JPH06176317A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06176317A JPH06176317A JP34315792A JP34315792A JPH06176317A JP H06176317 A JPH06176317 A JP H06176317A JP 34315792 A JP34315792 A JP 34315792A JP 34315792 A JP34315792 A JP 34315792A JP H06176317 A JPH06176317 A JP H06176317A
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- JP
- Japan
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- layers
- film
- magnetic head
- magnetic
- gap
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Al層を、ギャップ部の異なる材料の間に形
成することにより、歩留りを従来に比し著しく向上せし
め、製造効率良く、高品質の磁気ヘッドを提供する。 【構成】 磁気ヘッドのギャップ部21を、ギャップ材
層25、26、バリア層29、30、及び接合ガラス層
27、28にて構成し、バリア層29、30は、厚さ1
0〜200ÅのAl層とする。
成することにより、歩留りを従来に比し著しく向上せし
め、製造効率良く、高品質の磁気ヘッドを提供する。 【構成】 磁気ヘッドのギャップ部21を、ギャップ材
層25、26、バリア層29、30、及び接合ガラス層
27、28にて構成し、バリア層29、30は、厚さ1
0〜200ÅのAl層とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に二つのコア半体
を所定ギャップ長にて突合せて接合することにより構成
される磁気ヘッドに関するものであり、特に、高周波用
で且つ高いS/N比が要求される高密度記録用ヘッド、
主としてビデオヘッド、コンピュータ用ヘッド等に好適
に使用されるFe−Si−Al合金磁性膜を用いた磁気
ヘッドに具現化される。
を所定ギャップ長にて突合せて接合することにより構成
される磁気ヘッドに関するものであり、特に、高周波用
で且つ高いS/N比が要求される高密度記録用ヘッド、
主としてビデオヘッド、コンピュータ用ヘッド等に好適
に使用されるFe−Si−Al合金磁性膜を用いた磁気
ヘッドに具現化される。
【0002】
【従来の技術】磁気記録技術の分野における最近の記録
密度の向上は著しく、これに伴なって例えば電磁変換素
子としての磁気ヘッドに対する狭トラック化及びコア材
料の飽和磁化の増大並びに高周波領域における透磁率の
改善といった要求が高まっている。
密度の向上は著しく、これに伴なって例えば電磁変換素
子としての磁気ヘッドに対する狭トラック化及びコア材
料の飽和磁化の増大並びに高周波領域における透磁率の
改善といった要求が高まっている。
【0003】近年、磁気記録分野における上記要求を満
足せしめる磁気ヘッドとして、例えばFe−Si−Al
合金磁性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドが急速に注目を
浴びている。該磁気ヘッドの一例が図5〜図7に示され
る。簡単にその構造を説明する。
足せしめる磁気ヘッドとして、例えばFe−Si−Al
合金磁性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドが急速に注目を
浴びている。該磁気ヘッドの一例が図5〜図7に示され
る。簡単にその構造を説明する。
【0004】図6を参照すると、結晶化ガラス又はセラ
ミックスから成る基板11上にFe−Si−Al合金薄
膜12が膜厚1〜20μmにて成膜される。次いで、該
合金磁性膜12上にSiO2 から成る非磁性絶縁膜、即
ち、層間膜13が膜厚0.03〜0.5μmにて形成さ
れる。
ミックスから成る基板11上にFe−Si−Al合金薄
膜12が膜厚1〜20μmにて成膜される。次いで、該
合金磁性膜12上にSiO2 から成る非磁性絶縁膜、即
ち、層間膜13が膜厚0.03〜0.5μmにて形成さ
れる。
【0005】更に、磁性膜12と非磁性絶縁膜13が必
要回数積層され、磁性膜構造体14が形成される。斯る
磁性膜12と非磁性絶縁膜13の膜厚及び積層回数は積
層部の厚さがトラック幅Wとなるように適宜設定され
る。
要回数積層され、磁性膜構造体14が形成される。斯る
磁性膜12と非磁性絶縁膜13の膜厚及び積層回数は積
層部の厚さがトラック幅Wとなるように適宜設定され
る。
【0006】次いで、前記磁性膜構造体14の上にガラ
ス膜15が形成され、その上に他の基板16が積層され
る。ガラス膜15としては接合ガラスが使用されてい
る。基板16は前記基板11と同様の材料にて作製され
る。
ス膜15が形成され、その上に他の基板16が積層され
る。ガラス膜15としては接合ガラスが使用されてい
る。基板16は前記基板11と同様の材料にて作製され
る。
【0007】このようにして作製された積層膜構造体1
7は、図5に図示されるように、積層した厚さ方向に切
断し、一対のコア半体ブロック18、19が形成され、
少なくとも片方のコア半体、本例ではコア半体18に巻
線溝20を形成する。
7は、図5に図示されるように、積層した厚さ方向に切
断し、一対のコア半体ブロック18、19が形成され、
少なくとも片方のコア半体、本例ではコア半体18に巻
線溝20を形成する。
【0008】続いて、両コア半体18、19の突合せ面
の接合を強固なものとするために、従来、図5に示すよ
うに、巻線溝20に対向した、本例ではコア半体19の
両側面部に面取部22を形成し、又、両コア半体の該巻
線溝20とは反対側にも凹所23を形成した後、両コア
半体18、19の突合せ面は研摩加工後ギャップ部21
が形成される。
の接合を強固なものとするために、従来、図5に示すよ
うに、巻線溝20に対向した、本例ではコア半体19の
両側面部に面取部22を形成し、又、両コア半体の該巻
線溝20とは反対側にも凹所23を形成した後、両コア
半体18、19の突合せ面は研摩加工後ギャップ部21
が形成される。
【0009】この後、両コア半体18、19を突合せ面
にてギャップ部21を介して突合せ、該面取部及び凹所
にモールドガラスを充填し両コア半体ブロックを接合す
る。
にてギャップ部21を介して突合せ、該面取部及び凹所
にモールドガラスを充填し両コア半体ブロックを接合す
る。
【0010】最後に、テープ摺動面を形成するべくR研
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、磁
気ヘッド10が得られる。
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、磁
気ヘッド10が得られる。
【0011】斯る構成の磁気ヘッド10において両コア
半体18、19の突合せ面に形成されるギャップ部21
を所定の寸法形状に仕上ることは極めて重要である。
半体18、19の突合せ面に形成されるギャップ部21
を所定の寸法形状に仕上ることは極めて重要である。
【0012】従来、該ギャップ部21は、図8に示すよ
うに、各コア半体18、19のギャップ部形成面、即
ち、突合せ面18a、19aにSiO2 から成る非磁性
絶縁層、即ち、ギャップ材層25、26と、その上に接
合ガラス層27、28をそれぞれ形成し、各コア半体1
8、19の接合ガラス27、28を対面させ、融着させ
ることによって形成された。
うに、各コア半体18、19のギャップ部形成面、即
ち、突合せ面18a、19aにSiO2 から成る非磁性
絶縁層、即ち、ギャップ材層25、26と、その上に接
合ガラス層27、28をそれぞれ形成し、各コア半体1
8、19の接合ガラス27、28を対面させ、融着させ
ることによって形成された。
【0013】しかしながら、このような構成の磁気ヘッ
ドは、ギャップ部21の製造に関する歩留りが大きく変
動し、70%程度の高歩留りが続いたかと思うと、ギャ
ップ部が溶着しない、大略0%といった低歩留りが続く
という状態を繰り返し、悪い場合には月間歩留りが5%
程度となることがあり、極めて製造効率の悪いものであ
った。
ドは、ギャップ部21の製造に関する歩留りが大きく変
動し、70%程度の高歩留りが続いたかと思うと、ギャ
ップ部が溶着しない、大略0%といった低歩留りが続く
という状態を繰り返し、悪い場合には月間歩留りが5%
程度となることがあり、極めて製造効率の悪いものであ
った。
【0014】本発明者らは、このような問題を解決する
べく、図1に示すように、ギャップ材層25、26と、
接合ガラス層27、28との間に、クロム、クロムとク
ロム酸化物との混合物、チタン、チタンとチタン酸化物
との混合物、クロム−チタン合金、又はクロム−チタン
合金とクロム−チタン合金酸化物との混合物から成るバ
リア層29、30を設けることを提案した(特開平2−
58714号公報を参照せよ)。
べく、図1に示すように、ギャップ材層25、26と、
接合ガラス層27、28との間に、クロム、クロムとク
ロム酸化物との混合物、チタン、チタンとチタン酸化物
との混合物、クロム−チタン合金、又はクロム−チタン
合金とクロム−チタン合金酸化物との混合物から成るバ
リア層29、30を設けることを提案した(特開平2−
58714号公報を参照せよ)。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平2−587
14号公報に記載の磁気ヘッドは、従来に比して、ギャ
ップ部におけるエッジだれ、つぶれ、広がり等の問題を
大幅に減少することができ、極めて良好な磁気特性を有
するものであって、しかも、ギャップ部21の製造に関
する歩留りは80%程度にまで向上した。
14号公報に記載の磁気ヘッドは、従来に比して、ギャ
ップ部におけるエッジだれ、つぶれ、広がり等の問題を
大幅に減少することができ、極めて良好な磁気特性を有
するものであって、しかも、ギャップ部21の製造に関
する歩留りは80%程度にまで向上した。
【0016】しかしながら、本発明者らの更なる研究実
験の結果によると、従来の、クロム、クロムとクロム酸
化物との混合物、チタン、チタンとチタン酸化物との混
合物、クロム−チタン合金、又はクロム−チタン合金と
クロム−チタン合金酸化物との混合物から成るバリア層
29、30によれば、ギャップ材25、26と、接合ガ
ラス層27、28との間の接着力不足により、ギャップ
材層25、26と、接合ガラス層27、28との間が開
くことがあった。
験の結果によると、従来の、クロム、クロムとクロム酸
化物との混合物、チタン、チタンとチタン酸化物との混
合物、クロム−チタン合金、又はクロム−チタン合金と
クロム−チタン合金酸化物との混合物から成るバリア層
29、30によれば、ギャップ材25、26と、接合ガ
ラス層27、28との間の接着力不足により、ギャップ
材層25、26と、接合ガラス層27、28との間が開
くことがあった。
【0017】本発明者らは、更に、ギャップ部21の製
造に関する歩留りを向上せしめるべく研究実験を行なっ
た結果、ギャップ材層25、26と接合ガラス層27、
28との間に形成されるバリア層29、30として10
〜200ÅのAl層を形成することにより、ギャップ材
層25、26と接合ガラス層27、28との間の相互拡
散をより完全に防止することができると共に、更に、A
l層が、ギャップ部接合後に行なう高温処理によりギャ
ップ材層25、26及び接合ガラス層27、28へと酸
化拡散し、このAl層の酸化拡散によって、ギャップ材
層25、26と接合ガラス層27、28とをより強固に
接合し得ることを見出した。これによって、ギャップ部
21の製造に関する歩留りは85%へと向上させること
ができた。
造に関する歩留りを向上せしめるべく研究実験を行なっ
た結果、ギャップ材層25、26と接合ガラス層27、
28との間に形成されるバリア層29、30として10
〜200ÅのAl層を形成することにより、ギャップ材
層25、26と接合ガラス層27、28との間の相互拡
散をより完全に防止することができると共に、更に、A
l層が、ギャップ部接合後に行なう高温処理によりギャ
ップ材層25、26及び接合ガラス層27、28へと酸
化拡散し、このAl層の酸化拡散によって、ギャップ材
層25、26と接合ガラス層27、28とをより強固に
接合し得ることを見出した。これによって、ギャップ部
21の製造に関する歩留りは85%へと向上させること
ができた。
【0018】更に、本発明者らは、このような構成の磁
気ヘッドにおいて、その製造に際して、ギャップ材層2
5、26と突合せ面18a、19aとの間が開くことが
あり、ギャップ部21の製造に関する歩留りを低下せし
めていることを見出した。
気ヘッドにおいて、その製造に際して、ギャップ材層2
5、26と突合せ面18a、19aとの間が開くことが
あり、ギャップ部21の製造に関する歩留りを低下せし
めていることを見出した。
【0019】これは、突合せ面18a、19aにおける
各種材料、即ち、基板11のセラミックス、磁性膜構造
体14の磁性膜12及び非磁性絶縁膜13並びにガラス
膜15と、ギャップ材層25、26との間にて相互に拡
散が起こり、両者間の接着力が低下するためであること
が分かった。
各種材料、即ち、基板11のセラミックス、磁性膜構造
体14の磁性膜12及び非磁性絶縁膜13並びにガラス
膜15と、ギャップ材層25、26との間にて相互に拡
散が起こり、両者間の接着力が低下するためであること
が分かった。
【0020】この問題も又、ギャップ材層25、26と
突合せ面18a、19aとの間に、バッファ層として1
0〜200ÅのAl層を形成することにより、ギャップ
材層25、26と突合せ面18a、19aとの間の相互
拡散を防止することができ、しかも、Al膜が、ギャッ
プ部接合後に行なう高温処理によりギャップ材層25、
26及び突合せ面18a、19aへと酸化拡散し、この
Al層の酸化拡散によって、ギャップ材層25、26と
突合せ面18a、19aとを強固に接合し得ることを見
出した。
突合せ面18a、19aとの間に、バッファ層として1
0〜200ÅのAl層を形成することにより、ギャップ
材層25、26と突合せ面18a、19aとの間の相互
拡散を防止することができ、しかも、Al膜が、ギャッ
プ部接合後に行なう高温処理によりギャップ材層25、
26及び突合せ面18a、19aへと酸化拡散し、この
Al層の酸化拡散によって、ギャップ材層25、26と
突合せ面18a、19aとを強固に接合し得ることを見
出した。
【0021】上述のように、バリア層或はバッファ層と
してAl層を、ギャップ部21の異なる材料の間に形成
することにより、ギャップ部21の製造に関する歩留り
は95%へと飛躍的に向上した。
してAl層を、ギャップ部21の異なる材料の間に形成
することにより、ギャップ部21の製造に関する歩留り
は95%へと飛躍的に向上した。
【0022】本発明は斯かる新規な知見に基づきなされ
たものである。
たものである。
【0023】従って、本発明の目的は、Al層を、ギャ
ップ部の異なる材料の間に形成することにより、歩留り
を従来に比し著しく向上せしめ、製造効率良く、高品質
の磁気ヘッドを提供することである。
ップ部の異なる材料の間に形成することにより、歩留り
を従来に比し著しく向上せしめ、製造効率良く、高品質
の磁気ヘッドを提供することである。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
磁気ヘッドにて達成される。要約すれば、本発明は、二
つのコア半体を形成し、各コア半体の突合せ面には、コ
ア半体に隣接して形成されたギャップ材層と、バリア層
と、接合ガラス層とを順に形成し、そして両コア半体の
前記接合ガラス層を互いに溶融圧着して所定のギャップ
長を有したギャップ部を形成するようにした磁気ヘッド
において、前記バリア層は、厚さ10〜200ÅのAl
層であることを特徴とする磁気ヘッドである。
磁気ヘッドにて達成される。要約すれば、本発明は、二
つのコア半体を形成し、各コア半体の突合せ面には、コ
ア半体に隣接して形成されたギャップ材層と、バリア層
と、接合ガラス層とを順に形成し、そして両コア半体の
前記接合ガラス層を互いに溶融圧着して所定のギャップ
長を有したギャップ部を形成するようにした磁気ヘッド
において、前記バリア層は、厚さ10〜200ÅのAl
層であることを特徴とする磁気ヘッドである。
【0025】本発明の好ましい態様によると、更に、前
記各コア半体の突合せ面と前記ギャップ材層との間に、
厚さ10〜200ÅのAl層からなるバッファ層が形成
される。又、各コア半体は、一方の基板と、該基板の上
にFe−Si−Al合金磁性膜と層間膜とが交互に積層
されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造体の上に積層さ
れたガラス膜と、該ガラス膜の上に積層された他方の基
板とを有した積層膜構造体から成る。
記各コア半体の突合せ面と前記ギャップ材層との間に、
厚さ10〜200ÅのAl層からなるバッファ層が形成
される。又、各コア半体は、一方の基板と、該基板の上
にFe−Si−Al合金磁性膜と層間膜とが交互に積層
されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造体の上に積層さ
れたガラス膜と、該ガラス膜の上に積層された他方の基
板とを有した積層膜構造体から成る。
【0026】
【実施例】次に、本発明に係る磁気ヘッドについて更に
詳しく説明する。本実施例では、磁気ヘッドは、Fe−
Si−Al合金磁性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドとさ
れる。
詳しく説明する。本実施例では、磁気ヘッドは、Fe−
Si−Al合金磁性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドとさ
れる。
【0027】DCマグネトロンスパッタ装置を使用して
図6に示すような構成の積層膜構造体17を作製した。
図6に示すような構成の積層膜構造体17を作製した。
【0028】積層膜構造体17にて、基板11は、本実
施例ではCoO−NiOを主成分とする非磁性セラミッ
クス基板とされ、該基板11上にFe−Si−Al合金
膜12を膜厚5μmにて成膜した。
施例ではCoO−NiOを主成分とする非磁性セラミッ
クス基板とされ、該基板11上にFe−Si−Al合金
膜12を膜厚5μmにて成膜した。
【0029】続いて、このFe−Si−Al合金膜12
の上に層間膜(絶縁膜)13としてSiO2 膜が膜厚
0.5μmにて形成された。
の上に層間膜(絶縁膜)13としてSiO2 膜が膜厚
0.5μmにて形成された。
【0030】同様にして、前記層間膜13上に磁性膜1
2及び絶縁膜13の順に4回繰り返し、磁性膜構造体1
4を得た。該磁性膜構造体14の全膜厚は20μmであ
った。該成膜された軟磁性膜構造体14を熱処理した。
2及び絶縁膜13の順に4回繰り返し、磁性膜構造体1
4を得た。該磁性膜構造体14の全膜厚は20μmであ
った。該成膜された軟磁性膜構造体14を熱処理した。
【0031】更に、前記磁性膜構造体14の上に膜厚1
μmのガラス膜15を通常のスパッタリング等で形成
し、次いで、前記基板11と同じ材料で形成された他の
基板16を前記ガラス膜の上に積層して積層膜構造体1
7を作製した。該積層膜構造体17は溶融圧着を行なっ
た。ガラス膜15としては、SiO2 −Al2 O3 −N
a2 O系ガラスを使用した。
μmのガラス膜15を通常のスパッタリング等で形成
し、次いで、前記基板11と同じ材料で形成された他の
基板16を前記ガラス膜の上に積層して積層膜構造体1
7を作製した。該積層膜構造体17は溶融圧着を行なっ
た。ガラス膜15としては、SiO2 −Al2 O3 −N
a2 O系ガラスを使用した。
【0032】次に、このようにして作製した積層膜構造
体17は、図5に示すように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体ブロック18、19を形成し、コア
半体18に巻線溝20を形成した後、両コア半体ブロッ
ク18、19の突合せ面の接合を強固なものとするため
に、巻線溝20に対向した、コア半体19の両側面部に
面取部22を形成し、又、両コア半体の前記ギャップ部
21とは反対側にも凹所23を形成した。後で説明する
ように、本発明によれば、ギャップ部21の接合強度が
大となるので、必ずしも面取部22の形成は要求されな
い。
体17は、図5に示すように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体ブロック18、19を形成し、コア
半体18に巻線溝20を形成した後、両コア半体ブロッ
ク18、19の突合せ面の接合を強固なものとするため
に、巻線溝20に対向した、コア半体19の両側面部に
面取部22を形成し、又、両コア半体の前記ギャップ部
21とは反対側にも凹所23を形成した。後で説明する
ように、本発明によれば、ギャップ部21の接合強度が
大となるので、必ずしも面取部22の形成は要求されな
い。
【0033】次いで、両コア半体ブロック18、19の
突合せ面が研摩加工され、ギャップ部21が形成され
る。
突合せ面が研摩加工され、ギャップ部21が形成され
る。
【0034】本発明に従えば、図1に示すように、各コ
ア半体18、19の研摩加工された突合せ面18a、1
9aには、SiO2 から成るギャップ材層25、26
と、Al層からなるバリア層29、30と、接合ガラス
層27、28とがスパッタリングにより形成される。
ア半体18、19の研摩加工された突合せ面18a、1
9aには、SiO2 から成るギャップ材層25、26
と、Al層からなるバリア層29、30と、接合ガラス
層27、28とがスパッタリングにより形成される。
【0035】両コア半体18、19の、ギャップ材層2
5、26、バリア層29、30、及び接合ガラス層2
7、28から成るギャップ長(L)を如何なる寸法にす
るかによりギャップ材層25、26、バリア層29、3
0、及び接合ガラス層27、28の各層厚はギャップ長
Lに従って任意に選択し得る。
5、26、バリア層29、30、及び接合ガラス層2
7、28から成るギャップ長(L)を如何なる寸法にす
るかによりギャップ材層25、26、バリア層29、3
0、及び接合ガラス層27、28の各層厚はギャップ長
Lに従って任意に選択し得る。
【0036】Al層からなるバリア層29、30を成膜
する場合には、ターゲットとしてアルミニウム(Al)
