JPH06186579A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06186579A JPH06186579A JP33749092A JP33749092A JPH06186579A JP H06186579 A JPH06186579 A JP H06186579A JP 33749092 A JP33749092 A JP 33749092A JP 33749092 A JP33749092 A JP 33749092A JP H06186579 A JPH06186579 A JP H06186579A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で液晶の劣化の少ない高歩留まりの液晶
表示装置を提供する。 【構成】 本発明は、素子基板全体を透明有機絶縁膜で
覆い、シールエリア下部にこの透明有機絶縁膜を有する
ことを特徴とする。
表示装置を提供する。 【構成】 本発明は、素子基板全体を透明有機絶縁膜で
覆い、シールエリア下部にこの透明有機絶縁膜を有する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス型液晶表示装置に関する。
ス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の一例を図１を用い
て説明する。
て説明する。
【０００３】この図は液晶表示装置の外観図である。
【０００４】ガラス、石英等の基板１０１上に画素エリ
ア１０５を図１（ａ）のように配置し、この画素部の周
辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回
路１０３、１０４を配置している。対向基板１０２は、
画素エリア１０５とドライバー回路１０３、１０４の間
にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール
材１０６により基板１０１に固定されている。また対向
基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側の
パッド１０７を通してコモン電位に固定されている。
ア１０５を図１（ａ）のように配置し、この画素部の周
辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回
路１０３、１０４を配置している。対向基板１０２は、
画素エリア１０５とドライバー回路１０３、１０４の間
にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール
材１０６により基板１０１に固定されている。また対向
基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側の
パッド１０７を通してコモン電位に固定されている。
【０００５】これは素子基板１０１と対向基板１０２の
間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできる
だけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはそ
の周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによ
って液晶に電界をかけないためである。
間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできる
だけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはそ
の周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによ
って液晶に電界をかけないためである。
【０００６】この図１のＡ−Ａ’の部分での構造断面図
を図１（ｂ）に示した。基板１０１上に多結晶シリコン
等による薄膜トランジスタ１１３が形成されている。薄
膜トランジスタ、ソース配線、画素電極１１４は第２層
間絶縁膜１２０に覆われてはいるが、画素電極１１４の
上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極
は最終的に終端部１１６でコンタクトホールを介して配
線１１７に接続しており、配線１１７は対向基板端部よ
り外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるド
ライバー回路１０３と接続している。
を図１（ｂ）に示した。基板１０１上に多結晶シリコン
等による薄膜トランジスタ１１３が形成されている。薄
膜トランジスタ、ソース配線、画素電極１１４は第２層
間絶縁膜１２０に覆われてはいるが、画素電極１１４の
上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極
は最終的に終端部１１６でコンタクトホールを介して配
線１１７に接続しており、配線１１７は対向基板端部よ
り外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるド
ライバー回路１０３と接続している。
【０００７】対向基板１０２には透明電極１１１が全面
に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材１０６
により基板に固定されている。基板１０１、対向基板１
０２をポリイミド等の配向膜１１２で覆っている。
に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材１０６
により基板に固定されている。基板１０１、対向基板１
０２をポリイミド等の配向膜１１２で覆っている。
【０００８】また図１のＢ−Ｂ’の部分での構造断面図
を図１（ｃ）に示した。基板１０１上の第１層間絶縁膜
１１９の上層に配線３０６が形成されており、これらは
更に酸化シリコン等の第２層間絶縁膜１２０で覆われて
いるが、パッド１０７、画素電極１１４上部は開孔して
ある。この上にポリイミド等の配向膜１１２を塗布して
ある。このパッド１０７はコモン電位になるように配線
されているので、この部分に導電性接着剤１１８を塗布
し、対向基板１０２を圧着すると対向基板の対向電極１
１１はこれによりコモン電位となる。
を図１（ｃ）に示した。基板１０１上の第１層間絶縁膜
１１９の上層に配線３０６が形成されており、これらは
更に酸化シリコン等の第２層間絶縁膜１２０で覆われて
いるが、パッド１０７、画素電極１１４上部は開孔して
ある。この上にポリイミド等の配向膜１１２を塗布して
ある。このパッド１０７はコモン電位になるように配線
されているので、この部分に導電性接着剤１１８を塗布
し、対向基板１０２を圧着すると対向基板の対向電極１
１１はこれによりコモン電位となる。
【０００９】また図２は（ａ）は上述の液晶表示装置の
斜視図であるが、このようにシールエリアを横切る配線
の数は画素数の２倍から４倍程度と非常に多い。図２の
（ｂ）は、このシールを横切るソース配線の断面図であ
る。第１層間絶縁膜上に形成されるソース配線は８００
０Å程度のアルミニウムであり、１μｍ以下の酸化シリ
コンによって覆われている。
斜視図であるが、このようにシールエリアを横切る配線
の数は画素数の２倍から４倍程度と非常に多い。図２の
（ｂ）は、このシールを横切るソース配線の断面図であ
る。第１層間絶縁膜上に形成されるソース配線は８００
０Å程度のアルミニウムであり、１μｍ以下の酸化シリ
コンによって覆われている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術では、ドライバー回路がシールエリアより外部に配置
されているため、シールエリアを横切る配線の数が画素
数の２倍以上と多く、しかも段差がきつく液晶を劣化さ
せる水分等の流入の可能性があった。
術では、ドライバー回路がシールエリアより外部に配置
されているため、シールエリアを横切る配線の数が画素
数の２倍以上と多く、しかも段差がきつく液晶を劣化さ
せる水分等の流入の可能性があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では第２層間絶縁
膜に透明有機絶縁膜を用い、更に前記有機絶縁膜をシー
