JPH0618940U - 静電容量形圧力センサ - Google Patents

静電容量形圧力センサ

Info

Publication number
JPH0618940U
JPH0618940U JP5755392U JP5755392U JPH0618940U JP H0618940 U JPH0618940 U JP H0618940U JP 5755392 U JP5755392 U JP 5755392U JP 5755392 U JP5755392 U JP 5755392U JP H0618940 U JPH0618940 U JP H0618940U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fixed electrode
pressure sensor
movable electrode
electrode
silicon substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5755392U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2582665Y2 (ja
Inventor
正博 佐藤
紀久夫 敦賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP1992057553U priority Critical patent/JP2582665Y2/ja
Publication of JPH0618940U publication Critical patent/JPH0618940U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2582665Y2 publication Critical patent/JP2582665Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ゴミおよび湿度変化等により可動電極と固定
電極の間で電気的ショートが起こらない耐環境性の良い
静電容量形圧力センサを供給すること。 【構成】 シリコン基板１１と絶縁基板１２とを有し、
シリコン基板１１と絶縁基板１２に、それぞれ可動電極
１５と固定電極１６が互いに対向するように取り付けら
れる。さらに、固定電極１６の全体を覆うように絶縁膜
１７を設ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案はシリコン基板と絶縁基板とを有し、該シリコン基板と絶縁基板に、互 いに対向するように電極を接合して形成される静電容量形圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の静電容量形圧力センサの構造を図２を参照して説明する。シリコン基板 ２１は、圧力により変形するダイアフラム部２５と、その下にキャビティー部２ ３とからなり、シリコン基板２１のキャビティー部２３方面には、不純物を拡散 等によって形成した可動電極２４とを有し、一方ガラス基板２２の前記可動電極 ２４と対向する面には、圧力によって変形しない固定電極２６が接合されている 。又、静電容量形圧力センサの動作原理は、前記可動電極２４を兼ねたダイアフ ラム部２５に圧力が加わると前記可動電極２４であるダイアフラム部２５が変形 し、前記可動電極２４と対向する固定電極２６間のギャップの変化が起こり、前 記可動電極２４と固定電極２６間の静電容量Ｃの関係式は数式１で表され、
【数１】 ギャップの変化により静電容量が変化する。また圧力とギャップの間には一定の 相関関係があり静電容量の変化から圧力を検出することができる。
【０００３】 またシリコン基板２１上の可動電極２４側には、過大圧力を印加した場合可動 電極２４と固定電極２６の接触のため起こる電気的ショートにより静電容量測定 不可能となるのを防止するため、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等の絶縁膜 ２７を設置した。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
従来のシリコン基板２１の可動電極２４側に絶縁膜２７を設置する構造の場合 、絶縁膜２７は可動電極２４の全面を覆うことが不可能であるため可動電極２４ と固定電極２６の間のキャビティー部２３内に水蒸気等の不純物が付着した場合 絶縁膜２７で覆われている部分以外の可動電極２４と固定電極２６間にて電気的 ショートを発生する恐れがあるという欠点があった。
【０００５】 本考案はかかる欠点を除去するため絶縁膜の形成位置および形状を変更し、水 蒸気等の不純物が付着した場合においても可動電極と固定電極の電気的ショート を防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
絶縁膜をガラス基板上に形成した固定電極側に前記固定電極の形状に添う形で 全面を完全に覆うように設置する。
【０００７】 絶縁膜をガラス基板上に形成した固定電極側に前記固定電極の形状に添う形で 全面を完全に覆うように設置することにより、過大圧力印加時の可動電極と固定 電極の接触による電気的ショートを防止し、更に可動電極と固定電極の間のキャ ビティー部内に水蒸気等の不純物が付着した場合においても可動電極と固定電極 の電気的ショートを防止する。
【０００８】
【実施例】
以下本考案に係わる静電容量形圧力センサの実施例について図１を参照して説 明する。
【０００９】 図１は、本考案の静電容量形圧力センサの断面図である。
【００１０】 静電容量形圧力センサは、シリコン基板１１とガラス基板１２とを接合した２ 層構造である。
【００１１】 シリコン基板１１は、圧力により変形するダイアフラム部１４とその下に設け たキャビティー部１３とで形成される。また、前記シリコン基板１１のキャビテ ィー部１３側に不純物の拡散によって形成した可動電極１５が設けてある。また ガラス基板１２の一方面には蒸着、スパッタ等により形成された圧力により変形 しない固定電極１６が設置され、上記シリコン基板１１とガラス基板１２は、各 基板上の電極面を対向させるように静電接着等の接着技術を用いて接合されてい る。またガラス基板１２上の固定電極１６には、塗布、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ 等により形成された有機絶縁膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜等の絶縁 膜１７が固定電極１６の形状に添う形で全面を覆うように設置されている。
【００１２】 上記のように絶縁膜１７を設置することにより過大圧力印加時の可動電極１５ と固定電極１６の接触による電気的ショートを防止し、更に可動電極１５と固定 電極１６の間のキャビティー部１３内に水蒸気等の不純物が付着した場合でも固 定電極１６が完全に絶縁膜１７で封止された状態にあるため可動電極１５と固定 電極１６の電気的ショートを防止することができる。
【００１３】
【考案の効果】
本考案によればゴミおよび湿度変化等により可動電極と固定電極の間で電気的 ショートが起こらない耐環境性の良い静電容量形圧力センサを供給することがで きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の静電容量形圧力センサの断面図であ
る。
【図２】従来の静電容量形圧力センサの断面図である。
【符号の説明】
１１，２１ シリコン基板 １２，２２ ガラス基板 １３，２３ キャビティー部 １４，２５ ダイアフラム部 １５，２４ 可動電極 １６，２６ 固定電極 １７，２７ 絶縁膜

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリコン基板と絶縁基板とを有し、前記
    シリコン基板と絶縁基板に、それぞれ可動電極と固定電
    極が互いに対向するように取り付けられて構成された静
    電容量形圧力センサにおいて、前記固定電極の全体を覆
    うように絶縁膜を設けることを特徴とする静電容量形圧
    力センサ。
JP1992057553U 1992-08-17 1992-08-17 静電容量形圧力センサ Expired - Lifetime JP2582665Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1992057553U JP2582665Y2 (ja) 1992-08-17 1992-08-17 静電容量形圧力センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1992057553U JP2582665Y2 (ja) 1992-08-17 1992-08-17 静電容量形圧力センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0618940U true JPH0618940U (ja) 1994-03-11
JP2582665Y2 JP2582665Y2 (ja) 1998-10-08

Family

ID=13059006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1992057553U Expired - Lifetime JP2582665Y2 (ja) 1992-08-17 1992-08-17 静電容量形圧力センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2582665Y2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007078439A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Sony Corp 容量検出型センサ素子
JP2007267273A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン
JP2021158544A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 凸版印刷株式会社 コンデンサ及びマイクロフォン

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5436984A (en) * 1977-08-30 1979-03-19 Fuji Electric Co Ltd Pressure measuring apparatus
JPH02272340A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Fuji Electric Co Ltd 静電容量式圧力検出器
JPH03170826A (ja) * 1989-11-29 1991-07-24 Toshiba Corp 容量型圧力センサ
JPH05264384A (ja) * 1991-11-30 1993-10-12 Endress & Hauser Gmbh & Co 真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5436984A (en) * 1977-08-30 1979-03-19 Fuji Electric Co Ltd Pressure measuring apparatus
JPH02272340A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Fuji Electric Co Ltd 静電容量式圧力検出器
JPH03170826A (ja) * 1989-11-29 1991-07-24 Toshiba Corp 容量型圧力センサ
JPH05264384A (ja) * 1991-11-30 1993-10-12 Endress & Hauser Gmbh & Co 真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007078439A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Sony Corp 容量検出型センサ素子
JP2007267273A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン
JP2021158544A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 凸版印刷株式会社 コンデンサ及びマイクロフォン

Also Published As

Publication number Publication date
JP2582665Y2 (ja) 1998-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0003387B1 (en) Improved electromechanical pressure transducer
KR100355421B1 (ko) 용량성절대압력센서및방법
US4380041A (en) Capacitor pressure transducer with housing
GB2276978B (en) Absolute pressure sensor
US4204244A (en) Electromechanical pressure transducer
EP0947816A3 (en) Capacitive type pressure sensor
RU97110284A (ru) Емкостный датчик давления и способ его изготовления
JPH0618940U (ja) 静電容量形圧力センサ
JPS59148843A (ja) 静電容量形圧力センサ
JP3127056B2 (ja) マイクロセンサ
JPH0521807Y2 (ja)
JPH08240502A (ja) 静電容量型圧力センサ
JPS6056233A (ja) 圧力センサユニツト
JPS5819433U (ja) メンブレンキ−ボ−ド
JPS5892745U (ja) 半導体圧力変換器
JPH0727168U (ja) 半導体圧力センサ
JPH02223119A (ja) 圧力スイッチ
KR970030099A (ko) 플라즈마 표시소자
JPS5821835U (ja) 接触型温度検出装置
JPH03170038A (ja) 静電容量型水位センサ素子
JPS58122523U (ja) 電気湯沸かし器
JP2005326290A (ja) タッチモード容量型圧力センサの構造
JPS5886505U (ja) 静電容量式膜厚計
JPS5942938U (ja) 静電容量型圧力センサ
KR940020106A (ko) 체감센서

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980624