JPH0617263A - 半田被膜の形成方法 - Google Patents
半田被膜の形成方法Info
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- JPH0617263A JPH0617263A JP5264093A JP5264093A JPH0617263A JP H0617263 A JPH0617263 A JP H0617263A JP 5264093 A JP5264093 A JP 5264093A JP 5264093 A JP5264093 A JP 5264093A JP H0617263 A JPH0617263 A JP H0617263A
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- electroless
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3473—Plating of solder
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント基板等の高密度実装化に対応でき、
さらには、任意の組成で且つ厚肉・均質の半田被覆を容
易に形成可能な半田被膜の形成方法を提供すること。 【構成】 被処理体上に無電解錫めっきにより錫層を析
出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析出さ
せた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形成す
る方法。無電解錫層を不均化反応めっき又は置換反応め
っきにより８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出させ
るとともに、無電解鉛層を置換反応めっきにより析出さ
せる。
さらには、任意の組成で且つ厚肉・均質の半田被覆を容
易に形成可能な半田被膜の形成方法を提供すること。 【構成】 被処理体上に無電解錫めっきにより錫層を析
出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析出さ
せた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形成す
る方法。無電解錫層を不均化反応めっき又は置換反応め
っきにより８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出させ
るとともに、無電解鉛層を置換反応めっきにより析出さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子産業に於けるプリ
ント基板の各種抵抗器やコンデンサーなどの回路中への
接合のために使用される錫鉛の二元合金である半田被膜
の形成方法に関する。
ント基板の各種抵抗器やコンデンサーなどの回路中への
接合のために使用される錫鉛の二元合金である半田被膜
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子産業、自動車、家電、情報通
信機などの業界で、プリント基板を用いた電子回路が多
用されるが、基板への電子部品の装着後の回路への接合
には低コストで電気特性の優れた錫・鉛二元合金である
半田がもっぱら使用されている。
信機などの業界で、プリント基板を用いた電子回路が多
用されるが、基板への電子部品の装着後の回路への接合
には低コストで電気特性の優れた錫・鉛二元合金である
半田がもっぱら使用されている。
【０００３】上記半田被覆の形成方法としての従来の主
流である半田浴による溶融半田めっきは、合金比率によ
り溶融温度が異なる上、安定した付着量の半田被膜を微
細なパターンに形成させることは困難であった。
流である半田浴による溶融半田めっきは、合金比率によ
り溶融温度が異なる上、安定した付着量の半田被膜を微
細なパターンに形成させることは困難であった。
【０００４】このため、半田被膜の形成方法として、被
処理体上に錫層及び鉛層を形成した後、加熱処理して半
田化（合金化）する技術がある（特開平４−２１７９５
・２−１０１１９０号等）。
処理体上に錫層及び鉛層を形成した後、加熱処理して半
田化（合金化）する技術がある（特開平４−２１７９５
・２−１０１１９０号等）。
