JPH0619112A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0619112A JPH0619112A JP17680792A JP17680792A JPH0619112A JP H0619112 A JPH0619112 A JP H0619112A JP 17680792 A JP17680792 A JP 17680792A JP 17680792 A JP17680792 A JP 17680792A JP H0619112 A JPH0619112 A JP H0619112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shifter
- resist
- patterning
- phase shift
- shift mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、位相シフトマスクの製造方法に関
するもので、その製造におけるシフターの修正に要する
時間を短縮することを目的とするものである。 【構成】 本発明は、位相シフトマスクの製造にあた
り、シフター１をパターニングするためのレジスト４
を、それ自体シフターとして使える形状（膜厚）に形成
し、その後検査するようにしたものである。従って、短
納期などの場合、このままでも位相シフトマスクとして
使用できるし、修正はレジスト４を再塗布するだけでよ
い。
するもので、その製造におけるシフターの修正に要する
時間を短縮することを目的とするものである。 【構成】 本発明は、位相シフトマスクの製造にあた
り、シフター１をパターニングするためのレジスト４
を、それ自体シフターとして使える形状（膜厚）に形成
し、その後検査するようにしたものである。従って、短
納期などの場合、このままでも位相シフトマスクとして
使用できるし、修正はレジスト４を再塗布するだけでよ
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置などの製
造の使用される位相シフトマスクの製造方法の特にシフ
ターの修正工程を中心にした方法に関するものである。
造の使用される位相シフトマスクの製造方法の特にシフ
ターの修正工程を中心にした方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、位相シフトマスクは、半
導体装置などの製造におけるリソグラフィ工程でのパタ
ーニングのマスクとして使用されるものであり、その構
成は図２に示すように、ガラス基板３上に遮光膜（一般
に材料はクローム：Ｃｒ）２がパターニング形成されて
おり、その上に遮光膜２に一部重なるようにシフター
（一般に材料はＳＯＧ（スピン オン ガラス）など）
が形成されているものである。
導体装置などの製造におけるリソグラフィ工程でのパタ
ーニングのマスクとして使用されるものであり、その構
成は図２に示すように、ガラス基板３上に遮光膜（一般
に材料はクローム：Ｃｒ）２がパターニング形成されて
おり、その上に遮光膜２に一部重なるようにシフター
（一般に材料はＳＯＧ（スピン オン ガラス）など）
が形成されているものである。
【０００３】このような位相シフトマスクの製造は、ま
ず、ガラス基板３の上に遮光膜材を形成してパターニン
グし、遮光膜２を形成し、その上にシフター材を形成
し、パターニングしてシフター１を形成する。無論、パ
ターニングには、レジストを塗布してパターニングして
それをマスクにして遮光膜２、シフター１のパターニン
グを行ない、その後レジストは除去する。従来、このよ
うにして製造する位相シフトマスクの検査は、前述のシ
フター１が形成された後、即ち位相シフトマスクが完全
にできてから行なっている。
ず、ガラス基板３の上に遮光膜材を形成してパターニン
グし、遮光膜２を形成し、その上にシフター材を形成
し、パターニングしてシフター１を形成する。無論、パ
ターニングには、レジストを塗布してパターニングして
それをマスクにして遮光膜２、シフター１のパターニン
グを行ない、その後レジストは除去する。従来、このよ
うにして製造する位相シフトマスクの検査は、前述のシ
フター１が形成された後、即ち位相シフトマスクが完全
にできてから行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た製造方法では、シフターの修正が必要な場合（この修
正はかなりの頻度である）、シフターの形成からし直さ
なければならず、製造に要する時間が長くなるという問
題点があった。
た製造方法では、シフターの修正が必要な場合（この修
正はかなりの頻度である）、シフターの形成からし直さ
なければならず、製造に要する時間が長くなるという問
題点があった。
【０００５】本発明は、前述した位相シフトマスク製作
時間の長時間化を解消するために、シフターのパターニ
ングのためのレジストをパターニングした後に検査をす
るようにし、製作時間の短縮を図ることを目的とするも
のである。
時間の長時間化を解消するために、シフターのパターニ
ングのためのレジストをパターニングした後に検査をす
るようにし、製作時間の短縮を図ることを目的とするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的のために本発明
は、位相シフトマスクの製造にあたり、シフターのパタ
ーニングのためのレジストを、そのレジスト自体シフタ
ーとして使用できる形状（膜厚）に形成して、その後
（即ち、従来のようにシフター材をシフターとした位相
シフトマスクが完成する前に）検査するようにしたもの
である。
は、位相シフトマスクの製造にあたり、シフターのパタ
ーニングのためのレジストを、そのレジスト自体シフタ
ーとして使用できる形状（膜厚）に形成して、その後
（即ち、従来のようにシフター材をシフターとした位相
シフトマスクが完成する前に）検査するようにしたもの
である。
【０００７】
【作用】前述したように本発明は、シフターのパターニ
ングのためのレジストを、それ自体がシフターとして使
用できるようにパターニングした後検査するようにした
ので、そのとき欠陥が見つかれば、レジストを除去して
再塗布するだけでよく、製造工程の短縮が図れる。
ングのためのレジストを、それ自体がシフターとして使
用できるようにパターニングした後検査するようにした
ので、そのとき欠陥が見つかれば、レジストを除去して
再塗布するだけでよく、製造工程の短縮が図れる。
【０００８】また、この時点での構成で位相シフトマス
クとして使用できる（レジストがシフターとして使用で
きる）ので、短納期などの場合、一旦そのままで使用
し、時間的に余裕ができてからシフター材をパターニン
グしてレジストを除去し、最終的な位相シフトマスクに
するといったこともできる。
クとして使用できる（レジストがシフターとして使用で
きる）ので、短納期などの場合、一旦そのままで使用
し、時間的に余裕ができてからシフター材をパターニン
グしてレジストを除去し、最終的な位相シフトマスクに
するといったこともできる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例の製造工程を図１に示し、以
下に説明する。
下に説明する。
【００１０】まず、図１（ａ）に示すように、従来同
様、ガラス基板３上に遮光膜（材料はＣｒ）２を形成
し、パターニングする。次いで、その上にシフター材
（材料はＳＯＧ）１を厚さ４２４０Å形成し、その上に
レジスト４（シプレイ社製：ＳＡＬ６０１ ＥＲ４）を
厚さ３０４０Å塗布する。そして露光を行ない、１２５
℃、５分のＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｅ）を行ない、現像して（いわゆるパターニング）、
図１（ｂ）に示すように、前記レジスト４をシフターと
して使える形に形成する。
様、ガラス基板３上に遮光膜（材料はＣｒ）２を形成
し、パターニングする。次いで、その上にシフター材
（材料はＳＯＧ）１を厚さ４２４０Å形成し、その上に
レジスト４（シプレイ社製：ＳＡＬ６０１ ＥＲ４）を
厚さ３０４０Å塗布する。そして露光を行ない、１２５
℃、５分のＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｅ）を行ない、現像して（いわゆるパターニング）、
図１（ｂ）に示すように、前記レジスト４をシフターと
して使える形に形成する。
【００１１】レジスト４と遮光膜（ＳＯＧ）２との屈折
率は、それぞれ１．６と１．４３であるから、前述した
膜厚であればどちらもシフターとして使えることにな
る。つまり、図１（ｂ）の構造のままでも位相シフトマ
スクとして使用できる。
率は、それぞれ１．６と１．４３であるから、前述した
膜厚であればどちらもシフターとして使えることにな
る。つまり、図１（ｂ）の構造のままでも位相シフトマ
スクとして使用できる。
【００１２】従って、この構造にした状態で検査を行な
えば、図１（ｃ）のようにシフター材１をパターニング
した後、つまり最終的な位相シフトマスクにした後検査
したのと同等になる。
えば、図１（ｃ）のようにシフター材１をパターニング
した後、つまり最終的な位相シフトマスクにした後検査
したのと同等になる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
フターをパターニングするためのレジストを、それ自体
がシフターとして使用できる形状にパターニングした
後、検査するようにしたので、このときに欠陥が見つか
れば、レジストを除去して再塗布するだけでよく、つま
り、従来のようにシフター材（ＳＯＧ）から形成し直す
必要はなく、製造工程が短くてすむ。
フターをパターニングするためのレジストを、それ自体
がシフターとして使用できる形状にパターニングした
後、検査するようにしたので、このときに欠陥が見つか
れば、レジストを除去して再塗布するだけでよく、つま
り、従来のようにシフター材（ＳＯＧ）から形成し直す
必要はなく、製造工程が短くてすむ。
【００１４】また、前記レジストはそれ自体がシフター
として使える形状としたので、前記検査した時点の構造
のまま位相シフトマスクとして使用できる。従って、短
納期などの場合、一旦この状態で使用し、時間的に余裕
ができてからシフター材をパターニングして最終の構造
にするといったこともできる。
として使える形状としたので、前記検査した時点の構造
のまま位相シフトマスクとして使用できる。従って、短
納期などの場合、一旦この状態で使用し、時間的に余裕
ができてからシフター材をパターニングして最終の構造
にするといったこともできる。
【図１】本発明の実施例
【図２】従来例
【符号の説明】 １ シフター材 ２ 遮光膜 ３ ガラス基板 ４ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）ガラス基板上に遮光膜を形成し、
該遮光膜をパターニングする工程、 （ｂ）前記構造の上全面にシフター材を形成する工程、 （ｃ）前記シフター材の上に、前記シフター材をパター
ニングするためのレジストを、該レジスト自体もシフタ
ーとして使用できる形状に形成する工程、 （ｄ）前記レジスト形成後、検査を行なう工程、 以上の工程を含むことを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680792A JPH0619112A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680792A JPH0619112A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0619112A true JPH0619112A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16020188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17680792A Pending JPH0619112A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100856167B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2008-09-03 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| US7442260B2 (en) | 2003-03-19 | 2008-10-28 | Nippon Steel Corooration | Grain-oriented electrical steel sheet superior in electrical characteristics and method of production of same |
| US8790471B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-07-29 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17680792A patent/JPH0619112A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100856167B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2008-09-03 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| US7442260B2 (en) | 2003-03-19 | 2008-10-28 | Nippon Steel Corooration | Grain-oriented electrical steel sheet superior in electrical characteristics and method of production of same |
| US8790471B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-07-29 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method thereof |
| US9659693B2 (en) | 2010-07-28 | 2017-05-23 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method thereof |
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