JPH061800B2 - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH061800B2 JPH061800B2 JP59059455A JP5945584A JPH061800B2 JP H061800 B2 JPH061800 B2 JP H061800B2 JP 59059455 A JP59059455 A JP 59059455A JP 5945584 A JP5945584 A JP 5945584A JP H061800 B2 JPH061800 B2 JP H061800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- lead frame
- precipitation hardening
- clad
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は半導体用のリードフレームに関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 従来から、半導体のリードフレームとしては、42アロ
イ(42%Ni−Fe合金)のようなFe−Ni系合金
で形成されたものが知られている。
イ(42%Ni−Fe合金)のようなFe−Ni系合金
で形成されたものが知られている。
しかしながら、このようなリードフレームは、硬度が高
く折曲げ性に優れてい半面、半導体の高集積化に伴って
要求されてきている熱放散性が充分でなく、また材料価
格が高いという欠点があった。
く折曲げ性に優れてい半面、半導体の高集積化に伴って
要求されてきている熱放散性が充分でなく、また材料価
格が高いという欠点があった。
近年、このようなFe−Ni系合金に代って値段の安価
なCu合金でリードフレームを形成することが検討され
ているが、Au線とのボディング性、硬化、折曲げ性、
耐酸化性等のリードフレームに要求されるすべての特性
を満足させるものは得られていない。
なCu合金でリードフレームを形成することが検討され
ているが、Au線とのボディング性、硬化、折曲げ性、
耐酸化性等のリードフレームに要求されるすべての特性
を満足させるものは得られていない。
[発明の目的] 本発明者らはこのような点に対処して鋭意研究を進めた
結果、従来のFe−Ni系合金に析出硬化形のCu合金
をクラッドすることにより前述の特性をすべて満足させ
るリードフレームが得れることを見出した。
結果、従来のFe−Ni系合金に析出硬化形のCu合金
をクラッドすることにより前述の特性をすべて満足させ
るリードフレームが得れることを見出した。
本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、A
u線のボンディング性、硬度、折曲げ性、耐酸化性およ
び半田付け性に優れ、熱放散性の高いリードフレームを
提供することを目的とする。
u線のボンディング性、硬度、折曲げ性、耐酸化性およ
び半田付け性に優れ、熱放散性の高いリードフレームを
提供することを目的とする。
[発明の概要] すなわち本発明は、Fe−Ni系合金からなる板状体の
両面に、析出硬化形Cu合金からなる薄板をクラッドし
てなるクラッド材で形成したことを特徴とするリードフ
レームである。
両面に、析出硬化形Cu合金からなる薄板をクラッドし
てなるクラッド材で形成したことを特徴とするリードフ
レームである。
本発明に用いるクラッド材の一例を第1図に示す。同図
において符号1はFe−Ni系合金からなる板状体、符
号2はその両面にクラッドされた析出硬化形Cu合金か
らなる薄板を示す。
において符号1はFe−Ni系合金からなる板状体、符
号2はその両面にクラッドされた析出硬化形Cu合金か
らなる薄板を示す。
ここで板状体1を構成するFe−Ni系合金としては、
例えば42アロイやコバール(Fe−Ni−Co合金)
を使用することができる。また、これらの板状体の両面
にクラッドする薄板2は、20μm以上の厚さのものを
使用するのが望ましく、特に析出硬化形のCu合金で構
成した薄板を使用するのが望ましい。
例えば42アロイやコバール(Fe−Ni−Co合金)
を使用することができる。また、これらの板状体の両面
にクラッドする薄板2は、20μm以上の厚さのものを
使用するのが望ましく、特に析出硬化形のCu合金で構
成した薄板を使用するのが望ましい。
このような析出硬化形Cu合金は、Cr、Zrのような
析出硬化成分元素とCuを高温で溶解し、連続鋳造法に
より鋳造し、さらに熱間圧延、冷間圧延し、溶体化熱処
理を行なった後、冷間加工を施し、次いで析出硬化処理
を行なうことにより得ることができる。
析出硬化成分元素とCuを高温で溶解し、連続鋳造法に
より鋳造し、さらに熱間圧延、冷間圧延し、溶体化熱処
理を行なった後、冷間加工を施し、次いで析出硬化処理
を行なうことにより得ることができる。
特にCr0.1〜1重量%とZr0.05〜0.5重量
%を含むCu合金を400〜500℃の温度で析出硬化
処理し、1000〜10000個/mm2の密度で0.5
〜50μmの析出物を析出させたCu合金は、硬度、折
曲げ性、耐熱性、導電性に優れているので使用すること
が望ましい。
%を含むCu合金を400〜500℃の温度で析出硬化
処理し、1000〜10000個/mm2の密度で0.5
〜50μmの析出物を析出させたCu合金は、硬度、折
曲げ性、耐熱性、導電性に優れているので使用すること
が望ましい。
また、上記割合のCr、Zr以外にMg、Si、Sn、
Ni、Zn、Mn、P、Agから選ばれた1種または2
種以上の元素を合計量で1重量%以下含有させ、同様に
析出硬化処理を施したCu合金を用いることもできる。
Ni、Zn、Mn、P、Agから選ばれた1種または2
種以上の元素を合計量で1重量%以下含有させ、同様に