ルエリア下部に残し、ドライバー回路は対向基板より外
側に配置し、少なくともドライバー回路上には前記有機
膜を有することを特徴とする。
膜に透明有機絶縁膜を用い、更に前記有機絶縁膜をシー
ルエリア下部に残し、ドライバー回路は対向基板より外
側に配置し、少なくともドライバー回路上には前記有機
膜を有することを特徴とする。
【００１２】
【実施例】以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
る。
【００１３】図３の（ａ）は本発明による液晶表示装置
の一例の正面外観図である。素子基板３０１上に対向基
板３０２が紫外線硬化樹脂等のシール材３０３によって
固定され、液晶が封入されている。ドライバー回路３０
４はシールエリアより外側に配置されている。四隅の電
極３０５は対向基板の対向電極に電位を与えるための導
通をとるためのもので、その電位は導電性接着剤等を用
いて素子基板の外部接続端子３０６から与えられるある
電位に固定される。
の一例の正面外観図である。素子基板３０１上に対向基
板３０２が紫外線硬化樹脂等のシール材３０３によって
固定され、液晶が封入されている。ドライバー回路３０
４はシールエリアより外側に配置されている。四隅の電
極３０５は対向基板の対向電極に電位を与えるための導
通をとるためのもので、その電位は導電性接着剤等を用
いて素子基板の外部接続端子３０６から与えられるある
電位に固定される。
【００１４】図３の（ｂ）は画素エリアからシールエリ
アにかけての構造断面図である。基板３０１上に画素駆
動用薄膜トランジスタ３１３が形成されている。シール
エリアの外側にはトランジスタの集積回路からなるドラ
イバー回路３０４が配置されており、これら素子基板の
画素エリアよりシールエリア下部までをポリイミド等の
透明有機絶縁膜３１９によって覆っている。この透明有
機絶縁膜の上にＩＴＯ３１４等の画素電極が形成されて
おり、画素トランジスタのドレイン電極とコンタクトホ
ール３１５を介して接続されている。
アにかけての構造断面図である。基板３０１上に画素駆
動用薄膜トランジスタ３１３が形成されている。シール
エリアの外側にはトランジスタの集積回路からなるドラ
イバー回路３０４が配置されており、これら素子基板の
画素エリアよりシールエリア下部までをポリイミド等の
透明有機絶縁膜３１９によって覆っている。この透明有
機絶縁膜の上にＩＴＯ３１４等の画素電極が形成されて
おり、画素トランジスタのドレイン電極とコンタクトホ
ール３１５を介して接続されている。
【００１５】図３の（ｃ）は画素エリアからシールエリ
アにかけての構造断面図である。
アにかけての構造断面図である。
【００１６】対向基板３０２の電位は、導電性接着剤３
２０を通して透明有機絶縁膜上のＩＴＯ等の電極３０５
に接続され、更にこの電極はその下部にあるコモン電位
を持つ配線３１８に接続され、コモン電位に固定されて
いる。
２０を通して透明有機絶縁膜上のＩＴＯ等の電極３０５
に接続され、更にこの電極はその下部にあるコモン電位
を持つ配線３１８に接続され、コモン電位に固定されて
いる。
【００１７】また図４にこの液晶表示装置において、シ
ールを横切る配線の断面図を示した。前記有機膜は応力
が少なく酸化シリコンより厚く塗布してもクラックが入
る等の問題もないので、ソース配線を充分に埋め込むこ
とができるため酸化シリコンよりも表面が平滑となる。
ールを横切る配線の断面図を示した。前記有機膜は応力
が少なく酸化シリコンより厚く塗布してもクラックが入
る等の問題もないので、ソース配線を充分に埋め込むこ
とができるため酸化シリコンよりも表面が平滑となる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の構造をとること
により、シールエリア下部の凹凸が少なく封入された液
晶への水分等の流入が減り、長期に渡って液晶の劣化が
少なく信頼性の高い液晶表示装置を提供することができ
る。
により、シールエリア下部の凹凸が少なく封入された液
晶への水分等の流入が減り、長期に渡って液晶の劣化が
少なく信頼性の高い液晶表示装置を提供することができ
る。
【図１】従来の技術による液晶表示装置の構造を示す外
観図。
観図。
【図２】従来の技術による液晶表示装置の構造を示す斜
視図。
視図。
【図３】本発明による液晶表示装置の構造を示す断面
図。
図。
１０１、２０１、３０１・・・素子基板 １０２、２０２、３０２・・・対向基板 １１３、２０７、３１３・・・画素駆動トランジスタ １１６、３１６、・・・画素駆動トランジスタのゲート
電極、及びゲート配線 １０６、２０５、３０３・・・シールエリア １０３、１０４、２０３、２０４、３０４・・・ドライ
バー回路 １１７、３１７・・・配線 １０５・・・画素エリア １１４、３１４・・・画素電極 １１１、３１１・・・対向電極 ３１８・・・コモン電位を持つ配線 １０７、３０５・・・コモン電位を持つパッド １１０、３１０・・・ブラックマトリックス １１５、３１５・・・画素電極とのコンタクトホール １１８、３２０・・・導電性接着剤 ３１９・・・透明有機絶縁膜 １１２、３１２・・・配向膜 １１９・・・第１層間絶縁膜 １２０・・・第２層間絶縁膜 １０８、２０６、３０６・・・外部接続端子
電極、及びゲート配線 １０６、２０５、３０３・・・シールエリア １０３、１０４、２０３、２０４、３０４・・・ドライ
バー回路 １１７、３１７・・・配線 １０５・・・画素エリア １１４、３１４・・・画素電極 １１１、３１１・・・対向電極 ３１８・・・コモン電位を持つ配線 １０７、３０５・・・コモン電位を持つパッド １１０、３１０・・・ブラックマトリックス １１５、３１５・・・画素電極とのコンタクトホール １１８、３２０・・・導電性接着剤 ３１９・・・透明有機絶縁膜 １１２、３１２・・・配向膜 １１９・・・第１層間絶縁膜 １２０・・・第２層間絶縁膜 １０８、２０６、３０６・・・外部接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ 9018−2Ｋ Ｇ０９Ｇ 3/36 7319−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶表示装置の素子基板において、画素
駆動用薄膜トランジスタが有機膜に覆われており、画素
電極が前記有機膜上に形成されることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 シールエリア下部に前記有機膜を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 ドライバー回路はシールエリア外周に配
置したことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項４】 少なくともドライバー回路上には前記有
機膜を有し、且つ上層には電極を有しないことを特徴と
する請求項３に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33749092A JP3175362B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33749092A JP3175362B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186579A true JPH06186579A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3175362B2 JP3175362B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=18309145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33749092A Expired - Lifetime JP3175362B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175362B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236444B1 (en) | 1993-09-20 | 2001-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with drive circuits on both substrates |
