JPH06179089A - 半導体装置の加工装置 - Google Patents
半導体装置の加工装置Info
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- JPH06179089A JPH06179089A JP4332077A JP33207792A JPH06179089A JP H06179089 A JPH06179089 A JP H06179089A JP 4332077 A JP4332077 A JP 4332077A JP 33207792 A JP33207792 A JP 33207792A JP H06179089 A JPH06179089 A JP H06179089A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の作業ライン上で、同時併行的にQFP
半導体装置のダムバー除去をはかりたい。 【構成】 ライン1、2、3、4からは半導体装置を固
定搭載したホルダーが供給され、これをロボット16が
把持して加工テーブル10上に固定する。加工テーブル
上での位置決めを行い、単一のレーザ源1からのレーザ
ビームを切替ミラー3A〜3Cを切替ることで、各加工
テーブル10上に時分割でレーザビームが照射される。
これによって4つの加工テーブル上で同時に併行的なダ
ムバー除去が可能となる。
半導体装置のダムバー除去をはかりたい。 【構成】 ライン1、2、3、4からは半導体装置を固
定搭載したホルダーが供給され、これをロボット16が
把持して加工テーブル10上に固定する。加工テーブル
上での位置決めを行い、単一のレーザ源1からのレーザ
ビームを切替ミラー3A〜3Cを切替ることで、各加工
テーブル10上に時分割でレーザビームが照射される。
これによって4つの加工テーブル上で同時に併行的なダ
ムバー除去が可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の半導体装置のダ
ムバーを時分割で加工する加工装置に関する。
ムバーを時分割で加工する加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置を製作する際、樹脂モールド
する時にリードフレームへの樹脂の必要以上なはみ出し
を防ぐために、リードフレームには、必ずダムバー(タ
イバーとも云う)を設けている。ダムバーは、リードフ
レームの配列方向に沿って、リードフレームを連結する
形で設けてある。樹脂モールド後にあってはダムバーを
除去する。これによって、リードフレームは電気的に独
立したものとなる。ダムバーの除去の従来例には、特開
平3−148161号、特開平3−294077号があ
る。両者ともレーザビームをダムバーに照射してその除
去をはかる点で共通する。更に、特開平3−14816
1号は、リードフレーム面とレーザ照射部との間にマス
クをかけて、ダムバーのみの除去をはかる。特開平3−
294077号はダムバー近傍のフレーム表面収縮量を
検出し事前に定めたダムバー位置の位置調整を行う。
する時にリードフレームへの樹脂の必要以上なはみ出し
を防ぐために、リードフレームには、必ずダムバー(タ
イバーとも云う)を設けている。ダムバーは、リードフ
レームの配列方向に沿って、リードフレームを連結する
形で設けてある。樹脂モールド後にあってはダムバーを
除去する。これによって、リードフレームは電気的に独
立したものとなる。ダムバーの除去の従来例には、特開
平3−148161号、特開平3−294077号があ
る。両者ともレーザビームをダムバーに照射してその除
去をはかる点で共通する。更に、特開平3−14816
1号は、リードフレーム面とレーザ照射部との間にマス
クをかけて、ダムバーのみの除去をはかる。特開平3−
294077号はダムバー近傍のフレーム表面収縮量を
検出し事前に定めたダムバー位置の位置調整を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】特開平3−14816
1号、特開平3−294077号は、共に1つの半導体
装置のダムバー除去に関する。しかし、流れ作業の中で
のダムバー除去を効率的に行うには、複数の半導体装置
のダムバーを併行的に除去できることが望ましい。例え
ば、各種のパッケージの半導体装置の中で、リードフレ
ームが4辺に張り出しているQFPタイプの半導体装置
がある。QFPタイプは、リードフレーム間ピッチが狭
く、且つピン数(リードフレームの数)も300〜50
0本と非常に多いが、その需要は増大している。同じ型
式の半導体装置を毎月数10万個〜数百万個と大量生産
することが望まれている。従って、レーザ切断によって
ダムバーを切断するには、高速、高繰り返し、高精度加
工が要求される。
1号、特開平3−294077号は、共に1つの半導体
装置のダムバー除去に関する。しかし、流れ作業の中で
のダムバー除去を効率的に行うには、複数の半導体装置
のダムバーを併行的に除去できることが望ましい。例え
ば、各種のパッケージの半導体装置の中で、リードフレ
ームが4辺に張り出しているQFPタイプの半導体装置
がある。QFPタイプは、リードフレーム間ピッチが狭
く、且つピン数(リードフレームの数)も300〜50
0本と非常に多いが、その需要は増大している。同じ型
式の半導体装置を毎月数10万個〜数百万個と大量生産
することが望まれている。従って、レーザ切断によって
ダムバーを切断するには、高速、高繰り返し、高精度加
工が要求される。
【0004】こうした半導体装置を、複数の生産ライン
に載せて高速加工するには、各生産ライン毎にレーザ源
を設けておき、全生産ラインで半導体装置を同時に加工
してゆくことが考えられる。しかし、レーザ源の単価は
数百万円と高く、各生産ライン毎に設置することは得策
でない。又、QFP形の半導体装置に関してみれば、4
辺が存在し、且つ各辺には数多くのリードフレームが設
けられている。レーザ光源の設置位置は固定であり、そ
の放出レーザビームの方向も固定である。従って、半導
体装置をレーザビームの方向に位置合わせするだけでな
く、除去タイミングとなる辺への位置合わせ、各辺のダ
ムバーへの位置合わせが必要となる。こうした位置合わ
せをしている間にあっては、レーザビームの放射は不要
である。従って、生産ライン毎にレーザ源を設けなくて
も、又、同時加工は不可能であっても同時併行的な加工
は可能である。
に載せて高速加工するには、各生産ライン毎にレーザ源
を設けておき、全生産ラインで半導体装置を同時に加工
してゆくことが考えられる。しかし、レーザ源の単価は
数百万円と高く、各生産ライン毎に設置することは得策
でない。又、QFP形の半導体装置に関してみれば、4
辺が存在し、且つ各辺には数多くのリードフレームが設
けられている。レーザ光源の設置位置は固定であり、そ
の放出レーザビームの方向も固定である。従って、半導
体装置をレーザビームの方向に位置合わせするだけでな
く、除去タイミングとなる辺への位置合わせ、各辺のダ
ムバーへの位置合わせが必要となる。こうした位置合わ
せをしている間にあっては、レーザビームの放射は不要
である。従って、生産ライン毎にレーザ源を設けなくて
も、又、同時加工は不可能であっても同時併行的な加工
は可能である。
【0005】本発明の目的は、複数の生産ライン上での
半導体装置の加工を1個のレーザ源にて同時併行的に可
能にする加工装置を提供するものである。
半導体装置の加工を1個のレーザ源にて同時併行的に可
能にする加工装置を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、光軸が互いに
一致するように直線状に配置された、円周方向に区分さ
れた反射面と透過面とを持つ回転可能な、複数個の切替
ミラーと、この切替ミラーの光軸方向からレーザ光を放
出するレーザ源と、別々の作業ライン上に搭載され、ダ
ムバー除去作業後排出されて新しいものにとって代わ
る、各切替ミラー対応の複数個の半導体装置と、上記複
数個の切替ミラーの反射面の1つからレーザ光を、対応
する作業ライン上の半導体装置のダムバー除去用に照射
すべく、切替ミラーの回転を制御し、複数の半導体装置
へシーケンシャルにレーザ光を分配する制御手段と、よ
り成る(請求項1)。
一致するように直線状に配置された、円周方向に区分さ
