JPH06186590A - アクティブマトリクス型液晶表示パネル - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPH06186590A JPH06186590A JP34077892A JP34077892A JPH06186590A JP H06186590 A JPH06186590 A JP H06186590A JP 34077892 A JP34077892 A JP 34077892A JP 34077892 A JP34077892 A JP 34077892A JP H06186590 A JPH06186590 A JP H06186590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short
- circuit line
- liquid crystal
- line
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 短絡ラインを残すべく非線形素子を形成して
も製造工程の増加がなく、しかも非線形素子での不良発
生を抑制できるようにする。 【構成】 絶縁薄膜２０を挟んで重畳する短絡ライン１
６部分と配線１１、１２の端部部分とは、非線形素子と
して機能するＭＩＭ素子１７を構成する。上記ＭＩＭ素
子１７は、通常駆動電圧に対して駆動信号に影響を与え
ることのない高抵抗となる。一方、静電気等が発生する
高電圧に対しては小さい低抵抗となり、印加された静電
気の電荷を拡散させる。また、ＭＩＭ素子１７の絶縁薄
膜２０は、短絡ライン１６又は配線１１、１２を陽極酸
化法を適用して形成している。この陽極酸化法は、従来
より液晶表示パネルの製造工程中に用いられているの
で、新たな工程を追加する必要はない。
も製造工程の増加がなく、しかも非線形素子での不良発
生を抑制できるようにする。 【構成】 絶縁薄膜２０を挟んで重畳する短絡ライン１
６部分と配線１１、１２の端部部分とは、非線形素子と
して機能するＭＩＭ素子１７を構成する。上記ＭＩＭ素
子１７は、通常駆動電圧に対して駆動信号に影響を与え
ることのない高抵抗となる。一方、静電気等が発生する
高電圧に対しては小さい低抵抗となり、印加された静電
気の電荷を拡散させる。また、ＭＩＭ素子１７の絶縁薄
膜２０は、短絡ライン１６又は配線１１、１２を陽極酸
化法を適用して形成している。この陽極酸化法は、従来
より液晶表示パネルの製造工程中に用いられているの
で、新たな工程を追加する必要はない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、製造過程で生じる静電
気等により起こる破壊を防止することができる構成とし
たアクティブマトリクス型液晶表示パネルに関する。
気等により起こる破壊を防止することができる構成とし
たアクティブマトリクス型液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】上記アクティブマトリクス型液晶表示パ
ネルとして、従来、図３に示す等価回路を備えたものが
知られている。この液晶表示パネルは、表示媒体として
の液晶層を間に挟んで対向配設されたアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを有する。対向基板には、表示媒
体側のほぼ全面にわたって対向電極３９が形成されてい
る。一方のアクティブマトリクス基板には、走査配線と
してのゲートバスライン３１および信号配線としてのソ
ースバスライン３２が交差する状態に配線され、両バス
ライン３１と３２とで囲まれた領域には薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと称す）３３と画素電極３８とが配設さ
れている。
ネルとして、従来、図３に示す等価回路を備えたものが
知られている。この液晶表示パネルは、表示媒体として
の液晶層を間に挟んで対向配設されたアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを有する。対向基板には、表示媒
体側のほぼ全面にわたって対向電極３９が形成されてい
る。一方のアクティブマトリクス基板には、走査配線と
してのゲートバスライン３１および信号配線としてのソ
ースバスライン３２が交差する状態に配線され、両バス
ライン３１と３２とで囲まれた領域には薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと称す）３３と画素電極３８とが配設さ
れている。
【０００３】このＴＦＴ３３は、ゲートバスライン３
１、ソースバスライン３２及び画素電極３８に接続され
ており、ゲートバスライン３１を送られるゲート信号に
よりオン・オフ制御が行われ、オンのときにソースバス
ライン３２を介して入力されるソース信号を画素電極３
８に与える。この画素電極３８と、対向基板側に形成さ
れた上記対向電極３９とは、前記液晶層を挟んで対向
し、コンデンサとして機能する液晶セル３４を構成す
る。
１、ソースバスライン３２及び画素電極３８に接続され
ており、ゲートバスライン３１を送られるゲート信号に
よりオン・オフ制御が行われ、オンのときにソースバス
ライン３２を介して入力されるソース信号を画素電極３
８に与える。この画素電極３８と、対向基板側に形成さ
れた上記対向電極３９とは、前記液晶層を挟んで対向
し、コンデンサとして機能する液晶セル３４を構成す
る。
【０００４】上記ゲートバスライン３１及びソースバス
ライン３２の総ての端部には、短絡ライン３６が接続さ
れている。この短絡ライン３６は、液晶表示パネルを製
造する工程において発生する静電気によりＴＦＴ３３が
破壊するのを防止するために設けている。また、この短
絡ライン３６とゲートバスライン３１との間を接続し、
かつ短絡ライン３６とソースバスライン３２との間を接
続して、非線形素子３７が設けられている。この非線形
素子３７としては、従来、例えばＴＦＴなどの構成のも
のが用いられている。
ライン３２の総ての端部には、短絡ライン３６が接続さ
れている。この短絡ライン３６は、液晶表示パネルを製
造する工程において発生する静電気によりＴＦＴ３３が
破壊するのを防止するために設けている。また、この短
絡ライン３６とゲートバスライン３１との間を接続し、
かつ短絡ライン３６とソースバスライン３２との間を接
続して、非線形素子３７が設けられている。この非線形
素子３７としては、従来、例えばＴＦＴなどの構成のも
のが用いられている。
【０００５】なお、非線形素子３７を設けた理由は、以
下の通りである。即ち、短絡ライン３６は、一般的に液
晶表示パネルの製造が完成すると、アクティブマトリク
ス基板の端部を欠落させることにより除去される。しか
し、本従来例では、完成された液晶表示パネルを使用し
て行われる、その後の組み立て工程での静電気対策を可
能とすべく、非線形素子３７を設けるようにしている。
また、この非線形素子３７の存在により、液晶表示パネ
ルの完成品に短絡ライン３６を残した状態でも組み立て
工程を行うことが可能となっている。
下の通りである。即ち、短絡ライン３６は、一般的に液
晶表示パネルの製造が完成すると、アクティブマトリク
ス基板の端部を欠落させることにより除去される。しか
し、本従来例では、完成された液晶表示パネルを使用し
て行われる、その後の組み立て工程での静電気対策を可
能とすべく、非線形素子３７を設けるようにしている。
また、この非線形素子３７の存在により、液晶表示パネ
ルの完成品に短絡ライン３６を残した状態でも組み立て
工程を行うことが可能となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記短絡ライン３６を
残した液晶表示パネルは、静電気破壊の防止対策として
有効である。しかしながら、非線形素子３７は、上述し
たようにＴＦＴなどの構成のものが用いられているの
で、スルーホールを形成させるなどの理由により製造工
程の複雑化や、非線形素子３７部分でのリーク不良の発
生等が招来されるという問題点があった。
残した液晶表示パネルは、静電気破壊の防止対策として
有効である。しかしながら、非線形素子３７は、上述し
たようにＴＦＴなどの構成のものが用いられているの
で、スルーホールを形成させるなどの理由により製造工
程の複雑化や、非線形素子３７部分でのリーク不良の発
生等が招来されるという問題点があった。
【０００７】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、短絡ラインを残すべく非
線形素子を形成しても製造工程の増加がなく、しかも非
線形素子での不良発生を抑制できるアクティブマトリク
ス型液晶表示パネルを提供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、短絡ラインを残すべく非
線形素子を形成しても製造工程の増加がなく、しかも非
線形素子での不良発生を抑制できるアクティブマトリク
ス型液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
は、液晶層を間に挟んで対向配設された一対の絶縁性基
板の一方の基板が、その内面に複数の走査配線と複数の
信号配線とが相互に交差する状態に形成され、両配線の
各交差部近傍部分に接続したスイッチング素子が画素電
極に接続された構成となっており、他方の基板がその内
面に該画素電極と向かい合って対向電極が形成された構
成となっているアクティブマトリクス型液晶表示パネル
において、該走査配線の端部及び該信号配線の端部に、
一部を重畳して導電材料からなる短絡ラインが配線さ
れ、短絡ラインと走査配線端部とが重畳する部分に、該
走査配線端部又は短絡ラインを陽極酸化してなる絶縁薄
膜が該短絡ラインと該走査配線端部との間に形成され、
短絡ラインと信号配線端部とが重畳する部分に、該信号
配線端部又は短絡ラインを陽極酸化してなる絶縁薄膜が
該短絡ラインと該信号配線端部との間に形成されている
ので、そのことにより上記目的が達成される。
は、液晶層を間に挟んで対向配設された一対の絶縁性基
板の一方の基板が、その内面に複数の走査配線と複数の
信号配線とが相互に交差する状態に形成され、両配線の
各交差部近傍部分に接続したスイッチング素子が画素電
極に接続された構成となっており、他方の基板がその内
面に該画素電極と向かい合って対向電極が形成された構
成となっているアクティブマトリクス型液晶表示パネル
において、該走査配線の端部及び該信号配線の端部に、
一部を重畳して導電材料からなる短絡ラインが配線さ
れ、短絡ラインと走査配線端部とが重畳する部分に、該
走査配線端部又は短絡ラインを陽極酸化してなる絶縁薄
膜が該短絡ラインと該走査配線端部との間に形成され、
短絡ラインと信号配線端部とが重畳する部分に、該信号
配線端部又は短絡ラインを陽極酸化してなる絶縁薄膜が
該短絡ラインと該信号配線端部との間に形成されている
ので、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】
【作用】絶縁薄膜を挟んで重畳する短絡ライン部分と走
査配線端部部分とは、非線形素子として機能する、金属
−絶縁膜−金属の３層構造をしたＭＩＭ素子を構成す
る。また、絶縁薄膜を挟んで重畳する短絡ライン部分と
信号配線端部部分とは、非線形素子として機能するＭＩ
Ｍ素子を構成する。
査配線端部部分とは、非線形素子として機能する、金属
−絶縁膜−金属の３層構造をしたＭＩＭ素子を構成す
る。また、絶縁薄膜を挟んで重畳する短絡ライン部分と
信号配線端部部分とは、非線形素子として機能するＭＩ
Ｍ素子を構成する。
【００１０】上記ＭＩＭ素子は、通常駆動電圧である３
０Ｖ程度以下の電圧印加に対して、駆動信号に影響を与
えることのない抵抗値、例えば１ＭΩ程度以上の高抵抗
となる。一方、静電気等により発生する１００Ｖ程度以
上の高電圧に対しては、例えば数１００ｋΩ程度より小
さい低抵抗となり、印加された静電気の電荷を拡散させ
る。
０Ｖ程度以下の電圧印加に対して、駆動信号に影響を与
えることのない抵抗値、例えば１ＭΩ程度以上の高抵抗
となる。一方、静電気等により発生する１００Ｖ程度以
上の高電圧に対しては、例えば数１００ｋΩ程度より小
さい低抵抗となり、印加された静電気の電荷を拡散させ
る。
【００１１】よって、この短絡ラインは、通常の駆動時
の表示特性に影響を与えないため、パネル完成品に付加
することができ、パネル完成以降の組み立て工程での静
電気対策として効果がある。
の表示特性に影響を与えないため、パネル完成品に付加
することができ、パネル完成以降の組み立て工程での静
電気対策として効果がある。
【００１２】また、ＭＩＭ素子の絶縁薄膜は、この絶縁
薄膜を結果的に挟む、短絡ラインと配線とのうちの一方
を陽極酸化法を適用して形成している。陽極酸化法は、
走査配線と信号配線との交差部やＴＦＴ部で発生する短
絡不良を防止すべく、従来より液晶表示パネルの製造工
程中に用いられているので、ＭＩＭ素子を形成するため
に新たな製造工程を追加する必要はない。
薄膜を結果的に挟む、短絡ラインと配線とのうちの一方
を陽極酸化法を適用して形成している。陽極酸化法は、
走査配線と信号配線との交差部やＴＦＴ部で発生する短
絡不良を防止すべく、従来より液晶表示パネルの製造工
程中に用いられているので、ＭＩＭ素子を形成するため
に新たな製造工程を追加する必要はない。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。
【００１４】図１は、本実施例のアクティブマトリクス
型液晶表示パネルを示す。この液晶表示パネルは、表示
媒体としての液晶層を間に挟んで対向配設されたアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを有する。対向基板に
は、表示媒体側のほぼ全面にわたって対向電極１９が形
成されている。一方のアクティブマトリクス基板には、
ベースとなる絶縁性基板（図２における１０）の上に、
走査配線としてのゲートバスライン１１および信号配線
としてのソースバスライン１２が交差する状態に配線さ
れ、両バスライン１１と１２とで囲まれた領域にはＴＦ
Ｔ１３と画素電極１８とが配設されている。
型液晶表示パネルを示す。この液晶表示パネルは、表示
媒体としての液晶層を間に挟んで対向配設されたアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを有する。対向基板に
は、表示媒体側のほぼ全面にわたって対向電極１９が形
成されている。一方のアクティブマトリクス基板には、
ベースとなる絶縁性基板（図２における１０）の上に、
走査配線としてのゲートバスライン１１および信号配線
としてのソースバスライン１２が交差する状態に配線さ
れ、両バスライン１１と１２とで囲まれた領域にはＴＦ
Ｔ１３と画素電極１８とが配設されている。
【００１５】上記ＴＦＴ１３は、ゲートバスライン１
１、ソースバスライン１２及び画素電極１８に接続され
ており、ゲートバスライン１１を送られるゲート信号に
よりオン・オフ制御が行われ、オンのときにソースバス
ライン１２を介して入力されるソース信号を画素電極１
８に与える。この画素電極１８と、対向基板側に形成さ
れた上記対向電極１９とは、前記液晶層を挟んで対向
し、コンデンサとして機能する液晶セル１４を構成す
る。
１、ソースバスライン１２及び画素電極１８に接続され
ており、ゲートバスライン１１を送られるゲート信号に
よりオン・オフ制御が行われ、オンのときにソースバス
ライン１２を介して入力されるソース信号を画素電極１
８に与える。この画素電極１８と、対向基板側に形成さ
れた上記対向電極１９とは、前記液晶層を挟んで対向
し、コンデンサとして機能する液晶セル１４を構成す
る。
【００１６】上記ゲートバスライン１１及びソースバス
ライン１２の総ての端部には、この総ての端部と一部を
重畳して短絡ライン１６が形成されている。この短絡ラ
イン１６は、液晶表示パネルを製造する工程において発
生する静電気によりＴＦＴ１３が破壊するのを防止する
ために設けている。また、この短絡ライン１６とゲート
バスライン１１とを接続し、かつ短絡ライン１６とソー
スバスライン１２とを接続して、非線形素子として機能
するＭＩＭ素子１７が設けられている。
ライン１２の総ての端部には、この総ての端部と一部を
重畳して短絡ライン１６が形成されている。この短絡ラ
イン１６は、液晶表示パネルを製造する工程において発
生する静電気によりＴＦＴ１３が破壊するのを防止する
ために設けている。また、この短絡ライン１６とゲート
バスライン１１とを接続し、かつ短絡ライン１６とソー
スバスライン１２とを接続して、非線形素子として機能
するＭＩＭ素子１７が設けられている。
【００１７】図２は、ＭＩＭ素子１７の近傍部分を示す
断面図である。このＭＩＭ素子１７は、前記絶縁性基板
１０の上に配線されたゲートバスライン１１（又はソー
スバスライン１２）と短絡ライン１６との交差部に、ゲ
ートバスライン１１（又はソースバスライン１２）と短
絡ライン１６とで挟まれて絶縁薄膜２０が形成された構
造となっている。
断面図である。このＭＩＭ素子１７は、前記絶縁性基板
１０の上に配線されたゲートバスライン１１（又はソー
スバスライン１２）と短絡ライン１６との交差部に、ゲ
ートバスライン１１（又はソースバスライン１２）と短
絡ライン１６とで挟まれて絶縁薄膜２０が形成された構
造となっている。
【００１８】実際のアクティブマトリクス基板は、短絡
ライン１６より下側に存在するゲートバスライン１１及
びソースバスライン１２の材料にＴａを使用し、短絡ラ
イン１６と重畳するその表面部分に陽極酸化法で陽極酸
化を行う。これにより、短絡ライン１６と重畳するゲー
トバスライン１１部分及びソースバスライン１２部分の
上にＴａ酸化膜からなる絶縁薄膜２０を形成し、この絶
縁薄膜２０の上をＴｉからなる短絡ライン１６がその一
部で覆った状態に形成されている。なお、陽極酸化は、
ゲートバスライン１１及びソースバスライン１２に対
し、部分的に行う必要はなく、全面に行ってもよい。
ライン１６より下側に存在するゲートバスライン１１及
びソースバスライン１２の材料にＴａを使用し、短絡ラ
イン１６と重畳するその表面部分に陽極酸化法で陽極酸
化を行う。これにより、短絡ライン１６と重畳するゲー
トバスライン１１部分及びソースバスライン１２部分の
上にＴａ酸化膜からなる絶縁薄膜２０を形成し、この絶
縁薄膜２０の上をＴｉからなる短絡ライン１６がその一
部で覆った状態に形成されている。なお、陽極酸化は、
ゲートバスライン１１及びソースバスライン１２に対
し、部分的に行う必要はなく、全面に行ってもよい。
【００１９】かかる構成のＭＩＭ素子１７は、通常駆動
電圧である３０Ｖ程度以下の電圧印加に対して、駆動信
号に影響を与えることのない抵抗値、例えば１ＭΩ程度
以上の高抵抗となる。一方、静電気等により発生する１
００Ｖ程度以上の高電圧に対しては、例えば数１００ｋ
Ω程度より小さい低抵抗となり、印加された静電気の電
荷を拡散させる。即ち、ＭＩＭ素子１７は非線形素子と
して機能する。
電圧である３０Ｖ程度以下の電圧印加に対して、駆動信
号に影響を与えることのない抵抗値、例えば１ＭΩ程度
以上の高抵抗となる。一方、静電気等により発生する１
００Ｖ程度以上の高電圧に対しては、例えば数１００ｋ
Ω程度より小さい低抵抗となり、印加された静電気の電
荷を拡散させる。即ち、ＭＩＭ素子１７は非線形素子と
して機能する。
【００２０】したがって、本発明による場合には、この
ようなＭＩＭ素子１７と短絡ライン１６とを形成し、パ
ネル完成品の状態でも付加させておくと、静電気により
ゲートバスライン１１とソースバスライン１２との間に
高電圧が生じた場合、短絡ライン１６のＭＩＭ素子１７
は低抵抗となり、高電圧が印加されるゲートバスライン
１１及びソースバスライン１２と短絡ライン１６の間が
低抵抗で接続された状態となる。この結果、ゲートバス
ライン１１又はソースバスライン１２を介して印加され
た静電気の電荷は、低抵抗となったＭＩＭ素子１７を介
して短絡ライン１６側に拡散していくため、静電気によ
り液晶表示パネルが破壊するのを防止することができ
る。逆に、通常の駆動時には、ＭＩＭ素子１７が高抵抗
となって表示特性に影響を与えないため、短絡ライン１
６をパネル完成品に付加することができる。また、上述
する短絡ライン１６及びＭＩＭ素子１７を備えた液晶表
示パネルにおいては、パネル完成以降の組み立て工程で
の静電気対策として効果がある。
ようなＭＩＭ素子１７と短絡ライン１６とを形成し、パ
ネル完成品の状態でも付加させておくと、静電気により
ゲートバスライン１１とソースバスライン１２との間に
高電圧が生じた場合、短絡ライン１６のＭＩＭ素子１７
は低抵抗となり、高電圧が印加されるゲートバスライン
１１及びソースバスライン１２と短絡ライン１６の間が
低抵抗で接続された状態となる。この結果、ゲートバス
ライン１１又はソースバスライン１２を介して印加され
た静電気の電荷は、低抵抗となったＭＩＭ素子１７を介
して短絡ライン１６側に拡散していくため、静電気によ
り液晶表示パネルが破壊するのを防止することができ
る。逆に、通常の駆動時には、ＭＩＭ素子１７が高抵抗
となって表示特性に影響を与えないため、短絡ライン１
６をパネル完成品に付加することができる。また、上述
する短絡ライン１６及びＭＩＭ素子１７を備えた液晶表
示パネルにおいては、パネル完成以降の組み立て工程で
の静電気対策として効果がある。
【００２１】また、ＭＩＭ素子１７の絶縁薄膜は、陽極
酸化法を適用して形成されているので、ピンホールが少
なく均一性の高いものとなっている。この陽極酸化法
は、ゲートバスライン１１とソースバスライン１２との
交差部やＴＦＴ１３で発生する短絡不良を防止するため
の絶縁薄膜の形成に、従来より用いられていることか
ら、ＭＩＭ素子１７を形成するために新たな製造工程を
追加する必要はない。更に、ＭＩＭ素子１７の構造が簡
単であるので、欠陥発生の少ない短絡ライン１６の形成
が可能となる。
酸化法を適用して形成されているので、ピンホールが少
なく均一性の高いものとなっている。この陽極酸化法
は、ゲートバスライン１１とソースバスライン１２との
交差部やＴＦＴ１３で発生する短絡不良を防止するため
の絶縁薄膜の形成に、従来より用いられていることか
ら、ＭＩＭ素子１７を形成するために新たな製造工程を
追加する必要はない。更に、ＭＩＭ素子１７の構造が簡
単であるので、欠陥発生の少ない短絡ライン１６の形成
が可能となる。
【００２２】本実施例ではゲートバスライン１１及びソ
ースバスライン１２を陽極酸化してＭＩＭ素子１７を形
成しているが、本発明はこれに限らず、短絡ライン１６
を陽極酸化させ、短絡ライン１６上にゲートバスライン
１１及びソースバスライン１２を形成しても良い。ま
た、ＭＩＭ素子１７の形状については、本実施例と異な
っても良い。
ースバスライン１２を陽極酸化してＭＩＭ素子１７を形
成しているが、本発明はこれに限らず、短絡ライン１６
を陽極酸化させ、短絡ライン１６上にゲートバスライン
１１及びソースバスライン１２を形成しても良い。ま
た、ＭＩＭ素子１７の形状については、本実施例と異な
っても良い。
【００２３】上記実施例ではゲートバスライン１１及び
ソースバスライン１２の材料にＴａを使用しているが、
本発明はＴａに限定するものではない。また、ゲートバ
スライン１１とソースバスライン１２とで、材料が異な
ってもよい。一方の短絡ライン１６の材料にＴｉを使用
しているが、本発明はＴｉに限定するものではない。但
し、ゲートバスライン１１とソースバスライン１２との
材料、及び短絡ライン１６の材料は、ＭＩＭ素子１７と
しての機能を有効に確保できるもの同士が好ましい。
ソースバスライン１２の材料にＴａを使用しているが、
本発明はＴａに限定するものではない。また、ゲートバ
スライン１１とソースバスライン１２とで、材料が異な
ってもよい。一方の短絡ライン１６の材料にＴｉを使用
しているが、本発明はＴｉに限定するものではない。但
し、ゲートバスライン１１とソースバスライン１２との
材料、及び短絡ライン１６の材料は、ＭＩＭ素子１７と
しての機能を有効に確保できるもの同士が好ましい。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、液晶表示パネルの製造工程及び液晶表示パネルが
完成した後の組み立て工程においても、製造過程で発生
する静電気によるライン欠陥等の不良発生を防止するこ
とが可能となる。更に、短絡ラインとゲートバスライン
及びソースバスラインを接続させる非線形素子として、
ピンホールが少なく均一性の高い絶縁薄膜形成が可能で
ある陽極酸化法を用いてＭＩＭ素子を形成するので、製
造工程を増やすことなく短絡ラインを容易に、かつ不良
発生を防止して形成することが可能となり、液晶表示パ
ネルの良品率向上が達成され得る。
には、液晶表示パネルの製造工程及び液晶表示パネルが
完成した後の組み立て工程においても、製造過程で発生
する静電気によるライン欠陥等の不良発生を防止するこ
とが可能となる。更に、短絡ラインとゲートバスライン
及びソースバスラインを接続させる非線形素子として、
ピンホールが少なく均一性の高い絶縁薄膜形成が可能で
ある陽極酸化法を用いてＭＩＭ素子を形成するので、製
造工程を増やすことなく短絡ラインを容易に、かつ不良
発生を防止して形成することが可能となり、液晶表示パ
ネルの良品率向上が達成され得る。
【図１】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
パネルを模式的に示す図。
パネルを模式的に示す図。
【図２】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
パネルに備わったＭＩＭ素子を示す断面図。
パネルに備わったＭＩＭ素子を示す断面図。
【図３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示パネル
を模式的に示す図。
を模式的に示す図。
１０ 絶縁性基板 １１、３１ ゲートバスライン １２、３２ ソースバスライン １３、３３ ＴＦＴ １４、３４ 液晶セル １６、３６ 短絡ライン １７ ＭＩＭ素子 １８、３８ 画素電極 １９、３９ 対向電極 ２０ 絶縁薄膜 ３７ 非線形素子
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶層を間に挟んで対向配設された一対
の絶縁性基板の一方の基板が、その内面に複数の走査配
線と複数の信号配線とが相互に交差する状態に形成さ
れ、両配線の各交差部近傍部分に接続したスイッチング
素子が画素電極に接続された構成となっており、他方の
基板がその内面に該画素電極と向かい合って対向電極が
形成された構成となっているアクティブマトリクス型液
晶表示パネルにおいて、 該走査配線の端部及び該信号配線の端部に、一部を重畳
して導電材料からなる短絡ラインが配線され、短絡ライ
ンと走査配線端部とが重畳する部分に、該走査配線端部
又は短絡ラインを陽極酸化してなる絶縁薄膜が該短絡ラ
インと該走査配線端部との間に形成され、短絡ラインと
信号配線端部とが重畳する部分に、該信号配線端部又は
短絡ラインを陽極酸化してなる絶縁薄膜が該短絡ライン
と該信号配線端部との間に形成されているアクティブマ
トリクス型液晶表示パネル。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34077892A JPH06186590A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | アクティブマトリクス型液晶表示パネル |
| TW082110752A TW230250B (ja) | 1992-12-21 | 1993-12-18 | |
| KR1019930028817A KR0140971B1 (ko) | 1992-12-21 | 1993-12-21 | 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이 패널 및 제조 방법 |
| EP93310377A EP0605176B1 (en) | 1992-12-21 | 1993-12-21 | An active matrix type liquid crystal display panel and a method for producing the same |
| US08/171,235 US5471329A (en) | 1992-12-21 | 1993-12-21 | Active matrix type liquid crystal display panel and a method for producing the same, having a construction capable of preventing breakdown of the switching elements or deterioration due to static electricity |
| DE69326132T DE69326132T2 (de) | 1992-12-21 | 1993-12-21 | Flüssigkristall-Anzeigetafel mit aktiver Matrix und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34077892A JPH06186590A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | アクティブマトリクス型液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186590A true JPH06186590A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18340212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34077892A Pending JPH06186590A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | アクティブマトリクス型液晶表示パネル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5471329A (ja) |
| EP (1) | EP0605176B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06186590A (ja) |
| KR (1) | KR0140971B1 (ja) |
| DE (1) | DE69326132T2 (ja) |
| TW (1) | TW230250B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346218C (zh) * | 2002-08-27 | 2007-10-31 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2789293B2 (ja) * | 1993-07-14 | 1998-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置作製方法 |
| US5822026A (en) * | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
| JPH0822024A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス基板およびその製法 |
| US5657139A (en) * | 1994-09-30 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate for a flat-display device including surge protection circuits and short circuit line or lines |
| JP2715936B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置とその製造方法 |
| JPH08179351A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板 |
| KR100359794B1 (ko) * | 1995-07-11 | 2003-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의리페어구조및이의형성방법 |
| JPH10268794A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 表示パネル |
| KR100841631B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2008-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 잔류전하를 제거하는 액정표시장치 |
| US7217591B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-05-15 | Perkinelmer, Inc. | Method and process intermediate for electrostatic discharge protection in flat panel imaging detectors |
| JP4758684B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子および電子機器 |
| KR102000738B1 (ko) | 2013-01-28 | 2019-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전기 방지 회로 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR101690199B1 (ko) | 2015-04-14 | 2017-01-09 | 유철권 | 제연설비 통합 관리시스템 및 그 제어방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258226A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-13 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
| JPH02137366A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | ダイオード型アクティブマトリクス基板 |
| JP2764139B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-06-11 | ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
| DE69032893T2 (de) * | 1989-11-30 | 1999-07-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa | Werkstoff für elektrische Leiter, Elektronikagerät welches diesen verwendet und Flüssig-Kristall-Anzeige |
| US5313319A (en) * | 1992-06-17 | 1994-05-17 | General Electric Company | Active array static protection devices |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP34077892A patent/JPH06186590A/ja active Pending
-
1993
- 1993-12-18 TW TW082110752A patent/TW230250B/zh active
- 1993-12-21 KR KR1019930028817A patent/KR0140971B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-21 EP EP93310377A patent/EP0605176B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-21 US US08/171,235 patent/US5471329A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-21 DE DE69326132T patent/DE69326132T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346218C (zh) * | 2002-08-27 | 2007-10-31 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69326132T2 (de) | 2000-01-05 |
| EP0605176A1 (en) | 1994-07-06 |
| DE69326132D1 (de) | 1999-09-30 |
| TW230250B (ja) | 1994-09-11 |
| EP0605176B1 (en) | 1999-08-25 |
| KR940015630A (ko) | 1994-07-21 |
| US5471329A (en) | 1995-11-28 |
| KR0140971B1 (ko) | 1998-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1332246C (zh) | 显示板 | |
| JP3418653B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH06186590A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示パネル | |
| JPH0816756B2 (ja) | 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| JP2001343666A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPS63279228A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3066569B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3310615B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置および画素欠陥修正方法 | |
| JP3343739B2 (ja) | 液晶表示装置、及びアクテイブ素子基板 | |
| JPWO1997034190A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH07175075A (ja) | アクティブマトリックス型液晶パネル | |
| JP2760459B2 (ja) | アクティブマトリクス型基板 | |
| JP2870016B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JPH02118515A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3418684B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH02124538A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP3418683B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH1068962A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH08179367A (ja) | アクティブマトリックス型液晶パネル | |
| JP3272137B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3202804B2 (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| JP2000082817A (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 | |
| JPH09179134A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2001174845A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH10307298A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010313 |