| KR100315208B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-26 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100315209B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US6476901B2 (en) * | 1997-10-06 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display including interlayer insulating layer at peripheral sealing portion |
| US6567147B1 (en) | 1997-03-27 | 2003-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7142273B1 (en) * | 1996-06-25 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel with a laminating structure containing a semiconductor layer located under the seal |
| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| CN100416356C (zh) * | 2005-01-18 | 2008-09-03 | 日本电气株式会社 | 液晶显示屏板和液晶显示装置 |
| US7443478B2 (en) | 1997-03-27 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| JP2017068031A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | トッパン・フォームズ株式会社 | 情報表示媒体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4055802B2 (ja) | 2003-12-08 | 2008-03-05 | 和光純薬工業株式会社 | 自動分析装置用反応ディスク |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33749092A patent/JP3175362B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7525629B2 (en) | 1993-09-20 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising drive circuits that include thin film transistors formed on both substrates |
| US6236444B1 (en) | 1993-09-20 | 2001-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with drive circuits on both substrates |
| US6980275B1 (en) | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7667817B2 (en) | 1996-06-25 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US8334964B2 (en) | 1996-06-25 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7990514B2 (en) | 1996-06-25 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7142273B1 (en) * | 1996-06-25 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel with a laminating structure containing a semiconductor layer located under the seal |
| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7760316B2 (en) | 1997-03-27 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US7697102B2 (en) | 1997-03-27 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Contact structure |
| US9217901B2 (en) | 1997-03-27 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US8908138B2 (en) | 1997-03-27 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US7443478B2 (en) | 1997-03-27 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US7616273B2 (en) | 1997-03-27 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US6567147B1 (en) | 1997-03-27 | 2003-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7561242B2 (en) | 1997-03-27 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US6476901B2 (en) * | 1997-10-06 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display including interlayer insulating layer at peripheral sealing portion |
| KR100315209B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100315208B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-26 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| CN100416356C (zh) * | 2005-01-18 | 2008-09-03 | 日本电气株式会社 | 液晶显示屏板和液晶显示装置 |
| US7525618B2 (en) | 2005-01-18 | 2009-04-28 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device |
| JP2017068031A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | トッパン・フォームズ株式会社 | 情報表示媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3175362B2 (ja) | 2001-06-11 |
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|
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|
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