れた反射面と透過面とを持つ回転可能な、複数個の切替
ミラーと、この切替ミラーの光軸方向からレーザ光を放
出するレーザ源と、別々の作業ライン上に搭載され、ダ
ムバー除去作業後排出されて新しいものにとって代わ
る、各切替ミラー対応の複数個の半導体装置と、上記複
数個の切替ミラーの反射面の1つからレーザ光を、対応
する作業ライン上の半導体装置のダムバー除去用に照射
すべく、切替ミラーの回転を制御し、複数の半導体装置
へシーケンシャルにレーザ光を分配する制御手段と、よ
り成る(請求項1)。
【0007】更に本発明は、上記各切替ミラーの反射面
は同じ大きさの1個の全反射面とし、光軸が一致するよ
うな配置とはレーザ光の通路上に必ずいずれか1個の全
反射面が現れるような配置とする(請求項2)。
は同じ大きさの1個の全反射面とし、光軸が一致するよ
うな配置とはレーザ光の通路上に必ずいずれか1個の全
反射面が現れるような配置とする(請求項2)。
【0008】更に本発明は、上記複数配置の切替ミラー
の最後尾に全反射ミラーを設け、この全反射ミラーのレ
ーザ光の反射方向にもダムバーを持つ半導体装置を設け
てなる(請求項3)。
の最後尾に全反射ミラーを設け、この全反射ミラーのレ
ーザ光の反射方向にもダムバーを持つ半導体装置を設け
てなる(請求項3)。
【0009】更に本発明は、光軸が互いに一致するよう
に直線状に配置された、円周方向に区分された反射面と
透過面とを持つ回転可能な、複数個の切替ミラーと、こ
の切替ミラーの光軸方向からレーザ光を放出するレーザ
源と、別々の作業ライン上に搭載され、ダムバー除去作
業後排出されて新しいものにとって代わる、各切替ミラ
ー対応の複数個の半導体装置と、上記複数個の切替ミラ
ーの反射面の1つからレーザ光を、対応する作業ライン
上の半導体装置のダムバー除去用に照射すべく、切替ミ
ラーの回転を制御し、複数の半導体装置へシーケンシャ
ルにレーザ光を分配する制御手段と、レーザ光が照射さ
れている半導体装置以外の半導体装置に対して、レーザ
光の照射位置とこの半導体装置との位置合わせを行わせ
る制御手段と、より成る(請求項4)。
に直線状に配置された、円周方向に区分された反射面と
透過面とを持つ回転可能な、複数個の切替ミラーと、こ
の切替ミラーの光軸方向からレーザ光を放出するレーザ
源と、別々の作業ライン上に搭載され、ダムバー除去作
業後排出されて新しいものにとって代わる、各切替ミラ
ー対応の複数個の半導体装置と、上記複数個の切替ミラ
ーの反射面の1つからレーザ光を、対応する作業ライン
上の半導体装置のダムバー除去用に照射すべく、切替ミ
ラーの回転を制御し、複数の半導体装置へシーケンシャ
ルにレーザ光を分配する制御手段と、レーザ光が照射さ
れている半導体装置以外の半導体装置に対して、レーザ
光の照射位置とこの半導体装置との位置合わせを行わせ
る制御手段と、より成る(請求項4)。
【0010】更に本発明は、半導体装置のダムバー移動
軌跡及び移動速度並びにダムバーが連結するリードフレ
ームピッチ(又はダムバーピッチ)から、ダムバーを中
心にレーザ光が照射するように、レーザ光の励起タイミ
ングを与えるようにした(請求項5)。
軌跡及び移動速度並びにダムバーが連結するリードフレ
ームピッチ(又はダムバーピッチ)から、ダムバーを中
心にレーザ光が照射するように、レーザ光の励起タイミ
ングを与えるようにした(請求項5)。
【0011】更に本発明は、最初のダムバー除去に先だ
って、この最初のダムバー中心位置にレーザ光が照射さ
れる初期位置決めを行い、それ以降のダムバー除去のレ
ーザ光の励起タイミングは、上記移動軌跡と移動速度並
びにリードフレームピッチ(又はダムバーピッチ)から
与えるようにした(請求項6)。
って、この最初のダムバー中心位置にレーザ光が照射さ
れる初期位置決めを行い、それ以降のダムバー除去のレ
ーザ光の励起タイミングは、上記移動軌跡と移動速度並
びにリードフレームピッチ(又はダムバーピッチ)から
与えるようにした(請求項6)。
【0012】更に本発明は、半導体装置のダムバーをレ
ーザ光で除去する半導体装置の加工方法において、レー
ザ光はダムバーを連結するリードフレームの長手方向に
長さを持つ楕円形レーザビームとする(請求項7)。
ーザ光で除去する半導体装置の加工方法において、レー
ザ光はダムバーを連結するリードフレームの長手方向に
長さを持つ楕円形レーザビームとする(請求項7)。
【0013】更に本発明は、半導体装置のダムバーをレ
ーザ光で除去する半導体装置の加工方法において、ダム
バーを連結するリードフレーム素材にダムバー列の位置
合わせのために使用する基準穴を設けて、基準穴に従っ
て位置合わせを行う(請求項8)。
ーザ光で除去する半導体装置の加工方法において、ダム
バーを連結するリードフレーム素材にダムバー列の位置
合わせのために使用する基準穴を設けて、基準穴に従っ
て位置合わせを行う(請求項8)。
【0014】
【作用】本発明によれば、単一のレーザ源のもとで、切
替ミラーが時分割に切替り、レーザビームが複数ダムバ
ーに照射できることになり、複数ダムバーの時分割除去
が可能となる(請求項1、2、3、4)。
替ミラーが時分割に切替り、レーザビームが複数ダムバ
ーに照射できることになり、複数ダムバーの時分割除去
が可能となる(請求項1、2、3、4)。
【0015】更に本発明によれば、レーザビームの励起
タイミングの管理が移動軌跡に合わせて行うことができ
る(請求項5、6)。
タイミングの管理が移動軌跡に合わせて行うことができ
る(請求項5、6)。
【0016】更に本発明によれば、レーザビームの口径
が楕円形となることから、ダムバーの確実な除去及びリ
ードフレームの不用意な除去の抑制ができる(請求項
7)。
が楕円形となることから、ダムバーの確実な除去及びリ
ードフレームの不用意な除去の抑制ができる(請求項
7)。
【0017】
【実施例】図1は本発明の半導体装置の加工装置の実施
例図である。4つの搬送ライン(作業ライン)1〜4
は、送給装置17を構成し、この各ライン1〜4上に
は、前工程での作業完了後の半導体装置9が搭載され、
ロボット16が、ハンドにより半導体装置を把持し、加
工台テーブル10の上に乗せて固定されて加工対象とな
る。
例図である。4つの搬送ライン(作業ライン)1〜4
は、送給装置17を構成し、この各ライン1〜4上に
は、前工程での作業完了後の半導体装置9が搭載され、
ロボット16が、ハンドにより半導体装置を把持し、加
工台テーブル10の上に乗せて固定されて加工対象とな
る。
【0018】レーザ源1は4つの搬送ライン1〜4用の
単一のレーザ発生源である。レーザビーム切替ユニット
2は、レーザ源1からのレーザビームを時分割的に分配
して、4つの搬送ライン上の4つの加工テーブルの半導
体装置を併行的に加工するために設けてある。この切替
ユニット2は、少なくとも、3つの切替ミラー3A、3
B、3C、及び反射用のベンディングミラー5、集光レ
ンズ12、加工ヘッド13、及び監視用のTVカメラ1
4より成る。レーザ源1からのレーザビーム励起は、事
前に設定されたタイミングで行う。TVカメラ14は、
レンズ15を介して半導体装置及びダムバーの位置決め
のための監視であり、画像処理装置20がその撮像信号
を取り込み、必要な画像解析を行い位置合わせ制御に供
する。
単一のレーザ発生源である。レーザビーム切替ユニット
2は、レーザ源1からのレーザビームを時分割的に分配
して、4つの搬送ライン上の4つの加工テーブルの半導
体装置を併行的に加工するために設けてある。この切替
ユニット2は、少なくとも、3つの切替ミラー3A、3
B、3C、及び反射用のベンディングミラー5、集光レ
ンズ12、加工ヘッド13、及び監視用のTVカメラ1
4より成る。レーザ源1からのレーザビーム励起は、事
前に設定されたタイミングで行う。TVカメラ14は、
レンズ15を介して半導体装置及びダムバーの位置決め
のための監視であり、画像処理装置20がその撮像信号
を取り込み、必要な画像解析を行い位置合わせ制御に供
する。
【0019】切替ユニット2からのレーザビームが固定
位置から与えられるものであるため、加工テーブル10
は、QFPの4辺及び各辺の切断用ダムバー位置にレー
ザビームが正確に照射できるように、移動可能になって
いる。
位置から与えられるものであるため、加工テーブル10
は、QFPの4辺及び各辺の切断用ダムバー位置にレー
