JPH06177268A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06177268A JPH06177268A JP4326933A JP32693392A JPH06177268A JP H06177268 A JPH06177268 A JP H06177268A JP 4326933 A JP4326933 A JP 4326933A JP 32693392 A JP32693392 A JP 32693392A JP H06177268 A JPH06177268 A JP H06177268A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチックパッケージを有する半導体装置
の製造方法に関し、捺印の視認性が良好で、かつ、生産
性を向上した半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】 モールド金型１６ａ，１６ｂに保持ピン１７
を設け、保持ピン１７により放熱板１２の半導体チップ
１１の非搭載面を保持しつつ、樹脂モールドすることに
より放熱板１２の非搭載面に樹脂膜１４ａを形成し、レ
ーザビームＬにより樹脂膜１４ａを除去することにより
パターン１９をマーキングする。
の製造方法に関し、捺印の視認性が良好で、かつ、生産
性を向上した半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】 モールド金型１６ａ，１６ｂに保持ピン１７
を設け、保持ピン１７により放熱板１２の半導体チップ
１１の非搭載面を保持しつつ、樹脂モールドすることに
より放熱板１２の非搭載面に樹脂膜１４ａを形成し、レ
ーザビームＬにより樹脂膜１４ａを除去することにより
パターン１９をマーキングする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特に、プラスチックパッケージを有する半導体装
置の製造方法に関する。
係り、特に、プラスチックパッケージを有する半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】半導体装置にはパッケージに社票や型格、
ロット番号等が捺印されており、これらの捺印により内
蔵されている集積回路を識別している。従って、これら
の捺印は視認性が良好である必要がある。
ロット番号等が捺印されており、これらの捺印により内
蔵されている集積回路を識別している。従って、これら
の捺印は視認性が良好である必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体装置では社票や型格、ロッ
ト番号等をパッケージに捺印する場合、インクにより、
マーキングが行なわれていた。
ト番号等をパッケージに捺印する場合、インクにより、
マーキングが行なわれていた。
【０００４】図１１は従来の一例の斜視図を示す。同図
中、１は樹脂パッケージで樹脂パッケージ１の表面から
は放熱板２が露出しており、いわゆる低熱抵抗プラスチ
ックパッケージを構成している。放熱板２は銅（Ｃｕ）
やアルミニウム（Ａｌ）により構成されており、放熱板
２上にパターン３がインクにより捺印されていた。
中、１は樹脂パッケージで樹脂パッケージ１の表面から
は放熱板２が露出しており、いわゆる低熱抵抗プラスチ
ックパッケージを構成している。放熱板２は銅（Ｃｕ）
やアルミニウム（Ａｌ）により構成されており、放熱板
２上にパターン３がインクにより捺印されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のイン
クによる捺印ではインクの塗布後、インクをパッケージ
表面に定着させるための処理が必要となり、製造工程が
増加し、生産性が悪い。
クによる捺印ではインクの塗布後、インクをパッケージ
表面に定着させるための処理が必要となり、製造工程が
増加し、生産性が悪い。
【０００６】また、レーザビームによるプラスチックパ
ッケージに捺印では放熱板が剥きだしになっているいわ
ゆる低熱抵抗プラスチックパッケージに用いる場合、放
熱板にパターンをマーキングすること、リードへの半田
メッキ時に放熱板にも半田がメッキされているため、半
田にパターンがマーキングされ、半導体装置の実装時に
半田溶融温度を大きく越えることによりパターンが消去
されてしまう。このため、放熱板以外の部分にマーキン
