JPH0618566B2 - Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ - Google Patents
Ｎｍｒ用高周波プロ−ブInfo
- Publication number
- JPH0618566B2 JPH0618566B2 JP62040184A JP4018487A JPH0618566B2 JP H0618566 B2 JPH0618566 B2 JP H0618566B2 JP 62040184 A JP62040184 A JP 62040184A JP 4018487 A JP4018487 A JP 4018487A JP H0618566 B2 JPH0618566 B2 JP H0618566B2
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- JP
- Japan
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- conductor
- nmr
- frequency probe
- capacitor
- high frequency
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）用高周波プローブに
関し、特に低周波の傾斜磁場パルスを印加するときに磁
気的干渉が生じないＮＭＲ用高周波プローブに関するも
のである。
関し、特に低周波の傾斜磁場パルスを印加するときに磁
気的干渉が生じないＮＭＲ用高周波プローブに関するも
のである。
［従来の技術］ 第３図は、例えば「ジャーナル・オブ・マグネティック
・レゾナンス（Journal of Magnetic Resonance）」（1
979年、第36巻）の第447〜451項に記載された、従来の
ＮＭＲ用高周波プローブを示す斜視図である。
・レゾナンス（Journal of Magnetic Resonance）」（1
979年、第36巻）の第447〜451項に記載された、従来の
ＮＭＲ用高周波プローブを示す斜視図である。
図において、(1)は中空円筒状体を構成するように左右
に配置された一対の導体板例えば銅板であり、それぞれ
Ｈ字形を成し、バーチカル・バンド（vertical band）
と呼ばれる非突出部(1a)及びウィング（wing）と呼ばれ
る突出部(1b)を有している。(2)は各導体板(1)の隣接す
る突出部(1b)間にハンダ付けされて挿入されたコンデン
サであり、一対の導体板(1)を容量結合して円筒形状の
コイルを構成している。
に配置された一対の導体板例えば銅板であり、それぞれ
Ｈ字形を成し、バーチカル・バンド（vertical band）
と呼ばれる非突出部(1a)及びウィング（wing）と呼ばれ
る突出部(1b)を有している。(2)は各導体板(1)の隣接す
る突出部(1b)間にハンダ付けされて挿入されたコンデン
サであり、一対の導体板(1)を容量結合して円筒形状の
コイルを構成している。
尚、このコイルは、ＮＭＲ用高周波プローブ内に挿入さ
れる測定対象（例えば人体）の形状に応じて楕円筒形状
としてもよく、導体板(1)を２対以上で構成してもよ
い。更に、非突出部(1a)は、傾斜磁場コイル等（図示せ
ず）との干渉を防ぐため、第４図のように複数の導体セ
グメント(11)で構成してもよい。この導体セグメント(1
1)は、銅パイプ、銅線、又は、幅の狭い銅板から構成さ
れている。
れる測定対象（例えば人体）の形状に応じて楕円筒形状
としてもよく、導体板(1)を２対以上で構成してもよ
い。更に、非突出部(1a)は、傾斜磁場コイル等（図示せ
ず）との干渉を防ぐため、第４図のように複数の導体セ
グメント(11)で構成してもよい。この導体セグメント(1
1)は、銅パイプ、銅線、又は、幅の狭い銅板から構成さ
れている。
(3)は突出部(1b)の内側に絶縁層（図示せず）を介して
設置された上下一対の電界シールド用の導体環であり、
高周波プローブ内に測定対象の配置した場合に、発生電
界による測定対象内の誘電損失を低減するようになって
いる。又、上部の導体環(3a)はトップ・ガード・リング
と呼ばれ、下部の導体環(3b)はボトム・ガード・リング
と呼ばれている。
設置された上下一対の電界シールド用の導体環であり、
高周波プローブ内に測定対象の配置した場合に、発生電
界による測定対象内の誘電損失を低減するようになって
いる。又、上部の導体環(3a)はトップ・ガード・リング
と呼ばれ、下部の導体環(3b)はボトム・ガード・リング
と呼ばれている。
従来のＮＭＲ用高周波プローブは上記のように構成さ
れ、導体板(1)、コンデンサ(2)及び導体環(3)が等価的
にLC直列共振回路として働く立体回路を形成している。
れ、導体板(1)、コンデンサ(2)及び導体環(3)が等価的
にLC直列共振回路として働く立体回路を形成している。
次に、第３図又は第４図に示した高周波プローブを用い
てＮＭＲ画像を得る場合の動作について説明する。この
とき、試料に対して、高周波プローブから高周波磁場パ
ルスが印加されると同時に、ＮＭＲ装置（図示せず）か
ら公知の傾斜磁場パルスが矢印Ｇ1、Ｇ2のように印加さ
れる。
てＮＭＲ画像を得る場合の動作について説明する。この
とき、試料に対して、高周波プローブから高周波磁場パ
ルスが印加されると同時に、ＮＭＲ装置（図示せず）か
ら公知の傾斜磁場パルスが矢印Ｇ1、Ｇ2のように印加さ
れる。
例えば、傾斜磁場パルスが矢印Ｇ1のように印加される
と、導体環(3)の各周方向に沿って起電力が発生し、誘
導電流Ｉ1が渦電流となって流れる。又、傾斜磁場パル
スが矢印Ｇ2のように印加されると、非突出部(1a)の面
方向に起電力が発生し、誘導電流Ｉ1が渦電流となって
流れる。
と、導体環(3)の各周方向に沿って起電力が発生し、誘
導電流Ｉ1が渦電流となって流れる。又、傾斜磁場パル
スが矢印Ｇ2のように印加されると、非突出部(1a)の面
方向に起電力が発生し、誘導電流Ｉ1が渦電流となって
流れる。
このように、各矢印Ｇ1、Ｇ2のように傾斜磁場パルスが
印加されると、その立ち上がり及び立ち下がりに伴っ
て、導体環(3)、非突出部(1a)には渦電流Ｉ1、Ｉ2が誘
導されて流れることになる。
印加されると、その立ち上がり及び立ち下がりに伴っ
て、導体環(3)、非突出部(1a)には渦電流Ｉ1、Ｉ2が誘
導されて流れることになる。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来のＮＭＲ用高周波プローブは以上のように、導体環
(3)が電気的に閉ループ構造のため渦電流Ｉ1が発生し、
更に、非突出部(1a)にも渦電流Ｉ2が発生するので、傾
斜磁場パルスによる波形歪や位相歪が生じるという問題
点があった。
(3)が電気的に閉ループ構造のため渦電流Ｉ1が発生し、
更に、非突出部(1a)にも渦電流Ｉ2が発生するので、傾
斜磁場パルスによる波形歪や位相歪が生じるという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、導体環における渦電流の発生を防ぎ、波形歪
及び位相歪のないＮＭＲ用高周波プローブを得ることを
目的とする。
たもので、導体環における渦電流の発生を防ぎ、波形歪
及び位相歪のないＮＭＲ用高周波プローブを得ることを
目的とする。
又、この発明の別の発明は、非突出部が複数の導体セグ
メントで構成されている場合に、非突出部における渦電
流の発生を防ぎ、波形歪及び位相歪のないＮＭＲ用高周
波プローブを得ることを目的とする。
メントで構成されている場合に、非突出部における渦電
流の発生を防ぎ、波形歪及び位相歪のないＮＭＲ用高周
波プローブを得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係るＮＭＲ用高周波プローブは、導体環の少
なくとも一箇所にスリットを設けて開ループ構造にする
と共に、スリットにコンデンサを挿入したものである。
なくとも一箇所にスリットを設けて開ループ構造にする
と共に、スリットにコンデンサを挿入したものである。
又、この発明の別の発明に係るＮＭＲ用高周波プローブ
は、非突出部を複数の導体セグメントで構成し、これら
導体セグメントの少なくとも１箇所を切断してコンデン
サを挿入し、且つ導体環の少なくとも一箇所にスリット
を設けて別のコンデンサを挿入したものである。
は、非突出部を複数の導体セグメントで構成し、これら
導体セグメントの少なくとも１箇所を切断してコンデン
サを挿入し、且つ導体環の少なくとも一箇所にスリット
を設けて別のコンデンサを挿入したものである。
［作用］ この発明においては、傾斜磁場パルスを印加しても導体
環に渦電流が生じない。
環に渦電流が生じない。
又、この発明の別の発明においては、傾斜磁場パルスを
印加しても、導体環及び非突出部に渦電流が生じない。
印加しても、導体環及び非突出部に渦電流が生じない。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。図におい
て、(1)〜(3)は前述の従来装置と同様のものであり、(3
A)、(3B)は各導体環(3a)、(3b)にそれぞれ対応している。
図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。図におい
て、(1)〜(3)は前述の従来装置と同様のものであり、(3
A)、(3B)は各導体環(3a)、(3b)にそれぞれ対応している。
(4a)、(4b)は各導体環(3A)、(3B)の１箇所又は任意の複数
箇所にそれぞれ設けられたスリットであり、例えば、各
導体板(1)間のコンデンサ(2)に対して直角位置となるよ
うに配置されている。そして、これらスリット(4a)、(4
b)により、各導体環(3A)、(3B)は開ループ構造となって
いる。
箇所にそれぞれ設けられたスリットであり、例えば、各
導体板(1)間のコンデンサ(2)に対して直角位置となるよ
うに配置されている。そして、これらスリット(4a)、(4
b)により、各導体環(3A)、(3B)は開ループ構造となって
いる。
(5a)、(5b)は各スリット(4a)、(4b)に挿入されたコンデン
サであり、１μＦ〜0.01μＦ程度の静電容量を有してい
る。
サであり、１μＦ〜0.01μＦ程度の静電容量を有してい
る。
次に、第１図に示したこの発明の一実施例の動作につい
て説明する。前述のように、傾斜磁場パルスが矢印Ｇ1
のように発生すると、導体環(3A)、(3B)に誘導電流が渦
電流となって流れようとするが、スリット(4a)、(4b)に
より各導体環(3A)、(3B)は電気的に開ループ構造となっ
ているため、誘導電流（渦電流）は流れない。
