝が設けられる
ようにしなければならない。
よつて、各個別マイナス電極２６は、電極部２
９から順メサ方向のエツチング溝２５ｂ上を通つ
て引き出されるため、メサの稜部で段切れを起こ
して断線することがない。
９から順メサ方向のエツチング溝２５ｂ上を通つ
て引き出されるため、メサの稜部で段切れを起こ
して断線することがない。
２７はＰ型GaAs基板２１の裏面に金属膜を全
面蒸着させて形成した共通プラス電極である。
面蒸着させて形成した共通プラス電極である。
この構造において、個別マイナス電極２６と共
通プラス電極２７との間に電圧を印加して発光ダ
イオード部３０に順方向電流を流せば、ｎ型
Ga1-yAlyAs層２３から電子がｐ型Ga1-xAlxAs層
２２に注入されて発光再結合を起こし、光はメサ
部から上方に放出される。
通プラス電極２７との間に電圧を印加して発光ダ
イオード部３０に順方向電流を流せば、ｎ型
Ga1-yAlyAs層２３から電子がｐ型Ga1-xAlxAs層
２２に注入されて発光再結合を起こし、光はメサ
部から上方に放出される。
なお、個別マイナス電極２６が引き出し部でＬ
字型になつているのは、ワイヤボンデイングが容
易に行えるようにするためである。
字型になつているのは、ワイヤボンデイングが容
易に行えるようにするためである。
実施例 １
Znドープ、キヤリア濃度２×1018cm-3である厚
さ350μｍのＰ型GaAs基板の（100）表面に液相
エピタキシヤル成長により、キヤリア濃度５×
1016cm-3のｐ型Ga0.9Al0.1As層を20μｍおよびキヤ
リア濃度２×1017cm-3のｎ型Ga0.7Al0.3As層を3μ
ｍ順次成長させた。
さ350μｍのＰ型GaAs基板の（100）表面に液相
エピタキシヤル成長により、キヤリア濃度５×
1016cm-3のｐ型Ga0.9Al0.1As層を20μｍおよびキヤ
リア濃度２×1017cm-3のｎ型Ga0.7Al0.3As層を3μ
ｍ順次成長させた。
この表面をメサ・エツチングして、（100）面に
対して順メサ方向である〈０１１〉方向のエツチ
ング溝を２本設け、その〈０１１〉方向に垂直な
逆メサ方向である〈011〉方向のエツチング溝を
２本の順メサエツチング溝間に設けた。よつて、
これらメサ・エツチング溝にぐより、〈０１１〉
方向に一列に並ぶ発光ダイオード部が形成された
ことになる。なお、それぞれのメサ・エツチング
溝の深さを5μｍとした。
対して順メサ方向である〈０１１〉方向のエツチ
ング溝を２本設け、その〈０１１〉方向に垂直な
逆メサ方向である〈011〉方向のエツチング溝を
２本の順メサエツチング溝間に設けた。よつて、
これらメサ・エツチング溝にぐより、〈０１１〉
方向に一列に並ぶ発光ダイオード部が形成された
ことになる。なお、それぞれのメサ・エツチング
溝の深さを5μｍとした。
次に、全表面を覆うようにPSG膜を0.2μｍ成長
させ、その後各発光ダイオード部の電極部上の
PSG膜をフツ酸により除去した。
させ、その後各発光ダイオード部の電極部上の
PSG膜をフツ酸により除去した。
PSG膜上には、個別マイナス電極として各発
光ダイオード部の電極部から順メサ方向のエツチ
ング溝上を通つて引き出されるよう金−ゲルマニ
ウム合金／ニツケル／金の金属膜を蒸着し、その
厚さをそれぞれ0.1μｍ／0.2μｍ／0.5μｍとした。
光ダイオード部の電極部から順メサ方向のエツチ
ング溝上を通つて引き出されるよう金−ゲルマニ
ウム合金／ニツケル／金の金属膜を蒸着し、その
厚さをそれぞれ0.1μｍ／0.2μｍ／0.5μｍとした。
基板の裏面全体には共通プラス電極として厚さ
がそれぞれ0.1μｍ／0.2μｍ／0.5μｍである金−亜
鉛／ニツケル／金の金属膜を蒸着した。
がそれぞれ0.1μｍ／0.2μｍ／0.5μｍである金−亜
鉛／ニツケル／金の金属膜を蒸着した。
発光ダイオード部は、１mm当り16個の割合で形
成され、1.6mm×８mmのチツプ中に128個の発光ダ
イオード部を形成することができた。
成され、1.6mm×８mmのチツプ中に128個の発光ダ
イオード部を形成することができた。
このメサ型モノリシツク発光ダイオードアレイ
の立上り電圧は0.4Vで、順方向1.6Vにおいて
10mA以上、逆耐圧が7V以上、発光波長は800mm
であつた。
の立上り電圧は0.4Vで、順方向1.6Vにおいて
10mA以上、逆耐圧が7V以上、発光波長は800mm
であつた。
又、順メサ方向のエツチング上に金属膜が蒸着
されているため、第４図ｂに示したように段切れ
が生ずることがなく、歩留り100％で2000時間使
用後も断線することのないメサ型モノリシツク発
光ダイオードを得ることができた。