【０００５】そして、所定合金比の半田層の形成は、通
常、電気めっき等によっていた。しかし、昨今のプリン
ト基板の高密度化に伴い、基板上の導体部分のピッチ間
隔が０．５mm以下のものが要求される様になってきて、
上記電気めっきでは、電気的な接点確保が困難なため、
対応が困難視されていた。
常、電気めっき等によっていた。しかし、昨今のプリン
ト基板の高密度化に伴い、基板上の導体部分のピッチ間
隔が０．５mm以下のものが要求される様になってきて、
上記電気めっきでは、電気的な接点確保が困難なため、
対応が困難視されていた。
【０００６】本発明は、上記にかんがみて、プリント基
板等の高密度実装化に対応でき、さらには、任意の組成
で且つ厚肉の、さらには均質の半田被覆を容易に形成可
能な半田被膜の形成方法を提供することを目的とする。
板等の高密度実装化に対応でき、さらには、任意の組成
で且つ厚肉の、さらには均質の半田被覆を容易に形成可
能な半田被膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、錫層および鉛層を無電解めっきで形
成することに着目して、鋭意開発に努力をした結果、下
記構成の半田被膜の形成方法に想到した。
を解決するために、錫層および鉛層を無電解めっきで形
成することに着目して、鋭意開発に努力をした結果、下
記構成の半田被膜の形成方法に想到した。
【０００８】被処理体上に無無解錫めっきにより錫層を
析出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析出
させた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形成
する方法であって、錫層を不均化反応めっき又は置換反
応めっきにより８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出
させるとともに、鉛層を置換反応めっきにより析出させ
ることを特徴とする。
析出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析出
させた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形成
する方法であって、錫層を不均化反応めっき又は置換反
応めっきにより８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出
させるとともに、鉛層を置換反応めっきにより析出させ
ることを特徴とする。
【０００９】
【手段の詳細な説明】以下、本発明の各手段を詳細に説
明をする。
明をする。
【００１０】(1) 本発明で使用する被処理体としては、
プリント回路基板、鋼板、銅合金板、又は、それらのエ
ッチングプレス成形体等を挙げることができる。なお、
被処理体は、表面を清浄化するため、一般的には、トリ
フロン、イソプロパノール等の有機溶剤またはアルカリ
洗浄剤等の水性洗浄剤を用いて油脂類の除去を行う。ま
たは、ブラッシング、ホーニング等の物理的方法によっ
て表面を清浄化して用いてもよい。
プリント回路基板、鋼板、銅合金板、又は、それらのエ
ッチングプレス成形体等を挙げることができる。なお、
被処理体は、表面を清浄化するため、一般的には、トリ
フロン、イソプロパノール等の有機溶剤またはアルカリ
洗浄剤等の水性洗浄剤を用いて油脂類の除去を行う。ま
たは、ブラッシング、ホーニング等の物理的方法によっ
て表面を清浄化して用いてもよい。
【００１１】(2) 被処理体上に無電解錫めっきにより錫
層を析出させる。該無電解めっき錫層は、不均化反応め
っき又は置換反応めっき（いずれも無電解めっきの一
種）により８μｍ以上（望ましくは１３μｍ以上）の厚
さの多孔質層として析出させる。
層を析出させる。該無電解めっき錫層は、不均化反応め
っき又は置換反応めっき（いずれも無電解めっきの一
種）により８μｍ以上（望ましくは１３μｍ以上）の厚
さの多孔質層として析出させる。
【００１２】ここで、不均化反応めっきによる方が、置
換反応めっきに比して、より厚肉の錫層を短時間で形成
でき、さらには、置換めっきの場合の如く、置換金属と
なる銅等が溶解（導電性に悪影響を与える。）せず望ま
しい。無電解めっきで錫層を８μｍ以上に厚付けすると
多孔質層化することにより、後述の置換反応めっきによ
る鉛層の形成が、速やかに且つ厚肉に形成することが可
能となる。
換反応めっきに比して、より厚肉の錫層を短時間で形成
でき、さらには、置換めっきの場合の如く、置換金属と
なる銅等が溶解（導電性に悪影響を与える。）せず望ま
しい。無電解めっきで錫層を８μｍ以上に厚付けすると
多孔質層化することにより、後述の置換反応めっきによ
る鉛層の形成が、速やかに且つ厚肉に形成することが可
能となる。
【００１３】不均化反応めっき及び置換めっきのめっき
条件（浴組成を含む）は、被処理体に対して、付着性に
問題が発生しない範囲内で可及的に多孔質（粗）な錫層
を形成可能なものとする。特に、置換反応めっきの場
合、緻密な錫層を形成させると下地の銅等との接触が阻
害され１μｍ前後の錫層しか得られない（特開昭６４−
１１９８０号公報実施例１参照）。
条件（浴組成を含む）は、被処理体に対して、付着性に
問題が発生しない範囲内で可及的に多孔質（粗）な錫層
を形成可能なものとする。特に、置換反応めっきの場
合、緻密な錫層を形成させると下地の銅等との接触が阻
害され１μｍ前後の錫層しか得られない（特開昭６４−
１１９８０号公報実施例１参照）。
【００１４】例えば、銅回路が形成された回路基板に、
不均化反応めっきにより錫層を析出させる場合は、下記
の如く行う。
不均化反応めっきにより錫層を析出させる場合は、下記
の如く行う。
【００１５】１０％硫酸／１０％過酸化水素混合溶液
や、過硫酸水溶液で、銅表面の酸化膜を除去しておく。
や、過硫酸水溶液で、銅表面の酸化膜を除去しておく。
【００１６】必然的ではないが、不均化反応を促進さ
せるために、ホウフッ化第一錫１０〜５０ｇ／Ｌ、チオ
尿素５０〜１００ｇ／Ｌのホウフッ化錫置換めっき浴を
使用して０．１〜１μｍの錫被覆処理を行う。
せるために、ホウフッ化第一錫１０〜５０ｇ／Ｌ、チオ
尿素５０〜１００ｇ／Ｌのホウフッ化錫置換めっき浴を
使用して０．１〜１μｍの錫被覆処理を行う。
【００１７】そして、亜錫酸塩浴（テトラヒドロキソ
錫浴）として、 水酸化アルカリ： １００〜５００ｇ／Ｌ 強酸の第一錫塩： ５０〜２００ｇ／Ｌ を用い、８０〜１００℃×１〜５時間で浸漬することに
より、不均化反応めっき錫層を銅素材上に析出させる。
錫浴）として、 水酸化アルカリ： １００〜５００ｇ／Ｌ 強酸の第一錫塩： ５０〜２００ｇ／Ｌ を用い、８０〜１００℃×１〜５時間で浸漬することに
より、不均化反応めっき錫層を銅素材上に析出させる。
【００１８】上記水酸化アルカリとしては、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等を挙げるこ
とができる。
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等を挙げるこ
とができる。
【００１９】上記第一錫塩としては、塩化第一錫、臭化
第一錫、硫酸第一錫等を挙げることができる。
第一錫、硫酸第一錫等を挙げることができる。
【００２０】また、上記錫浴には、浴安定化等のため
に、クエン酸塩、酒石酸塩、等のカルボン酸塩を添加す
ることもできる。
に、クエン酸塩、酒石酸塩、等のカルボン酸塩を添加す
ることもできる。
【００２１】(3) 次に、鉛層を、置換反応めっきにより
錫層上に形成させる。このとき、錫層が８μｍ以上で且
つ多孔質であるため、鉛置換反応が効率良く行うことが
でき、厚肉の置換めっき鉛層を形成可能となる。
錫層上に形成させる。このとき、錫層が８μｍ以上で且
つ多孔質であるため、鉛置換反応が効率良く行うことが
でき、厚肉の置換めっき鉛層を形成可能となる。
【００２２】このとき、所要の半田組成を形成するよう
に錫層の付着重量に対して鉛層の付着重量を設定する。
通常、鉛を５〜７０重量％、望ましくは１０〜６０重量
％含むように設定する。層厚を付着重量の比重換算値で
示すと、錫：８〜５０μｍ、鉛：１〜５０μｍとなる。
に錫層の付着重量に対して鉛層の付着重量を設定する。
通常、鉛を５〜７０重量％、望ましくは１０〜６０重量
％含むように設定する。層厚を付着重量の比重換算値で
示すと、錫：８〜５０μｍ、鉛：１〜５０μｍとなる。
【００２３】この鉛層の形成には、公知の一般的な置換
反応型の無電解鉛めっき浴、例えばホウフッ化鉛、メタ
ンスルフォン酸鉛、酢酸鉛等を含む酸性浴を用いること
ができる。
反応型の無電解鉛めっき浴、例えばホウフッ化鉛、メタ
ンスルフォン酸鉛、酢酸鉛等を含む酸性浴を用いること
ができる。
