JPH06189171A - 撮像管の電子ビーム制御方法 - Google Patents
撮像管の電子ビーム制御方法Info
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- JPH06189171A JPH06189171A JP43A JP35509192A JPH06189171A JP H06189171 A JPH06189171 A JP H06189171A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 35509192 A JP35509192 A JP 35509192A JP H06189171 A JPH06189171 A JP H06189171A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高感度ではあるが、入射光量が多いと画面
左端の信号出力の立上りが低下するアバランシェ増倍型
（以下、ＡＰＤと称す）撮像管を用いた高感度テレビジ
ョンカメラの自動ビーム最適制御（以下、ＡＢＯと称
す）の画面左端の立上り低下を改善し、調整時間の短縮
とＡＰＤ撮像管の歩留まりの向上を目的とする。 【構成】 ＡＰＤ撮像管を用いた高感度テレビジョンカ
メラにおいて、システムブランキングの内側でベースビ
ーム量が増加し、システムブランキングの外側には過渡
現象が生じない様に、撮像管の抑制電極にカソードブラ
ンキングパルスの微分波形を印加する構成としたもの
で、超高感度ではあるが、入射光量が多いと画面左端の
映像信号出力の立上りが低下するＡＰＤ撮像管を用いて
も、システムブランキングが３．７７μｓと短いハイビ
ジョン方式でも、同一画面内の輝度の範囲が広い条件で
も撮影可能な、小形のテレビジョンカメラが実現でき
る。
左端の信号出力の立上りが低下するアバランシェ増倍型
（以下、ＡＰＤと称す）撮像管を用いた高感度テレビジ
ョンカメラの自動ビーム最適制御（以下、ＡＢＯと称
す）の画面左端の立上り低下を改善し、調整時間の短縮
とＡＰＤ撮像管の歩留まりの向上を目的とする。 【構成】 ＡＰＤ撮像管を用いた高感度テレビジョンカ
メラにおいて、システムブランキングの内側でベースビ
ーム量が増加し、システムブランキングの外側には過渡
現象が生じない様に、撮像管の抑制電極にカソードブラ
ンキングパルスの微分波形を印加する構成としたもの
で、超高感度ではあるが、入射光量が多いと画面左端の
映像信号出力の立上りが低下するＡＰＤ撮像管を用いて
も、システムブランキングが３．７７μｓと短いハイビ
ジョン方式でも、同一画面内の輝度の範囲が広い条件で
も撮影可能な、小形のテレビジョンカメラが実現でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、撮像管を用いたテレビ
ジョンカメラの大光量入射時の特性の改良に関するもの
である。
ジョンカメラの大光量入射時の特性の改良に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、アバランシェ増倍作用を利用した
アバランシェ増倍型撮像管（以下、ＡＰＤ撮像管と称す
…例えば、特開昭６３−１７４４７５号公報等）が開発
され、このＡＰＤ撮像管を用いた高感度テレビジョンカ
メラが実用化されている。一般に、映像信号を増幅する
と雑音も増幅されるが、このＡＰＤ撮像管ではアバラン
シェ増倍による雑音の増加はほとんどない。ＡＰＤ撮像
管の増倍率は、抵抗を介したアノード(ターゲット)電圧
Ｅsjにより可変される。ＡＰＤ撮像管ではターゲット電
圧Ｅsjは、一般に２００Ｖ〜１２００Ｖである。また、
撮像管を用いた撮像装置の大光量入射時の、特性改良の
従来技術としては、遮光時に定格信号の約２倍の撮像管
の電子ビーム（以下、ベースビームと称す）を流してお
き、定格信号の得られる入射光量時の撮像管の電子ビー
ムを細く保ち、撮像管の第１グリッド（抑制）電極（以
下、Ｇ１電極と称す）の電圧または電流を撮像管の信号
電流に（非線形）に比例させ、定格信号の約８〜１６倍
の入射光量でも電子ビームを撮像管の信号電流よりも多
く保つ、撮像管の電子ビーム制御方法（自動電子ビーム
最適制御方法：以下、ＡＢＯと称す）が行われている。
ここで、撮像管の信号電流を撮像管のＧ１電極の電圧ま
たは電流に変換する増幅部の増幅度が大きければ、電子
ビームの不足は起きにくいが、撮像管の信号電流が入射
光量と無関係に変動する現象（以下、ＡＢＯ発振と称
す）が起き易くなる。なお、テレビジョンカメラでは、
帰線期間は撮像管のカソード電圧を上げて、電子ビーム
を止めて帰線を消去する方法（以下、カソードブランキ
ングＫBLと称す）を行っている。
アバランシェ増倍型撮像管（以下、ＡＰＤ撮像管と称す
…例えば、特開昭６３−１７４４７５号公報等）が開発
され、このＡＰＤ撮像管を用いた高感度テレビジョンカ
メラが実用化されている。一般に、映像信号を増幅する
と雑音も増幅されるが、このＡＰＤ撮像管ではアバラン
シェ増倍による雑音の増加はほとんどない。ＡＰＤ撮像
管の増倍率は、抵抗を介したアノード(ターゲット)電圧
Ｅsjにより可変される。ＡＰＤ撮像管ではターゲット電
圧Ｅsjは、一般に２００Ｖ〜１２００Ｖである。また、
撮像管を用いた撮像装置の大光量入射時の、特性改良の
従来技術としては、遮光時に定格信号の約２倍の撮像管
の電子ビーム（以下、ベースビームと称す）を流してお
き、定格信号の得られる入射光量時の撮像管の電子ビー
ムを細く保ち、撮像管の第１グリッド（抑制）電極（以
下、Ｇ１電極と称す）の電圧または電流を撮像管の信号
電流に（非線形）に比例させ、定格信号の約８〜１６倍
の入射光量でも電子ビームを撮像管の信号電流よりも多
く保つ、撮像管の電子ビーム制御方法（自動電子ビーム
最適制御方法：以下、ＡＢＯと称す）が行われている。
ここで、撮像管の信号電流を撮像管のＧ１電極の電圧ま
たは電流に変換する増幅部の増幅度が大きければ、電子
ビームの不足は起きにくいが、撮像管の信号電流が入射
光量と無関係に変動する現象（以下、ＡＢＯ発振と称
す）が起き易くなる。なお、テレビジョンカメラでは、
帰線期間は撮像管のカソード電圧を上げて、電子ビーム
を止めて帰線を消去する方法（以下、カソードブランキ
ングＫBLと称す）を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２は、前述の従来技
術のカソード電圧Ｅｋと、Ｇ１電極の電圧（以下、Ｇ１
電圧と称す）Ｅc1と、映像信号電圧Ｖｉと、映像信号出
力電圧Ｖｏと、システムブランキングＢＬの波形図であ
る。前述の従来の技術では、図２の様にカソード電圧Ｅ
ｋのブランキング波形が撮像管のＧ１電圧Ｅc1に飛び込
むと、カソードブランキングＫBLの終了時、図２の右端
に示すように撮像管の信号電流が立ち上がる画面左端で
は、Ｇ１電圧Ｅc1が低下しベースビーム量が低下し、大
光量入射時に画面左端の電子ビームの立上りが低下し、
電子ビームの不足が強調される。そのため、大光量入射
時でも画面左端の電子ビーム量を撮像管の信号電流より
も多くするためには、ベースビーム量を多めにするか、
ＡＢＯの増幅度を大きくした上で、ＡＢＯ発振を起こさ
ないようにＡＢＯの非線形処理を再調整していた。とこ
ろが、超高感度のアバランシェ増倍撮像管の様に撮像管
のターゲット電圧が（約４００Ｖ以上に）高くなると、
ビームベンディングにより大光量入射時に画面左端の信
号の立上りは低下する。そのため、画面左端でＧ１電圧
Ｅc1が低下しベースビーム量が低下すると、大光量入射