されているため、第４図ｂに示したように段切れ
が生ずることがなく、歩留り100％で2000時間使
用後も断線することのないメサ型モノリシツク発
光ダイオードを得ることができた。
このように、本発明の実施例であれば、従来の
ような工程の複雑なZn選択拡散技術を必要とせ
ず、簡単な工程で製造可能であり、各発光ダイオ
ード部３０の特性のばらつきが少ないものであ
る。
ような工程の複雑なZn選択拡散技術を必要とせ
ず、簡単な工程で製造可能であり、各発光ダイオ
ード部３０の特性のばらつきが少ないものであ
る。
上記実施例では、基板結晶としてｐ型GaAsを
用いていたが、ｎ型GaAsを用いることも可能
で、ｎ型GaAsを用いた場合、共通電極側をマイ
ナス電極、個別電極側をプラス電極としてもよ
い。
用いていたが、ｎ型GaAsを用いることも可能
で、ｎ型GaAsを用いた場合、共通電極側をマイ
ナス電極、個別電極側をプラス電極としてもよ
い。
また、各発光ダイオード部３０に設けられる個
別電極が、発光面の中心部に位置するいわゆる中
心電極型のものにつにて記載したが、本発明はこ
れに限られるものではなく、第１図および第２図
に示した光透過孔を有するいわゆる周辺電極型な
どあらゆる電極形状について適用可能である。
別電極が、発光面の中心部に位置するいわゆる中
心電極型のものにつにて記載したが、本発明はこ
れに限られるものではなく、第１図および第２図
に示した光透過孔を有するいわゆる周辺電極型な
どあらゆる電極形状について適用可能である。
また、GaAs基板上に形成される混晶系も
GaAlAsに限られるものではなく、その他の混晶
系を用いてもよい。
GaAlAsに限られるものではなく、その他の混晶
系を用いてもよい。
［発明の効果］
以上に説明した如く、本発明のメサ型モノリシ
ツク発光ダイオードアレイは次のような顕著な効
果を奏する。
ツク発光ダイオードアレイは次のような顕著な効
果を奏する。
(1) Znの選択拡散を必要とせず工程が簡単でか
つ異常拡散等による発光不良を生じないため、
歩留り高く生産でき、かつ各発光ダイオード部
の発光特性にばらつきが少ないものである。
つ異常拡散等による発光不良を生じないため、
歩留り高く生産でき、かつ各発光ダイオード部
の発光特性にばらつきが少ないものである。
(2) 基板結晶として、ｎ型あるいはｐ型のどちら
のGaAs基板をも用いることができるため、共
通電極をプラスあるいはマイナスのどちらの電
極にも設計可能であり、駆動回路の選択自由度
が大きい。
のGaAs基板をも用いることができるため、共
通電極をプラスあるいはマイナスのどちらの電
極にも設計可能であり、駆動回路の選択自由度
が大きい。
(3) 順メサ方向のエツチング溝を通つて蒸着金属
膜で配線引出しができるため、ワイヤボンデイ
ング工程を省くことが可能であり、生産性に優
れている。
膜で配線引出しができるため、ワイヤボンデイ
ング工程を省くことが可能であり、生産性に優
れている。
第１図は本発明の実施例を示す上面図、第２図
は第１図におけるＢ−B′断面の斜視図、第３図
はエツチングによるメサ形状を示す説明図、第４
図はメサ断面を示す断面図、第５図は従来例を示
す上面図、第６図は第５図におけるＡ−A′断面
の斜視図である。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型GaAs1-xPx
層、３……ｎ型GaAs層、４……発光再結合部、
５……アイソレーシヨンストライプ、６……個別
プラス電極、７……共通マイナス電極、８……光
取り出し孔、９，２９……電極部、１２……結晶
基板、１３……絶縁膜、１６……蒸着金属膜、２
１……ｐ型GaAs基板、２２……ｐ型Ga1-xAlxAs
層、２３……ｎ型Ga1-yAlyAs層、２４……PSG
膜、２５……メサ・エツチング溝、２６……個別
マイナス電極、２７……共通プラス電極、３０…
…発光ダイオード部。
は第１図におけるＢ−B′断面の斜視図、第３図
はエツチングによるメサ形状を示す説明図、第４
図はメサ断面を示す断面図、第５図は従来例を示
す上面図、第６図は第５図におけるＡ−A′断面
の斜視図である。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型GaAs1-xPx
層、３……ｎ型GaAs層、４……発光再結合部、
５……アイソレーシヨンストライプ、６……個別
プラス電極、７……共通マイナス電極、８……光
取り出し孔、９，２９……電極部、１２……結晶
基板、１３……絶縁膜、１６……蒸着金属膜、２
１……ｐ型GaAs基板、２２……ｐ型Ga1-xAlxAs
層、２３……ｎ型Ga1-yAlyAs層、２４……PSG
