JPH06189202A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH06189202A JPH06189202A JP4342454A JP34245492A JPH06189202A JP H06189202 A JPH06189202 A JP H06189202A JP 4342454 A JP4342454 A JP 4342454A JP 34245492 A JP34245492 A JP 34245492A JP H06189202 A JPH06189202 A JP H06189202A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 CCDリニアセンサ、CCDイメージセンサ
等の固体撮像素子自体の出力波形の直流成分レベルのば
らつきを制御する。 【構成】 固体撮像素子44が形成された同一の半導体
基板43上において、固体撮像素子の電荷−電圧変換し
た後の出力回路中に、信号のリセットレベル又は/及び
プリチャージレベルを固定電圧Vref にクランプするク
ランプ回路37を設けて構成する。
等の固体撮像素子自体の出力波形の直流成分レベルのば
らつきを制御する。 【構成】 固体撮像素子44が形成された同一の半導体
基板43上において、固体撮像素子の電荷−電圧変換し
た後の出力回路中に、信号のリセットレベル又は/及び
プリチャージレベルを固定電圧Vref にクランプするク
ランプ回路37を設けて構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばリニアセンサ、
イメージセンサ等に適用される固体撮像素子に関する。
イメージセンサ等に適用される固体撮像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】リニアセンサ、イメージセンサ等に用い
られる例えばCCD固体撮像素子は、通常、半導体基体
上に入射する光信号を電荷に変換する受光部と、この受
光部で発生した信号電荷を転送する電荷転送路を有し、
この電荷転送路に電荷転送素子(CCD)を用いて構成
される。このCCD固体撮像素子では、その出力信号に
相当する信号電荷を電圧に変換して外部に読み出す出力
方式としてフローティング・ディフージョン方式、フロ
ーティング・ゲート方式等がある。
られる例えばCCD固体撮像素子は、通常、半導体基体
上に入射する光信号を電荷に変換する受光部と、この受
光部で発生した信号電荷を転送する電荷転送路を有し、
この電荷転送路に電荷転送素子(CCD)を用いて構成
される。このCCD固体撮像素子では、その出力信号に
相当する信号電荷を電圧に変換して外部に読み出す出力
方式としてフローティング・ディフージョン方式、フロ
ーティング・ゲート方式等がある。
【0003】図5は、フローティング・ディフージョン
方式を採るCCD固体撮像素子1の水平転送レジスタの
終段部分及びその出力部の構成を示す。同図において、
2は水平転送レジスタを示す。水平転送レジスタ2は、
半導体基板3の主面上に絶縁膜4を介して転送電極、即
ちストレージ電極5S及びトランスファ電極5Tを有し
てなる転送部5が複数配列され、例えば2相の駆動クロ
ックパルスφH1 及びφH2 により信号電荷を水平方向
に転送するように形成される。ストレージ電極5Sの直
下には例えばN層6Sが、トランスファ電極5Tの直下
にはN- 層6Tが夫々形成される。
方式を採るCCD固体撮像素子1の水平転送レジスタの
終段部分及びその出力部の構成を示す。同図において、
2は水平転送レジスタを示す。水平転送レジスタ2は、
半導体基板3の主面上に絶縁膜4を介して転送電極、即
ちストレージ電極5S及びトランスファ電極5Tを有し
てなる転送部5が複数配列され、例えば2相の駆動クロ
ックパルスφH1 及びφH2 により信号電荷を水平方向
に転送するように形成される。ストレージ電極5Sの直
下には例えばN層6Sが、トランスファ電極5Tの直下
にはN- 層6Tが夫々形成される。
【0004】水平転送レジスタ2の最終段の転送部5に
は、水平出力ゲート部7を介して電荷−電圧変換を行う
ためのN+ フローティング・ディフージョン領域9が接
続される。水平出力ゲート部7はN- 層6T上にゲート
絶縁膜4を介して固定のゲート電圧VHOG が印加される
ゲート電極8が形成されてなる。
は、水平出力ゲート部7を介して電荷−電圧変換を行う
ためのN+ フローティング・ディフージョン領域9が接
続される。水平出力ゲート部7はN- 層6T上にゲート
絶縁膜4を介して固定のゲート電圧VHOG が印加される
ゲート電極8が形成されてなる。
【0005】そして、水平転送レジスタ2を転送されて
きた信号電荷が、フローティング・ディフージョン領域
9に蓄えられ、このとき、フローティング・ディフージ
ョン領域9の電位が変化し、この電位変化を出力回路1
0のCCD出力端子t1 より出力信号として読み出すよ
うになされる。なお、電極5S、5T、8等は例えば多
結晶シリコンにて形成される。11は絶縁膜である。
きた信号電荷が、フローティング・ディフージョン領域
9に蓄えられ、このとき、フローティング・ディフージ
ョン領域9の電位が変化し、この電位変化を出力回路1
0のCCD出力端子t1 より出力信号として読み出すよ
うになされる。なお、電極5S、5T、8等は例えば多
結晶シリコンにて形成される。11は絶縁膜である。
【0006】一方、フローティング・ディフージョン領
域9には、順次転送され、読み出された後の信号電荷を
1画素毎にリセットするため、リセットパルスφRGが印
加されるリセットゲート部13を介して、一定の高電位
VRDに固定された電荷排出用のリセットドレイン領域1
2が接続される。14及び15は夫々リセットゲート部
13を構成するゲート絶縁膜及び例えば多結晶シリコン
からなるゲート電極である。
域9には、順次転送され、読み出された後の信号電荷を
1画素毎にリセットするため、リセットパルスφRGが印
加されるリセットゲート部13を介して、一定の高電位
VRDに固定された電荷排出用のリセットドレイン領域1
2が接続される。14及び15は夫々リセットゲート部
13を構成するゲート絶縁膜及び例えば多結晶シリコン
からなるゲート電極である。
【0007】リセットパルスφRGによりリセットゲート
部13がオンすると、フローティング・ディフージョン
領域9の容量に蓄積された信号電荷は、リセットドレイ
ン領域12に排出され、フローティング・ディフージョ
ン領域9の電位はリセットドレイン領域12の電位に固
定される。
部13がオンすると、フローティング・ディフージョン
領域9の容量に蓄積された信号電荷は、リセットドレイ
ン領域12に排出され、フローティング・ディフージョ
ン領域9の電位はリセットドレイン領域12の電位に固
定される。
【0008】そして、次の信号電荷が転送される前にリ
セットゲート部13がオフされることにより、フローテ
ィング・ディフージョン領域9の電位は、次に転送され
た信号電荷により決定される。
セットゲート部13がオフされることにより、フローテ
ィング・ディフージョン領域9の電位は、次に転送され
た信号電荷により決定される。
【0009】リセットゲート部13のオフ時には、リセ
ットゲート部13のもつ寄生容量によってカップリング
が生じ、このため、フローティング・ディフージョン領
域9の出力にはリセットドレイン領域12の電圧からマ
イナスのオフセットがかったような信号成分が生じる。
これをリセットノイズと呼ぶ。
ットゲート部13のもつ寄生容量によってカップリング
が生じ、このため、フローティング・ディフージョン領
域9の出力にはリセットドレイン領域12の電圧からマ
イナスのオフセットがかったような信号成分が生じる。
これをリセットノイズと呼ぶ。
【0010】図6にCCD出力信号波形の一例を示す。
21はリセット期間であり、この後の期間22の信号成
分24がリセットノイズと呼ばれる信号成分であり、こ
のリセットノイズの電位に対してさらに電位が下がって
いる期間23が光信号に対応する信号成分25である。
リセットノイズ24の電位の部分22をプリチャージ
相、光信号電位25の部分23をデータ相と呼ぶ。また
リセット期間21の電位レベルをリセットレベルと呼
び、プリチャージ相(期間22)の電位レベルをプリチ
ャージレベルと呼ぶ。
21はリセット期間であり、この後の期間22の信号成
分24がリセットノイズと呼ばれる信号成分であり、こ
のリセットノイズの電位に対してさらに電位が下がって
いる期間23が光信号に対応する信号成分25である。
リセットノイズ24の電位の部分22をプリチャージ
相、光信号電位25の部分23をデータ相と呼ぶ。また
リセット期間21の電位レベルをリセットレベルと呼
び、プリチャージ相(期間22)の電位レベルをプリチ
ャージレベルと呼ぶ。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、CCD固体
撮像素子において、出力回路を形成する上で問題となる
のがCCD出力信号の直流成分レベルのばらつきであ
る。直流成分レベルのばらつきの要因は、CCD固体撮
像素子自体の製造ばらつきや、出力回路を構成している
トランジスタの製造ばらつきなどが考えられるが、しか
しこれらの要因を除去することは不可能である。
撮像素子において、出力回路を形成する上で問題となる
のがCCD出力信号の直流成分レベルのばらつきであ
る。直流成分レベルのばらつきの要因は、CCD固体撮
像素子自体の製造ばらつきや、出力回路を構成している
トランジスタの製造ばらつきなどが考えられるが、しか
しこれらの要因を除去することは不可能である。
【0012】これらの要因により直流成分レベル(DC
電位)がばらつくため、CCD固体撮像素子内に作り込
む出力回路自体の設計が困難となる。
電位)がばらつくため、CCD固体撮像素子内に作り込
む出力回路自体の設計が困難となる。
【0013】また、出力電位のばらつきは、CCD固体
撮像素子を用いたシステムにおいても問題となるため
に、出力電位の規定が必要となり、ばらつきが大きくな
った場合には、撮像素子自体の歩留り低下要因ともな
り、固体撮像素子の製造上の問題点となる。
撮像素子を用いたシステムにおいても問題となるため
に、出力電位の規定が必要となり、ばらつきが大きくな
った場合には、撮像素子自体の歩留り低下要因ともな
り、固体撮像素子の製造上の問題点となる。
【0014】本発明は、上述の点に鑑み、固体撮像素子
が形成された同一基板上の出力回路上で出力信号の直流
成分レベルのばらつきを抑制できるようにした固体撮像
素子を提供するものである。
が形成された同一基板上の出力回路上で出力信号の直流
成分レベルのばらつきを抑制できるようにした固体撮像
素子を提供するものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、固体撮像素子
44が形成された同一基板43上において、該固体撮像
素子44の電荷−電圧変換した後の出力回路中に、信号
のリセットレベル又は/及びプリチャージレベルをクラ
ンプするクランプ回路37を設けて構成する。
44が形成された同一基板43上において、該固体撮像
素子44の電荷−電圧変換した後の出力回路中に、信号
のリセットレベル又は/及びプリチャージレベルをクラ
ンプするクランプ回路37を設けて構成する。
【0016】この場合、信号のリセットレベル又は/及
びプリチャージレベルを固定電位にクランプすることが
できる。
びプリチャージレベルを固定電位にクランプすることが
できる。
【0017】
【作用】本発明では、固体撮像素子44が形成された同
一基板43において、その電荷−電圧変換した後の出力
回路中に、信号のリセットレベル又は/及びプリチャー
ジレベルをクランプする回路37を設けることによっ
て、固体撮像素子自体の出力信号の直流成分レベルのば
らつきが抑制される。
一基板43において、その電荷−電圧変換した後の出力
回路中に、信号のリセットレベル又は/及びプリチャー
ジレベルをクランプする回路37を設けることによっ
て、固体撮像素子自体の出力信号の直流成分レベルのば
らつきが抑制される。
【0018】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による固体撮像
素子の実施例を説明する。
素子の実施例を説明する。
【0019】図1は本発明の固体撮像素子をCCDイメ
ージセンサに適用した場合である。本例においては、マ
トリックス状に配列された夫々画素となる複数の受光部
31と、各受光部列の1側に配されたCCD構造の垂直
転送レベスタ32と、垂直転送レジスタ32の端部に接
続されたCCD構造の水平転送レジスタ33を有し、水
平転送レジスタ33の最終段に水平出力ゲート部8を介
してフローティング・ディフージョン領域9、さらに1
画素毎にフローティング・ディフージョン領域9の信号
電荷をリセットするためのリセットゲート部13及びリ
セットドレイン領域12からなる所謂光信号出力変換部
34が接続される。
ージセンサに適用した場合である。本例においては、マ
トリックス状に配列された夫々画素となる複数の受光部
31と、各受光部列の1側に配されたCCD構造の垂直
転送レベスタ32と、垂直転送レジスタ32の端部に接
続されたCCD構造の水平転送レジスタ33を有し、水
平転送レジスタ33の最終段に水平出力ゲート部8を介
してフローティング・ディフージョン領域9、さらに1
画素毎にフローティング・ディフージョン領域9の信号
電荷をリセットするためのリセットゲート部13及びリ
セットドレイン領域12からなる所謂光信号出力変換部
34が接続される。
【0020】しかして、本例においては、フローティン