時に画面左端の電子ビームの立上りが更に低下し、電子
ビームの不足が更に強調され、図２の右端に示すの様に
映像信号出力電圧Ｖｏの立上り不足がシステムブランキ
ングＢＬの外に現われてしまい、画面の左端部にその影
響が出ることになる。また、システムブランキングＢＬ
が、３．７７μｓと短いハイビジョン方式では、画面左
端の映像信号の立上りの低下があまり多くなくとも、映
像信号出力電圧Ｖｏの立上り不足がシステムブランキン
グＢＬの外に現われてしまう。従って、前述の従来技術
では、大光量入射時でも画面左端部の電子ビーム量を撮
像管の信号電流よりも多くするため、ベースビーム量を
多めにしすぎるか、ＡＢＯの増幅度を大きくしすぎるこ
ととなり、撮像管の特性にわずかな個体差があっても
（画面左端から少し内側で電子ビーム立上り終えた位置
が特に）、ＡＢＯ発振を起こし易くなり、ベースビーム
量やＡＢＯの再調整が非常に難しくなり、調整に時間が
かかり過ぎていた。さらに、カソードブランキングＫBL
の外でシステムブランキングＢＬの内側（の画面外）の
み電子ビームを矩形波状に増加することも試されたが、
システムブランキングＢＬ後端（の画面内）に過渡現象
（リンギング）が生じるため、実用化されなかった。そ
のため、従来は撮像管のドライブ特性（抑制電極の電圧
または電流と電子ビームの特性）や大光量入射時の光電
変換特性の許容差が狭くなり、撮像管の歩留まりが低下
し、撮像装置の原価が上昇していた。本発明は、これら
の欠点を除去し、アバランシェ増倍撮像管の歩留まりの
向上と、ベースビーム量やＡＢＯの調整時間の短縮を目
的とする。
術のカソード電圧Ｅｋと、Ｇ１電極の電圧（以下、Ｇ１
電圧と称す）Ｅc1と、映像信号電圧Ｖｉと、映像信号出
力電圧Ｖｏと、システムブランキングＢＬの波形図であ
る。前述の従来の技術では、図２の様にカソード電圧Ｅ
ｋのブランキング波形が撮像管のＧ１電圧Ｅc1に飛び込
むと、カソードブランキングＫBLの終了時、図２の右端
に示すように撮像管の信号電流が立ち上がる画面左端で
は、Ｇ１電圧Ｅc1が低下しベースビーム量が低下し、大
光量入射時に画面左端の電子ビームの立上りが低下し、
電子ビームの不足が強調される。そのため、大光量入射
時でも画面左端の電子ビーム量を撮像管の信号電流より
も多くするためには、ベースビーム量を多めにするか、
ＡＢＯの増幅度を大きくした上で、ＡＢＯ発振を起こさ
ないようにＡＢＯの非線形処理を再調整していた。とこ
ろが、超高感度のアバランシェ増倍撮像管の様に撮像管
のターゲット電圧が（約４００Ｖ以上に）高くなると、
ビームベンディングにより大光量入射時に画面左端の信
号の立上りは低下する。そのため、画面左端でＧ１電圧
Ｅc1が低下しベースビーム量が低下すると、大光量入射
時に画面左端の電子ビームの立上りが更に低下し、電子
ビームの不足が更に強調され、図２の右端に示すの様に
映像信号出力電圧Ｖｏの立上り不足がシステムブランキ
ングＢＬの外に現われてしまい、画面の左端部にその影
響が出ることになる。また、システムブランキングＢＬ
が、３．７７μｓと短いハイビジョン方式では、画面左
端の映像信号の立上りの低下があまり多くなくとも、映
像信号出力電圧Ｖｏの立上り不足がシステムブランキン
グＢＬの外に現われてしまう。従って、前述の従来技術
では、大光量入射時でも画面左端部の電子ビーム量を撮
像管の信号電流よりも多くするため、ベースビーム量を
多めにしすぎるか、ＡＢＯの増幅度を大きくしすぎるこ
ととなり、撮像管の特性にわずかな個体差があっても
（画面左端から少し内側で電子ビーム立上り終えた位置
が特に）、ＡＢＯ発振を起こし易くなり、ベースビーム
量やＡＢＯの再調整が非常に難しくなり、調整に時間が
かかり過ぎていた。さらに、カソードブランキングＫBL
の外でシステムブランキングＢＬの内側（の画面外）の