膜、２５……メサ・エツチング溝、２６……個別
マイナス電極、２７……共通プラス電極、３０…
…発光ダイオード部。
Claims (1)
- １ GaAs基板上にｐ−ｎ接合面が形成されるよ
う少なくとも一層の混晶系エピタキシヤル層が成
長され、前記ｐ−ｎ接合面が相直交するメサ・エ
ツチング溝により一列に並ぶ複数個の発光ダイオ
ード部に分割されてなる発光ダイオードアレイに
おいて、各隣接する前記発光ダイオード部門に設
けられている前記メサ・エツチング溝は逆メサ方
向のエツチング溝であり、それに直交しかつ前記
発光ダイオードアレイを縦断する前記メサ・エツ
チング溝は順メサ方向のエツチング溝であり、前
記各発光ダイオード部の電極部に接続される金属
膜配線が前記電極部から前記順メサ方向のエツチ
ング溝上を通つて引き出されているものであるこ
とを特徴とするメサ型モノリシツク発光ダイオー
ドアレイ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249350A JPS6216583A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | メサ型モノリシック発光ダイオードアレイ |
| DE3541790A DE3541790C2 (de) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Lichtemittierende lineare Festkörper-Diodenanordnung |
| US07/178,648 US4984035A (en) | 1984-11-26 | 1988-04-07 | Monolithic light emitting diode array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249350A JPS6216583A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | メサ型モノリシック発光ダイオードアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216583A JPS6216583A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0363830B2 true JPH0363830B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=17191715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59249350A Granted JPS6216583A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | メサ型モノリシック発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6216583A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752779B2 (ja) * | 1987-12-09 | 1995-06-05 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオードアレイ |
| US5406095A (en) * | 1992-08-27 | 1995-04-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Light emitting diode array and production method of the light emitting diode |
| JP3797748B2 (ja) | 1997-05-30 | 2006-07-19 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードアレイ |
| JP4046586B2 (ja) | 2002-01-16 | 2008-02-13 | シャープ株式会社 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59249350A patent/JPS6216583A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6216583A (ja) | 1987-01-24 |
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