JPH06188643A - 高周波低雑音増幅器 - Google Patents
高周波低雑音増幅器Info
- Publication number
- JPH06188643A JPH06188643A JP28263392A JP28263392A JPH06188643A JP H06188643 A JPH06188643 A JP H06188643A JP 28263392 A JP28263392 A JP 28263392A JP 28263392 A JP28263392 A JP 28263392A JP H06188643 A JPH06188643 A JP H06188643A
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- JP
- Japan
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- band
- fet
- resistor
- noise amplifier
- capacitor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】トランジレヨン周波数の高い高周波低雑音増幅
器の特に帯域外の異常発振を防止する回路を提供する。
この回路により雑音指数を劣化させることなく増幅用デ
バイスの安定化指数を改善できる。 【構成】増幅用デバイスであるＦＥＴ４のゲート側をコ
ンデンサ１、コイル２、抵抗３の直列共振回路を介して
接地端子に接続する。
器の特に帯域外の異常発振を防止する回路を提供する。
この回路により雑音指数を劣化させることなく増幅用デ
バイスの安定化指数を改善できる。 【構成】増幅用デバイスであるＦＥＴ４のゲート側をコ
ンデンサ１、コイル２、抵抗３の直列共振回路を介して
接地端子に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波低雑音増幅器に関
し、特に増幅用デバイスにトランジッション周波数（ｆ
ｔ）の高い電界効果トランジスタを用いた場合でも、安
定な増幅特性が得られる高周波低雑音増幅器に関する。
し、特に増幅用デバイスにトランジッション周波数（ｆ
ｔ）の高い電界効果トランジスタを用いた場合でも、安
定な増幅特性が得られる高周波低雑音増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高周波低雑音増幅器は図
２に示される様に、入力端子５から入力される受信信号
がコンデンサ７を経由して電界効果トランジスタ４のゲ
ートＧに供給される。ここでハイインピーダンス線路
９、コンデンサ１１、ゲート電圧端子１３はＦＥＴ４に
ゲート電圧を供給する回路である。また、ハイインピー
ダンス線路１０、コンデンサ１２、ドレイン電圧用端子
１４はＦＥＴ４にドレイン電圧を供給する回路である。
インダクタンス１５は後述するＦＥＴ４の安定指数改善
用のコイルである。受信信号はＦＥＴ４により増幅され
て、コンデンサ８を介して出力端子６に増幅された出力
が得られる。次にインダクタンス１５の機能を図３の特
性図により説明する。インダクタンス１５は使用周波数
の帯域内でＦＥＴの安定化指数Ｋを改善するために、Ｆ
ＥＴのソース電極をインダクタンス１５を介し接地して
いる。図３はインダクタンス１５がある場合と、ない場
合のＦＥＴ４の安定化指数Ｋの周波数特性を示す。イン
ダクタンス１５なしの高ＦｔのＦＥＴの安定化指数Ｋを
点線とし使用帯域を２ＧＨｚ帯とすると、Ｋ＜１となる
ので不安定状態となり、帯域内での異常発振が起こりや
すくなる。インダクタンス１５を入れることにより、帯
域内での安定化指数を実線のように改善することができ
る。
２に示される様に、入力端子５から入力される受信信号
がコンデンサ７を経由して電界効果トランジスタ４のゲ
ートＧに供給される。ここでハイインピーダンス線路
９、コンデンサ１１、ゲート電圧端子１３はＦＥＴ４に
ゲート電圧を供給する回路である。また、ハイインピー
ダンス線路１０、コンデンサ１２、ドレイン電圧用端子
１４はＦＥＴ４にドレイン電圧を供給する回路である。
インダクタンス１５は後述するＦＥＴ４の安定指数改善
用のコイルである。受信信号はＦＥＴ４により増幅され
て、コンデンサ８を介して出力端子６に増幅された出力
が得られる。次にインダクタンス１５の機能を図３の特
性図により説明する。インダクタンス１５は使用周波数
の帯域内でＦＥＴの安定化指数Ｋを改善するために、Ｆ
ＥＴのソース電極をインダクタンス１５を介し接地して
いる。図３はインダクタンス１５がある場合と、ない場
合のＦＥＴ４の安定化指数Ｋの周波数特性を示す。イン
ダクタンス１５なしの高ＦｔのＦＥＴの安定化指数Ｋを
点線とし使用帯域を２ＧＨｚ帯とすると、Ｋ＜１となる
ので不安定状態となり、帯域内での異常発振が起こりや
すくなる。インダクタンス１５を入れることにより、帯
域内での安定化指数を実線のように改善することができ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の高周波低雑
音増幅器は、帯域内ではＫ＞１となるのでＦＥＴは安定
に動作する。しかしながら帯域外ではソースのインダク
タンスによりＫ＜１となるので、その周波数帯になんら
かの利得がある場合に異常発振が起こる欠点があった。
この帯域外の異常発振を止める方法として電波吸収体を
ＦＥＴのゲートドレイン部のリードに固着する方法があ
るが、この方法では設計性及び作業性が悪く、かつ帯域
内の利得も低下するという欠点があった。
音増幅器は、帯域内ではＫ＞１となるのでＦＥＴは安定
に動作する。しかしながら帯域外ではソースのインダク
タンスによりＫ＜１となるので、その周波数帯になんら
かの利得がある場合に異常発振が起こる欠点があった。
この帯域外の異常発振を止める方法として電波吸収体を
ＦＥＴのゲートドレイン部のリードに固着する方法があ
るが、この方法では設計性及び作業性が悪く、かつ帯域
内の利得も低下するという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波低雑音増
幅器は、高周波増幅用半導体素子のソースと接地間にイ
ンダクタンスを有する高周波低雑音増幅器において、前
記半導体素子のゲート側をコンデンサとコイルと抵抗と
からなる直列共振回路を介し接地することを特徴とす
る。
幅器は、高周波増幅用半導体素子のソースと接地間にイ
ンダクタンスを有する高周波低雑音増幅器において、前
記半導体素子のゲート側をコンデンサとコイルと抵抗と
からなる直列共振回路を介し接地することを特徴とす
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の回路図である。図１にお
いて図２の従来例と同一の符号は同一の機能を有する。
すなわち、本実施例ではＦＥＴ４のゲートと接地間にコ
ンデンサ１、コイル２、抵抗３を直列接続している。
る。図１は本発明の一実施例の回路図である。図１にお
いて図２の従来例と同一の符号は同一の機能を有する。
すなわち、本実施例ではＦＥＴ４のゲートと接地間にコ
ンデンサ１、コイル２、抵抗３を直列接続している。
【０００６】次に本実施例の動作を説明する。前述のよ
うにＦＥＴ４のソースをインダクタンス１５を介して接
地することにより帯域内での異常発振を防いでいる。こ
こで、コンデンサ１、コイル２、抵抗３は直列共振回路
を構成し、主に帯域外でＫ＜１となる場合の利得を抵抗
３で減衰させ帯域外の異常発振を防止している。帯域内
ではコンデンサ１のインピーダンスが非常に高くなるよ
うな値にすることで抵抗３の抵抗分を相殺している。
うにＦＥＴ４のソースをインダクタンス１５を介して接
地することにより帯域内での異常発振を防いでいる。こ
こで、コンデンサ１、コイル２、抵抗３は直列共振回路
を構成し、主に帯域外でＫ＜１となる場合の利得を抵抗
３で減衰させ帯域外の異常発振を防止している。帯域内
ではコンデンサ１のインピーダンスが非常に高くなるよ
うな値にすることで抵抗３の抵抗分を相殺している。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＦＥＴの
入力側に帯域外の利得を減衰させる直列共振回路を接地
端子との間に構成することにより、雑音指数を悪化させ
ることなく、また利得を失うことなく安定にＦＥＴを動
作させることができる効果を有する。
入力側に帯域外の利得を減衰させる直列共振回路を接地
端子との間に構成することにより、雑音指数を悪化させ
ることなく、また利得を失うことなく安定にＦＥＴを動
作させることができる効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】従来の高周波低雑音増幅器の回路図である。
【図３】従来のＦＥＴのソース端子のインダクタンスと
安定化指数との関係を示す特性図である。
安定化指数との関係を示す特性図である。
１，７，８，１１，１２ コンデンサ ２ コイル ３ 抵抗 ４ ＦＥＴ ５ 入力端子 ６ 出力端子 ９〜１０ ハイインピーダンス線路 １３ ゲート電圧用端子 １４ ドレイン電圧用端子 １５ インダクタンス
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波増幅用半導体素子のソースと接地
間にインダクタンスを有する高周波低雑音増幅器におい
て、前記半導体素子のゲート側をコンデンサとコイルと
抵抗とからなる直列共振回路を介し接地することを特徴
とする高周波低雑音増幅器。 - 【請求項２】 前記半導体素子が電界効果トランジスタ
であることを特徴とする請求項１記載の高周波低雑音増
幅器。 - 【請求項３】 前記直列共振回路の抵抗が使用周波数帯
域外で増幅器の利得を減衰させるように作用し、前記直
列共振回路のコンデンサが使用周波数帯域内で前記抵抗
よりハイインピーダンスとなるように作用することを特
徴とする請求項１記載の高周波低雑音増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28263392A JPH06188643A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 高周波低雑音増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28263392A JPH06188643A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 高周波低雑音増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188643A true JPH06188643A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=17655062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28263392A Pending JPH06188643A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 高周波低雑音増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188643A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09205329A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Eng Ltd | 低雑音増幅器 |
| WO2001003290A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| JP2005064747A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波増幅器 |
| JP2007329618A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fujitsu Ltd | 増幅器 |
| JP2008211477A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
| JP2010081249A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 安定化回路および安定化回路を備える半導体装置 |
| JP2011199338A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | New Japan Radio Co Ltd | 増幅器 |
| WO2017169645A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置 |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP28263392A patent/JPH06188643A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09205329A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Eng Ltd | 低雑音増幅器 |
| WO2001003290A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| US6310517B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| JP2005064747A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波増幅器 |
| JP2007329618A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fujitsu Ltd | 増幅器 |
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| US8427248B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stabilization network and a semiconductor device having the stabilization network |
| JP2011199338A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | New Japan Radio Co Ltd | 増幅器 |
| WO2017169645A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置 |
| CN109075751A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-12-21 | 株式会社村田制作所 | 高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置 |
| US10389310B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency signal amplifier circuit, power amplifier module, front-end circuit, and communication device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010424 |