JPH061691A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH061691A JPH061691A JP19158192A JP19158192A JPH061691A JP H061691 A JPH061691 A JP H061691A JP 19158192 A JP19158192 A JP 19158192A JP 19158192 A JP19158192 A JP 19158192A JP H061691 A JPH061691 A JP H061691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- crystal growth
- reaction
- vapor phase
- phase crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＯＣＶＤ装置において、反応管下流側の外
壁に付着する反応生成物を減らすとともに、付着物の除
去作業を簡易にする。 【構成】 反応管１下流側外部にヒータ７を設けて外壁
の温度を上げておくとともに、取り外し容易で、内部に
冷却剤６を流すことのできるパイプ（細管）５を、反応
管１内の、ウェハ３よりも下流側に設ける。 【効果】 パイプ５に反応生成物１０が集められ、容易
に反応管１内から反応生成物１０を除去することができ
る。
壁に付着する反応生成物を減らすとともに、付着物の除
去作業を簡易にする。 【構成】 反応管１下流側外部にヒータ７を設けて外壁
の温度を上げておくとともに、取り外し容易で、内部に
冷却剤６を流すことのできるパイプ（細管）５を、反応
管１内の、ウェハ３よりも下流側に設ける。 【効果】 パイプ５に反応生成物１０が集められ、容易
に反応管１内から反応生成物１０を除去することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は気相結晶成長装置に関
し、特に管内の堆積物の除去が簡便な気相結晶成長装置
に関するものである。
し、特に管内の堆積物の除去が簡便な気相結晶成長装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、例えば従来の縦型炉と呼ばれる
反応管を有する有機金属気相結晶成長（Metal Organic
Chemical Vapor Deposition ；ＭＯＣＶＤ）装置の、反
応管周りの断面図である。
反応管を有する有機金属気相結晶成長（Metal Organic
Chemical Vapor Deposition ；ＭＯＣＶＤ）装置の、反
応管周りの断面図である。
【０００３】図において、１は反応管、４は反応管１内
に配置され、その上にインジウムリン基板等の被処理ウ
ェハ３を搭載するためのウェハ支持体である。また２
は、トリメチルインジウム，トリメチルガリウム，ホス
フィン，アルシンといった反応ガスであり、反応管１の
上方から導入されるようになっている。１０は管内の下
流側に堆積した反応生成物である。また、１１は排気系
配管である。
に配置され、その上にインジウムリン基板等の被処理ウ
ェハ３を搭載するためのウェハ支持体である。また２
は、トリメチルインジウム，トリメチルガリウム，ホス
フィン，アルシンといった反応ガスであり、反応管１の
上方から導入されるようになっている。１０は管内の下
流側に堆積した反応生成物である。また、１１は排気系
配管である。
【０００４】次に結晶成長時の動作について説明する。
反応管１内へ送り込まれた反応ガス２は、ウェハ支持台
４の抵抗加熱等により加熱されたウェハ３上で分解し、
ウェハ３上に所定の組成比を有する結晶を成長する。こ
のとき加熱分解されたがウェハ３上に結晶成長しなかっ
た反応ガス２の残りは反応管１下流の外壁近くで冷やさ
れてそこに多く析出し、堆積した反応生成物１０とな
る。
反応管１内へ送り込まれた反応ガス２は、ウェハ支持台
４の抵抗加熱等により加熱されたウェハ３上で分解し、
ウェハ３上に所定の組成比を有する結晶を成長する。こ
のとき加熱分解されたがウェハ３上に結晶成長しなかっ
た反応ガス２の残りは反応管１下流の外壁近くで冷やさ
れてそこに多く析出し、堆積した反応生成物１０とな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の気相結晶成長装
置は以上のように構成されており、反応管内に堆積した
付着物の量が増えるにつれ、排気系配管の内径が小さく
なり、ついには配管が詰まってしまうこととなり、この
ため反応管を大気開放して付着物を取り除く補修作業が
必要になる。このため反応管の形状によっては反応管，
排気系配管全てを取り外して洗浄する大作業になり、ま
た除塵機で付着物を取り除く作業を行うと、人体に有害
な飛沫が空中に飛散したり、リン系の付着物の場合には
除塵作業中に発火する危険があるといった問題点があっ
た。
置は以上のように構成されており、反応管内に堆積した
付着物の量が増えるにつれ、排気系配管の内径が小さく
なり、ついには配管が詰まってしまうこととなり、この
ため反応管を大気開放して付着物を取り除く補修作業が
必要になる。このため反応管の形状によっては反応管，
排気系配管全てを取り外して洗浄する大作業になり、ま
た除塵機で付着物を取り除く作業を行うと、人体に有害
な飛沫が空中に飛散したり、リン系の付着物の場合には
除塵作業中に発火する危険があるといった問題点があっ
た。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、下流側配管への反応生成物の付
着を減らすとともに、付着物の除去作業を簡便化できる
気相結晶成長装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、下流側配管への反応生成物の付
着を減らすとともに、付着物の除去作業を簡便化できる
気相結晶成長装置を得ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る気相結晶
成長装置は、反応管内の、該反応管内に配置されたウェ
ハよりも下流に、取り外し自在な冷却器を設けたもので
ある。
成長装置は、反応管内の、該反応管内に配置されたウェ
ハよりも下流に、取り外し自在な冷却器を設けたもので
ある。
【０００８】
【作用】この発明においては、ウェハよりも下流に取り
外し自在な冷却器を設けたから、反応生成物は冷却器の
周囲に集まり、反応管内から容易に除去することができ
る。
外し自在な冷却器を設けたから、反応生成物は冷却器の
周囲に集まり、反応管内から容易に除去することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１(a) は本発明の第１の実施例によるＭＯ
ＣＶＤ装置の反応管周りの断面図であり、図１(b) はそ
のｂ−ｂ線での断面図であり、図４と同一符号は同一ま
たは相当部分を示し、５は反応管１内のウェハ３下流側
に配置された冷却管、６は冷却管５内を流れる冷却剤、
７は反応管１外部下流側に巻かれたヒータである。また
上記冷却管５近傍の反応管１の側壁には、冷却管５の取
り出しを行うための開口窓１２が設けられ、またその対
向する側壁面には冷却管５を固定するためのジョイント
部１３が設けられている。
る。 実施例１．図１(a) は本発明の第１の実施例によるＭＯ
ＣＶＤ装置の反応管周りの断面図であり、図１(b) はそ
のｂ−ｂ線での断面図であり、図４と同一符号は同一ま
たは相当部分を示し、５は反応管１内のウェハ３下流側
に配置された冷却管、６は冷却管５内を流れる冷却剤、
７は反応管１外部下流側に巻かれたヒータである。また
上記冷却管５近傍の反応管１の側壁には、冷却管５の取
り出しを行うための開口窓１２が設けられ、またその対
向する側壁面には冷却管５を固定するためのジョイント
部１３が設けられている。
【００１０】次に結晶成長時の装置の動作について説明
する。反応管１内へ送り込まれた反応ガス２は、ウェハ
支持台４の抵抗加熱等により加熱されたウェハ３上で分
解し、ウェハ３上に所定の組成比を有する結晶を成長す
る。このとき加熱分解されたがウェハ３上に結晶成長し
なかった反応ガス２の残りは反応管１下流の外壁近くで
冷やされてそこに多く析出し、堆積した反応生成物とな
る。
する。反応管１内へ送り込まれた反応ガス２は、ウェハ
支持台４の抵抗加熱等により加熱されたウェハ３上で分
解し、ウェハ３上に所定の組成比を有する結晶を成長す
る。このとき加熱分解されたがウェハ３上に結晶成長し
なかった反応ガス２の残りは反応管１下流の外壁近くで
冷やされてそこに多く析出し、堆積した反応生成物とな
る。
【００１１】反応管１へ送り込まれた反応ガス２は、ウ
ェハ支持体４により加熱されたウェハ３上で分解，堆積
するが、未成長分のすでに加熱分解された反応ガス２は
反応管１下流側へと流れる。ここで、従来例において
は、反応管１外壁で冷却され、付着していた生成物は、
配管ヒータ７により反応管１外壁の温度が高く、冷却管
５の周囲において温度が低いために、主に冷却管５の周
囲に付着する（図中１０参照）ことになる。そして開口
窓１２を開けるとともに、冷却管５をジョイント部１３
から取り外し、冷却管５を反応管１内から取り出してこ
れを洗浄するようにする。
ェハ支持体４により加熱されたウェハ３上で分解，堆積
するが、未成長分のすでに加熱分解された反応ガス２は
反応管１下流側へと流れる。ここで、従来例において
は、反応管１外壁で冷却され、付着していた生成物は、
配管ヒータ７により反応管１外壁の温度が高く、冷却管
５の周囲において温度が低いために、主に冷却管５の周
囲に付着する（図中１０参照）ことになる。そして開口
窓１２を開けるとともに、冷却管５をジョイント部１３
から取り外し、冷却管５を反応管１内から取り出してこ
れを洗浄するようにする。
【００１２】このように本実施例によれば、反応管１内
のウエハ３下流側に冷却管５を設けるとともに、反応管
１外部下流側にヒータ７を設けたから、結晶成長時に加
熱分解されたのち結晶成長に関与しなかった未反応ガス
は温度の低い冷却管５で主に捕集され、反応管１下流の
外壁近くに堆積する反応生成物が少なくなり、また集め
られた反応生成物１０は冷却管５を取り外すことにより
容易に反応管１内から除去することができる。また、本
実施例では反応管１外部下流側にヒータ７を設けている
ので、排気系配管１１近傍での反応生成物の析出をさら
に低減することができる。
のウエハ３下流側に冷却管５を設けるとともに、反応管
１外部下流側にヒータ７を設けたから、結晶成長時に加
熱分解されたのち結晶成長に関与しなかった未反応ガス
は温度の低い冷却管５で主に捕集され、反応管１下流の
外壁近くに堆積する反応生成物が少なくなり、また集め
られた反応生成物１０は冷却管５を取り外すことにより
容易に反応管１内から除去することができる。また、本
実施例では反応管１外部下流側にヒータ７を設けている
ので、排気系配管１１近傍での反応生成物の析出をさら
に低減することができる。
【００１３】実施例２．図２は本発明の第２の実施例に
よるＭＯＣＶＤ装置であり、図に示すようにこの実施例
では、冷却管８を反応ガス２の流れに対して垂直な面内
で蛇行させるようにしたものである。このようにするこ
とで、上記第１の実施例よりも冷却効果が高まり、反応
生成物の捕集効果をより期待することができる。なお、
この実施例では反応生成物は図示を省略されている。
よるＭＯＣＶＤ装置であり、図に示すようにこの実施例
では、冷却管８を反応ガス２の流れに対して垂直な面内
で蛇行させるようにしたものである。このようにするこ
とで、上記第１の実施例よりも冷却効果が高まり、反応
生成物の捕集効果をより期待することができる。なお、
この実施例では反応生成物は図示を省略されている。
【００１４】実施例３．図３は本発明の第３の実施例に
よるＭＯＣＶＤ装置であり、図に示すようにこの実施例
では、冷却管９を反応ガス２の流れに対して垂直な面内
で蛇行させるとともに、反応ガス２の流れに対して平行
に複数の層をなすように構成したものである。
よるＭＯＣＶＤ装置であり、図に示すようにこの実施例
では、冷却管９を反応ガス２の流れに対して垂直な面内
で蛇行させるとともに、反応ガス２の流れに対して平行
に複数の層をなすように構成したものである。
【００１５】なお、上記実施例では、反応管１として縦
型のものを示したが、横型，バレル型、その他どのよう
な反応管形状を持つ装置であっても同様の効果を奏す
る。また、ＭＯＣＶＤ装置のみでなく、クロライバＶＰ
Ｅ等、他の気相結晶成長装置であってもよい。また上記
冷却管５，８，９の材質は、ステンレス等、洗浄しやす
いもので管内を汚さないものであればどのようなもので
もよいが、石英管等にすると酸処理等を容易に行うこと
ができる。
型のものを示したが、横型，バレル型、その他どのよう
な反応管形状を持つ装置であっても同様の効果を奏す
る。また、ＭＯＣＶＤ装置のみでなく、クロライバＶＰ
Ｅ等、他の気相結晶成長装置であってもよい。また上記
冷却管５，８，９の材質は、ステンレス等、洗浄しやす
いもので管内を汚さないものであればどのようなもので
もよいが、石英管等にすると酸処理等を容易に行うこと
ができる。
【００１６】また、上記冷却管５，８，９の表面にフィ
ン等を設ける等の加工を施し、その表面積を増大するよ
うにしてもよい。また、上記各実施例では反応管１に開
口窓１２を設けて冷却管５，８，９を取り出すようにし
たが、冷却管の取り出し機構はこれに限られるものでは
なく、容易に冷却管を取り出すことができれば他の機構
を用いてもよい。さらに、上記各実施例では反応管１の
外部下流側にヒータ７を設けるようにしたが、ヒータは
必ずしも設ける必要はない。
ン等を設ける等の加工を施し、その表面積を増大するよ
うにしてもよい。また、上記各実施例では反応管１に開
口窓１２を設けて冷却管５，８，９を取り出すようにし
たが、冷却管の取り出し機構はこれに限られるものでは
なく、容易に冷却管を取り出すことができれば他の機構
を用いてもよい。さらに、上記各実施例では反応管１の
外部下流側にヒータ７を設けるようにしたが、ヒータは
必ずしも設ける必要はない。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る気相結晶
成長装置によれば、反応管内の、ウェハよりも下流側に
取り外し自在な冷却器を設けて反応生成物を集塵するよ
うにしたので、反応生成物を容易に反応管内から除去す
ることができ、装置の保守が容易になるという効果があ
る。
成長装置によれば、反応管内の、ウェハよりも下流側に
取り外し自在な冷却器を設けて反応生成物を集塵するよ
うにしたので、反応生成物を容易に反応管内から除去す
ることができ、装置の保守が容易になるという効果があ
る。
【図１】この発明の第１の実施例による気相結晶成長装
置の反応管周りを示す断面図である。
置の反応管周りを示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例による気相結晶成長装
置の反応管周りを示す断面図である。
置の反応管周りを示す断面図である。
【図３】この発明の第３の実施例による気相結晶成長装
置の反応管周りを示す断面図である。
置の反応管周りを示す断面図である。
【図４】従来の気相結晶成長装置の反応管周りの断面図
である。
である。
１ 反応管 ２ 反応ガス ３ ウェハ ５ 冷却管 ６ 冷却剤 ７ ヒータ ８ 冷却管 ９ 冷却管 １０ 反応生成物 １１ 排気系配管 １２ 開口窓 １３ ジョイント部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】次に結晶成長時の装置の動作について説明
する。
する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】このように本実施例によれば、反応管１内
のウエハ３下流側に冷却管５を設けるとともに、反応管
１外部下流側にヒータ７を設けたから、結晶成長時に加
熱分解されたのち結晶成長に関与しなかった未反応ガス
は温度の低い冷却管５で主に捕集され、反応管１下流の
外壁近くに堆積する反応生成物が少なくなり、また集め
られた反応生成物１０は冷却管５を取り外すことにより
容易に反応管１内から除去することができる。
のウエハ３下流側に冷却管５を設けるとともに、反応管
１外部下流側にヒータ７を設けたから、結晶成長時に加
熱分解されたのち結晶成長に関与しなかった未反応ガス
は温度の低い冷却管５で主に捕集され、反応管１下流の
外壁近くに堆積する反応生成物が少なくなり、また集め
られた反応生成物１０は冷却管５を取り外すことにより
容易に反応管１内から除去することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内に導入された反応ガスを加熱分
解してウェハ上に結晶成長を行う気相結晶成長装置にお
いて、 上記反応管内に配置されたウェハよりも下流側の反応管
内に、該反応管より取り外し自在な冷却器を設けたこと
を特徴とする気相結晶成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の気相結晶成長装置におい
て、 上記冷却器は、上記反応ガスの流れに対して垂直な方向
の面内において蛇行して配置された冷却パイプであるこ
とを特徴とする気相結晶成長装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の気相結晶成長装置におい
て、 上記冷却器は、上記反応ガスの流れに対して平行な方向
に複数の層をなすように配置された冷却パイプであるこ
とを特徴とする気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19158192A JPH061691A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19158192A JPH061691A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH061691A true JPH061691A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=16277036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19158192A Pending JPH061691A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014034831A1 (ja) | 2012-09-03 | 2014-03-06 | 株式会社未来企画 | 窓構造体 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP19158192A patent/JPH061691A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014034831A1 (ja) | 2012-09-03 | 2014-03-06 | 株式会社未来企画 | 窓構造体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101662421B1 (ko) | 트랩 장치 및 성막 장치 | |
| EP0164928A2 (en) | Vertical hot wall CVD reactor | |
| JPH07111244A (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JPH09246192A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPWO1993006619A1 (ja) | ガス導入装置、エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 | |
| JPH061691A (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JPH01286306A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPH0382020A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPS59207622A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPH1145858A (ja) | 化合物半導体気相成長装置および方法 | |
| JP2006080196A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS61164218A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0574712A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH05217910A (ja) | 化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPH03263315A (ja) | 気相成長方法および気相成長装置 | |
| JPH051069Y2 (ja) | ||
| JPS632435Y2 (ja) | ||
| JPS59112613A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS62211913A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPS6126217A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH04302140A (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JPH06216045A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS63299115A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2665229B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH09326397A (ja) | ガスの加熱方法および装置 |