み電子ビームを矩形波状に増加することも試されたが、
システムブランキングＢＬ後端（の画面内）に過渡現象
（リンギング）が生じるため、実用化されなかった。そ
のため、従来は撮像管のドライブ特性（抑制電極の電圧
または電流と電子ビームの特性）や大光量入射時の光電
変換特性の許容差が狭くなり、撮像管の歩留まりが低下
し、撮像装置の原価が上昇していた。本発明は、これら
の欠点を除去し、アバランシェ増倍撮像管の歩留まりの
向上と、ベースビーム量やＡＢＯの調整時間の短縮を目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、撮像管を用いた撮像装置において、シス
テムブランキングの内側でベースビーム量が増加し、シ
ステムブランキングの外側には過渡現象が生じない様
に、撮像管の抑制電極にカソードブランキングパルスの
微分波形を印加する構成としたものである。図１は本発
明の全体構成を示すブロック図、図３はその各部の波形
図である。図１において、パルス電源ＥKBLで発生した
カソードブランキングパルスＫBLは、カソードブランキ
ング出力回路（以下、ＫBL出力回路）Ａ６で（一般に、
反転）増幅されカソード電圧Ｅｋとなり、帰線期間の撮
像管の電子ビームをカットオフさせる。また、ターゲッ
ト電圧Ｅsjは抵抗Ｒ１を介してターゲットに供給され
る。入射光Ｌinは、レンズ１１により、ＡＰＤ撮像管１
のターゲットに結像し、映像信号電流Ｉsjに変換され
る。映像信号電流Ｉsjは、容量Ｃ１で結合された前置増
幅器Ａ１と帰還抵抗Ｒ２により、映像信号電圧Ｖiに変
換される。ここで、Ｖi＝Ｉsj×Ｒ２ である。映像信
号電圧Ｖｉは、信号処理回路Ａ４により黒レベルと白レ
ベルとガンマを揃えられて、映像信号出力Ｖｏとなる。
また、信号処理回路Ａ４は、パルス電源ＥBLで発生した
システムブランキングパルスＢＬに基づき、映像信号出
力Ｖｏをブランキングする。なお、信号処理回路Ａ４で
は、一般にＮＴＳＣ方式等の複合映像信号への変換も行
われることもあるが、本発明とは関係ないので省略す
る。また、映像信号電圧ＶｉはＡＢＯ処理回路Ａ２で非
線形に増幅されＡＢＯ信号電圧Ｖａになる。ＡＢＯ出力
回路Ａ３はＡＢＯ信号電圧Ｖａにより撮像管の抑制電極
の（トライオードガン撮像管なら電圧をダイオードガン
撮像管なら電流を）制御し、定格信号の約８〜１６倍の
入射光量でも電子ビームを撮像管の信号電流よりも多く
保つ。さらに、ＡＢＯ出力回路Ａ３でブランキングパル
スの微分波形を混合することにより、図３の様に撮像管
のＧ１電極電圧Ｅc1に帰線消去パルスの微分波形を印加
している。図３の実線は、カソードブランキングパルス
ＫBLのみの微分波形を混合した場合であり、図３の点線
は、カソードブランキングパルスＫBLの微分波形とシス
テムブランキングパルスＢＬ内のパルスＥｐの微分波形
とを混合した場合である。
成するために、撮像管を用いた撮像装置において、シス
テムブランキングの内側でベースビーム量が増加し、シ
ステムブランキングの外側には過渡現象が生じない様
に、撮像管の抑制電極にカソードブランキングパルスの
微分波形を印加する構成としたものである。図１は本発
明の全体構成を示すブロック図、図３はその各部の波形
図である。図１において、パルス電源ＥKBLで発生した
カソードブランキングパルスＫBLは、カソードブランキ
ング出力回路（以下、ＫBL出力回路）Ａ６で（一般に、
反転）増幅されカソード電圧Ｅｋとなり、帰線期間の撮
像管の電子ビームをカットオフさせる。また、ターゲッ
ト電圧Ｅsjは抵抗Ｒ１を介してターゲットに供給され
る。入射光Ｌinは、レンズ１１により、ＡＰＤ撮像管１
のターゲットに結像し、映像信号電流Ｉsjに変換され
る。映像信号電流Ｉsjは、容量Ｃ１で結合された前置増
幅器Ａ１と帰還抵抗Ｒ２により、映像信号電圧Ｖiに変
換される。ここで、Ｖi＝Ｉsj×Ｒ２ である。映像信
号電圧Ｖｉは、信号処理回路Ａ４により黒レベルと白レ
ベルとガンマを揃えられて、映像信号出力Ｖｏとなる。
また、信号処理回路Ａ４は、パルス電源ＥBLで発生した
システムブランキングパルスＢＬに基づき、映像信号出
力Ｖｏをブランキングする。なお、信号処理回路Ａ４で
は、一般にＮＴＳＣ方式等の複合映像信号への変換も行
われることもあるが、本発明とは関係ないので省略す
る。また、映像信号電圧ＶｉはＡＢＯ処理回路Ａ２で非
線形に増幅されＡＢＯ信号電圧Ｖａになる。ＡＢＯ出力
回路Ａ３はＡＢＯ信号電圧Ｖａにより撮像管の抑制電極
の（トライオードガン撮像管なら電圧をダイオードガン
撮像管なら電流を）制御し、定格信号の約８〜１６倍の
入射光量でも電子ビームを撮像管の信号電流よりも多く
保つ。さらに、ＡＢＯ出力回路Ａ３でブランキングパル
スの微分波形を混合することにより、図３の様に撮像管
のＧ１電極電圧Ｅc1に帰線消去パルスの微分波形を印加
している。図３の実線は、カソードブランキングパルス
ＫBLのみの微分波形を混合した場合であり、図３の点線
は、カソードブランキングパルスＫBLの微分波形とシス
テムブランキングパルスＢＬ内のパルスＥｐの微分波形
とを混合した場合である。
【０００５】
【作用】その結果、ＡＰＤ撮像管を用いた高感度テレビ
ジョンカメラにおいて、画面中央のベースビーム量は定
格信号電流の約２倍で、画面左端のベースビーム量は定
格信号電流の約４倍と逆に増加する。そのため、画面中
央でＡＢＯ発振もビーム不足も起こさない様に調整され
ていれば、超高感度のアバランシェ増倍撮像管の様にビ
ームベンディングにより大光量入射時に画面左端の信号
の立上りが低下しても、撮像管の特性（ドライブ特性や
大光量入射時の光電変換特性）に多少個体差があって
も、ＡＢＯ特性は改善され、画面左端でもＡＢＯ発振も
ビーム不足も起こしにくく、図３の右端に示すように、
映像信号出力電圧Ｖｏの立上り不足はシステムブランキ
ングＢＬのブランキング内で収まる。また、システムブ
ランキングが３．７７μｓと短いハイビジョン方式で
も、画面左端でもビーム不足が起こりにくい。したがっ
て、撮像管の歩留まりが向上し、ベースビーム量やＡＢ
Ｏの調整時間も短縮する。さらに、図３のＧ１電極電圧
Ｅc1の点線部分のように、カソードブランキングパルス
ＫBLの微分波形とシステムブランキングＢＬから作成し
たパルスＥｐの微分波形とを混合すれば、ビームベンデ
ィングにより画面外の入射光による不要電荷も中和で
き、戻りビーム像等の異常信号が低減できる。
ジョンカメラにおいて、画面中央のベースビーム量は定
格信号電流の約２倍で、画面左端のベースビーム量は定
格信号電流の約４倍と逆に増加する。そのため、画面中
央でＡＢＯ発振もビーム不足も起こさない様に調整され
ていれば、超高感度のアバランシェ増倍撮像管の様にビ
ームベンディングにより大光量入射時に画面左端の信号
の立上りが低下しても、撮像管の特性（ドライブ特性や
大光量入射時の光電変換特性）に多少個体差があって
も、ＡＢＯ特性は改善され、画面左端でもＡＢＯ発振も
ビーム不足も起こしにくく、図３の右端に示すように、
映像信号出力電圧Ｖｏの立上り不足はシステムブランキ
ングＢＬのブランキング内で収まる。また、システムブ
ランキングが３．７７μｓと短いハイビジョン方式で
も、画面左端でもビーム不足が起こりにくい。したがっ
て、撮像管の歩留まりが向上し、ベースビーム量やＡＢ
Ｏの調整時間も短縮する。さらに、図３のＧ１電極電圧
Ｅc1の点線部分のように、カソードブランキングパルス
ＫBLの微分波形とシステムブランキングＢＬから作成し
たパルスＥｐの微分波形とを混合すれば、ビームベンデ
ィングにより画面外の入射光による不要電荷も中和で
き、戻りビーム像等の異常信号が低減できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明のＡＢＯ出力回路Ａ３と微分回
路Ａ５の一実施例を図３と図４により説明する。ここ
で、図４のＡＢＯ出力回路Ａ３は周知のエミッタフォロ
ワとエミッタ接地増幅回路を組み合わせた回路であり、
図４の微分回路Ａ５は周知の論理バッファアンプとモノ
マルチバイブレータとＣＲ微分回路であるため、詳細な
説明は省略し、以下、回路の動作について簡単に説明す
る。図４の微分回路Ａ５において、Ｖccは正電源であ
る。モノマルチバイブレータＩＣ２は、システムブラン
キングパルスＢＬの立下がりから抵抗Ｒ７と容量Ｃ４と
で定まる幅のパルスＥｐを発生する。ＩＣ１は論理バッ
ファアンプであり、カソードブランキングパルスＫBLの
出力インピーダンスが低ければ省略できる。図４のＡＢ
Ｏ出力回路Ａ３において、Ｖccは正電源である。負電源
Ｖeeが可変抵抗ＲＶ１と抵抗Ｒ６で分圧され、エミッタ
フォロワトランジスタＱ２でバッファされた電圧Ｖ1o
と、負荷抵抗Ｒ５に流れるアイドリング電流により、撮
像管のベースビーム量（トライオードガン撮像管なら電
圧、ダイオードガン撮像管なら電流）は定まる。 ベー
スビーム時のＧ１電極の電圧Ｅc1oは、ベースビーム量
とＧ１電極のインピーダンスで定まる。（しかし、ダイ
オードガン撮像管でもベースビーム時のＧ１電極の電流
は負荷抵抗Ｒ５に流れるアイドリング電流と大差ないの
で、ベースビーム時のＧ１電極の電圧Ｅc1oは電圧Ｖ1o
に近い）。トランジスタＱ１はベースに抵抗Ｒ７を介し
て入力されたＡＢＯ信号電圧Ｖａに比例し、エミッタイ
ンピーダンスに反比例したコレクタ電流を出力するとと
もに、カソードブランキングパルスＫBLとパルスＥｐに
比例し、微分回路Ａ５のインピーダンスに反比例したコ
レクタ電流を出力する。その結果、Ｇ１電圧Ｅc1は図３
の波形図のような動作となる。ここで、容量Ｃ３はエミ
ッタピーキング容量であるが、微分回路Ａ５の容量Ｃ２
と抵抗Ｒ３と容量Ｃ５と抵抗Ｒ８とで代用させて、容量
Ｃ３はオープンでもエミッタピーキングは簡易的に動作
する。
路Ａ５の一実施例を図３と図４により説明する。ここ
で、図４のＡＢＯ出力回路Ａ３は周知のエミッタフォロ
ワとエミッタ接地増幅回路を組み合わせた回路であり、
図４の微分回路Ａ５は周知の論理バッファアンプとモノ
マルチバイブレータとＣＲ微分回路であるため、詳細な
説明は省略し、以下、回路の動作について簡単に説明す
る。図４の微分回路Ａ５において、Ｖccは正電源であ
る。モノマルチバイブレータＩＣ２は、システムブラン
キングパルスＢＬの立下がりから抵抗Ｒ７と容量Ｃ４と
で定まる幅のパルスＥｐを発生する。ＩＣ１は論理バッ
ファアンプであり、カソードブランキングパルスＫBLの
出力インピーダンスが低ければ省略できる。図４のＡＢ
Ｏ出力回路Ａ３において、Ｖccは正電源である。負電源
Ｖeeが可変抵抗ＲＶ１と抵抗Ｒ６で分圧され、エミッタ
フォロワトランジスタＱ２でバッファされた電圧Ｖ1o
と、負荷抵抗Ｒ５に流れるアイドリング電流により、撮
像管のベースビーム量（トライオードガン撮像管なら電
圧、ダイオードガン撮像管なら電流）は定まる。 ベー
スビーム時のＧ１電極の電圧Ｅc1oは、ベースビーム量
とＧ１電極のインピーダンスで定まる。（しかし、ダイ
オードガン撮像管でもベースビーム時のＧ１電極の電流
は負荷抵抗Ｒ５に流れるアイドリング電流と大差ないの
で、ベースビーム時のＧ１電極の電圧Ｅc1oは電圧Ｖ1o
に近い）。トランジスタＱ１はベースに抵抗Ｒ７を介し
て入力されたＡＢＯ信号電圧Ｖａに比例し、エミッタイ
ンピーダンスに反比例したコレクタ電流を出力するとと
もに、カソードブランキングパルスＫBLとパルスＥｐに
比例し、微分回路Ａ５のインピーダンスに反比例したコ
レクタ電流を出力する。その結果、Ｇ１電圧Ｅc1は図３
の波形図のような動作となる。ここで、容量Ｃ３はエミ
ッタピーキング容量であるが、微分回路Ａ５の容量Ｃ２
と抵抗Ｒ３と容量Ｃ５と抵抗Ｒ８とで代用させて、容量
Ｃ３はオープンでもエミッタピーキングは簡易的に動作
する。
【０００７】なお、前述の実施例では、エミッタピーキ
ング回路にブランキングパルスの微分波形を混合した
が、本発明はこれに限定されず、例えば、差動増幅回路
でブランキングパルスの微分波形を混合する等、ＡＢＯ
信号電圧Ｖａにブランキングパルスの微分波形を電流混
合してもよいことは言うまでもない。また、図４におい
て、微分回路Ａ５のモノマルチバイブレータＩＣ２と論
理バッファアンプＩＣ１の出力を反転し、ＡＢＯ出力回
路Ａ３のトランジスタＱ１のエミッタではなくベースに
容量Ｃ３と容量Ｃ５とを接続させても、ＡＢＯ信号電圧
Ｖａにブランキングパルスの微分波形を電圧混合でき
る。ただし、ＡＢＯ信号電圧Ｖａが、抵抗Ｒ７に対する
容量Ｃ２と抵抗Ｒ３と容量Ｃ５と抵抗Ｒ８との合成イン
ピーダンスで分圧され、高域が減衰し、ＡＢＯ出力の立
上りが劣化することを低減するため、容量Ｃ２と抵抗Ｒ
３と容量Ｃ５と抵抗Ｒ８とを高インピーダンスとし、正
電源Ｖccの電源電圧を高くし、モノマルチバイブレータ
ＩＣ２と論理バッファアンプＩＣ１の反転出力の振幅を
大きくする必要がある。
ング回路にブランキングパルスの微分波形を混合した
が、本発明はこれに限定されず、例えば、差動増幅回路
でブランキングパルスの微分波形を混合する等、ＡＢＯ
信号電圧Ｖａにブランキングパルスの微分波形を電流混
合してもよいことは言うまでもない。また、図４におい
て、微分回路Ａ５のモノマルチバイブレータＩＣ２と論
理バッファアンプＩＣ１の出力を反転し、ＡＢＯ出力回
路Ａ３のトランジスタＱ１のエミッタではなくベースに
容量Ｃ３と容量Ｃ５とを接続させても、ＡＢＯ信号電圧
Ｖａにブランキングパルスの微分波形を電圧混合でき
る。ただし、ＡＢＯ信号電圧Ｖａが、抵抗Ｒ７に対する
容量Ｃ２と抵抗Ｒ３と容量Ｃ５と抵抗Ｒ８との合成イン
ピーダンスで分圧され、高域が減衰し、ＡＢＯ出力の立
上りが劣化することを低減するため、容量Ｃ２と抵抗Ｒ
３と容量Ｃ５と抵抗Ｒ８とを高インピーダンスとし、正
電源Ｖccの電源電圧を高くし、モノマルチバイブレータ
ＩＣ２と論理バッファアンプＩＣ１の反転出力の振幅を
大きくする必要がある。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、映像信号の画面上の位
置に対応して非線形処理を可変する特殊なＡＢＯプロセ
ス回路を新たに追加することなく、既存のＡＢＯ出力回
路を工夫する（エミッタ接地増幅トランジスタのエミッ
タに帰線消去パルスを容量結合させる）のみで、安定な
ＡＢＯ特性を得ることが可能である。そのため、超高感
度ではあるが、入射光量が多いと画面左端の映像信号出
力の立上りが低下するＡＰＤ撮像管を用いても、システ
ムブランキングが３．７７μｓと短いハイビジョン方式
でも、同一画面内の輝度の範囲が広い条件でも撮影可能
な、小形のテレビジョンカメラが実現できる。また、高
価なＡＰＤ撮像管の特性のバラツキを吸収できるため、
選別基準をゆるめたＡＰＤ撮像管を使用でき、超高感度
なテレビビジョンカメラの低価格化が実現できる。
置に対応して非線形処理を可変する特殊なＡＢＯプロセ
ス回路を新たに追加することなく、既存のＡＢＯ出力回
路を工夫する（エミッタ接地増幅トランジスタのエミッ
タに帰線消去パルスを容量結合させる）のみで、安定な
ＡＢＯ特性を得ることが可能である。そのため、超高感
度ではあるが、入射光量が多いと画面左端の映像信号出
力の立上りが低下するＡＰＤ撮像管を用いても、システ
ムブランキングが３．７７μｓと短いハイビジョン方式
でも、同一画面内の輝度の範囲が広い条件でも撮影可能
な、小形のテレビジョンカメラが実現できる。また、高
価なＡＰＤ撮像管の特性のバラツキを吸収できるため、
選別基準をゆるめたＡＰＤ撮像管を使用でき、超高感度
なテレビビジョンカメラの低価格化が実現できる。
【図１】本発明の全体構成を示すブロック図。
【図２】従来の技術の波形図。
【図３】本発明の波形図。
【図４】本発明のＡＢＯ出力回路と微分回路の一実施例
を示す回路図。
を示す回路図。
１：撮像管、Ａ１：前置増幅器、Ａ２：ＡＢＯ処理回
路、Ａ３：ＡＢＯ出力回路、Ａ４：映像信号処理回路、
Ａ５：微分回路、Ａ３：ＫBL出力回路、Ｇ１：第１グリ
ッド電極、ＩＣ１：論理バッファアンプ、Ｖcc：正電
源、Ｖee：負電源。
路、Ａ３：ＡＢＯ出力回路、Ａ４：映像信号処理回路、
Ａ５：微分回路、Ａ３：ＫBL出力回路、Ｇ１：第１グリ
ッド電極、ＩＣ１：論理バッファアンプ、Ｖcc：正電
源、Ｖee：負電源。
Claims (3)
- 【請求項１】 撮像管を用いたテレビジョンカメラにお
いて、該撮像管の抑制電極に帰線消去パルスの微分波形
を印加することを特徴とする撮像管の電子ビーム制御方
法。 - 【請求項２】 撮像管の抑制電極の電圧または電流を該
撮像管の信号電流に（非線形）に比例させるテレビジョ
ンカメラにおいて、上記撮像管の抑制電極に印加する信
号を増幅する回路で帰線消去パルスの微分波形を電流加
算することにより、上記撮像管の抑制電極に帰線消去パ
ルスの微分波形を印加するすることを特徴とする撮像管
の電子ビーム制御方法。 - 【請求項３】 撮像管の抑制電極の電圧または電流を該
撮像管の信号電流に（非線形）に比例させる撮像装置に
おいて、上記撮像管の抑制電極に印加する信号をエミッ
タ接地増幅するトランジスタのエミッタに帰線消去パル
スを容量結合させることにより、上記撮像管の抑制電極
に帰線消去パルスの微分波形を印加するすることを特徴
とする撮像管の電子ビーム制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06189171A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 撮像管の電子ビーム制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06189171A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 撮像管の電子ビーム制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06189171A true JPH06189171A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18441889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06189171A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 撮像管の電子ビーム制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06189171A (ja) |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP43A patent/JPH06189171A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 11 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |