JPH06181249A - 基板搬送システム - Google Patents
基板搬送システムInfo
- Publication number
- JPH06181249A JPH06181249A JP35360892A JP35360892A JPH06181249A JP H06181249 A JPH06181249 A JP H06181249A JP 35360892 A JP35360892 A JP 35360892A JP 35360892 A JP35360892 A JP 35360892A JP H06181249 A JPH06181249 A JP H06181249A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造工程、液晶製造工程等に利用可能
な、密閉空間中を基板の搬送を行い、プロセスに応じて
最適な基板の処理を行う処理システムを提供する。 【構成】 密閉空間中を基板の搬送を行い、且つ複数の
基板処理室間を該基板を移動させ、該基板に処理を行う
基板処理システムにおいて、前記密閉空間中の雰囲気を
真空と清浄な不活性ガスとを切換える手段を備えたこと
を特徴とする基板搬送システム。
な、密閉空間中を基板の搬送を行い、プロセスに応じて
最適な基板の処理を行う処理システムを提供する。 【構成】 密閉空間中を基板の搬送を行い、且つ複数の
基板処理室間を該基板を移動させ、該基板に処理を行う
基板処理システムにおいて、前記密閉空間中の雰囲気を
真空と清浄な不活性ガスとを切換える手段を備えたこと
を特徴とする基板搬送システム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板搬送システムに係
り、特に半導体産業においてウエハ（半導体基板）、液
晶産業において液晶基板等の基板の搬送を伴うプロセス
ラインに関する。
り、特に半導体産業においてウエハ（半導体基板）、液
晶産業において液晶基板等の基板の搬送を伴うプロセス
ラインに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業等においては、集積度が近年
飛躍的に向上するとともに、その製造工程において極限
に近い清浄度が要求される。その製造工程においては、
サブミクロンオーダの粒子汚染のみならず、分子オーダ
のサイズの分子汚染までもが問題となってきている。半
導体産業においては、その製造工程はホトリソグラフィ
或いはイオン注入等の種々のプロセスからなり、種々の
プロセス間でのウエハ（半導体基板）の高清浄度空間に
おける搬送が必要となってくる。
飛躍的に向上するとともに、その製造工程において極限
に近い清浄度が要求される。その製造工程においては、
サブミクロンオーダの粒子汚染のみならず、分子オーダ
のサイズの分子汚染までもが問題となってきている。半
導体産業においては、その製造工程はホトリソグラフィ
或いはイオン注入等の種々のプロセスからなり、種々の
プロセス間でのウエハ（半導体基板）の高清浄度空間に
おける搬送が必要となってくる。
【０００３】係る高清浄度空間におけるウエハの搬送方
法としては、クリーンルームに準じたクリーントンネル
内をウエハを台車に載せて搬送する方法が従来採用され
ている。又、クリーントンネル内を高清浄度Ｎ2 ガスを
流し、その気流にウエハを載せて搬送する方式が考えら
れている。さらに、クリーントンネル内を真空とし、ウ
エハをクリーントンネルの外壁から磁気浮上により保持
し、リニアモータ等により非接触で移動させる非接触磁
気浮上方式のウエハ搬送装置が種々発表されている（例
えば、真空中磁気浮上搬送システム、真空第３３巻第３
号ＰＰ２２１〜２２４）。
法としては、クリーンルームに準じたクリーントンネル
内をウエハを台車に載せて搬送する方法が従来採用され
ている。又、クリーントンネル内を高清浄度Ｎ2 ガスを
流し、その気流にウエハを載せて搬送する方式が考えら
れている。さらに、クリーントンネル内を真空とし、ウ
エハをクリーントンネルの外壁から磁気浮上により保持
し、リニアモータ等により非接触で移動させる非接触磁
気浮上方式のウエハ搬送装置が種々発表されている（例
えば、真空中磁気浮上搬送システム、真空第３３巻第３
号ＰＰ２２１〜２２４）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
の搬送路であるクリーントンネルを高真空により実現す
ることは、清浄度の点からは申し分ないが高真空化には
長時間を要し、真空の高速立ち上がり方法の開発等が必
要である。また、クリーントンネル内をＮ2 ガスにより
気流で搬送する方式では、ウエハがクリーントンネルの
外壁に接触し、粉塵を生じる等の問題がある。また、Ｎ
2 ガスによりウエハ表面上に窒化膜が生成してしまうと
いう問題が生じる場合がある。
の搬送路であるクリーントンネルを高真空により実現す
ることは、清浄度の点からは申し分ないが高真空化には
長時間を要し、真空の高速立ち上がり方法の開発等が必
要である。また、クリーントンネル内をＮ2 ガスにより
気流で搬送する方式では、ウエハがクリーントンネルの
外壁に接触し、粉塵を生じる等の問題がある。また、Ｎ
2 ガスによりウエハ表面上に窒化膜が生成してしまうと
いう問題が生じる場合がある。
【０００５】本発明は係る従来技術の問題点に鑑み、真
空のみ或いはＮ2 ガスのみでは全体システムとしての適
切さが必ずしも完全でないため、逆に真空やＮ2 ガス等
のそれぞれの利点を利用し、プロセス構成の変化に対応
できるウエハ等の搬送システムを提供することを目的と
するものである。
空のみ或いはＮ2 ガスのみでは全体システムとしての適
切さが必ずしも完全でないため、逆に真空やＮ2 ガス等
のそれぞれの利点を利用し、プロセス構成の変化に対応
できるウエハ等の搬送システムを提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、密閉空間中を
基板の搬送を行い、且つ複数の基板処理室間を該基板を
移動させ、該基板に処理を行う基板処理システムにおい
て、前記密閉空間中の雰囲気を真空と清浄な不活性ガス
とを切換える手段を備えたことを特徴とする。
基板の搬送を行い、且つ複数の基板処理室間を該基板を
移動させ、該基板に処理を行う基板処理システムにおい
て、前記密閉空間中の雰囲気を真空と清浄な不活性ガス
とを切換える手段を備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】密閉空間中の雰囲気を真空と清浄な不活性ガス
とを切換える手段を備えたことにより、半導体製造工程
の種々のプロセスに合わせて、搬送路の雰囲気を切換え
ることができる。従って、プロセスの種類に応じて、真
空雰囲気或いは不活性ガス雰囲気とを切換えることによ
りそれぞれの長所を生かした最適なウエハの加工処理シ
ステムを構成することができる。
とを切換える手段を備えたことにより、半導体製造工程
の種々のプロセスに合わせて、搬送路の雰囲気を切換え
ることができる。従って、プロセスの種類に応じて、真
空雰囲気或いは不活性ガス雰囲気とを切換えることによ
りそれぞれの長所を生かした最適なウエハの加工処理シ
ステムを構成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【０００９】図１は、本発明の一実施例の半導体ウエハ
処理システムの説明図である。密閉空間中を基板の搬送
を行う搬送路１は、磁気浮上搬送装置であり、搬送台車
１２にウエハ１１を搭載して、電磁石の磁気力により非
接触で浮上保持し、リニアモータ等により同様に非接触
で搬送路１上を駆動する。密閉空間である搬送路１は、
基本の設計を真空対応とし、Ｎ2 ガス等の大気圧よりも
やや高い圧力にも耐えられる構造とする。そして、搬送
路１の密閉空間の内部を真空にする真空ポンプ８及びバ
ルブ１０からなる真空排気系が接続されている。同様
に、搬送路１にはＮ2 ガス等の高清浄度不活性ガスを供
給するバルブ９を含む不活性ガス供給系を備えている。
従って、密閉空間である搬送路１の雰囲気を真空と高清
浄度不活性ガスとを切換えることができる。
処理システムの説明図である。密閉空間中を基板の搬送
を行う搬送路１は、磁気浮上搬送装置であり、搬送台車
１２にウエハ１１を搭載して、電磁石の磁気力により非
接触で浮上保持し、リニアモータ等により同様に非接触
で搬送路１上を駆動する。密閉空間である搬送路１は、
基本の設計を真空対応とし、Ｎ2 ガス等の大気圧よりも
やや高い圧力にも耐えられる構造とする。そして、搬送
路１の密閉空間の内部を真空にする真空ポンプ８及びバ
ルブ１０からなる真空排気系が接続されている。同様
に、搬送路１にはＮ2 ガス等の高清浄度不活性ガスを供
給するバルブ９を含む不活性ガス供給系を備えている。
従って、密閉空間である搬送路１の雰囲気を真空と高清
浄度不活性ガスとを切換えることができる。
【００１０】搬送路１とウエハのプロセス処理を行うマ
ルチチャンバ３との間にはロードロック室２が配置され
ている。ロードロック室２には、搬送路１と同様な真空
ポンプ６とバルブ７からなる真空排気系、及びバルブ１
５からなるＮ2 ガス供給系を備えている。また、搬送路
１側及びマルチチャンバ３側にはそれぞれ開閉バルブ２
１，２２を備えている。従って搬送路１とマルチチャン
バ３がどのような雰囲気を採用するかによってロードロ
ック室２を真空にするか高清浄度不活性ガスで充満する
かの選択、及び雰囲気の切換えが可能である。
ルチチャンバ３との間にはロードロック室２が配置され
ている。ロードロック室２には、搬送路１と同様な真空
ポンプ６とバルブ７からなる真空排気系、及びバルブ１
５からなるＮ2 ガス供給系を備えている。また、搬送路
１側及びマルチチャンバ３側にはそれぞれ開閉バルブ２
１，２２を備えている。従って搬送路１とマルチチャン
バ３がどのような雰囲気を採用するかによってロードロ
ック室２を真空にするか高清浄度不活性ガスで充満する
かの選択、及び雰囲気の切換えが可能である。
【００１１】マルチチャンバ３の各チャンバ２０は、例
えばウエハ表面にホトレジスト膜を塗布するコータであ
り、それぞれＮ2 ガスの導入バルブ５及び開閉バルブ２
３とを備えている。マルチチャンバ３の中央部には図示
しないがロボットが備えられ、各開閉バルブ２３を介し
て各チャンバ２０とウエハ１１の移動を行う。各チャン
バ２０は、例えばコータであればウエハ表面へのホトレ
ジスト膜の塗布を行うため、その雰囲気は高清浄度のＮ
2 ガスが適している。
えばウエハ表面にホトレジスト膜を塗布するコータであ
り、それぞれＮ2 ガスの導入バルブ５及び開閉バルブ２
３とを備えている。マルチチャンバ３の中央部には図示
しないがロボットが備えられ、各開閉バルブ２３を介し
て各チャンバ２０とウエハ１１の移動を行う。各チャン
バ２０は、例えばコータであればウエハ表面へのホトレ
ジスト膜の塗布を行うため、その雰囲気は高清浄度のＮ
2 ガスが適している。
【００１２】次に、このウエハ処理システムの動作につ
いて説明する。搬送路１の密閉空間は、バルブ１０が開
かれ真空ポンプ８により真空雰囲気となっている。ウエ
ハ１１を搭載した搬送台車１２は、搬送路１を磁気浮上
により非接触で保持された状態で走行し、ロードロック
室２の前で停止する。ロードロック室２では開閉バルブ
２１及び２２が閉じられ、バルブ７が開かれ真空ポンプ
６により真空排気される。ロードロック室２が真空雰囲
気となったところで、開閉バルブ２１が開かれ、ウエハ
１１が図示しないロボットによりロードロック室２に移
される。次に、開閉バルブ２１が閉じられ、Ｎ2 ガス供
給バルブ１５が開かれ、ロードロック室２はＮ2 ガス雰
囲気となる。そして、開閉バルブ２２が開かれ、マルチ
チャンバ３の中央部に位置する図示しないロボットによ
り、ウエハ１１はコータ等の各チャンバ２０に送られ
る。各チャンバ２０でウエハ１１の表面にホトレジスト
膜の塗布等のプロセス処理が行われたウエハ１１は、再
びロボットによりロードロック室２に戻される。そして
ロードロック室２は真空ポンプ６及びバルブ７によって
真空引きされ、真空雰囲気となる。そして開閉バルブ２
１が開かれ、再び真空雰囲気の搬送路の搬送台車１２に
搭載される。そして高真空雰囲気の密閉空間中を移動し
て、次のマルチチャンバの位置に移動し次のプロセスに
移される。
いて説明する。搬送路１の密閉空間は、バルブ１０が開
かれ真空ポンプ８により真空雰囲気となっている。ウエ
ハ１１を搭載した搬送台車１２は、搬送路１を磁気浮上
により非接触で保持された状態で走行し、ロードロック
室２の前で停止する。ロードロック室２では開閉バルブ
２１及び２２が閉じられ、バルブ７が開かれ真空ポンプ
６により真空排気される。ロードロック室２が真空雰囲
気となったところで、開閉バルブ２１が開かれ、ウエハ
１１が図示しないロボットによりロードロック室２に移
される。次に、開閉バルブ２１が閉じられ、Ｎ2 ガス供
給バルブ１５が開かれ、ロードロック室２はＮ2 ガス雰
囲気となる。そして、開閉バルブ２２が開かれ、マルチ
チャンバ３の中央部に位置する図示しないロボットによ
り、ウエハ１１はコータ等の各チャンバ２０に送られ
る。各チャンバ２０でウエハ１１の表面にホトレジスト
膜の塗布等のプロセス処理が行われたウエハ１１は、再
びロボットによりロードロック室２に戻される。そして
ロードロック室２は真空ポンプ６及びバルブ７によって
真空引きされ、真空雰囲気となる。そして開閉バルブ２
１が開かれ、再び真空雰囲気の搬送路の搬送台車１２に
搭載される。そして高真空雰囲気の密閉空間中を移動し
て、次のマルチチャンバの位置に移動し次のプロセスに
移される。
【００１３】例えば、ウエハのプロセス処理を行う相隣
接するマルチチャンバがいずれもＮ2 ガス雰囲気で処理
を行うような場合には、バルブ１０を閉じ真空ポンプ８
を停止し、Ｎ2 ガス供給バルブ９を開き搬送路１の密閉
空間をＮ2 ガス雰囲気とする。このように搬送路１の密
閉空間の雰囲気を処理プロセスの要求により容易に切り
換えることができる。搬送路１の密閉空間とマルチチャ
ンバ３との雰囲気を合わせることによって、ロードロッ
ク室２における雰囲気の切換えに要する時間が不要とな
り、プロセス処理のターンアラウンドタイムが短縮され
る。
接するマルチチャンバがいずれもＮ2 ガス雰囲気で処理
を行うような場合には、バルブ１０を閉じ真空ポンプ８
を停止し、Ｎ2 ガス供給バルブ９を開き搬送路１の密閉
空間をＮ2 ガス雰囲気とする。このように搬送路１の密
閉空間の雰囲気を処理プロセスの要求により容易に切り
換えることができる。搬送路１の密閉空間とマルチチャ
ンバ３との雰囲気を合わせることによって、ロードロッ
ク室２における雰囲気の切換えに要する時間が不要とな
り、プロセス処理のターンアラウンドタイムが短縮され
る。
【００１４】また、ウエハのプロセス処理を行う各チャ
ンバが、例えば真空蒸着装置或いはイオン注入装置のよ
うに真空をベースとするものである場合には、搬送路１
からロードロック室２を経て各チャンバ２０に至るウエ
ハ処理システム全体を真空雰囲気をベースとしたものに
することができる。
ンバが、例えば真空蒸着装置或いはイオン注入装置のよ
うに真空をベースとするものである場合には、搬送路１
からロードロック室２を経て各チャンバ２０に至るウエ
ハ処理システム全体を真空雰囲気をベースとしたものに
することができる。
【００１５】以上の説明は、高清浄度不活性ガスの一例
としてＮ2 ガスを用いたものについて行ったが、高清浄
度のアルゴンガス等においても同様の作用効果が得られ
ることは言うまでもない。また半導体のウエハ処理シス
テムの実施例について説明を行ったが、液晶基板の製造
工程等においても適用可能であることは勿論である。
としてＮ2 ガスを用いたものについて行ったが、高清浄
度のアルゴンガス等においても同様の作用効果が得られ
ることは言うまでもない。また半導体のウエハ処理シス
テムの実施例について説明を行ったが、液晶基板の製造
工程等においても適用可能であることは勿論である。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は密閉空
間中の搬送路の雰囲気を真空と高清浄度不活性ガスとを
切換える手段を備えたものである。従って、各プロセス
処理で真空、或いはＮ2 等の不活性ガスの利用がそれら
の利点が明確に区分できる場合はいずれかの雰囲気と
し、プロセス等の変更によったり条件が変わることによ
っていずれかの雰囲気を必要とする場合は、いずれかの
雰囲気に切換えることが可能となる。即ち、真空排気系
とＮ2 等の高清浄度ガスの導入ラインを切換えることに
よって、最適の基板処理システムを作ることができる。
間中の搬送路の雰囲気を真空と高清浄度不活性ガスとを
切換える手段を備えたものである。従って、各プロセス
処理で真空、或いはＮ2 等の不活性ガスの利用がそれら
の利点が明確に区分できる場合はいずれかの雰囲気と
し、プロセス等の変更によったり条件が変わることによ
っていずれかの雰囲気を必要とする場合は、いずれかの
雰囲気に切換えることが可能となる。即ち、真空排気系
とＮ2 等の高清浄度ガスの導入ラインを切換えることに
よって、最適の基板処理システムを作ることができる。
【図１】本発明の一実施例のウエハ処理システムの説明
図。
図。
１ 搬送路 ２ ロードロック室 ３ マルチチャンバ ５，９，１５ Ｎ2 ガス供給バルブ ６，８ 真空ポンプ ７，１０ バルブ １１ ウエハ １２ 搬送台車 ２０ プロセスチャンバ ２１，２２，２３ 開閉バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 克行 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 密閉空間中を基板の搬送を行い、且つ複
数の基板処理室間を該基板を移動させ、該基板に処理を
行う基板処理システムにおいて、前記密閉空間中の雰囲
気を真空と清浄な不活性ガスとを切換える手段を備えた
ことを特徴とする基板搬送システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35360892A JPH06181249A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 基板搬送システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35360892A JPH06181249A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 基板搬送システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181249A true JPH06181249A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18431997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35360892A Pending JPH06181249A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 基板搬送システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181249A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08191093A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Tadahiro Omi | 窒素ガス供給設備 |
| WO2008072996A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | 'nauchnoe I Tekhnologicheskoe Oborudovanie' Limited | Device for processing semiconductor plates |
| CN100447975C (zh) * | 2003-03-04 | 2008-12-31 | 东京毅力科创株式会社 | 衬底处理系统以及半导体器件的制造方法 |
| CN102336337A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-01 | 江苏三环实业股份有限公司 | 多台合膏机的高效铅粉输送系统 |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP35360892A patent/JPH06181249A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08191093A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Tadahiro Omi | 窒素ガス供給設備 |
| CN100447975C (zh) * | 2003-03-04 | 2008-12-31 | 东京毅力科创株式会社 | 衬底处理系统以及半导体器件的制造方法 |
| WO2008072996A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | 'nauchnoe I Tekhnologicheskoe Oborudovanie' Limited | Device for processing semiconductor plates |
| CN102336337A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-01 | 江苏三环实业股份有限公司 | 多台合膏机的高效铅粉输送系统 |
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