グする必要があり、マーキング位置が規制されてしま
う。さらに、樹脂パッケージ上にレーザビームを照射
し、マーキングを行ってもレーザビームによるマーキン
グの色は黒っぽく、樹脂パッケージの色もカーボンによ
り黒色となっており、コントラストが低いため視認性が
悪い等の問題点があった。
ッケージに捺印では放熱板が剥きだしになっているいわ
ゆる低熱抵抗プラスチックパッケージに用いる場合、放
熱板にパターンをマーキングすること、リードへの半田
メッキ時に放熱板にも半田がメッキされているため、半
田にパターンがマーキングされ、半導体装置の実装時に
半田溶融温度を大きく越えることによりパターンが消去
されてしまう。このため、放熱板以外の部分にマーキン
グする必要があり、マーキング位置が規制されてしま
う。さらに、樹脂パッケージ上にレーザビームを照射
し、マーキングを行ってもレーザビームによるマーキン
グの色は黒っぽく、樹脂パッケージの色もカーボンによ
り黒色となっており、コントラストが低いため視認性が
悪い等の問題点があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、捺印の視認性が良好で、かつ生産性の良好な半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、捺印の視認性が良好で、かつ生産性の良好な半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体チップ及
び該半導体チップで生じる熱を放熱する放熱板を該半導
体チップを外部と接続するリードと共に樹脂製のパッケ
ージで一体的にモールドしてなる半導体装置の製造方法
において、前記放熱板表面に樹脂膜を形成する樹脂膜形
成工程と、前記樹脂膜を熱線により局所的に除去し、前
記放熱板を局所的に剥き出すことにより捺印を行なう捺
印工程とを有してなる。
び該半導体チップで生じる熱を放熱する放熱板を該半導
体チップを外部と接続するリードと共に樹脂製のパッケ
ージで一体的にモールドしてなる半導体装置の製造方法
において、前記放熱板表面に樹脂膜を形成する樹脂膜形
成工程と、前記樹脂膜を熱線により局所的に除去し、前
記放熱板を局所的に剥き出すことにより捺印を行なう捺
印工程とを有してなる。
【０００９】
【作用】放熱板表面に樹脂膜が形成され、熱線により樹
脂膜を局所的に除去することにより、放熱板を表出さ
せ、パターンをマーキングする。
脂膜を局所的に除去することにより、放熱板を表出さ
せ、パターンをマーキングする。
【００１０】このため、樹脂膜と放熱板との材質の違い
によりパターンと他の部分とのコントラストを大きくす
ることができ、パターンの視認性を向上させることがで
きる。
によりパターンと他の部分とのコントラストを大きくす
ることができ、パターンの視認性を向上させることがで
きる。
【００１１】また、放熱板はほとんどが樹脂膜で覆われ
るため、放熱板を保護できる。このとき、樹脂膜は２０
〜５０μm と非常に薄いため放熱板の放熱効果を阻害す
ることはない。
るため、放熱板を保護できる。このとき、樹脂膜は２０
〜５０μm と非常に薄いため放熱板の放熱効果を阻害す
ることはない。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の製造工程図を示
す。同図中、１１は半導体チップ、１２は放熱板、１３
はリードフレーム、１４はパッケージを示す。
す。同図中、１１は半導体チップ、１２は放熱板、１３
はリードフレーム、１４はパッケージを示す。
【００１３】半導体チップ１１は例えば、数mm角のシリ
コン結晶基板上に高集積精密度の回路素子を多数形成し
てなる。放熱板１２は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、セラミック等の熱伝導の良好な材料を平板状に形
成してなる。
コン結晶基板上に高集積精密度の回路素子を多数形成し
てなる。放熱板１２は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、セラミック等の熱伝導の良好な材料を平板状に形
成してなる。
【００１４】リードフレーム１３は銅（Ｃｕ）合金、鉄
（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金（例えば４２アロイ）