析出硬化処理を施したCu合金を用いることもできる。
本発明のリードフレームは、このような析出硬化形Cu
合金からなる薄板2を、前述のFe合金からなる板状体
1の両面に全体の厚さが0.15〜0.25mmになるよ
うに常法により冷間でクラッドしてなるクラッド材料を
400〜500℃の温度で析出硬化処理した後、打抜き
加工等の方法で所定形状に成形することにより得られ、
折曲げ性を始めとする種々の特性に極めて優れている。
合金からなる薄板2を、前述のFe合金からなる板状体
1の両面に全体の厚さが0.15〜0.25mmになるよ
うに常法により冷間でクラッドしてなるクラッド材料を
400〜500℃の温度で析出硬化処理した後、打抜き
加工等の方法で所定形状に成形することにより得られ、
折曲げ性を始めとする種々の特性に極めて優れている。
[発明の実施例] 以下本発明の実施例について記載する。
次表に示す組成のCu合金を連続鋳情し、熱間圧延後、
溶体化熱処理を行なった。次いで冷間圧延により厚さ
0.2mmの板状に仕上げた。
溶体化熱処理を行なった。次いで冷間圧延により厚さ
0.2mmの板状に仕上げた。
こうして得られた薄板を、42アロイからなる厚さ0.
11mmの板状体の両面に常法によりクラッドし、450
℃で析出硬化処理を施し、これを打抜き加工し、第2図
に示す形状のリードフレーム3を製造した。
11mmの板状体の両面に常法によりクラッドし、450
℃で析出硬化処理を施し、これを打抜き加工し、第2図
に示す形状のリードフレーム3を製造した。
次に得られたリードフレームの折曲げ性、表面硬度およ
びAu線とのボンディング性を試験した。結果は同表に
示す通りであった。なお、同表中ボンディング性は第3
図に示すように、実施例のリードフレーム3のチップ搭
載部3aにダイ接着剤4を介してシリコンウェハー5を
接着し、さらにその上にAu蒸着膜6を形成した後、こ
のAu蒸着膜6とこれに対応するリードフレームの接続
部3bをAgめっきを施すことなく、Au線7で直接接
続したときAu線7のA部で破断したものを○印とし
た。符号8は樹脂モールド部を示す。なお、B部で破断
したものはなかった。
びAu線とのボンディング性を試験した。結果は同表に
示す通りであった。なお、同表中ボンディング性は第3
図に示すように、実施例のリードフレーム3のチップ搭
載部3aにダイ接着剤4を介してシリコンウェハー5を
接着し、さらにその上にAu蒸着膜6を形成した後、こ
のAu蒸着膜6とこれに対応するリードフレームの接続
部3bをAgめっきを施すことなく、Au線7で直接接
続したときAu線7のA部で破断したものを○印とし
た。符号8は樹脂モールド部を示す。なお、B部で破断
したものはなかった。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように本発明のリードフレーム
は、Au線とのボンディング性、表面硬度、折曲げ性に
優れ、しかも耐酸化性、半田付け性および熱放散性が良
好で安価である。
は、Au線とのボンディング性、表面硬度、折曲げ性に
優れ、しかも耐酸化性、半田付け性および熱放散性が良
好で安価である。
また、クラッドされたFe−Ni系合金からなる板状体
を析出硬化形Cu合金の薄板とは完全な金属結合により
接合されており剥離することがない。
を析出硬化形Cu合金の薄板とは完全な金属結合により
接合されており剥離することがない。
第1図は本発明に用いるクラッド材の一例を示す横断面
図、第2図は本発明の一実施例のリードフレームの平面
図、第3図は実施例のリードフレームのAu線とのボン
ディング性の試験方法を示す拡大断面図である。 1…………Fe−Ni系合金からなる板状体 2…………析出硬化形Cu合金からなる薄板 3…………リードフレーム 4…………ダイ接着剤 5…………シリコンウエハー 6…………Au蒸着膜 7…………Au線
図、第2図は本発明の一実施例のリードフレームの平面
図、第3図は実施例のリードフレームのAu線とのボン
ディング性の試験方法を示す拡大断面図である。 1…………Fe−Ni系合金からなる板状体 2…………析出硬化形Cu合金からなる薄板 3…………リードフレーム 4…………ダイ接着剤 5…………シリコンウエハー 6…………Au蒸着膜 7…………Au線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−20135(JP,A) 特開 昭58−169947(JP,A) 特開 昭58−141544(JP,A) 特開 昭54−100257(JP,A) 実開 昭56−49154(JP,U) 特公 昭53−42390(JP,B2)
Claims (4)
- 【請求項1】Fe−Ni系合金からなる板状体の両面
に、析出硬化形Cu合金からなる薄板をクラッドしてな
るクラッド材で形成したことを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項2】析出硬化形Cu合金は、析出効果元素とし
てCrとZrを含有するCu合金である特許請求の範囲
第1項記載のリードフレーム。 - 【請求項3】析出硬化形Cu合金は、Cr0.1〜1重量
%とZr0.05〜0.5重量%とを含有したものである特許
請求の範囲第2項記載のリードフレーム。 - 【請求項4】クラッド材は、400〜500℃の温度で析出硬
化処理がなされたものである特許請求の範囲第1項乃至
第3項いずれかに記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059455A JPH061800B2 (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059455A JPH061800B2 (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206053A JPS60206053A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH061800B2 true JPH061800B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=13113791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59059455A Expired - Lifetime JPH061800B2 (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061800B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2643396B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1997-08-20 | 日立電線株式会社 | セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 |
| KR0145128B1 (ko) * | 1995-04-24 | 1998-08-17 | 김광호 | 열방열 핀을 구비한 내부 리드 본딩 장치 및 이를 이용한 내부 리드 본딩 방법 |
| JP6499387B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2019-04-10 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び発光装置 |
| US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5342390B2 (ja) | 2009-09-25 | 2013-11-13 | 株式会社岩田レーベル | Icタグの利用方法 |
-
1984
- 1984-03-29 JP JP59059455A patent/JPH061800B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5342390B2 (ja) | 2009-09-25 | 2013-11-13 | 株式会社岩田レーベル | Icタグの利用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60206053A (ja) | 1985-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4640723A (en) | Lead frame and method for manufacturing the same | |
| JP3431139B2 (ja) | リードフレームとその製造方法および半導体パッケージ | |
| US4732733A (en) | Copper-base alloys for leadframes | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| JP2542370B2 (ja) | 半導体リ−ド用銅合金 | |
| JPWO1991019320A1 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ | |
| JPS63143230A (ja) | 析出強化型高力高導電性銅合金 | |
| US5205878A (en) | Copper-based electric and electronic parts having high strength and high electric conductivity | |
| JP2714560B2 (ja) | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 | |
| JPH061800B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS60218440A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JP2797846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のCu合金製リードフレーム材 | |
| JPS5936426B2 (ja) | Ic用リ−ドフレ−ム | |
| JP2714561B2 (ja) | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 | |
| JPS59153853A (ja) | リ−ドフレ−ム材 | |
| JPS5959850A (ja) | リ−ドフレ−ム合金 | |
| JPH034612B2 (ja) | ||
| JPS61174344A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS61174345A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS58147139A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| JP2564633B2 (ja) | 樹脂との接合性が良好なリードフレーム材の製造方法 | |
| JPH0518892B2 (ja) | ||
| JPS58147140A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| JP3280686B2 (ja) | 民生用素子およびその製造方法 | |
| JPH0888307A (ja) | リードフレーム材およびリードフレーム |