JPH06177189A - 傾斜するゲートを有する半導体モールド装置 - Google Patents
傾斜するゲートを有する半導体モールド装置Info
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- JPH06177189A JPH06177189A JP3171924A JP17192491A JPH06177189A JP H06177189 A JPH06177189 A JP H06177189A JP 3171924 A JP3171924 A JP 3171924A JP 17192491 A JP17192491 A JP 17192491A JP H06177189 A JPH06177189 A JP H06177189A
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、モールド工程の信頼性を向上させ
るために、キャビティ内を充填するモールド材の流動状
態を均一に調整できるモールド装置を提供する。 【構成】 モールド金型のキャビティ４０とランナーを
連結するゲート４７ａのキャビティ入口部分に所定の傾
斜角を有する傾斜部分４８ａを形成する。
るために、キャビティ内を充填するモールド材の流動状
態を均一に調整できるモールド装置を提供する。 【構成】 モールド金型のキャビティ４０とランナーを
連結するゲート４７ａのキャビティ入口部分に所定の傾
斜角を有する傾斜部分４８ａを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関する
もので、特に後（組立）工程で使用されるモールド装置
に関するものである。
もので、特に後（組立）工程で使用されるモールド装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程は大別すると前工程と後
工程とに分けられる。この内、後工程は、薄膜技術等に
よる回路加工が完了したウェーハを、各々のチップ（ト
ランジスタまたはメモリー素子等）に分離し、プリント
基板（ＰＣＢ）上に実装できるようにパッケージングす
る段階である。ウェーハをスクライビング(scribing)し
て分離されたチップは、ダイボンディング(die bondin
g) 、ワイヤボンディング(wire bonding)を経た後に、
モールド(mold)工程で、プラスチック樹脂からなるモー
ルド材によってパッケージングされる。
工程とに分けられる。この内、後工程は、薄膜技術等に
よる回路加工が完了したウェーハを、各々のチップ（ト
ランジスタまたはメモリー素子等）に分離し、プリント
基板（ＰＣＢ）上に実装できるようにパッケージングす
る段階である。ウェーハをスクライビング(scribing)し
て分離されたチップは、ダイボンディング(die bondin
g) 、ワイヤボンディング(wire bonding)を経た後に、
モールド(mold)工程で、プラスチック樹脂からなるモー
ルド材によってパッケージングされる。
【０００３】図６は通常のモールド工程の主要順序を図
示しており、図７は一般的に使用されているモールド金
型を図示している。
示しており、図７は一般的に使用されているモールド金
型を図示している。
【０００４】まず、復数個（図の場合は６個）のチップ
が所定位置（ダイパッド）にダイボンドされ、各々のチ
ップとリード間のワイヤボンディングが終了した１枚の
リードフレーム（図の場合は６連）を予備加熱（１ａ）
した後に、これをモールド金型内の所定位置に収め、金
型をクランプ（clamp)する（１ｂ）。そして、エポキシ
樹脂等からなったモールド材を予備加熱し、これをポッ
ト(pot) を通してモールド金型内に入れる（１ｃ）。そ
の後、ピストン動作をするプランジャ（plunger)が作動
し（１ｄ）、ジェル(gel) 状態のモールド材がプランジ
ャの作動（１ｄ）によって図７に図示のカル(cull)１に
流入され、ランナー２を通して各々のキャビティＣ１〜
Ｃ４８（モールド金型によってキャビティの数は多様で
あるが、ここでは４８キャビティを例に上げる）内に流
入される（１ｅ）。予備加熱されたモールド材が、ポッ
トに投入されてからキャビティ内で完全に硬化するまで
の時間をキュアタイム(cure time) といい、このような
過程をキュア（１ｆ）という。キュアが完了すると、上
部および下部モールド金型を開いて、モールド済リード
フレームをモールド金型から取り出し（１ｇ）、リード
フレームの不必要な部分を切断し、テスト工程（１ｈ）
を経た後に、完成品となる。以上の外にリードの成形お
よびマーキング(marking) 工程もある。
が所定位置（ダイパッド）にダイボンドされ、各々のチ