【００２４】具体的には、置換めっき用のホウフッ化鉛
浴 ホウフッ化鉛： １０〜５０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸：１〜５００ｇ／Ｌ を用い、７０〜９０℃×１〜３時間の条件で浸漬するこ
とにより、置換反応めっきにより鉛層を錫層の上に形成
する。
浴 ホウフッ化鉛： １０〜５０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸：１〜５００ｇ／Ｌ を用い、７０〜９０℃×１〜３時間の条件で浸漬するこ
とにより、置換反応めっきにより鉛層を錫層の上に形成
する。
【００２５】(4) 加熱処理は、非処理体を高沸点溶剤に
浸漬するか、または非酸化雰囲気とした加熱炉により行
う。また、加熱処理条件は、高沸点溶剤浸漬では、１７
０〜２４０℃×３秒〜１分、望ましくは、１８０〜２２
０℃×５〜３０秒で行う。これに対して、加熱炉による
溶融は、予備加熱１４０〜１６０℃×３０秒〜２分、本
加熱２００〜３２０℃×１０〜６０秒の条件で行う。
浸漬するか、または非酸化雰囲気とした加熱炉により行
う。また、加熱処理条件は、高沸点溶剤浸漬では、１７
０〜２４０℃×３秒〜１分、望ましくは、１８０〜２２
０℃×５〜３０秒で行う。これに対して、加熱炉による
溶融は、予備加熱１４０〜１６０℃×３０秒〜２分、本
加熱２００〜３２０℃×１０〜６０秒の条件で行う。
【００２６】
【発明の作用・効果】本発明の半田被膜の形成方法は、
上記の如く、被処理体上に無電解錫めっきにより錫層を
析出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析出
させた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形成
する方法であって、錫層を不均化反応めっき又は置換反
応めっきにより８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出
させるとともに、鉛層を置換反応めっきにより析出させ
る構成により下記のような作用効果を奏する。
上記の如く、被処理体上に無電解錫めっきにより錫層を
析出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析出
させた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形成
する方法であって、錫層を不均化反応めっき又は置換反
応めっきにより８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出
させるとともに、鉛層を置換反応めっきにより析出させ
る構成により下記のような作用効果を奏する。
【００２７】(1) 錫層・鉛層ともに無電解めっきを原則
としているため、プリント基板等の高密度実装化に対応
できる。
としているため、プリント基板等の高密度実装化に対応
できる。
【００２８】(2) また、任意の組成で且つ厚肉の、さら
には、均質の半田被覆を容易に形成可能となる。詳しく
は下記の如くである。
には、均質の半田被覆を容易に形成可能となる。詳しく
は下記の如くである。
【００２９】不均化反応めっき又は置換反応めっき（置
換反応めっきの場合は浴組成により）により、任意の厚
さの多孔質層を容易に形成可能である。厚肉（８μｍ）
以上の多孔質の錫層上に、置換めっきにより鉛層を形成
することにより、鉛層を任意の厚さに形成可能である
（多孔質であることにより、置換可能な錫原子の数が緻
密である場合に比して格段に増大するものと推定され
る）。さらに、錫層が多孔質であることにより、加熱処
理により合金化させるに際して、錫層の上に形成した鉛
層の鉛が錫層に容易に拡散して均一な混合状態が得ら
れ。
換反応めっきの場合は浴組成により）により、任意の厚
さの多孔質層を容易に形成可能である。厚肉（８μｍ）
以上の多孔質の錫層上に、置換めっきにより鉛層を形成
することにより、鉛層を任意の厚さに形成可能である
（多孔質であることにより、置換可能な錫原子の数が緻
密である場合に比して格段に増大するものと推定され
る）。さらに、錫層が多孔質であることにより、加熱処
理により合金化させるに際して、錫層の上に形成した鉛
層の鉛が錫層に容易に拡散して均一な混合状態が得ら
れ。
【００３０】なお、特開昭６４−１１９８０号公報にお