を使用した、通常のスパッタリング法にて行なうことが
でき、膜厚としては、通常10〜200Å、好ましく
は、50〜150Åとされる。膜厚が10Åより小さい
場合には、所期の目的が達成されず、200Åを超える
と磁気ヘッドの磁気特性に悪影響を及ぼすこととなり好
ましくない。
する場合には、ターゲットとしてアルミニウム(Al)
を使用した、通常のスパッタリング法にて行なうことが
でき、膜厚としては、通常10〜200Å、好ましく
は、50〜150Åとされる。膜厚が10Åより小さい
場合には、所期の目的が達成されず、200Åを超える
と磁気ヘッドの磁気特性に悪影響を及ぼすこととなり好
ましくない。
【0037】SiO2 から成るギャップ材層25、2
6、及び接合ガラス層27、28は従来の材料及び方法
に従って成膜することができる。本実施例にて、ギャッ
プ材層25、26は0.1μm、接合ガラス層27、2
8は0.05μm、Al層は100Åとした。
6、及び接合ガラス層27、28は従来の材料及び方法
に従って成膜することができる。本実施例にて、ギャッ
プ材層25、26は0.1μm、接合ガラス層27、2
8は0.05μm、Al層は100Åとした。
【0038】このようにしてギャップ部21が形成され
た両コア半体ブロック18、19は、面取部22及び凹
所23にモールドガラスを溶融充填すると共に、ギャッ
プ部21を500℃〜650℃にて30分間〜1時間加
熱することにより溶融圧着した。
た両コア半体ブロック18、19は、面取部22及び凹
所23にモールドガラスを溶融充填すると共に、ギャッ
プ部21を500℃〜650℃にて30分間〜1時間加
熱することにより溶融圧着した。
【0039】最後に、テープ摺動面を形成するべくR研
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、薄
膜積層磁気ヘッド10が得られた。
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、薄
膜積層磁気ヘッド10が得られた。
【0040】上記説明では、両コア半体ブロック18、
19を接合するためにギャップ部21の側面に面取部2
2を形成し、該面取部22にモールドガラスを溶融充填
することとしたが、本発明の構成に従った上記ギャップ
部21を有する場合には該面取部22は形成せずとも十
分な接合強度を有していることが分かった。
19を接合するためにギャップ部21の側面に面取部2
2を形成し、該面取部22にモールドガラスを溶融充填
することとしたが、本発明の構成に従った上記ギャップ
部21を有する場合には該面取部22は形成せずとも十
分な接合強度を有していることが分かった。
【0041】上記方法にて多数の磁気ヘッドを作製した
が、ギャップ部21にて、ギャップ材層25、26と接
合ガラス層27、28との間が溶着しないことに起因し
た不良品の発生は大幅に減少し、歩留りは85%にまで
向上した。
が、ギャップ部21にて、ギャップ材層25、26と接
合ガラス層27、28との間が溶着しないことに起因し
た不良品の発生は大幅に減少し、歩留りは85%にまで
向上した。
【0042】つまり、本発明に係る磁気ヘッドは、製造
時におけるギャップ部21の、特に、ギャップ材層2
5、26と接合ガラス層27、28との間の溶着が極め
て安定して行なわれ、ギャップ部におけるギャップ材層
25、26と接合ガラス層27、28との間の接着力不
足による両者の開きはなくなった。
時におけるギャップ部21の、特に、ギャップ材層2
5、26と接合ガラス層27、28との間の溶着が極め
て安定して行なわれ、ギャップ部におけるギャップ材層
25、26と接合ガラス層27、28との間の接着力不
足による両者の開きはなくなった。
【0043】しかしながら、更に、このようにして製造
された磁気ヘッド中の不良品とされる磁気ヘッドを仔細
に観察すると、ギャップ材層25、26と接合ガラス層
27、28との間の溶着は極めて安定して行なわれてい
るにも拘らず、ギャップ材25、26と突合せ面18
a、19aとの間が開いているものがあることが分かっ
た。
された磁気ヘッド中の不良品とされる磁気ヘッドを仔細
に観察すると、ギャップ材層25、26と接合ガラス層
27、28との間の溶着は極めて安定して行なわれてい
るにも拘らず、ギャップ材25、26と突合せ面18
a、19aとの間が開いているものがあることが分かっ
た。
【0044】本発明者らの研究実験の結果、これは、突
合せ面18a、19aにおける各種材料、即ち、セラミ
