JPH06177143A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06177143A JPH06177143A JP32695592A JP32695592A JPH06177143A JP H06177143 A JPH06177143 A JP H06177143A JP 32695592 A JP32695592 A JP 32695592A JP 32695592 A JP32695592 A JP 32695592A JP H06177143 A JPH06177143 A JP H06177143A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｐ型ＳＯＩ基板を従来の半導体集積回路製造
工程に用い様々な熱処理を行う際、その熱処理によりＰ
型ＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜近傍にＮ型反転層が形成
されないようにし、素子の特性の劣化や全く動作しなか
ったりという現象を防止し、要求を満足する素子特性が
得られるようにする。 【構成】 Ｐ型ＳＯＩ基板を熱処理炉で熱処理するにあ
たり、該Ｐ型ＳＯＩ基板に対しアルゴン雰囲気で、かつ
１０００〜１２５０℃の温度範囲で熱処理を行う。
工程に用い様々な熱処理を行う際、その熱処理によりＰ
型ＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜近傍にＮ型反転層が形成
されないようにし、素子の特性の劣化や全く動作しなか
ったりという現象を防止し、要求を満足する素子特性が
得られるようにする。 【構成】 Ｐ型ＳＯＩ基板を熱処理炉で熱処理するにあ
たり、該Ｐ型ＳＯＩ基板に対しアルゴン雰囲気で、かつ
１０００〜１２５０℃の温度範囲で熱処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＯＩ層がＰ型である
Ｐ型ＳＯＩ（Si On Insulator:絶縁体上のSi) 基板を使
用して、半導体基板を製造するために熱処理を施す際
に、ＳＯＩ層中の埋め込み酸化膜近傍にＮ型反転層が形
成されることのない半導体装置の製造方法に関する。
Ｐ型ＳＯＩ（Si On Insulator:絶縁体上のSi) 基板を使
用して、半導体基板を製造するために熱処理を施す際
に、ＳＯＩ層中の埋め込み酸化膜近傍にＮ型反転層が形
成されることのない半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】貼り合わせＳＯＩ基板１２は、図８に示
すごとく、支持基板（ベースウエーハ）１４とＳＯＩ
（Ｓｉの単結晶）層１６の間にはさまれた状態で絶縁体
として機能する埋め込み酸化膜１８が存在する構造を有
している。この貼り合わせＳＯＩ基板１２は半導体集積
回路製造工程において、様々な熱処理雰囲気及び熱処理
温度にさらされるが、その過程において、ＳＯＩ層の抵
抗率に異常を起こすことがある。特に、Ｐ型ＳＯＩ基板
では、ＳＯＩ層の埋め込み酸化膜１８近傍がＮ型化して
しまう現象がしばしば発生する。
すごとく、支持基板（ベースウエーハ）１４とＳＯＩ
（Ｓｉの単結晶）層１６の間にはさまれた状態で絶縁体
として機能する埋め込み酸化膜１８が存在する構造を有
している。この貼り合わせＳＯＩ基板１２は半導体集積
回路製造工程において、様々な熱処理雰囲気及び熱処理
温度にさらされるが、その過程において、ＳＯＩ層の抵
抗率に異常を起こすことがある。特に、Ｐ型ＳＯＩ基板
では、ＳＯＩ層の埋め込み酸化膜１８近傍がＮ型化して
しまう現象がしばしば発生する。
【０００３】このＮ型反転層の形成は、ＳＲ（広がり抵
抗）測定により確認することができ、特に、この現象は
１０Ωcm以上のＰ型高抵抗のＳＯＩ基板で発生しやすい
ことが知られている。なお、ＳＲ（広がり抵抗）測定
は、角度研磨した試料表面に２本の細い探針を立て、両
探針間に電圧を印可することにより、ＳＯＩ基板の厚さ
方向の値を測定することによって行われる。
抗）測定により確認することができ、特に、この現象は
１０Ωcm以上のＰ型高抵抗のＳＯＩ基板で発生しやすい
ことが知られている。なお、ＳＲ（広がり抵抗）測定
は、角度研磨した試料表面に２本の細い探針を立て、両
探針間に電圧を印可することにより、ＳＯＩ基板の厚さ
方向の値を測定することによって行われる。
【０００４】このＮ型反転層がＰ型ＳＯＩ層に形成され
ると、素子の特性が劣化したり全く動作しなかったりす
る現象が起こってしまう。例えば、Ｐ型ＳＯＩ層に横型
ＮＰＮトランジスタを形成した場合に、もし埋め込み酸
化膜直上部にＮ型反転層が発生していると、コレクタ−
エミッタ間が導通してしまい所定のトランジスタ特性が
得られなくなるという問題が発生する。
ると、素子の特性が劣化したり全く動作しなかったりす
る現象が起こってしまう。例えば、Ｐ型ＳＯＩ層に横型
ＮＰＮトランジスタを形成した場合に、もし埋め込み酸
化膜直上部にＮ型反転層が発生していると、コレクタ−
エミッタ間が導通してしまい所定のトランジスタ特性が
得られなくなるという問題が発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記した
Ｐ型ＳＯＩ基板におけるＮ型反転層の形成という現象の
原因を究明すべく研究を重ねた結果、この現象は熱処
理炉への基板の出し入れ時に室内の空気の巻き込み及び
／又は窒素ガスが存在する雰囲気下で、高温の熱処理
を行う時に起こりやすいことを見出した。
Ｐ型ＳＯＩ基板におけるＮ型反転層の形成という現象の
原因を究明すべく研究を重ねた結果、この現象は熱処
理炉への基板の出し入れ時に室内の空気の巻き込み及び
／又は窒素ガスが存在する雰囲気下で、高温の熱処理
を行う時に起こりやすいことを見出した。
【０００６】さらに、この現象を防止する手段として、
熱処理炉への基板の出し入れ時に室内の空気の巻き込
みを防止し、及び／又は窒素ガス以外の雰囲気ガスを
用いて高温の熱処理を行うことが効果的であることを見
出し本発明を完成したものである。
熱処理炉への基板の出し入れ時に室内の空気の巻き込
みを防止し、及び／又は窒素ガス以外の雰囲気ガスを
用いて高温の熱処理を行うことが効果的であることを見
出し本発明を完成したものである。
【０００７】本発明は、Ｐ型ＳＯＩ基板を従来の半導体
集積回路製造工程に用い様々な熱処理を行う際、その熱
処理によりＰ型ＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜近傍のＳＯ
Ｉ層にＮ型反転層が形成されないようにし、素子の特性
の劣化や全く動作しなかったりという現象を防止し、要
求を満足する素子特性が得られるようにした半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
集積回路製造工程に用い様々な熱処理を行う際、その熱
処理によりＰ型ＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜近傍のＳＯ
Ｉ層にＮ型反転層が形成されないようにし、素子の特性
の劣化や全く動作しなかったりという現象を防止し、要
求を満足する素子特性が得られるようにした半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置の製造方法においては、Ｐ型Ｓ
ＯＩ基板を熱処理炉で熱処理するにあたり、該Ｐ型ＳＯ
Ｉ基板に対しアルゴン雰囲気でかつ１０００〜１２５０
℃の温度範囲で熱処理を行うようにしたものである。
に、本発明の半導体装置の製造方法においては、Ｐ型Ｓ
ＯＩ基板を熱処理炉で熱処理するにあたり、該Ｐ型ＳＯ
Ｉ基板に対しアルゴン雰囲気でかつ１０００〜１２５０
℃の温度範囲で熱処理を行うようにしたものである。
【０００９】また、熱処理の際熱処理炉への出し入れ時
に室内の空気を巻き込まないようにすれば一層好まし
い。さらに、熱処理炉への出し入れ時に室内の空気を巻
き込まない構成の場合には雰囲気ガスとしてドライ酸素
を用いることもできる。
に室内の空気を巻き込まないようにすれば一層好まし
い。さらに、熱処理炉への出し入れ時に室内の空気を巻
き込まない構成の場合には雰囲気ガスとしてドライ酸素
を用いることもできる。
【００１０】熱処理炉の雰囲気ガスとして用いるアルゴ
ン又はドライ酸素は、実際の使用にあたっては所定のガ
ス流量で炉内に流すものである。この流量は熱処理炉の
容量で変動することはいうまでもないが、例えば、４３
リットル程度の横型炉の場合には３リットル／分程度の
流量で充分である。
ン又はドライ酸素は、実際の使用にあたっては所定のガ
ス流量で炉内に流すものである。この流量は熱処理炉の
容量で変動することはいうまでもないが、例えば、４３
リットル程度の横型炉の場合には３リットル／分程度の
流量で充分である。
【００１１】上記した熱処理炉への出し入れ時に室内の
空気を巻き込まないようにすること、及びわずかに空気
を巻き込んだ場合、これを捕捉するために、下記の〜
の手段を講ずるの好適である。
空気を巻き込まないようにすること、及びわずかに空気
を巻き込んだ場合、これを捕捉するために、下記の〜
の手段を講ずるの好適である。
【００１２】ＳＯＩ基板の前後には、熱処理されるＳ
ＯＩ基板と同じ口径か、それよりも口径の大きい清浄な
Ｓｉ表面を持ったダミーウエーハを複数枚並べる。ダミ
ーウエーハの口径は熱処理炉に適したサイズが標準であ
るが、例えば５”φウエーハ処理用の炉であれば５”φ
のダミーウエーハを用いるのがよい。該ダミーウエーハ
は、小量の空気を巻き込んだ場合、これを捕捉する効果
がある。
ＯＩ基板と同じ口径か、それよりも口径の大きい清浄な
Ｓｉ表面を持ったダミーウエーハを複数枚並べる。ダミ
ーウエーハの口径は熱処理炉に適したサイズが標準であ
るが、例えば５”φウエーハ処理用の炉であれば５”φ
のダミーウエーハを用いるのがよい。該ダミーウエーハ
は、小量の空気を巻き込んだ場合、これを捕捉する効果
がある。
【００１３】ＳＯＩ基板の出し入れ時に窒素ガスを炉
尾から炉口方向に大量に流す。例えば、上記した４３リ
ットル程度の炉の場合には２０リットル／分程度の流量
で充分効果がある。 出来るだけ低温でＳＯＩ基板の出し入れを行う。具体
的には、８００℃以下程度の温度で基板の出し入れを行
えばよい。 また、縦型の熱処理炉を用いるとさらに良好である。
尾から炉口方向に大量に流す。例えば、上記した４３リ
ットル程度の炉の場合には２０リットル／分程度の流量
で充分効果がある。 出来るだけ低温でＳＯＩ基板の出し入れを行う。具体
的には、８００℃以下程度の温度で基板の出し入れを行
えばよい。 また、縦型の熱処理炉を用いるとさらに良好である。
【００１４】雰囲気ガスとしては、アルゴン又はドライ
酸素の両方をもちいることができるが、アルゴンの方が
効果的である。ドライ酸素は基板が酸化されてもよい条
件のときにおいてのみ使用される。
酸素の両方をもちいることができるが、アルゴンの方が
効果的である。ドライ酸素は基板が酸化されてもよい条
件のときにおいてのみ使用される。
【００１５】
【作用】ＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜とＳＯＩ層の界面
近傍に正の固定電荷が多量に存在すると、Ｐ型ＳＯＩ層
の少数キャリアである電子が電気的にその正電荷に引き
つけられるために前記したＮ型反転層は発生すると考え
られる。
近傍に正の固定電荷が多量に存在すると、Ｐ型ＳＯＩ層
の少数キャリアである電子が電気的にその正電荷に引き
つけられるために前記したＮ型反転層は発生すると考え
られる。
【００１６】実験的に正の固定電荷の多い埋め込み酸化
膜を持つＰ型ＳＯＩ基板を故意に作製しＳＲ（広がり抵
抗）測定したところ、Ｎ型反転を示すプロファイルが得
られた。
膜を持つＰ型ＳＯＩ基板を故意に作製しＳＲ（広がり抵
抗）測定したところ、Ｎ型反転を示すプロファイルが得
られた。
【００１７】しかし、本発明方法を適用することによっ
て、埋め込み酸化膜とＳＯＩ層の界面近傍の固定電荷の
発生が制限されることにより、このＮ型反転層の発生は
防止されるものと考えられる。従って、ウエル拡散など
の高温長時間の熱処理が必要な工程では本発明方法で熱
処理を行うことによりＰ型ＳＯＩ基板のＮ型反転領域の
発生を防ぐことができるものである。
て、埋め込み酸化膜とＳＯＩ層の界面近傍の固定電荷の
発生が制限されることにより、このＮ型反転層の発生は
防止されるものと考えられる。従って、ウエル拡散など
の高温長時間の熱処理が必要な工程では本発明方法で熱
処理を行うことによりＰ型ＳＯＩ基板のＮ型反転領域の
発生を防ぐことができるものである。
【００１８】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明する。 実施例１ 使用サンプル：５”φＰ型ＳＯＩ基板（ＳＯＩ層抵抗率
１５〜２１Ωcm，ＳＯＩ層厚さ５μm ，埋め込み酸化膜
厚１μm ）を４分割して使用 使用炉：チューブ内径６”の５”φウエーハ用横型酸化
炉
１５〜２１Ωcm，ＳＯＩ層厚さ５μm ，埋め込み酸化膜
厚１μm ）を４分割して使用 使用炉：チューブ内径６”の５”φウエーハ用横型酸化
炉
【００１９】上記サンプル及び熱処理炉を用い、熱処理
炉への投入、熱処理及び熱処理炉からの取り出しをアル
ゴン（Ａｒ）雰囲気（ガス流量はいずれも３リットル／
分）１１００℃で行い、熱処理時間Ｘ分を２０分、５０
分及び１００分と３段階に変更して試験を行った。この
試験では、基板の熱処理炉への出し入れの際の室内の空
気の巻き込み防止の手段は取らなかった。
炉への投入、熱処理及び熱処理炉からの取り出しをアル
ゴン（Ａｒ）雰囲気（ガス流量はいずれも３リットル／
分）１１００℃で行い、熱処理時間Ｘ分を２０分、５０
分及び１００分と３段階に変更して試験を行った。この
試験では、基板の熱処理炉への出し入れの際の室内の空
気の巻き込み防止の手段は取らなかった。
【００２０】熱処理を行った各ＳＯＩ基板について、Ｓ
Ｒ（広がり抵抗）測定を行い、その結果を図１に示し
た。同図から明らかなごとく、実施例１のいずれの場合
にもＮ型反転層が形成されなかったことが確認された。
Ｒ（広がり抵抗）測定を行い、その結果を図１に示し
た。同図から明らかなごとく、実施例１のいずれの場合
にもＮ型反転層が形成されなかったことが確認された。
【００２１】実施例２ 使用サンプル：６”φＰ型ＳＯＩ基板（ＳＯＩ層抵抗率
１０〜２０Ωcm，ＳＯＩ層厚さ７μm ，埋め込み酸化膜
厚２μm ）を４分割して使用 使用炉：チューブ内径６”の５”φウエーハ用横型酸化
炉（ダミーウエーハ５”φをＰ型ＳＯＩ基板の前後に２
５枚ずつ配置）
１０〜２０Ωcm，ＳＯＩ層厚さ７μm ，埋め込み酸化膜
厚２μm ）を４分割して使用 使用炉：チューブ内径６”の５”φウエーハ用横型酸化
炉（ダミーウエーハ５”φをＰ型ＳＯＩ基板の前後に２
５枚ずつ配置）
【００２２】上記サンプル及び熱処理炉を用い、熱処理
炉への投入は、窒素ガス流量が２０リットル／分で炉尾
から炉口方向へ流しながら８００℃で行い、その後、熱
処理炉内の雰囲気をドライ酸素（ｄｒｙＯ2 ）雰囲気に
置換し、ガス流量は３リットル／分、１０００℃で５０
分の熱処理を行い、熱処理炉からの取り出しも窒素（Ｎ
2 ）雰囲気（ガス流量は２０リットル／分）８００℃で
行った。
炉への投入は、窒素ガス流量が２０リットル／分で炉尾
から炉口方向へ流しながら８００℃で行い、その後、熱
処理炉内の雰囲気をドライ酸素（ｄｒｙＯ2 ）雰囲気に
置換し、ガス流量は３リットル／分、１０００℃で５０
分の熱処理を行い、熱処理炉からの取り出しも窒素（Ｎ
2 ）雰囲気（ガス流量は２０リットル／分）８００℃で
行った。
【００２３】この試験では、基板の熱処理炉への出し入
れの際の部屋の空気の巻き込み防止対策として、ＳＯ
Ｉ基板の前後にダミーウエーハを多数並べる、出し入
れ時の炉尾から炉口方向へのガス流量を増やす（２０リ
ットル／分）、低温（８００℃）での出し入れ、とい
う３つの対策が取られ、室内の空気の巻き込み防止が行
われた状態で試験された。
れの際の部屋の空気の巻き込み防止対策として、ＳＯ
Ｉ基板の前後にダミーウエーハを多数並べる、出し入
れ時の炉尾から炉口方向へのガス流量を増やす（２０リ
ットル／分）、低温（８００℃）での出し入れ、とい
う３つの対策が取られ、室内の空気の巻き込み防止が行
われた状態で試験された。
【００２４】熱処理を行った各ＳＯＩ基板１２につい
て、図５に示す様に４分割されたＳＯＩ基板１２の中心
部（符号１）、中間部（符号２）及び周辺部（符号３）
についてＳＲ（広がり抵抗）測定を行い、その結果を図
２にＳＲＰ１〜３として示した。同図から明らかなごと
く、実施例２のいずれの場合にもＮ型反転層が形成され
なかったことが確認された。
て、図５に示す様に４分割されたＳＯＩ基板１２の中心
部（符号１）、中間部（符号２）及び周辺部（符号３）
についてＳＲ（広がり抵抗）測定を行い、その結果を図
２にＳＲＰ１〜３として示した。同図から明らかなごと
く、実施例２のいずれの場合にもＮ型反転層が形成され
なかったことが確認された。
【００２５】実施例３ 熱処理温度を１１００℃とした以外は実施例２と同様の
条件及び手順で試験を行った。熱処理を行った各ＳＯＩ
基板について実施例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定
を行い、その結果を図３に示した。同図から明らかなご
とく、実施例３のいずれの場合にもＮ型反転層が形成さ
れなかったことが確認された。
条件及び手順で試験を行った。熱処理を行った各ＳＯＩ
基板について実施例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定
を行い、その結果を図３に示した。同図から明らかなご
とく、実施例３のいずれの場合にもＮ型反転層が形成さ
れなかったことが確認された。
【００２６】実施例４ 熱処理温度を１２００℃とした以外は実施例２と同様の
条件及び手順で試験を行った。熱処理を行った各ＳＯＩ
基板について実施例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定
を行い、その結果を図４に示した。同図から明らかなご
とく、実施例４のいずれの場合にもＮ型反転層が形成さ
れなかったことが確認された。
条件及び手順で試験を行った。熱処理を行った各ＳＯＩ
基板について実施例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定
を行い、その結果を図４に示した。同図から明らかなご
とく、実施例４のいずれの場合にもＮ型反転層が形成さ
れなかったことが確認された。
【００２７】比較例１ 実施例２と同様のサンプル及び熱処理炉を用い、熱処理
炉への投入は窒素（Ｎ 2 ）雰囲気（ガス流量は２０リッ
トル／分）８００℃で行い、熱処理も窒素（Ｎ 2 ）雰囲
気（ガス流量は３リットル／分）１０００℃で６０分行
い、熱処理炉からの取り出しも窒素（Ｎ2 ）雰囲気（ガ
ス流量は２０リットル／分）８００℃で行った。
炉への投入は窒素（Ｎ 2 ）雰囲気（ガス流量は２０リッ
トル／分）８００℃で行い、熱処理も窒素（Ｎ 2 ）雰囲
気（ガス流量は３リットル／分）１０００℃で６０分行
い、熱処理炉からの取り出しも窒素（Ｎ2 ）雰囲気（ガ
ス流量は２０リットル／分）８００℃で行った。
【００２８】この試験では、部屋の空気の巻き込み防止
対策として、実施例２と同様に３つの対策が取られ、空
気の巻き込み防止が行われた状態で試験された。
対策として、実施例２と同様に３つの対策が取られ、空
気の巻き込み防止が行われた状態で試験された。
【００２９】熱処理を行った各ＳＯＩ基板について実施
例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定を行い、その結果
を図６に示した。同図から明らかなごとく、比較例１の
いずれの場合にもＮ型反転層が形成されたことが確認さ
れた。
例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定を行い、その結果
を図６に示した。同図から明らかなごとく、比較例１の
いずれの場合にもＮ型反転層が形成されたことが確認さ
れた。
【００３０】比較例２ 熱処理温度を１２００℃とした以外は比較例１と同様の
条件及び手順で試験を行った。熱処理を行った各ＳＯＩ
基板について実施例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定
を行い、その結果を図７に示した。同図から明らかなご
とく、比較例２の中心部（符号１）及び周辺部（符号
３）においてＮ型反転層が形成されたことが確認され
た。
条件及び手順で試験を行った。熱処理を行った各ＳＯＩ
基板について実施例２と同様にＳＲ（広がり抵抗）測定
を行い、その結果を図７に示した。同図から明らかなご
とく、比較例２の中心部（符号１）及び周辺部（符号
３）においてＮ型反転層が形成されたことが確認され
た。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、Ｐ
型ＳＯＩ基板を従来の半導体集積回路製造工程に用い様
々な熱処理を行う際、その熱処理によりＰ型ＳＯＩ基板
の埋め込み酸化膜近傍にＮ型反転層が形成されないよう
にし、素子の特性の劣化や全く動作しなかったりという
現象を防止し、要求を満足する素子特性が得られるとい
う大きな効果を奏する。
型ＳＯＩ基板を従来の半導体集積回路製造工程に用い様
々な熱処理を行う際、その熱処理によりＰ型ＳＯＩ基板
の埋め込み酸化膜近傍にＮ型反転層が形成されないよう
にし、素子の特性の劣化や全く動作しなかったりという
現象を防止し、要求を満足する素子特性が得られるとい
う大きな効果を奏する。
【図１】実施例１の熱処理条件及び試験結果を示す図面
である。
である。
【図２】実施例２の熱処理条件及び試験結果を示す図面
である。
である。
【図３】実施例３の熱処理条件及び試験結果を示す図面
である。
である。
【図４】実施例４の熱処理条件及び試験結果を示す図面
である。
である。
【図５】実施例２〜４における４分割したＳＯＩ基板の
ＳＲ（広がり抵抗）測定箇所を示す図面である。
ＳＲ（広がり抵抗）測定箇所を示す図面である。
【図６】比較例１の熱処理条件及び試験結果を示す図面
である。
である。
【図７】比較例２の熱処理条件及び試験結果を示す図面
である。
である。
【図８】貼り合わせＳＯＩ基板の概略説明図である。
１２ ＳＯＩ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 正健 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐ型ＳＯＩ基板を熱処理炉で熱処理する
にあたり、該Ｐ型ＳＯＩ基板に対しアルゴン雰囲気で、
かつ１０００〜１２５０℃の温度範囲で熱処理を行うよ
うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 Ｐ型ＳＯＩ基板を熱処理炉で熱処理する
にあたり、該Ｐ型ＳＯＩ基板に対しアルゴン又はドライ
酸素雰囲気で、かつ１０００〜１２５０℃の温度範囲で
熱処理を行うとともに、当該熱処理炉への該Ｐ型ＳＯＩ
基板の出し入れ時に室内の空気の巻き込み防止手段を講
ずることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 Ｐ型ＳＯＩ基板を熱処理炉で熱処理する
にあたり、該Ｐ型ＳＯＩ基板の熱処理炉への出し入れ
を、８００℃以下の低温で、室内の空気の巻き込みを防
止するするように炉尾から炉口方向へ大量の窒素ガスを
流して行い、熱処理に際して窒素ガスを完全にアルゴン
又はドライ酸素に置換し、１０００℃〜１２５０℃の温
度範囲で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 Ｐ型ＳＯＩ基板を熱処理炉で熱処理する
にあたり、該Ｐ型ＳＯＩ基板の前後に清浄なＳｉ表面を
持ち該ＳＯＩ基板と同等の形状をした複数枚のダミーウ
エーハを並べて配置することを特徴とする請求項１、２
又は３記載の半導体装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04326955A JP3074662B2 (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04326955A JP3074662B2 (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177143A true JPH06177143A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3074662B2 JP3074662B2 (ja) | 2000-08-07 |
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|---|---|---|---|
| JP04326955A Expired - Fee Related JP3074662B2 (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3074662B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165262A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉ層の拡がり抵抗測定方法、ｓｏｉチップおよびｓｏｉ基板 |
-
1992
- 1992-12-07 JP JP04326955A patent/JP3074662B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165262A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉ層の拡がり抵抗測定方法、ｓｏｉチップおよびｓｏｉ基板 |
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