ザビームが正確に照射できるように、移動可能になって
いる。
【0020】ダムバー切断完了後、別のロボット18が
半導体装置を加工テーブル上から取りはずし、搬出ライ
ン19に乗せ次工程のために送り出す。このようにし
て、単一のレーザ源1のレーザビームを切替ユニット2
で分配して供給し、併行的に4つの半導体装置9の加工
を行う。
半導体装置を加工テーブル上から取りはずし、搬出ライ
ン19に乗せ次工程のために送り出す。このようにし
て、単一のレーザ源1のレーザビームを切替ユニット2
で分配して供給し、併行的に4つの半導体装置9の加工
を行う。
【0021】図2(イ)は、加工ユニット2内の切替ミ
ラーを示す図である。チョッパ形式の切替ミラー3A、
3B、3Cは図2(ロ)に示すように、円板形状体であ
り、円周方向に全反射部(1)、透過部とを持つ。図
(ロ)では、全反射部(1)は、円周方向の中の1/4
区分(即ち、1/4象限分)を占め、残りが透過部
(0)である。切替ミラー3A、3B、3Cは、レーザ
源1から放出されるレーザビーム6が通過する光軸方向
に直線状に配置してある。即ち、光軸に一致するように
配置してある。最後尾に、反射ミラーとなるベンディン
グミラー5を設置する。
ラーを示す図である。チョッパ形式の切替ミラー3A、
3B、3Cは図2(ロ)に示すように、円板形状体であ
り、円周方向に全反射部(1)、透過部とを持つ。図
(ロ)では、全反射部(1)は、円周方向の中の1/4
区分(即ち、1/4象限分)を占め、残りが透過部
(0)である。切替ミラー3A、3B、3Cは、レーザ
源1から放出されるレーザビーム6が通過する光軸方向
に直線状に配置してある。即ち、光軸に一致するように
配置してある。最後尾に、反射ミラーとなるベンディン
グミラー5を設置する。
【0022】切替ミラー3A、3B、3Cは支持部4
A、4B、4Cで支持されており、この支持部4A、4
B、4Cが、コントローラ8の制御を受けたドライバー
7によって円周方向に回転する。この回転を行うこと
で、レーザビーム6は、切替ミラー3A、3B、3Cの
いずれかの全反射部(1)で反射を受け、レーザビーム
a、b、cとして分配される。切替ミラー3A、3B、
3Cのいずれもがレーザビームに対して透過(即ち透過
部が対応していること)であれば、最後尾のベンディン
グミラー5で反射を受けレーザビームdとして分配され
る。
A、4B、4Cで支持されており、この支持部4A、4
B、4Cが、コントローラ8の制御を受けたドライバー
7によって円周方向に回転する。この回転を行うこと
で、レーザビーム6は、切替ミラー3A、3B、3Cの
いずれかの全反射部(1)で反射を受け、レーザビーム
a、b、cとして分配される。切替ミラー3A、3B、
3Cのいずれもがレーザビームに対して透過(即ち透過
部が対応していること)であれば、最後尾のベンディン
グミラー5で反射を受けレーザビームdとして分配され
る。
【0023】このような切替ミラー3A、3B、3Cに
よるレーザビームの分配を達成するためには、切替ミラ
ー3A、3B、3Cの回転方向配置及び回転制御は以下
の如くする。先ず、初期配置としては、図(ロ)に示す
ように、レーザビーム6の通過光軸(これを第1象限と
呼ぶ)上に切替ミラー3Aの全反射部(1)が存在する
ようにし、切替ミラー3Bの全反射部(1)は第4象限
の位置とし、切替ミラー3Cの全反射部(1)は第3象
限の位置としておく。
よるレーザビームの分配を達成するためには、切替ミラ
ー3A、3B、3Cの回転方向配置及び回転制御は以下
の如くする。先ず、初期配置としては、図(ロ)に示す
ように、レーザビーム6の通過光軸(これを第1象限と
呼ぶ)上に切替ミラー3Aの全反射部(1)が存在する
ようにし、切替ミラー3Bの全反射部(1)は第4象限
の位置とし、切替ミラー3Cの全反射部(1)は第3象
限の位置としておく。
【0024】(1)、この初期位置のもとでは、レーザ
ビーム6は、切替ミラー3Aの全反射部(1)でのみ全
反射を受け、直角方向のレーザビームaとして放出でき
る。切替ミラー3B、3C、反射ミラー5へのレーザビ
ームの放出はない。 (2)、次に、レーザビームaに代わってレーザビーム
bを放出するには、ドライバー7によって切替ミラー3
A、3B、3Cのすべてを1/4象限分だけ反時計方向
に回転させる。これによって、切替ミラー3Aの全反射
部(1)は第2象限に移動し、切替ミラー3Bの全反射
部(1)は第1象限に移動し、切替ミラー3Cの全反射
部(1)は第4象限に移動する。かくして、切替ミラー
3Aはレーザビーム6を透過させることになり、切替ミ
ラー3Bの全反射部(1)で全反射し、レーザビームb
の放出が可能になる。
ビーム6は、切替ミラー3Aの全反射部(1)でのみ全
反射を受け、直角方向のレーザビームaとして放出でき
る。切替ミラー3B、3C、反射ミラー5へのレーザビ
ームの放出はない。 (2)、次に、レーザビームaに代わってレーザビーム
bを放出するには、ドライバー7によって切替ミラー3
A、3B、3Cのすべてを1/4象限分だけ反時計方向
に回転させる。これによって、切替ミラー3Aの全反射
部(1)は第2象限に移動し、切替ミラー3Bの全反射
部(1)は第1象限に移動し、切替ミラー3Cの全反射
部(1)は第4象限に移動する。かくして、切替ミラー
3Aはレーザビーム6を透過させることになり、切替ミ
ラー3Bの全反射部(1)で全反射し、レーザビームb
の放出が可能になる。
【0025】(3)、レーザビームbに代わってレーザ
ビームcを放出するには、同様にして、ドライバー7で
1/4象限分各切替ミラー3A、3B、3Cを回転させ
ると、切替ミラー3Cのみがレーザビーム6を全反射す
る位置となりレーザビームcの放出が可能になる。 (4)、最後に更に1/4象限分各切替ミラー3A、3
B、3Cを回転させると、全切替ミラー3A、3B、3
Cは透過状態となり、ベンディングミラー5にレーザビ
ーム6が当り、レーザビームdの放出が可能となる。
ビームcを放出するには、同様にして、ドライバー7で
1/4象限分各切替ミラー3A、3B、3Cを回転させ
ると、切替ミラー3Cのみがレーザビーム6を全反射す
る位置となりレーザビームcの放出が可能になる。 (4)、最後に更に1/4象限分各切替ミラー3A、3
B、3Cを回転させると、全切替ミラー3A、3B、3
Cは透過状態となり、ベンディングミラー5にレーザビ
ーム6が当り、レーザビームdの放出が可能となる。
【0026】このように、ドライバー7で1/4象限ず
つ切替ミラー3A、3B、3Cを回転させることで、a
→b→c→dなる時分割によるレーザビーム分配が可能
となる。そこで、a、b、c、dの放出方向に加工テー
ブルを配置しておくことで、ダムバーの除去が可能にな
る。また、上記切替シーケンスを繰り返すことで、4辺
のダムバーの除去が達成できる。
つ切替ミラー3A、3B、3Cを回転させることで、a
→b→c→dなる時分割によるレーザビーム分配が可能
となる。そこで、a、b、c、dの放出方向に加工テー
ブルを配置しておくことで、ダムバーの除去が可能にな
る。また、上記切替シーケンスを繰り返すことで、4辺
のダムバーの除去が達成できる。
【0027】QPF形の半導体装置、特に3つの半導体
装置を連結した3連式半導体装置を図3、図4に示す。
図3は、本実施例の加工対象となる樹脂モールド後の3
連式半導体装置の平面図である。3連式半導体装置は、
#1〜#3の3つの半導体装置をリードフレーム部20
で連続した状態の装置である。その全体例を図4に示
す。リードフレーム部20は、半導体部21A、21
B、21Cと各リードフレーム26、30、31より成
り、図3ではこの中で半導体部21Aのみを特に示して
ある。半導体部21A、21B、21Cは、樹脂モール
ドずみであり、本実施例の工程ではダムバー切断に入
り、その後の工程で折り曲げ工程に入るのが一般的であ
る。
装置を連結した3連式半導体装置を図3、図4に示す。
図3は、本実施例の加工対象となる樹脂モールド後の3
連式半導体装置の平面図である。3連式半導体装置は、
#1〜#3の3つの半導体装置をリードフレーム部20
で連続した状態の装置である。その全体例を図4に示
す。リードフレーム部20は、半導体部21A、21
B、21Cと各リードフレーム26、30、31より成
り、図3ではこの中で半導体部21Aのみを特に示して
ある。半導体部21A、21B、21Cは、樹脂モール
ドずみであり、本実施例の工程ではダムバー切断に入
り、その後の工程で折り曲げ工程に入るのが一般的であ
る。
【0028】図3で、各半導体装置#1、#2、#3
は、四角形の半導体部21A、21B、21Cを有し、
且つその4つの各辺から直交する方向にリードフレーム
26、30、31が導出している。これはQFP(4辺
形フラットパッケージ装置)と呼ばれている。#1と#
2、及び#2と#3との間は、孔24、25で区切られ
ている。この3連式の他に、直列に6連構成の6連式、
3連式を並列にした並列6連式などがある。
は、四角形の半導体部21A、21B、21Cを有し、
且つその4つの各辺から直交する方向にリードフレーム
26、30、31が導出している。これはQFP(4辺
形フラットパッケージ装置)と呼ばれている。#1と#
2、及び#2と#3との間は、孔24、25で区切られ
ている。この3連式の他に、直列に6連構成の6連式、
3連式を並列にした並列6連式などがある。
【0029】図3の半導体装置#2は、周囲に樹脂モー
ルドされた半導体部21Aの4辺より、リードフレーム
26A、26B、26C、26Dがその辺に直交する方
向に導出している。各リードフレーム26A、26B、
26C、26Dは、リードフレーム22A、22B、2
2C、22Dと、各リードフレーム本体に直交方向で結
合するダムバー23A、23B、23C、23Dとより
成る。ダムバー23A〜23Dが、半導体部21Aへの
樹脂モールド時の樹脂のリードフレームへの流出の防止
部材となる。
ルドされた半導体部21Aの4辺より、リードフレーム
26A、26B、26C、26Dがその辺に直交する方
向に導出している。各リードフレーム26A、26B、
26C、26Dは、リードフレーム22A、22B、2
2C、22Dと、各リードフレーム本体に直交方向で結
合するダムバー23A、23B、23C、23Dとより
成る。ダムバー23A〜23Dが、半導体部21Aへの
樹脂モールド時の樹脂のリードフレームへの流出の防止
部材となる。
【0030】この樹脂封止後に、ダムバー23A〜23
Dを切断し、各リードフレーム本体を電気的に独立した
ものとする。ダムバー23A〜23Dを除去し、且つ周
辺の各辺の不要リードフレーム部材を除去した様子を図
5に示す。不要リードフレーム部材は図3の点線部27
に示した部分に相当する。除去したダムバー23A〜2
3Dの様子を図5では点線で示してある。1つの加工テ
ーブル10への半導体装置の搭載を説明する。加工テー
ブル10は、図1に示したように、作業ライン上に設け
られており、ロボット16でライン上の半導体装置9を
この加工テーブル10上に載せた上でテーブル上に固定
する。半導体装置9をライン上に直接に載せたり、テー
ブル上に直接に載せたりすることは、半導体装置自体を
傷つけたりするため好ましくない。また、テーブル10
上での加工時の損傷も考えられる。そこで、半導体装置
9をホルダー32に載せて固定し、このホルダー32を
ライン上に載せて送り、ロボット16がホルダー32を
把持し、加工テーブル10に載せた上でテーブル上にチ
ャック等で固定し、その上で半導体装置のダムバー除去
をはかる。
Dを切断し、各リードフレーム本体を電気的に独立した
ものとする。ダムバー23A〜23Dを除去し、且つ周
辺の各辺の不要リードフレーム部材を除去した様子を図
5に示す。不要リードフレーム部材は図3の点線部27
に示した部分に相当する。除去したダムバー23A〜2
3Dの様子を図5では点線で示してある。1つの加工テ
ーブル10への半導体装置の搭載を説明する。加工テー
ブル10は、図1に示したように、作業ライン上に設け
られており、ロボット16でライン上の半導体装置9を
この加工テーブル10上に載せた上でテーブル上に固定
する。半導体装置9をライン上に直接に載せたり、テー
ブル上に直接に載せたりすることは、半導体装置自体を
傷つけたりするため好ましくない。また、テーブル10
上での加工時の損傷も考えられる。そこで、半導体装置
9をホルダー32に載せて固定し、このホルダー32を
ライン上に載せて送り、ロボット16がホルダー32を
把持し、加工テーブル10に載せた上でテーブル上にチ
ャック等で固定し、その上で半導体装置のダムバー除去
をはかる。
【0031】図6には、半導体装置36を固定した1つ
のホルダー32の例を示す。ホルダー32には、3個の
3連式半導体装置(図4)36A、36B、36Cを搭
載して固定してある。図面上では、複雑化をさけるため
にダムバー等は省略してあるが、加工前にあってはダム
バーは当然に存在する。各3連式半導体装置36A、3
6B、36Cはそれぞれ固定枠34に保持されたもので
あり、この固定枠34がホルダー32のベース33に固
定される。各ベース33の4つの隅には、固定ピン35
を設けて、この固定ピンで多連式半導体装置36A〜3
6Cをベース33に固定してある。
のホルダー32の例を示す。ホルダー32には、3個の
3連式半導体装置(図4)36A、36B、36Cを搭
載して固定してある。図面上では、複雑化をさけるため
にダムバー等は省略してあるが、加工前にあってはダム
バーは当然に存在する。各3連式半導体装置36A、3
6B、36Cはそれぞれ固定枠34に保持されたもので
あり、この固定枠34がホルダー32のベース33に固
定される。各ベース33の4つの隅には、固定ピン35
を設けて、この固定ピンで多連式半導体装置36A〜3
6Cをベース33に固定してある。
【0032】ホルダー32を固定した加工テーブル10
は、その水平面の座標系x−y上で、x及びy方向に移
動可能であり、且つこの座標系内での回転も可能になっ
ている。これはテーブル10の駆動系(図示せず)で行
う。更に、図6の紙面に垂直(即ち、Z軸方向)にも動
けるようになっている。これらの移動及び回転は、レー
ザビームを目的とするダムバーに位置決めするために必
要な動作である。
は、その水平面の座標系x−y上で、x及びy方向に移
動可能であり、且つこの座標系内での回転も可能になっ
ている。これはテーブル10の駆動系(図示せず)で行
う。更に、図6の紙面に垂直(即ち、Z軸方向)にも動
けるようになっている。これらの移動及び回転は、レー
ザビームを目的とするダムバーに位置決めするために必
要な動作である。
【0033】図6のホルダー32は、1つの加工テーブ
ル10に固定されるものであるが、1つの加工テーブル
10は、1つのレーザビームが照射されるものであり、
且つそのレーザビームの照射位置は固定としている。従
って、図6に示す如き9個の半導体装置のダムバーを除
去するには、ホルダー自体を動かすこと、即ちホルダー
32を固定したテーブルを移動することが必要となる。
こうした、レーザビームを所定のダムバー位置に合わせ
るために、x、y方向への移動及び回転、及びz方向へ
の移動(z方向は、レーザビームとダムバーとの間の距
離調整)が必要となる。
ル10に固定されるものであるが、1つの加工テーブル
10は、1つのレーザビームが照射されるものであり、
且つそのレーザビームの照射位置は固定としている。従
って、図6に示す如き9個の半導体装置のダムバーを除
去するには、ホルダー自体を動かすこと、即ちホルダー
32を固定したテーブルを移動することが必要となる。
こうした、レーザビームを所定のダムバー位置に合わせ
るために、x、y方向への移動及び回転、及びz方向へ
の移動(z方向は、レーザビームとダムバーとの間の距
離調整)が必要となる。
【0034】図6のホルダー32上の半導体装置を加工
するには、種々の移動モードが可能である。移動モード
に合わせてレーザビームの分配先が定まる。図7、図8
にその例を示す。図7は、4つの加工テーブル10の辺
毎に区分して加工する際の図である。4つの加工テーブ
ル10上のホルダー32を、32A〜32Dと表示して
ある。
するには、種々の移動モードが可能である。移動モード
に合わせてレーザビームの分配先が定まる。図7、図8
にその例を示す。図7は、4つの加工テーブル10の辺
毎に区分して加工する際の図である。4つの加工テーブ
ル10上のホルダー32を、32A〜32Dと表示して
ある。
【0035】(イ)、先ず、ホルダー32Aに属する半
導体装置36Aの第1辺Q1(図6参照)の先頭ダムバ
ーにレーザビームaが照射できるように加工テーブル1
0を位置決めする。この位置決めと併せては、切替ミラ
ー3Aからレーザビームaが放出できるように切替ミラ
ー3A〜3Cをドライバ7で制御する。この直後にホル
ダー32Aを載せたテーブル10をx方向に移動させ、
先頭ダムバーを含む一連のダムバーに対して、次々にレ
ーザビームaを照射してダムバーの除去をはかる。ここ
で、一連のダムバーとは、図6に示す3連式半導体と装
置36Aの#1、#2、#3を通じての第1辺Q1であ
る。ここで、リードフレームピッチ(又はダムバーピッ
チ)が規定されており、且つ#1と#2との間のQ1間
のスペース距離、#2と#3との間のQ1間のスペース
距離もわかっており、且つテーブルのx方向の移動速度
もわかっててることから、レーザビームを励起するタイ
ミングも自動的に決定できる。この決定処理は、コンピ
ュータ(図示せず)で行う。
導体装置36Aの第1辺Q1(図6参照)の先頭ダムバ
ーにレーザビームaが照射できるように加工テーブル1
0を位置決めする。この位置決めと併せては、切替ミラ
ー3Aからレーザビームaが放出できるように切替ミラ
ー3A〜3Cをドライバ7で制御する。この直後にホル
ダー32Aを載せたテーブル10をx方向に移動させ、
先頭ダムバーを含む一連のダムバーに対して、次々にレ
ーザビームaを照射してダムバーの除去をはかる。ここ
で、一連のダムバーとは、図6に示す3連式半導体と装
置36Aの#1、#2、#3を通じての第1辺Q1であ
る。ここで、リードフレームピッチ(又はダムバーピッ
チ)が規定されており、且つ#1と#2との間のQ1間
のスペース距離、#2と#3との間のQ1間のスペース
距離もわかっており、且つテーブルのx方向の移動速度
もわかっててることから、レーザビームを励起するタイ
ミングも自動的に決定できる。この決定処理は、コンピ
ュータ(図示せず)で行う。
【0036】以上の動作中に、次のホルダー32Bに属
する半導体装置36Aの第1辺Q1の先頭ダムバーにレ
ーザビームbが照射可能なようにこのホルダー32Bを
指示する加工テーブル10の位置決めを行う。この位置
決め完了後、ホルダー32Aの第1辺Q1のすべてのダ
ムバーの除去完了を待って、切替ミラー3Bからレーザ
ビームbが放出可能なように切替ミラー3A〜3Bをド
ライバー7で制御する。切替ミラー3A〜3Bの制御が
完了した後で、ホルダー32Bを支持する加工テーブル
10をx方向に移動させて、先頭ダムバーを含む一連の
ホルダー32Bに所属する半導体装置36Aの第1辺Q
1の除去を、レーザビームbをダムバー対応に照射する
ことで行う。
する半導体装置36Aの第1辺Q1の先頭ダムバーにレ
ーザビームbが照射可能なようにこのホルダー32Bを
指示する加工テーブル10の位置決めを行う。この位置
決め完了後、ホルダー32Aの第1辺Q1のすべてのダ
ムバーの除去完了を待って、切替ミラー3Bからレーザ
ビームbが放出可能なように切替ミラー3A〜3Bをド
ライバー7で制御する。切替ミラー3A〜3Bの制御が
完了した後で、ホルダー32Bを支持する加工テーブル
10をx方向に移動させて、先頭ダムバーを含む一連の
ホルダー32Bに所属する半導体装置36Aの第1辺Q
1の除去を、レーザビームbをダムバー対応に照射する
ことで行う。
【0037】同様にして、この動作中にホルダー32C
に属する半導体装置36Aに対して位置決めを行い、更
にホルダー32Bに属する半導体装置36Aの全ダムバ
ー除去後に切替ミラー3A〜3Cを切替て、レーザビー
ムCが照射できるようにする。そして、ホルダー32C
に属する半導体装置36Aの第1辺Q1のダムバー除去
をはかる。ホルダー32Dについても同様である。
に属する半導体装置36Aに対して位置決めを行い、更
にホルダー32Bに属する半導体装置36Aの全ダムバ
ー除去後に切替ミラー3A〜3Cを切替て、レーザビー
ムCが照射できるようにする。そして、ホルダー32C
に属する半導体装置36Aの第1辺Q1のダムバー除去
をはかる。ホルダー32Dについても同様である。
【0038】この一連の動作により、ホルダー32A〜
32Dのそれぞれに属する半導体装置36Aの第1辺Q
1の全ダムバーの除去がなされる。
32Dのそれぞれに属する半導体装置36Aの第1辺Q
1の全ダムバーの除去がなされる。
【0039】(ロ)、次にホルダー32Aの移動に移る
が、(イ)でのホルダー32Aのダムバー除去以後から
ホルダー32Dのダムバー除去完了までには相当の空き
時間がある。そこで、この空き時間を利用して、ホルダ
ー32Aの属する加工テーブルをy方向に移動して、こ
のホルダー32Aに属する半導体装置36Aの第3辺Q
3にレーザビームaが照射可能なような位置決めを行
う。同様にしてホルダー32B、32C、32Dのそれ
ぞれも、それぞれで定まる空き時間を利用して位置決め
を行う。従って、図では、32A〜32Dで同時にy方
向に移動するようにみえるが、32A→32B→32C
→32Dの順にy方向移動と位置合わせがなされること
になる。
が、(イ)でのホルダー32Aのダムバー除去以後から
ホルダー32Dのダムバー除去完了までには相当の空き
時間がある。そこで、この空き時間を利用して、ホルダ
ー32Aの属する加工テーブルをy方向に移動して、こ
のホルダー32Aに属する半導体装置36Aの第3辺Q
3にレーザビームaが照射可能なような位置決めを行
う。同様にしてホルダー32B、32C、32Dのそれ
ぞれも、それぞれで定まる空き時間を利用して位置決め
を行う。従って、図では、32A〜32Dで同時にy方
向に移動するようにみえるが、32A→32B→32C
→32Dの順にy方向移動と位置合わせがなされること
になる。
【0040】(ハ)、ホルダー32Aの半導体装置36
Aの第3辺Q3のダムバーの加工を行う。この加工には
テーブルの移動、レーザビームaの切断ダムバー出現毎
の照射が必要であり、(イ)で説明した通りである。こ
のホルダー32Aに属する半導体装置36Aの第3辺の
全ダムバー切断完後、レーザビームaに代わってレーザ
ビームbの選択が行われ、以後、ホルダー32Dに属す
る半導体装置36Aの第3辺の全ダムバー切断が(イ)
と同様に行われる。
Aの第3辺Q3のダムバーの加工を行う。この加工には
テーブルの移動、レーザビームaの切断ダムバー出現毎
の照射が必要であり、(イ)で説明した通りである。こ
のホルダー32Aに属する半導体装置36Aの第3辺の
全ダムバー切断完後、レーザビームaに代わってレーザ
ビームbの選択が行われ、以後、ホルダー32Dに属す
る半導体装置36Aの第3辺の全ダムバー切断が(イ)
と同様に行われる。
【0041】(ハ)′、以上は、半導体装置36Aの第
1辺Q1、第3辺Q3の切断であったが、半導体装置3
6B、36Cについても(イ)〜(ハ)が繰り返され
る。即ち、半導体装置36Aでの(ハ)の動作完了後
に、適当な空白時間を利用してy方向移動が行われ、半
導体装置36Bの第1辺Q1になるような位置決めを行
い、そして(イ)に従って加工し、次に(ロ)に従って
y方向に移動し第3辺Q3になるように位置決めし
(ハ)に従って加工する。これを半導体装置36Cにつ
いても行う。
1辺Q1、第3辺Q3の切断であったが、半導体装置3
6B、36Cについても(イ)〜(ハ)が繰り返され
る。即ち、半導体装置36Aでの(ハ)の動作完了後
に、適当な空白時間を利用してy方向移動が行われ、半
導体装置36Bの第1辺Q1になるような位置決めを行
い、そして(イ)に従って加工し、次に(ロ)に従って
y方向に移動し第3辺Q3になるように位置決めし
(ハ)に従って加工する。これを半導体装置36Cにつ
いても行う。
【0042】以上の(イ)〜(ハ)′を行うことで、3
6A〜36Cの第1辺Q1、第3辺Q3の全てのダムバ
ーの除去がなされる。
6A〜36Cの第1辺Q1、第3辺Q3の全てのダムバ
ーの除去がなされる。
【0043】(ニ)、次に、ホルダー32を90゜回転
させる。これにより、レーザビームaに対してホルダー
32Aの半導体装置36Aの第2辺Q2がダムバー加工
対象となる。そして、第2辺Q2の先頭ダムバーがレー
ザビームaの照射位置になるように位置決めを行う。こ
のホルダー32Aの90゜回転及び先頭ダムバーの位置
決めは、他のホルダー32B、32C、32Dでのダム
バー加工中の空き時間に行う。従って、この場合でも3