ックス基板11、磁性膜構造体14の磁性膜12及び非
磁性絶縁膜13並びにガラス膜15と、ギャップ材層2
5、26との間にて相互に拡散が起こり、両者間の接着
力が低下するためであることが分かった。
合せ面18a、19aにおける各種材料、即ち、セラミ
ックス基板11、磁性膜構造体14の磁性膜12及び非
磁性絶縁膜13並びにガラス膜15と、ギャップ材層2
5、26との間にて相互に拡散が起こり、両者間の接着
力が低下するためであることが分かった。
【0045】そのために、図2に示すように、本発明者
らは、更に、ギャップ材層25、26と突合せ面18
a、19aとの間にも又、上記実施例におけるバリア層
と同様の、バッファ層31、32として10〜200Å
のAl層を形成することにより、ギャップ材層25、2
6と突合せ面18a、19aをも強固に接合し得ること
を見出した。これによって、ギャップ部21の製造に関
する歩留りは95%へと飛躍的に向上した。
らは、更に、ギャップ材層25、26と突合せ面18
a、19aとの間にも又、上記実施例におけるバリア層
と同様の、バッファ層31、32として10〜200Å
のAl層を形成することにより、ギャップ材層25、2
6と突合せ面18a、19aをも強固に接合し得ること
を見出した。これによって、ギャップ部21の製造に関
する歩留りは95%へと飛躍的に向上した。
【0046】図3及び図4は、ギャップ材層25、26
と突合せ面18a、19aとの間、及びギャップ材層2
5、26と接合ガラス層27、28との間にそれぞれA
l層29、30;31、32を形成した、本発明の磁気
ヘッドを形成するためのコア半体のAuger分析結果
を示すグラフである。図3は、スパッタリングにて積層
した直後の分析結果であり、図4は、570℃にて熱処
理した後(磁気ヘッド製品の状態に相当する)の分析結
果である。
と突合せ面18a、19aとの間、及びギャップ材層2
5、26と接合ガラス層27、28との間にそれぞれA
l層29、30;31、32を形成した、本発明の磁気
ヘッドを形成するためのコア半体のAuger分析結果
を示すグラフである。図3は、スパッタリングにて積層
した直後の分析結果であり、図4は、570℃にて熱処
理した後(磁気ヘッド製品の状態に相当する)の分析結
果である。
【0047】図3及び図4から、本発明にて形成される
バリア層29、30及びバッファ層31、32としての
Al層は、Al層形成時の金属状態から、高温処理後に
はAl酸化物となり、しかも隣接する層、即ち、突合せ
面18a、19a、ギャップ材25、26及び接合ガラ
ス層27、28へと酸化拡散し、このAl層の酸化拡散
によって、ギャップ部21の各積層材を互いに強固に接
合していることが理解される。
バリア層29、30及びバッファ層31、32としての
Al層は、Al層形成時の金属状態から、高温処理後に
はAl酸化物となり、しかも隣接する層、即ち、突合せ
面18a、19a、ギャップ材25、26及び接合ガラ
ス層27、28へと酸化拡散し、このAl層の酸化拡散
によって、ギャップ部21の各積層材を互いに強固に接
合していることが理解される。
【0048】このように、本発明によれば、Al層が、
隣接する層へと酸化拡散することによって、相互の接着
強度を増大させ、しかも、ギャップ部21の構成積層材
の相互への拡散を防止し、それによってギャップ部21
の製造に関する歩留りはを85%へと、更には95%へ
と向上せしめることができる。
隣接する層へと酸化拡散することによって、相互の接着
強度を増大させ、しかも、ギャップ部21の構成積層材
の相互への拡散を防止し、それによってギャップ部21
の製造に関する歩留りはを85%へと、更には95%へ
と向上せしめることができる。
【0049】上述のようにして製造した、いずれの構成
の本発明の磁気ヘッド10も、極めて良好な磁気特性を
有するものであり、保磁力0.18 Oe 、1MHzでの
比初透磁率2000が得られた。又、本発明の磁気ヘッ
ドをトラック幅が膜厚方向とされるVTR用磁気ヘッド
とし、トラック幅20μm、テープヘッド相対速度5.
8m/secとし、メタルテープを用いて、再生出力を
測定したところ、5MHzでの再生出力で従来の基板、
ガラス膜、モールドガラスを用いた磁気ヘッドと同程度
の性能が得られた。
の本発明の磁気ヘッド10も、極めて良好な磁気特性を
有するものであり、保磁力0.18 Oe 、1MHzでの
比初透磁率2000が得られた。又、本発明の磁気ヘッ
ドをトラック幅が膜厚方向とされるVTR用磁気ヘッド
とし、トラック幅20μm、テープヘッド相対速度5.