グ・ディフージョン領域9に例えばソースフォロア回
路、インバータ回路等からなる前段の出力回路36が接
続され、この出力回路36の出力側にリセット時におけ
る出力信号の直流成分レベルを参照電圧Vref にクラン
プするためのクランプ回路37が接続され、さらにこの
クランプ回路37の出力側に例えばソースフォロア回
路、インバータ回路等からなる後段の出力回路38が接
続され、之より信号出力端子t2 が導出される。
グ・ディフージョン領域9に例えばソースフォロア回
路、インバータ回路等からなる前段の出力回路36が接
続され、この出力回路36の出力側にリセット時におけ
る出力信号の直流成分レベルを参照電圧Vref にクラン
プするためのクランプ回路37が接続され、さらにこの
クランプ回路37の出力側に例えばソースフォロア回
路、インバータ回路等からなる後段の出力回路38が接
続され、之より信号出力端子t2 が導出される。
【0021】クランプ回路37は、クランプ容量40と
アナログスイッチ41とからなり、クランプ容量40の
一端が前段の出力回路36の出力端に接続され、クラン
プ容量40及びアナログスイッチ41の接続中点が後段
の出力回路38の入力端に接続され、さらに、アナログ
スイッチ41の他端が例えば外部より参照電圧Vrefが
印加される参照電圧端子t3 に接続される。アナログス
イッチ41は端子t4からのクランプパルスφC により
オン・オフ動作するようになされる。
アナログスイッチ41とからなり、クランプ容量40の
一端が前段の出力回路36の出力端に接続され、クラン
プ容量40及びアナログスイッチ41の接続中点が後段
の出力回路38の入力端に接続され、さらに、アナログ
スイッチ41の他端が例えば外部より参照電圧Vrefが
印加される参照電圧端子t3 に接続される。アナログス
イッチ41は端子t4からのクランプパルスφC により
オン・オフ動作するようになされる。
【0022】上記の前段及び後段の出力回路36及び3
8、クランプ回路37は、受光部31、垂直転送レジス
タ32、水平転送レジスタ33及び光信号出力変換部3
4等からなる所謂固体撮像素子本体と共に、同一の半導
体基板(即ち半導体チップ)43上に作り込まれる。
8、クランプ回路37は、受光部31、垂直転送レジス
タ32、水平転送レジスタ33及び光信号出力変換部3
4等からなる所謂固体撮像素子本体と共に、同一の半導
体基板(即ち半導体チップ)43上に作り込まれる。
【0023】次に、かかる構成の固体撮像素子(即ちC
CDイメージセンサ)44の出力回路の動作を説明す
る。
CDイメージセンサ)44の出力回路の動作を説明す
る。
【0024】フローティング・ディフージョン領域9か
ら発生された信号は固体撮像素子44内の前段の出力回
路36を通ってクランプ容量40の入力端(A)に到達
する。このとき、半導体製造上生じるフローティング・
ディフージョン領域9のばらつきや、出力回路36のば
らつきにより、クランプ容量40の入力端(A)での信
号は直流的に変動を受けている。これはデバイス固体間
即ち固体撮像素子間の差であり、不可避の現象である。
ら発生された信号は固体撮像素子44内の前段の出力回
路36を通ってクランプ容量40の入力端(A)に到達
する。このとき、半導体製造上生じるフローティング・
ディフージョン領域9のばらつきや、出力回路36のば
らつきにより、クランプ容量40の入力端(A)での信
号は直流的に変動を受けている。これはデバイス固体間
即ち固体撮像素子間の差であり、不可避の現象である。
【0025】クランプ回路37のアナログスイッチ41
がオン状態では、クランプ容量40の出力端(B)に現
れる電圧は、参照電圧端子t3 より印加される参照電位
Vre f に固定される。一方、アナログスイッチ41がオ
フ状態では、出力端(B)の電圧は、入力端(A)に加
えられる電位によってクランプ容量40がチャージされ
る電圧になる。この出力端(B)の電位は後段の出力回
路38を通って、信号出力端子t2 に出力される。
がオン状態では、クランプ容量40の出力端(B)に現
れる電圧は、参照電圧端子t3 より印加される参照電位
Vre f に固定される。一方、アナログスイッチ41がオ
フ状態では、出力端(B)の電圧は、入力端(A)に加
えられる電位によってクランプ容量40がチャージされ
る電圧になる。この出力端(B)の電位は後段の出力回
路38を通って、信号出力端子t2 に出力される。
【0026】図2は、上記出力回路部に対する動作クロ
ックと出力波形の一例を示す。図2Aは、クランプ容量
40の入力端(A)での出力波形を示し、同図中、(i),
(ii),(iii)は夫々出力波形の直流成分レベルのばらつき
を示している。
ックと出力波形の一例を示す。図2Aは、クランプ容量
40の入力端(A)での出力波形を示し、同図中、(i),
(ii),(iii)は夫々出力波形の直流成分レベルのばらつき
を示している。
【0027】今、アナログスイッチ41にクランプパル
スφC として図2BのクランプパルスφC1が与えられた
とする。このクランプパルスφC1は、CCD駆動パルス
におけるリセットパルスφRGと同等のパルスである。
スφC として図2BのクランプパルスφC1が与えられた
とする。このクランプパルスφC1は、CCD駆動パルス
におけるリセットパルスφRGと同等のパルスである。
【0028】アナログスイッチ41はクランプパルスφ
C1の高レベルのときにオン状態にあり、このオン状態に
おいて出力端(B)での信号は参照電圧端子t3 より与
えられる参照電圧Vref になる。即ちリセット時(期間
21)における直流成分レベル、いわゆるリセットレベ
ルが参照電圧Vref にクランプされる。次に、アナログ
スイッチ41がオフ状態になると、出力端(B)にはC
CD出力の変化分だけがあらわれる。このため、出力端
(B)においては、図2Cに示すように常に参照電位V
ref が規準になった出力信号S1 が発生し、これは、入
力端(A)の信号が(i),(ii),(iii)のように変化しても
直流成分レベルが変化しないようになる。
C1の高レベルのときにオン状態にあり、このオン状態に
おいて出力端(B)での信号は参照電圧端子t3 より与
えられる参照電圧Vref になる。即ちリセット時(期間
21)における直流成分レベル、いわゆるリセットレベ
ルが参照電圧Vref にクランプされる。次に、アナログ
スイッチ41がオフ状態になると、出力端(B)にはC
CD出力の変化分だけがあらわれる。このため、出力端
(B)においては、図2Cに示すように常に参照電位V
ref が規準になった出力信号S1 が発生し、これは、入
力端(A)の信号が(i),(ii),(iii)のように変化しても
直流成分レベルが変化しないようになる。
【0029】後段に接続されている出力回路38をソー
スフォロア回路のような簡便なものにすれば、トランジ
スタの製造上のばらつきも小さくできるため、信号出力
端子t2 での直流成分レベルのばらつきは少なくなる。
結果として、固体撮像素子を用いたシステムにおいて信
号処理回路での構成を簡便にすることができる。
スフォロア回路のような簡便なものにすれば、トランジ
スタの製造上のばらつきも小さくできるため、信号出力
端子t2 での直流成分レベルのばらつきは少なくなる。
結果として、固体撮像素子を用いたシステムにおいて信
号処理回路での構成を簡便にすることができる。
【0030】また、本構成を取る場合、出力回路38に
対する入力レベルが固定されるため、出力回路38の設
計自体も簡便になる。特に高増幅度アンプを用いる場合
には入力ダイナミックレンジが狭いため、入力段での直
流成分レベルのばらつきは極力小さい方がよい。本構成
を適用することにより、入力ダイナミックレンジを固定
することができるので、より高増幅度のアンプを用いる
ことも可能となる。
対する入力レベルが固定されるため、出力回路38の設
計自体も簡便になる。特に高増幅度アンプを用いる場合
には入力ダイナミックレンジが狭いため、入力段での直
流成分レベルのばらつきは極力小さい方がよい。本構成
を適用することにより、入力ダイナミックレンジを固定
することができるので、より高増幅度のアンプを用いる
ことも可能となる。
【0031】次に、図1の出力回路構成において、図3
Bに示すように入力端(A)のCCD出力波形 (i)(又
は、(ii),(iii))のリセット期間21からプリチャージ
相の期間22に跨がるようなパルス幅を有するクランプ
パルスφC2を用いる場合は、さらに次の利点がある。即
ち、同図に示すようにアナログスイッチ41のオフにな
るポイントをCCD出力のプリチャージ相の部分に持っ
てくるようにすると、リセットレベル及びプリチャージ
レベルが参照電圧Vref にクランプされるため、出力端
(B)での出力信号は図3Cに示されるような光信号成
分だけの出力信号S2 が得られる。これにより、直流成
分レベルのばらつきを抑制すると同時に、リセットノイ
ズ24の除去が可能となり、固体撮像素子を用いたシス
テムにおいて、信号処理回路での構成はさらに簡便にす
ることができる。
Bに示すように入力端(A)のCCD出力波形 (i)(又
は、(ii),(iii))のリセット期間21からプリチャージ
相の期間22に跨がるようなパルス幅を有するクランプ
パルスφC2を用いる場合は、さらに次の利点がある。即
ち、同図に示すようにアナログスイッチ41のオフにな
るポイントをCCD出力のプリチャージ相の部分に持っ
てくるようにすると、リセットレベル及びプリチャージ
レベルが参照電圧Vref にクランプされるため、出力端
(B)での出力信号は図3Cに示されるような光信号成
分だけの出力信号S2 が得られる。これにより、直流成
分レベルのばらつきを抑制すると同時に、リセットノイ
ズ24の除去が可能となり、固体撮像素子を用いたシス
テムにおいて、信号処理回路での構成はさらに簡便にす
ることができる。
【0032】尚、図3Bの破線で示すようなプリチャー
ジ相にタイミングを合わせたクランプパルスφC3を用い
ることも可能であり、これによってもプリチャージレベ
ルが参照電圧Vref にクランプされることになり、出力
信号の直流成分レベルのばらつきを抑制することが可能
となる。
ジ相にタイミングを合わせたクランプパルスφC3を用い
ることも可能であり、これによってもプリチャージレベ
ルが参照電圧Vref にクランプされることになり、出力
信号の直流成分レベルのばらつきを抑制することが可能
となる。
【0033】図4は、本発明の固体撮像素子をCCDリ
ニアセンサに適用した場合の実施例である。本例におい
ては、1ラインに沿って配列された夫々画素となる複数
の受光部51と、水平転送レジスタ53と、各受光部5
1の信号電荷を水平転送レジスタ53へ読み出す読出し
ゲート部52とを有し、水平転送レジスタ53の最終段
に水平出力ゲート部8を介してフローティング・ディフ
ージョン領域9、さらにリセットゲート部13及びリセ
ットドレイン領域12からなる所謂光信号出力変換部3
4が形成される。
ニアセンサに適用した場合の実施例である。本例におい
ては、1ラインに沿って配列された夫々画素となる複数
の受光部51と、水平転送レジスタ53と、各受光部5
1の信号電荷を水平転送レジスタ53へ読み出す読出し
ゲート部52とを有し、水平転送レジスタ53の最終段
に水平出力ゲート部8を介してフローティング・ディフ
ージョン領域9、さらにリセットゲート部13及びリセ
ットドレイン領域12からなる所謂光信号出力変換部3
4が形成される。
【0034】しかして、本例においても、図1で示した
と同様の出力回路が構成される。即ち、フローティング
・ディフージョン領域9に前段の出力回路36が接続さ
れ、その出力側にクランプ容量40とアナログスイッチ
41からなるクランプ回路37が接続され、さらにこの
クランプ回路37の出力側に後段の出力回路38が接続
され、之より信号出力端子t2 が導出される。クランプ
回路37のアナログスイッチ41は参照電圧Vref が印
加される参照電圧端子t3 に接続されると共に、端子t
4 よりのクランプパルスφC によりオン・オフ制御され
るようになされる。
と同様の出力回路が構成される。即ち、フローティング
・ディフージョン領域9に前段の出力回路36が接続さ
れ、その出力側にクランプ容量40とアナログスイッチ
41からなるクランプ回路37が接続され、さらにこの
クランプ回路37の出力側に後段の出力回路38が接続
され、之より信号出力端子t2 が導出される。クランプ
回路37のアナログスイッチ41は参照電圧Vref が印
加される参照電圧端子t3 に接続されると共に、端子t
4 よりのクランプパルスφC によりオン・オフ制御され
るようになされる。
【0035】かかる構成の固体撮像素子(即ちCCDリ
ニアセンサ)54においても、その出力回路部は前述の
図1と同様の動作が行われ、CCD出力の直流成分レベ
ルのばらつきが抑制される。
ニアセンサ)54においても、その出力回路部は前述の
図1と同様の動作が行われ、CCD出力の直流成分レベ
ルのばらつきが抑制される。
【0036】上例では、クランプ用の参照電圧Vref を
端子t3 を通じて外部より印加するようにしたが、デバ
イス内部で発生させる直流電位であってもよい。
端子t3 を通じて外部より印加するようにしたが、デバ
イス内部で発生させる直流電位であってもよい。
【0037】また、例えば後段の出力回路38からの出
力の直流成分をとってその直流成分レベルが基準電位と
ずれている分だけ端子t3 より戻すような形でクランプ
電位を変えてフィードバックする等、いわゆるフィード
バッククランプによって後段の出力回路38に入力され
るCCD信号の直流成分のばらつきを制御することも可
能である。
力の直流成分をとってその直流成分レベルが基準電位と
ずれている分だけ端子t3 より戻すような形でクランプ
電位を変えてフィードバックする等、いわゆるフィード
バッククランプによって後段の出力回路38に入力され
るCCD信号の直流成分のばらつきを制御することも可
能である。
【0038】また、クランプパルスφC 自体は、外部か
ら与えても、CCD駆動パルス自体から作り出してもよ
い。
ら与えても、CCD駆動パルス自体から作り出してもよ
い。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像素子内におい
て、その出力信号の直流成分レベルのばらつきを制御す
ることが可能となる。この結果、固体撮像素子を用いた
システムにおいて、信号処理回路の構成を簡便にできる
等、システム自体の設計を容易にすることが可能とな
る。
て、その出力信号の直流成分レベルのばらつきを制御す
ることが可能となる。この結果、固体撮像素子を用いた
システムにおいて、信号処理回路の構成を簡便にできる
等、システム自体の設計を容易にすることが可能とな
る。
【図1】本発明の固体撮像素子をCCDイメージセンサ
に適用した場合の実施例を示す構成図である。
に適用した場合の実施例を示す構成図である。
【図2】本発明の動作説明に供する動作クロック及び出
力波形の一例を示す線図である。
力波形の一例を示す線図である。
【図3】本発明の動作説明に供する動作クロック及び出
力波形の他例を示す線図である。
力波形の他例を示す線図である。
【図4】本発明の固体撮像素子をCCDリニアセンサに
適用した場合の実施例を示す構成図である。
適用した場合の実施例を示す構成図である。
【図5】固体撮像素子の水平転送レジスタの終段部分及
び出力部を示す断面図である。
び出力部を示す断面図である。
【図6】図5の固体撮像素子のCCD出力波形図であ
る。
る。
8 水平出力ゲート部 9 フローティング・ディフージョン領域 12 リセットドレイン領域 13 リセットゲート部 31,51 受光部 32 垂直転送レジスタ 33,53 水平転送レジスタ 36,38 出力回路 37 クランプ回路 40 クランプ容量 41 アナログスイッチ 52 読み出しゲート部 43 半導体基板
Claims (2)
- 【請求項1】 固体撮像素子が形成された同一基板上に
おいて、該固体撮像素子の電荷−電圧変換した後の出力
回路中に、信号のリセットレベル又は/及びプリチャー
ジレベルをクランプするクランプ回路が設けられて成る
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項2】 信号のリセットレベル又は/及びプリチ
ャージレベルを固定電位にクランプすることを特徴とす
る請求項1記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342454A JPH06189202A (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342454A JPH06189202A (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06189202A true JPH06189202A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18353872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4342454A Pending JPH06189202A (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06189202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013066087A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置及び画像形成装置 |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP4342454A patent/JPH06189202A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013066087A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置及び画像形成装置 |
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