2A→32B→32C→32Dの順に90゜回転及び位
置決めが、それぞれの空き時間を利用して行われる。
させる。これにより、レーザビームaに対してホルダー
32Aの半導体装置36Aの第2辺Q2がダムバー加工
対象となる。そして、第2辺Q2の先頭ダムバーがレー
ザビームaの照射位置になるように位置決めを行う。こ
のホルダー32Aの90゜回転及び先頭ダムバーの位置
決めは、他のホルダー32B、32C、32Dでのダム
バー加工中の空き時間に行う。従って、この場合でも3
2A→32B→32C→32Dの順に90゜回転及び位
置決めが、それぞれの空き時間を利用して行われる。
【0044】(ホ)、(ヘ)、(ト)この動作は、Q2
とQ4についての動作であり、(イ)〜(ハ)と同じ様
な動作である。 (ト)′、この(ホ)〜(ト)は半導体装置36AのQ
2、Q4の例であり、半導体装置36B、36Cにつて
いも(ホ)〜(ト)を繰り返す。
とQ4についての動作であり、(イ)〜(ハ)と同じ様
な動作である。 (ト)′、この(ホ)〜(ト)は半導体装置36AのQ
2、Q4の例であり、半導体装置36B、36Cにつて
いも(ホ)〜(ト)を繰り返す。
【0045】かくして、3連式の半導体装置を搭載した
ホルダー32A〜32Dの全ての辺Q1、Q2、Q3、
Q4のダムバーの除去がなされる。
ホルダー32A〜32Dの全ての辺Q1、Q2、Q3、
Q4のダムバーの除去がなされる。
【0046】これらの(イ)〜(ト)′の一連の動作の
過程にあって、ホルダー32A→32B→32C→32
Dの順に次々にダムバー除去が可能となる。そこで、ホ
ルダー32Aのダムバー除去完了すると、空き時間を利
用してロボット18がこのホルダー32Aをテーブル1
0からはずして、送給ライン19へ送り、次工程へと運
ばせる。一方、新しいホルダーが受給ライン1に送られ
てきていることから、この新しいホルダーをロボット1
6が把持して加工テーブル10上に搭載固定する。同様
に、32B、32C、32Dについてもダムバー除去後
は、送りだし、新しいホルダーにとって代わる。
過程にあって、ホルダー32A→32B→32C→32
Dの順に次々にダムバー除去が可能となる。そこで、ホ
ルダー32Aのダムバー除去完了すると、空き時間を利
用してロボット18がこのホルダー32Aをテーブル1
0からはずして、送給ライン19へ送り、次工程へと運
ばせる。一方、新しいホルダーが受給ライン1に送られ
てきていることから、この新しいホルダーをロボット1
6が把持して加工テーブル10上に搭載固定する。同様
に、32B、32C、32Dについてもダムバー除去後
は、送りだし、新しいホルダーにとって代わる。
【0047】このようにして、4つのライン1〜4に運
ばれてくる半導体装置を搭載したホルダーは、次々に加
工テーブルに載せられて加工されてゆく。そして、この
間、単一のレーザビームを時分割で分配し、ダムバーの
時分割除去を行う。この間にあっては、他のホルダー作
業中、それ以外のホルダーの移動や回転を空き時間を利
用して行うことにしているため、時分割によるレーザ分
配の効率的な運用と、複数作業ラインの同時加工的な作
業が行えることになった。
ばれてくる半導体装置を搭載したホルダーは、次々に加
工テーブルに載せられて加工されてゆく。そして、この
間、単一のレーザビームを時分割で分配し、ダムバーの
時分割除去を行う。この間にあっては、他のホルダー作
業中、それ以外のホルダーの移動や回転を空き時間を利
用して行うことにしているため、時分割によるレーザ分
配の効率的な運用と、複数作業ラインの同時加工的な作
業が行えることになった。
【0048】図8は、移動制御の他の実施例図である。
図7との差異は、図7では4つのホルダー32A〜32
Dに対して、同一位置の半導体装置(例えば36A)#
1〜#3の第1辺Q1を時分割でシーケンシャルに加工
するとしたが、図8では、3連式の中の1つの半導体装
置(例えば#1)を集中的に加工するやりかたをとった
点にある。即ち、図(イ)では、x方向の移動を行っ
て、32Aの#1のQ1→32Bの#1のQ1→……→
32Dの#1のQ1の順で加工を行い、次に、図(ロ)
で、y方向の移動を行い、(ハ)で32Aの#1のQ3
→32Bの#1のQ3→……→32D#1のQ3の順で
加工を行う。更に、図(ニ)で90゜回転し、(ホ)で
32Aの#1のQ2→32Bの#1のQ2→……→32
Dの#1のQ2の順で加工を行う。同様に(ヘ)、
(ト)でQ4の加工を行う。
図7との差異は、図7では4つのホルダー32A〜32
Dに対して、同一位置の半導体装置(例えば36A)#
1〜#3の第1辺Q1を時分割でシーケンシャルに加工
するとしたが、図8では、3連式の中の1つの半導体装
置(例えば#1)を集中的に加工するやりかたをとった
点にある。即ち、図(イ)では、x方向の移動を行っ
て、32Aの#1のQ1→32Bの#1のQ1→……→
32Dの#1のQ1の順で加工を行い、次に、図(ロ)
で、y方向の移動を行い、(ハ)で32Aの#1のQ3
→32Bの#1のQ3→……→32D#1のQ3の順で
加工を行う。更に、図(ニ)で90゜回転し、(ホ)で
32Aの#1のQ2→32Bの#1のQ2→……→32
Dの#1のQ2の順で加工を行う。同様に(ヘ)、
(ト)でQ4の加工を行う。
【0049】以上の図8の操作を、次の#2について
(イ)〜(ト)の手順で加工を行い、更に#3について
(イ)〜(ト)の手順で加工を行う。勿論、これらの加
工中に他のテーブルでは空白時間を利用して、移動や回
転、位置決めを行うことは図7と同じである。
(イ)〜(ト)の手順で加工を行い、更に#3について
(イ)〜(ト)の手順で加工を行う。勿論、これらの加
工中に他のテーブルでは空白時間を利用して、移動や回
転、位置決めを行うことは図7と同じである。
【0050】図9は、タイムチャートである。図(イ)
は、図2に示したコントローラ8が発生する時間T1の
タイミング信号を示す。最初のタイミング信号が発生す
ると、この時間T1の間に、ライン1上での加工テーブ
ル上での加工準備を行う。ここで加工準備とは、テーブ
ルの位置決め、切替ミラー3A、3B、3Cの切替によ
るレーザビームa方向への分配のための制御等を云う。
図2では、ミラー切替はドライバー7で行うとしテーブ
ルの制御系は省略しているが、この省略した制御系にも
タイミング信号が送られてテーブルの位置決め制御を行
う。以下、第2のコントロール信号の時間幅T1でライ
ン2上での加工準備、第3のコントロール信号時間幅T
1でライン3上での加工準備、第4のコントロール信号
の時間幅T1でライン4上での加工準備を行う。コント
ロール信号の周期T2及び4つのコントロール信号を経
ての1サイクル周期T3及び時間幅T1は、図7や図8に
示した移動モードに従って事前に定まった値である。
は、図2に示したコントローラ8が発生する時間T1の
タイミング信号を示す。最初のタイミング信号が発生す
ると、この時間T1の間に、ライン1上での加工テーブ
ル上での加工準備を行う。ここで加工準備とは、テーブ
ルの位置決め、切替ミラー3A、3B、3Cの切替によ
るレーザビームa方向への分配のための制御等を云う。
図2では、ミラー切替はドライバー7で行うとしテーブ
ルの制御系は省略しているが、この省略した制御系にも
タイミング信号が送られてテーブルの位置決め制御を行
う。以下、第2のコントロール信号の時間幅T1でライ
ン2上での加工準備、第3のコントロール信号時間幅T
1でライン3上での加工準備、第4のコントロール信号
の時間幅T1でライン4上での加工準備を行う。コント
ロール信号の周期T2及び4つのコントロール信号を経
ての1サイクル周期T3及び時間幅T1は、図7や図8に
示した移動モードに従って事前に定まった値である。
【0051】図9(ロ)は、ライン1の加工ライン上で
のダムバー加工区間を指定するライン1信号であり、こ
のライン1信号で、先に位置決めされた加工テーブル上
の先頭ダムバーから連続する一連のダムバーの除去をは
かるライン1加工制御を行う。ここで加工制御とは、加
工テーブルの移動を行い合致するダムバーにレーザビー
ムaを照射する制御を云う。テーブルの移動速度が一定
であれば、その時の半導体装置の該当辺Qのダムバーピ
ッチ(又はリードフレームピッチ)が一定であるから、
レーザビームaを放出するレーザ源の励起タイミングも
一定となり、辺Qのダムバーの除去を確実にできる。
のダムバー加工区間を指定するライン1信号であり、こ
のライン1信号で、先に位置決めされた加工テーブル上
の先頭ダムバーから連続する一連のダムバーの除去をは
かるライン1加工制御を行う。ここで加工制御とは、加
工テーブルの移動を行い合致するダムバーにレーザビー
ムaを照射する制御を云う。テーブルの移動速度が一定
であれば、その時の半導体装置の該当辺Qのダムバーピ
ッチ(又はリードフレームピッチ)が一定であるから、
レーザビームaを放出するレーザ源の励起タイミングも
一定となり、辺Qのダムバーの除去を確実にできる。
【0052】同様に、(ハ)、(ニ)、(ホ)で次々に
ライン2信号、ライン3信号、ライン4信号を発生し加
工制御を行う。はこれら各ライン信号における加工対象
辺Qは、図7と図8では異なり、且つその時間幅も異な
る。
ライン2信号、ライン3信号、ライン4信号を発生し加
工制御を行う。はこれら各ライン信号における加工対象
辺Qは、図7と図8では異なり、且つその時間幅も異な
る。
【0053】図10は、本実施例の制御装置の実施例図
である。ホストコンピュータ50は、加工ライン及びミ
ラー切替、レーザ励起の各制御を統括するコンピュータ
であり、図2のコントローラ8に相当する。このコンピ
ュータ50には、図7や図8の如き移動モードによる移
動軌跡を記憶するメモリを持ち、このメモリの内容に従
って、加工ライン制御系51、ミラー制御系52は、レ
ーザ制御系53によりライン、ミラー、レーザの各制御
を行う。ここで、加工ライン制御系51とは、ライン1
〜4におけるロボット16によるホルダーの把持、テー
ブルの搭載、そしてテーブルへの固定、テーブルの移動
及び回転、ダムバー除去後のロボット18によるホルダ
ーの排出の各制御を行うものである。ミラー制御系52
とは、図2のドライバ7を含むものであり切替ミラー3
A〜3Cの切替制御を行うものである。レーザ制御系5
3とは、図1のレーザ源1のレーザ照射のタイミング制
御をはかるものであり、これは電子回路により実現可能
である。
である。ホストコンピュータ50は、加工ライン及びミ
ラー切替、レーザ励起の各制御を統括するコンピュータ
であり、図2のコントローラ8に相当する。このコンピ
ュータ50には、図7や図8の如き移動モードによる移
動軌跡を記憶するメモリを持ち、このメモリの内容に従
って、加工ライン制御系51、ミラー制御系52は、レ
ーザ制御系53によりライン、ミラー、レーザの各制御
を行う。ここで、加工ライン制御系51とは、ライン1
〜4におけるロボット16によるホルダーの把持、テー
ブルの搭載、そしてテーブルへの固定、テーブルの移動
及び回転、ダムバー除去後のロボット18によるホルダ
ーの排出の各制御を行うものである。ミラー制御系52
とは、図2のドライバ7を含むものであり切替ミラー3
A〜3Cの切替制御を行うものである。レーザ制御系5
3とは、図1のレーザ源1のレーザ照射のタイミング制
御をはかるものであり、これは電子回路により実現可能
である。
【0054】図11、図12は、レーザビームの形状に
係る本発明の実施例を示す図である。 ビームの垂直断
面は本来円形に近い形状であり、これをダムバーに当て
てのダムバー除去は可能である。しかし、レーザビーム
のエネルギーを高めるためには集束レンズによる絞り込
みを行うことが必要であり、この絞り込んだビームでダ
ムバーを確実に除去できれば好ましい。しかし、絞り込
みすぎると口径が小さくなりダムバーの一部に未切断部
分が残る恐れがあり、絞りすぎないとダムバーに連結す
るフレームの一部まで除去してしまう恐れもある。特に
QFPの半導体装置では、リードフレームピッチ(ダム
バーピッチ)が狭いため、レーザビームの口径は、確実
にダムバーの除去がはかれると同時にリードフレームの
一部の除去を絶対に回避できるような、大きさであるこ
とが必要である。そこで、この観点に立った実施例が図
11、図12に示したものである。
係る本発明の実施例を示す図である。 ビームの垂直断
面は本来円形に近い形状であり、これをダムバーに当て
てのダムバー除去は可能である。しかし、レーザビーム
のエネルギーを高めるためには集束レンズによる絞り込
みを行うことが必要であり、この絞り込んだビームでダ
ムバーを確実に除去できれば好ましい。しかし、絞り込
みすぎると口径が小さくなりダムバーの一部に未切断部
分が残る恐れがあり、絞りすぎないとダムバーに連結す
るフレームの一部まで除去してしまう恐れもある。特に
QFPの半導体装置では、リードフレームピッチ(ダム
バーピッチ)が狭いため、レーザビームの口径は、確実
にダムバーの除去がはかれると同時にリードフレームの
一部の除去を絶対に回避できるような、大きさであるこ
とが必要である。そこで、この観点に立った実施例が図
11、図12に示したものである。
【0055】図11で、レーザビーム57は、口径が円
形であり、これをシリンドカルレンズ56で、矩形形状
に変換する。矩形の長軸方向は、リードフレーム26に
沿う方向である。短軸の大きさは、ダムバー23の幅方
向の大きさ相当、又はそれよりも若干小さい値にする。
この矩形状化したレーザビーム55をダムバーに照射す
ることで、ダムバーの確実な除去がはかれ、併せて隣接
するリードフレームの一部を除去してしまうということ
をなくすことができる。図12には、ダムバー除去の前
後の様子を示しており、点線部57が除去したダムバー
の部分を示している。
形であり、これをシリンドカルレンズ56で、矩形形状
に変換する。矩形の長軸方向は、リードフレーム26に
沿う方向である。短軸の大きさは、ダムバー23の幅方
向の大きさ相当、又はそれよりも若干小さい値にする。
この矩形状化したレーザビーム55をダムバーに照射す
ることで、ダムバーの確実な除去がはかれ、併せて隣接
するリードフレームの一部を除去してしまうということ
をなくすことができる。図12には、ダムバー除去の前
後の様子を示しており、点線部57が除去したダムバー
の部分を示している。
【0056】図13、図14は、ロボットによるホルダ
ーの把持から一連のダムバー除去完了に伴うホルダーの
送出までの処理フローを示す図である。この動作は、図
7、図8の動作で説明したものと基本的に同じである。
ーの把持から一連のダムバー除去完了に伴うホルダーの
送出までの処理フローを示す図である。この動作は、図
7、図8の動作で説明したものと基本的に同じである。
【0057】尚、加工テーブルの位置制御にあっては、
基準点を設けておき、この基準点の動きを監視すること
で、テーブルの目標位置への位置決めが容易となる。そ
のためには、例えば、ホルダーの一部やリードフレーム
の一部に基準穴を設けておき、この基準穴を監視すれば
よい。又、基準穴は、ホルダーの4隅やリードフレーム
の4隅に設けておけば、移動だけでなく、回転をも監視
可能である。
基準点を設けておき、この基準点の動きを監視すること
で、テーブルの目標位置への位置決めが容易となる。そ
のためには、例えば、ホルダーの一部やリードフレーム
の一部に基準穴を設けておき、この基準穴を監視すれば
よい。又、基準穴は、ホルダーの4隅やリードフレーム
の4隅に設けておけば、移動だけでなく、回転をも監視
可能である。
【0058】本実施例では、1ホルダーに3連式を3個
搭載した例としたが、1ホルダーに3連式1個の搭載、
1ホルダーに1個の半導体装置の搭載の例もありうる。
こうした搭載構成によって、ダムバー除去のためのホル
ダーの移動軌跡(回転軌跡をも含む)も種々可能であ
る。又、図7、図8以外の移動手順があることは云うま
でもない。
搭載した例としたが、1ホルダーに3連式1個の搭載、
1ホルダーに1個の半導体装置の搭載の例もありうる。
こうした搭載構成によって、ダムバー除去のためのホル
ダーの移動軌跡(回転軌跡をも含む)も種々可能であ
る。又、図7、図8以外の移動手順があることは云うま
でもない。
【0059】図15は、1個の半導体装置36の4辺を
集中的に加工する場合での移動軌跡例を示す。移動軌跡
61の中でダムバーを貫く軌跡60が加工軌跡である。
基準穴62がこのリードフレームの4隅に設けてあり、
加工テーブルが所定のダムバー配列に沿っているか否か
をこの基準穴を利用して監視する。このような半導体装
置の軌跡は、3連式を3個ホルダーに搭載した例でも、
1個搭載した例でも、半導体装置1個を搭載した例で
も、いずれも可能である。又、QFP以外の例もありう
る。
集中的に加工する場合での移動軌跡例を示す。移動軌跡
61の中でダムバーを貫く軌跡60が加工軌跡である。
基準穴62がこのリードフレームの4隅に設けてあり、
加工テーブルが所定のダムバー配列に沿っているか否か
をこの基準穴を利用して監視する。このような半導体装
置の軌跡は、3連式を3個ホルダーに搭載した例でも、
1個搭載した例でも、半導体装置1個を搭載した例で
も、いずれも可能である。又、QFP以外の例もありう
る。
【0060】
(1)、半導体装置ダムバーを切断する時、複数の加工
システムを同時に使い、レーザビームの出射すべき加工
ヘッドを順次切替えることにより、高速加工を実現す
る。 (2)、QFPなどのように加工する方向の変更に伴い
位置合せや加工タイミング合せなどのレーザ加工前に必
要な準備作業時間の中もレーザ発振器を止めずに加工で
きるから、レーザ発振器の稼働率が向上し、加工機の生
産も増せる。 (3)、小形、高性能の半導体装置(特にQFP)を製
造できるようになる。特に、狭ピッチ、多ピンの分野で
の製品提供に効果が大である。 (4)、加工能率向上により、大量生産と低コストを実
現できる。 (5)、加工精度向上と、高品質化を実現する。
システムを同時に使い、レーザビームの出射すべき加工
ヘッドを順次切替えることにより、高速加工を実現す
る。 (2)、QFPなどのように加工する方向の変更に伴い
位置合せや加工タイミング合せなどのレーザ加工前に必
要な準備作業時間の中もレーザ発振器を止めずに加工で
きるから、レーザ発振器の稼働率が向上し、加工機の生
産も増せる。 (3)、小形、高性能の半導体装置(特にQFP)を製
造できるようになる。特に、狭ピッチ、多ピンの分野で
の製品提供に効果が大である。 (4)、加工能率向上により、大量生産と低コストを実
現できる。 (5)、加工精度向上と、高品質化を実現する。
【図1】本発明の4ライン式ダムバー加工装置の実施例
図である。
図である。
【図2】本発明の切替ミラーの実施例図である。
【図3】本発明の加工対象とする3連式QFPの半導体
装置の構成例を示す図である。
装置の構成例を示す図である。
【図4】本発明の加工対象とする3連式QFPの半導体
装置の平面配置構成図である。
装置の平面配置構成図である。
【図5】本発明のQFPの半導体装置のダムバー切断後
の様子を示す図である。
の様子を示す図である。
【図6】本発明の加工テーブルに搭載するホルダー上で
の半導体装置の搭載例図である。
の半導体装置の搭載例図である。
【図7】図6のホルダーでの加工のためのシーケンスを
示す図である。
示す図である。
【図8】図6のホルダーでの加工のための他のシーケン
スを示す図である。
スを示す図である。
【図9】本発明のタイムシーケンス例図である。
【図10】本発明の制御系統の実施例図である。
【図11】レーザビーム口径の実施例図である。
【図12】レーザビーム口径の実施例図である。
【図13】本発明の処理フローチャートである。
【図14】本発明の処理フローチャートである。
【図15】本発明の1つの半導体装置での4辺のダムバ
ーのシーケンシャルな除去例を示す図である。
ーのシーケンシャルな除去例を示す図である。
1 レーザ源 2 レーザビーム切替ユニット 3A、3B、3C 切替ミラー 5 ベンディングミラー 6 レーザビーム 9 半導体装置 16、18 ロボット 32 ホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内
Claims (8)
- 【請求項1】 光軸が互いに一致するように直線状に配
置された、円周方向に区分された反射面と透過面とを持
つ回転可能な、複数個の切替ミラーと、この切替ミラー
の光軸方向からレーザ光を放出するレーザ源と、別々の
作業ライン上に搭載され、ダムバー除去作業後排出され
て新しいものにとって代わる、各切替ミラー対応の複数
個の半導体装置と、上記複数個の切替ミラーの反射面の
1つからレーザ光を、対応する作業ライン上の半導体装
置のダムバー除去用に照射すべく、切替ミラーの回転を
制御し、複数の半導体装置へシーケンシャルにレーザ光
を分配する制御手段と、より成る半導体装置の加工装
置。 - 【請求項2】 請求項1において、上記各切替ミラーの
反射面は同じ大きさの1個の全反射面とし、光軸が一致
するような配置とはレーザ光の通路上に必ずいずれか1
個の全反射面が現れるような配置とする半導体装置の加
工装置。 - 【請求項3】 請求項2において、上記複数配置の切替
ミラーの最後尾に全反射ミラーを設け、この全反射ミラ
ーのレーザ光の反射方向にもダムバーを持つ半導体装置
を設けてなる半導体装置の加工装置。 - 【請求項4】 光軸が互いに一致するように直線状に配
置された、円周方向に区分された反射面と透過面とを持
つ回転可能な、複数個の切替ミラーと、この切替ミラー
の光軸方向からレーザ光を放出するレーザ源と、別々の
作業ライン上に搭載され、ダムバー除去作業後排出され
て新しいものにとって代わる、各切替ミラー対応の複数
個の半導体装置と、上記複数個の切替ミラーの反射面の
1つからレーザ光を、対応する作業ライン上の半導体装
置のダムバー除去用に照射すべく、切替ミラーの回転を
制御し、複数の半導体装置へシーケンシャルにレーザ光
を分配する制御手段と、レーザ光が照射されている半導
体装置以外の半導体装置に対して、レーザ光の照射位置
とこの半導体装置との位置合わせを行わせる制御手段
と、より成る半導体装置の加工装置。 - 【請求項5】 請求項4において、半導体装置のダムバ
ー移動軌跡及び移動速度並びにダムバーが連結するリー
ドフレームピッチ(又はダムバーピッチ)から、ダムバ
ーを中心にレーザ光が照射するように、レーザ光の励起
タイミングを与えるようにした半導体装置の加工装置。 - 【請求項6】 請求項4の半導体装置において、最初の
ダムバー除去に先だって、この最初のダムバー中心位置
にレーザ光が照射される初期位置決めを行い、それ以降
のダムバー除去のレーザ光の励起タイミングは、上記移
動軌跡と移動速度並びにリードフレームピッチ(又はダ
ムバーピッチ)から与えるようにした半導体装置の加工
装置。 - 【請求項7】 請求項4において、レーザ光はダムバー
を連結するリードフレームの長手方向に長さを持つ楕円
形レーザビームとする半導体装置の加工装置。 - 【請求項8】 請求項4において、ダムバーを連結する
リードフレーム素材にダムバー列の位置合わせのために
使用する基準穴を設けて、この基準穴に従って位置合わ
せを行う半導体装置の加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4332077A JPH06179089A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体装置の加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4332077A JPH06179089A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体装置の加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179089A true JPH06179089A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18250889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4332077A Pending JPH06179089A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体装置の加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06179089A (ja) |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4332077A patent/JPH06179089A/ja active Pending
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