ップとリード間のワイヤボンディングが終了した１枚の
リードフレーム（図の場合は６連）を予備加熱（１ａ）
した後に、これをモールド金型内の所定位置に収め、金
型をクランプ（clamp)する（１ｂ）。そして、エポキシ
樹脂等からなったモールド材を予備加熱し、これをポッ
ト(pot) を通してモールド金型内に入れる（１ｃ）。そ
の後、ピストン動作をするプランジャ（plunger)が作動
し（１ｄ）、ジェル(gel) 状態のモールド材がプランジ
ャの作動（１ｄ）によって図７に図示のカル(cull)１に
流入され、ランナー２を通して各々のキャビティＣ１〜
Ｃ４８（モールド金型によってキャビティの数は多様で
あるが、ここでは４８キャビティを例に上げる）内に流
入される（１ｅ）。予備加熱されたモールド材が、ポッ
トに投入されてからキャビティ内で完全に硬化するまで
の時間をキュアタイム(cure time) といい、このような
過程をキュア（１ｆ）という。キュアが完了すると、上
部および下部モールド金型を開いて、モールド済リード
フレームをモールド金型から取り出し（１ｇ）、リード
フレームの不必要な部分を切断し、テスト工程（１ｈ）
を経た後に、完成品となる。以上の外にリードの成形お
よびマーキング(marking) 工程もある。
【０００５】上記のようなモールド工程においては、良
質のパッケージ状態を得るために、工程進行中に発生し
得る不良要因への対策が不可欠である。この不良要因と
は例えば、モールド材の材質や、硬化、流れ状態等に基
因したパッケージ内のボイド(void)の発生、ボンディン
グワイヤのワイヤ流れおよびダイパッド（チップ）の傾
き等である。
質のパッケージ状態を得るために、工程進行中に発生し
得る不良要因への対策が不可欠である。この不良要因と
は例えば、モールド材の材質や、硬化、流れ状態等に基
因したパッケージ内のボイド(void)の発生、ボンディン
グワイヤのワイヤ流れおよびダイパッド（チップ）の傾
き等である。
【０００６】ボイドの発生はパッケージの耐湿信頼性を
低下させ、ワイヤ流れはボンディングワイヤ間の短絡
（ショート）を発生する。ワイヤ流れはトランジスタ等
のようにピン数が少なく、ワイヤ数も少ないデバイスに
おいてはあまり大きな問題ではないが、ＶＬＳＩのよう
な高集積、大容量メモリー素子においては、チップサイ
ズの減少の反面、ピンの数は増加し、ピン間隔が狭くな
っているため、ボンディングワイヤのワイヤ流れにより
短絡し易くなり、チップの誤動作乃至はシステム破壊と
いう重不良に繋がる。チップの高集積化に伴って、モー
ルド中のモールド材の流れ状態を適切に調節することに
よってこの重不良を排除する必要性が増してきており、
これは、図７中のキャビティＣ１〜Ｃ４８とランナー２
との間に位置し、モールド材をキャビティＣ１〜Ｃ４８
内に送り出すゲート３の形状にかなり左右される。
低下させ、ワイヤ流れはボンディングワイヤ間の短絡
（ショート）を発生する。ワイヤ流れはトランジスタ等
のようにピン数が少なく、ワイヤ数も少ないデバイスに
おいてはあまり大きな問題ではないが、ＶＬＳＩのよう
な高集積、大容量メモリー素子においては、チップサイ
ズの減少の反面、ピンの数は増加し、ピン間隔が狭くな
っているため、ボンディングワイヤのワイヤ流れにより
短絡し易くなり、チップの誤動作乃至はシステム破壊と
いう重不良に繋がる。チップの高集積化に伴って、モー
ルド中のモールド材の流れ状態を適切に調節することに
よってこの重不良を排除する必要性が増してきており、
これは、図７中のキャビティＣ１〜Ｃ４８とランナー２
との間に位置し、モールド材をキャビティＣ１〜Ｃ４８
内に送り出すゲート３の形状にかなり左右される。
【０００７】従来のモールド装置および方法として米国
特許第４，０４３，０２７号（米国ＴＩ社特許権）に開
示されたものがあり、これを図８、９に図示する。図８
はトランジスタチップモールディングのためのモールド
金型の平面構造図であり、図９はその断面構造図であ
る。
特許第４，０４３，０２７号（米国ＴＩ社特許権）に開
示されたものがあり、これを図８、９に図示する。図８
はトランジスタチップモールディングのためのモールド
金型の平面構造図であり、図９はその断面構造図であ
る。
【０００８】図８、９では、３個のピンを有する簡単な
トランジスタチップをモールドする場合を実施例として
いる。
トランジスタチップをモールドする場合を実施例として
いる。
【０００９】図８に示すように、３本のリードフレーム
２１、２２、２３の内、中央のリードフレーム２２にダ
イパッド２４があり、その上にトランジスタチップ２５
がダイボンドされており、トランジスタチップ２５と他
のリードフレーム２１、２３はボンディングワイヤ２
