JPH06181183A - コンタクトホールの形成方法 - Google Patents
コンタクトホールの形成方法Info
- Publication number
- JPH06181183A JPH06181183A JP33166392A JP33166392A JPH06181183A JP H06181183 A JPH06181183 A JP H06181183A JP 33166392 A JP33166392 A JP 33166392A JP 33166392 A JP33166392 A JP 33166392A JP H06181183 A JPH06181183 A JP H06181183A
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- Japan
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- contact hole
- insulating film
- forming
- resist pattern
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線の被覆性が向上するように改良されたコ
ンタクトホール、の形成方法を得ること。 【構成】 導電部分２を覆うように、半導体基板１の上
に絶縁膜４を形成する。絶縁膜４の上に、コンタクトホ
ールを形成するための開口部５ａを有する、レジストパ
ターン５を形成する。レジストパターン５をマスクに用
いて、開口部５ａより、絶縁膜４中にイオン６を注入す
る。レジストパターン５をマスクに用いて、絶縁膜４を
所定の深さまで等方的にエッチングする。引き続き、絶
縁膜４を異方的にエッチングし、それによって、導電部
分２の表面を露出させる。
ンタクトホール、の形成方法を得ること。 【構成】 導電部分２を覆うように、半導体基板１の上
に絶縁膜４を形成する。絶縁膜４の上に、コンタクトホ
ールを形成するための開口部５ａを有する、レジストパ
ターン５を形成する。レジストパターン５をマスクに用
いて、開口部５ａより、絶縁膜４中にイオン６を注入す
る。レジストパターン５をマスクに用いて、絶縁膜４を
所定の深さまで等方的にエッチングする。引き続き、絶
縁膜４を異方的にエッチングし、それによって、導電部
分２の表面を露出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に、コンタクト
ホールの形成方法に関するものであり、より特定的に
は、配線の被覆性が向上するように改良された、コンタ
クトホールの形成方法に関する。
ホールの形成方法に関するものであり、より特定的に
は、配線の被覆性が向上するように改良された、コンタ
クトホールの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７〜図１１は、従来のコンタクトホー
ルの形成方法の順序の各工程における半導体装置の断面
図である。
ルの形成方法の順序の各工程における半導体装置の断面
図である。
【０００３】図７を参照して、半導体基板１の上にトラ
ンジスタが形成されている。トランジスタは、ゲート３
と、半導体基板１の主表面であってゲート３の両側に設
けられた導電層である拡散層２とからなる。ゲート３を
覆うように半導体基板１の上に膜厚８０００Å程度の酸
化膜４を形成する。
ンジスタが形成されている。トランジスタは、ゲート３
と、半導体基板１の主表面であってゲート３の両側に設
けられた導電層である拡散層２とからなる。ゲート３を
覆うように半導体基板１の上に膜厚８０００Å程度の酸
化膜４を形成する。
【０００４】図８を参照して、絶縁膜４の上に、コンタ
クトホールを形成すべき領域の上に開口部５ａを有す
る、レジストパターン５を形成する。
クトホールを形成すべき領域の上に開口部５ａを有す
る、レジストパターン５を形成する。
【０００５】図９を参照して、レジストパターン５をマ
スクに用いて、フッ化水素で、酸化膜４を所定の深さま
で、等方的にエッチングする。
スクに用いて、フッ化水素で、酸化膜４を所定の深さま
で、等方的にエッチングする。
【０００６】図１０を参照して、レジストパターン５を
マスクにして、引き続き絶縁膜４を異方的にエッチング
し、拡散層２の表面を露出させる。
マスクにして、引き続き絶縁膜４を異方的にエッチング
し、拡散層２の表面を露出させる。
【０００７】図１０と図１１を参照して、レジストパタ
ーン５を除去する。これによって、絶縁膜４中に、垂直
部分８ａの側壁と、テーパ部分８ｂの側壁と、からなる
コンタクトホール８が形成される。
ーン５を除去する。これによって、絶縁膜４中に、垂直
部分８ａの側壁と、テーパ部分８ｂの側壁と、からなる
コンタクトホール８が形成される。
【０００８】次に、コンタクトホール８内にアルミニウ
ムの配線を埋込む（図示せず）。このとき、コンタクト
ホール８の垂直部分８ａが小さいので、コンタクトホー
ル８を覆うアルミニウム配線のカバレッジがよくなる。
ムの配線を埋込む（図示せず）。このとき、コンタクト
ホール８の垂直部分８ａが小さいので、コンタクトホー
ル８を覆うアルミニウム配線のカバレッジがよくなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
コンタクトホールの形成方法においては、トランジスタ
の間隔が小さくなった場合（言い換えると、ゲートの間
隔が狭くなった場合）、図１１を参照して、コンタクト
ホール８のテーパ部分８ｂの径を大きくできない。した
がって、等方性エッチングを十分に行なうことができ
ず、ひいては、コンタクトホール８の垂直部分８ｂを十
分に小さくできない。そのため、アルミニウム配線のカ
バレッジが悪くなるという問題点があった。
コンタクトホールの形成方法においては、トランジスタ
の間隔が小さくなった場合（言い換えると、ゲートの間
隔が狭くなった場合）、図１１を参照して、コンタクト
ホール８のテーパ部分８ｂの径を大きくできない。した
がって、等方性エッチングを十分に行なうことができ
ず、ひいては、コンタクトホール８の垂直部分８ｂを十
分に小さくできない。そのため、アルミニウム配線のカ
バレッジが悪くなるという問題点があった。
【００１０】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、配線のカバレッジがよくなる
ように改良されたコンタクトホール、の形成方法を提供
することを目的とする。
るためになされたもので、配線のカバレッジがよくなる
ように改良されたコンタクトホール、の形成方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁膜中に
コンタクトホールを形成する方法に係るものである。ま
ず、導電部分を含む半導体基板を準備する。前記導電部
分を覆うように、上記半導体基板の上に絶縁膜を形成す
る。上記絶縁膜の上に、上記コンタクトホールを形成す
るための開口部を有する、レジストパターンを形成す
る。上記レジストパターンをマスクに用いて、上記開口
部より上記絶縁膜中に選択的にイオンを注入する。上記
レジストパターンをマスクに用いて、上記絶縁膜を所定
の深さまで等方的にエッチングする。上記レジストパタ
ーンをマスクに用いて、引き続き上記絶縁膜を異方的に
エッチングし、それによって、上記導電部分の表面を露
出させる。
コンタクトホールを形成する方法に係るものである。ま
ず、導電部分を含む半導体基板を準備する。前記導電部
分を覆うように、上記半導体基板の上に絶縁膜を形成す
る。上記絶縁膜の上に、上記コンタクトホールを形成す
るための開口部を有する、レジストパターンを形成す
る。上記レジストパターンをマスクに用いて、上記開口
部より上記絶縁膜中に選択的にイオンを注入する。上記
レジストパターンをマスクに用いて、上記絶縁膜を所定
の深さまで等方的にエッチングする。上記レジストパタ
ーンをマスクに用いて、引き続き上記絶縁膜を異方的に
エッチングし、それによって、上記導電部分の表面を露
出させる。
【００１２】
【作用】この発明に係るコンタクトホールの形成方法に
おいては、絶縁膜中にコンタクトホールを形成するため
の等方性エッチングの前に、絶縁膜の、コンタクトホー
ルを形成すべき部分にイオンを注入する。このイオン注
入によって、絶縁膜の等方性エッチングの際、垂直方向
のエッチング速度が水平方向のエッチング速度より大き
くなる。そのため、コンタクトホールのテーパ部分の深
さがより深くなり、ひいてはコンタクトホールの垂直部
分の寸法を小さくできる。
おいては、絶縁膜中にコンタクトホールを形成するため
の等方性エッチングの前に、絶縁膜の、コンタクトホー
ルを形成すべき部分にイオンを注入する。このイオン注
入によって、絶縁膜の等方性エッチングの際、垂直方向
のエッチング速度が水平方向のエッチング速度より大き
くなる。そのため、コンタクトホールのテーパ部分の深
さがより深くなり、ひいてはコンタクトホールの垂直部
分の寸法を小さくできる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
する。
【００１４】図１〜図６は、この発明の一実施例に係
る、コンタクトホールの形成方法の順序の各工程におけ
る、半導体装置の部分断面図である。
る、コンタクトホールの形成方法の順序の各工程におけ
る、半導体装置の部分断面図である。
【００１５】図１を参照して、トランジスタを形成した
半導体基板１を準備する。トランジスタは、半導体基板
１の上に設けられたゲート３と、半導体基板１の主表面
中であって、ゲート３の両側に設けられた拡散層２とか
らなる。ゲート３を覆うように、半導体基板１の上に膜
厚８０００Å程度の酸化膜４を形成する。
半導体基板１を準備する。トランジスタは、半導体基板
１の上に設けられたゲート３と、半導体基板１の主表面
中であって、ゲート３の両側に設けられた拡散層２とか
らなる。ゲート３を覆うように、半導体基板１の上に膜
厚８０００Å程度の酸化膜４を形成する。
【００１６】図２を参照して、絶縁膜４の上に、コンタ
クトホールを形成するための開口部５ａを有する、レジ
ストパターン５を形成する。
クトホールを形成するための開口部５ａを有する、レジ
ストパターン５を形成する。
【００１７】図３を参照して、レジストパターン５をマ
スクに用いて、開口部５ａより、絶縁膜４中に、１×１
０1 4 ｃｍ- 2 程度のリン６を、２００ＫｅＶ程度の加
速エネルギで、イオン注入する。これによって、絶縁膜
４の表層部であって、開口部５ａの直下に、リンを多く
含むリン注入部分７が形成される。
スクに用いて、開口部５ａより、絶縁膜４中に、１×１
０1 4 ｃｍ- 2 程度のリン６を、２００ＫｅＶ程度の加
速エネルギで、イオン注入する。これによって、絶縁膜
４の表層部であって、開口部５ａの直下に、リンを多く
含むリン注入部分７が形成される。
【００１８】図４を参照して、フッ化水素を用いて、酸
化膜４を、５０００Å程度、等方的にエッチングする
と、コンタクトホールのテーパ部分８ｂが形成される。
リン注入部分７の等方性エッチングにおいては、垂直方
向のエッチング速度が、注入されたリンイオンが促進剤
となって、水平方向のエッチング速度より大きくなる。
その結果、テーパ部分８ｂの深さは、その径方向の寸法
よりも大きくなる。
化膜４を、５０００Å程度、等方的にエッチングする
と、コンタクトホールのテーパ部分８ｂが形成される。
リン注入部分７の等方性エッチングにおいては、垂直方
向のエッチング速度が、注入されたリンイオンが促進剤
となって、水平方向のエッチング速度より大きくなる。
その結果、テーパ部分８ｂの深さは、その径方向の寸法
よりも大きくなる。
【００１９】図５を参照して、レジストパターン５をマ
スクに用いて、ドライエッチング法により、酸化膜４の
残りの膜厚（３０００Å程度）を異方的にエッチング
し、それによって、拡散層２の表面を露出させる。
スクに用いて、ドライエッチング法により、酸化膜４の
残りの膜厚（３０００Å程度）を異方的にエッチング
し、それによって、拡散層２の表面を露出させる。
【００２０】図５と図６を参照して、レジストパターン
５を除去する。以上の方法によって、絶縁膜４中に、側
壁が垂直である垂直部分８ａと、側壁がテーパであるテ
ーパ部分８ｂとからなるコンタクトホール８が形成され
る。この方法によれば、トランジスタの間隔が小さくな
っても、コンタクトホールの垂直部分８ａの寸法を十分
に小さくできるので、アルミニウム配線のカバレッジの
よいコンタクトホール８が得られる。
５を除去する。以上の方法によって、絶縁膜４中に、側
壁が垂直である垂直部分８ａと、側壁がテーパであるテ
ーパ部分８ｂとからなるコンタクトホール８が形成され
る。この方法によれば、トランジスタの間隔が小さくな
っても、コンタクトホールの垂直部分８ａの寸法を十分
に小さくできるので、アルミニウム配線のカバレッジの
よいコンタクトホール８が得られる。
【００２１】なお、上記実施例では、イオン種にリンを
用いる場合を例示したが、この発明はこれに限られるも
のでなく、その他の、イオン注入が可能な元素なら、い
ずれも使用できる。
用いる場合を例示したが、この発明はこれに限られるも
のでなく、その他の、イオン注入が可能な元素なら、い
ずれも使用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明に係るコ
ンタクトホールの形成方法によれば、コンタクトホール
を形成するためのエッチングの前に、絶縁膜の、コンタ
クトホールを形成すべき部分にイオンを注入する。この
イオン注入によって、絶縁膜の等方性エッチングの際、
垂直方向のエッチング速度が水平方向のエッチング速度
より大きくなる。そのため、コンタクトホールのテーパ
部分の深さがより深くなり、ひいてはコンタクトホール
の垂直部分の寸法を小さくできる。その結果、アルミニ
ウム配線の被覆性のよいコンタクトホールが得られると
いう効果を奏する。
ンタクトホールの形成方法によれば、コンタクトホール
を形成するためのエッチングの前に、絶縁膜の、コンタ
クトホールを形成すべき部分にイオンを注入する。この
イオン注入によって、絶縁膜の等方性エッチングの際、
垂直方向のエッチング速度が水平方向のエッチング速度
より大きくなる。そのため、コンタクトホールのテーパ
部分の深さがより深くなり、ひいてはコンタクトホール
の垂直部分の寸法を小さくできる。その結果、アルミニ
ウム配線の被覆性のよいコンタクトホールが得られると
いう効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例に係る、コンタクトホール
の形成方法の順序の第１の工程における半導体装置の部
分断面図である。
の形成方法の順序の第１の工程における半導体装置の部
分断面図である。
【図２】この発明の一実施例に係る、コンタクトホール
の形成方法の順序の第２の工程における半導体装置の部
分断面図である。
の形成方法の順序の第２の工程における半導体装置の部
分断面図である。
【図３】この発明の一実施例に係る、コンタクトホール
の形成方法の第３の工程における半導体装置の部分断面
図である。
の形成方法の第３の工程における半導体装置の部分断面
図である。
【図４】この発明の一実施例に係る、コンタクトホール
の形成方法の第４の工程における半導体装置の部分断面
図である。
の形成方法の第４の工程における半導体装置の部分断面
図である。
【図５】この発明の一実施例に係る、コンタクトホール
の形成方法の第５の工程における半導体装置の部分断面
図である。
の形成方法の第５の工程における半導体装置の部分断面
図である。
【図６】この発明の一実施例に係る、コンタクトホール
の形成方法の第６の工程における、半導体装置の部分断
面図である。
の形成方法の第６の工程における、半導体装置の部分断
面図である。
【図７】従来のコンタクトホールの形成方法の第１の工
程における半導体装置の部分断面図である。
程における半導体装置の部分断面図である。
【図８】従来のコンタクトホールの形成方法の第２の工
程における半導体装置の部分断面図である。
程における半導体装置の部分断面図である。
【図９】従来のコンタクトホールの形成方法の順序の第
３の工程における半導体装置の部分断面図である。
３の工程における半導体装置の部分断面図である。
【図１０】従来のコンタクトホールの形成方法の第４の
工程における半導体装置の部分断面図である。
工程における半導体装置の部分断面図である。
【図１１】従来のコンタクトホールの形成方法の第５の
工程における、半導体装置の部分断面図である。
工程における、半導体装置の部分断面図である。
１ 半導体基板 ２ 拡散層 ３ ゲート ４ 絶縁膜 ５ レジストパターン ５ａ 開口部 ６ リン ７ リン注入部分 ８ コンタクトホール
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁膜中にコンタクトホールを形成する
方法であって、 導電部分を含む半導体基板を準備する工程と、 前記導電部分を覆うように前記半導体基板の上に絶縁膜
を形成する工程と、 前記絶縁膜の上に、前記コンタクトホールを形成するた
めの開口部を有する、レジストパターンを形成する工程
と、 前記レジストパターンをマスクに用いて、前記開口部よ
り、前記絶縁膜中に選択的にイオンを注入する工程と、 前記レジストパターンをマスクに用いて、前記絶縁膜を
所定の深さまで等方的にエッチングする工程と、 前記レジストパターンをマスクに用いて、引き続き前記
絶縁膜を異方的にエッチングし、それによって、前記導
電部分の表面を露出させる工程と、 を備えた、コンタクトホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33166392A JPH06181183A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | コンタクトホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33166392A JPH06181183A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | コンタクトホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181183A true JPH06181183A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18246192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33166392A Withdrawn JPH06181183A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | コンタクトホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030001981A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 금속막 형성방법 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP33166392A patent/JPH06181183A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030001981A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 금속막 형성방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |