JPH04255902A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04255902A JPH04255902A JP3944491A JP3944491A JPH04255902A JP H04255902 A JPH04255902 A JP H04255902A JP 3944491 A JP3944491 A JP 3944491A JP 3944491 A JP3944491 A JP 3944491A JP H04255902 A JPH04255902 A JP H04255902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- layer
- layers
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001199 N alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017086 Fe-M Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイビジョン等のＨＤ
−ＴＶに対応した高密度記録用のＶＴＲに好適に使用さ
れる磁気ヘッドとその製造方法に関する。
−ＴＶに対応した高密度記録用のＶＴＲに好適に使用さ
れる磁気ヘッドとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハイビジョンやＨＤ−ＴＶに対応した高
密度記録再生用のＶＴＲには、例えば図１０に示す磁気
ヘッドが使用されている。この磁気ヘッドは、一般のＶ
ＴＲ用の磁気ヘッドチップとは異なり、渦電流損失を低
減させ高周波特性を向上させるために非磁性である一対
の非磁性基板１，１、１１ ，１１ 間に強磁性体層２
，２と非磁性体層３，３とを交互に例えば、スパッタリ
ング等により複数層（図では強磁性体層２が４層）それ
ぞれ積層形成して金属軟磁性薄膜層４が形成され、ガラ
ス層５，５を介在させて貼着一体として一組のチップ本
体１０，１０１ が形成されており、チップ本体１０，
１０１ 間にはギャップスペーサ膜（不図示）を設けて
トラック溝６にそれぞれガラス７，７を充填して溶着一
体とした上でトラック幅を規制した磁気ギャップ９が形
成されたものとなっている。
密度記録再生用のＶＴＲには、例えば図１０に示す磁気
ヘッドが使用されている。この磁気ヘッドは、一般のＶ
ＴＲ用の磁気ヘッドチップとは異なり、渦電流損失を低
減させ高周波特性を向上させるために非磁性である一対
の非磁性基板１，１、１１ ，１１ 間に強磁性体層２
，２と非磁性体層３，３とを交互に例えば、スパッタリ
ング等により複数層（図では強磁性体層２が４層）それ
ぞれ積層形成して金属軟磁性薄膜層４が形成され、ガラ
ス層５，５を介在させて貼着一体として一組のチップ本
体１０，１０１ が形成されており、チップ本体１０，
１０１ 間にはギャップスペーサ膜（不図示）を設けて
トラック溝６にそれぞれガラス７，７を充填して溶着一
体とした上でトラック幅を規制した磁気ギャップ９が形
成されたものとなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時の
磁気ヘッドにおいては、トラック幅の狭化が進み、非磁
性基板１，１１ 間に積層される強磁性体層２と非磁性
体層３との積層膜である金属軟磁性薄膜層４のガラス層
５，５を介した接合強度を高めるといった耐久性の向上
が要求されるようになってきた。
磁気ヘッドにおいては、トラック幅の狭化が進み、非磁
性基板１，１１ 間に積層される強磁性体層２と非磁性
体層３との積層膜である金属軟磁性薄膜層４のガラス層
５，５を介した接合強度を高めるといった耐久性の向上
が要求されるようになってきた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の磁気ヘッドは、一対の非磁性基板間に、強
磁性体層と非磁性体層とを交互に積層してなる金属軟磁
性薄膜層と酸化物薄膜層とガラス層とをそれぞれ接合一
体としたことを特徴とする。
に、本発明の磁気ヘッドは、一対の非磁性基板間に、強
磁性体層と非磁性体層とを交互に積層してなる金属軟磁
性薄膜層と酸化物薄膜層とガラス層とをそれぞれ接合一
体としたことを特徴とする。
【０００５】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
一方の非磁性基板上に、最外面に強磁性体層が位置する
ように強磁性体層と非磁性体層とを積層して金属軟磁性
薄膜層を形成し、該金属軟磁性薄膜層の最外面の強磁性
体層に酸化物薄膜層を積層してからガラス層を積層して
他方の非磁性基板を接合一体とする工程を含むことを特
徴とする。
一方の非磁性基板上に、最外面に強磁性体層が位置する
ように強磁性体層と非磁性体層とを積層して金属軟磁性
薄膜層を形成し、該金属軟磁性薄膜層の最外面の強磁性
体層に酸化物薄膜層を積層してからガラス層を積層して
他方の非磁性基板を接合一体とする工程を含むことを特
徴とする。
【０００６】
【作用】上記構成の磁気ヘッドでは、非磁性基板，金属
軟磁性薄膜層，酸化物薄膜層，ガラス層，非磁性基板の
順で接合一体となっており、金属軟磁性薄膜層と酸化物
薄膜層との接合強度が向上し、金属軟磁性薄膜層と非磁
性基板とのガラス層を介した接合強度がより高められた
磁気ヘッドとなる。
軟磁性薄膜層，酸化物薄膜層，ガラス層，非磁性基板の
順で接合一体となっており、金属軟磁性薄膜層と酸化物
薄膜層との接合強度が向上し、金属軟磁性薄膜層と非磁
性基板とのガラス層を介した接合強度がより高められた
磁気ヘッドとなる。
【０００７】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
ると、一方の非磁性基板上に積層された金属軟磁性薄膜
層の最外面の強磁性体層の上に酸化物薄膜層を積層して
からガラス層を積層することにより、金属軟磁性薄膜層
の強磁性体層と酸化物薄膜層との接合強度が高められる
ようになり、金属軟磁性薄膜層と他方の非磁性基板との
ガラス層を介した接続強度がより高められた磁気ヘッド
が製造される。
ると、一方の非磁性基板上に積層された金属軟磁性薄膜
層の最外面の強磁性体層の上に酸化物薄膜層を積層して
からガラス層を積層することにより、金属軟磁性薄膜層
の強磁性体層と酸化物薄膜層との接合強度が高められる
ようになり、金属軟磁性薄膜層と他方の非磁性基板との
ガラス層を介した接続強度がより高められた磁気ヘッド
が製造される。
【０００８】尚、本発明において、金属軟磁性薄膜層と
はセンダストやアモルファス合金ばかりでなくＦｅ−Ｍ
−Ｎ合金（Ｍは、Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ等の添加物金
属）等の窒化膜層をも含む概念としている。
はセンダストやアモルファス合金ばかりでなくＦｅ−Ｍ
−Ｎ合金（Ｍは、Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ等の添加物金
属）等の窒化膜層をも含む概念としている。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例に係る磁気ヘッド
の斜視図であり、図２はその要部の拡大平面図である。 図に示す磁気ヘッドは、例えば、ハイビジョンやＨＤ−
ＴＶ，Ｓ−ＶＨＳ等に対応するＶＴＲ等の高密度記録再
生用に使用されるものである。図において、１１，１１
１ は一組のチップ本体であり、該チップ本体１１，１
１１ は、例えば、セラミック等の非磁性体よりなる一
対の非磁性基板１，１及び１１ ，１１ の中央部分に
、渦電流損失を低減するために、センダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）や、Ｃｏ−Ｍ系アモルファス合金や、Ｆ
ｅ−Ｍ−Ｎ合金（Ｍは先述のとおりの添加物金属）等の
窒化膜層等の強磁性体の薄膜層２（図では４層）と酸化
シリコンやアルミナ等の非磁性体の極薄膜層３（図では
３層）とが交互に積層された金属軟磁性薄膜層４が形成
されている。上記強磁性体層２と非磁性体層３は何れも
近時の狭トラック化に対応して強磁性体層２が例えば約
５μｍ、非磁性体層３が０．１μｍ程度の薄膜に積層さ
れている。
の斜視図であり、図２はその要部の拡大平面図である。 図に示す磁気ヘッドは、例えば、ハイビジョンやＨＤ−
ＴＶ，Ｓ−ＶＨＳ等に対応するＶＴＲ等の高密度記録再
生用に使用されるものである。図において、１１，１１
１ は一組のチップ本体であり、該チップ本体１１，１
１１ は、例えば、セラミック等の非磁性体よりなる一
対の非磁性基板１，１及び１１ ，１１ の中央部分に
、渦電流損失を低減するために、センダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）や、Ｃｏ−Ｍ系アモルファス合金や、Ｆ
ｅ−Ｍ−Ｎ合金（Ｍは先述のとおりの添加物金属）等の
窒化膜層等の強磁性体の薄膜層２（図では４層）と酸化
シリコンやアルミナ等の非磁性体の極薄膜層３（図では
３層）とが交互に積層された金属軟磁性薄膜層４が形成
されている。上記強磁性体層２と非磁性体層３は何れも
近時の狭トラック化に対応して強磁性体層２が例えば約
５μｍ、非磁性体層３が０．１μｍ程度の薄膜に積層さ
れている。
【００１１】更に、該金属軟磁性薄膜層４の最外面に積
層された強磁性体層２，２にはアルミナ等の酸化物薄膜
層８，８が同様に約０．５μｍ程度の薄膜に形成されて
おり、さらに該酸化物薄膜層８，８にガラス層５，５が
それぞれ約１μｍ程度の厚みで積層され、他方の非磁性
基板１，１１ が該ガラス層５，５に接合されてチップ
本体１１，１１１ が形成されている。
層された強磁性体層２，２にはアルミナ等の酸化物薄膜
層８，８が同様に約０．５μｍ程度の薄膜に形成されて
おり、さらに該酸化物薄膜層８，８にガラス層５，５が
それぞれ約１μｍ程度の厚みで積層され、他方の非磁性
基板１，１１ が該ガラス層５，５に接合されてチップ
本体１１，１１１ が形成されている。
【００１２】そして、一方の非磁性基板１１ ，１１
に形成されたトラック溝６，６にそれぞれ接合用のガラ
ス７，７を充填し、トラック幅を規制した上で両チップ
本体１１，１１１ を酸化シリコン等のギャップスペー
サ膜（不図示）により磁気ギャップ９を形成して溶着一
体としている。
に形成されたトラック溝６，６にそれぞれ接合用のガラ
ス７，７を充填し、トラック幅を規制した上で両チップ
本体１１，１１１ を酸化シリコン等のギャップスペー
サ膜（不図示）により磁気ギャップ９を形成して溶着一
体としている。
【００１３】上記構成の磁気ヘッドでは、金属軟磁性薄
膜層４，４の強磁性体層２，２と酸化物薄膜層８，８と
の接合強度が直接金属軟磁性薄膜層４，４とガラス層５
，５とを接合した場合と比べて高められるようになり、
従って、金属軟磁性薄膜層４と非磁性基板１および１１
との全体的な接合強度が従来の磁気ヘッドと比べて大
幅に向上する。
膜層４，４の強磁性体層２，２と酸化物薄膜層８，８と
の接合強度が直接金属軟磁性薄膜層４，４とガラス層５
，５とを接合した場合と比べて高められるようになり、
従って、金属軟磁性薄膜層４と非磁性基板１および１１
との全体的な接合強度が従来の磁気ヘッドと比べて大
幅に向上する。
【００１４】上記構成の磁気ヘッドは次のような順で製
造される。即ち、図３に示すように、非磁性基板となる
セラミック等のブロック１ａ，１ａ１ を準備し、図４
に示すように、その片面に蒸着又はスパッタリング等に
よりセンダスト等の強磁性体層２，２とアルミナ等の非
磁性体層３，３を交互に積層する。例えば、強磁性体層
２，２を四層、非磁性体層３，３を三層それぞれ積層し
て強磁性体層２，２を最外面に積層して金属軟磁性薄膜
層４，４を構成して形成する。次に図５に示すように、
上記金属軟磁性薄膜層４，４の最外面の強磁性体層２，
２上にアルミナ等の酸化物薄膜層８，８を同様に蒸着又
はスパッタリング等によって積層する。
造される。即ち、図３に示すように、非磁性基板となる
セラミック等のブロック１ａ，１ａ１ を準備し、図４
に示すように、その片面に蒸着又はスパッタリング等に
よりセンダスト等の強磁性体層２，２とアルミナ等の非
磁性体層３，３を交互に積層する。例えば、強磁性体層
２，２を四層、非磁性体層３，３を三層それぞれ積層し
て強磁性体層２，２を最外面に積層して金属軟磁性薄膜
層４，４を構成して形成する。次に図５に示すように、
上記金属軟磁性薄膜層４，４の最外面の強磁性体層２，
２上にアルミナ等の酸化物薄膜層８，８を同様に蒸着又
はスパッタリング等によって積層する。
【００１５】そして、図６に示すように、ガラス層５，
５をスパッタリング等によって積層してから、図７に示
すように、他のブロック１ａ，１ａ１ を重ね合わせて
接合一体とする。さらに、図８に示すように、該非磁性
基板１，１１ の上に、上記図４から図７までの工程を
繰り返し、非磁性基板１，１１ 間に金属軟磁性薄膜層
４，４と酸化物薄膜層８，８とガラス層５，５とを積層
して非磁性のブロック体１ｂ，１ｂ１ を形成する。
５をスパッタリング等によって積層してから、図７に示
すように、他のブロック１ａ，１ａ１ を重ね合わせて
接合一体とする。さらに、図８に示すように、該非磁性
基板１，１１ の上に、上記図４から図７までの工程を
繰り返し、非磁性基板１，１１ 間に金属軟磁性薄膜層
４，４と酸化物薄膜層８，８とガラス層５，５とを積層
して非磁性のブロック体１ｂ，１ｂ１ を形成する。
【００１６】それから、一方のブロック体１ｂ１ の各
ブロック１ａ１ の接合面側にトラック溝６，６を形成
し、該トラック溝６，６にガラス７，７を溶着させた状
態で各ブロック体１ｂ及び１ｂ１ 間にギャップスペー
サ膜（図示せず）を形成し、図９に示すように、上記ガ
ラス７，７によって両者を溶着一体として磁気ギャップ
９を規制し、一点鎖線で示すトラック溝６，６の位置で
スライスしてからテープ摺動面を曲面研磨して図１に示
すようにな磁気ヘッドが製造される。
ブロック１ａ１ の接合面側にトラック溝６，６を形成
し、該トラック溝６，６にガラス７，７を溶着させた状
態で各ブロック体１ｂ及び１ｂ１ 間にギャップスペー
サ膜（図示せず）を形成し、図９に示すように、上記ガ
ラス７，７によって両者を溶着一体として磁気ギャップ
９を規制し、一点鎖線で示すトラック溝６，６の位置で
スライスしてからテープ摺動面を曲面研磨して図１に示
すようにな磁気ヘッドが製造される。
【００１７】上記した本発明製造方法では、強磁性体層
２と非磁性体層３よりなる金属軟磁性薄膜層４，４と非
磁性基板１，１１ との接合を、酸化物薄膜層８，８と
ガラス層５，５の積層を介して行うことでその接合強度
が従来と比べて遥かに向上した磁気ヘッドを容易に量産
できるようになる。具体的には、従来の磁気ヘッドでは
その非磁性基板１，１間の接合強度（せん断力）の平均
が０．５ｋｇ／ｍｍ２ 程度であったのに対し、本発明
の磁気ヘッドでは、酸化物薄膜層８，８を積層したこと
によりその接合強度の平均が１．２５ｋｇ／ｍｍ２ 程
度となり、約２．５倍程度の接合強度の向上が実測され
た。また、ガラス層５，５の積層工程においては、一般
にアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で行なわれるが、こ
の雰囲気中に活性ガスである酸素ガスを混入させて酸素
欠乏を防止してスパッタリングを行うと、上記の非磁性
基板１，１間との接合強度が更に向上した。具体的には
、アルゴンガス：酸素ガス＝３：１程度の割合とした雰
囲気中でスパッタリングすると、アルゴンガスだけの雰
囲気中でスパッタリングした上記の接合強度と比べて更
に約１．５倍の強度アップが実測された。
２と非磁性体層３よりなる金属軟磁性薄膜層４，４と非
磁性基板１，１１ との接合を、酸化物薄膜層８，８と
ガラス層５，５の積層を介して行うことでその接合強度
が従来と比べて遥かに向上した磁気ヘッドを容易に量産
できるようになる。具体的には、従来の磁気ヘッドでは
その非磁性基板１，１間の接合強度（せん断力）の平均
が０．５ｋｇ／ｍｍ２ 程度であったのに対し、本発明
の磁気ヘッドでは、酸化物薄膜層８，８を積層したこと
によりその接合強度の平均が１．２５ｋｇ／ｍｍ２ 程
度となり、約２．５倍程度の接合強度の向上が実測され
た。また、ガラス層５，５の積層工程においては、一般
にアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で行なわれるが、こ
の雰囲気中に活性ガスである酸素ガスを混入させて酸素
欠乏を防止してスパッタリングを行うと、上記の非磁性
基板１，１間との接合強度が更に向上した。具体的には
、アルゴンガス：酸素ガス＝３：１程度の割合とした雰
囲気中でスパッタリングすると、アルゴンガスだけの雰
囲気中でスパッタリングした上記の接合強度と比べて更
に約１．５倍の強度アップが実測された。
【００１８】尚、金属軟磁性薄膜層４と非磁性基板１と
を酸化物薄膜層８とガラス層５を介在させて接合強度を
高めて接合する方法は、実施例で示した磁気ヘッドに限
らず、他の磁性体と非磁性基板とをガラス層を介在させ
て接合すく場合に応用でき、顕著な接合強度の向上が図
れる。
を酸化物薄膜層８とガラス層５を介在させて接合強度を
高めて接合する方法は、実施例で示した磁気ヘッドに限
らず、他の磁性体と非磁性基板とをガラス層を介在させ
て接合すく場合に応用でき、顕著な接合強度の向上が図
れる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気ヘッドでは、非磁性基板間に金属軟磁性薄膜層と
、酸化物薄膜層と、ガラス層とを介在させて接合一体と
することにより、その非磁性基板間の接合強度の大幅な
向上が実現でき、狭トラック化の図られた磁気ヘッドを
提供できるようになり、また、本発明の製造方法による
と、非磁性基板間の接合強度が高められた磁気ヘッドを
効率よく製造することができるといった効果を奏する。
の磁気ヘッドでは、非磁性基板間に金属軟磁性薄膜層と
、酸化物薄膜層と、ガラス層とを介在させて接合一体と
することにより、その非磁性基板間の接合強度の大幅な
向上が実現でき、狭トラック化の図られた磁気ヘッドを
提供できるようになり、また、本発明の製造方法による
と、非磁性基板間の接合強度が高められた磁気ヘッドを
効率よく製造することができるといった効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例に係る磁気ヘッドの斜視図。
【図２】本発明の一実施例に係る磁気ヘッドのヘッド面
の部分拡大平面図。
の部分拡大平面図。
【図３】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図４】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図５】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図７】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図８】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図９】本発明の磁気ヘッドの製造方法を順を追って示
す説明図。
す説明図。
【図１０】従来の磁気ヘッドの斜視図。
１，１１ 非磁性基板
２ 強磁性体層
３ 非磁性体層
４ 金属軟磁性薄膜層
５ ガラス層
８ 酸化物薄膜層
９ 磁気ギャップ
Claims (2)
- 【請求項１】一対の非磁性基板間に、強磁性体層と非磁
性体層とを交互に積層してなる金属軟磁性薄膜層と、酸
化物薄膜層と、ガラス層とをそれぞれ接合一体としたこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】一方の非磁性基板上に、最外面に強磁性体
層が位置するように強磁性体層と非磁性体層とを積層し
て金属軟磁性薄膜層を形成し、該金属軟磁性薄膜層の最
外面の強磁性体層に酸化物薄膜層を積層してからガラス
層を積層して他方の非磁性基板を接合一体とする工程を
含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3944491A JPH04255902A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3944491A JPH04255902A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255902A true JPH04255902A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=12553194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3944491A Pending JPH04255902A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04255902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103846548A (zh) * | 2012-11-28 | 2014-06-11 | 北京泰和磁记录制品有限公司 | 磁卡磁头的磁芯组合方法和系统 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3944491A patent/JPH04255902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103846548A (zh) * | 2012-11-28 | 2014-06-11 | 北京泰和磁记录制品有限公司 | 磁卡磁头的磁芯组合方法和系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0316006A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH04255902A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS6214313A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP3055321B2 (ja) | 磁気ヘッドと製造法 | |
| JP3147434B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH06176316A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0721513A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH01113909A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP2000311308A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH06176317A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS6374116A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0738247B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0240113A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05342518A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0448416A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH01245408A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH07121819A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH06150241A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH06338024A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH05114111A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS62124608A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0757210A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH113506A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0596904U (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH05197918A (ja) | 積層型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000411 |