６、２７で連結されている。点線で表示した部分は一つ
のキャビティ２０を示す。
２１、２２、２３の内、中央のリードフレーム２２にダ
イパッド２４があり、その上にトランジスタチップ２５
がダイボンドされており、トランジスタチップ２５と他
のリードフレーム２１、２３はボンディングワイヤ２
６、２７で連結されている。点線で表示した部分は一つ
のキャビティ２０を示す。
【００１０】図９を参照すると、キャビティ２０は上部
モールド金型２８と下部モールド金型２９をクランプす
ることによって形成され、図示のように、ランナー３２
に連結されたゲート３１は下部モールド金型２９に設置
されている。そして、モールド材３３はゲート３１を通
過した後に、キャビティ２０の下半部から上半部に流動
するようにして（矢印がモールド材の流動状態を示す）
キャビティ２０を満たす。
モールド金型２８と下部モールド金型２９をクランプす
ることによって形成され、図示のように、ランナー３２
に連結されたゲート３１は下部モールド金型２９に設置
されている。そして、モールド材３３はゲート３１を通
過した後に、キャビティ２０の下半部から上半部に流動
するようにして（矢印がモールド材の流動状態を示す）
キャビティ２０を満たす。
【００１１】このようにモールド材がチップ２５の下部
から充填されて硬化する場合には、キャビティの上半部
より下半部の方が流れの速度が速く、そのため、上半部
より下半部の方が流動圧力が高くなり、リードフレーム
２１、２２、２３の下部界面にボイドが発生したり、ダ
イパッド２４やチップ２５を上方に押し上げ、ダイパッ
ド（チップ）の傾きが発生したりする。その上、キャビ
ティ２０の下半部におけるモールド材の温度は、上半部
で流動するモールド材の温度より高く、その粘度は上半
部より低いので（流体の粘度は温度に反比例する）、モ
ールド材が硬化した後のパッケージー状態が不完全にな
る。また、キャビティ内のモールド材の流速が一定でな
いことに因ってワイヤ流れも発生し得るので、微細なボ
ンディングワイヤを多量にもっている小型、多技能半導
体チップにこれを適用するのには限界がある。要する
に、従来のモールド装置または方法においては、モール
ド材の流動状態がキャビティ内で一定でないため、上述
のような問題点が発生してしまう。
から充填されて硬化する場合には、キャビティの上半部
より下半部の方が流れの速度が速く、そのため、上半部
より下半部の方が流動圧力が高くなり、リードフレーム
２１、２２、２３の下部界面にボイドが発生したり、ダ
イパッド２４やチップ２５を上方に押し上げ、ダイパッ
ド（チップ）の傾きが発生したりする。その上、キャビ
ティ２０の下半部におけるモールド材の温度は、上半部
で流動するモールド材の温度より高く、その粘度は上半
部より低いので（流体の粘度は温度に反比例する）、モ
ールド材が硬化した後のパッケージー状態が不完全にな
る。また、キャビティ内のモールド材の流速が一定でな
いことに因ってワイヤ流れも発生し得るので、微細なボ
ンディングワイヤを多量にもっている小型、多技能半導
体チップにこれを適用するのには限界がある。要する
に、従来のモールド装置または方法においては、モール
ド材の流動状態がキャビティ内で一定でないため、上述
のような問題点が発生してしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、半導体チップのモールド装置において、信頼性
の高いモールド工程を遂行し得る装置を提供することに
ある。また、半導体チップのモールド工程において、キ
ャビティ内に充填されるモールド材の流動状態を適切に
することができる装置を提供することにある。
目的は、半導体チップのモールド装置において、信頼性
の高いモールド工程を遂行し得る装置を提供することに
ある。また、半導体チップのモールド工程において、キ
ャビティ内に充填されるモールド材の流動状態を適切に
することができる装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び作用】このような本発
明の目的を達成するために、本発明によるモールド装置
は、上部モールド金型または下部モールド金型に形成さ
れるゲートが、キャビティ入口部分で所定の傾斜角をも
って形成される。そして、この傾斜角の適切な設定によ
ってキャビティ内でのモールド材の流動、充填状態を均
一に調整できるようになっている。
明の目的を達成するために、本発明によるモールド装置
は、上部モールド金型または下部モールド金型に形成さ
れるゲートが、キャビティ入口部分で所定の傾斜角をも
って形成される。そして、この傾斜角の適切な設定によ
ってキャビティ内でのモールド材の流動、充填状態を均
一に調整できるようになっている。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を添付図面を参照して詳細に説
明する。図２は本発明に使用されるモールド金型の平面
構造を示す。本発明の実施例においては、図示のよう
に、１６個のピン、１６本のリードＬＦ１〜ＬＦ１６が
必要な半導体チップ４１を一例とする。
明する。図２は本発明に使用されるモールド金型の平面
構造を示す。本発明の実施例においては、図示のよう
に、１６個のピン、１６本のリードＬＦ１〜ＬＦ１６が
必要な半導体チップ４１を一例とする。
【００１５】モールド金型は図７に図示したモールド金
型と同様の形状で、任意のキャビティ４０（Ｃ４）に該
当する部分を詳細に示している。任意のキャビティ４０
（Ｃ４）の左右には隣接するキャビティＣ３、Ｃ５が配
列されている。半導体チップ４１は下部のダイパッド４
２にダイボンドされており、チップ上にある１６個のボ
ンディングパッド(bonding pad) ４３は１６本のボンデ
ィングワイヤ４４によって１６本のリードＬＦ１〜ＬＦ
１６と連結されている。キャビティ４０（Ｃ４）にはラ
ンナー２に連結したゲート４７が設置されており、この
ような平面構造を有するキャビティが図７のように配列
されて一つのモールド金型を構成しているものである。
本発明の実施例においては一つのモールド金型に４８個
のキャビティを構成した場合を例としているが、このキ
ャビティの数は製造工程上の都合等により定められるた
め、４８個に限らず様々のものがある。
型と同様の形状で、任意のキャビティ４０（Ｃ４）に該
当する部分を詳細に示している。任意のキャビティ４０
（Ｃ４）の左右には隣接するキャビティＣ３、Ｃ５が配
列されている。半導体チップ４１は下部のダイパッド４
２にダイボンドされており、チップ上にある１６個のボ
ンディングパッド(bonding pad) ４３は１６本のボンデ
ィングワイヤ４４によって１６本のリードＬＦ１〜ＬＦ
１６と連結されている。キャビティ４０（Ｃ４）にはラ
ンナー２に連結したゲート４７が設置されており、この
ような平面構造を有するキャビティが図７のように配列
されて一つのモールド金型を構成しているものである。
本発明の実施例においては一つのモールド金型に４８個
のキャビティを構成した場合を例としているが、このキ
ャビティの数は製造工程上の都合等により定められるた
め、４８個に限らず様々のものがある。
【００１６】図１は図２に図示のキャビティ４０を切断
線Ｘ−Ｙにより切り取った断面構造図であって、キャビ
ティ４０の断面構造と本発明によるゲート４７の形態が
図示されている。図１を参照すると、キャビティ４０は
上部モールド金型４５と下部モールド金型４６をクラン
プすることによって形成され、ダイパッド４２上には半
導体チップ４１がダイボンドされている。半導体チップ
４１はボンディングワイヤ４４ａ、４４ｂを通じて各々
第１リードＬＦ１および第１６リードＬＦ１６と連結さ
れている。
線Ｘ−Ｙにより切り取った断面構造図であって、キャビ
ティ４０の断面構造と本発明によるゲート４７の形態が
図示されている。図１を参照すると、キャビティ４０は
上部モールド金型４５と下部モールド金型４６をクラン
プすることによって形成され、ダイパッド４２上には半
導体チップ４１がダイボンドされている。半導体チップ
４１はボンディングワイヤ４４ａ、４４ｂを通じて各々
第１リードＬＦ１および第１６リードＬＦ１６と連結さ
れている。
【００１７】そして、上部モールド金型４５には本発明
によるゲート４７ａが形成されている。ゲート４７ａの
上部には所定の角度θをもった傾斜部分４８ａが形成さ
れている。傾斜部分４８ａはキャビティ４０の入口部分
にのみ形成されており、これはキャビティ４０内に流入
するモールド材の流れを調節するためのものである。実
際、キャビティ４０内でのモールド材の流れはゲート４
７ａの深さｄと傾斜角θによって大幅に変更され得る。
によるゲート４７ａが形成されている。ゲート４７ａの
上部には所定の角度θをもった傾斜部分４８ａが形成さ
れている。傾斜部分４８ａはキャビティ４０の入口部分
にのみ形成されており、これはキャビティ４０内に流入
するモールド材の流れを調節するためのものである。実
際、キャビティ４０内でのモールド材の流れはゲート４
７ａの深さｄと傾斜角θによって大幅に変更され得る。
【００１８】図３は本発明の別の実施例に従うキャビテ
ィ４０の断面構造図である。図３においては図１とは反
対に下部モールド金型４６にゲート４７ｂを設置し、所
定の角度θの傾斜部分４８ｂを形成している。図１や図
３の場合において、所定の傾斜角θを有するゲート４７
ａ、４７ｂが上部モールド金型４５に形成されているか
下部モールド金型４６に形成されているかという違いに
よるモールド材の流れの変化はなく、ゲート４７ａ、４
７ｂに形成された傾斜部分４８ａ、４８ｂの傾斜角θの
大きさによってキャビティ４０内でのモールド材の流れ
が調節される。
ィ４０の断面構造図である。図３においては図１とは反
対に下部モールド金型４６にゲート４７ｂを設置し、所
定の角度θの傾斜部分４８ｂを形成している。図１や図
３の場合において、所定の傾斜角θを有するゲート４７
ａ、４７ｂが上部モールド金型４５に形成されているか
下部モールド金型４６に形成されているかという違いに
よるモールド材の流れの変化はなく、ゲート４７ａ、４
７ｂに形成された傾斜部分４８ａ、４８ｂの傾斜角θの
大きさによってキャビティ４０内でのモールド材の流れ
が調節される。
【００１９】ゲート４７ａ、４７ｂの傾斜角θによるキ
ャビティ４０内でのモールド材の流動状態を図４、５に
図示した。同図に図示の結果は実験によるものである。
ャビティ４０内でのモールド材の流動状態を図４、５に
図示した。同図に図示の結果は実験によるものである。
【００２０】まず、図４を参照すると、傾斜角θ＜２０
°の条件においては、モールド材の上部流れ６１が下部
流れ６２より優勢して（即ちチップ上部を流れるモール
ド材の流速がチップ下部を流れるモールデド材の流速よ
り速い）、チップ下部に流入されるモールド材がチップ
上部に流入されるモールド材によって押される。そし
て、上部流れ６１の流速に因って、図示のように、ボン
ディングワイヤがモールド材の上部流れ方向にワイヤ流
れを起こす。このようなボンディングワイヤのワイヤ流
れがボンディングワイヤ間の短絡を誘発しチップの誤動
作等を発生させることは前述した通りである。
°の条件においては、モールド材の上部流れ６１が下部
流れ６２より優勢して（即ちチップ上部を流れるモール
ド材の流速がチップ下部を流れるモールデド材の流速よ
り速い）、チップ下部に流入されるモールド材がチップ
上部に流入されるモールド材によって押される。そし
て、上部流れ６１の流速に因って、図示のように、ボン
ディングワイヤがモールド材の上部流れ方向にワイヤ流
れを起こす。このようなボンディングワイヤのワイヤ流
れがボンディングワイヤ間の短絡を誘発しチップの誤動
作等を発生させることは前述した通りである。
【００２１】図５を参照すると分かるように、傾斜角θ
＞３５°の条件からは下部流れ６２が上部流れ６１より
優勢になってダイパッド４２が上部に押し上げられるダ
イパッド（チップ）の傾きが発生する。
＞３５°の条件からは下部流れ６２が上部流れ６１より
優勢になってダイパッド４２が上部に押し上げられるダ
イパッド（チップ）の傾きが発生する。
【００２２】以上の結果、モールド材が半導体チップ４
１の上部と下部で均一に充填されるようにするために
は、傾斜角θが少なくとも２０°＜θ＜３５°の条件に
はいらなければならないことが分かる。
１の上部と下部で均一に充填されるようにするために
は、傾斜角θが少なくとも２０°＜θ＜３５°の条件に
はいらなければならないことが分かる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明は半導体モールド
装置におけるキャビティとランナーを連結するゲートの
キャビティ入口部分に、所定の角度をもって傾斜する部
分を具備することによって、キャビティ内を流れるモー
ルド材の充填状態を均一に調節できモールド工程での信
頼性を向上させる効果がある。
装置におけるキャビティとランナーを連結するゲートの
キャビティ入口部分に、所定の角度をもって傾斜する部
分を具備することによって、キャビティ内を流れるモー
ルド材の充填状態を均一に調節できモールド工程での信
頼性を向上させる効果がある。
【００２４】
【図１】本発明によるモールド装置の主要部断面構造図
である。
である。
【図２】本発明に使用されるモールド金型の部分平面構
造図である。
造図である。
【図３】本発明によるモールド装置の別の実施例の主要
部断面構造図である。
部断面構造図である。
【図４】ゲートの傾斜角によるモールド材のキャビティ
内での流動状態図である。
内での流動状態図である。
【図５】ゲートの傾斜角によるモールド材のキャビティ
内での流動状態図である。
内での流動状態図である。
【図６】半導体製造工程中のモールド工程の主要順序図
である。
である。
【図７】モールド工程に使用されるモールド金型のレイ
アウト図である。
アウト図である。
【図８】従来のモールド装置の部分平面構造図である。
【図９】従来のモールド装置の主要部断面構造図であ
る。
る。
４０……キャビティ ４１……チップ ４２……ダイパッド ４４ａ、４４ｂ……ボンディングワイヤ ４５……上部モールド金型 ４６……下部モールド金型 ４７、４７ａ、４７ｂ……ゲート ４８ａ、４８ｂ……傾斜部分
フロントページの続き (72)発明者 イェオン−タエ キム 大韓民国 キョンギ−ド プチェオン−シ ティ ナム−グ コェアーン−ドン ジョ コン アパート １−201
Claims (5)
- 【請求項１】 上部モールド金型および下部モールド金
型のクランプによって形成される一つのキャビティと、
モールド材が流れるランナーと、キャビティとランナー
を連結するゲートとを具備する半導体製造用モールド装
置において、ゲートが、キャビティ入口部分で所定の傾
斜角を有する傾斜部分をもっていることを特徴とする半
導体製造用モールド装置。 - 【請求項２】 ゲートが上部モールド金型または下部モ
ールド金型に設置されることを特徴とする請求項１記載
の半導体製造用モールド装置。 - 【請求項３】 傾斜部分の所定の傾斜角が、少なくとも
２０°よりは大きく、３５°よりは小さい値を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体製造用モールド装
置。 - 【請求項４】 上部モールド金型および下部モールド金
型のクランプによって形成される一つのキャビティと、
モールド材が流れるランナーを有する半導体製造用モー
ルド装置において、 上部モールド金型に形成され、ランナーに連結した一定
の内径を有する第１ゲート部分と、 上部モールド金型に形成され、第１ゲート部分とキャビ
ティとを連結し、キャビティに近づくにつれて所定の比
率で内径が小さくなる第２ゲート部分とから構成された
ゲートを具備したことを特徴とする半導体製造用モール
ド装置。 - 【請求項５】 上部モールド金型および下部モールド金
型のクランプによって形成される一つのキャビティと、
モールド材が流れるランナーを有する半導体製造用モー
ルド装置において、 下部モールド金型に形成され、ランナーに連結した一定
の内径を有する第１ゲート部分と、 下部モールド金型に形成され、第１ゲート部分とキャビ
ティとを連結し、キャビティに近づくにつれて所定の比
率で内径が小さくなる第２ゲート部分とから構成された
ゲートを具備したことを特徴とする半導体製造用モール
ド装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR16006/1990 | 1990-10-10 | ||
| KR900016006 | 1990-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177189A true JPH06177189A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=19304459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3171924A Pending JPH06177189A (ja) | 1990-10-10 | 1991-06-18 | 傾斜するゲートを有する半導体モールド装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177189A (ja) |
| CN (1) | CN1060559A (ja) |
| GB (1) | GB2248580A (ja) |
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| JP2004114696A (ja) * | 2003-11-28 | 2004-04-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | モールドパッケージ及びその製造方法 |
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- 1991-06-18 JP JP3171924A patent/JPH06177189A/ja active Pending
- 1991-10-10 GB GB9121541A patent/GB2248580A/en not_active Withdrawn
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Also Published As
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|---|---|
| GB9121541D0 (en) | 1991-11-27 |
| GB2248580A (en) | 1992-04-15 |
| CN1060559A (zh) | 1992-04-22 |
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