等の材料をエッチングやプレス加工することにより形成
される。パッケージ１４はエポキシ系の樹脂材料よりな
り、半導体チップ１１，放熱板１２，リードフレーム１
３の一部を一体的に封入する。
（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金（例えば４２アロイ）
等の材料をエッチングやプレス加工することにより形成
される。パッケージ１４はエポキシ系の樹脂材料よりな
り、半導体チップ１１，放熱板１２，リードフレーム１
３の一部を一体的に封入する。
【００１５】リードフレーム１３は接続リード１３ａ及
び支持リード１３ｂを有し、放熱板１２は支持リード１
３ｂにより保持される。図２に本発明の第１実施例の放
熱板１２と支持リード１３ｂとの接続部分の斜視図を示
す。放熱板１２には半導体チップ１１の搭載面１２ａに
凸部１２ａ-1が形成されていて、この凸部１２ａ-1に支
持リード１３ｂの先端部に形成された穴部１３ｂ-1を係
合させ、凸部１２ａ-1をかしめることにより放熱板１２
を支持リード１３ｂに保持する構成とされている。
び支持リード１３ｂを有し、放熱板１２は支持リード１
３ｂにより保持される。図２に本発明の第１実施例の放
熱板１２と支持リード１３ｂとの接続部分の斜視図を示
す。放熱板１２には半導体チップ１１の搭載面１２ａに
凸部１２ａ-1が形成されていて、この凸部１２ａ-1に支
持リード１３ｂの先端部に形成された穴部１３ｂ-1を係
合させ、凸部１２ａ-1をかしめることにより放熱板１２
を支持リード１３ｂに保持する構成とされている。
【００１６】放熱板１２は支持リード１３ｂに保持され
た後、半導体チップ１１の搭載面１２ａに半導体チップ
１１が接着剤等により接着される。次に半導体チップ１
１と接続リード１３ａとがワイヤボンディングされ、金
（Ａｕ）材よりなるワイヤ１５により接続され、図１
（Ａ）に示すような状態とされる。
た後、半導体チップ１１の搭載面１２ａに半導体チップ
１１が接着剤等により接着される。次に半導体チップ１
１と接続リード１３ａとがワイヤボンディングされ、金
（Ａｕ）材よりなるワイヤ１５により接続され、図１
（Ａ）に示すような状態とされる。
【００１７】次に図１（Ａ）に示すように一体的に形成
された半導体チップ１１、放熱板１２，リードフレーム
１３を図１（Ｂ）に示すようにモールド金型１６ａ，１
６ｂ内に収納する。モールド金型１６ｂ底面には装脱可
能に構成され、放熱板１２の半導体チップ１１の非搭載
面１２ｂを保持する保持ピン１７が装着されている。保
持ピン１７は底面からの突出量が２０〜５０μ程度に設
定され、モールド金型１６ｂの底面から２０〜５０μの
位置で放熱板１２を保持する。
された半導体チップ１１、放熱板１２，リードフレーム
１３を図１（Ｂ）に示すようにモールド金型１６ａ，１
６ｂ内に収納する。モールド金型１６ｂ底面には装脱可
能に構成され、放熱板１２の半導体チップ１１の非搭載
面１２ｂを保持する保持ピン１７が装着されている。保
持ピン１７は底面からの突出量が２０〜５０μ程度に設
定され、モールド金型１６ｂの底面から２０〜５０μの
位置で放熱板１２を保持する。
【００１８】放熱板１２はモールド金型１６ａ，１６ｂ
内に保持されると支持リード１３ｂの弾性により矢印Ａ
方向に押圧され、保持ピン１７に密着する。以上により
モールド金型１６ｂの底面と放熱板１２の半導体チップ
１１の非搭載面１２ｂとの間に２０〜５０μの間隙が確
実に保持される。
内に保持されると支持リード１３ｂの弾性により矢印Ａ
方向に押圧され、保持ピン１７に密着する。以上により
モールド金型１６ｂの底面と放熱板１２の半導体チップ
１１の非搭載面１２ｂとの間に２０〜５０μの間隙が確
実に保持される。
【００１９】次に、モールド金型１６ａ，１６ｂ内にエ
ポキシ系樹脂を注入する。樹脂が略固着した後に保持ピ
ン１７を引き貫くことにより樹脂製パッケージ１４が形
成される。
ポキシ系樹脂を注入する。樹脂が略固着した後に保持ピ
ン１７を引き貫くことにより樹脂製パッケージ１４が形
成される。
【００２０】以上の工程により図１（Ｃ）に示すように
パッケージ１４には保持ピン１７により凹部１４ｂが形
成されると共に、放熱板１２の半導体チップ１１の非搭
載面１２ｂには２０〜５０μm の薄い樹脂膜１４ａが形
成される。
パッケージ１４には保持ピン１７により凹部１４ｂが形
成されると共に、放熱板１２の半導体チップ１１の非搭
載面１２ｂには２０〜５０μm の薄い樹脂膜１４ａが形
成される。
【００２１】次にリード１３のパッケージ１４より外方
に延出したアウタリード１３ａ-1部分に半田メッキが行
なわれ、その後、樹脂膜１４ａ上に図１（Ｄ）に示すよ
うにレーザ発生装置１８よりレーザ光Ｌが捺印しようと
する文字、数字に応じて照射される。レーザ光Ｌは数ｍ
Ｗ程度の出力を有し、レーザ光Ｌが照射された部位１４
ａ-1では樹脂膜１４ａが蒸発し、樹脂膜１４ａ下部の放
熱板１２が表出する。
に延出したアウタリード１３ａ-1部分に半田メッキが行
なわれ、その後、樹脂膜１４ａ上に図１（Ｄ）に示すよ
うにレーザ発生装置１８よりレーザ光Ｌが捺印しようと
する文字、数字に応じて照射される。レーザ光Ｌは数ｍ
Ｗ程度の出力を有し、レーザ光Ｌが照射された部位１４
ａ-1では樹脂膜１４ａが蒸発し、樹脂膜１４ａ下部の放
熱板１２が表出する。
【００２２】レーザ光Ｌを社票、ロット番号等の捺印す
べき文字、数字等に応じて樹脂膜１４ａに照射すること
により捺印すべき文字、数字等に応じて樹脂膜１４ａが
除去され、放熱板１２が表出し、社票、ロット番号等の
捺印が行なわれる。
べき文字、数字等に応じて樹脂膜１４ａに照射すること
により捺印すべき文字、数字等に応じて樹脂膜１４ａが
除去され、放熱板１２が表出し、社票、ロット番号等の
捺印が行なわれる。
【００２３】捺印完了後、図１（Ｄ）に示すようにリー
ドフレームより切断し、接続リード１３ａの先端を折曲
することにより半導体装置が完成する。本実施例では接
続リード１３ａの先端を表面実装用に折曲している。
ドフレームより切断し、接続リード１３ａの先端を折曲
することにより半導体装置が完成する。本実施例では接
続リード１３ａの先端を表面実装用に折曲している。
【００２４】図３は上記の製造工程により製造された半
導体装置の斜視図を示す。図１の工程により製造された
半導体装置によれば、捺印されたパターン１９は放射板
１２の色となり、カーボンが混入された樹脂よりなるパ
ッケージ１４の色とのコントラストによりはっきりと視
認することができるため、捺印された社票、ロット番号
の視認性を向上させることができる。
導体装置の斜視図を示す。図１の工程により製造された
半導体装置によれば、捺印されたパターン１９は放射板
１２の色となり、カーボンが混入された樹脂よりなるパ
ッケージ１４の色とのコントラストによりはっきりと視
認することができるため、捺印された社票、ロット番号
の視認性を向上させることができる。
【００２５】また、放熱板１２上はパターン１９及び穴
部１４ｂ以外は樹脂膜１４ａで覆われるため、放熱板１
２を保護できる。さらに、放熱板１２上に形成される樹
脂膜１４ａは２０〜５０μm と薄いと共に樹脂膜１４ａ
の形成時に形成された穴部１４ｂ及びパターン１９によ
り、放熱板１２の放熱効果を阻止することはない。
部１４ｂ以外は樹脂膜１４ａで覆われるため、放熱板１
２を保護できる。さらに、放熱板１２上に形成される樹
脂膜１４ａは２０〜５０μm と薄いと共に樹脂膜１４ａ
の形成時に形成された穴部１４ｂ及びパターン１９によ
り、放熱板１２の放熱効果を阻止することはない。
【００２６】図４は本発明の第２実施例の製造工程図を
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００２７】本実施例は第１実施例と放熱板の形状が異
なる。図５に第２実施例の放熱板の斜視図を示す。
なる。図５に第２実施例の放熱板の斜視図を示す。
【００２８】放熱板２１には凸部２１ａがプレスや削出
し等の加工法により形成される。凸部２１ａは高さが２
０〜５０μm に形成されている。
し等の加工法により形成される。凸部２１ａは高さが２
０〜５０μm に形成されている。
【００２９】放熱板２１は図４（Ａ）に示すように第１
実施例と同様な方法でリード１３に保持され、凸部２１
ａを有する面が半導体チップ１１の非搭載面となるよう
に組み付けられる。
実施例と同様な方法でリード１３に保持され、凸部２１
ａを有する面が半導体チップ１１の非搭載面となるよう
に組み付けられる。
【００３０】次に、図４（Ｂ）に示すように第１実施例
のモールド金型１６ａ，１６ｂの保持ピン１６ｂ-1を削
除したモールド金型２２ａ，２２ｂ内に保持され、樹脂
が注入され、パッケージ１４が形成される。
のモールド金型１６ａ，１６ｂの保持ピン１６ｂ-1を削
除したモールド金型２２ａ，２２ｂ内に保持され、樹脂
が注入され、パッケージ１４が形成される。
【００３１】このとき、放熱板２１の凸部２１ａはモー
ルド金型２１ｂの底面にリード１３の弾性により押圧さ
れる。このため、放熱板２１の半導体チップ１１の非搭
載面の凸部２１ａ以外の部分にはモールド金型２１ｂ底
面と凸部２１ａの高さ２０〜５０μm の間隙が生じ、モ
ールド工程によりこの部分に図４（Ｃ）に示すように２
０〜５０μm の樹脂膜１４ａが形成される。
ルド金型２１ｂの底面にリード１３の弾性により押圧さ
れる。このため、放熱板２１の半導体チップ１１の非搭
載面の凸部２１ａ以外の部分にはモールド金型２１ｂ底
面と凸部２１ａの高さ２０〜５０μm の間隙が生じ、モ
ールド工程によりこの部分に図４（Ｃ）に示すように２
０〜５０μm の樹脂膜１４ａが形成される。
【００３２】第１実施例同様に樹脂膜１４ａにレーザ発
生装置１８より捺印パターンに応じてレーザ光Ｌを照射
することにより捺印が行なわれる。
生装置１８より捺印パターンに応じてレーザ光Ｌを照射
することにより捺印が行なわれる。
【００３３】図６に本発明の第２実施例の斜視図を示
す。本実施例では捺印パターン１９以外に凸部２１ａが
外部に表出し、放熱効果が高い。また、製造工程におい
てはパッケージ１４のモールド時に保持ピン１７が不要
となり、従来のモールド金型での製造が可能となる。
す。本実施例では捺印パターン１９以外に凸部２１ａが
外部に表出し、放熱効果が高い。また、製造工程におい
てはパッケージ１４のモールド時に保持ピン１７が不要
となり、従来のモールド金型での製造が可能となる。
【００３４】図７は本発明の第３実施例の斜視図を示
す。同図中、図４と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。本実施例は放熱板の形状が第２実
施例と異なる。図８に放熱板の斜視図を示す。放熱板３
１は放熱板２１と同様、プレス加工や削出し加工により
半導体チップ１１の非搭載面側に凸部３１ａを形成して
なる。ただし、凸部３１ａは金型２２ａ，２２ｂの樹脂
の注入口（ゲート）と空気排出孔（ベント）とを結ぶ線
分Ｉに対称となるように形成されている。以上の構成と
することにより樹脂が２０〜５０μm 程度の狭い間隙に
もスムーズに注入され、樹脂膜１４ａの形成状態が良好
なものとなる。
す。同図中、図４と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。本実施例は放熱板の形状が第２実
施例と異なる。図８に放熱板の斜視図を示す。放熱板３
１は放熱板２１と同様、プレス加工や削出し加工により
半導体チップ１１の非搭載面側に凸部３１ａを形成して
なる。ただし、凸部３１ａは金型２２ａ，２２ｂの樹脂
の注入口（ゲート）と空気排出孔（ベント）とを結ぶ線
分Ｉに対称となるように形成されている。以上の構成と
することにより樹脂が２０〜５０μm 程度の狭い間隙に
もスムーズに注入され、樹脂膜１４ａの形成状態が良好
なものとなる。
【００３５】図９は本発明の第４実施例の断面図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。本実施例は半導体チップ１１と放
熱板１２とが別体で設けられた半導体装置に適用したも
ので、半導体チップ１１は支持リード１３ｃと一体的に
形成されたステージ１３ｄ上に保持された構成をなす。
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。本実施例は半導体チップ１１と放
熱板１２とが別体で設けられた半導体装置に適用したも
ので、半導体チップ１１は支持リード１３ｃと一体的に
形成されたステージ１３ｄ上に保持された構成をなす。
【００３６】図１０は本発明の第５実施例の断面図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。
【００３７】本実施例はＴＳＯＰ（Thin Small Out-lin
ed Package）の半導体装置に適用したもので支持リード
１３ｃに一体的に形成されたステージ１３ｄ上に半導体
チップ１１が搭載され薄型化が計られている。本実施例
では放熱板がないため、ステージ１３ｄの半導体チップ
１１の非搭載面に樹脂膜１４ａを第１乃至第３実施例と
同様な工程により形成される。
ed Package）の半導体装置に適用したもので支持リード
１３ｃに一体的に形成されたステージ１３ｄ上に半導体
チップ１１が搭載され薄型化が計られている。本実施例
では放熱板がないため、ステージ１３ｄの半導体チップ
１１の非搭載面に樹脂膜１４ａを第１乃至第３実施例と
同様な工程により形成される。
【００３８】なお、ステージ１３ｄはリードフレーム１
３と同様なメタル材料により構成されているため、捺印
時には、放熱板と同様にパッケージ１４とのコントラス
トの高い、視認性の良好な捺印が可能となる。
３と同様なメタル材料により構成されているため、捺印
時には、放熱板と同様にパッケージ１４とのコントラス
トの高い、視認性の良好な捺印が可能となる。
【００３９】なお、第１乃至第５実施例ではリードフレ
ーム１３は表面実装型の形状となっているが、これに限
ることはなく、ＤＩＰ（Dual In-line Package）、ＳＩ
Ｐ（Single In-line Package）等の樹脂パッケージによ
り封止された半導体装置に幅広く適用できる。
ーム１３は表面実装型の形状となっているが、これに限
ることはなく、ＤＩＰ（Dual In-line Package）、ＳＩ
Ｐ（Single In-line Package）等の樹脂パッケージによ
り封止された半導体装置に幅広く適用できる。
【００４０】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、放熱板上
に形成された樹脂膜を局所的に除去し、捺印を行なうた
め、樹脂膜と放熱板とのコントラストにより、捺印の視
認性が向上すると共に、放熱板上に樹脂膜が形成される
ため、放熱板を樹脂膜により保護でき、プリント基板等
への搭載時に放熱板と配線とが接触しにくくなり、回路
の保護が行なえる等の特長を有する。
に形成された樹脂膜を局所的に除去し、捺印を行なうた
め、樹脂膜と放熱板とのコントラストにより、捺印の視
認性が向上すると共に、放熱板上に樹脂膜が形成される
ため、放熱板を樹脂膜により保護でき、プリント基板等
への搭載時に放熱板と配線とが接触しにくくなり、回路
の保護が行なえる等の特長を有する。
【図１】本発明の第１実施例の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施例の要部の斜視図である。
【図３】本発明の第１実施例の斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例の製造工程図である。
【図５】本発明の第２実施例の放熱板の斜視図である。
【図６】本発明の第２実施例の斜視図である。
【図７】本発明の第３実施例の斜視図である。
【図８】本発明の第３実施例の放熱板の斜視図である。
【図９】本発明の第４実施例の断面図である。
【図１０】本発明の第５実施例の断面図である。
【図１１】従来の一例の斜視図である。
１１ 半導体チップ １２ 放熱板 １３ リードフレーム １４ パッケージ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップ（１１）及び該半導体チッ
プ（１１）で生じる熱を放熱する放熱板（１２）を該半
導体チップ（１１）を外部と接続するリード（１３）と
共に樹脂製のパッケージ（１４）で一体的にモールドし
てなる半導体装置の製造方法において、 前記放熱板（１２）表面に樹脂膜（１４ａ）を形成する
樹脂膜形成工程と、 前記樹脂膜（１４ａ）を熱線により局所的に除去し、前
記放熱板（１２）を局所的に剥き出すことにより捺印を
行なう捺印工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 半導体チップ（１１）及び該半導体チッ
プ（１１）を保持するステージ（１３ｄ）を該半導体チ
ップ（１１）を外部と接続するリードフレーム（１３）
と共に樹脂製のパッケージ（１４）で一体的にモールド
してなる半導体装置の製造方法において、 前記ステージ（１３ｄ）の前記半導体チップ（１１）の
非搭載面に樹脂膜（１４ａ）を形成する樹脂膜形成工程
と、 前記樹脂膜を熱線により局所的に除去し、前記ステージ
（１３ｄ）の前記半導体チップ（１１）の非搭載面を局
所的に剥き出すことにより捺印を行なう捺印工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記樹脂膜形成工程は前記パッケージ
（１４）のモールド工程中に同時に実行されることを特
徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂膜形成工程は前記パッケージ
（１４）のモールド金型（１６ａ，１６ｂ）に装着脱自
在に設けられ、前記樹脂膜（１４ａ）の膜厚に対応した
位置に前記放熱板（１２）の前記半導体チップ（１１）
の非搭載面（１２ａ）を保持する保持ピン（１６ｂ-1）
により前記放熱板（１２）を前記モールド金型（１６
ａ，１６ｂ）内に保持し、前記パッケージ（１４）のモ
ールドを行なう工程と、 前記パッケージ（１４）の形成後、前記保持ピン（１６
ｂ-1）を前記モールド金型（１６ａ，１６ｂ）より離脱
させる工程とを有することを特徴とする請求項３記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記樹脂膜形成工程は前記放熱板（１
２）の前記半導体チップ（１１）の非搭載面（１２ａ）
に前記樹脂膜（１４ａ）の膜厚に応じた高さの凸部（１
２ｄ）を形成し、前記パッケージ（１４）のモールド工
程を実行することにより前記樹脂膜（１４ａ）を形成す
ることを特徴とする請求項１又は３記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】 前記樹脂膜形成工程は前記樹脂膜（１４
ａ）の膜厚を５０μm 以下に形成することを特徴とする
請求項１乃至５記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326933A JPH06177268A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326933A JPH06177268A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177268A true JPH06177268A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18193393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4326933A Withdrawn JPH06177268A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177268A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999050908A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for molding semiconductor device, and semiconductor device |
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| KR20200040700A (ko) | 2017-08-18 | 2020-04-20 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 |
-
1992
- 1992-12-07 JP JP4326933A patent/JPH06177268A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999050908A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for molding semiconductor device, and semiconductor device |
| US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
| KR100308396B1 (ko) * | 1998-12-03 | 2001-12-17 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의제조방법 |
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| US11315846B2 (en) | 2017-08-18 | 2022-04-26 | Namics Corporation | Semiconductor device |
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