いて、被めっき部材上に無電解めっきで錫を析出させ、
該錫に、加熱したロジン酸鉛塩溶液を接触させることに
より、鉛の析出と合金化を行う技術が開示されている。
しかし、当該公報における無電解めっきは、緻密な錫層
を形成する置換反応めっきと推定される（実施例におけ
る膜厚が１μｍと薄い）とともに、鉛塩溶液を使用する
ため、本発明におけるのような厚膜の錫層に対して、安
定した合金比率の半田被膜の形成は、困難である。さら
に、置換反応めっきは、下地の銅を溶解することによっ
て置換析出するため、高膜厚が得られず、下地の細りに
より通電性に悪影響を与えるおそれがある。
いて、被めっき部材上に無電解めっきで錫を析出させ、
該錫に、加熱したロジン酸鉛塩溶液を接触させることに
より、鉛の析出と合金化を行う技術が開示されている。
しかし、当該公報における無電解めっきは、緻密な錫層
を形成する置換反応めっきと推定される（実施例におけ
る膜厚が１μｍと薄い）とともに、鉛塩溶液を使用する
ため、本発明におけるのような厚膜の錫層に対して、安
定した合金比率の半田被膜の形成は、困難である。さら
に、置換反応めっきは、下地の銅を溶解することによっ
て置換析出するため、高膜厚が得られず、下地の細りに
より通電性に悪影響を与えるおそれがある。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の効果を確認するために行った
実施例に基づいて詳細に説明をする。なお，下記におけ
る浴組成は全て純分換算値で表示をした。
実施例に基づいて詳細に説明をする。なお，下記におけ
る浴組成は全て純分換算値で表示をした。
【００３２】被処理体は、下記のものを使用した。
【００３３】実施例１〜３…ガラス繊維強化エポキシ
銅貼板で構成されたプリント回路基板（以下ＰＣ板と言
う）を、５％過硫酸ソーダ中でブラッシングしてＰＣ坂
表面の酸化膜を除去したもの。
銅貼板で構成されたプリント回路基板（以下ＰＣ板と言
う）を、５％過硫酸ソーダ中でブラッシングしてＰＣ坂
表面の酸化膜を除去したもの。
【００３４】実施例４〜７…鋼板をアルカリ脱脂後、
ホウフッ化水素酸６０ｇ／Ｌで活性化したものを、シア
ン化銅めっき浴（シアン化第一銅：３０ｇ／Ｌ、シアン
化ソーダ：４５ｇ／Ｌ、炭酸ソーダ：１５ｇ／Ｌ、苛性
ソーダ：２０ｇ／Ｌ、浴温：５５℃、電流密度：０．５
Ａ／ｄｍ2 ）で１５分間電気めっきを行い、鋼板全面に
約１μｍの銅被覆層を形成した銅被覆鋼板。
ホウフッ化水素酸６０ｇ／Ｌで活性化したものを、シア
ン化銅めっき浴（シアン化第一銅：３０ｇ／Ｌ、シアン
化ソーダ：４５ｇ／Ｌ、炭酸ソーダ：１５ｇ／Ｌ、苛性
ソーダ：２０ｇ／Ｌ、浴温：５５℃、電流密度：０．５
Ａ／ｄｍ2 ）で１５分間電気めっきを行い、鋼板全面に
約１μｍの銅被覆層を形成した銅被覆鋼板。
【００３５】＜実施例１＞置換めっき浴（ホウフッ化
錫：３０ｇ／Ｌ、チオ尿素：７５ｇ／Ｌ、浴温：８０
℃）にＰＣ板を５秒間浸漬して触媒化処理（表面活性化
処理）を施した後、錫不均化反応めっき浴（水酸化カリ
ウム：２８０ｇ／Ｌ、塩化第一錫：９０ｇ／Ｌ、浴温：
９０℃）にＰＣ坂を３時間浸漬して不均化反応めっきを
行い、２０μｍの錫層を形成した。
錫：３０ｇ／Ｌ、チオ尿素：７５ｇ／Ｌ、浴温：８０
℃）にＰＣ板を５秒間浸漬して触媒化処理（表面活性化
処理）を施した後、錫不均化反応めっき浴（水酸化カリ
ウム：２８０ｇ／Ｌ、塩化第一錫：９０ｇ／Ｌ、浴温：
９０℃）にＰＣ坂を３時間浸漬して不均化反応めっきを
行い、２０μｍの錫層を形成した。
【００３６】次に、このＰＣ板を鉛置換めっき浴（ホウ
フッ化鉛：３０ｇ／Ｌ、ホウフッ化水素酸２００ｇ／
Ｌ、浴温：８０℃）に１時間浸漬して５μｍの鉛層を形
成した。この錫・鉛を積層被覆したＰＣ板を、１９０℃
のグリコール系浴の中に、７秒浸漬し、積層金属の合金
化（半田化）をした。
フッ化鉛：３０ｇ／Ｌ、ホウフッ化水素酸２００ｇ／
Ｌ、浴温：８０℃）に１時間浸漬して５μｍの鉛層を形
成した。この錫・鉛を積層被覆したＰＣ板を、１９０℃
のグリコール系浴の中に、７秒浸漬し、積層金属の合金
化（半田化）をした。
【００３７】得られた半田被覆層は融点１８６℃で優れ
た半田特性を示した。
た半田特性を示した。
【００３８】＜実施例２＞置換めっき浴（ホウフッ化
錫：３０ｇ／Ｌ、チオ尿素：１００ｇ／Ｌ、浴温：８０
℃）にＰＣ板を５秒間浸漬して触媒化処理を施した後、
実施例１と同一組成浴・条件で不均化反応めっきを行
い、２０μｍの錫層を得た。
錫：３０ｇ／Ｌ、チオ尿素：１００ｇ／Ｌ、浴温：８０
℃）にＰＣ板を５秒間浸漬して触媒化処理を施した後、
実施例１と同一組成浴・条件で不均化反応めっきを行
い、２０μｍの錫層を得た。
【００３９】このＰＣ板を実施例１と同一組成の鉛置換
浴に２０分に浸漬して１．８μｍの鉛層を形成した。こ
の錫・鉛を積層被覆したＰＣ板を、２１０℃のグリコー
ル系浴の中に、１０秒浸漬し、積層金属の合金化をし
た。
浴に２０分に浸漬して１．８μｍの鉛層を形成した。こ
の錫・鉛を積層被覆したＰＣ板を、２１０℃のグリコー
ル系浴の中に、１０秒浸漬し、積層金属の合金化をし
た。
【００４０】得られた半田被覆層は融点２１０℃で優れ
た半田特性を示した。
た半田特性を示した。
【００４１】＜実施例３＞下記組成の錫置換めっき浴
に、ＰＣ板を１時間浸漬して置換反応めっきを行い、８
μｍの錫層を得た。
に、ＰＣ板を１時間浸漬して置換反応めっきを行い、８
μｍの錫層を得た。
【００４２】 浴組成： ホウフッ化第一錫 ５０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 １００ｇ／Ｌ チオ尿素 １００ｇ／Ｌ 次亜リン酸ソーダ ２０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ １５ｇ／Ｌ 非イオン系界面活性剤 ８ｇ／Ｌ このＰＣ板を実施例１と同一組成の鉛置換めっき浴に３
０分して２．５μｍの鉛層を形成した。この錫・鉛を積
層被覆したＰＣ板を、１９０℃のグリコール系浴の中に
５秒浸漬し、積層金属の合金化をした。
０分して２．５μｍの鉛層を形成した。この錫・鉛を積
層被覆したＰＣ板を、１９０℃のグリコール系浴の中に
５秒浸漬し、積層金属の合金化をした。
【００４３】得られた半田被覆層は，層厚≒８μｍ、Ｓ
ｎ／Ｐｂ（重量比）≒６５／３５であった。
ｎ／Ｐｂ（重量比）≒６５／３５であった。
【００４４】＜実施例４＞置換めっき浴（ホウフッ化
錫：５０ｇ／Ｌ、チオ尿素：１００ｇ／Ｌ、浴温：７０
℃）に銅被覆鋼板を５分間浸漬して触媒化処理を施した
後、この鋼板を錫不均化反応めっき浴（水酸化カリウ
ム：３００ｇ／Ｌ、塩化第一錫：１００ｇ／Ｌ、浴温：
９０℃）に１時間５０分浸漬して不均化反応めっきを行
い、１５μｍの錫層を形成した。
錫：５０ｇ／Ｌ、チオ尿素：１００ｇ／Ｌ、浴温：７０
℃）に銅被覆鋼板を５分間浸漬して触媒化処理を施した
後、この鋼板を錫不均化反応めっき浴（水酸化カリウ
ム：３００ｇ／Ｌ、塩化第一錫：１００ｇ／Ｌ、浴温：
９０℃）に１時間５０分浸漬して不均化反応めっきを行
い、１５μｍの錫層を形成した。
【００４５】次に、この錫層が形成された銅被覆鋼板を
鉛置換めっき浴（ホウフッ化鉛：３５ｇ／Ｌ、ホウフッ
化水素酸６０ｇ／Ｌ、浴温：８０℃）に、４５分間浸漬
して５μｍの鉛層を形成した。この錫・鉛を積層被覆し
た鋼板を、１９０℃のグリコール系浴の中に、１０秒浸
漬し、積層金属の合金化をした。
鉛置換めっき浴（ホウフッ化鉛：３５ｇ／Ｌ、ホウフッ
化水素酸６０ｇ／Ｌ、浴温：８０℃）に、４５分間浸漬
して５μｍの鉛層を形成した。この錫・鉛を積層被覆し
た鋼板を、１９０℃のグリコール系浴の中に、１０秒浸
漬し、積層金属の合金化をした。
【００４６】得られた半田被覆層は、金属光沢を有し、
層厚≒１５μｍ、Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒６／４であっ
た。
層厚≒１５μｍ、Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒６／４であっ
た。
【００４７】＜実施例５＞実施例４において、錫不均化
反応めっき浴の浸漬時間を３時間１２分、鉛置換めっき
浴への浸漬時間を１時間１２分としたものである。
反応めっき浴の浸漬時間を３時間１２分、鉛置換めっき
浴への浸漬時間を１時間１２分としたものである。
【００４８】得られた半田被覆層は、金属光沢を有し、
層厚≒２５μｍ、Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒６／４であっ
た。
層厚≒２５μｍ、Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒６／４であっ
た。
【００４９】＜実施例６＞実施例４において、錫不均化
反応めっき浴の浸漬時間を３時間、鉛置換めっき浴への
浸漬時間を１時間としたものである。
反応めっき浴の浸漬時間を３時間、鉛置換めっき浴への
浸漬時間を１時間としたものである。
【００５０】得られた半田被覆層は、金属光沢を有し、
層厚≒２０μｍ、Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒６／４であっ
た。
層厚≒２０μｍ、Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒６／４であっ
た。
【００５１】＜実施例７＞実施例４において、錫不均化
反応めっき浴の浸漬時間を２時間３０分、鉛置換めっき
浴への浸漬時間を２０分、加熱溶融温度を２１０℃とし
たものである。
反応めっき浴の浸漬時間を２時間３０分、鉛置換めっき
浴への浸漬時間を２０分、加熱溶融温度を２１０℃とし
たものである。
【００５２】得られた半田被覆層は、層厚≒２０μｍ、
Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒９／１であった。
Ｓｎ／Ｐｂ（重量比）≒９／１であった。
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体上に無電解錫めっきにより錫層
を析出させ、該錫層上に無電解鉛めっきにより鉛層を析
出させた後、加熱処理により合金化させて半田被膜を形
成する方法であって、 前記錫層を不均化反応めっき又は置換反応めっきにより
８μｍ以上の厚さの多孔質層として析出させるととも
に、前記鉛層を置換反応めっきにより析出させることを
特徴とする半田被膜の形成方法。 - 【請求項２】 被処理体上に無電解めっき錫層と、該錫
層上に無電解めっき鉛層とが積層されてなり、使用に際
して加熱処理により合金化される半田被膜形成用金属積
層体であって、 前記錫層が８μｍ以上の厚さの多孔質層であるととも
に、前記鉛層が置換反応めっき層あることを特徴とする
半田被覆形成用金属積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264093A JPH0617263A (ja) | 1992-03-21 | 1993-03-12 | 半田被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-112999 | 1992-03-21 | ||
| JP11299992 | 1992-03-21 | ||
| JP5264093A JPH0617263A (ja) | 1992-03-21 | 1993-03-12 | 半田被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617263A true JPH0617263A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=26393270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5264093A Withdrawn JPH0617263A (ja) | 1992-03-21 | 1993-03-12 | 半田被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018127678A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ガルバニック置換反応による錫を含む金属合金の低抵抗化あるいはポーラス化した構造体を形成する方法及び形成された構造体 |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5264093A patent/JPH0617263A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018127678A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ガルバニック置換反応による錫を含む金属合金の低抵抗化あるいはポーラス化した構造体を形成する方法及び形成された構造体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |