JPS6255349B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6255349B2 JPS6255349B2 JP55019857A JP1985780A JPS6255349B2 JP S6255349 B2 JPS6255349 B2 JP S6255349B2 JP 55019857 A JP55019857 A JP 55019857A JP 1985780 A JP1985780 A JP 1985780A JP S6255349 B2 JPS6255349 B2 JP S6255349B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- charge transfer
- pulse
- supplied
- transfer type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
例えば、CCDを用いた固体撮像装置におい
て、光電変換された信号電荷を検出して出力信号
として取り出すには、一般に次のようにしてい
る。
て、光電変換された信号電荷を検出して出力信号
として取り出すには、一般に次のようにしてい
る。
すなわち、第１図はCCD固体撮像装置の出力
取出回路の一例を示すもので、図の例は、CCD
イメージセンサの動作方式がフレーム転送方式の
場合であり、また、情報として蓄積される少数キ
ヤリアが電子の場合の例である。なお、図におい
て、破線より左側の部分がCCD装置側であり、
右側の部分は波形整形回路としてのサンプリング
ホールド回路である。
取出回路の一例を示すもので、図の例は、CCD
イメージセンサの動作方式がフレーム転送方式の
場合であり、また、情報として蓄積される少数キ
ヤリアが電子の場合の例である。なお、図におい
て、破線より左側の部分がCCD装置側であり、
右側の部分は波形整形回路としてのサンプリング
ホールド回路である。
図で、１は撮像デバイスの構成を示し、１ａは
出力取出回路の出力端である。
出力取出回路の出力端である。
また、２は撮像デバイス１の感光領域、３は電
荷を垂直方向に転送する複数の電荷転送型垂直レ
ジスタを有する蓄積領域、４は蓄積領域３の垂直
レジスタの出力電荷を受けて電荷を水平方向に転
送する電荷転送型水平レジスタを備える読み出し
レジスタ、５は出力ゲート及び逆バイアスされた
出力ダイオード部分を示している。
荷を垂直方向に転送する複数の電荷転送型垂直レ
ジスタを有する蓄積領域、４は蓄積領域３の垂直
レジスタの出力電荷を受けて電荷を水平方向に転
送する電荷転送型水平レジスタを備える読み出し
レジスタ、５は出力ゲート及び逆バイアスされた
出力ダイオード部分を示している。
感光領域２で生成された信号電荷は蓄積領域３
に転送されるとともに感光領域２では次の光電変
換動作がなされる。蓄積領域３に一時蓄積された
信号電荷は水平の１列毎に読み出しレジスタ４に
転送され、出力ゲート及び出力ダイオード部分５
を介して時系列に取り出される。
に転送されるとともに感光領域２では次の光電変
換動作がなされる。蓄積領域３に一時蓄積された
信号電荷は水平の１列毎に読み出しレジスタ４に
転送され、出力ゲート及び出力ダイオード部分５
を介して時系列に取り出される。
そして、出力ゲート及び出力ダイオード部分５
の出力端は、コンデンサ６を介して接地されると
ともにFET７のソースに接続され、FET７のド
レインには直流電圧ＥRが供給され、ゲートには
読み出しレジスタ４の転送クロツクに同期したプ
リチヤージパルスPa（第２図Ａ）が供給され
る。
の出力端は、コンデンサ６を介して接地されると
ともにFET７のソースに接続され、FET７のド
レインには直流電圧ＥRが供給され、ゲートには
読み出しレジスタ４の転送クロツクに同期したプ
リチヤージパルスPa（第２図Ａ）が供給され
る。
また、部分５とコンデンサ６との接続点は
FET８のゲートに接続され、このFET８のドレ
インには直流電圧Ｅが供給され、ソースは出力端
１ａに接続される。
FET８のゲートに接続され、このFET８のドレ
インには直流電圧Ｅが供給され、ソースは出力端
１ａに接続される。
したがつて、パルスPaがハイレベルである期
間Tpには、FET７がオンとなり、コンデンサ６
は電圧ＥRまでプリチヤージされる。そして、パ
ルスPaがローレベルである期間TsとなるとFET
７はオフとなり、出力信号電荷に応じてコンデン
サ６の両端電圧が下がる。したがつて、電圧ＥR
を基準レベルとしたとき、期間Tsでのコンデン
サ６の両端電圧が信号レベルとなる。
間Tpには、FET７がオンとなり、コンデンサ６
は電圧ＥRまでプリチヤージされる。そして、パ
ルスPaがローレベルである期間TsとなるとFET
７はオフとなり、出力信号電荷に応じてコンデン
サ６の両端電圧が下がる。したがつて、電圧ＥR
を基準レベルとしたとき、期間Tsでのコンデン
サ６の両端電圧が信号レベルとなる。
ここで、パルスPaは読み出しレジスタ４の転
送クロツクに同期しているので、読み出しレジス
タ４の１段分、すなわち１ビツト分毎にプリチヤ
ージレベルと信号レベルをくり返す電荷検出出力
電圧ＶOがコンデンサ６の両端に現われることに
なり、これがバツフアアンプを構成するFET８
を通じて出力端１ａに導出される。
送クロツクに同期しているので、読み出しレジス
タ４の１段分、すなわち１ビツト分毎にプリチヤ
ージレベルと信号レベルをくり返す電荷検出出力
電圧ＶOがコンデンサ６の両端に現われることに
なり、これがバツフアアンプを構成するFET８
を通じて出力端１ａに導出される。
この場合、実際には、パルスPaがFET７のゲ
ート−ソース間の浮遊容量を通じて信号路に飛び
込むため、出力端１ａに現われる出力電圧ＶOに
は、第２図Ｂに示すように、この飛び込み分の電
圧ＥPが重畳される。しかしながら、この飛び込
み分の電圧ＥPはほぼ一定であるから、この電圧
ＥP分だけ高い電圧を基準レベルとして信号レベ
ルを考えても不都合はないので、実際には、この
電圧ＥP分だけ高い電圧ＥR＋ＥPをプリチヤージ
レベルとみなしても差し支えはない。
ート−ソース間の浮遊容量を通じて信号路に飛び
込むため、出力端１ａに現われる出力電圧ＶOに
は、第２図Ｂに示すように、この飛び込み分の電
圧ＥPが重畳される。しかしながら、この飛び込
み分の電圧ＥPはほぼ一定であるから、この電圧
ＥP分だけ高い電圧を基準レベルとして信号レベ
ルを考えても不都合はないので、実際には、この
電圧ＥP分だけ高い電圧ＥR＋ＥPをプリチヤージ
レベルとみなしても差し支えはない。
こうして出力端１ａに取り出された出力ＶOは
サンプリングホールド回路１０のサンプリング用
FET１１のドレインに供給される。このFET１
１のゲートには出力ＶOの信号レベルの期間Tsで
ハイレベルとなるサンプリングパルスPb（第２
図Ｃ）が供給され、そのハイレベルとなる期間で
FET１１がオンとされ、出力ＶOの信号レベルが
サンプリングされる。そして、ホールド用コンデ
ンサ１２がこのサンプリングされた信号レベルま
で充電あるいは放電されて、このコンデンサ１２
に信号レベルがホールドされる。このホールド電
圧ＶHはバツフアアンプを構成するFET１３を通
じて取り出される。なお、９はFET８の負荷抵
抗、１４はFET１３の負荷抵抗である。
サンプリングホールド回路１０のサンプリング用
FET１１のドレインに供給される。このFET１
１のゲートには出力ＶOの信号レベルの期間Tsで
ハイレベルとなるサンプリングパルスPb（第２
図Ｃ）が供給され、そのハイレベルとなる期間で
FET１１がオンとされ、出力ＶOの信号レベルが
サンプリングされる。そして、ホールド用コンデ
ンサ１２がこのサンプリングされた信号レベルま
で充電あるいは放電されて、このコンデンサ１２
に信号レベルがホールドされる。このホールド電
圧ＶHはバツフアアンプを構成するFET１３を通
じて取り出される。なお、９はFET８の負荷抵
抗、１４はFET１３の負荷抵抗である。
ところで、上述したように、CCD固体撮像装
置に蓄積された電荷を電圧に変換して取り出すに
は、前述したように少数キヤリアが電子の場合に
はコンデンサ６を１ビツト分毎にプリチヤージす
る必要がある。
置に蓄積された電荷を電圧に変換して取り出すに
は、前述したように少数キヤリアが電子の場合に
はコンデンサ６を１ビツト分毎にプリチヤージす
る必要がある。
ところが、このプリチヤージ動作の際、FET
７の内部雑音、このFET７の電源の雑音等の雑
音が生じ、この雑音により基準プリチヤージレベ
ルが変動してしまう。そして、このプリチヤージ
期間に生じた雑音のレベルＮはコンデンサ６によ
つて１ビツト期間τB＝Tp＋Ts中保持される。
つまり、雑音はサンプリングホールドされた形で
出力されることになる。
７の内部雑音、このFET７の電源の雑音等の雑
音が生じ、この雑音により基準プリチヤージレベ
ルが変動してしまう。そして、このプリチヤージ
期間に生じた雑音のレベルＮはコンデンサ６によ
つて１ビツト期間τB＝Tp＋Ts中保持される。
つまり、雑音はサンプリングホールドされた形で
出力されることになる。
このため、この雑音により出力電圧ＶOは第２
図Ｂで破線で示すようになり、期間Tsの信号レ
ベルも変動してしまう。したがつて、第１図の回
路例のように出力ＶOの信号レベル部分を単にサ
ンプリングホールドした場合には、信号成分Ｓに
ノイズ成分Ｎが混入したものが取り出されてしま
う不都合がある。
図Ｂで破線で示すようになり、期間Tsの信号レ
ベルも変動してしまう。したがつて、第１図の回
路例のように出力ＶOの信号レベル部分を単にサ
ンプリングホールドした場合には、信号成分Ｓに
ノイズ成分Ｎが混入したものが取り出されてしま
う不都合がある。
この発明は、このプリチヤージ動作時の雑音を
有効に除去するようにしたものである。
有効に除去するようにしたものである。
すなわち、この発明はノイズレベルは１ビツト
期間τBで一定であり、かつプリチヤージ期間Tp
には信号成分はない点に着目し、プリチヤージ期
間Tpのレベルと信号レベル期間Tsのレベルの差
をとることによりノイズを除去しようとするもの
である。
期間τBで一定であり、かつプリチヤージ期間Tp
には信号成分はない点に着目し、プリチヤージ期
間Tpのレベルと信号レベル期間Tsのレベルの差
をとることによりノイズを除去しようとするもの
である。
以下、この発明の実施例を図を参照しながら説
明しよう。
明しよう。
すなわち、第３図はこの発明の原理的構成の一
例を示すもので、端子１ａに取り出された出力Ｖ
O（第４図Ａ）は遅延回路１５に供給されて０＜
τd＜τBなるτdだけ遅延された信号Vodとさ
れ、この信号Vod（同図Ｂ）が差動アンプ１６の
反転入力端子に供給される。出力ＶOは、また、
そのまま差動アンプ１６の非反転入力端子に供給
される。したがつて、この差動アンプ１６よりは
両者の差の出力が得られる。
例を示すもので、端子１ａに取り出された出力Ｖ
O（第４図Ａ）は遅延回路１５に供給されて０＜
τd＜τBなるτdだけ遅延された信号Vodとさ
れ、この信号Vod（同図Ｂ）が差動アンプ１６の
反転入力端子に供給される。出力ＶOは、また、
そのまま差動アンプ１６の非反転入力端子に供給
される。したがつて、この差動アンプ１６よりは
両者の差の出力が得られる。
この差動アンプ１６の出力はサンプリングホー
ルド回路１０に供給される。そして、この場合、
このサンプリングホールド回路１０にはサンプリ
ングパルスとして周期はτBで、信号Vodのプリ
チヤージ期間Tp′で“１”のレベルとなるパルス
SP0（第４図Ｃ）が供給され、差動アンプ１６の
出力のこの期間Tp′の値がサンプリングホールド
される。
ルド回路１０に供給される。そして、この場合、
このサンプリングホールド回路１０にはサンプリ
ングパルスとして周期はτBで、信号Vodのプリ
チヤージ期間Tp′で“１”のレベルとなるパルス
SP0（第４図Ｃ）が供給され、差動アンプ１６の
出力のこの期間Tp′の値がサンプリングホールド
される。
この場合、この信号Vodのプリチヤージ期間
Tp′では、差動アンプ１６の一方の入力信号は信
号成分＋雑音成分となつており、他方の入力信号
Vodは雑音成分のみとなつているから、差動アン
プ１６の出力は、この期間Tp′ではもとの出力Ｖ
Oから雑音成分が除去されたものとなつている。
したがつて、サンプリングホールド回路１０では
雑音の除去された信号レベルがサンプリングホー
ルドされて、それが出力として取り出されるもの
である。
Tp′では、差動アンプ１６の一方の入力信号は信
号成分＋雑音成分となつており、他方の入力信号
Vodは雑音成分のみとなつているから、差動アン
プ１６の出力は、この期間Tp′ではもとの出力Ｖ
Oから雑音成分が除去されたものとなつている。
したがつて、サンプリングホールド回路１０では
雑音の除去された信号レベルがサンプリングホー
ルドされて、それが出力として取り出されるもの
である。
この場合、差動アンプ１６において、〔（信号＋
雑音）−雑音〕を有効に行うには、信号レベルが
正しいものとなる信号レベル期間Tsの最後の部
分がよい。したがつて、遅延回路１５の遅延時間
τdは、τdτB−（Tpの長さ）が最適となる。
雑音）−雑音〕を有効に行うには、信号レベルが
正しいものとなる信号レベル期間Tsの最後の部
分がよい。したがつて、遅延回路１５の遅延時間
τdは、τdτB−（Tpの長さ）が最適となる。
なお、サンプリングパルスSP0のパルス幅は、
期間Tp′内であればTp′より狭くてもよいのはい
うまでもない。
期間Tp′内であればTp′より狭くてもよいのはい
うまでもない。
ところで、この第３図例の場合、サンプリング
ホールド回路１０におけるパルスSP0によるサン
プリングホールドのため、このパルスSP0が飛び
込みパルスとして現われてしまう。
ホールド回路１０におけるパルスSP0によるサン
プリングホールドのため、このパルスSP0が飛び
込みパルスとして現われてしまう。
この発明は特にこの点をも考慮したもので、第
５図にこの発明の一実施例を示す。
５図にこの発明の一実施例を示す。
すなわち、出力ＶO（第６図Ａ）がサンプリン
グホールド回路１７に供給される。一方、このサ
ンプリングホールド回路１７には、周期がτB
で、前縁が出力ＶOのプリチヤージ期間の前縁よ
りもτd＝τB−Tpだけ遅れ、パルス幅がTpに等
しいサンプリングパルスSP1（同図Ｂ）が供給さ
れて、出力ＶOの信号レベル部分がサンプリング
ホールドされる。そして、そのホールド出力ＨS
（同図Ｄ）が差動アンプ２０の反転入力端子に供
給される。
グホールド回路１７に供給される。一方、このサ
ンプリングホールド回路１７には、周期がτB
で、前縁が出力ＶOのプリチヤージ期間の前縁よ
りもτd＝τB−Tpだけ遅れ、パルス幅がTpに等
しいサンプリングパルスSP1（同図Ｂ）が供給さ
れて、出力ＶOの信号レベル部分がサンプリング
ホールドされる。そして、そのホールド出力ＨS
（同図Ｄ）が差動アンプ２０の反転入力端子に供
給される。
出力ＶOは、また、サンプリングホールド回路
１８に供給される。このサンプリングホールド回
路１８には、出力ＶOのプリチヤージ期間Tpで
“１”となるサンプリングパルスSP2（同図Ｃ）
が供給されて、出力ＶOの期間Tpのレベルがサン
プリングホールドされる。そて、そしのホールド
出力ＨN1（同図Ｅ）は、さらに、サンプリングホ
ールド回路１９に供給される。そして、このサン
プリングホールド回路１９には、サンプリングパ
ルスSP1が供給されて、出力ＨN1がサンプリング
ホールドされ、そのホールド出力ＨN2（同図Ｆ）
が差動アンプ２０の非反転入力端子に供給され
る。
１８に供給される。このサンプリングホールド回
路１８には、出力ＶOのプリチヤージ期間Tpで
“１”となるサンプリングパルスSP2（同図Ｃ）
が供給されて、出力ＶOの期間Tpのレベルがサン
プリングホールドされる。そて、そしのホールド
出力ＨN1（同図Ｅ）は、さらに、サンプリングホ
ールド回路１９に供給される。そして、このサン
プリングホールド回路１９には、サンプリングパ
ルスSP1が供給されて、出力ＨN1がサンプリング
ホールドされ、そのホールド出力ＨN2（同図Ｆ）
が差動アンプ２０の非反転入力端子に供給され
る。
ここで、第６図Ｄ，Ｅ，Ｆの出力ＨS、ＨN1、
ＨN2中のパルス状電圧Ｅp′は、サンプリングパル
スSP1及びSP2がサンプリングホールド回路１０
のFET１１のゲート−ソース間の容量を通じて
出力信号中に飛び込むことにより生じる飛び込み
パルス分である。
ＨN2中のパルス状電圧Ｅp′は、サンプリングパル
スSP1及びSP2がサンプリングホールド回路１０
のFET１１のゲート−ソース間の容量を通じて
出力信号中に飛び込むことにより生じる飛び込み
パルス分である。
ところで、サンプリングホールド回路１７の出
力ＨSは、出力ＶOの信号レベル期間Tsのサンプ
ル値であるから、信号成分＋雑音成分となつてい
る。一方、サンプリングホールド回路１８の出力
ＨN1は、出力ＶOのプリチヤージ期間Tpのサンプ
ル値であるから信号成分はなく、雑音成分のみで
ある。したがつて、両出力ＨSとＨN1との差をと
ることにより雑音成分を除去することができる。
ところが、両出力ＨSとＨN1とは出力ＶOの異なる
時点でのサンプリングホールド出力であるため、
第６図からも明らかなように、飛び込みパルスの
出現時点に位相差が生じる。このため、両出力Ｈ
SとＨN1との差をとると、飛び込みパルスがその
まま現われてしまうが、この例では、出力ＨN1は
サンプリングパルスSP1によりさらにサンプリン
グホールドされるので、そのホールド出力ＨN2中
に現われる飛び込みパルスは、出力ＨSのそれと
同相になる。したがつて、差動アンプ２０の出力
としては、雑音成分が除去されるとともに、サン
プリングホールド時の飛び込みパルスも十分に抑
圧されたものが得られる。
力ＨSは、出力ＶOの信号レベル期間Tsのサンプ
ル値であるから、信号成分＋雑音成分となつてい
る。一方、サンプリングホールド回路１８の出力
ＨN1は、出力ＶOのプリチヤージ期間Tpのサンプ
ル値であるから信号成分はなく、雑音成分のみで
ある。したがつて、両出力ＨSとＨN1との差をと
ることにより雑音成分を除去することができる。
ところが、両出力ＨSとＨN1とは出力ＶOの異なる
時点でのサンプリングホールド出力であるため、
第６図からも明らかなように、飛び込みパルスの
出現時点に位相差が生じる。このため、両出力Ｈ
SとＨN1との差をとると、飛び込みパルスがその
まま現われてしまうが、この例では、出力ＨN1は
サンプリングパルスSP1によりさらにサンプリン
グホールドされるので、そのホールド出力ＨN2中
に現われる飛び込みパルスは、出力ＨSのそれと
同相になる。したがつて、差動アンプ２０の出力
としては、雑音成分が除去されるとともに、サン
プリングホールド時の飛び込みパルスも十分に抑
圧されたものが得られる。
以上述べたようにして、この発明によれば、電
荷検出回路の出力段において、プリチヤージ動作
時に生じるノイズを軽減することができる。
荷検出回路の出力段において、プリチヤージ動作
時に生じるノイズを軽減することができる。
なお、以上の例はCCD内で取り扱われる情報
として蓄積される少数キヤリアが電子であるた
め、電荷を検出する場合、あらかじめコンデンサ
を基準レベルに充電し、電荷に応じて放電をする
ようにしたが、少数キヤリアが正孔である場合に
はコンデンサ６の蓄積電荷をあらかじめ基準レベ
ルまで放電しておき、電荷に応じて充電をするよ
うになる。この場合、放電時に生じるノイズの軽
減は電子が少数キヤリアの場合と全く同様にして
できることは言うまでもないであろう。
として蓄積される少数キヤリアが電子であるた
め、電荷を検出する場合、あらかじめコンデンサ
を基準レベルに充電し、電荷に応じて放電をする
ようにしたが、少数キヤリアが正孔である場合に
はコンデンサ６の蓄積電荷をあらかじめ基準レベ
ルまで放電しておき、電荷に応じて充電をするよ
うになる。この場合、放電時に生じるノイズの軽
減は電子が少数キヤリアの場合と全く同様にして
できることは言うまでもないであろう。
なお、この発明が適用される電荷転送素子とし
ては上述の例のCCDに限らず、BBDやその他の
素子が考えられるのはもちろんである。
ては上述の例のCCDに限らず、BBDやその他の
素子が考えられるのはもちろんである。
第１図はCCD固体撮像装置の出力取出回路の
従来の一例の回路図、第２図はその説明のための
図、第３図はこの発明の原理的構成例の系統図、
第４図はその説明のための図、第５図はこの発明
の一実施例の要部の系統図、第６図はその説明の
ための図である。 １５は遅延回路、１６及び２０は差動アンプ、
１７〜１９はサンプリングホールド回路である。
従来の一例の回路図、第２図はその説明のための
図、第３図はこの発明の原理的構成例の系統図、
第４図はその説明のための図、第５図はこの発明
の一実施例の要部の系統図、第６図はその説明の
ための図である。 １５は遅延回路、１６及び２０は差動アンプ、
１７〜１９はサンプリングホールド回路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電荷を垂直方向に転送する複数の電荷転送型
垂直レジスタと、この複数の電荷転送型垂直レジ
スタの出力電荷を受けて電荷を水平方向に転送す
ると共に出力にパルス化された映像信号を発生す
る電荷転送型水平レジスタとを有する固体撮像素
子と、上記パルス化された映像信号中のノイズを
除去するノイズ除去回路とよりなる固体撮像装置
において、 上記電荷転送型水平レジスタはその出力部にプ
リチヤージ回路を有し、このプリチヤージ回路は
上記電荷転送型水平レジスタを駆動するクロツク
と同一周波数のプリチヤージパルスが供給される
プリチヤージトランジスタと、上記プリチヤージ
パルスのパルス期間を含む第１の所定期間にその
両端に基準電圧を発生し残余の期間に上記電荷転
送型水平レジスタの出力信号のレベルに基づいて
充放電制御される容量手段とを有し、上記ノイズ
除去回路は上記電荷転送型水平レジスタの出力に
接続され、その駆動クロツクと同一周波数の第１
のクロツクパルスが供給される第１のサンプルホ
ールド回路と、上記電荷転送型水平レジスタの出
力に接続され、その駆動クロツクと同一周波数の
第２のクロツクパルスが供給される第２のサンプ
ルホールド回路と、上記第２のサンプルホールド
回路の出力に接続され、上記電荷転送型水平レジ
スタの駆動用クロツクと同一周波数の第三のクロ
ツクパルスが供給される第３のサンプルホールド
回路と、上記第１及び第３のサンプルホールド回
路の出力が供給される差動増幅器とを有し、上記
第１及び第３のクロツクパルスは互いに同相で上
記残余の期間に対応する位相を有し、上記第２の
クロツクパルスは上記第１の所定期間に対応する
位相を有することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985780A JPS56116374A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | Charge detection circuit |
| CA000370198A CA1161548A (en) | 1980-02-20 | 1981-02-05 | Signal pick-up circuit |
| NL8100741A NL192485C (nl) | 1980-02-20 | 1981-02-16 | Halfgeleidervideocamera. |
| GB8104862A GB2071959B (en) | 1980-02-20 | 1981-02-17 | Signal pick-up circuit arrangements |
| AT0076581A AT381425B (de) | 1980-02-20 | 1981-02-19 | Schaltungsanordnung zur unterdrueckung des rauschens eines pulsfoermigen video-informationssignals von einer bildaufnahmeeinrichtung |
| DE19813106359 DE3106359A1 (de) | 1980-02-20 | 1981-02-20 | Signalaufnehmerschaltung |
| CA000427684A CA1165434A (en) | 1980-02-20 | 1983-05-06 | Signal pick-up circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985780A JPS56116374A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | Charge detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56116374A JPS56116374A (en) | 1981-09-12 |
| JPS6255349B2 true JPS6255349B2 (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=12010894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985780A Granted JPS56116374A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | Charge detection circuit |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56116374A (ja) |
| AT (1) | AT381425B (ja) |
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| DE (1) | DE3106359A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3049043A1 (de) * | 1980-12-24 | 1982-07-15 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren und anordnung zur unterdrueckung des niederfrequenten rauschens bei ausgangssignalen von halbleiter- sensoren |
| DE3049130A1 (de) * | 1980-12-24 | 1982-07-15 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur stoersignalbeseitigung bei festkoerper-bildsensoren |
| JPS5986379A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 光電変換装置 |
| JPS59143479A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-17 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の信号読み出し装置 |
| JPS59160374A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-11 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPS6178284A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US4914519A (en) * | 1986-09-19 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for eliminating noise in a solid-state image pickup device |
| US5737016A (en) * | 1985-11-15 | 1998-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus for reducing noise |
| US5771070A (en) | 1985-11-15 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal |
| JPH084127B2 (ja) * | 1986-09-30 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPS62122468A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｃｃｄの信号読出し回路 |
| JPS62155575U (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-02 | ||
| JP2705054B2 (ja) * | 1986-08-02 | 1998-01-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
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| JPS6442990A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-15 | Fujitsu Ltd | Signal sampling system for image pickup device |
| JP2557727B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1996-11-27 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像素子のノイズ除去回路 |
| EP0553544A1 (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multiplexed noise suppression signal recovery for multiphase readout of charge coupled device arrays |
| US5515103A (en) * | 1993-09-30 | 1996-05-07 | Sanyo Electric Co. | Image signal processing apparatus integrated on single semiconductor substrate |
| EP0725535B1 (en) * | 1995-02-01 | 2003-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and method of operating the same |
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| FR2757336A1 (fr) * | 1996-12-13 | 1998-06-19 | Philips Electronics Nv | Circuit d'interface pour camera video |
| JP2005154133A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | エレベータの制御装置 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
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