て説明する。前述のように、傾斜磁場パルスが矢印Ｇ1
のように発生すると、導体環(3A)、(3B)に誘導電流が渦
電流となって流れようとするが、スリット(4a)、(4b)に
より各導体環(3A)、(3B)は電気的に開ループ構造となっ
ているため、誘導電流（渦電流）は流れない。
このとき、各コンデンサ(5a)、(5b)のインピーダンス
は、1kHzの周波数に対しては160〜16000Ω、60MHzの周
波数に対しては0.003〜0.3Ωとなる。これに対し、傾斜
磁場パルスの周波数は約1kHzであり、高周波プローブで
受信されるＮＭＲ信号の周波数は例えば60MHz程度であ
る。従って、各コンデンサ(5a)、(5b)は、傾斜磁場パル
スに対してはインピーダンスが大きくなって渦電流を遮
断するが、ＮＭＲ信号に対してはインピーダンスが小さ
くなり、高周波プローブの動作に何ら影響を与えない。
は、1kHzの周波数に対しては160〜16000Ω、60MHzの周
波数に対しては0.003〜0.3Ωとなる。これに対し、傾斜
磁場パルスの周波数は約1kHzであり、高周波プローブで
受信されるＮＭＲ信号の周波数は例えば60MHz程度であ
る。従って、各コンデンサ(5a)、(5b)は、傾斜磁場パル
スに対してはインピーダンスが大きくなって渦電流を遮
断するが、ＮＭＲ信号に対してはインピーダンスが小さ
くなり、高周波プローブの動作に何ら影響を与えない。
又、第２図はこの発明の別の発明の一実施例を示す斜視
図であり、(3A)、(3B)、(4a)、(4b)、(5a)、(5b)及び(11)は
前述と同様のものである。(6)は各導体セグメント(11)
を切断して挿入されたコンデンサであり、コンデンサ(5
a)及び(5b)と同様に、１μＦ〜0.01μＦの静電容量を有
している。
図であり、(3A)、(3B)、(4a)、(4b)、(5a)、(5b)及び(11)は
前述と同様のものである。(6)は各導体セグメント(11)
を切断して挿入されたコンデンサであり、コンデンサ(5
a)及び(5b)と同様に、１μＦ〜0.01μＦの静電容量を有
している。
次に、第２図に示したこの発明の別の発明の一実施例の
動作について説明する。第１図の場合と同様に、傾斜磁
場コイルＧ1が発生しても、導体環(3A)、(3B)にはスリッ
ト(4a)、(4b)が設けられているため渦電流は流れない。
動作について説明する。第１図の場合と同様に、傾斜磁
場コイルＧ1が発生しても、導体環(3A)、(3B)にはスリッ
ト(4a)、(4b)が設けられているため渦電流は流れない。
又、傾斜磁場パルスが矢印Ｇ2のように発生しても、各
導体セグメント(11)が切断されて電気的に開ループ構造
となっているため、やはり渦電流は流れない。
導体セグメント(11)が切断されて電気的に開ループ構造
となっているため、やはり渦電流は流れない。
このとき、各導体セグメント(11)に挿入されたコンデン
サ(6)のインピーダンスは、コンデンサ(5a)、(5b)と同様
に、１kHzの周波数に対しては160〜16000Ω、60MHzの周
波数に対しては0.003〜0.3Ωである。従って、コンデン
サ(11)は、１kHz程度の傾斜磁場パルスＧ1に対してはイ
ンピーダンスが大きくなって渦電流を遮断し、60MHz程
度のＮＭＲ信号に対してはインピーダンスが小さくなり
高周波プローブの動作に何ら影響を与えない。
サ(6)のインピーダンスは、コンデンサ(5a)、(5b)と同様
に、１kHzの周波数に対しては160〜16000Ω、60MHzの周
波数に対しては0.003〜0.3Ωである。従って、コンデン
サ(11)は、１kHz程度の傾斜磁場パルスＧ1に対してはイ
ンピーダンスが大きくなって渦電流を遮断し、60MHz程
度のＮＭＲ信号に対してはインピーダンスが小さくなり
高周波プローブの動作に何ら影響を与えない。
尚、上記実施例では全ての導体セグメント(11)にコンデ
ンサ(6)を挿入したが、コンデンサ(6)が挿入されない導
体セグメント(11)が存在しても、電気的に開ループ構造
となっていればよい。
ンサ(6)を挿入したが、コンデンサ(6)が挿入されない導
体セグメント(11)が存在しても、電気的に開ループ構造
となっていればよい。
又、各導体環(3A)、(3B)のスリット(4a)、(4b)をコンデン
サ(2)に対して直角位置となるように配置したが、スリ
ット(4a)、(4b)の位置は任意でよい。
サ(2)に対して直角位置となるように配置したが、スリ
ット(4a)、(4b)の位置は任意でよい。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、導体環の少なくとも一
箇所にスリットを設け、このスリットにコンデンサを挿
入したので、傾斜磁場パルスを印加しても導体環に渦電
流が生じることがなく、波形歪及び位相歪のないＮＭＲ
用高周波プローブが得られる効果がある。
箇所にスリットを設け、このスリットにコンデンサを挿
入したので、傾斜磁場パルスを印加しても導体環に渦電
流が生じることがなく、波形歪及び位相歪のないＮＭＲ
用高周波プローブが得られる効果がある。
又、この発明の別の発明によれば、非突出部を複数の導
体セグメントで構成して、これら導体セグメントの少な
くとも１箇所にコンデンサを挿入し、又、導体環の少な
くとも一箇所にスリットを設けて別のコンデンサを挿入