8m/secとし、メタルテープを用いて、再生出力を
測定したところ、5MHzでの再生出力で従来の基板、
ガラス膜、モールドガラスを用いた磁気ヘッドと同程度
の性能が得られた。
【0050】上記本発明に係る磁気ヘッドは、長時間の
使用においてもギャップ部におけるエッジだれ、つぶ
れ、広がり等の問題を発生することがなく、しかもギャ
ップ部に割れも発生しなかった。
使用においてもギャップ部におけるエッジだれ、つぶ
れ、広がり等の問題を発生することがなく、しかもギャ
ップ部に割れも発生しなかった。
【0051】上記各実施例にて、本発明の磁気ヘッドの
磁性膜構造体磁性薄膜13としては、Fe−Si−Al
合金磁性体に関連して説明したが、アモルファス磁性体
或は窒化鉄磁性体なども同様に使用することができ、
又、基板11、16としても、CoO−NiOを主成分
とする非磁性セラミックス基板以外の他の非磁性セラミ
ックス或は結晶化ガラスなどの基板をも使用し得ること
は勿論である。
磁性膜構造体磁性薄膜13としては、Fe−Si−Al
合金磁性体に関連して説明したが、アモルファス磁性体
或は窒化鉄磁性体なども同様に使用することができ、
又、基板11、16としても、CoO−NiOを主成分
とする非磁性セラミックス基板以外の他の非磁性セラミ
ックス或は結晶化ガラスなどの基板をも使用し得ること
は勿論である。
【0052】
【発明の効果】以上の如くに構成される本発明に係る磁
気ヘッドは、製造時におけるギャップ部の溶着が極めて
安定して行なわれ、又、長時間の使用においてもギャッ
プ部におけるエッジだれ、つぶれ、広がり等の問題を発
生することがなく、しかもギャップ部に割れも発生せ
ず、高品質の磁気ヘッド、特にFe−Si−Al合金磁
性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドを提供することがで
き、更に、歩留りを85%、更には95%にまで向上せ
しめることができる。
気ヘッドは、製造時におけるギャップ部の溶着が極めて
安定して行なわれ、又、長時間の使用においてもギャッ
プ部におけるエッジだれ、つぶれ、広がり等の問題を発
生することがなく、しかもギャップ部に割れも発生せ
ず、高品質の磁気ヘッド、特にFe−Si−Al合金磁
性膜を用いた薄膜積層磁気ヘッドを提供することがで
き、更に、歩留りを85%、更には95%にまで向上せ
しめることができる。
【図1】本発明に係る磁気ヘッドの一実施例のギャップ
部の部分平面図である。
部の部分平面図である。
【図2】本発明に係る磁気ヘッドの他の実施例のギャッ
プ部の部分平面図である。
プ部の部分平面図である。
【図3】スパッタリングにて積層した直後の磁気ヘッド
のAuger分析結果を示すグラフである。
のAuger分析結果を示すグラフである。
【図4】570℃にて熱処理した後の磁気ヘッドのAu
ger分析結果を示すグラフである。
ger分析結果を示すグラフである。
【図5】本発明を具現化し得る薄膜積層磁気ヘッドの斜
視図である。
視図である。
【図6】図5の磁気ヘッドの層構成を示す部分平面図で
ある。
ある。
【図7】図5の磁気ヘッドのギャップ部を示す平面図で
ある。
ある。
【図8】従来の磁気ヘッドのギャップ部の部分平面図で
ある。
ある。
10 薄膜積層磁気ヘッド 18、19 コア半体 21 ギャップ部 25、26 ギャップ材層 27、28 接合ガラス層 29、30、31、32 バリア層
Claims (3)
- 【請求項1】 二つのコア半体を形成し、各コア半体の
突合せ面には、コア半体に隣接して形成されたギャップ
材層と、バリア層と、接合ガラス層とを順に形成し、そ
して両コア半体の前記接合ガラス層を互いに溶融圧着し
て所定のギャップ長を有したギャップ部を形成するよう
にした磁気ヘッドにおいて、前記バリア層は、厚さ10
〜200ÅのAl層であることを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項2】 更に、前記各コア半体の突合せ面と前記
ギャップ材層との間に、厚さ10〜200ÅのAl層か
らなるバッファ層を形成したことを特徴とする請求項1
の磁気ヘッド。 - 【請求項3】 各コア半体は、一方の基板と、該基板の
上にFe−Si−Al合金磁性膜と層間膜とが交互に積
層されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造体の上に積層
されたガラス膜と、該ガラス膜の上に積層された他方の
基板とを有した積層膜構造体から成る請求項1又は2の
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34315792A JPH06176317A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34315792A JPH06176317A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176317A true JPH06176317A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18359359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34315792A Pending JPH06176317A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06176317A (ja) |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP34315792A patent/JPH06176317A/ja active Pending
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