JPS61292643A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS61292643A JPS61292643A JP60134138A JP13413885A JPS61292643A JP S61292643 A JPS61292643 A JP S61292643A JP 60134138 A JP60134138 A JP 60134138A JP 13413885 A JP13413885 A JP 13413885A JP S61292643 A JPS61292643 A JP S61292643A
- Authority
- JP
- Japan
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- reticle
- pattern
- light
- phase shift
- shift layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置の原画であるホトマスク（
レティクル）に係り、特に微細パターンを転写するのに
好適なホトマスクに関する。
レティクル）に係り、特に微細パターンを転写するのに
好適なホトマスクに関する。
原画パターンの描かれたマスク（以下、レティクルと称
す）を照明系で照明しレティクル上のパターンをウェー
へ上に転写する縮小投影露光装置には、転写できるパタ
ーンの微細化が要求されている。縮小投影露光装置がど
の程度微細なパターンまで転写できるかを表わす解像度
は、周期的に明暗の変化するレティクルパターンを用い
て、ウェーハ上で隣接する２ケ所の明部が分離できるか
どうかで評価される。この解像度を向上させる一手法と
して、レティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の照明
光の位相を変えればよいことが知られている。従来、照
明光の位相を変化させるレティクルパターンについては
、アイ・イー・イートランザクションオンエレクトロン
デバイシズ、ＥＤ−２９巻、第１２号（１９８２年）
第１８２８頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ ｏｎ ｔ＜１ｅ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ ＥＤ −２９
Ｎα１２ （１９８２年） ｐ １ｇ２ｇ）におけるマ
ークディー レヴンソン（Ｍａｒｃ Ｄ、 Ｌｅｖｅｎ
ｓｏｎ）等による１′インブルーヴイングレゾルーシヨ
ンインホトリソグラフイ ウイズアフエイズーシフトマ
ーク（Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏｎ ｉ
ｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ
Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ ）”と題
する文献において論じられている６本文献で提案してい
るレティクルは、レティクル基板上にパターンの原画と
なる遮光部を設け、更にその上に照明光の位相を変化さ
せる層（以下、位相シフト層と称す）を設けている。そ
のためレティクル製作に当っては、まず遮光パターン形
成のための露光が必要であり、エツチング等による遮光
パターン形成後、次に位相シフト層のパターンを遮光パ
ターンに正しく合せて露光する工程が必要である。この
ためレティクル製作に必要な露光工程が２工程必要であ
り、工程が複雑であること、および位相シフト層のパタ
ーン露光時に位置合せ誤差が生じた場合は照明光の位相
を変える機能が劣化すること等の難点がある。
す）を照明系で照明しレティクル上のパターンをウェー
へ上に転写する縮小投影露光装置には、転写できるパタ
ーンの微細化が要求されている。縮小投影露光装置がど
の程度微細なパターンまで転写できるかを表わす解像度
は、周期的に明暗の変化するレティクルパターンを用い
て、ウェーハ上で隣接する２ケ所の明部が分離できるか
どうかで評価される。この解像度を向上させる一手法と
して、レティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の照明
光の位相を変えればよいことが知られている。従来、照
明光の位相を変化させるレティクルパターンについては
、アイ・イー・イートランザクションオンエレクトロン
デバイシズ、ＥＤ−２９巻、第１２号（１９８２年）
第１８２８頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ ｏｎ ｔ＜１ｅ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ ＥＤ −２９
Ｎα１２ （１９８２年） ｐ １ｇ２ｇ）におけるマ
ークディー レヴンソン（Ｍａｒｃ Ｄ、 Ｌｅｖｅｎ
ｓｏｎ）等による１′インブルーヴイングレゾルーシヨ
ンインホトリソグラフイ ウイズアフエイズーシフトマ
ーク（Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏｎ ｉ
ｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ
Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ ）”と題
する文献において論じられている６本文献で提案してい
るレティクルは、レティクル基板上にパターンの原画と
なる遮光部を設け、更にその上に照明光の位相を変化さ
せる層（以下、位相シフト層と称す）を設けている。そ
のためレティクル製作に当っては、まず遮光パターン形
成のための露光が必要であり、エツチング等による遮光
パターン形成後、次に位相シフト層のパターンを遮光パ
ターンに正しく合せて露光する工程が必要である。この
ためレティクル製作に必要な露光工程が２工程必要であ
り、工程が複雑であること、および位相シフト層のパタ
ーン露光時に位置合せ誤差が生じた場合は照明光の位相
を変える機能が劣化すること等の難点がある。
本発明の目的は、上ｖ２難点を解消し１回の露光工程で
遮光パターンと照明光の位相を変える層のパターンの両
方を同時に形成することができるようにしたホトマスク
（レティクル）を提供することにある。
遮光パターンと照明光の位相を変える層のパターンの両
方を同時に形成することができるようにしたホトマスク
（レティクル）を提供することにある。
上記目的を達成するために９本発明ではレティクル基板
上にまず位相シフト層を設け、その上に遮光パターンを
設けるようにした。レティクル製造に当っては、遮光膜
上にレジストを塗布した後、部分的に露光エネルギーの
異なる露光を行って、開口部の位相シフト層を除去する
部分とそのまま残しておく部分とで異なる厚さのレジス
トパターンを形成するようにした。そして、遮光膜と位
相シフト層のエツチング、レジストのドライエツチング
、遮光膜のエツチングの順にエツチングを行うことによ
り、所望のレティクルを提供できるようにした。
上にまず位相シフト層を設け、その上に遮光パターンを
設けるようにした。レティクル製造に当っては、遮光膜
上にレジストを塗布した後、部分的に露光エネルギーの
異なる露光を行って、開口部の位相シフト層を除去する
部分とそのまま残しておく部分とで異なる厚さのレジス
トパターンを形成するようにした。そして、遮光膜と位
相シフト層のエツチング、レジストのドライエツチング
、遮光膜のエツチングの順にエツチングを行うことによ
り、所望のレティクルを提供できるようにした。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第１図は、本
発明を適用したレティクルの断面を示す図である。ここ
では、Ｃｒから成る遮光膜３に５ケ所の開口部４−１．
４−２．４−３．４−４゜４−５からなる５本の線パタ
ーンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手
方向に対して垂直方向の断面を示している。図示したレ
ティクルは、ガラス基板１と遮光膜３との間に、蒸着し
たＳ ｉ Ｏ２からなる位相シフト層２をはさむことを
・特徴としている。位相シフト層２の厚さｔは。
発明を適用したレティクルの断面を示す図である。ここ
では、Ｃｒから成る遮光膜３に５ケ所の開口部４−１．
４−２．４−３．４−４゜４−５からなる５本の線パタ
ーンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手
方向に対して垂直方向の断面を示している。図示したレ
ティクルは、ガラス基板１と遮光膜３との間に、蒸着し
たＳ ｉ Ｏ２からなる位相シフト層２をはさむことを
・特徴としている。位相シフト層２の厚さｔは。
その屈折率をｎ、照明光の波長をλとするときλ
で与えられ、本実施例では０．３８μｍとしてある（ｎ
＝１．４７．λ＝０．３６５μｍ） 、第１図に示すよ
うに、５ケ所の開口部のうち、１ケ所おきの開口部４−
２，４−４は位相シフト層２が除去されている。このた
め、このレティクルを上面からコヒーレンス度の高い照
明光で照明すると、レティクル透過光の振幅分布は第２
図に示すように隣接する開口部で符号が反転し、その結
果従来の照明光の位相を変えるレティクルと全く同等の
効果が現われる。
＝１．４７．λ＝０．３６５μｍ） 、第１図に示すよ
うに、５ケ所の開口部のうち、１ケ所おきの開口部４−
２，４−４は位相シフト層２が除去されている。このた
め、このレティクルを上面からコヒーレンス度の高い照
明光で照明すると、レティクル透過光の振幅分布は第２
図に示すように隣接する開口部で符号が反転し、その結
果従来の照明光の位相を変えるレティクルと全く同等の
効果が現われる。
次に本発明のレティクルの製造手順を第３図を用いて説
明する。まず、（Ａ）に示すようにガラス基板１上にＳ
ｉＯ２２を３８００人蒸着し、その上に遮光膜３である
Ｃｒを８００人蒸着する。更にその上にレジスト６を塗
布する。次に、開口部のパターンを露光する。このとき
、パターンごとに露光強度を変えであるので、現像処理
後のレジストパターンは、（Ｂ）に示すように、パター
ン部４−２．４−４は完全に除去されているが、パター
ン部４−１．４−３．４−５はレジスト膜厚が一約に減
少しているだけである。
明する。まず、（Ａ）に示すようにガラス基板１上にＳ
ｉＯ２２を３８００人蒸着し、その上に遮光膜３である
Ｃｒを８００人蒸着する。更にその上にレジスト６を塗
布する。次に、開口部のパターンを露光する。このとき
、パターンごとに露光強度を変えであるので、現像処理
後のレジストパターンは、（Ｂ）に示すように、パター
ン部４−２．４−４は完全に除去されているが、パター
ン部４−１．４−３．４−５はレジスト膜厚が一約に減
少しているだけである。
パターンごとに露光瞬間を変える方法としては、ＥＢ描
画の場合の走査時間を変化させることにより可能である
。ここでＣｒをエツチングし１、さらに稀釈したフッ酸
でＳｉｎ、層２をエツチングすると、（Ｃ）に示すよう
に開口部４−２．４−４が形成される。次に（Ｄ）に示
すように残っているレジストを垂直方向にドライエツチ
ングして膜厚を減少させていき、パターン部４−１．４
−３．４−５のレジストを除去する６再びＣｒをエツチ
ングすると、（Ｅ）に示すように遮光膜３に５箇所の開
口部が形成される。最後に表面に残っているレジストを
すべて除去することにより、第１図に示す本発明のレテ
ィクルが完成する。
画の場合の走査時間を変化させることにより可能である
。ここでＣｒをエツチングし１、さらに稀釈したフッ酸
でＳｉｎ、層２をエツチングすると、（Ｃ）に示すよう
に開口部４−２．４−４が形成される。次に（Ｄ）に示
すように残っているレジストを垂直方向にドライエツチ
ングして膜厚を減少させていき、パターン部４−１．４
−３．４−５のレジストを除去する６再びＣｒをエツチ
ングすると、（Ｅ）に示すように遮光膜３に５箇所の開
口部が形成される。最後に表面に残っているレジストを
すべて除去することにより、第１図に示す本発明のレテ
ィクルが完成する。
本実施では１位相シフト層としてＳｉＯ□の蒸着膜を用
いたが、この材料は式（１）の条件を満たし、かつレテ
ィクル洗浄等に耐えるものであればよい。
いたが、この材料は式（１）の条件を満たし、かつレテ
ィクル洗浄等に耐えるものであればよい。
〔発明の効果］
本発明によれば、照明光の位相をかえる層を有するレテ
ィクルの製造に当り、遮光膜上に形成すべきパターンと
位相シフト層に形成すべきパターンを１回の露光工程で
レジスト上に同時に形成することができる。すなわち、
従来のように遮光パターンに合せて新たに位相シフト層
を露光する工程がなく、合せ誤差に起因するパターンの
劣化も生じない、このため、レティクル製造工程の簡素
化、パターンの信顔性向上の効果がある。
ィクルの製造に当り、遮光膜上に形成すべきパターンと
位相シフト層に形成すべきパターンを１回の露光工程で
レジスト上に同時に形成することができる。すなわち、
従来のように遮光パターンに合せて新たに位相シフト層
を露光する工程がなく、合せ誤差に起因するパターンの
劣化も生じない、このため、レティクル製造工程の簡素
化、パターンの信顔性向上の効果がある。
第１図は本発明のレティクルの断面を示す図、第２図は
本発明のレティクル透過後の照明光の振幅分布を示す図
、第３図は本発明のレティクルの製造プロセスを示す図
である。 １・・・レティクル基板、２・・・照明光の位相を変化
させる層、３・・・遮光膜、４−１〜４−５・・・遮光
膜部に形成された開口部、５・・・レティクル透過後の
振幅分布、６・・・レジスト。
本発明のレティクル透過後の照明光の振幅分布を示す図
、第３図は本発明のレティクルの製造プロセスを示す図
である。 １・・・レティクル基板、２・・・照明光の位相を変化
させる層、３・・・遮光膜、４−１〜４−５・・・遮光
膜部に形成された開口部、５・・・レティクル透過後の
振幅分布、６・・・レジスト。
Claims (1)
- ガラス基板と遮光膜との間に照明光の位相を変える位
相シフト層を設け、部分的に前記遮光膜を除去してある
開口部のうち特定の一部分については前記位相シフト層
を除去し、他の開口部については前記位相シフト層を残
しておくことを特徴とするホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13413885A JPH0690504B2 (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13413885A JPH0690504B2 (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | ホトマスクの製造方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160614A Division JPH0715578B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | ホトマスク用原板 |
| JP10156050A Division JPH1152542A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | ホトマスクの製造方法 |
| JP15605198A Division JP2989803B2 (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292643A true JPS61292643A (ja) | 1986-12-23 |
| JPH0690504B2 JPH0690504B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15121357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13413885A Expired - Lifetime JPH0690504B2 (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690504B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-06-21 JP JP13413885A patent/JPH0690504B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
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| US5422205A (en) * | 1993-03-03 | 1995-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Micropattern forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690504B2 (ja) | 1994-11-14 |
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