したので、傾斜磁場パルスを印加しても導体環及び非突
出部に渦電流が生じることがなく、波形歪及び位相歪の
ないＮＭＲ用高周波プローブが得られる効果がある。
体セグメントで構成して、これら導体セグメントの少な
くとも１箇所にコンデンサを挿入し、又、導体環の少な
くとも一箇所にスリットを設けて別のコンデンサを挿入
したので、傾斜磁場パルスを印加しても導体環及び非突
出部に渦電流が生じることがなく、波形歪及び位相歪の
ないＮＭＲ用高周波プローブが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図はこ
の発明の別の一実施例を示す斜視図、第３図は従来のＮ
ＭＲ用高周波プローブを示す斜視図、第４図は非突出部
を複数の導体セグメントで構成した従来のＮＭＲ用高周
波プローブを示す斜視図である。 (1)…導体板、(1a)…非突出部 (1b)…突出部、(2)…コンデンサ (3)、(3A)、(3B)…導体環 (4a)、(4b)…スリット (5a)、(5b)…コンデンサ (6)…コンデンサ、(11)…導体セグメント 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
の発明の別の一実施例を示す斜視図、第３図は従来のＮ
ＭＲ用高周波プローブを示す斜視図、第４図は非突出部
を複数の導体セグメントで構成した従来のＮＭＲ用高周
波プローブを示す斜視図である。 (1)…導体板、(1a)…非突出部 (1b)…突出部、(2)…コンデンサ (3)、(3A)、(3B)…導体環 (4a)、(4b)…スリット (5a)、(5b)…コンデンサ (6)…コンデンサ、(11)…導体セグメント 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】コイル内に電界シールド用の導体環を有す
るＮＭＲ用高周波プローブにおいて、前記導体環の少な
くとも一箇所にスリットを設けて前記導体環を開ループ
構造にすると共に、前記スリットにコンデンサを挿入し
たことを特徴とするＮＭＲ用高周波プローブ。 - 【請求項２】コイルは中空円筒又は中空楕円筒を形成す
る一対の導体板であり、前記各導体板は、それぞれ非突
出部及び突出部を有するＨ字形を成し、前記各導体板の
前記突出部同士がコンデンサを介して対向していること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＮＭＲ用高周
波プローブ。 - 【請求項３】非突出部は、板状であることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載のＮＭＲ用高周波プローブ。 - 【請求項４】非突出部及び突出部を有する一対の導体板
と、前記各導体板の前記突出部間に設けられたコンデン
サとからなり、中空円筒形状又は中空楕円筒形状を成し
たコイルと、このコイル内に設けられた電界シールド用
の導体環とを備えたＮＭＲ用高周波プローブにおいて、
前記非突出部を複数の導体セグメントで構成し、これら
導体セグメントの少なくとも１箇所を切断してコンデン
サを挿入し、且つ前記導体環の少なくとも一箇所にスリ
ットを設けて別のコンデンサを挿入したことを特徴とす
るＮＭＲ用高周波プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040184A JPH0618566B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040184A JPH0618566B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63209638A JPS63209638A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0618566B2 true JPH0618566B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12573697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040184A Expired - Fee Related JPH0618566B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618566B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53107193A (en) * | 1977-03-01 | 1978-09-18 | Toyota Motor Co Ltd | Method of and device for judging mental and physical abnormalities of driver |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62040184A patent/JPH0618566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63209638A (ja) | 1988-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |