JPH0619172A - 光受容部材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 感光体の表面の曇りが無く、帯電能むら、ハ
ーフトーンむら等の電位特性むらにすぐれ、かつ環境の
変化に強く高耐久性の電子写真感光体を無公害で安定し
て作製することのできる方法を提供する。 【構成】 切削した導電性基体１０１を、水１２２によ
り洗浄を行なった後に、純水に接する工程１３１を行な
い、プラズマＣＶＤ法により炭素原子の含有量が下部に
多く分布した非単結晶ＳｉＣからなる光導電層、さらに
珪素原子、水素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子か
らなる表面層を設けることを特徴とする電子写真感光体
の作製方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電性基体上にシリコ
ンを母体とする光受容部層を形成した電子写真感光体等
の光受容部材及びその製造方法に関する。本発明は、電
子写真複写機、レーザービームプリンター、ＬＥＤプリ
ンター、液晶プリンター、レーザー製版機等、電子写真
技術応用分野に広く用いることができる電子写真感光体
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真感光体に用いるものとし
て、非単結晶堆積膜、例えば水素および（または）ハロ
ゲン（例えばフッ素、塩素等）で補償されたアモルファ
スシリコン等のアモルファス堆積膜が提案され、その幾
つかは実用に付されている。こうした堆積膜の形成方法
として従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分
解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解す
る方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解
する方法（プラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られ
ている。中でも、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガ
スを直流、高周波またはマイクロ波グロー放電等によっ
て分解し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、
電子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法に最
適であり、現在実用化が非常に進んでいる。こうした例
が例えば特開昭５４−８６３４１公報に記載されてい
る。このアモルファスシリコン感光体は、無公害であ
り、高画質、高耐久といった特徴があり、現在実用に付
されているアモルファスシリコン感光体も、十分にその
特徴を現わしているものである。しかしながら、アモル
ファスシリコン感光体が今後、ますます普及していくた
めにはさらにコストダウン、さらに電気特性のアップ、
さらに高耐久が望まれている。また、近年では地球規模
の環境汚染が問題になってきており、環境汚染につなが
る物はもちろんのこと製造段階での使用についても早急
に改善しなければならなくなっている。アモルファスシ
リコン感光体自身は無公害であるがそれを製造する段階
において感光体の基体部分であるシリンダーの洗浄か
ら、製造後の梱包までこうした点から再検討をおこなう
必要が生じてきている。

【０００３】アモルファスシリコン感光体を作製する
際、膜を作製する前の基体の洗浄については、従来から
注意が必要であることが知られている。アモルファスシ
リコン感光体を堆積するための基体としては、帯電、露
光、現像、転写、クリーニングといった電子写真プロセ
スに耐え、また画質を落とさないように常に位置精度を
高く保つため、金属を使用する場合が多い。そのため、
特に加工性、寸法安定性などの優れているアルミニウム
合金が広く採用されている。一般にこれら基体の加工時
には、切削油等の油系物質を使い旋盤加工される。その
ため、加工後の基体には必ず油系物質の残査があり、さ
らには加工時の切削粉、空気中の粉塵等が付着してい
る。洗浄が不十分でこれらの残査が残っていると、欠陥
の無い均一な堆積膜が形成できなかったり十分な電気特
性が得られず、特に長時間使ったとき画像不良を引き起
こしてしまうといった問題点が知られている。従って、
電子写真感光体を製造する際には、細心の注意を払い基
体を十分に洗浄することが必要である。こうした中で、
例えば特開昭６１−１７１７９８号公報には電子写真感
光体の基体の加工方法に関する技術が記載されている。
該公報には、特定の成分による切削油を使用し、基体を
切削する事により良好な品質のアモルファスシリコン等
の電子写真感光体を得る技術が開示されている。また該
公報中には切削後、基体をトリエタン（トリクロルエタ
ン：Ｃ₂ Ｈ₃ Ｃｌ₃ ）で洗浄することが記載されてい
る。このような方法により洗浄された基体を用いて作製
された感光体はある程度の特性が得られ、特に大きな問
題もなく現在広く使用されるようになっているがトリク
ロルエタンの様な有機溶剤は、人体のみならず地域環境
に悪影響を与えることから、その使用を避けなければな
らないものである。

【０００４】この問題を解決すべく、近年では前述の洗
浄に替わって水系による基体の洗浄方法がいくつか提案
されている。例えば、特開昭６３−２６４７６４号公報
には、水ジェットにより基体表面を粗面化する技術が開
示されている。また、特開平１−１３０１５９号公報に
は、水ジェットにより電子写真用の基体を洗浄する技術
が開示されている。該公報には感光体の例として、セレ
ン、有機光導電体と同時にアモルファスシリコンが挙げ
られており、アモルファスシリコン感光体にも、当技術
が応用できることが示唆されている。しかしながら該公
報には実際におこなった時の問題点について、特にプラ
ズマＣＶＤ法特有の問題点については全く触れられてい
ないのが実状である。また一方、アモルファスシリコン
感光体の高品質化の検討も層構成の検討をおこなうこと
により着実に進歩している。特開昭５４−１４５５４０
号公報には、炭素を化学修飾物質として０．１〜３０原
子％含むアモルファスシリコンを電子写真感光体の光導
電層として使用することにより、暗抵抗が高く、光感度
の良好な優れた電子写真特性を示すことが示されてい
る。また、特開昭５７−１１９３５７号公報には、アモ
ルファスシリコン中に炭素原子を基体側に多く分布させ
ることによってすぐれた特性の電子写真感光体が得られ
ることが開示されている。こうした技術により、電子写
真感光体の性能は改善されてきているがまだまだ改善の
余地が残っているのが現状である。

【０００５】こうした状況のなかで高画質、高耐久、無
公害といった点から従来持っている問題点を次に列挙す
る。まず第１にポチと呼ばれる黒点状あるいは白点状の
画像欠陥の低減は大きく望まれている問題点の１つであ
る。現在では、高画質の要求から従来あまり問題にされ
なかった微小な大きさのポチの低減までが望まれるよう
になってきている。このポチの原因についての解析も日
々進んでおり、いくつかの知見が得られるようになって
いる。ポチの原因はほとんどがアモルファスシリコン膜
を堆積している時に発生するダスト等が原因である球状
突起と呼ばれる異常成長によるものである。さらにそれ
以外に耐久を続けていくにしたがって増えてくる耐久ポ
チというものもあり、これはトナーの飛散や紙粉が分離
帯電器へ混入することが原因である。こうしたいくつか
の原因から起こる画像欠陥を減らすために感光体を製造
する者としては、堆積膜形成装置内のクリーン度のアッ
プを計り、画像欠陥の原因となる球状突起の核の発生を
抑えることはもちろんのこと堆積膜を形成する方法の改
良や製法面からアモルファスシリコン感光体の耐圧のア
ップ等の対策をおこなっていかなければならない。更に
電子写真感光体が転写紙やクリーニングブレードと摩擦
することによって、比較的大きな球状突起が何度もコピ
ーをとっているうちに欠落して画像上のポチになること
もわかってきている。このポチの減少は球状突起の減少
と同時に感光体の電気的耐圧性を向上させて絶縁破壊を
発生しにくくすることはリークポチの防止のために効果
がある。

【０００６】さらに近年では、地球環境の保護の一環と
して電子写真の分野においても再生紙の使用が増加して
いるが、再生紙は製紙行程での添加物や紙粉の発塵が、
従来の新紙にくらべて多い。例えば古新聞等の漂白剤と
して使用される白土等の添加剤（表面処理剤）として使
用されているロジン等が感光体の表面に付着してトナー
の融着や画像流れを引き起こしやすくなる等の問題が認
識されるようになっている。そのため再生紙の品質改良
と同時に電子写真感光体表面のさらなる改良がもとめら
れるようになっている。また、近年の電子写真複写機に
は、より高画質、高機能が望まれていることから写真な
どのハーフトーンを含む原稿を忠実に再現できることも
必要不可欠になっている。そのため電子写真感光体に
は、特にハーフトーンのむらの低減が切望されている。
特に近年普及してきたフルカラー複写機においては、こ
のむらは色の微妙なむらとなり、視覚的に明らかなもの
となるため、大きな問題となっている。またさらには電
子写真感光体には高画質、高感度を維持し、あらゆる環
境下で大幅に耐久性能を伸ばすことが望まれている。ア
モルファスシリコン感光体の最も得意とするこの耐久特
性は、複写機本体の寿命がくるまで交換する必要がない
ことから、感光体を消耗品と見るのではなく、複写機の
部品の１部とみなし、感光体の交換といったメンテナン
スから開放される可能性が見え始めている。そこで、更
なる新製品には複写機本体と同レベルの、もしくはそれ
以上の耐久性を要求されるようになってきており、耐久
性も更に大幅に伸ばすことが望まれている。こうした要
求のなかで従来では高帯電能と画像流れの防止を高いレ
ベルで両立し、あらゆる環境下での耐久性を大幅に伸ば
すことが難しく、まだ不十分であった。

【０００７】また高い電気特性、画像特性等を維持し、
再現性よく安定して連続的に感光体を製造することに関
してもまだまだ改善が望まれている。こうした観点での
技術が例えば特開平２−１９７５７４に開示されてい
る。該公報にはマイクロ波プラズマＣＶＤ法によりアモ
ルファスシリコン感光体を連続して製造するために基体
を投入して真空雰囲気にするための容器、マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法により感光体を作製するための反応容
器、できあがった感光体を真空中でゆっくり冷却するた
めの冷却容器とから構成した、感光体の連続作製のシス
テムが開示されている。こうしたシステムを用い、繰り
返して連続的に感光体を製造することが可能になった
が、何度も連続して製造するに従って反応容器には次第
に堆積膜が付着していき、画像欠陥の原因となるダスト
を発生しやすくなる。そのため例えば数カ月ごとに定期
的に反応容器を大気にもどして堆積した膜の除去を行わ
なければならない。反応容器内を大気にさらし清掃をお
こなった後には、残存の空気や湿気等が残り、直後の堆
積膜形成において不純物としての酸素原子、窒素原子の
含有量が増え、特性に影響を与え、特性が安定しないと
いった問題点も残存していた。こうしたさまざまな問題
点について導電性基体の洗浄の工程から電子写真感光体
を製造する工程まですべてを見直し、画像特性、安定製
造のトータルの検討が必要になっているのが現状であ
る。また、従来、デジタル画像情報を画像として記録す
る方法として、デジタル画像情報に応じて変調したレー
ザー光で光受容部材を光学的に走査することにより静電
潜像を形成し、次いで該静電潜像を現像するか、さらに
必要に応じて転写、定着などの処理を行って、画像を記
録する方法が知られている。中でも電子写真法による画
像形成法では、レーザーとして、小型で安価なＨｅ−Ｎ
ｅレーザーあるいは半導体レーザー（通常は６５０〜８
２０ｎｍの発光波長を有する）を使用して像記録を行う
のが一般的である。

【０００８】しかし、電子写真プロセスに半導体レーザ
ーを用いる場合には、従来より後述する問題点が存在し
た。電子写真用の光受容部材としては、Ｓｅ感光体、Ｏ
ＰＣ（有機感光体）、ＣｄＳ感光体、ＺｎＯ感光体など
が実用化されているが、半導体レーザーを用いる場合に
適した電子写真用の光受容部材としては、その光感度領
域整合性が他の種類の光受容部材と比較して優れている
ことに加えて、ビッカース硬度が高く、公害の問題が少
ないなどの点から評価され、たとえば特開昭５４−８６
３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報に見られ
るようなシリコン原子を母材とした非晶質材料（以下、
「ａ−Ｓｉ」と略記する。）からなる光受容部材が注目
されている。しかしながら、前記光受容部材について
は、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、その高
光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１０
¹²Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロ
ゲン原子、あるいはこれらに加えてホウ素原子やリン原
子などの光受容層の伝導性を制御可能な原子を特定の量
範囲で層中に制御された形で構造的結合をもった状態で
含有させる必要がある。そのために、層形成にあたって
各種条件を厳密にコントロールすることが要求されるな
ど、光受容部材の設計についての許容度にかなりの制約
がある。これに対して、そうした設計上の許容度の問題
をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に
利用できるようにするなどして改善する提案がなされて
いる。すなわち、たとえば特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にそれぞれ開示してあるように、光受容層
を、伝導性の異なる層を積層した２層以上の層構成とし
て、光受容層内部に空乏層を形成したり、あるいは特開
昭５７−５２１７８号公報、特開昭５７−５２１７９号
公報、特開昭５７−５２１８０号公報、特開昭５７−５
８１５９号公報、特開昭５７−５８１６０号公報、特開
昭５７−５８１６１号公報にそれぞれ開示してあるよう
に、支持体と光受容層の間、および／または光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見か
け上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

【０００９】ところがそうした光受容層が多層構造を有
する光受容部材は、各層の層厚にはばらつきがあり、こ
れを用いてレーザー記録を行う場合、レーザー光が可干
渉性の単色光であるので、光受容層のレーザー光照射側
自由表面、光受容層を構成する各層および支持体と光受
容層との層界面（以下、この自由表面および層界面の両
者を併せた意味で「界面」と称する。）より反射してく
る反射光の各々が干渉を起こしてしまうことがしばしば
ある。この干渉現象は、形成される可視画像において、
干渉縞模様となって現れ、画像不良の原因となる。特
に、諧調性の高い中間調の画像を形成する場合において
は、識別性の著しく劣った粗画像を与えるところとな
る。また重要な点として、使用する半導体レーザー光の
波長領域が長波長になるにつれて、光受容層における該
半導体レーザー光の吸収が減少してくるので、前記界面
での反射が増大する結果、前記干渉現象が顕著になると
いう問題がある。すなわち、たとえば２もしくはそれ以
上の層（多層）構成のものにおいては、それらの各層に
ついて干渉現象が起こり、それぞれの干渉が相乗的に作
用しあって、干渉縞模様を呈するところとなり、それが
そのまま転写部材に影響し、該転写部材上に前記干渉縞
模様に対応した干渉縞が転写、定着され可視画像に現出
して不良画像をもたらしてしまうといった問題がある。
こうした問題を解決する対策として、以下に示すような
方法などが提案されている。 （１）支持体表面をダイヤモンド切削して、該支持体表
面に±５００ 〜±１００００ の凹凸を設けることに
より、光散乱面を形成する方法（たとえば、特開昭５８
−１６２９７５号公報）。 （２）アルミニウム支持体表面を黒色アルマイト処理
し、または、樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散
することにより、光吸収層を設ける方法（たとえば、特
開昭５７−１６５８４５号公報）。 （３）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処
理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設
けることにより、支持体表面に光散乱反射防止層を設け
る方法（たとえば、特開昭５７−１６５５４号公報）。

【００１０】これらの提案方法は、一応の結果はもたら
すものの、画像上に現出する干渉縞模様を完全に解消す
るに十分なものではない。すなわち、上記（１）の方法
については、支持体表面に特定の粗さの凹凸を多数設け
ていて、それにより光散乱効果による干渉縞模様の現出
が一応それなりに抑制はされるものの、光散乱としては
依然として正反射光成分が残存するため、該正反射光に
よる干渉縞模様が残存してしまうことに加えて、支持体
表面での光散乱効果によりレーザー光の照射スポットに
広がりを生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。
上記（２）の方法については、黒色アルマイト処理では
完全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存
してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合
は、ａ−Ｓｉ層を形成する際に基板の加熱が必要である
ため、樹脂層より脱気現象が生じ、形成される光受容部
層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Ｓｉ層
形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させるとともに、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えることなどの
問題点を有する。上記（３）の方法については、たとえ
ば入射光についてみれば、光受容層の表面でその一部が
反射されて反射光となり、残りは光受容層の内部に進入
して透過光となる。透過光は、支持体の表面において、
その一部は光散乱されて拡散光となり、残りが正反射さ
れて反射光となり、その一部が出射光となって外部に出
てはいくが、出射光は反射光と干渉する成分であって、
いずれにしろ残留するため依然として干渉縞模様が完全
に消失はしない。

【００１１】ところで、干渉を防止するについて、上記
（１）〜（３）の方法の他にも、光受容層内部での多重
反射が起こらないように、支持体表面の拡散性を増加さ
せる試みもあるが、そうしたところでかえって光受容層
内で光が拡散してハレーションを生じてしまい、結局は
解像度が低下してしまう。特に、多層構成の光受容部材
においては、拡散性を上げるために支持体表面を不規則
的に荒らしても、表面層での反射光、第一層と第二層と
の界面での反射光、以下各界面での反射光および支持体
表面での正反射光の各々が干渉して、光受容部材の各層
厚に従った干渉縞模様が生じる。したがって、多層構成
の光受容部材においては、支持体表面を不規則に荒らす
ことでは、干渉縞を完全に防止することは不可能であ
る。たとえば、サンドブラストなどの方法によって支持
体表面を不規則に荒らす場合は、その粗面度がロット間
において、ばらつきが多く、かつ同一ロットにおいても
粗面度に不均一があって、製造管理上問題がある。さら
に、比較的大きな突起がランダムに形成される機会が多
く、それらの大きな突起が光受容層の局所的ブレークダ
ウンをもたらしてしまう。また、これに対して、表面を
単に規則的に荒らしたところで、通常、支持体の表面の
凹凸形状に沿って、光受容層が堆積するため、支持体表
面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行に
なり、その部分では入射光は明部、暗部をもたらすとこ
ろとなり、また、光受容層全体では光受容層の膜厚の不
均一性があるため明暗の縞模様が現れてしまう。したが
って、支持体表面を規則的に荒らしただけでは、干渉縞
模様の発生を完全に防ぐことはできない。

【００１２】さらに、前述の表面を規則的に荒らした支
持体上に多層構成の光受容層を堆積させた場合にも、支
持体表面での正反射光と、光受容層面での反射光との干
渉の他に、各層間の界面での反射光による干渉が加わる
ため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様発現度合いよ
り一層複雑となる。これらの問題を解決する手段の一つ
が特開昭６１−２３１５６１号公報、特開昭６２−６９
２７２号公報および特開昭６２−６９２７３号公報にそ
れぞれ開示されている。該各公報に開示してある技術
は、概要、ほぼ同一の径の剛体球を一定の高さから支持
体表面に落下させることにより、支持体の表面に複数の
ほぼ同一の幅と曲率の球状の窪み（以下、「ディンプ
ル」と称する。）を設けることにより、支持体表面に入
射した光の反射光の干渉によって生じる干渉縞を各々の
ディンプル内に、いわゆるニュートンリング現象に相当
するシュアリングを発生させ、光受容部材全体に発生す
る干渉縞を分散させることによって光受容部材における
干渉縞の発生を防止するものである。これによって、干
渉縞の問題は、ほぼ解決され、特に可干渉性の単色光で
あるレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉現象
による形成画像における干渉縞模様の現出を顕著に防止
し、極めて良質な可視画像を形成することが可能となっ
た。しかし、特開昭６１−２３１５６１号公報、特開昭
６２−６９２７２号公報および特開昭６２−６９２７３
号公報にそれぞれ開示されている光受容部材では、さら
なる高性能化、量産時におけるコストの削減、あるい
は、いわゆるエコロジー問題（すなわち環境問題）まで
含めて考慮すると、まだ以下に示す解決すべき問題点が
残存している。

【００１３】第１に、電子写真用光受容部材に要求され
る性能は、年々その基準が厳しくなっており、現在の基
準における均一性、高精細度などの画像品質を満たすこ
とは困難になりつつある。また、より画像の解像度を上
げるために、使用するトナーを微粒子化した場合、ある
いは、支持体の径および厚さを変化させた場合、さら
に、使用するレーザーの波長を変えた場合、その条件に
最適な前記ディンプルの幅、曲率半径などは異なるた
め、使用する剛体球の径あるいは硬度などを変化させな
ければならず、従来の技術では対応が困難となり、コス
トの上昇を招く。第２に、前記ディンプルを形成する剛
体球が金属である場合には、剛体球と支持体が衝突した
際に切粉が発生し、これによって支持体の表面性が損な
われる場合がある。特に、量産時に繰り返し長時間使用
されると、剛体球の品質が劣化するため、使用時間が経
過するに従って前記の問題はより顕著なものとなる。第
３に、アモルファスシリコンの特性を充分に発現するに
は、支持体表面は清浄に処理することが必須であり、し
たがって、量産時には、支持体表面に前記球状窪みを設
ける工程の前後に、支持体の切削工程あるいは洗浄工程
が必須である。したがって、支持体上にａ−Ｓｉ光受容
層を形成する前に、このように前処理が多数存在するこ
とは、製造コストを増大させてしまう。さらに、前述の
切削工程では、その潤滑性を向上させるために切削油が
用いられるが、この切削油を支持体表面から除去するた
めに、従来の洗浄工程では、主に有機溶剤が使用され
る。しかし、この有機溶剤の使用は環境汚染の原因とな
っており、早急にその解決が望まれている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
み成されたものであって、上述のごときシリコン原子を
母体とする材料で構成された従来の光受容層を有する電
子写真感光体における諸問題を解決し、電気特性が非常
に優れ、画像欠陥を非常に低減した感光体を安価に歩留
まり良く供給することを目的とするものである。すなわ
ち、本発明の主たる目的は、有機溶剤を製造工程で用い
ず、環境保全にすぐれ、しかも製造した電子写真感光体
の外観不良での歩留まりを大幅に改善し、画像欠陥、ハ
ーフトーンむら等の特性に特に優れ、使用環境を選ばな
い感光体を低コストで製造する方法を提供するものであ
る。本発明の他の目的は、導電性基体上に設けられる層
と導電性基体との間や積層される層の各層間における密
着性に優れ、均一で品質の高いシリコン原子を母体とす
る材料で構成された光受容層を有する電子写真感光体を
提供することにある。本発明のさらに他の目的は、電子
写真感光体として適用させた場合、静電像形成のための
帯電処理の際の電荷保持能力が充分であり、ハーフトー
ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質画像を容易に
得ることができる、通常の電子写真法がきわめて有効に
適用され得る優れた電子写真特性を示す、シリコン原子
を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子写
真感光体を製造する方法を提供することにある。また、
本発明の目的は、上述のごとき従来の光受容部材におけ
る諸問題を克服して、主としてａ−Ｓｉで構成された光
受容層を有する光受容部材を各種要求を満たすものにす
ることである。すなわち、電気的、光学的、光導電的特
性が使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時
安定しており、耐光疲労性に優れ、繰り返しの使用に際
しても劣化現象を起こさず、耐久性、耐湿性に優れ、残
留電位がまったくまたはほとんど観測されなく、製造工
程が簡略化でき、作成条件も容易に調整でき、さらに、
環境汚染の問題に対しても、有効なａ−Ｓｉで構成され
た光受容層を有する光受容部材およびその作成方法を提
供することにある。

【００１５】本発明の別の目的は、支持体上に設けられ
る層と支持体との間や積層される層の各層間における密
着性に優れ、構造配列的に厳密で安定的であり、層品質
の高い、ａ−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容
部材およびその作成方法を提供することにある。本発明
のさらに他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模様と
反転現象時の色むらの現出がなく、かつ画像欠陥や画像
のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に
でてかつ解像度の高い、高品質画像を得ることのできる
ａ−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容部材およ
びその作成方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の堆
積膜形成方法における上述の問題点を克服すべく、生産
性とコストダウンの点、また環境保護の立場から鋭意検
討をおこなった結果、達成できたものである。本発明は
該知見に基づいて完成せしめたものであり、その骨子と
するところを述べれば、第１の発明は、導電性基体の表
面を所定の精度で切削する工程、切削後の基体表面を水
で洗浄する工程、該導電性基体の表面を純水に接触させ
る工程、そして該導電性基体上に、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料で構成された光導電層および表面層
からなる光受容部層を形成する工程を備えた電子写真感
光体の製造方法であって、前記表面層中に炭素原子、水
素原子、酸素原子および窒素原子を含有し、かつ前記光
導電層中に全層に渡って炭素原子および水素原子を含有
し、該炭素原子の含有量が膜厚方向に不均一に分布し、
かつ前記導電性基体側で高く分布している光受容層を例
えばマイクロ波プラズマ、あるいは高周波プラズマ等の
プラズマＣＶＤ法により導電性基体上に形成することを
特徴としている。第２の発明は、導電性基体の表面を所
定の精度で切削する工程、切削後の基体表面を水で洗浄
する工程、該導電性基体の表面を純水に接触させる工
程、そして該導電性基体上に、シリコン原子を母体とす
る非単結晶材料で構成された光導電層および表面層から
なる光受容部層を形成する工程を備えた電子写真感光体
の製造方法であって、前記光導電層中に全層に渡って炭
素原子、水素原子、ハロゲン原子、および酸素原子を含
有し、該炭素原子の含有量が膜厚方向に不均一に分布
し、かつ前記導電性基体側で高く分布しており、前記表
面層中に炭素原子、水素原子を含有している光受容層を
プラズマＣＶＤ法により導電性基体上に形成することを
特徴としている。

【００１７】第３の発明は、導電性基体の表面を所定の
精度で切削する工程、切削後の基体表面を水で洗浄する
工程、該導電性基体の表面を純水に接触させる工程、そ
して該導電性基体上に、シリコン原子を母体とする非単
結晶材料で構成された光導電層および表面層からなる光
受容部層を形成する工程を備えた電子写真感光体の製造
方法であって、前記表面層中に炭素原子、水素原子およ
び周期律表第III 族元素を含有し、かつ前記光導電層中
に全層に渡って炭素原子および水素原子を含有し、該炭
素原子の含有量が膜厚方向に不均一に分布し、かつ前記
導電性基体側で高く分布している光受容層を例えばマイ
クロ波プラズマ、あるいは高周波プラズマ等のプラズマ
ＣＶＤ法により導電性基体上に形成することを特徴とし
ている。第４の発明は、導電性基体の表面を所定の精度
で切削する工程、切削後の基体表面を水で洗浄する工
程、洗浄した基体表面を純水に接触させて基体表面を清
浄化する工程、清浄化した基体表面に、炭素原子および
水素原子を含有すると共に前記炭素原子の含有量が層厚
方向に不均一かつ前記導電性基体側において高く分布し
てなるシリコン原子と炭素を母体とする非単結晶材料で
構成された第１の光導電層をプラズマＣＶＤ法により形
成する工程、前記形成した第１の光導電層上にシリコン
原子を母体とする第２の光導電層をプラズマＣＶＤ法に
より形成する工程、前記形成した第２の光導電層上にシ
リコン原子を母体とし、炭素原子、水素原子および周期
律表第III 族元素を含有した表面層をプラズマＣＶＤ法
により形成する工程を有することを特徴としている。第
５の発明は、導電性基体の表面を所定の精度で切削する
工程、切削後の基体表面を水で洗浄する工程、洗浄した
基体表面を純水に接触させて基体表面を清浄化する工
程、清浄化した基体表面に、炭素原子および水素原子を
含有すると共に前記炭素原子の含有量が層厚方向に不均
一かつ前記導電性基体側において高く分布してなるシリ
コン原子と炭素を母体とする非単結晶材料で構成された
第１の光導電層をプラズマＣＶＤ法により形成する工
程、前記形成した第１の光導電層上にシリコン原子を母
体とする第２の光導電層をプラズマＣＶＤ法により形成
する工程、前記形成した第２の光導電層上にシリコン原
子を母体とし、炭素原子、水素原子、酸素原子、および
窒素原子を含有した表面層をプラズマＣＶＤ法により形
成する工程を有することを特徴としている。

【００１８】第６の発明の光受容部材は、支持体と、支
持体上に形成された多層構成の光受容層とを含み、前記
支持体の表面が、複数の球状の氷の粒子を自然落下また
は加圧噴射させ、該複数の球状の氷の粒子を前記支持体
の表面に衝突させて得られた複数の痕跡窪みによる凹凸
を有している。ここで、前記複数の痕跡窪みによる凹凸
が、ほぼ同一の曲率半径の球状痕跡窪みによる凹凸であ
ってもよい。前記複数の痕跡窪みによる凹凸が、ほぼ同
一の曲率半径およびほぼ同一の幅の球状痕跡窪みによる
凹凸であってもよい。前記複数の痕跡窪みによる凹凸
が、ほぼ同一大きさの複数の球状の氷の粒子をほぼ同一
の高さから自然落下またはほぼ同一の圧力で加圧噴射さ
せ、該複数の球状の氷の粒子を前記支持体の表面に衝突
させて得られたものであってもよい。前記複数の球状の
氷の粒子が、気相中で純水を霧状に分散させ、該分散さ
れた純水を冷却手段によって凍結させて作製されたもの
であってもよい。前記痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下
であってもよい。前記球状の氷の粒子の径が、１０μｍ
〜１０ｍｍであってもよい。前記支持体が金属体であっ
てもよい。第７の発明の光受容部材作成方法は、支持体
と、支持体上に形成された多層構成の光受容層とを含む
光受容部材を作成する光受容部材作成方法において、複
数の球状の氷の粒子を自然落下または加圧噴射させ、該
複数の球状の氷の粒子を前記支持体の表面に衝突させ
て、該支持体の表面に複数の痕跡窪みによる凹凸を形成
する凹凸形成工程と、前記支持体上に前記光受容層を形
成する光受容層形成工程とを含む。

【００１９】ここで、前記凹凸形成工程が、ほぼ同一大
きさの複数の球状の氷の粒子をほぼ同一の高さから自然
落下またはほぼ同一の圧力で加圧噴射させ、該複数の球
状の氷の粒子を前記支持体の表面に衝突させてもよい。
前記凹凸形成工程が、気相中で純水を霧状に分散させた
のち、該分散された純水を冷却手段によって凍結させ
て、前記複数の球状の氷の粒子を作製する製氷工程を含
んでもよい。前記痕跡窪みの幅が５００μｍ以下となる
ように、前記複数の球状の氷の粒子の自然落下の落下距
離または加圧噴射の圧力を設定してもよい。前記凹凸形
成工程が、前記支持体の洗浄を行う支持体洗浄工程を兼
ねてもよい前記球状の氷の粒子の径が、１０μｍ〜１０
ｍｍであってもよい。前記支持体が金属体であってもよ
い。以下、本発明を詳細に説明する。 （第１の発明）以下、アルミニウム合金製シリンダーを
導電性基体として、図５（ａ）に示す第１の本発明の電
子写真感光体の製造方法により電子写真感光体を実際に
形成する手順の一例を、図１に示す導電性基体の前処理
装置、および図２（ａ）、２（ｂ）に示すマイクロ波Ｃ
ＶＤ法による堆積膜形成装置を用いて説明する。精密切
削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬ
ＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤモンドバイト（商品
名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリン
ダー中心角に対して５°の角のすくい角を得るようにセ
ットする。次に、この旋盤の回転フランジに、基体を真
空チャックし、付設したノズルから白燈油噴霧、同じく
付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、周
速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条
件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。切
削が終了した基体は、基体前処理装置により基体表面の
処理を行う。図１に示す基体前処理装置は、処理部１０
２と基体搬送機構１０３よりなっている。処理部１０２
は、基体投入台１１１、基体洗浄槽１２１、純水接触槽
１３１、乾燥槽１４１、基体搬出台１５１よりなってい
る。洗浄槽１２１、純水接触槽１３１とも液の温度を一
定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いてい
る。搬送機構１０３は、搬送レール１６５と搬送アーム
１６１よりなり、搬送アーム１６１は、レール１６５上
を移動する移動機構１６２、導電性基体１０１を保持す
るチャッキング機構１６３およびチャッキング機構１６
３を上下させるためのエアーシリンダー１６４よりなっ
ている。切削後、投入台１１１上に置かれた導電性基体
１０１は、搬送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送さ
れる。洗浄槽１２１中の界面活性剤水溶液１２２中で超
音波処理されることにより表面に付着している切削油お
よび切り粉の洗浄が行なわれる。次に導電性基体１０１
は、搬送機構１０３により純水接触槽１３１へ運ばれ、
２５℃の温度に保たれた抵抗率１７．５ＭΩ−ｃｍの純
水をノズル１３２から５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² の圧力で吹
き付けられる。純水接触工程の終わった導電性基体１０
１は搬送機構１０３により乾燥槽１４１へ移動され、ノ
ズル１４２から高温の高圧空気を吹き付けられ乾燥され
る。乾燥工程の終了した導電性基体１０１は、搬送機構
１０３により搬出台１５１に運ばれる。

【００２０】次にこれらの切削加工および前処理の終了
した導電性基体表面に図２（ａ）および図２（ｂ）に示
すマイクロ波プラズマＣＶＤ法による光導電部材堆積膜
の形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした
堆積膜を形成する。図２（ａ）、および図２（ｂ）にお
いて、２０１は反応容器であり、真空気密化構造を成し
ている。また、２０２は、マイクロ波電力を反応容器２
０１内に効率よく透過し、かつ真空気密を保持し得るよ
うな材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス
等）で形成されたマイクロ波導入誘電体窓である。２０
３はマイクロ波電力の伝送を行う導波管であり、マイク
ロ波電源から反応容器近傍までの矩形の部分と、反応容
器に挿入された円筒形の部分からなっている。導波管２
０３はスタブチューナー（図示せず）、アイソレーター
（図示せず）とともにマイクロ波電源（図示せず）に接
続されている。誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を
保持するために導波管２０３の円筒形の部分内壁に気密
封止されている。２０４は、一端が反応容器２０１に開
口し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気
管である。２０６は導電性基体２０５により囲まれた放
電空間を示す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流
電圧を印加するための直流電源（バイアス電源）であ
り、電極２１２に電気的に接続されている。こうした堆
積膜形成装置を使用した電子写真感光体の製造は以下の
ようにして行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排
気管２０４を介して、反応容器２０１を排気し、反応容
器２０１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整す
る。ついでヒーター２０７により、基体２０５の温度を
所定の温度に加熱保持する。そこで原料ガスを不図示の
ガス導入手段を介して、アモルファスシリコンの原料ガ
スとしてシランガス、ドーピングガスとしてジボランガ
ス、希釈ガスとしてヘリウムガス等の原料ガスが反応容
器２０１内に導入される。それと同時併行的にマイクロ
波電源（図示せず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発生させ、導波管２０３を通じ、誘電体窓２０
２を介して反応容器２０１内に導入する。更に放電空間
２０６中のバイアス電極２１２に電気的に接続された直
流電源２１１によりバイアス電極２１２に基体２０５に
対して直流電圧を印加する。かくして導電性基体２０５
により囲まれた放電空間２０６に於て、原料ガスはマイ
クロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更にバイ
アス電極２１２と基体２０５の間の電界により定常的に
導電性基体２０５上にイオン衝撃を受けながら、基体２
０５表面に堆積膜が形成される。この時、導電性基体２
０５が設置された回転軸２０９をモーター２１０により
回転させ、導電性基体２０５を基体母線方向中心軸の回
りに回転させることにより、導電性基体２０５全周に渡
って均一に堆積膜層を形成する。

【００２１】こうした製造装置により例えば表２に示さ
れるような条件により本発明の必須要件である光導電
層、表面層からなる光受容部材を作製することができ
る。こうした手順に従って、連続して電子写真感光体の
作製が効率よくおこなわれるものである。本発明におい
て、洗浄工程に使用される洗浄液は、水または水に界面
活性剤を添加したものが望ましい。またその水質は、い
ずれでも可能である。また洗浄工程で用いられる界面活
性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非
イオン界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混
合したもの等、いずれのものでも可能である。またトリ
ポリリン酸ナトリウム等の添加剤を添加しても本発明は
有効である。本発明の洗浄工程で用いられる水の温度
は、高すぎると導電性基体表面に酸化膜が発生してしま
い、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗
浄効果が小さく、さらに本発明の効果が充分得られな
い。この為、水の温度としては、１０℃以上、９０℃以
下、好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０
℃以上、５５℃以下が本発明には適している。本発明に
おいて洗浄工程に超音波を用いることは本発明の効果を
十分に出す上で重要である。超音波の周波数は、好まし
くは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは
１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上
１００ｋＨｚ以下が効果的である。超音波の出力は、好
ましくは１０Ｗ以上、１００ｋＷ以下、更に好ましくは
１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下効果的である。

【００２２】本発明の純水接触工程に使用される水の水
質は、非常に重要であり半導体グレードの純水、特に超
ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温
２５℃の時の低効率として、１ＭΩ−ｃｍ以上、好まし
くは４ＭΩ−ｃｍ以上、最適には１０ＭΩ−ｃｍ以上が
本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ
以上が１ミリリットル中に１０００００個以下、好まし
くは１００００個以下、最適には１０００個以下が本発
明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミ
リリットル中に１０００個以下、好ましくは１００個以
下、最適には１０個以下が本発明には適している。有機
物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１００ｍｇ以下、好
ましくは１０ｍｇ以下、最適には２ｍｇ以下が本発明に
は適している。上記の水質の水を得る方法としては、活
性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆
浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数
組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望
ましい。導電性基体表面に純水を接触させるときは、水
圧を掛けて吹き付けることが望ましい。吹き付ける際の
水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとな
り、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特に
ハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしま
う。この為、水の圧力としては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ ² 以
上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、好ましくは１０ｋｇ
・ｆ／ｃｍ² 以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最適
には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ
² 以下が本発明には適している。但し、本発明における
圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は、重力キログラム毎平方セ
ンチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は９８０６
６．５Ｐａと等しい。本発明の純水を吹き付ける方法に
は、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付ける
方法、または、ポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズ
ルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法
等がある。

【００２３】本発明の純水の流量としては、発明の効果
と、経済性から、導電性基体１本当り１リットル／ｍｉ
ｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リ
ットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最
適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ
以下が本発明には適している。本発明の純水の温度は、
高すぎると導電性基体上に酸化膜が発生してしまい堆積
膜の剥れ等の原因となる、さらに本発明の効果が充分に
得られない。また、低すぎるとやはり本発明の効果が充
分得られない。この為、純水の温度としては、５℃以
上、９０℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、
最適には１５℃以上、４０℃以下が本発明には適してい
る。水接触処理の処理時間は、長すぎると導電性基体上
に酸化膜が発生してしまい、短すぎると本発明の効果が
小さいため、１０秒以上、３０分以下、好ましくは２０
秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下
が本発明には適している。本発明において、堆積膜形成
時の基体表面の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆
積膜形成の直前に基体表面の切削を行なうことは重要な
ことである。切削から水接触処理までの時間は、長すぎ
ると基体表面に再び酸化膜が発生してしまい、短すぎる
と工程が安定しないため、１分以上、１６時間以下、好
ましくは２分以上、８時間以下、最適には３分以上、４
時間以下が本発明には適している。水接触処理から堆積
膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発明の効
果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定しない
ため、１分以上、８時間以下、好ましくは２分以上、４
時間以下、最適には３分以上、２時間以下が本発明には
適している。

【００２４】本発明で用いられる導電性基体としては、
例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル，ポリエチレン，ポリカーボネート，セルロース
アセテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミックス等の電気絶縁性導電性基体の
少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した
基体も用いることができるものであるが、機械的強度等
から金属が好ましい。本発明では、導電性基体を所定の
精度で切削した後、表面の形状について加工をおこなっ
ても有効である。例えばレーザー光などの可干渉性光を
用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われ
る干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電性
基体表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体表面に設け
られる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６
０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報
等に記載された公知の方法により作製される。又、レー
ザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による
画像不良を解消する別の方法として、導電性基体表面に
複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即
ち、導電性基体の表面が電子写真用感光体に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。導電性基体表面に設
けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１
−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作
製される。

【００２５】本発明における光導電層は、導電性基体側
より、構成要素としてシリコン原子、炭素原子および水
素原子を含む非単結晶炭化シリコン（以下ｎｃ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈと略す。）から成る光導電層により構成され、所
望の光導電特性、特に電荷保持特性、電荷発生特性、電
荷輸送特性を有する。前記光導電層に含有される炭素原
子は分布を成し、該分布が前記導電性基体の表面に各々
平行な面内では実質的に均一であり、層の厚み方向には
不均一であって、膜厚方向の各点において前記導電性基
体側の含有率が高く、前記表面層側の含有率が低く分布
している。炭素原子の含有量としては、前記導電性基体
の設けてある側の表面又は表面近傍で０．５以下であれ
ば前述の導電性基体との密着性向上および、電荷の注入
阻止の機能が悪化し、さらに静電容量の減少による帯電
能向上の効果が無くなる。また５０％以上では残留電位
が発生してしまう。このため、実用的には０．５〜５０
原子％、好ましくは１〜４０原子％であり、最適には１
〜３０原子％とされるのが好ましい。また、本発明にお
いて光導電層中に水素原子が含有されることが必要であ
るが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質
の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させる
ために必須不可欠であるからである。特に炭素原子が含
有された場合、その膜質を維持するために、より多くの
水素原子が必要となるため、炭素含有量にしたがって含
有される水素量が調整されることが望ましい。よって、
導電性基体表面の水素原子の含有量は望ましくは１〜４
０原子％、より好ましくは５〜３５原子％、最適には１
０〜３０原子％とされるのが好ましい。

【００２６】本発明において、光導電層は真空堆積膜形
成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パ
ラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体的
には、グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法
またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、ある
いは直流放電ＣＶＤ法等）によって形成することができ
る。その中でも工業的にはマイクロ波グロー放電法、お
よび高周波グロー放電法が最適である。グロー放電法に
よってｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ光導電層を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るシリコン供給
用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用
の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の
原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起
させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の導
電性基体表面上にｎｃ−ＳｉＣ：Ｈからなる層を形成す
ればよい。本発明において使用されるシリコン供給用ガ
スとなり得る物質としては、ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓ
ｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し
得る水素化シリコン（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、シリ
コン供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆が好
ましいものとして挙げられる。また、これらのシリコン
原子供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。本発
明において、炭素原子導入用の原料物質となり得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。

【００２７】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和
炭化水素としては、メタン（ＣＨ₄ ），エタン（Ｃ₂Ｈ₆
），プロパン（Ｃ₃ Ｈ₈ ），ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄ Ｈ
₁₀），ペンタン（Ｃ₅Ｈ₁₂），エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ₂ Ｈ₄ ），プロピレン（Ｃ ₃ Ｈ
₆ ），ブテン−１（Ｃ₄ Ｈ₈ ），ブテン−２（Ｃ₄ Ｈ
₈ ），イソブチレン（Ｃ₄ Ｈ₈ ），ペンテン（Ｃ₅
Ｈ₁₀），アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ₂ Ｈ₂ ），メチルアセチレン（Ｃ₃ Ｈ₄ ），ブチン
（Ｃ₄ Ｈ₆ ）等が挙げられる。また、ＳｉとＣとを構成
原子とする原料ガスとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₄ ，Ｓｉ
（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ 等のケイ化アルキルを挙げることができ
る。水素原子を光導電層中に構造的に導入するには、上
記の他にＨ₂ 、あるいはＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃
Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等の水素化シリコンとシリコン原子を
供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応
容器中に共存させて放電を生起させることでも行なうこ
とができる。光導電層中に含有される水素原子の量を制
御するには、例えば導電性基体の温度、水素原子を含有
させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入す
る量、放電電力等を制御すればよい。本発明において光
導電層にハロゲン原子を含有させることは特に有効であ
る。本発明において光導電層に含有されるハロゲン原子
は、炭素原子、水素原子の凝集を抑制し、バンドギャッ
プ中の局在準位密度を低減させるため、ゴーストを改善
し、層品質の均一性の向上に効果を発揮する。ハロゲン
原子が１原子ｐｐｍより少ないと、ハロゲン原子による
ゴーストの改善効果が十分発揮されず、また９５原子ｐ
ｐｍを越えると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じ
るようになってしまう。したがって、ハロゲン原子の含
有量は実用的には１〜９５原子ｐｐｍ、より好ましくは
３〜８０原子ｐｐｍ、最適には５〜５０原子ｐｐｍとさ
れるのが好ましい。特に光導電層に前述のごとき範囲で
炭素原子を含有せしめたときに、ハロゲン原子の含有量
を上記した範囲に設定することにより、光導電特性、画
像特性および耐久性が著しく向上することが実験により
確かめられた。

【００２８】さらに加えて、含有するハロゲン原子を基
体近傍から光導電層の上部に向かって徐々に多くなるよ
うに分布させることは、本発明にとって有効である。ハ
ロゲン原子を層厚方向に不均一に分布させることによっ
て炭素原子の含有量が層厚方向に変化するのに伴い基体
側と表面層側との間に発生する内部応力の変化を緩和す
るため、堆積膜中の欠陥が減少し膜質が向上する。その
結果、光受容部材の使用環境の温度変化に従って光受容
部材の特性が変化する、いわゆる温度特性を向上させる
ことが可能になり帯電能およびコピー間の画像濃度むら
等の電子写真特性が改善される。こうしたハロゲン原子
としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があるが、好ま
しくはフッ素、塩素がよく、より好ましくは、フッ素が
よい。こうしたフッ素原子を層中に含有させるために供
給用ガスとして有効なのは、たとえばフッ素ガス、フッ
素化物、フッ素をふくむハロゲン化合物、フッ素で置換
されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るフ
ッ素化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリ
コン原子とフッ素原子とを構成要素とするガス状のまた
はガス化し得る、フッ素原子を含む水素化シリコン化合
物も有効なものとして挙げることができる。本発明に於
て好適に使用し得るフッ素化合物としては、具体的には
Ｆ₂，ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃ ，ＢｒＦ₃ ，ＢｒＦ
₅ ，ＩＦ₃ ，ＩＦ₇ 等のハロゲン化合物を挙げることが
できる。フッ素原子を含むシリコン化合物、いわゆるフ
ッ素原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的に
は、たとえばＳｉＦ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化シリコン
が好ましいものとして挙げることができる。このような
フッ素原子を含むシリコン化合物を採用してグロー放電
等によって本発明の特徴的な電子写真用光受容部材を形
成する場合には、シリコン供給用ガスとしての水素化シ
リコンガスを使用しなくても、所定の支持体上にフッ素
原子を含む非単晶シリコンからなる光導電層を形成する
ことができるが、形成される光導電層中に導入される水
素原子の導入割合の制御を一層容易になるようにするた
めに、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含
むシリコン化合物のガスも所望量混合して層形成するこ
とが好ましい。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。本発
明においては、フッ素原子供給用ガスとして上記された
フッ化物あるいはフッ素を含むシリコン化合物が有効な
ものとして使用されるものであるが、そのほかに、Ｈ
Ｆ，ＳｉＨ₃ Ｆ，ＳｉＨ₂ Ｆ₂ ，ＳｉＨＦ₃ 等のフッ素
置換水素化シリコン、等々のガス状態のあるいはガス化
し得る物質も有効な光導電層形成用の原料物質として挙
げることが出来る。これらの物質の内、水素原子を含む
フッ素化物は、光導電層形成の際に層中にフッ素原子の
導入と同時に、電気的あるいは光電的特性の制御にきわ
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明において
は好適なフッ素原子供給用ガスとして使用される。

【００２９】本発明において光導電層にハロゲン原子に
加えて酸素原子を含有することも有効である。この場
合、ハロゲン原子との相乗作用により堆積膜の内部応力
を緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このために光導電
層中でのキャリアの走行性が改善され、電位シフトが減
少する。こうした酸素原子の含有量としては上記ハロゲ
ン原子含有量の範囲内において１０〜５０００原子ｐｐ
ｍの範囲が好ましい。さらに本発明にとって光導電層中
に含有される酸素原子を基体側から表面層側に向かって
多くなるように分布させることは好ましいことである。
この時堆積膜中の内部応力を効果的に緩和して膜の構造
欠陥を抑制するため光導電層中でのキャリアの走行性が
改善され電位シフト等の表面電位特性がさらに改善され
る。本発明において光導電層に酸素原子を含有させる為
の原料ガスとしては、酸素（Ｏ₂ ），一酸化炭素（Ｃ
Ｏ），二酸化炭素（ＣＯ₂ ），一酸化窒素（ＮＯ），二
酸化窒素（ＮＯ₂ ），酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）を微量含ん
だ希釈ガスを原料ガスに加えることが効果的である。さ
らに本発明においては、光導電層には必要に応じて伝導
性を制御する原子（Ｍ）を含有させることが好ましい。
伝導性を制御する原子は、光導電層中に万偏なく均一に
分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向
には不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子（以
後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を
与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」
と略記する）を用いることができる。

【００３０】第III 族原子としては、具体的には、ホウ
素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），
イソジウム（Ｉｎ），タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的には燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓ
ｂ），ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。光導電層に含有される伝導性を制御する原子
（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜５×
１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜１×１
０ ⁴ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜５×１０³ 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、光導電層において
炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０³ 原子ｐｐｍ以下の
場合は、光導電層に含有される原子（Ｍ）の含有量とし
ては好ましくは１×１０^-3〜１×１０³ 原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０
³ 原子ｐｐｍを越える場合は、原子（Ｍ）の含有量とし
ては、好ましくは１×１０^-1〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍと
されるのが望ましい。光導電層中に、伝導性を制御する
原子、たとえば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構
造的に導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガ
ス状態で反応容器中に、光導電層を形成するための他の
ガスとともに導入してやればよい。第III 族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。そのような第III 族原子導入用の原料
物質として具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ
₂ Ｈ₆ ，Ｂ₄ Ｈ₁₀，Ｂ₅ Ｈ₉ ，Ｂ₅ Ｈ₁₁，Ｂ₆ Ｈ ₁₀，Ｂ
₆ Ｈ₁₂，Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化ホウ素、ＢＦ₃ ，ＢＣｌ
₃ ，ＢＢｒ₃ 等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ₃ ，ＧａＣｌ₃ ，Ｇａ（ＣＨ ₃ ）₃ ，Ｉ
ｎＣｌ₃ ，ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【００３１】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃ ，Ｐ₂ Ｈ₄ ，等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ，ＰＦ
₃ ，ＰＦ₅ ，ＰＣｌ₃ ，ＰＣｌ₅ ，ＰＢｒ₃ ，ＰＢｒ
₅ ，ＰＩ₃ 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ₃ ，ＡｓＦ₃ ，ＡｓＣｌ₃ ，ＡｓＢｒ₃ ，Ａｓ
Ｆ₅，ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ ，ＳｂＦ₅ ，ＳｂＣｌ₃ ，Ｓ
ｂＣｌ₅ ，ＢｉＨ₃ ，ＢｉＣｌ₃ ，ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。また、これらの伝導性を制御する原子導入用
の原料物質を必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等の
ガスにより希釈して使用してもよい。さらに本発明の光
受容部材の光導電層には、周期律表第Ｉａ族，IIａ族，
VIａ族，VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素を含
有してもよい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均
一に分布されてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏
無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布
する状態で含有している部分があってもよい。しかしな
がら、いずれの場合においても導電性基体の表面と平行
な面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有され
ていることが、面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。第Ｉａ族原子としては、具体的に
は、リチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム
（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベ
リウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム
（Ｃａ），ストロンチウム（Ｓｒ），バリウム（Ｂａ）
等を挙げることができる。

【００３２】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）を挙げることができ、第VIII族原子としては、鉄
（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ）等を挙
げることができる。本発明において、光導電層の層厚は
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、光導電層につ
いては、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０
〜４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望ま
しい。本発明の目的を達成し得る特性を有するｎｃ−Ｓ
ｉＣ（Ｈ）から成る光導電層を形成するには、導電性基
体の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適
宜設定する必要がある。導電性基体の温度（Ｔｓ）は、
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５
０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望
ましい。本発明における表面層は、構成要素としてシリ
コン原子と炭素原子、水素原子、酸素原子および窒素原
子を含有する非単結晶材料で構成される。本発明におけ
る表面層には光導電層中に含有されるような伝導性を制
御する物質は実質的には含有されない。該表面層に含有
される炭素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向に万偏なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。しかしながら、いずれの場合にも導電性基体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されていることが、面内方向における特性の均一化
をはかる点からも必要である。

【００３３】本発明における表面層の全層領域に含有さ
れる炭素原子、酸素原子、および窒素原子は、高暗抵抗
化、高硬度化等の効果を奏する。該表面層中に含有され
る上記３原子の含有量の合計は、（炭素原子＋酸素原子
＋窒素原子）／（シリコン原子＋炭素原子＋酸素原子＋
窒素原子）の値で好適には４０〜９０原子％、より好適
には４５〜８５原子％、最適には５０〜８０原子％とさ
れるのが望ましい。本発明における効果をよりいっそう
発揮するためには、酸素原子、窒素原子の含有量は共に
１０原子％以下が好ましい。また、本発明における表面
層に含有される水素原子、酸素原子および窒素原子はｎ
ｃ−ＳｉＣ：Ｈ内に存在する末結合手を補償し膜質の向
上に効果を奏し、光導電層と表面層の界面にトラップさ
れるキャリアを減少させるため、画像流れを改善する。
また、表面層中に酸素原子および窒素原子を含有する事
により表面層と光導電層との界面の密着性が向上し、さ
らに表面層自身の構造を変化させる事が可能になり、電
子写真感光体の表面性、耐圧、光導電層および導電性基
体であるアルミシリンダーの保護機能等が向上し、電子
写真感光体の耐久性を優れた電気特性を維持したままで
飛躍的に向上させる事ができる。すなわち、連続して大
量に画像形成を行ってもクリーニングブレードや分離爪
へのダメージが少なく、クリーニング性および転写紙の
分離性も良好になる。従って、画像形成装置としての耐
久性を飛躍的に向上する事ができる。さらに誘電率の低
下により高電圧に対する耐久性も向上するため、光受容
部材の一部が絶縁破壊する事によって起こる「リークポ
チ」がさらに発生しにくくなる。

【００３４】さらに本発明の表面層にハロゲン原子をさ
らに含有することも有効である。該表面層に含有された
ハロゲン原子は撥水性を向上させるので、水蒸気の吸着
による高湿流れをも減少し、電子写真感光体の電気特性
をさらに改善する。該表面層中に含有されるハロゲン原
子は２０原子％以下であり、さらに水素原子とハロゲン
原子の含有量の和は好適には３０〜７０原子％、より好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。本発明においてｎｃ−ＳｉＣ：Ｈで
構成される表面層を形成するには、前述の光導電層を形
成する方法と同様の真空堆積法が採用される。本発明に
おいて表面層を形成するにおいて使用されるシリコン供
給用ガスおよび炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり
得るものは、先に挙げた光導電層を形成するときと同じ
ものが使用可能である。本発明において表面層に酸素原
子および窒素原子を含有させる為の導入ガスとしては、
酸素原子用としては酸素（Ｏ₂ ），一酸化炭素（Ｃ
Ｏ），二酸化炭素（ＣＯ₂ ），窒素原子用としては窒素
（Ｎ₂ ），アンモニア（ＮＨ₃ ）などが挙げられる。ま
た酸素および窒素原子を同時に含有するものとして一酸
化窒素（ＮＯ），二酸化窒素（ＮＯ₂ ），酸化二窒素
（Ｎ₂ Ｏ）が好ましいものである。さらに本発明におい
て表面層に、周期律表第Ｉａ族，IIａ族，VIａ族，VIII
族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有してもよ
い。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均一に分布さ
れてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏無く含有さ
れてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で
含有している部分があってもよい。しかしながら、いず
れの場合においても導電性基体の表面と平行な面内方向
においては、均一な分布で万偏無く含有されていること
が、面内方向における特性の均一化を図る点からも必要
である。

【００３５】第Ｉａ族原子としては、具体的には、リチ
ウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベリリウム
（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃ
ａ），ストロンチウム（Ｓｒ），バリウム（Ｂａ）等を
挙げることができる。また、第VIａ族原子としては具体
的には、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），タング
ステン（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子とし
ては、鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎ
ｉ）等を挙げることができる。本発明において、表面層
の層厚は所望の電子写真特性が得られること、および経
済的効果等の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、よ
り好ましくは０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１
０μｍとされるのが望ましい。本発明の目的を達成し得
る特性を有する表面層を形成する場合には、導電性基体
の温度、ガス圧が前記表面層の特性を左右する重要な要
因である。導電性基体温度は適宜最適範囲が選択される
が、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜
４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望まし
い。反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択される
が、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好まし
くは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-4〜１
Ｔｏｒｒとするのが望ましい。本発明においては、表面
層を形成するための導電性基体温度、ガス圧の望ましい
数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの
層作製ファクターは通常は独立的に別々に決められるも
のではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相
互的且つ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの
最適値を決めるのが望ましい。

【００３６】本発明の光受容部材においては、光導電層
と表面層との間に、組成を連続的に変化させた層領域を
設けてもよい。該層領域を設けることにより各層間での
密着性をより向上させることができる。さらに本発明の
光受容部材においては、光導電層の前記導電性基体側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、炭素
原子および水素原子が層厚方向に不均一な分布状態で含
有する層領域を有することが望ましい。本発明におい
て、プラズマを発生させるエネルギーは、ＤＣ、高周
波、マイクロ波等いずれでも可能であるが、特に、プラ
ズマの発生のエネルギーにマイクロ波または高周波を用
いた場合、本発明の効果がより顕著なものとなる。本発
明において、プラズマ発生のためにマイクロ波を用いる
場合、マイクロ波電力は、放電を発生させることができ
ればいずれでも良いが、１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下、
好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以下が本発明を実施す
るに当たり適当である。以下、本発明を、実施例を用い
て具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定
されるものではない。 〈実施例１および比較例１〉 実施例１ 純度９９．５％のアルミニウムよりなる直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述
の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例
と同様の手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分
後に図１に示す表面処理装置により、表１に示す条件に
より基体表面の前処理を行なった。但し、本実施例では
界面活性剤としてはポリエチレングリコールノニルフェ
ニルエーテルを１ｗｔ％水溶液として用いた。このよう
に前処理を行なったアルミシリンダー上に、さきに詳述
した手順にしたがって、図４に示す電子写真感光体の製
造装置を用い、高周波グロー放電法により表２に示す作
製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例では、光
導電層中の炭素含有量の変化パターンを図７のように変
化させるために、光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の
流量をリニアに変化させた。この時の光導電層の基体と
の界面での炭素含有量は、約１０原子％となるようにし
た。なお、炭素含有量の測定には、ラザフォード後方散
乱法による元素分析で行なった。

【００３７】作製した電子写真感光体をまず目視により
表面層を評価し、その後キャノン製複写機ＮＰ−７５５
０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能、
感度、残留電位等、電子写真特性および耐久後の画像特
性について以下の評価を行なった。 表面の曇り 作製した電子写真感光体を、目視により表面の曇りの程
度の検査を行なった。 ◎は曇り無し ○は一部曇りあり △は部分的に、数カ所曇りがあり ×は全面に曇りがある。 帯電能・感度・残留電位 帯電能…電子写真感光体を実験装置に設置し、帯電器に
＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行ない、表面電
位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。 感度…電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯電さ
せる。そして直ちに光像を照射する。光像はキセノンラ
ンプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の
波長域の光を除いた光を照射する。この時表面電位計に
より電子写真感光体の明部表面電位を測定する。明部表
面電位が所定の電位になるよう露光量を調整し、この時
の露光量をもって感度とする。 残留電位…電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯
電させる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射
する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを
用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射し
た。この時、表面電位計により電子写真感光体の明部表
面電位を測定する。 白ポチ・ハーフトーンむら…電子写真感光体を、キャ
ノン社製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写
機にいれ、通常の電子写真プロセスにより転写し紙面上
に画像を形成し、下記の手順により画像の評価を行なっ
た。

【００３８】白ポチ…キャノン製全面黒チャート（部品
番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたと
きに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２
ｍｍ以下の白ポチについて、その数を数えた。 ハーフトーンむら…キャノン製中間調チャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピーしたとき
に得られたコピー画像上で直径０．０５ｍｍの円形の領
域を１単位として１００点の画像濃度を測定し、その画
像濃度のばらつきを評価した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 耐久後の画像特性…作製した電子写真感光体をキャノ
ン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真
装置に設置し３５０万枚相当の加速耐久試験を行なっ
た。そして、画像特性について以下の評価を行なった。 画像流れ…白地に全面文字よりなるキャノン製テストチ
ャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を原稿台に置き
通常の露光量の２倍の露光量で照射しコピーをとる。得
られたコピー画像を観察し、画像上の細線が途切れずに
つながっているか評価した。但しこの時画像上でむらが
ある時は、全画像領域で評価し一番悪い部分の結果を示
した。

【００３９】◎は良好 ○は一部途切れあり △は途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題な
い 黒ポチ…白紙を原稿台に置きコピーしたときに得られた
コピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の黒
い画像欠陥について、その数を数えた。それぞれについ
て、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 これらの結果を表３に示す。 比較例１ 実施例１と同様の導電性基体を同様の手順で切削を行
い、切削が終了した導電性基体は、図３に示す従来の導
電性基体の洗浄装置により表４の条件で基体表面の処理
を行った。図３に示す導電性基体の洗浄装置は、処理槽
３０２と基体搬送機構３０３よりなっている。処理槽３
０２は、基体投入台３１１、基体洗浄槽３２１、基体搬
出台３５１よりなっている。洗浄槽３２１は液の温度を
一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いてい
る。搬送機構３０３は、搬送レール３６５と搬送アーム
３６１よりなり、搬送アーム３６１は、レール３６５上
を移動する移動機構３６２、基体３０１を保持するチャ
ッキング機構３６３、およびこのチャッキング機構３６
３を上下させるためのエアーシリンダー３６４よりなっ
ている。

【００４０】切削後、投入台上３１１に置かれた基体３
０１は、搬送機構３０３により洗浄槽３２１に搬送され
る。洗浄槽３２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ 旭化成工業社製）３２２により表面に付着し
ている切削油および切り粉を除去するための洗浄が行な
われる。洗浄後、基体３０１は、搬送機構３０３により
搬出台３５１に運ばれる。このようにして従来の基体の
前処理を行った基体に実施例１と同様にして、表５に示
す条件で基体、電荷輸送層、電荷発生層、表面層の３層
構成の、いわゆる機能分離型電子写真感光体を作製し
た。得られた電子写真感光体の評価は実施例１と同様に
行ない、実施例１の結果と合せて表３に示す。表３より
明らかなように本発明の方法によれば、感度が向上し、
なおかつ残留電位が低く抑えられている。そして特に感
光体の表面の曇り、およびハーフトーンむらに関してす
ぐれた特性を示していることがわかる。さらに、本発明
によれば３５０万枚という耐久後においても画像上なん
の支障もないことがわかる。 〈実施例２および比較例２〉 実施例２ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１と同様の基
体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）
に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グ
ロー放電法により、表６に示す条件により電子写真感光
体を作製した。作製した電子写真感光体は実施例１と同
様の評価を行なった。その結果実施例１とまったく同様
の結果が得られた。 比較例２ 図３に示す基体表面処理装置により比較例１と同様の基
体の前処理を行なった導電性基体上に、図２（ａ），２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、表７に示す条件で基体、電荷
輸送層、電荷発生層、表面層の３層構成の、いわゆる機
能分離型電子写真感光体を作製した。得られた電子写真
感光体の評価は実施例２と同様に行なった。その結果、
比較例２とまったく同様の結果が得られた。 〈実施例３および比較例３〉 実施例３ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１と同様の前
処理を行なった基体上に、図４に示す電子写真感光体の
製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって、高
周波グロー放電法により表８に示す作製条件で電子写真
感光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含
有量の変化パターンを図８，図９に示すように変化させ
るために、光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量を
変化させ、２種類の感光体を作製した。いずれのパター
ンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含有量は、
約１０原子％となるようにした。なお、炭素含有量の測
定にはラザフォード後方散乱法による元素分析により標
準サンプルの検量線を作製し、標準サンプルと作製した
サンプルをオージェ分光法によるシグナル強度から絶対
量を求めた。

【００４１】作製した電子写真感光体の表面の曇りを目
視により判断しキャノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験
用に改造した電子写真装置に設置し、感度、残留電位、
白ポチ、ハーフトーンむらについて実施例１と同様の方
法で評価した。その後、加速耐久試験装置により３５０
万枚相当の評価を行ない、画像流れ、黒ポチの評価実施
例１と同様に行ないその結果を表９に示す。 比較例３ 比較例１と同様に前処理を行なった基体上に、実施例３
と同様にして、図１０、図１１を示す炭素含有量パター
ンで電子写真感光体を作製し、実施例３と同様の評価を
行なった。そしてその結果を表９に、実施例３の評価結
果とあわせて示す。表９より、本発明の光導電層の炭素
量変化パターンでは比較例３の結果に比べて初期特性、
耐久後の画像特性のいずれも良好な結果が得られている
ことがわかる。 〈実施例４および比較例４〉 実施例４ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例１と同様の
前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー
放電法を用いる以外は実施例３と同様にして、表１０に
示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例で
は、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図８，図
９のように変化させるために、光導電層の形成時に導入
するＣＨ ₄ の流量を変化させた。いずれのパターンにお
いても光導電層の基体側表面での炭素含有量は、約１０
原子％となるようにした。なお、炭素含有量の測定には
ラザフォード後方散乱法による元素分析で行なった。作
製した電子写真感光体は実施例３とまったく同様の結果
が得られた。 比較例４ 図３に示す基体表面処理装置により、比較例１と同様に
前処理を行なった基体上に、実施例４と同様にして、図
１０、図１１に示す炭素含有量パターンで電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体を実施例４と同
様の評価を行なったところ、比較例３とまったく同様の
結果が得られた。 〈実施例５〉図１に示す基体表面処理装置により、実施
例１と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示す電
子写真感光体の製造装置を用い、さきに詳述した手順に
したがって、高周波グロー放電法により表２に示す作製
条件で電子写真感光体を作製した。本実施例では、光導
電層中の炭素含有量の変化パターンは図７を用い、基体
側表面の炭素含有量を光導電層の形成時に導入するＣＨ
₄ の流量を変えることにより変化させた。そして光導電
層の基体側表面での炭素含有量は、ラザフォード後方散
乱法による元素分析で同定した。

【００４２】作製した電子写真感光体の表面の曇りおよ
び球状突起の発生数、更にキャノン製複写機ＮＰ−７５
５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電
能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむら等の電
子写真特性および３５０万枚相当の耐久後の画像性の評
価を行なった。各項目は、以下の方法で評価した。 表面の曇り 実施例１と同様にして評価した。 球状突起の数 作製した電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察
し、１００ｃｍ² の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。各電子写真感光体について結果を
出し、最も球状突起の数の多かったものを１００％とし
て相対比較をした。その結果を以下のように分類した。 ◎は６０％未満 ○は８０〜６０％ △は１００〜８０％ 残留電位 実施例１と同様にして評価した。 白ポチ・ハーフトーンむら 白ポチ・ハーフトーンむら…実施例１と同様にして評価
した。 このようにして得られた結果をまとめて表１１に示す。
この結果から、光導電層の基体側表面の炭素量として
は、０．５〜５０原子％で特性の向上が見られ、さらに
１〜３０原子％できわめて良好な結果が得られている。 〈実施例６〉図１に示す基体表面処理装置により実施例
１と同様の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、さきに
詳述した手順にしたがって、マイクロ波グロー放電法に
より、表６に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実施例では、光導電層中の炭素含有量の変化パタ
ーンは図７を用い、基体側表面の炭素含有量を光導電層
の形成時に導入するＣＨ ₄ の流量を各感光体ごとに変え
ることにより変化させた。

【００４３】そして、実施例５と同様にして評価した結
果、表１１とまったく同じ結果が得られた。 〈実施例７〉実施例１と同様の前処理を行った基体上
に、図４に示す電子写真感光体の製造装置を用い、さき
に詳述した手順にしたがって、高周波グロー放電法によ
り表１２に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。
本実施例では、光導電層中のフッ素含有量を図１３に示
すように変化させるために、光導電層の形成時に導入す
るＳｉＦ₄ の流量を変化させた。そして、光導電層中の
フッ素含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ−３
Ｆ）による元素分析で行なったところ基体近傍で３ａ
ｔ．ｐｐｍ、表面層近傍で４０ａｔ．ｐｐｍであった。 （Ｉ）作製した電子写真感光体をキャノン製複写機ＮＰ
−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、
加速耐久試験を行なう前の白ポチ、ハーフトーンむら、
ゴースト等の電子写真特性について評価を行なった。各
項目は、実施例１および実施例５と同様の方法で評価し
た。なお、ゴーストに関しては以下のように評価した。 ゴースト…キャノン製ゴーストテストチャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、¢５ｍｍの
黒丸を貼付けたものを原稿台の画像先端部に置き、その
上に、キャノン製中間調チャートを重ねておいた際のコ
ピー画像において中間調コピー上に認められるゴースト
チャートの¢５ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度
との差を測定した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 を表わしている。

【００４４】この結果を表１３にまとめて示す。 （II）次に、作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し３５０万枚相当の加速耐久試験を行なった。そし
て、白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子写真
特性の評価を（Ｉ）と同様に行なった。その結果を表１
４にまとめて示す。表１３および表１４の結果から、光
導電層中のフッ素含有量が９５原子ｐｐｍ以下の範囲に
設定することで画像特性および耐久性に関しても非常に
すぐれた電子写真感光体を作製することが可能であるこ
とが示された。 〈実施例８〉図１に示す基体表面処理装置により、実施
例１と同様の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），
２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイ
クロ波グロー放電法により実施例７と同様に、表１５に
示す作製条件で電子写真感光体を作製した。そして作製
した電子写真感光体を実施例７と同じ手順で評価をし
た。その結果は表１３および表１４と全く同様であっ
た。 〈実施例９〉図１に示す基体表面処理装置により、実施
例１と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示す電
子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電法に
より表１６の作製条件で電子写真感光体を作製した。本
実験では、表面層に含有される炭素量を変化させるよう
に、表面層形成時に導入するＣＨ₄ の流量を変化させ
た。

【００４５】作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、帯電能、残留電位、耐久前の画像評価、３５０万
枚相当の加速耐久試験後の画像評価を以下に示す方法で
行なった。 帯電能…実施例１と同様に行なった。 残留電位…実施例１と同様に行なった。 耐久後の画像評価…白ポチ、擦傷それぞれについて５段
階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段階に
分類した。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を表１７に示す。表より明らかなように、炭
素含有量が４０〜９０原子％で帯電能、耐久性に著しい
改善が見られる。 〈実施例１０〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例１と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例９と同様に、
表１８に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本
実験では表面層に含有される炭素量を変化させるよう
に、表面層形成時に導入するＣＨ₄ 流量を変化させた。
作製した電子写真感光体は実施例９と同じ手順で評価し
た。その結果、表１７と全く同様の結果が得られた。 〈実施例１１〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例１と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示す
電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電法
により表１９の作製条件で電子写真感光体を作製した。
本実験では、表面層に含有される水素原子量およびフッ
素原子量を変化させるように、表面層形成時に導入する
Ｈ₂ および／またはＳｉＦ₄ の流量を変化させた。

【００４６】作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、残留電位・感度・画像流れの３項目について評価
を行った。 残留電位…実施例１と同様に行なった。 感度…実施例１と同様に行なった。 得られた結果を表２０に示す。表２０より明らかなよう
に、表面層中の、水素含有量とフッ素含有量の和を３０
〜７０原子％とし、かつフッ素の含有量を２０原子％以
下の範囲とすることによって、残留電位、感度のいずれ
も良好な結果が得られ、さらに強露光での画像流れが大
幅に抑制できることがわかった。 〈実施例１２〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例１と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例１０と同様
に、表２１に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。なお、Ｈｅ流量は、Ｈ₂ 流量とあわせて２０００ｓ
ｃｃｍと、一定になるように変化させ、内圧を一定に保
った。作製した電子写真感光体は実施例１０と同じ手順
で評価した。その結果、表２０と全く同様の結果が得ら
れた。 〈実施例１３〉図１に示す基体表面処理装置により、表
２２に示す条件により、実施例１と同様の前処理を行な
った基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感
光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法により
表２３に示す条件で電子写真感光体を作製した。本実施
例では光導電層中のフッ素の含有量を図１２〜１５に示
す分布形になるようにＳｉＦ₄ ／ＳｉＨ₄ の値が１０〜
５０ｐｐｍの範囲内で流量をなめらかに変化させ、４種
類の電子写真感光体を作製した。また、フッ素を含有し
ないこと以外は同条件で電子写真感光体も作製した。以
上の５種類の電子写真感光体について以下の評価を行な
った。

【００４７】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト…実施例１と同様の
評価 温度特性…作製した電子写真感光体をキャノン社製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写機にいれ、電
子写真感光体の表面温度を３０〜４５℃まで変化し、帯
電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行な
い、表面電位計により暗部の表面電位を測定する。感光
体の表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で近
似し、その傾きを「温度特性」とし、［Ｖ／ｄｅｇ］の
単位であらわす。 ◎は非常に優れている。 ○は優れている。 △は実用上問題ない。 ×実用的ではない。 以上の結果を表２４に示す。表より、光導電層中にフッ
素を含有し、しかも膜厚方向に分布させた場合におい
て、ゴースト、温度特性まで含め、電子写真特性が改善
されていることがわかる。 〈実施例１４〉図１に示す基体表面処理装置により、表
２２に示す条件により、実施例１と同様の前処理を行な
った基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感
光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法により
表２５に示す条件で電子写真感光体を作製した。なお本
実施例では光導電層中のフッ素の含有量を一定とし、酸
素の含有量を図１６〜１９に示す分布形になるようにＣ
Ｏ₂ ／ＳｉＨ₄ の値が１０〜５０ｐｐｍの範囲内で流量
をなめらかに変化させ、４種類の電子写真感光体を作製
した。また、酸素を含有しないこと以外は同条件で電子
写真感光体も作製した。以上の５種類の電子写真感光体
について以下の評価を行なった。

【００４８】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト…実施例１３と同様
の評価 電位シフト…電子写真感光体を実験装置に設置して帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電をおこな
い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を
測定する。この時帯電器に電圧を印加した直後の暗部表
面電位をＶ_d0とし、２分経過後の暗部表面電位をＶ_d と
する。そして、Ｖ_d0とＶ_d との差をもって電位シフト量
とする。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を表２６に示す。表より、光導電層中にフッ
素を含有し、しかも酸素原子を含有した場合において、
温度特性、電位シフトまで含め、電子写真特性が改善さ
れていることがわかる。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【表２】

【００５１】

【表３】

【００５２】

【表４】

【００５３】

【表５】

【００５４】

【表６】

【００５５】

【表７】

【００５６】

【表８】

【００５７】

【表９】

【００５８】

【表１０】

【００５９】

【表１１】

【００６０】

【表１２】

【００６１】

【表１３】

【００６２】

【表１４】

【００６３】

【表１５】

【００６４】

【表１６】

【００６５】

【表１７】

【００６６】

【表１８】

【００６７】

【表１９】

【００６８】

【表２０】

【００６９】

【表２１】

【００７０】

【表２２】

【００７１】

【表２３】

【００７２】

【表２４】

【００７３】

【表２５】

【００７４】

【表２６】 （第２の発明）以下、アルミニウム合金製シリンダーを
導電性基体として、第２の本発明の電子写真感光体の製
造方法により図５（ａ），（ｂ）に示す構成の電子写真
感光体を実際に形成する手順の一例を、図１に示す導電
性基体の前処理装置、及び図２（ａ），（ｂ）に示すマ
イクロ波ＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用いて説明す
る。

【００７５】図１において、精密切削用のエアダンパー
付旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．
製）に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイ
ト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対し
て５°の角のすくい角を得るようにセットする。次に、
この旋盤の回転フランジに、基体を真空チャックし、付
設したノズルから白燈油噴霧、同じく付設した真空ノズ
ルから切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍ
ｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８
ｍｍとなるように鏡面切削を施す。切削が終了した基体
は、基体前処理装置により基体表面の処理を行う。図１
に示す基体前処理装置は、処理部１０２と基体搬送機構
１０３よりなっている。処理部１０２は、基体投入台１
１１、基体洗浄槽１２１、純水接触槽１３１、乾燥槽１
４１、基体搬出台１５１よりなっている。洗浄槽１２
１、純水層接触槽１３１とも液の温度を一定に保つため
の温度調節装置（図示せず）が付いている。搬送機構１
０３は、搬送レール１６５と搬送アーム１６１よりな
り、搬送アーム１６１は、レール１６５上を移動する移
動機構１６２、導電性基体１０１を保持するチャッキン
グ機構１６３及びチャッキング機構１６３を上下させる
ためのエアーシリンダー１６４よりなっている。切削
後、投入台１１１上に置かれた導電性基体１０１は、搬
送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送される。洗浄槽
１２１中の界面活性剤水溶液１２２中で超音波処理され
ることにより表面に付着している切削油及び切り粉の洗
浄が行なわれる。次に導電性基体１０１は、搬送機構１
０３により純水接触槽１３１へ運ばれ、２５℃の温度に
保たれた抵抗率１７．５ＭΩ−ｃｍの純水をノズル１３
２から５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² の圧力で吹き付けられる。
純水接触工程の終わった導電性基体１０１は搬送機構１
０３により乾燥槽１４１へ移動され、ノズル１４２から
高温の高圧空気を吹き付けられ乾燥される。乾燥工程の
終了した導電性基体１０１は、搬送機構１０３により搬
出台１５１に運ばれる。

【００７６】次にこれらの切削加工及び前処理の終了し
た導電性基体表面に図２（ａ）および図２（ｂ）に示す
マイクロ波プラズマＣＶＤ法による光導電部材堆積膜の
形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした堆
積膜を形成する。図２（ａ），及び図２（ｂ）におい
て、２０１は反応容器であり、真空気密化構造を成して
いる。また、２０２は、マイクロ波電力を反応容器２０
１内に効率よく透過し、かつ真空気密を保持し得るよう
な材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス等）
で形成されたマイクロ波導入誘電体窓である。２０３は
マイクロ波電力の伝送を行う導波管であり、マイクロ波
電源から反応容器近傍までの矩形の部分と、反応容器に
挿入された円筒形の部分からなっている。導波管２０３
はスタブチューナー（図示せず）、アイソレーター（図
示せず）とともにマイクロ波電源（図示せず）に接続さ
れている。誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を保持
するために導波管２０３の円筒形の部分内壁に気密封止
されている。２０４は、一端が反応容器２０１に開口
し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気管
である。２０６は導電性基体２０５により囲まれた放電
空間を示す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流電
圧を印加するための直流電源（バイアス電源）であり、
電極２１２に電気的に接続されている。こうした堆積膜
形成装置を使用した電子写真感光体の製造は以下のよう
にして行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排気管
２０４を介して、反応容器２０１を排気し、反応容器２
０１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。つ
いでヒーター２０７により、基体２０５の温度を所定の
温度に加熱保持する。そこで原料ガスを不図示のガス導
入手段を介して、アモルファスシリコンの原料ガスとし
てシランガス、ドーピングガスとしてジボランガス、希
釈ガスとしてヘリウムガス等の原料ガスが反応容器２０
１内に導入される。それと同時併行的にマイクロ波電源
（図示せず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を発生させ、導波管２０３を通じ、誘電体窓２０２を介
して反応容器２０１内に導入する。更に放電空間２０６
中のバイアス電極２１２に電気的に接続された直流電源
２１１によりバイアス電極２１２に基体２０５に対して
直流電圧を印加する。かくして導電性基体２０５により
囲まれた放電空間２０６に於て、原料ガスはマイクロ波
のエネルギーにより励起されて解離し、更にバイアス電
極２１２と基体２０５の間の電界により定常的に導電性
基体２０５上にイオン衝撃を受けながら、基体２０５表
面に堆積膜が形成される。この時、導電性基体２０５が
設置された回転軸２０９をモーター２１０により回転さ
せ、導電性基体２０５を基体母線方向中心軸の回りに回
転させることにより、導電性基体２０５全周に渡って均
一に堆積膜層を形成する。

【００７７】こうした製造装置により例えば表６に示さ
れるような条件により本発明の必須要件である光導電
層、表面層からなる光受容部材を作製することができ
る。こうした手順に従って、連続して電子写真感光体の
作製が効率よくおこなわれるものである。本発明におい
て、洗浄工程に使用される洗浄液は、水または水に界面
活性剤を添加したものが望ましい。またその水質は、い
ずれでも可能である。また洗浄工程で用いられる界面活
性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非
イオン界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混
合したもの等、いずれのものでも可能である。またトリ
ポリリン酸ナトリウム等の添加剤を添加しても本発明は
有効である。本発明の洗浄工程で用いられる水の温度
は、高すぎると導電性基体表面に酸化膜が発生してしま
い、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗
浄効果が小さく、さらに本発明の効果が充分得られな
い。この為、水の温度としては、１０℃以上、９０℃以
下、好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０
℃以上、５５℃以下が本発明には適している。本発明に
おいて洗浄工程に超音波を用いることは本発明の効果を
十分に出す上で重要である。超音波の周波数は、好まし
くは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは
１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上
１００ｋＨｚ以下が効果的である。超音波の出力は、好
ましくは１０Ｗ以上、１００ｋＷ以下、更に好ましくは
１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下が効果的である。

【００７８】本発明の純水接触工程に使用される水の水
質は、非常に重要であり半導体グレードの純水、特に超
ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温
２５℃の時の抵抗率として、１ＭΩ−ｃｍ以上、好まし
くは４ＭΩ−ｃｍ以上、最適には１０ＭΩ−ｃｍ以上が
本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ
以上が１ミリリットル中に１０００００個以下、好まし
くは１００００個以下、最適には１０００個以下が本発
明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミ
リリットル中に１０００個以下、好ましくは１００個以
下、最適には１０個以下が本発明には適している。有機
物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１００ｍｇ以下、好
ましくは１０ｍｇ以下、最適には２ｍｇ以下が本発明に
は適している。上記の水質の水を得る方法としては、活
性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆
浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数
組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望
ましい。導電性基体表面に純水を接触させるときは、水
圧を掛けて吹き付けることが望ましい。吹き付ける際の
水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとな
り、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特に
ハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしま
う。この為、水の圧力としては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ ² 以
上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、好ましくは１０ｋｇ
・ｆ／ｃｍ² 以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最適
には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ
² 以下が本発明には適している。但し、本発明における
圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は、重力キログラム毎平方セ
ンチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は９８０６
６．５Ｐａと等しい。本発明の純水を吹き付ける方法に
は、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付ける
方法、または、ポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズ
ルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法
等がある。

【００７９】本発明の純水の流量としては、発明の効果
と、経済性から、導電性基体１本当り１リットル／ｍｉ
ｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リ
ットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最
適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ
以下が本発明には適している。本発明の純水の温度は、
高すぎると導電性基体上に酸化膜が発生してしまい堆積
膜の剥れ等の原因となり、本発明の効果が充分に得られ
ない。また、低すぎるとやはり本発明の効果が充分得ら
れない。この為、純水の温度としては、５℃以上、９０
℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、最適には
１５℃以上、４０℃以下が本発明には適している。水接
触処理の処理時間は、長すぎると導電性基体上に酸化膜
が発生してしまい、短かすぎると本発明の効果が小さい
ため、１０秒以上、３０分以下、好ましくは２０秒以
上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下が本
発明には適している。本発明において、堆積膜形成時の
基体表面の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆積膜
形成の直前に基体表面の切削を行なうことは重要なこと
である。切削から水接触処理までの時間は、長すぎると
基体表面に再び酸化膜ができてしまい、短かすぎると工
程が安定しないため、好ましくは１分以上、１６時間以
下、より好ましくは２分以上、８時間以下、最適には３
分以上、４時間以下が本発明には適している。水接触処
理から堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると
本発明の効果が小さくなってしまい、短かすぎると工程
が安定しないため、好ましくは１分以上、８時間以下、
より好ましくは２分以上、４時間以下、最適には３分以
上２時間以下が本発明には適している。

【００８０】本発明で用いられる導電性基体としては、
例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル，ポリエチレン，ポリカーボネート，セルロース
アセテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミックス等の電気絶縁性導電性基体の
少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した
基体も用いることができるものであるが、機械的強度等
から金属が好ましい。本発明では、導電性基体を所定の
精度で切削した後、表面の形状について加工をおこなっ
ても有効である。例えばレーザー光などの可干渉性光を
用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われ
る干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電性
基体表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体表面に設け
られる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６
０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報
等に記載された公知の方法により作製される。又、レー
ザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による
画像不良を解消する別の方法として、導電性基体表面に
複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即
ち、導電性基体の表面が電子写真用感光体に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。導電性基体表面に設
けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１
−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作
製される。

【００８１】本発明における光導電層は、導電性基体側
より、構成要素としてシリコン原子と炭素原子、水素原
子を含むｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ）から成る光導電層により構
成され、所望の光導電特性、特に電荷保持特性、電荷発
生特性、電荷輸送特性を有する。前記光導電層に含有さ
れる炭素原子は分布を成し、該分布が前記導電性基体の
表面に各々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚
み方向には不均一であって、膜厚方向の各点において前
記導電性基体側の含有率が高く、前記表面層側の含有率
が低く分布している。炭素原子の含有量としては、前記
導電性基体の設けてある側の表面又は表面近傍で０．５
％以下であれば前述の導電性基体との密着性向上及び、
電荷の注入阻止の機能が悪化し、さらに静電容量の減少
による帯電能向上の効果が無くなる。また５０％以上で
は残留電位が発生してしまう。このため、実用的には
０．５〜５０原子％、好ましくは１〜４０原子％であ
り、最適には１〜３０原子％とされるのが好ましい。ま
た、本発明において光導電層中に水素原子が含有される
ことが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を
補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠であるからである。特
に炭素原子が含有された場合、その膜質を維持するため
に、より多くの水素原子が必要となるため、炭素原子の
含有量にしたがって含有される水素量が調整されること
が望ましい。よって、導電性基体表面の水素原子の含有
量は好ましくは１〜４０原子％、より好ましくは５〜３
５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが望ま
しい。本発明において、光導電層に含有されるハロゲン
原子としては、フッ素、塩素臭素、ヨウ素等があるが、
好ましくはフッ素が望ましい。本発明に含有されるハロ
ゲン原子は光導電層に含有される炭素原子、水素原子の
凝集を抑制し、バンドギャップ中の局在準位密度を低減
させるため、ゴーストを改善し、品質の均一性の向上に
効果を発揮する。ハロゲン原子の含有量が１原子ｐｐｍ
より少ないと、フッ素原子によるゴーストの改善の効果
が充分でなく、また９５原子ｐｐｍを越えると逆に膜質
が低下し、ゴースト現象を生じるようになる。従って、
光導電層中に含有されるハロゲン原子は実用的には１〜
９５原子ｐｐｍ、より好ましくは３〜８０原子ｐｐｍ、
最適には５〜５０原子ｐｐｍとされるのが望ましい。特
に光導電層に前述のごとき範囲で炭素原子を含有せしめ
た時に、ハロゲン原子の含有量を上記した範囲に設定す
ることにより、光導電特性、画像特性、および耐久特性
が著しく向上することが実験により確認された。

【００８２】さらに加えて、本発明においては、光導電
層中に含有されるハロゲン原子を層厚方向に不均一で、
かつ基板側で多くなるように分布させることによって、
炭素原子の含有量が層厚方向に変化するのに伴い発生す
る内部応力を緩和する働きがあるため好ましい。さら
に、本発明の必須条件である酸素原子の含有によってハ
ロゲン原子との相乗効果により光導電層中の内部応力を
より効果的に緩和し光導電層中でのキャリアの走行性が
改善されるため、ゴースト、電位シフトといった特性も
大幅に改善される。本発明の光導電層中の酸素原子の含
有量は特に炭素原子、ハロゲン原子と微妙な相乗効果が
あり、好ましくは１０〜５０００原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。酸素原子の含有量が１０原子ｐｐｍより少
ない場合、膜の密着性の向上、および異常成長の発生の
抑制を充分に達成することができず、その結果画像欠陥
が増える。また酸素原子の含有量が５０００原子ｐｐｍ
を越えると電子写真の高速化に充分に対応するための電
気的特性が充分ではなくなる。さらに本発明において
は、少なくともｎｃ−ＳｉＣ光導電層中に含有される酸
素原子を層厚方向に不均一に分布させることにより、堆
積膜の内部応力をさらに効果的に緩和でき、膜の構造欠
陥を大幅に抑制できる。このため、特に長期間使用し続
けることによる光導電層の劣化を抑制するため長期間耐
久後の感度、残留電位、電位シフト等の電子写真特性の
劣化を大幅に減少することができる。本発明において、
光導電層は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得
られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定さ
れて作製されるものであるが、具体的には、グロー放電
法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波
ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶ
Ｄ法等）がよい。グロー放電法によってｎｃ−ＳｉＣ：
Ｈ光導電層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原
子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスとを、内部が減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設置されてある所定の導電性基体表面上にｎｃ−
ＳｉＣ：Ｈからなる層を形成すればよい。

【００８３】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃
Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいもの
として挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。本発明において、炭素原子
導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧で
ガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用されるのが望ましい。炭素原子
（Ｃ）導入用の原料ガスになり得るものとして有効に使
用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。具体的には、飽和炭化水素としては、メ
タン（ＣＨ₄ ），エタン（Ｃ₂ Ｈ₆ ），プロパン（Ｃ₃
Ｈ₈ ），ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄ Ｈ₁₀），ペンタン（Ｃ₅
Ｈ₁₂），エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ₂
Ｈ₄ ），プロピレン（Ｃ₃ Ｈ₆），ブテン−１（Ｃ₄ Ｈ₈
），ブテン−２（Ｃ₄ Ｈ₈ ），イソブチレン（Ｃ₄ Ｈ ₈
），ペンテン（Ｃ₅ Ｈ₁₀），アセチレン系炭化水素と
しては、アセチレン（Ｃ ₂ Ｈ₂ ），メチルアセチレン
（Ｃ₃ Ｈ₄ ），ブチン（Ｃ₄ Ｈ₆ ）等が挙げられる。

【００８４】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₄ ，Ｓｉ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ 等
のケイ化アルキルを挙げることができる。水素原子を光
導電層中に構造的に導入するには、上記の他にＨ₂ 、あ
るいはＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀
等の水素化珪素とＳｉを供給するためのシリコンまたは
シリコン化合物とを反応容器中に共存させて放電を生起
させることでも行なうことができる。本発明において使
用されるハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素等があるが好ましくはフッ素が望ましい。本発明に
好適に使用し得るフッ素原子供給用ガスとしては具体的
にはＨＦ，Ｆ₂ ，ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃ ，ＢｒＦ
₃ ，ＢｒＦ₅ ，ＩＦ₃ ，ＩＦ₇ 等のハロゲン化合物をあ
げることができる。また、フッ素原子を含む珪素化合
物、いわゆるフッ素原子で置換されたシラン誘導体とし
ては、具体的には、ＳｉＦ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化珪
素が好ましいものとして挙げることができ、さらにＳｉ
Ｈ₃ Ｆ，ＳｉＨ₂ Ｆ₂ ，ＳｉＨＦ₄ 等のフッ素置換水素
化珪素も有効な原料ガスとして挙げることができる。光
導電層中に含有される水素原子の量を制御するには、上
記のような原料ガスの選択の他に、例えば導電性基体の
温度、水素原子を含有させるために使用される原料物質
の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよ
い。さらに本発明においては、光導電層には必要に応じ
て伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させることが好ま
しい。伝導性を制御する原子は、光導電層中に万偏なく
均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層
厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があっ
てもよい。

【００８５】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子
（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原
子」と略記する）を用いることができる。第III 族原子
としては、具体的には、硼素（Ｂ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ），タリウ
ム（Ｔｌ）等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適であ
る。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ），砒素
（Ａｓ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）等が
あり、特にＰ，Ａｓが好適である。光導電層に含有され
る伝導性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ま
しくは１×１０^-3〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好まし
くは１×１０^-2〜１×１０ ⁴ 原子ｐｐｍ、最適には１×
１０^-1〜５×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
特に、光導電層において炭素原子（Ｃ）の含有量が１×
１０³ 原子ｐｐｍ以下の場合は、光導電層に含有される
原子（Ｍ）の含有量としては好ましくは１×１０^-3〜１
×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましく、炭素原子
（Ｃ）の含有量が１×１０³ 原子ｐｐｍを越える場合
は、原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０
^-1〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。光導
電層中に、伝導性を制御する原子、例えば、第III 族原
子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に、第III 族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族
原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導
電層を形成するための他のガスとともに導入してやれば
よい。第III 族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族原
子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧
でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガ
ス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような
第III 族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素
原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ ，Ｂ₄ Ｈ₁₀，Ｂ₅ Ｈ₉ ，
Ｂ₅ Ｈ₁₁，Ｂ₆ Ｈ₁₀，Ｂ₆ Ｈ₁₂，Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼
素、ＢＦ₃ ，ＢＣｌ₃ ，ＢＢｒ₃ 等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ ，ＧａＣｌ₃ ，Ｇａ
（ＣＨ₃ ）₃ ，ＩｎＣｌ₃ ，ＴｌＣｌ₃ 等も挙げること
ができる。

【００８６】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃ ，Ｐ₂ Ｈ₄ ，等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ，ＰＦ
₃ ，ＰＦ₅ ，ＰＣｌ₃ ，ＰＣｌ₅ ，ＰＢｒ₃ ，ＰＢｒ
₅ ，ＰＩ₃ 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ₃ ，ＡｓＦ₃ ，ＡｓＣｌ₃ ，ＡｓＢｒ₃ ，Ａｓ
Ｆ₅，ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ ，ＳｂＦ₅ ，ＳｂＣｌ₃ ，Ｓ
ｂＣｌ₅ ，ＢｉＨ₃ ，ＢｉＣｌ₃ ，ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。また、これらの伝導性を制御する原子導入用
の原料物質を必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等の
ガスにより希釈して使用してもよい。さらに本発明の光
受容部材の光導電層には、周期律表第Ｉａ族，IIａ族，
VIａ族，VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素を含
有してもよい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均
一に分布されてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏
無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布
する状態で含有している部分があってもよい。しかしな
がら、いずれの場合においても導電性基体の表面と平行
な面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有され
ていることが、面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。第Ｉａ族原子としては、具体的に
は、リチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム
（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベ
リリウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム
（Ｃａ），ストロンチウム（Ｓｒ），バリウム（Ｂａ）
等を挙げることができる。

【００８７】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子としては、
鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ）等を
挙げることができる。本発明において、光導電層の層厚
は所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、光導電層につ
いては、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０
〜４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望ま
しい。本発明の目的を達成し得る特性を有するｎｃ−Ｓ
ｉＣ（Ｈ）から成る光導電層を形成するには、導電性基
体の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適
宜設定する必要がある。本発明では、光導電層と表面層
の間に、珪素原子を母体とし、水素原子または、および
ハロゲン原子からなり、実質的に炭素原子が０原子％で
ある第２の光導電層を設けた場合、特に本発明は有効で
ある。かかる第２の光導電層は長波長の光の吸収を高め
感度を向上させるために、また、帯電極性と逆極性のキ
ャリアの走行性が上記の光導電層よりよいことからゴー
ストを軽減する目的のために設けられる。本発明におい
て、第２の光導電層は真空堆積膜形成方法によって、所
望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条
件が設定されて作製される。具体的には、グロー放電法
（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波Ｃ
ＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ
法等）によって形成することができる。グロー放電法に
よってｎｃ−Ｓｉ：Ｈ光導電層を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス
状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起さ
せ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の導電
性基体表面上にｎｃ−Ｓｉ：Ｈからなる層を形成すれば
よい。本発明において、第２の光導電層の層厚は所望の
電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から
適宜所望にしたがって決定され、光導電層については、
好ましくは０．５〜１５μｍ、より好ましくは１〜１０
μｍ、最適には１〜５μｍとされるのが望ましい。

【００８８】本発明で用いられる導電性基体の膜堆積時
の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、好ましくは２０〜５００
℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適には１００〜
４５０℃とするのが望ましい。本発明の光受容部材にお
いては、光導電層と表面層との間に、組成を連続的に変
化させた層領域を設けてもよい。該層領域を設けること
により各層間での密着性をより向上させることができ
る。さらに本発明の光受容部材においては、光導電層の
前記導電性基体側に、少なくともアルミニウム原子、シ
リコン原子、炭素原子および水素原子が層厚方向に不均
一な分布状態で含有する層領域を有することが望まし
い。本発明における表面層は、構成要素としてシリコン
原子と炭素原子、水素原子およびハロゲン原子とを含有
する非単結晶材料で構成される。表面層には光導電層中
に含有されるような伝導性を制御する物質は実質的に含
有されない。該表面層に含有される炭素原子は該層中に
万偏なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向
には万偏なく含有されてはいるが、不均一に分布する状
態で含有している部分があってもよい。しかしながら、
いずれの場合にも導電性基体の表面と平行面内方向にお
いては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方
向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
本発明における表面層の全層領域に含有される炭素原子
は、高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。表面層中
に含有される炭素原子の含有量は、好適には４０〜９０
原子％、より好適には４５−８５原子％、最適には５０
〜８０原子％とされるのが望ましい。

【００８９】また、本発明における表面層に含有される
水素原子およびハロゲン原子はｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）
内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏
し、光導電層と表面層の界面にトラップされるキャリア
ーを減少させるため、画像流れを改善する。さらにハロ
ゲン原子は表面層の撥水性を向上させるので、水蒸気の
吸着による高湿流れをも減少させる。表面層中のハロゲ
ン原子の含有量は２０原子％以下であり、さらに水素原
子とハロゲン原子の含有量の和は好適には３０〜７０原
子％、より好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜
６０原子％とするのが望ましい。さらに本発明において
表面層に、周期律表第Ｉａ族，IIａ族，VIａ族，VIII族
から選ばれる少なくとも１種の元素を含有してもよい。
前記元素は前記光導電層中に万偏無く均一に分布されて
もよいし、あるいは該光導電層中に万偏無く含有されて
はいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有
している部分があってもよい。しかしながら、いずれの
場合においても導電性基体の表面と平行な面内方向にお
いては、均一な分布で万偏無く含有されていることが、
面内方向における特性の均一化を図る点からも必要であ
る。第Ｉａ族原子としては、具体的には、リチウム（Ｌ
ｉ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ）を挙げるこ
とができ、第IIａ族原子としては、ベリリウム（Ｂ
ｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ス
トロンチウム（Ｓｒ），バリウム（Ｂａ）等を挙げるこ
とができる。また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子としては、
鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ）等を
挙げることができる。

【００９０】本発明において、表面層の層厚は所望の電
子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から
好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは０．０
５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとされるのが
望ましい。本発明においてｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構
成される表面層を形成するには、前述の光導電層を形成
する方法と同様の真空堆積法が採用される。本発明の目
的を達成し得る特性を有する表面層を形成する場合に
は、導電性基体の温度、ガス圧が前記表面層の特性を左
右する重要な要因である。導電性基体温度は適宜最適範
囲が選択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好
ましくは５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃と
するのが望ましい。反応容器内のガス圧も適宜最適範囲
が選択されるが、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒ
ｒ、より好ましくは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には
１×１０^-4〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。本発明に
おいては、表面層を形成するための導電性基体温度、ガ
ス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられ
るが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する表面層
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各層作
製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。本発明に
おいて、プラズマを発生させるエネルギーは、ＤＣ、高
周波、マイクロ波等いずれでも可能であるが、特に、プ
ラズマの発生のエネルギーにマイクロ波を用いた場合、
吸着した水分にマイクロ波が吸収され界面の変化がより
顕著なものとなるため、本発明の効果がより顕著なもの
となる。

【００９１】本発明において、プラズマ発生のためにマ
イクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を発生
させることができればいずれでも良いが、１００Ｗ以
上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以
下が本発明を実施するに当たり適当である。本発明は、
いずれの電子写真感光体製造方法にも適用が可能である
が、特に、放電空間を囲むように基体を設け、少なくと
も基体の一端側から導波管によりマイクロ波を導入する
構成により堆積膜を形成する場合大きな効果がある。以
下、本発明の効果を、実施例を用いて具体的に説明する
が、本発明はこれらにより何ら限定されるものではな
い。 〈実施例１５，実施例１６および比較例５〉 実施例１５ 純度９９．５％のアルミニウムよりなる直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述
の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例
と同様の手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分
後に図１に示す表面処理装置により、表２７に示す条件
により基体表面の前処理を行なった。但し、本実施例で
は界面活性剤としてはポリエチレングリコールノニルフ
ェニルエーテルを１ｗｔ％水溶液として用いた。このよ
うに前処理を行なったアルミシリンダー上に、さきに詳
述した手順にしたがって、図４に示す電子写真感光体の
製造装置を用い、高周波グロー放電法により表２８に示
す作製条件で図５（ａ）に示す層構成の電子写真感光体
を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含有量の
変化パターンを図２０のように変化させるために、光導
電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量をリニアに変化さ
せた。この時の光導電層の基体との界面での炭素含有量
は、約３０原子％となるようにした。なお、炭素含有量
の測定には、ラザフォード後方散乱法による元素分析に
より標準サンプルの検量線を作製し、標準サンプルと作
製したサンプルをオージェ分光法によるシグナル強度の
比から絶対量を求めた。

【００９２】作製した電子写真感光体をまず目視により
表面層を評価し、その後キャノン製複写機ＮＰ６６５０
を実験用に改造した電子写真装置に設置し、電子写真特
性について以下の項目の評価を行なった。 表面の曇り 作製した電子写真感光体を、目視により表面の曇りの程
度の検査を行なった。 ◎は曇り無し ○は一部曇りあり △は部分的に、数カ所曇りがあり ×は全面に曇りがある。 帯電能・感度・残留電位・電位シフト 帯電能…電子写真感光体を実験装置に設置し、帯電器に
＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行ない、表面電
位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。 感度…電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯電さ
せる。そして直ちに光像を照射する。光像はキセノンラ
ンプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の
波長域の光を除いた光を照射する。この時表面電位計に
より電子写真感光体の明部表面電位を測定する。明部表
面電位が所定の電位になるよう露光量を調整し、この時
の露光量をもって感度とする。 残留電位…電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯
電させる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射
する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを
用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射し
た。この時、表面電位計により電子写真感光体の明部表
面電位を測定する。

【００９３】電位シフト…電子写真感光体を実験装置に
設置して帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯
電をおこない、表面電位計により電子写真感光体の暗部
表面電位を測定する。この時帯電器に電圧を印加した直
後の暗部表面電位をＶ_d0とし、２分経過後の暗部表面電
位をＶ_d とする。そして、Ｖ_d0とＶ_d との差をもって電
位シフト量とする。 白ポチ・ハーフトーンむら・ゴースト…電子写真感光
体を、キャノン社製複写機ＮＰ６６５０を実験用に改造
した複写機にいれ通常の電子写真プロセスにより転写し
紙面上に画像を形成し、下記の手順により画像の評価を
行なった。 白ポチ…キャノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９
−９０７３）を原稿台に置きコピーしたときに得られた
コピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白
ポチについて、その数を数えた。 ハーフトーンむら…キャノン製中間調チャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピーしたとき
に得られたコピー画像上で直径０．０５ｍｍの円形の領
域を１単位として１００点の画像濃度を測定し、その画
像濃度のばらつきを評価した。 ゴースト…キャノン製ゴーストテストチャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、¢５ｍｍの
黒丸をはりつけたものを原稿台の画像先端部に置き、そ
の上にキャノン製中間調チャートを重ねておいた際のコ
ピー画像において中間調コピー上に認められるゴースト
チャートの¢５ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度
との差を測定した。

【００９４】それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 これらの結果を表２９に示す。 実施例１６ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１５と同様の
前処理を行なった基体上に、図４に示す電子写真感光体
の製造装置を用い、高周波グロー放電法により、表３０
に示す作製条件で図５（ｂ）に示す層構成の電子写真感
光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含有
量の変化パターンを図２０に示すように変化させるため
に、光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量をリニア
に変化させ、電子写真感光体を作製した。光導電層の基
体側表面での炭素含有量は、約３０原子％となるように
初期のＣＨ₄ の流量を調整した。なお、炭素含有量の測
定にはラザフォード後方散乱法による元素分析により標
準サンプルの検量線を作製し、標準サンプルと作製した
サンプルをオージェ分光法によるシグナル強度から絶対
量を求めた。作製した電子写真感光体を実施例１５と同
様の評価を行なった。その結果を表２９に実施例１５の
結果と合わせて示す。 比較例５ 実施例１５と同様の導電性基体を同様の手順で切削を行
い、切削が終了した導電性基体は、図３に示す従来の導
電性基体の洗浄装置により表３１の条件で基体表面の処
理を行った。図３に示す導電性基体の洗浄装置は、処理
槽３０２と基体搬送機構３０３よりなっている。処理槽
３０２は、基体投入台３１１、基体洗浄槽３２１、基体
搬出台３５１よりなっている。洗浄槽３２１は液の温度
を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いて
いる。搬送機構３０３は、搬送レール３６５と搬送アー
ム３６１よりなり、搬送アーム３６１は、レール３６５
上を移動する移動機構３６２、基体３０１を保持するチ
ャッキング機構３６３、及びこのチャッキング機構３６
３を上下させるためのエアーシリンダー３６４よりなっ
ている。

【００９５】切削後、投入台上３１１に置かれた基体３
０１は、搬送機構３０３により洗浄槽３２１に搬送され
る。洗浄槽３２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ 旭化成工業社製）３２２により表面に付着し
ている切削油及び切り粉を除去するための洗浄が行なわ
れる。洗浄後、基体３０１は、搬送機構３０３により搬
出台３５１に運ばれる。このようにして従来の基体の前
処理を行った基体に実施例１５と同様にして、表３２に
示す条件で基体、電荷輸送層、電荷発生層、表面層の３
層構成の、いわゆる機能分離型電子写真感光体を作製し
た。得られた電子写真感光体の評価は実施例１５と同様
に行ない、実施例１５，実施例１６の結果と合せて表２
９に示す。表２９より明らかなように本発明の方法によ
れば、感度が向上し、なおかつ残留電位が低く抑えられ
ている。さらに特に感光体の表面の曇り、電位シフト、
ハーフトーンむら、ゴーストに関してすぐれた特性を示
していることがわかる。また実施例１５，実施例１６よ
り、第２の光導電層を設けることにより他の特性を損な
うこともなく感度がよくなっていることがわかる。 〈実施例１７，実施例１８および比較例６〉 実施例１７ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１５と同様の
基体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、表３３に示す条件で電子写真
感光体を作製した。作製した電子写真感光体は実施例１
と同様の評価を行なった。その結果、実施例１５とまっ
たく同様の結果が得られた。 実施例１８ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１５と同様の
基体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、表３４に示す条件で電子写真
感光体を作製した。作製した電子写真感光体は実施例１
５と同様の評価を行なった。その結果、実施例１６とま
ったく同様の結果が得られた。 比較例６ 図３に示す基体表面処理装置により比較例５と同様の基
体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）
に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グ
ロー放電法により、表３５に示す条件で基体、電荷輸送
層、電荷発生層、表面層の３層構成の、いわゆる機能分
離型電子写真感光体を作製した。得られた電子写真感光
体の評価は実施例１６と同様に行なった。その結果、比
較例５とまったく同様の結果が得られた。 〈実施例１９および比較例７〉 実施例１９ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１５と同様の
前処理を行った基体上に、図４に示す電子写真感光体の
製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって、高
周波グロー放電法により表３６に示す作製条件で電子写
真感光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素
含有量の変化パターンを図２１，図２２に示すように変
化させるために、光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の
流量を変化させ、２種類の感光体を作製した。いずれの
パターンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含有
量は、約３０原子％となるようにした。なお、炭素原子
の含有量は実施例１５と同様の方法で行なった。

【００９６】作製した電子写真感光体の表面の曇り、及
びキャノン製複写機ＮＰ６６５０を実験用に改造した電
子写真装置に設置し、帯電能、感度、残留電位等につい
て実施例１５と同様の方法で評価した。その結果を表３
７に示す。 比較例７ 比較例５と同様に前処理を行った基体上に、実施例１９
と同様にして、図２３、図２４に示す炭素含有量パター
ンで電子写真感光体を作製し、実施例１９と同様の評価
を行なった。そして、その結果を表３７に、実施例１９
の評価結果とあわせて示す。本発明によるところの光導
電層の炭素量変化パターンでは比較例７の結果に比べて
特に表面の曇り、感度、残留電位ハーフトーンむらにつ
いて良好な結果が得られていることがわかる。 〈実施例２０および比較例８〉 実施例２０ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例１と同様の
前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー
放電法を用いる以外は実施例１９と同様にして、表３８
に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例
では、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図２
１，２２のように変化させるために、光導電層の形成時
に導入するＣＨ₄ の流量を変化させた。いずれのパター
ンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含有量は、
約３０原子％となるようにした。作製した電子写真感光
体は実施例１９とまったく同様の結果が得られた。 比較例８ 図３に示す基体表面処理装置により、比較例５と同様に
前処理を行なった基体上に、実施例２０と同様にして、
図２３，２４に示す炭素含有量パターンで電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体を実施例２０と
同様の評価を行なったところ、比較例７とまったく同様
の結果が得られた。 実施例２１ 図１に示す基体表面処理装置により実施例１５と同様の
前処理を行なった基体上に、図４に示す電子写真感光体
の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって、
高周波グロー放電法により表３０に示す作製条件で電子
写真感光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭
素含有量の変化パターンを図２０を用い、基体側表面の
炭素含有量を光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量
を変えることにより変化させ、そして光導電層の基体側
表面での炭素含有量は、ラザフォード後方散乱法による
元素分析で同定した。

【００９７】作製した電子写真感光体の表面の曇り及び
球状突起の発生数、更にキャノン製複写機ＮＰ６６５０
を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能、感
度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等
の電子写真特性および画像性の評価を行なった。各項目
は、以下の方法で評価した。 表面の曇り 実施例１５と同様にして評価した。 球状突起の数 作製した電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察
し、１００ｃｍ² の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。各電子写真感光体について結果を
出し、最も球状突起の数の多かったものを１００％とし
て相対比較をした。その結果を以下のように分類した。 ◎は６０％未満 ○は８０〜６０％ △は１００〜８０％ 帯電能・感度・残留電位・電位シフト 実施例１と同様にして評価した。 白ポチ・ハーフトーンむら・ゴースト 実施例１と同様にして評価した。このようにして得られ
た結果をまとめて表３９に示す。この結果から、光導電
層の基体側表面の炭素量としては、０．５〜５０原料％
で特性の向上が見られ、さらに１〜３０原子％できわめ
て良好な結果が得られている。 〈実施例２２〉図１に示す基体表面処理装置により実施
例１５と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、さきに詳述した手順にしたがって、マイクロ波グロ
ー放電法により、表３４に示す作製条件で電子写真感光
体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含有量
の変化パターンを図２０を用い、基体側表面の炭素含有
量を光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量を各感光
体ごとに変えることにより変化させた。そして、実施例
２１と同様にして評価した結果、表２６とまったく同じ
結果が得られた。 〈実施例２３および実施例２４〉 実施例２３ 実施例１５と同様の前処理を行った基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電
法により表４０に示す作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実施例では、光導電層中の酸素含有量は、一定
になるようにし、フッ素原子の含有量を図２５に示す分
布で、その含有量が変わるように原料ガスであるＳｉＦ
₄ の仕込量を変えた。そしてできた電子写真感光体の光
導電層中のフッ素原子の含有量はＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣ
Ａ ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析により行なった。酸
素原子含有量は同様の測定を行なったところ約５０ｐｐ
ｍで一定であった。 （Ｉ）作製した電子写真感光体をキャノン製複写機ＮＰ
６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、ま
ず実施例１５と同様の方法で電位シフトを測定し、そし
て画像による評価として加速耐久試験を行なう前の白ポ
チ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子写真特性につ
いて実施例１５と同様の方法で評価を行なった。この結
果を表４１にまとめて示す。 （II）次に、作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
し３００万枚相当の加速耐久試験を行なった。そして、
白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子写真特性
の評価を（Ｉ）と同様に行なった。その結果を表４２に
まとめて示す。

【００９８】表４１および表４２の結果から、光導電層
中のフッ素原子の含有量が９５原子ｐｐｍ以下の範囲に
設定することで画像特性および耐久性に関しても非常に
すぐれた電子写真感光体を作製することが可能であるこ
とが示された。 〈実施例２４〉実施例１５と同様の前処理を行った基体
上に、図４に示す電子写真感光体の製造装置を用い、高
周波グロー放電法により表４３に示す作製条件で電子写
真感光体を作製した。本実施例では、光導電層中のフッ
素原子の含有量は、一定になるようにし、酸素原子の含
有量が変わるように原料ガスであるＣＯ₂ の仕込量を変
えた。そしてできた電子写真感光体の光導電層中の酸素
原子の含有量はＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ−３
Ｆ）による元素分析で行なった。フッ素原子の含有量は
同様の測定を行なったところどの電子写真感光体におい
ても約２０ｐｐｍで一定であった。 （Ｉ）作製した電子写真感光体をキャノン製複写機ＮＰ
６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、ま
ず実施例１５と同様の方法で電位シフトを測定し、そし
て画像による評価として加速耐久試験を行なう前の白ポ
チ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子写真特性につ
いて実施例１５と同様の方法で評価を行なった。この結
果を表４４にまとめて示す。 （II）次に、作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
し３００万枚相当の加速耐久試験を行なった。そして、
白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子写真特性
の評価を（Ｉ）と同様に行なった。その結果を表４５に
まとめて示す。

【００９９】表４４および表４５の結果から、光導電層
中の酸素原子の含有量が５０００原子ｐｐｍ以下の範囲
に設定することで電位シフト、画像特性および耐久性に
関しても非常にすぐれた電子写真感光体を作製すること
が可能であることが示された。さらに実施例２３および
実施例２４の結果より、光導電層中のフッ素原子と酸素
原子は特定の含有量の範囲に入ることで他の特性を損な
うこと無く電位シフトが大幅に改善されることも明らか
になった。 〈実施例２５および実施例２６〉 実施例２５ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例１５と同様
の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に
示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロ
ー放電法により、表４６に示す作製条件で電子写真感光
体を作製した。そして作製した電子写真感光体を実施例
２３と同じ手順で評価をした。その結果は表４１および
表４２と全く同様であった。 実施例２６ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例１と同様の
前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー
放電法により、表４７に示す作製条件でＣＯ₂ の流量の
み、いろいろ変え、電子写真感光体を作製した。そして
作製した電子写真感光体を実施例２４と同じ手順で評価
をした。また電子写真感光体の光導電層中の酸素原子の
含有量をＳＩＭＳ測定によりおこなった。その結果は表
４４および表４５と全く同様であった。

【０１００】実施例２５および実施例２６よりマイクロ
波放電ＣＶＤ法でも高周波放電ＣＶＤ法と同様の結果が
得られることがわかった。 〈実施例２７〉図１５に示す基体表面処理装置により、
実施例１５と同様の前処理を行なった基体上に、図４に
示す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放
電法により表４８の作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実験では、表面層に含有される炭素量を変化させ
るように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ の流量を変化
させた。作製した電子写真感光体をキャノン製複写機Ｎ
Ｐ６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、
帯電能、残留電位、耐久前の画像評価、３００万枚相当
の加速耐久試験後の画像評価を以下に示す方法で行なっ
た。 帯電能…実施例１５と同様に行なった。 残留電位…実施例１５と同様に行なった。 耐久後の画像評価…白ポチ、擦傷それぞれについて５段
階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段階に
分類した。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を表４９に示す。表より明らかなように、炭
素含有量が４０〜９０原子％で帯電能、耐久性に著しい
改善が見られる。 〈実施例２８〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例１５と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例２７同様に、
表５０に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本
実験では表面層に含有される炭素量を変化させるよう
に、表面層形成時に導入するＣ₂ Ｈ₄ 流量を変化させ
た。

【０１０１】作製した電子写真感光体は実施例２７と同
じ手順で評価した。その結果、表４９と全く同様の結果
が得られた。 〈実施例２９〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例１５と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電
法により表５１の作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実験では、表面層に含有される水素原子量および
フッ素原子量を変化させるように、表面層形成時に導入
するＨ₂ および／またはＳｉＦ₄ の流量を変化させた。
作製した電子写真感光体をキャノン製複写機ＮＰ６６５
０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、残留電位
・感度・画像流れの３項目について評価を行った。 残留電位…実施例１５と同様に行なった。 感度…実施例１５と同様に行なった。 画像流れ…白地に全面文字よりなるキャノン製テストチ
ャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を原稿台に置き
通常の露光量の２倍の露光量で照射しコピーをとる。得
られたコピー画像を観察し、画像上の細線が途切れずに
つながっているか評価した。但しこの時画像上でむらが
ある時は、全画像領域で評価し一番悪い部分の結果を示
した。 ◎…良好 ○…一部途切れあり △…途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題な
い 得られた結果を表５２に示す。表５２より明らかなよう
に、表面層中の、水素含有量とフッ素含有量の和を３０
〜７０原子％とし、かつフッ素の含有量を２０原子％以
下の範囲とすることによって、残留電位、感度のいずれ
も良好な結果が得られ、さらに強露光での画像流れが大
幅に抑制できることがわかった。 〈実施例３０〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例１５と同様に前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例２４と同様
に、表５３に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。なお、Ｈｅ流量は、Ｈ₂ 流量とあわせて２０００ｓ
ｃｃｍと、一定になるように変化させ、内圧を一定に保
った。作製した電子写真感光体は実施例２９と同じ手順
で評価した。その結果、表５４と全く同様の結果が得ら
れた。 〈実施例３１〉図１に示す基体表面処理装置により、表
５４に示す条件により、実施例１５と同様の前処理を行
なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子写真
感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法によ
り表５４に示す条件で電子写真感光体を作製した。本実
施例では光導電層中のフッ素の含有量を図２５〜２８に
示す分布形になるようにＳｉＦ₄ ／ＳｉＨ₄ の値が１０
〜５０ｐｐｍの範囲内で流量をなめらかに変化させ、４
種類の電子写真感光体を作製した。また、フッ素を含有
しないこと以外は同条件で電子写真感光体も作製した。
また、酸素原子の含有量は５つの電子感光体とも約４５
０原子ｐｐｍで一定であった。以上の５種類の電子写真
感光体について以下の評価を行なった。

【０１０２】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、電
位シフト、白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト…実施
例１と同様の評価 温度特性…作製した電子写真感光体をキャノン社製複写
機ＮＰ６６５０を実験用に改造した複写機にいれ、電子
写真感光体の表面温度を３０〜４５℃まで変化し、帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行ない、
表面電位計により暗部の表面電位を測定する。感光体の
表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で近似
し、その傾きを「温度特性」とし、［Ｖ／ｄｅｇ］の単
位であらわす。 ◎非常に優れている。 ○優れている。 △実用上問題ない。 ×実用的ではない。 以上の結果を表５６に示す。表より、光導電層中にフッ
素を含有し、しかも膜厚方向に分布させた場合におい
て、ゴースト、温度特性まで含め、すべての電子写真特
性が改善されていることがわかる。 〈実施例３２〉図１に示す基体表面処理装置により、表
５４に示す条件により、実施例１５と同様の前処理を行
なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子写真
感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法によ
り表５７に示す条件で電子写真感光体を作製した。本実
施例では光導電層中のフッ素の含有量を図２６に示す分
布形になるようにＳｉＦ₄ ／ＳｉＨ₄ の値が１０〜５０
ｐｐｍの範囲内で流量をリニアに変化させた。そして光
導電層中の酸素原子の含有では図２９，３１で示す分布
になるようにＣＯ₂ ／ＳｉＨ₄ の値を変化させていっ
た。以上の３種類の電子写真感光体を実施例３１と同様
の評価をおこなった。

【０１０３】以上の結果を表５８に示す。表より、光導
電層中にフッ素、酸素を含有し、しかも膜厚方向に分布
させた場合において、電位シフト、感度、ゴースト、温
度特性まで含め、すべての電子写真特性が改善されてい
ることがわかる。 〈実施例３３および比較例９〉 実施例３３ 図３２に電子写真感光体の連続製造システムを示す。図
において、加熱容器１９０１、反応容器１９０２、冷却
容器１９０３、真空搬送容器１９０４から成り、真空搬
送容器はレール１９２１により移動する。そして、上下
への移動によってゲートバルブを介して基体を移動する
ことができる。またそれぞれの容器、ゲートバルブには
バルブをはさみ、ロータリーポンプ等の真空装置につな
がっている。この電子写真感光体の製造システムによ
り、まず反応容器内を大気にさらし十分に清掃を行なっ
た後に表３３に示す作製条件で連続して電子写真感光体
の作製を行なった。できた電子写真感光体をキャノン製
複写機ＮＰ６６５０を実験用に改造した複写装置に設置
して以下の評価を行なった。 Ｖ_D ：＋７ｋＶ、１０００μＡの条件でコロナ帯電し、
電子写真感光体の表面を正帯電し、現像器位置での表面
電位を測定し、その値をＶ_Dとする。 Ｖ_L ：＋７ｋＶ、１０００μＡの条件でコロナ帯電し、
電子写真感光体の表面を正帯電し、光量０．７ｌｕｘ．
ｓｅｃのハロゲンランプを照射する。その後、現像器位
置での表面電位を測定しその値をＶ_L とする。

【０１０４】以上の測定を連続的に１０回作製した電子
写真感光体について評価を行ない、その結果を図３３に
示す。 比較例９ 実施例３３と同様の電子写真感光体の製造システムによ
り、まず反応容器内を大気にさらし十分に清掃を行なっ
た後に表５９に示す作製条件で連続して電子写真感光体
の作製を行なった。できた電子写真感光体をキャノン製
複写機ＮＰ６６５０を実験用に改造した複写装置に設置
して実施例３３と同様の評価を行ない、図３４に示す。
図３３、図３４より、反応容器を大気にさらして、十分
に清掃を行なった直後においても本発明による製造方法
では、安定した特性が得られていることがわかる。さら
に本発明の方法で得られた電子写真感光体のほうが電位
シフト等の特性もすぐれていた。

【０１０５】

【表２７】

【０１０６】

【表２８】

【０１０７】

【表２９】

【０１０８】

【表３０】

【０１０９】

【表３１】

【０１１０】

【表３２】

【０１１１】

【表３３】

【０１１２】

【表３４】

【０１１３】

【表３５】

【０１１４】

【表３６】

【０１１５】

【表３７】

【０１１６】

【表３８】

【０１１７】

【表３９】

【０１１８】

【表４０】

【０１１９】

【表４１】

【０１２０】

【表４２】

【０１２１】

【表４３】

【０１２２】

【表４４】

【０１２３】

【表４５】

【０１２４】

【表４６】

【０１２５】

【表４７】

【０１２６】

【表４８】

【０１２７】

【表４９】

【０１２８】

【表５０】

【０１２９】

【表５１】

【０１３０】

【表５２】

【０１３１】

【表５３】

【０１３２】

【表５４】

【０１３３】

【表５５】

【０１３４】

【表５６】

【０１３５】

【表５７】

【０１３６】

【表５８】

【０１３７】

【表５９】 （第３の発明）以下、アルミニウム合金製シリンダーを
導電性基体として、本発明の電子写真感光体の製造方法
により図５（ａ）にその構成を示す電子写真感光体を実
際に形成する手順の一例を、図１に示す導電性基体の前
処理装置、および図２（ａ）、２（ｂ）に示すマイクロ
波ＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用いて説明する。精
密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥ
ＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤモンドバイト
（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、
シリンダー中心角に対して５°の角のすくい角を得るよ
うにセットする。次に、この旋盤の回転フランジに、基
体を真空チャックし、付設したノズルから白燈油噴霧、
同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつ
つ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／
Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施
す。切削が終了した基体は、基体前処理装置により基体
表面の処理を行う。図１に示す基体前処理装置は、処理
部１０２と基体搬送機構１０３よりなっている。処理部
１０２は、基体投入台１１１、基体洗浄槽１２１、純水
接触槽１３１、乾燥槽１４１、基体搬出台１５１よりな
っている。洗浄槽１２１、純水接触槽１３１とも液の温
度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付い
ている。搬送機構１０３は、搬送レール１６５と搬送ア
ーム１６１よりなり、搬送アーム１６１は、レール１６
５上を移動する移動機構１６２、導電性基体１０１を保
持するチャッキング機構１６３およびチャッキング機構
１６３を上下させるためのエアーシリンダー１６４より
なっている。切削後、投入台１１１上に置かれた導電性
基体１０１は、搬送機構１０３により洗浄槽１２１に搬
送される。洗浄槽１２１中の界面活性剤水溶液１２２中
で超音波処理されることにより表面に付着している切削
油および切り粉の洗浄が行なわれる。次に導電性基体１
０１は、搬送機構１０３により純水接触槽１３１へ運ば
れ、２５℃の温度に保たれた抵抗率１７．５ＭΩ−ｃｍ
の純水をノズル１３２から５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² の圧力
で吹き付けられる。純水接触工程の終わった導電性基体
１０１は搬送機構１０３により乾燥槽１４１へ移動さ
れ、ノズル１４２から高温の高圧空気を吹き付けられ乾
燥される。乾燥工程の終了した導電性基体１０１は、搬
送機構１０３により搬出台１５１に運ばれる。

【０１３８】次にこれらの切削加工および前処理の終了
した導電性基体表面に図２（ａ）および図２（ｂ）に示
すマイクロ波プラズマＣＶＤ法による光導電部材堆積膜
の形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした
堆積膜を形成する。図２（ａ）、および図２（ｂ）にお
いて、２０１は反応容器であり、真空気密化構造を成し
ている。また、２０２は、マイクロ波電力を反応容器２
０１内に効率よく透過し、かつ真空気密を保持し得るよ
うな材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス
等）で形成されたマイクロ波導入誘電体窓である。２０
３はマイクロ波電力の伝送を行う導波管であり、マイク
ロ波電源から反応容器近傍までの矩形の部分と、反応容
器に挿入された円筒形の部分からなっている。導波管２
０３はスタブチューナー（図示せず）、アイソレーター
（図示せず）とともにマイクロ波電源（図示せず）に接
続されている。誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を
保持するために導波管２０３の円筒形の部分内壁に気密
封止されている。２０４は、一端が反応容器２０１に開
口し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気
管である。２０６は導電性基体２０５により囲まれた放
電空間を示す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流
電圧を印加するための直流電源（バイアス電源）であ
り、電極２１２に電気的に接続されている。こうした堆
積膜形成装置を使用した電子写真感光体の製造は以下の
ようにして行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排
気管２０４を介して、反応容器２０１を排気し、反応容
器２０１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整す
る。ついでヒーター２０７により、基体２０５の温度を
所定の温度に加熱保持する。そこで原料ガスを不図示の
ガス導入手段を介して、アモルファスシリコンの原料ガ
スとしてシランガス、ドーピングガスとしてジボランガ
ス、希釈ガスとしてヘリウムガス等の原料ガスが反応容
器２０１内に導入される。それと同時併行的にマイクロ
波電源（図示せず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発生させ、導波管２０３を通じ、誘電体窓２０
２を介して反応容器２０１内に導入する。更に放電空間
２０６中のバイアス電極２１２に電気的に接続された直
流電源２１１によりバイアス電極２１２に基体２０５に
対して直流電圧を印加する。かくして導電性基体２０５
により囲まれた放電空間２０６に於て、原料ガスはマイ
クロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更にバイ
アス電極２１２と基体２０５の間の電界により定常的に
導電性基体２０５上にイオン衝撃を受けながら、基体２
０５表面に堆積膜が形成される。この時、導電性基体２
０５が設置された回転軸２０９をモーター２１０により
回転させ、導電性基体２０５を基体母線方向中心軸の回
りに回転させることにより、導電性基体２０５全周に渡
って均一に堆積膜層を形成する。

【０１３９】こうした製造装置により例えば表２に示さ
れるような条件により本発明の必須要件である光導電
層、表面層からなる光受容部材を作製することができ
る。こうした手順に従って、連続して電子写真感光体の
作製が効率よくおこなわれるものである。本発明におい
て、洗浄工程に使用される洗浄液は、水または水に界面
活性剤を添加したものが望ましい。またその水質は、い
ずれでも可能である。また洗浄工程で用いられる界面活
性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非
イオン界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混
合したもの等、いずれのものでも可能である。またトリ
ポリリン酸ナトリウム等の添加剤を添加しても本発明は
有効である。本発明の洗浄工程で用いられる水の温度
は、高すぎると導電性基体表面に酸化膜が発生してしま
い、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗
浄効果が小さく、さらに本発明の効果が充分得られな
い。この為、水の温度としては、１０℃以上、９０℃以
下、好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０
℃以上、５５℃以下が本発明には適している。本発明に
おいて洗浄工程に超音波を用いることは本発明の効果を
十分に出す上で重要である。超音波の周波数は、好まし
くは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは
１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上
１００ｋＨｚ以下が効果的である。超音波の出力は、好
ましくは１０Ｗ以上、１００ｋＷ以下、更に好ましくは
１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下効果的である。

【０１４０】本発明の純水接触工程に使用される水の水
質は、非常に重要であり半導体グレードの純水、特に超
ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温
２５℃の時の抵抗率として、１ＭΩ−ｃｍ以上、好まし
くは４ＭΩ−ｃｍ以上、最適には１０ＭΩ−ｃｍ以上が
本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ
以上が１ミリリットル中に１０００００個以下、好まし
くは１００００個以下、最適には１０００個以下が本発
明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミ
リリットル中に１０００個以下、好ましくは１００個以
下、最適には１０個以下が本発明には適している。有機
物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１００ｍｇ以下、好
ましくは１０ｍｇ以下、最適には２ｍｇ以下が本発明に
は適している。上記の水質の水を得る方法としては、活
性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆
浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数
組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望
ましい。導電性基体表面に純水を接触させるときは、水
圧を掛けて吹き付けることが望ましい。吹き付ける際の
水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとな
り、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特に
ハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしま
う。この為、水の圧力としては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ ² 以
上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、好ましくは１０ｋｇ
・ｆ／ｃｍ² 以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最適
には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ
² 以下が本発明には適している。但し、本発明における
圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は、重力キログラム毎平方セ
ンチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は９８０６
６．５Ｐａと等しい。本発明の純水を吹き付ける方法に
は、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付ける
方法、または、ポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズ
ルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法
等がある。

【０１４１】本発明の純水の流量としては、発明の効果
と、経済性から、導電性基体１本当たり１リットル／ｍ
ｉｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２
リットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、
最適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉ
ｎ以下が本発明には適している。本発明の純水の温度
は、高すぎると導電性基体上に酸化膜が発生してしまい
堆積膜の剥れ等の原因となる、さらに本発明の効果が充
分に得られない。また、低すぎるとやはり本発明の効果
が充分得られない。この為、純水の温度としては、５℃
以上、９０℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以
下、最適には１５℃以上、４０℃以下が本発明には適し
ている。水接触処理の処理時間は、長すぎると導電性基
体上に酸化膜が発生してしまい、短すぎると本発明の効
果が小さいため、１０秒以上、３０分以下、好ましくは
２０秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分
以下が本発明には適している。本発明において、堆積膜
形成時の基体表面の酸化皮膜等の影響を取り除くため
に、堆積膜形成の直前に基体表面の切削を行なうことは
重要なことである。切削から水接触処理までの時間は、
長すぎると基体表面に再び酸化膜が発生してしまい、短
すぎると工程が安定しないため、１分以上、１６時間以
下、好ましくは２分以上、８時間以下、最適には３分以
上、４時間以下が本発明には適している。水接触処理か
ら堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発
明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定
しないため、１分以上、８時間以下、好ましくは２分以
上、４時間以下、最適には３分以上２時間以下が本発明
には適している。

【０１４２】本発明で用いられる導電性基体としては、
例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル，ポリエチレン，ポリカーボネート，セルロース
アセテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミックス等の電気絶縁性導電性基体の
少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した
基体も用いることができるものであるが、機械的強度等
から金属が好ましい。本発明では、導電性基体を所定の
精度で切削した後、表面の形状について加工をおこなっ
ても有効である。例えばレーザー光などの可干渉性光を
用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われ
る干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電性
基体表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体表面に設け
られる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６
０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報
等に記載された公知の方法により作製される。又、レー
ザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による
画像不良を解消する別の方法として、導電性基体表面に
複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即
ち、導電性基体の表面が電子写真用感光体に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。導電性基体表面に設
けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１
−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作
製される。

【０１４３】本発明における光導電層は、導電性基体側
より、構成要素としてシリコン原子、炭素原子および水
素原子を含む非単結晶炭化シリコン（以下ｎｃ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈと略す。）から成る光導電層により構成され、所
望の光導電特性、特に電荷保持特性、電荷発生特性、電
荷輸送特性を有する。前記光導電層に含有される炭素原
子は分布を成し、該分布が前記導電性基体の表面に各々
平行な面内では実質的に均一であり、層の厚み方向には
不均一であって、膜厚方向の各点において前記導電性基
体側の含有率が高く、前記表面層側の含有率が低く分布
している。炭素原子の含有量としては、前記導電性基体
の設けてある側の表面又は表面近傍で０．５％以下であ
れば前述の導電性基体との密着性向上および、電荷の注
入阻止の機能が悪化し、さらに静電容量の減少による帯
電能向上の効果が無くなる。また５０％以上では残留電
位が発生してしまう。このため、実用的には０．５〜５
０原子％、好ましくは１〜４０原子％であり、最適には
１〜３０原子％とされるのが好ましい。また、本発明に
おいて光導電層中に水素原子が含有されることが必要で
あるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品
質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させ
るために必須不可欠であるからである。特に炭素原子が
含有された場合、その膜質を維持するために、より多く
の水素原子が必要となるため、炭素含有量にしたがって
含有される水素量が調整されることが望ましい。よっ
て、導電性基体表面の水素原子の含有量は望ましくは１
〜４０原子％、より好ましくは５〜３５原子％、最適に
は１０〜３０原子％とされるのが好ましい。

【０１４４】本発明において、光導電層は真空堆積膜形
成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パ
ラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体的
には、グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法
またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、ある
いは直流放電ＣＶＤ法等）によって形成することができ
る。その中でも工業的にはマイクロ波グロー放電法、お
よび高周波グロー放電法が最適である。グロー放電法に
よってｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ光導電層を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るシリコン供給
用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用
の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の
原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起
させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の導
電性基体表面上にｎｃ−ＳｉＣ：Ｈからなる層を形成す
ればよい。本発明において使用されるシリコン供給用ガ
スとなり得る物質としては、ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓ
ｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し
得る水素化シリコン（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、シリ
コン供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆が好
ましいものとして挙げられる。また、これらのシリコン
原子供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。本発
明において、炭素原子導入用の原料物質となり得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。

【０１４５】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和
炭化水素としては、メタン（ＣＨ₄ ），エタン（Ｃ₂Ｈ₆
），プロパン（Ｃ₃ Ｈ₈ ），ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄ Ｈ
₁₀），ペンタン（Ｃ₅Ｈ₁₂），エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ₂ Ｈ₄ ），プロピレン（Ｃ ₃ Ｈ
₆ ），ブテン−１（Ｃ₄ Ｈ₈ ），ブテン−２（Ｃ₄ Ｈ
₈ ），イソブチレン（Ｃ₄ Ｈ₈ ），ペンテン（Ｃ₅
Ｈ₁₀），アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ₂ Ｈ₂ ），メチルアセチレン（Ｃ₃ Ｈ₄ ），ブチン
（Ｃ₄ Ｈ₆ ）等が挙げられる。また、ＳｉとＣとを構成
原子とする原料ガスとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₄ ，Ｓｉ
（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ 等のケイ化アルキルを挙げることができ
る。水素原子を光導電層中に構造的に導入するには、上
記の他にＨ₂ 、あるいはＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃
Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等の水素化シリコンとシリコン原子を
供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応
容器中に共存させて放電を生起させることでも行なうこ
とができる。光導電層中に含有される水素原子の量を制
御するには、例えば導電性基体の温度、水素原子を含有
させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入す
る量、放電電力等を制御すればよい。本発明において光
導電層にハロゲン原子を含有させることは特に有効であ
る。本発明において光導電層に含有されるハロゲン原子
は、炭素原子、水素原子の凝集を抑制し、バンドギャッ
プ中の局在準位密度を低減させるため、ゴーストを改善
し、層品質の均一性の向上に効果を発揮する。ハロゲン
原子が１原子ｐｐｍより少ないと、ハロゲン原子による
ゴーストの改善効果が十分発揮されず、また９５原子ｐ
ｐｍを越えると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じ
るようになってしまう。したがって、ハロゲン原子の含
有量は実用的には１〜９５原子ｐｐｍ、より好ましくは
３〜８０原子ｐｐｍ、最適には５〜５０原子ｐｐｍとさ
れるのが好ましい。特に光導電層に前述のごとき範囲で
炭素原子を含有せしめたときに、ハロゲン原子の含有量
を上記した範囲に設定することにより、光導電特性、画
像特性および耐久性が著しく向上することが実験により
確かめられた。

【０１４６】さらに加えて、含有するハロゲン原子を基
体近傍から光導電層の上部に向かって徐々に多くなるよ
うに分布させることは、本発明にとって有効である。ハ
ロゲン原子を層厚方向に不均一に分布させることによっ
て炭素原子の含有量が層厚方向に変化するのに伴い基体
側と表面層側との間に発生する内部応力の変化を緩和す
るため、堆積膜中の欠陥が減少し膜質が向上する。その
結果、光受容部材の使用環境の温度変化に従って光受容
部材の特性が変化する、いわゆる温度特性を向上させる
ことが可能になり帯電能およびコピー間の画像濃度むら
等の電子写真特性が改善される。こうしたハロゲン原子
としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があるが、好ま
しくはフッ素、塩素がよく、より好ましくは、フッ素が
よい。こうしたフッ素原子を層中に含有させるために供
給用ガスとして有効なのは、たとえばフッ素ガス、フッ
素化物、フッ素をふくむハロゲン化合物、フッ素で置換
されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るフ
ッ素化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリ
コン原子とフッ素原子とを構成要素とするガス状のまた
はガス化し得る、フッ素原子を含む水素化シリコン化合
物も有効なものとして挙げることができる。本発明に於
て好適に使用し得るフッ素化合物としては、具体的には
Ｆ₂，ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃ ，ＢｒＦ₃ ，ＢｒＦ
₅ ，ＩＦ₃ ，ＩＦ₇ 等のハロゲン化合物を挙げることが
できる。フッ素原子を含むシリコン化合物、いわゆるフ
ッ素原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的に
は、たとえばＳｉＦ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化シリコン
が好ましいものとして挙げることができる。このような
フッ素原子を含むシリコン化合物を採用してグロー放電
等によって本発明の特徴的な電子写真用光受容部材を形
成する場合には、シリコン供給用ガスとしての水素化シ
リコンガスを使用しなくても、所定の支持体上にフッ素
原子を含む非単結晶シリコンからなる光導電層を形成す
ることができるが、形成される光導電層中に導入される
水素原子の導入割合の制御を一層容易になるようにする
ために、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を
含むシリコン化合物のガスも所望量混合して層形成する
ことが好ましい。又、各ガスは単独種のみでなく所定の
混合比で複数種混合しても差し支えないものである。本
発明においては、フッ素原子供給用ガスとして上記され
たフッ化物あるいはフッ素を含むシリコン化合物が有効
なものとして使用されるものであるが、そのほかに、Ｈ
Ｆ，ＳｉＨ₃ Ｆ，ＳｉＨ₂ Ｆ₂ ，ＳｉＨＦ₃ 等のフッ素
置換水素化シリコン、等々のガス状態のあるいはガス化
し得る物質も有効な光導電層形成用の原料物質として挙
げることが出来る。これらの物質の内、水素原子を含む
フッ素化物は、光導電層形成の際に層中にフッ素原子の
導入と同時に、電気的あるいは光電的特性の制御にきわ
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明において
は好適なフッ素原子供給用ガスとして使用される。

【０１４７】本発明において光導電層にハロゲン原子に
加えて酸素原子を含有することも有効である。この場
合、ハロゲン原子との相乗作用により堆積膜の内部応力
を緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このために光導電
層中でのキャリアの走行性が改善され、電位シフトが減
少する。こうした酸素原子の含有量としては上記ハロゲ
ン原子含有量の範囲内において１０〜５０００原子ｐｐ
ｍの範囲が好ましい。さらに本発明にとって光導電層中
に含有される酸素原子を基体側から表面層側に向かって
多くなるように分布させることは好ましいことである。
この時堆積膜中の内部応力を効果的に緩和して膜の構造
欠陥を抑制するため光導電層中でのキャリアの走行性が
改善され電位シフト等の表面電位特性がさらに改善され
る。本発明において光導電層に酸素原子を含有させる為
の原料ガスとしては、酸素（Ｏ₂ ），一酸化炭素（Ｃ
Ｏ），二酸化炭素（ＣＯ₂ ），一酸化窒素（ＮＯ），二
酸化窒素（ＮＯ₂ ），酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）を微量含ん
だ希釈ガスを原料ガスに加えることが効果的である。さ
らに本発明においては、光導電層には必要に応じて伝導
性を制御する原子（Ｍ）を含有させることが好ましい。
伝導性を制御する原子は、光導電層中に万偏なく均一に
分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向
には不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子（以
後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を
与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」
と略記する）を用いることができる。

【０１４８】第III 族原子としては、具体的には、ホウ
素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），
インジウム（Ｉｎ），タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的には燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓ
ｂ），ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。光導電層に含有される伝導性を制御する原子
（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜５×
１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜１×１
０ ⁴ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜５×１０³ 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、光導電層において
炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０³ 原子ｐｐｍ以下の
場合は、光導電層に含有される原子（Ｍ）の含有量とし
ては好ましくは１×１０^-3〜１×１０³ 原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０
³ 原子ｐｐｍを越える場合は、原子（Ｍ）の含有量とし
ては、好ましくは１×１０^-1〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍと
されるのが望ましい。光導電層中に、伝導性を制御する
原子、たとえば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構
造的に導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガ
ス状態で反応容器中に、光導電層を形成するための他の
ガスとともに導入してやればよい。第III 族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。そのような第III 族原子導入用の原料
物質として具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ
₂ Ｈ₆ ，Ｂ₄ Ｈ₁₀，Ｂ₅ Ｈ₉ ，Ｂ₅ Ｈ₁₁，Ｂ₆ Ｈ ₁₀，Ｂ
₆ Ｈ₁₂，Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化ホウ素、ＢＦ₃ ，ＢＣｌ
₃ ，ＢＢｒ₃ 等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ₃ ，ＧａＣｌ₃ ，Ｇａ（ＣＨ ₃ ）₃ ，Ｉ
ｎＣｌ₃ ，ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【０１４９】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃ ，Ｐ₂ Ｈ₄ ，等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ，ＰＦ
₃ ，ＰＦ₅ ，ＰＣｌ₃ ，ＰＣｌ₅ ，ＰＢｒ₃ ，ＰＢｒ
₅ ，ＰＩ₃ 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ₃ ，ＡｓＦ₃ ，ＡｓＣｌ₃ ，ＡｓＢｒ₃ ，Ａｓ
Ｆ₅，ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ ，ＳｂＦ₅ ，ＳｂＣｌ₃ ，Ｓ
ｂＣｌ₅ ，ＢｉＨ₃ ，ＢｉＣｌ₃ ，ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。また、これらの伝導性を制御する原子導入用
の原料物質を必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等の
ガスにより希釈して使用してもよい。さらに本発明の光
受容部材の光導電層には、周期律表第Ｉａ族，IIａ族，
VIａ族，VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素を含
有してもよい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均
一に分布されてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏
無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布
する状態で含有している部分があってもよい。しかしな
がら、いずれの場合においても導電性基体の表面と平行
な面内方向におては、均一な分布で万偏無く含有されて
いることが、面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。第Ｉａ族原子としては、具体的には、
リチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム
（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベ
リウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム
（Ｃａ），ストロンチウム（Ｓｒ），バリウム（Ｂａ）
等を挙げることができる。

【０１５０】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）を挙げることができ、第VIII族原子としては、鉄
（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ）等を挙
げることができる。本発明において、光導電層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、光導電層につい
ては、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜
４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望まし
い。本発明の目的を達成し得る特性を有するｎｃ−Ｓｉ
Ｃ（Ｈ）から成る光導電層を形成するには、導電性基体
の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜
設定する必要がある。導電性基体の温度（Ｔｓ）は、層
設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の
場合、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０
〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ま
しい。本発明における表面層は、構成要素としてシリコ
ン原子と炭素原子、水素原子および周期律表第III 族を
含有する非単結晶材料で構成される。本発明の作製方法
の表面層により電気的耐圧性を飛躍的に向上さすことが
でき、その結果、膜の異常成長である球状突起がある程
度存在してもそれが画像欠陥として発現することをある
程度改善することができる。また、耐圧時において電子
写真プロセスの中で分離帯電器が異常放電を起こしても
電子写真感光体の表面が絶縁破壊されることなくいわゆ
るリークポチの発生を極めて少なくすることができる。

【０１５１】また、本発明の表面層に含有される炭素原
子は該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向に不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。しかしながら不均一に分布させる場
には該光導電層から最表面に向かって増加するように分
布されることが好ましい。本発明における表面層の全層
領域に含有される炭素原子の含有量は、高暗抵抗化、高
硬度化等の効果を奏するため炭素原子／（シリコン原子
＋炭素原子）の値で好適には４０〜９０原子％、より好
適には４５〜８５原子％、最適には５０〜８０原子％と
されるのが望ましい。そして本発明における効果を発揮
するためには、含有する周期律表第III 族元素が１×１
０⁵ 原子ｐｐｍ以下であることが必要である。さらに本
発明の表面層にハロゲン原子をさらに含有することも有
効である。該表面層に含有されたハロゲン原子は撥水性
を向上させるので、水蒸気の吸着による高湿流れをも減
少し、電子写真感光体の電気特性をさらに改善する。該
表面層中に含有されるハロゲン原子は２０原子％以下で
あり、さらに水素原子とハロゲン原子の含有量の和は好
適には３０〜７０原子％、より好適には３５〜６５原子
％、最適には４０〜６０原子％とするのが望ましい。本
発明において表面層にさらに、酸素原子または窒素原子
を含有することは有効である。該表面層に含有される酸
素原子または、／および窒素原子の量としては好ましく
は１×１０^-4〜３０原子％、より好ましくは５×１０^-4
〜２５原子％、最適には１×１０^-3〜２０原子％とする
のが望ましい。表面層に含有される酸素原子および／ま
たは窒素原子はｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ内に存在する未結合手
を補償し膜質の向上に効果を奏し、光導電層と表面層の
界面にトラップされるキャリアを減少させるため、画像
流れを改善する。また、表面層中に酸素原子および窒素
原子を含有する事により表面層と光導電層との界面の密
着性が向上し、さらに表面層自身の構造を変化させる事
が可能になり、電子写真感光体の表面性、耐圧、光導電
層および導電性基体であるアルミシリンダーの保護機能
等が向上し、電子写真感光体の耐久性を優れた電気特性
を維持したままで飛躍的に向上させる事ができる。

【０１５２】すなわち、連続して大量に画像形成を行っ
てもクリーニングブレードや分離爪へのダメージが少な
く、クリーニング性および転写紙の分離性も良好にあ
る。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的に向
上する事ができる。さらに誘電率の低下により高電圧に
対する耐久性も向上するため、光受容部材の一部が絶縁
破壊する事によって起こる「リークポチ」がさらに発生
しにくくなる。さらに、再生紙を使用する場合において
は、本発明の方法によるシリコン原子、水素原子、ハロ
ゲン原子、周期律表第III 族元素、さらに酸素原子およ
び／または窒素原子を含有した表面層によれば表面高度
が向上し、耐環境特性が向上するために、再生紙のロジ
ン等のサイズ剤が電子写真感光体表面に付着することを
防止し、長期の使用におけるトナーの融着や画像流れを
無くすることに効果を発揮する。本発明においてｎｃ−
ＳｉＣ：Ｈで構成される表面層を形成するには、前述の
光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用され
る。本発明において表面層を形成するにおいて使用され
るシリコン供給用ガスおよび炭素原子（Ｃ）導入用の原
料ガスになり得るものは、先に挙げた光導電層を形成す
るときと同じものが使用可能である。本発明において表
面層に周期律表第III 族を含有するために使用される原
料ガスになり得るものとしては、先に挙げた光導電層を
形成するときと同じものが使用可能である。本発明にお
いて表面層に酸素原子および窒素原子を含有させる為の
導入ガスとしては、酸素原子用としては酸素（Ｏ₂ ），
一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ₂ ）、窒素原子
用としては窒素（Ｎ₂ ），アンモニア（ＮＨ₃ ）などが
挙げられる。また酸素および窒素原子を同時に含有する
ものとして一酸化窒素（ＮＯ），二酸化窒素（ＮＯ
₂ ），酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）が好ましいものである。

【０１５３】さらに本発明において表面層に、周期律表
第Ｉａ族，IIａ族，VIａ属，VIII族から選ばれる少なく
とも１種の元素を含有してもよい。前記元素は前記光導
電層中に万偏無く均一に分布されてもよいし、あるいは
該光導電層中に万偏無く含有されてはいるが、層厚方向
に対し不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合においても導電
性基体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布
で万偏無く含有されていることが、面内方向における特
性の均一化を図る点からも必要である。第Ｉａ族原子と
しては、具体的には、リチウム（Ｌｉ），ナトリウム
（Ｎａ），カリウム（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ
族原子としては、ベリリウム（Ｂｅ），マグネシウム
（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ストロンチウム（Ｓ
ｒ），バリウム（Ｂａ）等を挙げることができる。ま
た、第VIａ族原子としては具体的には、クロム（Ｃ
ｒ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）等を挙
げることができ、第VIII族原子としては、鉄（Ｆｅ），
コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ）等を挙げることが
できる。本発明において、表面層の層厚は所望の電子写
真特性が得られること、および経済的効果等の点から好
ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは０．０５
〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとされるのが望
ましい。本発明の目的を達成し得る特性を有する表面層
を形成する場合には、導電性基体の温度、ガス圧が前記
表面層の特性を左右する重要な要因である。導電性基体
温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０〜
５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適には１
００〜４５０℃とするのが望ましい。

【０１５４】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より
好ましくは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０
^-4〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。本発明において
は、表面層を形成するための導電性基体温度、ガス圧の
望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、
これらの層作製ファクターは通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する表面層を形成
すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各層作製ファ
クターの最適値を決めるのが望ましい。本発明の光受容
部材においては、光導電層と表面層との間に、組成を連
続的に変化させた層領域を設けてもよい。該層領域を設
けることにより各層間での密着性をより向上させること
ができる。さらに本発明の光受容部材においては、光導
電層の前記導電性基体側に、少なくともアルミニウム原
子、シリコン原子、炭素原子および水素原子が層厚方向
に不均一な分布状態で含有する層領域を有することが望
ましい。本発明において、プラズマを発生させるエネル
ギーは、ＤＣ、高周波、マイクロ波等いずれでも可能で
あるが、特に、プラズマの発生のエネルギーにマイクロ
波または高周波を用いた場合、本発明の効果がより顕著
なものとなる。本発明において、プラズマ発生のために
マイクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を発
生させることができればいずれでも良いが、１００Ｗ以
上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以
下が本発明を実施するに当たり適当である。

【０１５５】以下、本発明の効果を、実施例を用いて具
体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定され
るものではない。 〈実施例３４および比較例１０〉 実施例３４ 純度９９．５％のアルミニウムよりなる直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述
の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例
と同様の手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分
後に図１に示す表面処理装置により、表６０に示す条件
により基体表面の前処理を行なった。但し、本実施例で
は界面活性剤としてはポリエチレングリコールノニルフ
ェニルエーテルを１ｗｔ％水溶液として用いた。このよ
うに前処理を行なったアルミシリンダー上に、さきに詳
述した手順にしたがって、図４に示す電子写真感光体の
製造装置を用い、高周波グロー放電法により表６１に示
す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例で
は、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図３５の
ように変化させるために、光導電層の形成時に導入する
ＣＨ₄ の流量をリニアに変化させた。この時の光導電層
の基体との界面での炭素含有量は、約１０原子％となる
ようにした。なお、炭素含有量の測定には、ラザフォー
ド後方散乱法による元素分析で行なった。作製した電子
写真感光体をまず目視により表面層を評価し、その後キ
ャノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子
写真装置に設置し、帯電能、感度、残留電位等、電子写
真特性および耐久後の画像特性について以下の評価を行
なった。 表面の曇り 作製した電子写真感光体を、目視により表面の曇りの程
度の検査を行なった。

【０１５６】◎は曇り無し ○は一部曇りあり △は部分的に、数カ所曇りがあり ×は全面に曇りがある。 帯電能・感度・残留電位 帯電能…電子写真感光体を実験装置に設置し、帯電器に
＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行ない、表面電
位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。 感度…電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯電さ
せる。そして直ちに光像を照射する。光像はキセノンラ
ンプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の
波長域の光を除いた光を照射する。この時表面電位計に
より電子写真感光体の明部表面電位を測定する。明部表
面電位が所定の電位になるよう露光量を調整し、この時
の露光量をもって感度とする。 残留電位…電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯
電させる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射
する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを
用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射す
る。この時、表面電位計により電子写真感光体の明部表
面電位を測定する。 白ポチ・ハーフトーンむら…電子写真感光体を、キャ
ノン社製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写
機にいれ、通常の電子写真プロセスにより転写し紙面上
に画像を形成し、下記の手順により画像の評価を行なっ
た。

【０１５７】白ポチ…キャノン製全面黒チャート（部品
番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたと
きに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２
ｍｍ以下の白ポチについて、その数を数えた。 ハーフトーンむら…キャノン製中間調チャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピーしたとき
に得られたコピー画像上で直径０．０５ｍｍの円形の領
域を１単位として１００点の画像濃度を測定し、その画
像濃度のばらつきを評価した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 再生紙による耐久後の画像特性…作製した電子写真感
光体をキャノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造
した電子写真装置に設置し再生紙を用い３００万枚の耐
久試験を行なった。そして、画像特性について以下の評
価を行なった。 画像流れ…白地に全面文字よりなるキャノン製テストチ
ャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を原稿台に置き
通常の露光量の２倍の露光量で照射しコピーをとる。得
られたコピー画像を観察し、画像上の細線が途切れずに
つながっているか評価した。但しこの時画像上でむらが
ある時は、全画像領域で評価し一番悪い部分の結果を示
した。

【０１５８】◎は良好 ○は一部途切れあり △は途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題な
い 黒ポチ…白紙を原稿台に置きコピーしたときに得られた
コピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の黒
い画像欠陥について、その数を数えた。それぞれについ
て、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 これらの結果を表６２に示す。 比較例１０ 実施例３４と同様の導電性基体を同様の手順で切削を行
い、切削が終了した導電性基体は、図３に示す従来の導
電性基体の洗浄装置により表６３の条件で基体表面の処
理を行った。図３に示す導電性基体の洗浄装置は、処理
槽３０２と基体搬送機構３０３よりなっている。処理槽
３０２は、基体投入台３１１、基体洗浄槽３２１、基体
搬出台３５１よりなっている。洗浄槽３２１は液の温度
を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いて
いる。搬送機構３０３は、搬送レール３６５と搬送アー
ム３６１よりなり、搬送アーム３６１は、レール３６５
上を移動する移動機構３６２、基体３０１を保持するチ
ャッキング機構３６３、およびこのチャッキング機構３
６３を上下させるためのエアーシリンダー３６４よりな
っている。

【０１５９】切削後、投入台上３１１に置かれた基体３
０１は、搬送機構３０３により洗浄槽３２１に搬送され
る。洗浄槽３２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ 旭化成工業社製）３２２により表面に付着し
ている切削油および切り粉を除去するための洗浄が行な
われる。洗浄後、基体３０１は、搬送機構３０３により
搬出台３５１に運ばれる。このようにして従来の基体の
前処理を行った基体に実施例３４と同様にして、表６４
に示す条件で基体、電荷輸送層、電荷発生層、表面層の
３層構成の、いわゆる機能分離型電子写真感光体を作製
した。得られた電子写真感光体の評価は実施例３４と同
様に行ない、実施例３４の結果と合せて表６２に示す。
表６２より明らかなように本発明の方法によれば、感度
が向上し、なおかつ残留電位が低く抑えられている。そ
して特に感光体の表面の曇り、およびハーフトーンむ
ら、および再生紙による耐久特性に関してすぐれた特性
を示していることがわかる。さらに、本発明によれば３
００万枚という耐久後においても画像上なんの支障もな
いことがわかる。 〈実施例３５および比較例１１〉 実施例３５ 図１に示す基体表面処理装置により実施例３４と同様の
基体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、表６５に示す条件により電子
写真感光体を作製した。作製した電子写真感光体は実施
例３４と同様の評価を行なった。その結果実施例３４と
まったく同様の結果が得られた。 比較例１１ 図３に示す基体表面処理装置により比較例１０と同様の
前処理を行なった導電性基体上に、図２（ａ），２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、表６６に示す条件で基体、電
荷輸送層、電荷発生層、表面層の３層構成の、いわゆる
機能分離型電子写真感光体を作製した。得られた電子写
真感光体の評価は実施例３５と同様に行なった。その結
果、比較例１１とまったく同様の結果が得られた。 〈実施例３６および比較例１２〉 実施例３６ 図１に示す基体表面処理装置により実施例３４と同様の
前処理を行なった基体上に、図４に示す電子写真感光体
の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって、
高周波グロー放電法により表６７に示す作製条件で電子
写真感光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭
素含有量の変化パターンを図３６，図３７に示すように
変化させるために、光導電層の形成時に導入するＣＨ₄
の流量を変化させ、２種類の感光体を作製した。いずれ
のパターンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含
有量は、約１０原子％となるようにした。なお、炭素含
有量の測定にはラザフォード後方散乱法による元素分析
により標準サンプルの検量線を作製し、標準サンプルと
作製したサンプルをオージェ分光法によるシグナル強度
から絶対量を求めた。

【０１６０】作製した電子写真感光体の表面の曇りを目
視により判断しキャノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験
用に改造した電子写真装置に設置し、感度、残留電位、
白ポチ、ハーフトーンむらについて実施例３４と同様の
方法で評価した。その後、キャノン製再生複写用紙を用
いてＮＰ−７５５０改造機において３００万枚の耐久の
評価を行ない、画像流れ、黒ポチの評価を実施例３４と
同様に行ない、その結果を表６８に示す。 比較例１２ 比較例１０と同様に前処理を行なった基体上に、実施例
３６と同様にして、図３８、図３９を示す炭素含有量パ
ターンで電子写真感光体を作製し、実施例３６と同様の
評価を行なった。そしてその結果を表６８に、実施例３
６の評価結果とあわせて示す。表６８より、本発明の光
導電層の炭素量変化パターンでは比較例１２の結果に比
べて初期特性、耐久後の画像特性のいずれも良好な結果
が得られていることがわかる。 〈実施例３７および比較例１３〉 実施例３７ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例３４と同様
の前処理を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に
示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロ
ー放電法を用いる以外は実施例３６と同様にして、表６
９に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施
例では、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図３
６図３７に示すように変化させるために、光導電層の形
成時に導入するＣＨ₄ の流量を変化させた。いずれのパ
ターンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含有量
は、約１０原子％となるようにした。なお、炭素含有量
の測定にはラザフォード後方散乱法による元素分析で行
なった。作製した電子写真感光体は実施例３６とまった
く同様の結果が得られた。 比較例１３ 図３に示す基体処理装置により、比較例１０と同様に前
処理を行なった基体上に、実施例３７と同様にして、図
３８、図３９に示す炭素含有量パターンで電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体を実施例３７と
同様の評価を行なったところ、比較例１２とまったく同
様の結果が得られた。 〈実施例３８〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、さきに詳述した手
順にしたがって、高周波グロー放電法により表６１に示
す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例で
は、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図３５を
用い、基体側表面の炭素含有量を光導電層の形成時に導
入するＣＨ₄ の流量を変えることにより変化させた。そ
して光導電層の基体側表面での炭素含有量は、ラザフォ
ード後方散乱法による元素分析で同定した。

【０１６１】作製した電子写真感光体の表面の曇りおよ
び球状突起の発生数、更にキャノン製複写機ＮＰ−７５
５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電
能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむら等の電
子写真特性および再生紙による３００万枚耐久後の画像
性の評価を行なった。各項目は、以下の方法で行った。 表面の曇り 実施例３４と同様にして評価した。 球状突起の数 作製した電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察
し、１００ｃｍ² の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。各電子写真感光体について結果を
出し、最も球状突起の数の多かったものを１００％とし
て相対比較をした。その結果を以下のように分類した。 ◎は６０％未満 ○は８０〜６０％ △は１００〜８０％ 残留電位 実施例３４と同様にして評価した。 白ポチ・ハーフトーンむら 白ポチ・ハーフトーンむら…実施例３４と同様にして評
価した。 このようにして得られた結果をまとめて表７０に示す。
この結果から、光導電層の基体側表面の炭素量として
は、０．５〜５０原子％で特性の向上が見られ、さらに
１〜３０原子％できわめて良好な結果が得られている。 〈実施例３９〉図１に示す基体表面処理装置により実施
例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、さきに詳述した手順にしたがって、マイクロ波グロ
ー放電法により、表６５に示す作製条件で電子写真感光
体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含有量
の変化パターンを図３５を用い、基体側表面の炭素含有
量を光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量を各感光
体ごとに変えることにより変化させた。

【０１６２】そして、実施例３８と同様にして評価した
結果、表７０とまったく同じ結果が得られた。 〈実施例４０〉実施例３４と同様の前処理を行った基体
上に、図４に示す電子写真感光体の製造装置を用い、さ
きに詳述した手順にしたがって、高周波グロー放電法に
より表７１に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実施例では、光導電層中のフッ素含有量を図４１
に示すように変化させるために、光導電層の形成時に導
入するＳｉＦ₄ の流量を変化させた。そして、光導電層
中のフッ素含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ
−３Ｆ）による元素分析で行なったところ基体近傍で３
ａｔ．ｐｐｍ、表面層近傍で４０ａｔ．ｐｐｍであっ
た。 （Ｉ）作製した電子写真感光体をキャノン製複写機ＮＰ
−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、
加速耐久試験を行なう前の白ポチ、ハーフトーンむら、
ゴースト等の電子写真特性について評価を行なった。各
項目は、実施例３４および実施例３８と同様の方法で評
価した。なお、ゴーストに関しては以下のように評価し
た。 ゴースト…キャノン製ゴーストテストチャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、¢５ｍｍの
黒丸を貼付けたものを原稿台の画像先端部に置き、その
上に、キャノン製中間調チャートを重ねておいた際のコ
ピー画像において中間調コピー上に認められるゴースト
チャートの¢５ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度
との差を測定した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 を表わしている。

【０１６３】この結果を表７２にまとめて示す。 （II）次に、作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し再生紙を用いて３００万枚の耐久試験を行なった。
そして、白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子
写真特性の評価を（Ｉ）と同様に行なった。その結果を
表７３にまとめて示す。表７２および表７３の結果か
ら、光導電層中のフッ素含有量が９５原子ｐｐｍ以下の
範囲に設定することで画像特性および耐久性に関しても
非常にすぐれた電子写真感光体を作製することが可能で
あることが示された。 〈実施例４１〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例４０と同様
に、表７４に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。そして作製した電子写真感光体を実施例４０と同じ
手順で評価をした。その結果は表７２および表７３と全
く同様であった。 〈実施例４２〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電
法により表７５の作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実験では表面層に含有される炭素量を変化させる
ように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ の流量を変化さ
せた。

【０１６４】作製した電子写真感光体をキャノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、帯電能、残留電位、耐久前の画像評価、再生紙を
用いた３００万枚の耐久試験後の画像評価を以下に示す
方法で行なった。 帯電能…実施例３４と同様に行なった。 残留電位…実施例３４と同様に行なった。 耐久後の画像評価…白ポチ、擦傷それぞれについて５段
階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段階に
分類した。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を表７６に示す。表より明らかなように、炭
素含有量が４０〜９０原子％で帯電能、耐久性に著しい
改善が見られる。 〈実施例４３〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例４２と同様
に、表４６に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実験では表面層に含有される炭素量を変化させる
ように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ 流量を変化させ
た。作製した電子写真感光体は実施例４２と同じ手順で
評価した。その結果、表７６と全く同様の結果が得られ
た。 〈実施例４４〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により表７８の作製条件で
電子写真感光体を作製した。本実験では、作製した電子
写真感光体の表面層に含有される窒素原子、酸素原子、
ホウ素原子についてＳＩＭＳによる定量を行なったとこ
ろ窒素原子、酸素原子は数十ｐｐｍであり、ホウ素原子
は数ｍｍｐであった。

【０１６５】こうして作製した電子写真感光体をキャノ
ン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真
複写装置に設置して再生紙を用いて３００万枚の耐久後
の画像について目視により評価を行なった。その結果、
画像流れ、白ポチの増加もなく非常に良好な結果を得
た。 〈実施例４５〉図１に示す基体表面処理装置により、実
施例３４と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により表７９に示す作製条
件で電子写真感光体を作製した。なお、本実施例では表
面層においてＣＨ₄ 流量を変化することにより表面層中
での炭素原子含有量を最表面で最大になるように層厚方
向に分布させた。このとき表面層中のホウ素、窒素、酸
素原子の含有量も徐々に増えるように原料ガスの流量を
変化させた。こうして作製した電子写真感光体をキャノ
ン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真
複写装置に設置して再生紙を用いて３００万枚の耐久後
の画像について目視により評価を行なった。その結果、
画像流れ、白ポチの増加もなく非常に良好な結果を得
た。 〈実施例４６〉図１に示す基体表面処理装置により、表
８０に示す条件により、実施例３４と同様の前処理を行
なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子写真
感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法によ
り表８１に示す条件で電子写真感光体を作製した。本実
施例では光導電層中のフッ素の含有量を図４０〜４３に
示す分布形になるようにＳｉＦ₄ ／ＳｉＨ₄ の値が１０
〜５０ｐｐｍの範囲内で流量をなめらかに変化させ、４
種類の電子写真感光体を作製した。また、フッ素を含有
しないこと以外は同条件で電子写真感光体も作製した。
以上の５種類の電子写真感光体について以下の評価を行
なった。

【０１６６】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト…実施例３４と同様
の評価 温度特性…作製した電子写真感光体をキャノン社製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写機にいれ、電
子写真感光体の表面温度を３０〜４５℃まで変化し、帯
電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行な
い、表面電位計により暗部の表面電位を測定する。感光
体の表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で近
似し、その傾きを「温度特性」とし、［Ｖ／ｄｅｇ］の
単位であらわす。 ◎非常に優れている。 ○優れている。 △実用上問題ない。 ×実用的ではない。 以上の結果を表８２に示す。表より、光導電層中にフッ
素を含有し、しかも膜厚方向に分布させた場合におい
て、ゴースト、温度特性まで含め、電子写真特性が改善
されていることがわかる。 〈実施例４７〉図１に示す基体表面処理装置により、表
８１に示す条件により、実施例３４と同様の前処理を行
なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子写真
感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法によ
り表８３に示す条件で電子写真感光体を作製した。なお
本実施例では光導電層中のフッ素の含有量を一定とし、
酸素の含有量を図４４〜４７に示す分布形になるように
ＣＯ₂ ／ＳｉＨ₄ の値が１０〜５０ｐｐｍの範囲内で流
量をなめらかに変化させ、４種類の電子写真感光体を作
製した。また、酸素を含有しないこと以外は同条件で電
子写真感光体も作製した。以上の５種類の電子写真感光
体について以下の評価を行なった。

【０１６７】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト、温度特性…実施例
４６と同様の評価 電位シフト…電子写真感光体を実験装置に設置して帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電をおこな
い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を
測定する。この時帯電器に電圧を印加した直後の暗部表
面電位をＶ_d0とし、２分経過後の暗部表面電位をＶ_d と
する。そして、Ｖ_d0とＶ_d との差をもって電位シフト量
とする。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を表８４に示す。表より、光導電層中にフッ
素を含有し、しかも酸素原子を含有した場合において、
電位シフトの特性が改善されていることがわかる。

【０１６８】

【表６０】

【０１６９】

【表６１】

【０１７０】

【表６２】

【０１７１】

【表６３】

【０１７２】

【表６４】

【０１７３】

【表６５】

【０１７４】

【表６６】

【０１７５】

【表６７】

【０１７６】

【表６８】

【０１７７】

【表６９】

【０１７８】

【表７０】

【０１７９】

【表７１】

【０１８０】

【表７２】

【０１８１】

【表７３】

【０１８２】

【表７４】

【０１８３】

【表７５】

【０１８４】

【表７６】

【０１８５】

【表７７】

【０１８６】

【表７８】

【０１８７】

【表７９】

【０１８８】

【表８０】

【０１８９】

【表８１】

【０１９０】

【表８２】

【０１９１】

【表８３】

【０１９２】

【表８４】 （第４の発明）以下、アルミニウム合金製シリンダーを
導電性基体として、本発明の電子写真感光体の製造方法
により図５（ｂ）に示す構成の電子写真感光体を実際に
形成する手順の一例を、図１に示す導電性基体の前処理
装置、および図２（ａ）、２（ｂ）に示すマイクロ波Ｃ
ＶＤ法による堆積膜形成装置を用いて説明する。

【０１９３】精密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥ
ＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤ
モンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモ
ンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角のすく
い角を得るようにセットする。次に、この旋盤の回転フ
ランジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから
白燈油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸
引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度
０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるよう
に鏡面切削を施す。切削が終了した基体は、基体前処理
装置により基体表面の処理を行う。図１に示す基体前処
理装置は、処理部１０２と基体搬送機構１０３よりなっ
ている。処理部１０２は、基体投入台１１１、基体洗浄
槽１２１、純水接触槽１３１、乾燥槽１４１、基体搬出
台１５１よりなっている。洗浄槽１２１、純水接触槽１
３１とも液の温度を一定に保つための温度調節装置（図
示せず）が付いている。搬送機構１０３は、搬送レール
１６５と搬送アーム１６１よりなり、搬送アーム１６１
は、レール１６５上を移動する移動機構１６２、導電性
基体１０１を保持するチャッキング機構１６３およびチ
ャッキング機構１６３を上下させるためのエアーシリン
ダー１６４よりなっている。切削後、投入台１１１上に
置かれた導電性基体１０１は、搬送機構１０３により洗
浄槽１２１に搬送される。洗浄槽１２１中の界面活性剤
水溶液１２２中で超音波処理されることにより表面に付
着している切削油および切り粉の洗浄が行なわれる。次
に導電性基体１０１は、搬送機構１０３により純水接触
槽１３１へ運ばれ、２５℃の温度に保たれた抵抗率１
７．５ＭΩ−ｃｍの純水をノズル１３２から５０ｋｇ・
ｆ／ｃｍ² の圧力で吹き付けられる。純水接触工程の終
わった導電性基体１０１は搬送機構１０３により乾燥槽
１４１へ移動され、ノズル１４２から高温の高圧空気を
吹き付けられ乾燥される。乾燥工程の終了した導電性基
体１０１は、搬送機構１０３により搬出台１５１に運ば
れる。

【０１９４】次にこれらの切削加工および前処理の終了
した導電性基体表面に図２（ａ）および図２（ｂ）に示
すマイクロ波プラズマＣＶＤ法による光導電部材堆積膜
の形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした
堆積膜を形成する。図２（ａ）、および図２（ｂ）にお
いて、２０１は反応容器であり、真空気密化構造を成し
ている。また、２０２は、マイクロ波電力を反応容器２
０１内に効率よく透過し、かつ真空気密を保持し得るよ
うな材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス
等）で形成されたマイクロ波導入誘電体窓である。２０
３はマイクロ波電力の伝送を行う導波管であり、マイク
ロ波電源から反応容器近傍までの矩形の部分と、反応容
器に挿入された円筒形の部分からなっている。導波管２
０３はスタブチューナー（図示せず）、アイソレーター
（図示せず）とともにマイクロ波電源（図示せず）に接
続されている。誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を
保持するために導波管２０３の円筒形の部分内壁に気密
封止されている。２０４は、一端が反応容器２０１に開
口し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気
管である。２０６は導電性基体２０５により囲まれた放
電空間を示す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流
電圧を印加するための直流電源（バイアス電源）であ
り、電極２１２に電気的に接続されている。こうした堆
積膜形成装置を使用した電子写真感光体の製造は以下の
ようにして行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排
気管２０４を介して、反応容器２０１を排気し、反応容
器２０１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整す
る。ついでヒーター２０７により、基体２０５の温度を
所定の温度に加熱保持する。そこで原料ガスを不図示の
ガス導入手段を介して、アモルファスシリコの原料ガス
としてシランガス、ドーピングガスとしてジボランガ
ス、希釈ガスとしてヘリウムガス等の原料ガスが反応器
２０１内に導入される。それと同時併行的にマイクロ波
電源（図示せず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を発生させ、導波管２０３を通じ、誘電体窓２０２
を介して反応容器２０１内に導入する。更に放電空間２
０６中のバイアス電極２１２に電気的に接続された直流
電源２１１によりバイアス電極２１２に基体２０５に対
して直流電圧を印加する。かくして導電性基体２０５に
より囲まれた放電空間２０６に於て、原料ガスはマイク
ロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更にバイア
ス電極２１２と基体２０５の間の電界により定常的に導
電性基体２０５上にイオン衝撃を受けながら、基体２０
５表面に堆積膜が形成される。この時、導電性基体２０
５が設置された回転軸２０９をモーター２１０により回
転させ、導電性基体２０５を基体母線方向中心軸の回り
に回転させることにより、導電性基体２０５全周に渡っ
て均一に堆積膜層を形成する。

【０１９５】こうした製造装置により例えば第８６表に
示されるような条件により本発明の必須要件である光導
電層、表面層からなる光受容部材を作製することができ
る。こうした手順に従って、連続して電子写真感光体の
作製が効率よくおこなわれるものである。本発明におい
て、洗浄工程に使用される洗浄液は、水または水に界面
活性剤を添加したものが望ましい。またその水質は、い
ずれでも可能である。また洗浄工程で用いられる界面活
性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非
イオン界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混
合したもの等、いずれのものでも可能である。またトリ
ポリリン酸ナトリウム等の添加剤を添加しても本発明は
有効である。本発明の洗浄工程で用いられる水の温度
は、高すぎると導電性基体表面に酸化膜が発生してしま
い、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗
浄効果が小さく、さらに本発明の効果が充分得られな
い。この為、水の温度としては、１０℃以上、９０℃以
下、好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０
℃以上、５５℃以下が本発明には適している。本発明に
おいて洗浄工程に超音波を用いることは本発明の効果を
十分に出す上で重要である。超音波の周波数は、好まし
くは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは
１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上
１００ｋＨｚ以下が効果的である。超音波の出力は、好
ましくは１０Ｗ以上、１００ｋＷ以下、更に好ましくは
１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下効果的である。

【０１９６】本発明の純水接触工程に使用される水の水
質は、非常に重要であり半導体グレードの純水、特に超
ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温
２５℃の時の抵抗率として、１ＭΩ−ｃｍ以上、好まし
くは４ＭΩ−ｃｍ以上、最適には１０ＭΩ−ｃｍ以上が
本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ
以上が１ミリリットル中に１０００００個以下、好まし
くは１００００個以下、最適には１０００個以下が本発
明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミ
リリットル中に１０００個以下、好ましくは１００個以
下、最適には１０個以下が本発明には適している。有機
物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１００ｍｇ以下、好
ましくは１０ｍｇ以下、最適には２ｍｇ以下が本発明に
は適している。上記の水質の水を得る方法としては、活
性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆
浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数
組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望
ましい。導電性基体表面に純水を接触させるときは、水
圧を掛けて吹き付けることが望ましい。吹き付ける際の
水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとな
り、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特に
ハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしま
う。この為、水の圧力としては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ ² 以
上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、好ましくは１０ｋｇ
・ｆ／ｃｍ² 以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最適
には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ
² 以下が本発明には適している。但し、本発明における
圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は、重力キログラム毎平方セ
ンチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は９８０６
６．５Ｐａと等しい。本発明の純水を吹き付ける方法に
は、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付ける
方法、または、ポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズ
ルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法
等がある。

【０１９７】本発明の純水の流量としては、発明の効果
と、経済性から、導電性基体１本当り１リットル／ｍｉ
ｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リ
ットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最
適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ
以下が本発明には適している。本発明の純水の温度は、
高すぎると導電性基体上に酸化膜が発生してしまい堆積
膜の剥れ等の原因となる、さらに本発明の効果が充分に
得られない。また、低すぎるとやはり本発明の効果が充
分得られない。この為、純水の温度としては、５℃以
上、９０℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、
最適には１５℃以上、４０℃以下が本発明には適してい
る。水接触処理の処理時間は、長すぎると導電性基体上
に酸化膜が発生してしまい、短すぎると本発明の効果が
小さいため、１０秒以上、３０分以下、好ましくは２０
秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下
が本発明には適している。本発明において、堆積膜形成
時の基体表面の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆
積膜形成の直前に基体表面の切削を行なうことは重要な
ことである。切削から水接触処理までの時間は、長すぎ
ると基体表面に再び酸化膜が発生してしまい、短すぎる
と工程が安定しないため、１分以上、１６時間以下、好
ましくは２分以上、８時間以下、最適には３分以上、４
時間以下が本発明には適している。水接触処理から堆積
膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発明の効
果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定しない
ため、１分以上、８時間以下、好ましくは２分以上、４
時間以下、最適には３分以上、２時間以下が本発明には
適している。

【０１９８】本発明で用いられる導電性基体としては、
例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性導電性基体の少
なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した基
体も用いることができるものであるが、機械的強度等か
ら金属が好ましい。本発明では、導電性基体を所定の精
度で切削した後、表面の形状について加工をおこなって
も有効である。例えばレーザー光などの可干渉性光を用
いて像記録を行う場合には、可視画像において現われる
干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電性基
体表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体表面に設けら
れる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６０
−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報等
に記載された公知の方法により作製される。又、レーザ
ー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による画
像不良を解消する別の方法として、導電性基体表面に複
数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即
ち、導電性基体の表面が電子写真用感光体に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。導電性基体表面に設
けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１
−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作
製される。

【０１９９】本発明における第１の光導電層は、導電性
基体側より、構成要素としてシリコン原子と炭素原子、
水素原子を含むｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ）から成る光導電層に
より構成され、所望の光導電特性、特に電荷保持特性、
電荷発生特性、電荷輸送特性を有する。前記光導電層に
含有される炭素原子は分布を成し、該分布が前記導電性
基体の表面に各々平行な面内では実質的に均一であり、
層の厚み方向には不均一であって、膜厚方向の各点にお
いて前記導電性基体側の含有率が高く、前記表面層側の
含有率が低く分布している。炭素原子の含有量として
は、前記導電性基体の設けてある側の表面又は表面近傍
で０．５％以下であれば前述の導電性基体との密着性向
上及び、電荷の注入阻止の機能が悪化し、さらに静電容
量の減少による帯電能向上の効果が無くなる。また５０
％以上では残留電位が発生してしまう。このため、実用
的には０．５〜５０原子％、好ましくは１〜４０原子％
であり、最適には１〜３０原子％とされるのが好まし
い。また、本発明において光導電層中に水素原子が含有
されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結
合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷
保持特性を向上させるために必須不可欠であるからであ
る。特に炭素原子が含有された場合、その膜質を維持す
るために、より多くの水素原子が必要となるため、炭素
含有量にしたがって含有される水素量が調整されること
が望ましい。よって、導電性基体表面の水素原子の含有
量は望ましくは１〜４０原子％、より好ましくは５〜３
５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが好ま
しい。本発明において、第１の光導電層は真空堆積膜形
成方法によって、所望の特性が得られるように適宜成膜
パラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体
的には、グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ
法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あ
るいは直流放電ＣＶＤ法等）によって形成することがで
きる。グロー放電法によってｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ光導電層
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供
給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供
給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反
応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内に
グロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置さ
れてある所定の導電性基体表面上にｎｃ−ＳｉＣ：Ｈか
らなる層を形成すればよい。

【０２００】本発明において、第１の光導電層中の炭素
含有量を徐徐に変えるには炭素原子を供給し得る原料ガ
スを徐徐に減らしていくことにより達成できる。本発明
において、第１の光導電層の層厚は所望の電子写真特性
が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望にし
たがって決定され、第１の光導電層の膜厚については、
好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４０μ
ｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望ましい。本
発明において第２の光導電層は、構成要素としてシリコ
ン原子と水素原子を含むｎｃ−ＳｉＣ：Ｈから成り、所
望の光導電特性、特に電荷発生特性、電荷輸送特性を有
する。本発明の第２の光導電層は、長波長の光の吸収を
高め感度を向上さすために、また、帯電極性と逆極性の
キャリアの走行性が第１の光導電層より良いことから、
特にゴーストを軽減する目的のために設けられる。本発
明において、第２の光導電層は第１の光導電層と同様の
方法により形成することができる。グロー放電法によっ
てｎｃ−Ｓｉ：Ｈ光導電層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス
とを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態
に導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あ
らかじめ所定の位置に設置されてある所定の導電性基体
表面上にｎｃ−Ｓｉ：Ｈからなる層を形成すればよい。
本発明において、第２の光導電層の層厚は所望の電子写
真特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所
望にしたがって決定され、第２の光導電層については、
好ましくは０．５〜１５μｍ、より好ましくは１〜１０
μｍ、最適には１〜５μｍとされるのが望ましい。

【０２０１】本発明の第１および第２の光導電層を作製
するために使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質と
しては、ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ
₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シ
ラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に
層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられ
る。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じ
てＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用
してもよい。本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。炭素原子（Ｃ）導入用の原
料ガスになり得るものとして有効に使用される出発物質
は、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。具
体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ ₄ ）、
エタン（Ｃ₂ Ｈ₆ ）、プロパン（Ｃ₃ Ｈ₈ ）、ｎ−ブタ
ン（ｎ−Ｃ₄ Ｈ₁₀）、ペンタン（Ｃ₅ Ｈ₁₂）、エチレン
系炭化水素としては、エチレン（Ｃ₂ Ｈ₄）、プロピレ
ン（Ｃ₃ Ｈ₆ ）、ブテン−１（Ｃ₄ Ｈ₈ ）、ブテン−２
（Ｃ₄ Ｈ₈）、イソブチレン（Ｃ₄ Ｈ₈ ）、ペンテン
（Ｃ₅ Ｈ₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、アセチ
レン（Ｃ₂ Ｈ₂ ）、メチルアセチレン（Ｃ₃ Ｈ₄ ）、ブ
チン（Ｃ₄ Ｈ₆ ）等が挙げられる。また、ＳｉとＣとを
構成原子とする原料ガスとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₄ 、
Ｓｉ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ 等のケイ化アルキルを挙げることが
できる。

【０２０２】水素原子を第１および第２の光導電層中に
構造的に導入するには、上記の他にＨ₂ 、あるいはＳｉ
Ｈ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等の水素化
珪素とＳｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化
合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させること
でも行うことができる。第１および第２の光導電層中に
含有される水素原子の量を制御するには、例えば導電性
基体の温度、水素原子を含有させるために使用される原
料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御す
ればよい。本発明において第１の光導電層にハロゲン原
子を含有させることは特に有効である。本発明において
第１の光導電層に含有されるハロゲン原子は、炭素原
子、水素原子の凝集を抑制し、バンドギャップ中の局在
準位密度を低減させるため、ゴーストを改善し、層品質
の均一性の向上に効果を発揮する。ハロゲン原子が１原
子ｐｐｍより少ないと、ハロゲン原子によるゴーストの
改善効果が十分発揮されず、また９５原子ｐｐｍを越え
ると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じるようにな
ってしまう。したがって、ハロゲン原子の含有量は実用
的には１〜９５原子ｐｐｍ、より好ましくは３〜８０原
子ｐｐｍ、最適には５〜５０原子ｐｐｍとされるのが好
ましい。特に第１の光導電層に前述のごとき範囲で炭素
原子を含有せしめたときに、ハロゲン原子の含有量を上
記した範囲に設定することにより、光導電特性、画像特
性および耐久性が著しく向上することが実験により確か
められた。さらに加えて、含有するハロゲン原子を基体
近傍から第２の光導電層近傍に向かって徐々に多くなる
ように分布させることは、本発明にとって特に有効であ
る。ハロゲン原子を層厚方向に不均一に分布させること
によって炭素原子の含有量が層厚方向に変化するのに伴
い基体側と表面層側との間に発生する内部応力の変化を
緩和するため、堆積膜中の欠陥が減少し膜質が向上す
る。その結果、電子写真感光体の使用環境の温度変化に
従って特性が変化する、いわゆる温度特性を向上させる
ことが可能になり帯電能およびコピー間の画像濃度むら
等の電子写真特性が改善される。

【０２０３】こうしたハロゲン原子としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素があるが、好ましくはフッ素、塩素
がよく、より好ましくは、フッ素がよい。こうしたフッ
素原子を層中に含有させるために供給用ガスとして有効
なのは、たとえばフッ素ガス、フッ素化物、フッ素をふ
くむハロゲン化合物、フッ素で置換されたシラン誘導体
等のガス状のまたはガス化し得るフッ素化合物が好まし
く挙げられる。また、さらにはシリコン原子とフッ素原
子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、フ
ッ素原子を含む水素化シリコン化合物も有効なものとし
て挙げることができる。本発明において好適に使用し得
るフッ素化合物としては、具体的にはＦ ₂ 、ＢｒＦ、Ｃ
ｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、ＩＦ₇
等のハロゲン化合物を挙げることができる。フッ素原子
を含むシリコン化合物、いわゆるフッ素原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化シリコンが好ましいものとし
て挙げることができる。このようなフッ素原子を含むシ
リコン化合物を採用してグロー放電等にって本発明の特
徴的な電子写真用光受容部材を形成する場合には、シリ
コン供給用ガスとしての水素化シリコンガスを使用しな
くても、所定の基体上にフッ素原子を含む非単結晶シリ
コンからなる光導電層を形成することができるが、形成
される光導電層中に導入される水素原子の導入割合の制
御を一層容易になるようにするために、これらのガスに
更に水素ガスまたは水素原子を含むシリコン化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが好ましい。又、各
ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合して
も差し支えないものである。本発明においては、フッ素
原子供給用ガスとして上記されたフッ化物あるいはフッ
素を含むシリコン化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、そのほかに、ＨＦ、ＳｉＨ₃ Ｆ、ＳｉＨ
₂ Ｆ₂ 、ＳｉＨＦ₃ 等のフッ素置換水素化シリコン、等
々のガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効な光導
電層形成用の原料物質として挙げることが出来る。これ
らの物質の内、水素原子を含むフッ素化合物は、光導電
層形成の際に層中にフッ素原子の導入と同時に、電気的
あるいは光電的特性の制御にきわめて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なフッ素原子供
給用ガスとして使用される。

【０２０４】本発明において第１の光導電層にハロゲン
原子に加えて酸素原子を含有することも有効である。こ
の場合、ハロゲン原子との相乗作用により堆積膜の内部
応力を緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このために光
導電層中でのキャリアの走行性が改善され、電位シフト
が減少する。こうした酸素原子の含有量としては上記ハ
ロゲン原子含有量の範囲内において１０〜５０００原子
ｐｐｍの範囲が好ましい。さらに本発明にとって光導電
層中に含有される酸素原子を基体側から表面層側に向か
って多くなるように分布させることはさらに好ましいこ
とである。この時堆積膜中の内部応力を効果的に緩和し
て膜の構造欠陥を抑制するため光導電層中でのキャリア
の走行性が改善され電位シフト等の表面電位特性がさら
に改善される。本発明において第１の光導電層に酸素原
子を含有させる為の原料ガスとしては、酸素（Ｏ₂ ）、
一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂ ）、一酸化窒
素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂ ）、酸化二窒素（Ｎ₂
Ｏ）を微量含んだ希釈ガスを原料ガスに加えることが効
果的である。さらに本発明においては、第１および第２
の光導電層には必要に応じて伝導性を制御する原子
（Ｍ）を含有させることが好ましい。伝導性を制御する
原子は、第１および第２の光導電層中に万偏なく均一に
分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向
には不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。

【０２０５】前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する
原子（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ
族原子」と略記する）を用いることができる。第III 族
原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）アルミニウム
（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タ
リウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適で
ある。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素
（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等が
あり、特にＰ、Ａｓが好適である。光導電層に含有され
る伝導性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ま
しくは１×１０^-3〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好まし
くは１×１０^-2〜１×１０ ⁴ 原子ｐｐｍ、最適には１×
１０^-1〜５×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
特に、第１の光導電層において炭素原子（Ｃ）の含有量
が１×１０³ 原子ｐｐｍ以下の場合は、光導電層に含有
される原子（Ｍ）の含有量としては好ましくは１×１０
^-3〜１×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましく、炭素
原子（Ｃ）の含有量が１×１０³ 原子ｐｐｍを越える場
合は、原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１
０^-1〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。光
導電層中に、伝導性を制御する原子、たとえば、第III
族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第III 族原子導入用の原料物質あるいは第
Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、
光導電層を形成するための他のガスとともに導入してや
ればよい。第III 族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ
族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温
常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易
にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのよ
うな第III 族原子導入用の原料物質として具体的には、
ホウ素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅
Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水
素化ホウ素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等のハロゲン
化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ 、ＧａＣ
ｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、ＴｌＣｌ₃ 等も
挙げることができる。

【０２０６】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるものは、燐原子導入用とし
ては、ＰＨ₃ 、Ｐ₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ
₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣｌ₃ 、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ
₅ 、ＰＩ₃ 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、Ａｓ
Ｆ₅、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、Ｓ
ｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。また、これらの伝導性を制御する原子導入用
の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の
ガスにより希釈して使用してもよい。さらに本発明の光
受容部材の光導電層には、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、
VIａ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素を含
有してもよい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均
一に分布されてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏
無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布
する状態で含有している部分があってもよい。しかしな
がら、いずれの場合においても導電性基体の表面と平行
な面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有され
ていることが、面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。第Ｉａ族原子としては、具体的に
は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム
（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベ
リリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム
（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）
等を挙げることができる。

【０２０７】また、第VIａ族原子としては、具体的に
は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステ
ン（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）
等を挙げることができる。本発明の目的を達成し得る特
性を有するｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ）から成る光導電層を形成
するには、導電性基体の温度、反応容器内のガス圧を所
望にしたがって、適宜設定する必要がある。導電性基体
の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、好ましくは２０〜５００
℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適には１００〜
４５０℃とするのが望ましい。本発明における表面層
は、構成要素としてシリコン原子と炭素原子、水素原子
および周期律表第III 族を含有する非単結晶材料で構成
される。本発明の作製方法の表面層により電気的耐圧性
を飛躍的に向上さすことができ、その結果、膜の異常成
長である球状突起がある程度存在してもそれが画像欠陥
として発現することをある程度改善することができる。
また、耐圧時において電子写真プロセスの中で分離帯電
器が異常放電を起こしても電子写真感光体の表面が絶縁
破壊されることなくいわゆるリークポチの発生を極めて
少なくすることができる。また、本発明の表面層に含有
される炭素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含
有している部分があってもよい。しかしながら不均一に
分布させる場合には該光導電層から最表面に向かって増
加するように分布されることが好ましい。

【０２０８】本発明における表面層の全層領域に含有さ
れる炭素原子の含有量は、高暗抵抗化、高硬度化等の効
果を奏するため炭素原子／（シリコン原子＋炭素原子）
の値で好適には４０〜９０原子％、より好適には４５〜
８５原子％、最適には５０〜８０原子％とされるのが望
ましい。そして本発明における効果を発揮するために
は、含有する周期律第III 属元素が１×１０⁵ 原子ｐｐ
ｍ以下であることが必要である。さらに本発明の表面層
にハロゲン原子をさらに含有することも有効である。該
表面層に含有されたハロゲン原子は撥水性を向上させる
ので、水蒸気の吸着による高湿流れをも減少し、電子写
真感光体の電気特性をさらに改善する。該表面層中に含
有されるハロゲン原子は２０原子％以下であり、さらに
水素原子とハロゲン原子の含有量の和は好適には３０〜
７０原子％、より好適には３５〜６５原子％、最適には
４０〜６０原子％とするのが望ましい。本発明において
表面層にさらに、酸素原子または窒素原子を含有するこ
とは有効である。該表面層に含有される酸素原子および
／または窒素原子の量としては好ましくは１×１０^-4〜
３０原子％、より好ましくは５×１０^-4〜２５原子％、
最適には１×１０^-3〜２０原子％とするのが望ましい。
表面層に含有される酸素原子および／または窒素原子は
ｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ内に存在する未結合手を補償し膜質の
向上に効果を奏し、光導電層と表面層の界面にトラップ
されるキャリアを減少させるため、画像流れを改善す
る。また、表面層中に酸素原子および窒素原子を含有す
る事により表面層と光導電層との界面の密着性が向上
し、さらに表面層自身の構造を変化させる事が可能にな
り、電子写真感光体の表面性、耐圧、光導電層および導
電性基体であるアルミシリンダーの保護機能等が向上
し、電子写真感光体の耐久性を優れた電気特性を維持し
たままで飛躍的に向上させる事ができる。

【０２０９】すなわち、連続して大量に画像形成を行っ
てもクリーニングブレードや分離爪へのダメージが少な
く、クリーニング性および転写紙の分離性も良好にな
る。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的に向
上する事ができる。さらに誘電率の低下により高電圧に
対する耐久性も向上するため、光受容部材の一部が絶縁
破壊する事によって起こる「リークポチ」がさらに発生
しにくくなる。さらに、再生紙を使用する場合において
は、本発明の方法によるシリコン原子、水素原子、ハロ
ゲン原子、周期律第III 属元素、さらに酸素原子および
／または窒素原子を含有した表面層によれば表面高度が
向上し、耐環境特性が向上するために、再生紙のロジン
等のサイズ剤が電子写真感光体表面に付着することを防
止し、長期の使用におけるトナーの融着や画像流れを無
くすことに効果を発揮する。本発明においてｎｃ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈで構成される表面層を形成するには、前述の光導
電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。
本発明において表面層を形成するにおいて使用されるシ
リコン供給用ガスおよび炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガ
スになり得るものは、先に挙げた光導電層を形成すると
きと同じものが使用可能である。本発明において表面層
に周期律表第III 属を含有するために使用される原料ガ
スになり得るものとしては、先に挙げた光導電層を形成
するときと同じものが使用可能である。さらに本発明に
おいて表面層に、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、
VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有しても
よい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均一に分布
されてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏無く含有
されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態
で含有している部分があってもよい。しかしながら、い
ずれの場合においても導電性基体の表面と平行な面内方
向においては、均一な分布で万偏無く含有されているこ
とが、面内方向における特性の均一化を図る点からも必
要である。

【０２１０】第Ｉａ族原子としては、具体的には、リチ
ウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベリリウム
（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃ
ａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等を
挙げることができる。また、第VIａ族原子としては、具
体的には、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タン
グステン（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子と
しては、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）等を挙げることができる。本発明において、表面層
の層厚は所望の電子写真特性が得られること、および経
済的効果等の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、よ
り好ましくは０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１
０μｍとされるのが望ましい。本発明の目的を達成し得
る特性を有する表面層を形成する場合には、導電性基体
の温度、ガス圧が前記表面層の特性を左右する重要な要
因である。導電性基体温度は適宜最適範囲が選択される
が、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜
４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望まし
い。反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択される
が、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好まし
くは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-4〜１
Ｔｏｒｒとするのが望ましい。本発明においては、表面
層を形成するための導電性基体温度、ガス圧の望ましい
数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの
層作製ファクターは通常は独立的に別々に決められるも
のではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相
互的且つ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの
最適値を決めるのが望ましい。

【０２１１】本発明の光受容部材においては、光導電層
と表面層との間に、組成を連続的に変化させた層領域を
設けてもよい。該層領域を設けることにより各層間での
密着性をより向上させることができる。さらに本発明の
光受容部材においては、光導電層の前記導電性基体側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、炭素
原子および水素原子が層厚方向に不均一な分布状態で含
有する層領域を有することが望ましい。本発明におい
て、プラズマを発生させるエネルギーは、ＤＣ、高周
波、マイクロ波等いずれでも可能であるが、特に、プラ
ズマの発生のエネルギーにマイクロ波または高周波を用
いた場合、本発明の効果がより顕著なものとなる。本発
明において、プラズマ発生のためにマイクロ波を用いる
場合、マイクロ波電力は、放電を発生させることができ
ればいずれでも良いが、１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下、
好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以下が本発明を実施す
るに当たり適当である。以下、本発明の効果を、実施例
を用いて具体的に説明するが、本発明はこれらにより何
ら限定されるものではない。 ＜実施例４８および比較例１４＞実施例４８ 純度９９．５％のアルミニウムよりなる直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述
の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例
と同様の手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分
後に図１に示す表面処理装置により、第８５表に示す条
件により基体表面の前処理を行なった。但し、本実施例
では界面活性剤としてはポリエチレングリコールノニル
フェニルエーテルを１ｗｔ％水溶液として用いた。この
ように前処理を行なったアルミシリンダー上に、さきに
詳述した手順にしたがって、図４に示す電子写真感光体
の製造装置を用い、高周波グロー放電法により第８６表
に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例
では、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図４８
のように変化させるために、光導電層の形成時に導入す
るＣＨ₄ の流量をリニアに変化させた。この時の光導電
層の基体との界面での炭素含有量は、約１０原子％とな
るようにした。なお、炭素含有量の測定にはラザフォー
ド後方散乱法による元素分析で行なった。

【０２１２】作製した電子写真感光体をまず目視により
表面性を評価し、その後キヤノン製複写機ＮＰ−７５５
０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能、
感度、残留電位等、電子写真特性および耐久後の画像特
性について以下の評価を行なった。 表面の曇り 作製した電子写真感光体を、目視により表面の曇りの程
度の検査を行なった。 ◎は曇り無し 〇は一部曇りあり △は部分的に、数カ所曇りがあり ×は全面に曇りがある。 帯電能・感度・残留電位 帯電能………電子写真感光体を実験装置に設置し、帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行ない、表
面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定す
る。 感 度………電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に
帯電させる。そして直ちに光像を照射する。光像はキセ
ノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ
以下の波長域の光を除いた光を照射する。この時表面電
位計により電子写真感光体の明部表面電位を測定する。
明部表面電位が所定の電位になるよう露光量を調整し、
この時の露光量をもって感度とする。

【０２１３】残留電位……電子写真感光体を、一定の暗
部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量の比較
的強い光を照射する。光像はキセノンランプ光源を用
い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を
除いた光を照射した。この時、表面電位計により電子写
真感光体の明部表面電位を測定する。 白ポチ・ハーフトーンむら…電子写真感光体を、キヤ
ノン社製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写
機にいれ、通常の電子写真プロセスにより転写し紙面上
に画像を形成し、下記の手順により画像の評価を行なっ
た。 白ポチ………キヤノン製全面黒チャート（部品番号：Ｆ
Ｙ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたときに得ら
れたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下
の白ポチについて、その数を数えた。 ハーフトーンむら…キヤノン製中間調チャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピーしたとき
に得られたコピー画像上で直径０．５ｍｍの円形の領域
を１単位として１００点の画像濃度を測定し、その画像
濃度のばらつきを評価した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 再生紙による耐久…作製した電子写真感光体を、キヤ
ノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置し再生紙を用い、３００万枚の耐久試験を
行なった。そして、画像特性について以下の評価を行な
った。

【０２１４】画像流れ……白地に全面文字よりなるキヤ
ノン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）
を原稿台に置き通常の露光量の２倍の露光量で照射しコ
ピーをとる。得られたコピー画像を観察し、画像上の細
線が途切れずにつながっているか評価した。但しこの時
画像上でむらがある時は、全画像領域で評価し一番悪い
部分の結果を示した。 ◎…良好 〇…一部途切れあり。 △…途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題な
い。 黒ポチ………白紙を原稿台に置きコピーしたときに得ら
れたコピー画像上の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以
下の黒い画像欠陥について、その数を数えた。それぞれ
について、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 これらの結果を第８７表に示す。比較例１４ 実施例４８と同様の導電性基体を同様の手順で切削を行
い、切削が終了した導電性基体は、図３に示す従来の導
電性基体の洗浄装置により第８８表の条件で基体表面の
処理を行った。図３に示す導電性基体の洗浄装置は、処
理槽３０２と基体搬送機構３０３よりなっている。処理
槽３０２は、基体投入台３１１、基体洗浄槽３２１、基
体搬出台３５１よりなっている。洗浄槽３２１は液の温
度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付い
ている。搬送機構３０３は、搬送レール３６５と搬送ア
ーム３６１よりなり、搬送アーム３６１は、レール３６
５上を移動する移動機構３６２、基体３０１を保持する
チャッキング機構３６３、およびチャッキング機構３６
３を上下させるためのエアーシリンダー３６４よりなっ
ている。

【０２１５】切削後、投入台３１１上に置かれた基体３
０１は、搬送機構３０３により洗浄槽３２１に搬送され
る。洗浄槽３２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ 旭化成工業社製）３２２により表面に付着し
ている切削油および切り粉を除去するための洗浄が行な
われる。洗浄後、基体３０１は、搬送機構３０３により
搬出台３５１へ運ばれる。このようにして従来の基体の
前処理を行った基体に実施例４８と同様にして、第８９
表に示す条件で基体、電荷輸送層、電荷発生層、表面層
の３層構成の、いわゆる機能分離型電子写真感光体を作
製した。得られた電子写真感光体の評価は実施例４８と
同様に行ない、実施例４８の結果と合せて第８７表に示
す。第８７表より明らかなように本発明の方法によれ
ば、感度が向上し、なおかつ残留電位が低く抑えられて
いる。そして特に感光体の表面の曇り、ハーフトーンむ
ら、および再生紙による耐久特性に関してすぐれた特性
を示していることがわかる。特に、本発明によれば再生
紙を用い３００万枚という耐久後においても画像上なん
の支障もないことがわかる。 ＜実施例４９および比較例１５＞実施例４９ 図１に示す基体表面処理装置により実施例４８と同様の
基体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ）、２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、第９０表に示す条件により電
子写真感光体を作製した。作製した電子写真感光体は実
施例４８と同様の評価を行なった。その結果実施例４８
とまったく同様の結果が得られた。比較例１５ 図３に示す基体表面処理装置により比較例１４と同様の
前処理を行なった導電性基体上に、図２（ａ）、２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により第９１表に示す条件で基体、電
荷輸送層、電荷発生層、表面層の３層構成の、いわゆる
機能分離型電子写真感光体を作製した。得られた電子写
真感光体の評価は実施例４９と同様に行なった。その結
果、比較例１５とまったく同様の結果が得られた。 ＜実施例５０および比較例１６＞実施例５０ 図１に示す基体表面処理装置により実施例４８と同様の
前処理を行なった基体上に、図４に示す電子写真感光体
の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって、
高周波グロー放電法により第９２表に示す作製条件で電
子写真感光体を作製した。本実施例では、光導電層中の
炭素含有量の変化パータンを図４９、図５０に示すよう
に変化させるために、光導電層の形成時に導入するＣＨ
₄ の流量を変化させ、２種類の感光体を作製した。いず
れのパターンにおいても光導電層の基体側表面での炭素
含有量は、約１０原子％となるようにした。なお、炭素
含有量の測定にはラザーフォード後方散乱法による元素
分析により標準サンプルの検量線を作製し、標準サンプ
ルと作製したサンプルをオージェ分光法によるシグナル
強度から絶対量を求めた。

【０２１６】作製した電子写真感光体の表面の曇りを目
視により判断しキヤノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験
用に改造した電子写真装置に設置し、感度、残留電位、
白ポチ、ハーフトーンむらについて実施例４８と同様の
方法で評価した。その後、キヤノン製再生複写用紙を用
いてＮＰ−７５５０改造機において３００万枚の耐久評
価を行ない、画像流れ、黒ポチの評価を実施例４８と同
様に行ない、その結果を第９３表に示す。比較例１６ 比較例１４と同様に前処理を行なった基体上に、実施例
５０と同様にして、図５１、図５２に示す炭素含有量パ
ターンで電子写真感光体を作製し、実施例５０と同様の
評価を行なった。そしてその結果を第９３表に、実施例
５０の評価結果とあわせて示す。第９３表より、本発明
の光導電層の炭素量変化パータンでは比較例１６の結果
に比べて初期特性、耐久後の画像特性のいずれも良好な
結果が得られていることがわかる。 ＜実施例５１および比較例１７＞実施例５１ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例４８と同様
の前処理を行なった基体上に、図２（ａ）、２（ｂ）に
示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロ
ー放電法を用いる以外は実施例５０と同様にして、第９
４表に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実
施例では、光導電層中の炭素含有量の変化パータンを図
４９、図５０に示すように変化させるために、光導電層
の形成時に導入するＣＨ₄ の流量を変化させた。いずれ
のパターンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含
有量は、約１０原子％となるようにした。なお、炭素含
有量の測定にはラザフォード後方散乱法による元素分析
で行なった。作製した電子写真感光体は実施例５０とま
ったく同様の結果が得られた。比較例１７ 図３に示す基体表面処理装置により、比較例１４と同様
の前処理を行なった基体上に、実施例５１と同様にし
て、図５１、図５２に示す炭素含有量パターンで電子写
真感光体を作製した。得られた電子写真感光体を実施例
５１と同様の評価を行なったところ、比較例１６とまっ
たく同様の結果が得られた。 ＜実施例５２＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、さきに詳述した手
順にしたがって、高周波グロー放電法により第８６表に
示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例で
は、光導電層中の炭素含有量の変化パータンを図４８を
用い、基体側表面の炭素含有量を光導電層の形成時に導
入するＣＨ₄ の流量を変えることにより変化させた。そ
して光導電層の基体側表面での炭素含有量は、ラザフォ
ード後方散乱法による元素分析で同定した。

【０２１７】作製した電子写真感光体の表面の曇りおよ
び球状突起の発生数、更にキヤノン製複写機ＮＰ−７５
５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電
能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむら等の電
子写真特性および再生紙による３００万枚耐久後の画像
性の評価を行なった。各項目は、以下の方法で行なっ
た。 表面の曇り 実施例４８と同様にして評価した。 球状突起の数 作製した電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察
し、１００ｃｍ² の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。各電子写真感光体について結果を
出し、最も球状突起の数の多かったものを１００％とし
て相対比較をした。その結果を以下のように分類した。 ◎は６０％未満 〇は８０〜６０％ △は１００〜８０％ 残留電位 実施例４８と同様にして評価した。 白ポチ・ハーフトーンむら 白ポチ・ハーフトーンむら…実施例４８と同様にして評
価した。 このようにして得られた結果をまとめて第９５表に示
す。この結果から、光導電層の基体側表面の炭素量とし
ては、０．５〜５０原子％で特性の向上が見られ、さら
に１〜３０原子％できわめて良好な結果が得られてい
る。 ＜実施例５３＞図１に示す基体表面処理装置により実施
例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、さきに詳述した手順にしたがって、マイクロ波グロ
ー放電法により、第９０表に示す作製条件で電子写真感
光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含有
量の変化パータンは図４８を用い、基体側表面の炭素含
有量を光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量を各感
光体ごとに変えることにより変化させた。そして、実施
例５２と同様にして評価した結果、第９５表とまったく
同じ結果が得られた。 ＜実施例５４＞実施例４８と同様の前処理を行った基体
上に、図４に示す電子写真感光体の製造装置を用い、さ
きに詳述した手順にしたがって、高周波グロー放電法に
より第９６表に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。本実施例では、光導電層中のフッ素含有量を図５４
に示すように変化させるために、光導電層の形成時に導
入するＳｉＦ₄ の流量を変化させた。そして、光導電層
中のフッ素含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ
−３Ｆ）による元素分析で行なったところ基体近傍で３
ａｔ．ｐｐｍ、表面層近傍で４０ａｔ．ｐｐｍであっ
た。 （Ｉ）作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ
−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、
加速耐久試験を行なう前の白ポチ、ハーフトーンむら、
ゴースト等の電子写真特性について評価を行なった。各
項目は、実施例１および実施例５２と同様の方法で評価
した。なお、ゴーストに関しては以下のように評価し
た。

【０２１８】ゴースト…キヤノン製ゴーストテストチャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．
１、¢５ｍｍの黒丸を貼付けたものを原稿台の画像先端
部に置き、その上に、キヤノン製中間調チャートを重ね
ておいた際のコピー画像において中間調コピー上に認め
られるゴーストチャートの¢５ｍｍの反射濃度と中間部
分の反射濃度との差を測定した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題 ×は「実用上問題 を表わしている。この結果を第９７表にまとめて示す。 （II）次に、作製した電子写真感光体をキヤノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し再生紙を用いて３００万枚の耐久試験を行なった。
そして、白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子
写真特性の評価を（Ｉ）と同様に行なった。その結果を
第９８表にまとめて示す。第９７表および第９８表の結
果から、光導電層中のフッ素含有量が９５原子ｐｐｍ以
下の範囲に設定することで画像特性および耐久性に関し
ても非常にすぐれた電子写真感光体を作製することが可
能であることが示された。 ＜実施例５５＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例５４と同様
に、第９９表に示す作製条件で電子写真感光体を作製し
た。そして作製した電子写真感光体を実施例５４と同じ
手順で評価した。その結果は第９７表および第９８表と
全く同様であった。 ＜実施例５６＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電
法により第１００表の作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実験では表面層に含有される炭素量を変化させ
るように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ 流量を変化さ
せた。

【０２１９】作製した電子写真感光体をキヤノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、帯電能、残留電位、耐久前の画像評価、再生紙を
用いた３００万枚耐久試験後の画像評価を以下に示す方
法で行なった。 帯電能………実施例４８と同様に行なった。 残留電位……実施例４８と同様に行なった。 耐久後の画像評価…白ポチ、擦傷それぞれについて５段
階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段階に
分類した。 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を第１０１表に示す。表より明らかなよう
に、炭素含有量が４０〜９０原子％で帯電能、耐久性に
著しい改善が見られる。 ＜実施例５７＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例５６と同様
に、第１０２表に示す作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実験では表面層に含有される炭素量を変化させ
るように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ 流量を変化さ
せた。作製した電子写真感光体を実施例５６と同じ手順
で評価した。その結果、第１０１表と全く同様の結果が
得られた。 ＜実施例５８＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により第１０３表の作製条
件で電子写真感光体を作製した。本実験で作製した電子
写真感光体の表面層に含有される窒素原子、酸素原子、
ホウ素原子についてＳＩＭＳによる定量を行なったとこ
ろ窒素原子、酸素原子は数十ｐｐｍであり、ホウ素原子
は数ｐｍｍであった。

【０２２０】こうして作製した電子写真感光体をキヤノ
ン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真
複写装置に設置して再生紙を用いて３００万枚の耐久後
の画像について目視により評価を行なった。その結果、
画像流れ、白ポチの増加もなく非常に良好な結果を得
た。 ＜実施例５９＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例４８と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ），２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により、第１０４表に示す
作製条件で電子写真感光体を作製した。なお、本実施例
では表面層においてＣＨ₄ 流量を変化することにより表
面層中での炭素原子含有量を最表面で最大になるように
層厚方向に分布させた。このとき表面層中のホウ素、窒
素、酸素原子の含有量も徐徐に増えるように原料ガスの
流量を変化させた。こうして作製した電子写真感光体を
キヤノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電
子写真複写装置に設置して再生紙を用いて３００万枚の
耐久後の画像について目視により評価を行なった。その
結果、画像流れ、白ポチの増加もなく非常に良好な結果
を得た。 ＜実施例６０＞図１に示す基体表面処理装置により、第
１０５表に示す条件により、実施例４８と同様の前処理
を行なった基体上に、図２（ａ），２（ｂ）に示す電子
写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法
により、第１０６表に示す条件で電子写真感光体を作製
した。本実施例では光導電層中のフッ素の含有量を図５
３〜５６に示す分布形になるようにＳｉＦ₄ ／ＳｉＨ₄
の値が１０〜５０ｐｐｍの範囲内で流量をなめらかに変
化させ、４種類の電子写真感光体を作製した。また、フ
ッ素を含有しないこと以外は同条件で電子写真感光体も
作製した。以上の５種類の電子写真感光体について以下
の評価を行なった。

【０２２１】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト…実施例１と同様の
評価 温度特性……作製した電子写真感光体をキヤノン社製複
写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写機にいれ、
電子写真感光体の表面温度を３０〜４５℃まで変化し、
帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行な
い、表面電位計により暗部の表面電位を測定する。感光
体の表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で近
似し、その傾きを「温度特性」とし、［Ｖ／ｄｅｇ］の
単位であらわす。 ◎…非常に優れている。 〇…優れている。 △…実用上問題ない。 ×…実用的ではない。 以上の結果を第１０７表に示す。表より、光導電層中に
フッ素を含有し、しかも膜厚方向に分布させた場合にお
いて、ゴースト、温度特性まで含め、電子写真特性が改
善されていることがわかる。 ＜実施例６１＞図１に示す基体表面処理装置により、第
１０６表に示す条件により、実施例４８と同様の前処理
を行なった基体上に、図２（ａ）、２（ｂ）に示す電子
写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法
により、第１０８表に示す条件で電子写真感光体を作製
した。なお本実施例では光導電層中のフッ素の含有量を
一定とし、酸素の含有量を図５７〜図６０に示す分布形
になるようにＣＯ₂ ／ＳｉＨ₄ の値が１０〜５０ｐｐｍ
の範囲内で流量をなめらかに変化させ、４種類の電子写
真感光体を作製した。また、酸素を含有しないこと以外
は同条件で電子写真感光体も作製した。以上の５種類の
電子写真感光体について以下の評価を行なった。

【０２２２】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト、温度特性…実施例
６０と同様の評価 電位シフト…電子写真感光体を実験装置に設置して帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電をおこない、
表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定
する。この時帯電器に電圧を印加した直後の暗部表面電
位Ｖ_d0とし、２分経過後の暗部表面電位をＶ_d とする。
そして、Ｖ_d0とＶ_d との差をもって電位シフト量とす
る。 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を第１０９表に示す。表より、光導電層中に
フッ素を含有し、しかも酸素原子を含有した場合におい
て、位シフトの特性まで改善されていることがわかる。

【０２２３】

【表８５】

【０２２４】

【表８６】

【０２２５】

【表８７】

【０２２６】

【表８８】

【０２２７】

【表８９】

【０２２８】

【表９０】

【０２２９】

【表９１】

【０２３０】

【表９２】

【０２３１】

【表９３】

【０２３２】

【表９４】

【０２３３】

【表９５】

【０２３４】

【表９６】

【０２３５】

【表９７】

【０２３６】

【表９８】

【０２３７】

【表９９】

【０２３８】

【表１００】

【０２３９】

【表１０１】

【０２４０】

【表１０２】

【０２４１】

【表１０３】

【０２４２】

【表１０４】

【０２４３】

【表１０５】

【０２４４】

【表１０６】

【０２４５】

【表１０７】

【０２４６】

【表１０８】

【０２４７】

【表１０９】

【０２４８】（第５の発明）以下、アルミニウム合金製
シリンダーを導電性基体として、本発明の電子写真感光
体の製造方法により図５（ｂ）に示す構成の電子写真感
光体を実際に形成する手順の一例を、図１に示す導電性
基体の前処理装置、および図２（ａ）、２（ｂ）に示す
マイクロ波ＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用いて説明
する。図１において、精密切削用のエアダンパー付旋盤
（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）
に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東
京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５°
の角のすくい角を得るようにセットする。次に、この旋
盤の回転フランジに、基体を真空チャックし、付設した
ノズルから白燈油噴霧、同じく付設した真空ノズルから
切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、
送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍと
なるように鏡面切削を施す。切削が終了した基体は、基
体前処理装置により基体表面の処理を行う。図１に示す
基体前処理装置は、処理部１０２と基体搬送機構１０３
よりなっている。処理部１０２は、基体投入台１１１、
基体洗浄槽１２１、純水接触槽１３１、乾燥槽１４１、
基体搬出台１５１よりなっている。洗浄槽１２１、純水
接触槽１３１とも液の温度を一定に保つための温度調節
装置（図示せず）が付いている。搬送機構１０３は、搬
送レール１６５と搬送アーム１６１よりなり、搬送アー
ム１６１は、レール１６５上を移動する移動機構１６
２、導電性基体１０１を保持するチャッキング機構１６
３およびチャッキング機構１６３を上下させるためのエ
アーシリンダー１６４よりなっている。切削後、投入台
１１１上に置かれた導電性基体１０１は、搬送機構１０
３により洗浄槽１２１に搬送される。洗浄槽１２１中の
界面活性剤水溶液１２２中で超音波処理されることによ
り表面に付着している切削油および切り粉の洗浄が行な
われる。次に導電性基体１０１は、搬送機構１０３によ
り純水接触槽１３１へ運ばれ、２５℃の温度に保たれた
抵抗率１７．５ＭΩ−ｃｍの純水をノズル１３２から５
０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² の圧力で吹き付けられる。純水接触
工程の終わった導電性基体１０１は搬送機構１０３によ
り乾燥槽１４１へ移動され、ノズル１４２から高温の高
圧空気を吹き付けられ乾燥される。乾燥工程の終了した
導電性基体１０１は、搬送機構１０３により搬出台１５
１に運ばれる。

【０２４９】次にこれらの切削加工および前処理の終了
した導電性基体表面に図２（ａ）および図２（ｂ）に示
すマイクロ波プラズマＣＶＤ法による光導電部材堆積膜
の形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした
堆積膜を形成する。図２（ａ）、および図２（ｂ）にお
いて、２０１は反応容器であり、真空気密化構造を成し
ている。また、２０２は、マイクロ波電力を反応容器２
０１内に効率よく透過し、かつ真空気密を保持し得るよ
うな材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス
等）で形成されたマイクロ波導入誘電体窓である。２０
３はマイクロ波電力の伝送を行う導波管であり、マイク
ロ波電源から反応容器近傍までの矩形の部分と、反応容
器に挿入された円筒形の部分からなっている。導波管２
０３はスタブチューナー（図示せず）、アイソレーター
（図示せず）とともにマイクロ波電源（図示せず）に接
続されている。誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を
保持するために導波管２０３の円筒形の部分内壁に気密
封止されている。２０４は、一端が反応容器２０１に開
口し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気
管である。２０６は導電性基体２０５により囲まれた放
電空間を示す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流
電圧を印加するための直流電源（バイアス電源）であ
り、電極２１２に電気的に接続されている。こうした堆
積膜形成装置を使用した電子写真感光体の製造は以下の
ようにして行う。まず真空ポンプ（図示せず）により排
気管２０４を介して、反応容器２０１を排気し、反応容
器２０１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整す
る。ついでヒーター２０７により、基体２０５の温度を
所定の温度に加熱保持する。そこで原料ガスを不図示の
ガス導入手段を介して、アモルファスシリコンの原料ガ
スとしてシランガス、ドーピングガスとしてジボランガ
ス、希釈ガスとしてヘリウムガス等の原料ガスが反応容
器２０１内に導入される。それと同時併行的にマイクロ
波電源（図示せず）により周波数２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発生させ、導波管２０３を通じ、誘電体窓２０
２を介して反応容器２０１内に導入する。更に放電空間
２０６中のバイアス電極２１２に電気的に接続された直
流電源２１１によりバイアス電極２１２に基体２０５に
対して直流電圧を印加する。かくして導電性基体２０５
により囲まれた放電空間２０６に於て、原料ガスはマイ
クロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更にバイ
アス電極２１２と基体２０５の間の電界により定常的に
導電性基体２０５上にイオン衝撃を受けながら、基体２
０５表面に堆積膜が形成される。この時、導電性基体２
０５が設置された回転軸２０９をモーター２１０により
回転させ、導電性基体２０５を基体母線方向中心軸の回
りに回転させることにより、導電性基体２０５全周に渡
って均一に堆積膜層を形成する。

【０２５０】こうした製造装置により例えば第１１１表
に示されるような条件により本発明の必須要件である第
１の光導電層、第２の光導電層、および表面層からなる
電子写真感光体を作製することができる。次に本発明に
おいて、詳細に説明する。本発明において、洗浄工程に
使用される洗浄液は、水または水に界面活性剤を添加し
たものが望ましい。そしてその水質は、いずれでも可能
である。また洗浄工程で用いられる界面活性剤は、陰イ
オン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活
性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混合したもの
等、いずれのものでも可能である。またトリポリリン酸
ナトリウム等の添加剤を添加しても本発明は有効であ
る。本発明の洗浄工程で用いられる水の温度は、高すぎ
ると導電性基体表面に酸化膜が発生してしまい、堆積膜
の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗浄効果が小
さく、さらに本発明の効果が充分得られない。この為、
水の温度としては、１０℃以上、９０℃以下、好ましく
は２０℃以上、７５℃以下、最適には３０℃以上、５５
℃以下が本発明には適している。本発明において洗浄工
程に超音波を用いることは本発明の効果を十分に出す上
で好ましい。超音波の周波数は、好ましくは１００Ｈｚ
以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは１ｋＨｚ以上、
５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上、１００ｋＨｚ
以下が効果的である。超音波の出力は、好ましくは１０
Ｗ以上、１００ｋＷ以下、更に好ましくは１００Ｗ以
上、１０ｋＷ以下効果的である。

【０２５１】本発明の純水接触工程に使用される水の水
質は、非常に重要であり半導体グレードの純水、特に超
ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温
２５℃の時の抵抗率として、１ＭΩ−ｃｍ以上、好まし
くは４ＭΩ−ｃｍ以上、最適には１０ＭΩ−ｃｍ以上が
本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ
以上が１ミリリットル中に１０００００個以下、好まし
くは１００００個以下、最適には１０００個以下が本発
明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミ
リリットル中に１０００個以下、好ましくは１００個以
下、最適には１０個以下が本発明には適している。有機
物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１００ｍｇ以下、好
ましくは１０ｍｇ以下、最適には２ｍｇ以下が本発明に
は適している。上記の水質の水を得る方法としては、活
性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆
浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数
組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望
ましい。導電性基体表面に純水を接触させるときは、水
圧を掛けて吹き付けることが望ましい。吹き付ける際の
水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとな
り、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特に
ハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしま
う。この為、水の圧力としては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ ² 以
上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、好ましくは１０ｋｇ
・ｆ／ｃｍ² 以上、、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最
適には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃ
ｍ² 以下が本発明には適している。但し、本発明におけ
る圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は、重力キログラム毎平方
センチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は９８０
６６．５Ｐａと等しい。本発明の純水を吹き付ける方法
には、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付け
る方法、またはポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズ
ルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法
等がある。

【０２５２】本発明の純水の流量としては、発明の効果
と、経済性から、導電性基体１本当り１リットル／ｍｉ
ｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リ
ットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最
適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ
以下が適している。本発明の純水の温度は、高すぎると
導電性基体上に酸化膜が発生してしまい堆積膜の剥れ等
の原因となる、さらに本発明の効果が充分に得られな
い。また、低すぎるとやはり本発明の効果が充分得られ
ない。この為、純水の温度としては、５℃以上、９０℃
以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、最適には１
５℃以上、４０℃以下が本発明には適している。水接触
処理の処理時間は、長すぎると導電性基体上に酸化膜が
発生してしまい、短すぎると本発明の効果が小さいた
め、１０秒以上、３０分以下、好ましくは２０秒以上、
２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下が本発明
には適している。本発明において、堆積膜形成時の基体
表面の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆積膜形成
の直前に基体表面の切削を行なうことは重要なことであ
る。切削から水接触処理までの時間は、長すぎると基体
表面に再び酸化膜が発生してしまい、短すぎると工程が
安定しないため、１分以上、１６時間以下、好ましくは
２分以上、８時間以下、最適には３分以上、４時間以下
が本発明には適している。水接触処理から堆積膜形成装
置へ投入までの時間は、長すぎると本発明の効果が小さ
くなってしまい、短すぎると工程が安定しないため、１
分以上、８時間以下、好ましくは２分以上、４時間以
下、最適には３分以上、２時間以下が本発明には適して
いる。

【０２５３】本発明で用いられる導電性基体としては、
例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性導電性基体の少
なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した基
体も用いることができるものであるが、機械的強度等か
ら金属が好ましい。本発明では、導電性基体を所定の精
度で切削した後、表面の形状について加工をおこなって
も有効である。例えばレーザー光などの可干渉性光を用
いて像記録を行う場合には、可視画像において現われる
干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電性基
体表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体表面に設けら
れる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６０
−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報等
に記載された公知の方法により作製される。又、レーザ
ー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による画
像不良を解消する別の方法として、導電性基体表面に複
数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即
ち、導電性基体の表面が電子写真用感光体に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。導電性基体表面に設
けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１
−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作
製される。

【０２５４】本発明における第１の光導電層は、導電性
基体側より、構成要素としてシリコン原子と炭素原子、
水素原子を含むｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ）から成る光導電層に
より構成され、所望の光導電特性、特に電荷保持特性、
電荷発生特性、電荷輸送特性を有する。前記光導電層に
含有される炭素原子は分布を成し、該分布が前記導電性
基体の表面に各々平行な面内では実質的に均一であり、
層の厚み方向には不均一であって、膜厚方向の各点にお
いて前記導電性基体側の含有率が高く、前記表面層側の
含有率が低く分布している。炭素原子の含有量として
は、前記導電性基体の設けてある側の表面又は表面近傍
で０．５％以下であれば前述の導電性基体との密着性向
上及び、電荷の注入阻止の機能が悪化し、さらに静電容
量の減少による帯電能向上の効果が無くなる。また５０
％以上では残留電位が発生してしまう。このため、実用
的には０．５〜５０原子％、好ましくは１〜４０原子％
であり、最適には１〜３０原子％とされるのが好まし
い。また、本発明において光導電層中に水素原子が含有
されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結
合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷
保持特性を向上させるために必須不可欠であるからであ
る。特に炭素原子が含有された場合、その膜質を維持す
るために、より多くの水素原子が必要となるため、炭素
含有量にしたがって含有される水素量が調整されること
が望ましい。よって、導電性基体表面の水素原子の含有
量は望ましくは１〜４０原子％、より好ましくは５〜３
５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが好ま
しい。本発明において、第１の光導電層は真空堆積膜形
成方法によって、所望の特性が得られるように適宜成膜
パラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体
的には、グロー放電報（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ
法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あ
るいは直流放電ＣＶＤ法等）によって形成することがで
きる。グロー放電法によってｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ光導電層
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供
給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供
給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反
応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内に
グロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置さ
れてある所定の導電性基体表面上にｎｃ−ＳｉＣ：Ｈか
らなる層を形成すればよい。

【０２５５】本発明において、第１の光導電層中の炭素
含有量を徐徐に変えるには炭素原子を供給し得る原料ガ
スを徐徐に減らしていくことにより達成できる。本発明
において、第１の光導電層の層厚は所望の電子写真特性
が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望にし
たがって決定され、第１の光導電層の膜厚については、
好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４０μ
ｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望ましい。本
発明において第２の光導電層は、構成要素としてシリコ
ン原子と水素原子を含むｎｃ−Ｓｉ：Ｈから成り、所望
の光導電特性、特に電荷発生特性、電荷輸送特性を有す
る。本発明の第２の光導電層は、長波長の光の吸収を高
め感度を向上さすために、また、帯電極性と逆極性のキ
ャリアの走光性が第１の光導電層より良いことから、特
にゴーストを軽減する目的のために設けられる。本発明
において、第２の光導電層は第１の光導電層と同様の方
法により形成することができる。グロー放電法によって
ｎｃ−Ｓｉ：Ｈ光導電層を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと
を、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で
導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あら
かじめ所定の位置に設置されてある所定の導電性基体表
面上にｎｃ−Ｓｉ：Ｈからなる層を形成すればよい。本
発明において、第２の光導電層の層厚は所望の電子写真
特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望
にしたがって決定され、第２の光導電層については、好
ましくは０．５〜１５μｍ、より好ましくは１〜１０μ
ｍ、最適には１〜５μｍとされるのが望ましい。

【０２５６】本発明の第１および第２の光導電層を作製
するために使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質と
しては、ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ
₁₀，等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げら
れる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応
じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使
用してもよい。本発明において、炭素原子導入用の原料
物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。炭素原子（Ｃ）導入用の原
料ガスになり得るものとして有効に使用される出発物質
は、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。具
体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ ₄ ）、
エタン（Ｃ₂ Ｈ₆ ）、プロパン（Ｃ₃ Ｈ₈ ）、ｎ−ブタ
ン（ｎ−Ｃ₄ Ｈ₁₀）、ペンタン（Ｃ₅ Ｈ₁₂）、エチレン
系炭化水素としては、エチレン（Ｃ₂ Ｈ₄）、プロピレ
ン（Ｃ₃ Ｈ₆ ）、ブテン−１（Ｃ₄ Ｈ₈ ）、ブテン−２
（Ｃ₄ Ｈ₈）、イソブチレン（Ｃ₄ Ｈ₈ ）、ペンテン
（Ｃ₅ Ｈ₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、アセチ
レン（Ｃ₂ Ｈ₂ ）、メチルアセチレン（Ｃ₃ Ｈ₄ ）、ブ
チン（Ｃ₄ Ｈ₆ ）等が挙げられる。また、ＳｉとＣとを
構成原子とする原料ガスとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₄ 、
Ｓｉ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ 等のケイ化アルキルを挙げることが
できる。

【０２５７】水素原子を第１および第２の光導電層中に
構造的に導入するには、上記の他にＨ₂ 、あるいはＳｉ
Ｈ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等の水素化
珪素とＳｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化
合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させること
でも行うことができる。第１および第２の光導電層中に
含有される水素原子の量を制御するには、例えば導電性
基体の温度、水素原子を含有させるために使用される原
料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御す
ればよい。本発明において第１の光導電層にハロゲン原
子を含有させることは特に有効である。本発明において
第１の光導電層に含有されるハロゲン原子は、炭素原
子、水素原子の凝集を抑制し、バンドギャップ中の局在
準位密度を低減させるため、ゴーストを改善し、層品質
の均一性の向上に効果を発揮する。ハロゲン原子が１原
子ｐｐｍより少ないと、ハロゲン原子によるゴーストの
改善効果が十分発揮されず、また９５原子ｐｐｍを越え
ると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じるようにな
ってしまう。したがって、ハロゲン原子の含有量は実用
的には１〜９５原子ｐｐｍ、より好ましくは３〜８０原
子ｐｐｍ、最適には５〜５０原子ｐｐｍとされるのが好
ましい。特に第１の光導電層に前述のごとき範囲で炭素
原子を含有せしめたときに、ハロゲン原子の含有量を上
記した範囲に設定することにより、光導電特性、画像特
性および耐久性が著しく向上することが実験により確か
められた。さらに加えて、含有するハロゲン原子を基体
近傍から第２の光導電層近傍に向かって徐々に多くなる
ように分布させることは、本発明にとって特に有効であ
る。ハロゲン原子を層厚方向に不均一に分布させること
によって炭素原子の含有量が層厚方向に変化するのに伴
い基体側と表面層側との間に発生する内部応力の変化を
緩和するため、堆積膜中の欠陥が減少し膜質が向上す
る。その結果、電子写真感光体の使用環境の温度変化に
従って特性が変化する、いわゆる温度特性を向上させる
ことが可能になり帯電能およびコピー間の画像濃度むら
等の電子写真特性が改善される。

【０２５８】こうしたハロゲン原子としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素があるが、好ましくはフッ素、塩素
がよく、より好ましくは、フッ素がよい。こうしたフッ
素原子を層中に含有させるために供給用ガスとして有効
なのは、たとえばフッ素ガス、フッ素化物、フッ素をふ
くむハロゲン化合物、フッ素で置換されたシラン誘導体
等のガス状のまたはガス化し得るフッ素化合物が好まし
く挙げられる。また、さらにはシリコン原子とフッ素原
子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、フ
ッ素原子を含む水素化シリコン化合物も有効なものとし
て挙げることができる。本発明において好適に使用し得
るフッ素化合物としては、具体的にはＦ ₂ 、ＢｒＦ、Ｃ
ｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、ＩＦ₇
等のハロゲン化合物を挙げることができる。フッ素原子
を含むシリコン化合物、いわゆるフッ素原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化シリコンが好ましいものとし
て挙げることができる。このようなフッ素原子を含むシ
リコン化合物を採用してグロー放電等によって本発明の
特徴的な電子写真用光受容部材を形成する場合には、シ
リコン供給用ガスとしての水素化シリコンガスを使用し
なくても、所定の基体上にフッ素原子を含む非単晶シリ
コンからなる光導電層を形成することができるが、形成
される光導電層中に導入される水素原子の導入割合の制
御を一層容易になるようにするために、これらのガスに
更に水素ガスまたは水素原子を含むシリコン化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが好ましい。又、各
ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合して
も差し支えないものである。本発明においては、フッ素
原子供給用ガスとして上記されたフッ化物あるいはフッ
素を含むシリコン化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、そのほかに、ＨＦ、ＳｉＨ₃ Ｆ、ＳｉＨ
₂ Ｆ₂ 、ＳｉＨＦ₃ 等のフッ素置換水素化シリコン、等
々のガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効な光導
電層形成用の原料物質として挙げることが出来る。これ
らの物質の内、水素原子を含むフッ素化物は、光導電層
形成の際に層中にフッ素原子の導入と同時に、電気的あ
るいは光電的特性の制御にきわめて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なフッ素原子供給
用ガスとして使用される。

【０２５９】本発明において第１の光導電層にハロゲン
原子に加えて酸素原子を含有することも有効である。こ
の場合、ハロゲン原子との相乗作用により堆積膜の内部
応力を緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このために光
導電層中でのキャリアの走行光性が改善され、電位シフ
トが減少する。こうした酸素原子の含有量としては上記
ハロゲン原子含有量の範囲内において１０〜５０００原
子ｐｐｍの範囲が好ましい。さらに本発明にとって光導
電層中に含有される酸素原子を基体側から表面層側に向
かって多くなるように分布させることはさらに好ましい
ことである。この時堆積膜中の内部応力を効果的に緩和
して膜の構造欠陥を抑制するため光導電層中でのキャリ
アの走行性が改善され電位シフト等の表面電位特性がさ
らに改善される。本発明において第１の光導電層に酸素
原子を含有させる為の原料ガスとしては、酸素（Ｏ
₂ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂ ）、一
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂ ）、酸化二窒素
（Ｎ₂ Ｏ）を微量含んだ希釈ガスを原料ガスに加えるこ
とが効果的である。さらに本発明においては、第１およ
び第２の光導電層には必要に応じて伝導性を制御する原
子（Ｍ）を含有させることが好ましい。伝導性を制御す
る原子は、第１および第２の光導電層中に万偏なく均一
に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方
向には不均一な分布状態で含有している部分があっても
よい。

【０２６０】前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する
原子（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ
族原子」と略記する）を用いることができる。第III 族
原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、
タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適
である。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒
素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等
があり、特にＰ、Ａｓが好適である。光導電層に含有さ
れる伝導性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好
ましくは１×１０^-3〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ま
しくは１×１０^-2〜１×１０ ⁴ 原子ｐｐｍ、最適には１
×１０^-1〜５×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。特に、第１の光導電層において炭素原子（Ｃ）の含
有量が１×１０³ 原子ｐｐｍ以下の場合は、光導電層に
含有される原子（Ｍ）の含有量としては好ましくは１×
１０^-3〜１×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましく、
炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０³ 原子ｐｐｍを越え
る場合は、原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１
×１０^-1〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。光導電層中に、伝導性を制御する原子、たとえば、
第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器
中に、光導電層を形成するための他のガスとともに導入
してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第III 族原子導入用の原料物質として具
体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄
Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆
Ｈ₁₄等の水素化ホウ素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等
のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ
₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、Ｔｌ
Ｃｌ₃ 等も挙げることができる。

【０２６１】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃ 、Ｐ₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ
₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣｌ₃ 、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ
₅ 、ＰＩ₃ 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ
₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、Ｓｂ
Ｃｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、ＢｉＣｌ ₃ 、ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖ族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
できる。また、これらの伝導性を制御する原子導入用の
原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。さらに本発明の光受
容部材の光導電層には、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VI
ａ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有
してもよい。前記元素は前記光導電層中に万偏無く均一
に分布されてもよいし、あるいは該光導電層中に万偏無
く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布す
る状態で含有している部分があってもよい。しかしなが
ら、いずれの場合においても導電性基体の表面と平行な
面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有されて
いることが、面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。第Ｉａ族原子としては、具体的には、
リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム
（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子としては、ベ
リリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム
（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）
等を挙げることができる。

【０２６２】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子としては、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等を
挙げることができる。本発明の目的を達成し得る特性を
有するｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ）から成る光導電層を形成する
には、導電性基体の温度、反応容器内のガス圧を所望に
したがって、適宜設定する必要がある。導電性基体の温
度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、通常の場合、好ましくは２０〜５００℃、よ
り好ましくは５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０
℃とするのが望ましい。本発明における表面層は、構成
要素としてシリコン原子と炭素原子、水素原子、酸素原
子および窒素原子を含有する非単結晶材料で構成され
る。本発明における表面層には光導電層中に含有される
ような伝導性を制御する物質は実質的には含有されな
い。該表面層に含有される炭素原子は該層中に万偏なく
均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には万偏
なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有
している部分があってもよい。しかしながら、いずれの
場合にも導電性基体の表面と平行面内方向においては、
均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向におけ
る特性の均一化をはかる点からも必要である。本発明に
おける表面層の全層領域に含有される炭素原子、酸素原
子、および窒素原子は、高暗抵抗化、高硬度化等の効果
を奏する。該表面層中に含有される上記３原子の含有量
の合計は、（炭素原子＋酸素原子＋窒素原子）／（シリ
コン原子＋炭素原子＋酸素原子＋窒素原子）の値で好適
には４０〜９０原子％、より好適には４５〜８５原子
％、最適には５０〜８０原子％とされるのが望ましい。
本発明における効果をよりいっそう発揮するためには、
酸素原子、窒素原子の含有量は共に１０原子％以下が好
ましい。

【０２６３】また、本発明における表面層に含有される
水素原子、酸素原子および窒素原子はｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ
内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏
し、光導電層と表面層の界面にトラップされるキャリア
を減少させるため、画像流れを改善する。また、表面層
中に酸素原子および窒素原子を含有する事により表面層
と光導電層との界面の密着性が向上し、さらに表面層自
身の構造を変化させる事が可能になり、電子写真感光体
の表面性、耐圧、光導電層および導電性基体であるアル
ミシリンダーの保護機能等が向上し、電子写真感光体の
耐久性を優れた電気特性を維持したままで飛躍的に向上
させる事ができる。すなわち、連続して大量に画像形成
を行ってもクリーニングブレードや分離爪へのダメージ
が少なく、クリーニング性および転写紙の分離性も良好
になる。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的
に向上する事ができる。さらに誘電率の低下により高電
圧に対する耐久性も向上するため、光受容部材の一部が
絶縁破壊する事によって起こる「リークポチ」がさらに
発生しにくくなる。さらに本発明の表面層にハロゲン原
子をさらに含有することも有効である。該表面層に含有
されたハロゲン原子は撥水性を向上させるので、水蒸気
の吸着による高湿流れをも減少し、電子写真感光体の電
気特性をさらに改善する。該表面層中に含有されるハロ
ゲン原子は２０原子％以下であり、さらに水素原子とハ
ロゲン原子の含有量の和は表面層中のすべての原子の和
に対して好適には３０〜７０原子％、より好適には３５
〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが望
ましい。

【０２６４】本発明においてｎｃ−ＳｉＣ：Ｈで構成さ
れる表面層を形成するには、前述の光導電層を形成する
方法と同様の真空堆積法が採用される。本発明において
表面層を形成するにおいて使用されるシリコン供給用ガ
スおよび炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得るも
のは、先に挙げた光導電層を形成するときと同じものが
使用可能である。本発明において表面層に酸素原子およ
び窒素原子を含有させる為の導入ガスとしては、酸素原
子用としては酸素（Ｏ₂ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸
化炭素（ＣＯ₂ ）、窒素原子用としては窒素（Ｎ₂ ）
アンモニア（ＮＨ₃ ）などが挙げられる。また酸素およ
び窒素原子を同時に含有するものとして一酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ₂ ）、酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）が
好ましいものである。さらに本発明において表面層に、
周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選ばれ
る少なくとも１種の元素を含有してもよい。前記元素は
前記光導電層中に万偏無く均一に分布されてもよいし、
あるいは該光導電層中に万偏無く含有されてはいるが、
層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。しかしながら、いずれの場合におい
ても導電性基体の表面と平行な面内方向においては、均
一な分布で万偏無く含有されていることが、面内方向に
おける特性の均一化を図る点からも必要である。第Ｉａ
族原子としては、具体的には、リチウム（Ｌｉ）、ナト
リウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）を挙げることができ、
第IIａ族原子としては、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシ
ウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム
（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等を挙げることができる。

【０２６５】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子としては、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等を
挙げることができる。本発明において、表面層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好まし
くは０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍと
されるのが望ましい。本発明の目的を達成し得る特性を
有する表面層を形成する場合には、導電性基体の温度、
ガス圧が前記表面層の特性を左右する重要な要因であ
る。導電性基体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好
ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０
℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。反
応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択されるが、好ま
しくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが望ましい。本発明においては、表面層を形成
するための導電性基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲
として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作製フ
ァクターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的且つ
有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの最適値を
決めるのが望ましい。本発明の光受容部材においては、
光導電層と表面層との間に、組成を連続的に変化させた
層領域を設けてもよい。該層領域を設けることにより各
層間での密着性をより向上させることができる。

【０２６６】さらに本発明の光受容部材においては、光
導電層の前記導電性基体側に、少なくともアルミニウム
原子、シリコン原子、炭素原子および水素原子が層厚方
向に不均一な分布状態で含有する層領域を有することが
望ましい。本発明において、プラズマを発生させるエネ
ルギーは、ＤＣ、高周波、マイクロ波等いずれでも可能
であるが、特に、プラズマの発生のエネルギーにマイク
ロ波または高周波を用いた場合、本発明の効果がより顕
著なものとなる。本発明において、プラズマ発生のため
にマイクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を
発生させることができればいずれでも良いが、１００Ｗ
以上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ
以下が本発明を実施するに当たり適当である。以下、本
発明の効果を、実施例を用いて具体的に説明するが、本
発明はこれらにより何ら限定されるものではない。 ＜実施例６２および比較例１８＞実施例６２ 純度９９．５％のアルミニウムよりなる直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述
の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例
と同様の手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分
後に図１に示す表面処理装置により、第１１０表に示す
条件により基体表面の前処理を行なった。但し、本実施
例では界面活性剤としてはポリエチレングリコールノニ
ルフェニルエーテルを１ｗｔ％水溶液として用いた。こ
のように前処理を行なったアルミシリンダー上に、さき
に詳述した手順にしたがって、図４に示す電子写真感光
体の製造装置を用い、高周波グロー放電法により第１１
１表に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実
施例では、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図
６１のように変化させるために、光導電層の形成時に導
入するＣＨ₄ の流量をリニアに変化させた。この時の光
導電層の基体との界面での炭素含有量は、約１０原子％
となるようにした。なお、炭素含有量の測定にはラザフ
ォード後方散乱法による元素分析で行なった。

【０２６７】作製した電子写真感光体をまず目視により
表面性を評価し、その後キヤノン製複写機ＮＰ−７５５
０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能、
感度、残留電位等、電子写真特性および耐久後の画像特
性について以下の評価を行なった。 表面の曇り 作製した電子写真感光体を、目視により表面の曇りの程
度の検査を行なった。 ◎は曇り無し 〇は一部曇りあり △は部分的に、数カ所曇りがあり ×は全面に曇りがある。 帯電能・感度・残留電位 帯電能………電子写真感光体を実験装置に設置し、帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行ない、表
面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定す
る。 感 度………電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に
帯電させる。そして直ちに光像を照射する。光像はキセ
ノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ
以下の波長域の光を除いた光を照射する。この時表面電
位計により電子写真感光体の明部表面電位を測定する。
明部表面電位が所定の電位になるよう露光量を調整し、
この時の露光量をもって感度とする。

【０２６８】残留電位……電子写真感光体を、一定の暗
部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量の比較
的強い光を照射する。光像はキセノンランプ光源を用
い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を
除いた光を照射した。この時、表面電位計により電子写
真感光体の明部表面電位を測定する。 白ポチ・ハーフトーンむら…電子写真感光体を、キヤ
ノン社製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した複写
機にいれ、通常の電子写真プロセスにより転写し紙面上
に画像を形成し、下記の手順により画像の評価を行なっ
た。 白ポチ………キヤノン製全面黒チャート（部品番号：Ｆ
Ｙ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたときに得ら
れたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下
の白ポチについて、その数を数えた。 ハーフトームむら…キヤノン製中間調チャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピーしたとき
に得られたコピー画像上で直径０．０５ｍｍの円形の領
域を１単位として１００点の画像濃度を測定し、その画
像濃度のばらつきを評価した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 耐久後の画像特性…作製した電子写真感光体をキヤノ
ン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真
装置に設置し３５０万枚相当の加速耐久試験を行なっ
た。そして、画像特性について以下の評価を行なった。

【０２６９】画像流れ……白地に全面文字よりなるキヤ
ノン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）
を原稿台に置き通常の露光量の２倍の露光量で照射しコ
ピーをとる。得られたコピー画像を観察し、画像上の細
線が途切れずにつながっているか評価した。但しこの時
画像上でむらがある時は、全画像領域で評価し一番悪い
部分の結果を示した。 ◎…良好 〇…一部途切れあり。 △…途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題な
い。 黒ポチ………白紙を原稿台に置きコピーしたときに得ら
れたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下
の黒い画像欠陥について、その数を数えた。それぞれに
ついて、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 これらの結果を第１１２表に示す。比較例１８ 実施例６２と同様の導電性基体を同様の手順で切削を行
い、切削が終了した導電性基体は、図３に示す従来の導
電性基体の洗浄装置により第１１３表の条件で基体表面
の処理を行った。図３に示す導電性基体の洗浄装置は、
処理槽３０２と基体搬送機構３０３よりなっている。処
理槽３０２は、基体投入台３１１、基体洗浄槽３２１、
基体搬出台３５１よりなっている。洗浄槽３２１は液の
温度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付
いている。搬送機構３０３は、搬送レール３６５と搬送
アーム３６１よりなり、搬送アーム３６１は、レール３
６５上を移動する移動機構３６２、基体３０１を保持す
るチャッキング機構３６３、およびこのチャッキング機
構３６３を上下させるためのエアーシリンダー３６４よ
りなっている。

【０２７０】切削後、投入台上３１１に置かれた基体３
０１は、搬送機構３０３により洗浄槽３２１に搬送され
る。洗浄槽３２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ 旭化成工業社製）３２２により表面に付着し
ている切削油および切り粉を除去するための洗浄が行な
われる。洗浄後、基体３０１は、搬送機構３０３により
搬出台３５１に運ばれる。このようにして従来の基体の
前処理を行った基体に実施例６２と同様にして、第１１
４表に示す条件で基体、電荷輸送層、電荷発生層、表面
層の３層構成の、いわゆる機能分離型電子写真感光体を
作製した。得られた電子写真感光体の評価は実施例６２
と同様に行ない、実施例６２の結果と合せて第１１２表
に示す。第１１２表より明らかなように本発明の方法に
よれば、感度が向上し、なおかつ残留電位が低く抑えら
れている。そして特に感光体の表面の曇り、およびハー
フトーンむらに関してすぐれた特性を示していることが
わかる。さらに、本発明によれば３５０万枚という耐久
後においても画像上なんの支障もないことがわかる。 ＜実施例６３および比較例１９＞実施例６３ 図１に示す基体表面処理装置により実施例６２と同様の
基体の前処理を行なった基体上に、図２（ａ）、２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、第１１５表に示す条件により
電子写真感光体を作製した。作製した電子写真感光体は
実施例６２と同様の評価を行なった。その結果実施例６
２とまったく同様の結果が得られた。比較例１９ 図３に示す基体表面処理装置により比較例１８と同様の
前処理を行なった導電性基体上に、図２（ａ）、２
（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用い、マイク
ロ波グロー放電法により、第１１６表に示す条件で基
体、電荷輸送層、電荷発生層、表面層の３層構成の、い
わゆる機能分離型電子写真感光体を作製した。得られた
電子写真感光体の評価は実施例６３と同様に行なった。
その結果、比較例１９とまったく同様の結果が得られ
た。 ＜実施例６４および比較例２０＞実施例６４ 図１に示す基体表面処理装置により実施例６２と同様の
前処理を行なった基体上に、図４に示す電子写真感光体
の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがって、
高周波グロー放電法により第１１７表に示す作製条件で
電子写真感光体を作製した。本実施例では、光導電層中
の炭素含有量の変化パターンを図６２、図６３に示すよ
うに変化させるために、光導電層の形成時に導入するＣ
Ｈ₄ の流量を変化させ、２種類の感光体を作製した。い
ずれのパターンにおいても光導電層の基体側表面での炭
素含有量は、約１０原子％となるようにした。なお、炭
素含有量の測定にはラザフォード後方散乱法による元素
分析により標準サンプルの検量線を作製し、標準サンプ
ルと作製したサンプルをオージェ分光法によるシグナル
強度から絶対量を求めた。

【０２７１】作製した電子写真感光体の表面の曇りを目
視により判断しキヤノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験
用に改造した電子写真装置に設置し、感度、残留電位、
白ポチ、ハーフトーンむらについて実施例６２と同様の
方法で評価した。その後、加速耐久試験装置により３５
０万枚相当の評価を行ない、画像流れ、黒ポチの評価は
実施例６２と同様に行ないその結果を第１１８表に示
す。比較例２０ 比較例１８と同様に前処理を行なった基体上に、実施例
６４と同様にして、図６４、図６５に示す炭素含有量パ
ターンで電子写真感光体を作製し、実施例６４と同様の
評価を行なった。そしてその結果を第１１８表に、実施
例６４の評価結果とあわせて示す。第１１８表より、本
発明の光導電層の炭素量変化パターンでは比較例２０の
結果に比べて初期特性、耐久後の画像特性のいずれも良
好な結果が得られていることがわかる。 ＜実施例６５および比較例２１＞実施例６５ 図１に示す基体表面処理装置により、実施例６２と同様
の前処理を行った基体上に、図２（ａ）、２（ｂ）に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー
放電法を用いる以外は実施例６４と同様にして、第１１
９表に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実
施例では、光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図
６２、図６３のように変化させるために、光導電層の形
成時に導入するＣＨ₄ の流量を変化させた。いずれのパ
ターンにおいても光導電層の基体側表面での炭素含有量
は、約１０原子％となるようにした。なお、炭素含有量
の測定にはラザフォード後方散乱法による元素分析で行
なった。作製した電子写真感光体は実施例６４とまった
く同様の結果が得られた。比較例２１ 図３に示す基体表面処理装置により、比較例１８と同様
に前処理を行なった基体上に、実施例６５と同様にし
て、図６４、図６５に示す炭素含有量パターンで電子写
真感光体を作製した。得られた電子写真感光体を実施例
６５と同様の評価を行なったところ、比較例２０とまっ
たく同様の結果が得られた。 ＜実施例６６＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、さきに詳述した手
順にしたがって、高周波グロー放電法により第１１１表
に示す作製条件で電子写真感光体を作製した。本実施例
では、光導電層中の炭素含有量の変化パターンは図６１
を用い、基体側表面の炭素含有量を光導電層の形成時に
導入するＣＨ₄ の流量を変えることにより変化させた。
そして光導電層の基体側表面での炭素含有量は、ラザフ
ォード後方散乱法による元素分析で同定した。

【０２７２】作製した電子写真感光体の表面の曇りおよ
び球状突起の発生数、更にキヤノン製複写機ＮＰ−７５
５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電
能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむら等の電
子写真特性および３５０万枚相当の耐久後の画像性の評
価を行なった。各項目は、以下の方法で評価した。 表面の曇り 実施例６２と同様にして評価した。 球状突起の数 作製した電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察
し、１００ｃｍ² の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。各電子写真感光体について結果を
出し、最も球状突起の数の多かったものを１００％とし
て相対比較をした。その結果を以下のように分類した。 ◎は６０％未満 〇は８０〜６０％ △は１００〜８０％ 残留電位 実施例６２と同様にして評価した。 白ポチ・ハーフトーンむら 白ポチ・ハーフトーンむら…実施例６２と同様にして評
価した。 このようにして得られた結果をまとめて第１２０表に示
す。この結果から、光導電層の基体側表面の炭素量とし
ては、０．５〜５０原子％で特性の向上が見られ、さら
に１〜３０原子％できわめて良好な結果が得られてい
る。 ＜実施例６７＞図１に示す基体表面処理装置により実施
例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ）、２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、さきに詳述した手順にしたがって、マイクロ波グロ
ー放電法により、第１１５表に示す作製条件で電子写真
感光体を作製した。本実施例では、光導電層中の炭素含
有量の変化パターンは図６１を用い、基体側表面の炭素
含有量を光導電層の形成時に導入するＣＨ₄ の流量を各
感光体ごとに変えることにより変化させた。そして、実
施例６６と同様にして評価した結果、第１２０表とまっ
たく同じ結果が得られた。 ＜実施例６８＞実施例６２と同様の前処理を行った基体
上に、図４に示す電子写真感光体の製造装置を用い、さ
きに詳述した手順にしたがって、高周波グロー放電法に
より第１２１表に示す作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実施例では、光導電層中のフッ素含有量を図６
６に示すように変化させるために、光導電層の形成時に
導入するＳｉＦ₄ の流量を変化させた。そして、光導電
層中のフッ素含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ ＩＭ
Ｓ−３Ｆ）による元素分析で行なったところ基体近傍で
３ａｔ．ｐｐｍ、表面層近傍で４０ａｔ．ｐｐｍであっ
た。 （Ｉ）作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ
−８５８０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、
加速耐久試験を行なう前の白ポチ、ハーフトームむら、
ゴースト等の電子写真特性について評価を行なった。各
項目は、実施例６２および実施例６６と同様の方法で評
価した。なお、ゴーストに関しては以下のように評価し
た。

【０２７３】ゴースト…キヤノン製ゴーストテストチャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．
１、¢５ｍｍの黒丸を貼付けたものを原稿台の画像先端
部に置き、その上に、キヤノン製中間調チャートを重ね
ておいた際のコピー画像において中間調コピー上に認め
られるゴーストチャートの¢５ｍｍの反射濃度と中間調
部分の反射濃度との差を測定した。それぞれについて、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 を表わしている。この結果を第１２２表にまとめて示
す。 (II)次に、作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機
ＮＰ−８５８０を実験用に改造した電子写真装置に設置
し３５０万枚相当の加速耐久試験を行なった。そして、
白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト等の電子写真特性
の評価を（Ｉ）と同様に行なった。その結果を第１２３
表にまとめて示す。第１２２表および第１２３表の結果
から、光導電層中のフッ素含有量が９５原子ｐｐｍ以下
の範囲に設定することで画像特性および耐久性に関して
も非常にすぐれた電子写真感光体を作製することが可能
であることが示された。 ＜実施例６９＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ）、２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例６８と同様
に、第１２４表に示す作製条件で電子写真感光体を作製
した。そして作製した電子写真感光体を実施例６８と同
じ手順で評価した。その結果は第１２２表および第１２
３表と全く同様であった。 ＜実施例７０＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電
法により第１２５表の作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実験では表面層にに含有される炭素量を変化さ
せるように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ 流量を変化
させた。

【０２７４】作製した電子写真感光体をキヤノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置して、帯電能、残留電位、耐久前の画像評価、３５０
万枚相当の加速耐久試験後の画像評価を以下に示す方法
で行なった。 帯電能………実施例６２と同様に行なった。 残留電位……実施例６２と同様に行なった。 耐久後の画像評価…白ポチ、擦傷それぞれについて５段
階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段階に
分類した。 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を第１２６表に示す。表より明らかなよう
に、炭素含有量が４０〜９０原子％で帯電能、耐久性に
著しい改善が見られる。 ＜実施例７１＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ）、２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例７０と同様
に、第１２７表に示す作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実験では表面層に含有される炭素量を変化させ
るように、表面層形成時に導入するＣＨ₄ 流量を変化さ
せた。作製した電子写真感光体は実施例９と同じ手順で
評価した。その結果、第１２６表と全く同様の結果が得
られた。 ＜実施例７２＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図４に示
す電子写真感光体の製造装置を用い、高周波グロー放電
法により第１２８表の作製条件で電子写真感光体を作製
した。本実験では表面層に含有される水素原子量および
フッ素原子量を変化させるように、表面層形成時に導入
するＨ₂ および／またはＳｉＦ₄ の流量を変化させた。

【０２７５】作製した電子写真感光体をキヤノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、残留電位・感度・画像流れの３項目について評価
を行なった。 残留電位……実施例６２と同様に行なった。 感 度………実施例６２と同様に行なった。 得られた結果を第１２９表に示す。第１２９表より明ら
かなように、表面層中の、水素含有量とフッ素含有量の
和を３０〜７０原子％とし、かつフッ素の含有量を２０
原子％以下の範囲とすることによって、残留電位、感度
のいずれも良好な結果が得られ、さらに強露光での画像
流れが大幅に抑制できることがわかった。 ＜実施例７３＞図１に示す基体表面処理装置により、実
施例６２と同様の前処理を行なった基体上に、図２
（ａ）、２（ｂ）に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、マイクロ波グロー放電法により実施例７１と同様
に、第１３０表に示す作製条件で電子写真感光体を作製
した。なお、Ｈｅ流量は、Ｈ₂ 流量とあわせて２０００
ｓｃｃｍと、一定になるように変化させ、内圧を一定に
保った。作製した電子写真感光体は実施例７１と同じ手
順で評価した。その結果、第１２９表と全く同様の結果
が得られた。 ＜実施例７４＞図１に示す基体表面処理装置により、第
１３１表に示す条件により、実施例６２と同様の前処理
を行なった基体上に、図２（ａ）、２（ｂ）に示す電子
写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法
により第１３２表に示す条件で電子写真感光体を作製し
た。本実施例では光導電層中のフッ素の含有量を図６６
〜図６９に示す分布形になるようにＳｉＦ₄ ／ＳｉＨ₄
の値が１０〜５０ｐｐｍの範囲内で流量をなめらかに変
化させ、４種類の電子写真感光体を作製した。また、フ
ッ素を含有しないこと以外は同条件で電子写真感光体も
作製した。以上の５種類の電子写真感光体について以下
の評価を行なった。

【０２７６】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト…実施例６２と同様
の評価 温度特性……作製した電子写真感光体をキヤノン社製複
写機ＮＰ８５８０を実験用に改造した複写機にいれ、電
子写真感光体の表面温度を３０〜４５℃まで変化し、帯
電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行な
い、表面電位計により暗部の表面電位を測定する。感光
体の表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で近
似し、その傾きを「温度特性」とし、［Ｖ／ｄｅｇ］の
単位であらわす。 ◎…非常に優れている。 〇…優れている △…実用上問題ない ×…実用的ではない 以上の結果を第１３３表に示す。表より、光導電層中に
フッ素を含有し、しかも膜厚方向に分布させた場合にお
いて、ゴースト、温度特性まで含め、電子写真特性が改
善されていることがわかる。 ＜実施例７５＞図１に示す基体表面処理装置により、第
１３１表に示す条件により、実施例６２と同様の前処理
を行なった基体上に、図２（ａ）、２（ｂ）に示す電子
写真感光体の製造装置を用い、マイクロ波グロー放電法
により第１３２表に示す条件で電子写真感光体を作製し
た。なお本実施例では光導電層中のフッ素の含有量を一
定とし、酸素の含有量を図７０〜図７３に示す分布形に
なるようにＣＯ₂ ／ＳｉＨ₄ の値が１０〜５０ｐｐｍの
範囲内で流量をなめらかに変化させ、４種類の電子写真
感光体を作製した。また、酸素を含有しないこと以外は
同条件で電子写真感光体も作製した。以上の５種類の電
子写真感光体について以下の評価を行なった。

【０２７７】表面の曇り、帯電能、感度、残留電位、白
ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト、温度特性…実施例
７４と同様の評価 電位シフト…電子写真感光体を実験装置に設置して帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電をおこない、
表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定
する。この時帯電器に電圧を印加した直後の暗部表面電
位をＶ_d0とし、２分経過後の暗部表面電位をＶ_dとす
る。そして、Ｖ_d0とＶ_d との差をもって電位シフト量と
する。 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 以上の結果を第１３５表に示す。表より、光導電層中に
フッ素を含有し、しかも酸素原子を含有した場合におい
て、電位シフトの特性に関して効果があることがわか
る。

【０２７８】

【表１１０】

【０２７９】

【表１１１】

【０２８０】

【表１１２】

【０２８１】

【表１１３】

【０２８２】

【表１１４】

【０２８３】

【表１１５】

【０２８４】

【表１１６】

【０２８５】

【表１１７】

【０２８６】

【表１１８】

【０２８７】

【表１１９】

【０２８８】

【表１２０】

【０２８９】

【表１２１】

【０２９０】

【表１２２】

【０２９１】

【表１２３】

【０２９２】

【表１２４】

【０２９３】

【表１２５】

【０２９４】

【表１２６】

【０２９５】

【表１２７】

【０２９６】

【表１２８】

【０２９７】

【表１２９】

【０２９８】

【表１３０】

【０２９９】

【表１３１】

【０３００】

【表１３２】

【０３０１】

【表１３３】

【０３０２】

【表１３４】

【０３０３】

【表１３５】

【０３０４】（第６，７の発明）本発明の光受容部材
は、支持体の表面が、複数の球状の氷の粒子を自然落下
または加圧噴射させ、複数の球状の氷の粒子を支持体の
表面に衝突させて得られた複数の痕跡窪みによる凹凸を
有していることにより、多層構成の光受容層の各層界面
からの反射光と光受容部材の表面からの反射光とはそれ
ぞれ反射方向が異なるため、いわゆるニュートンリング
現象に相当するシェアリング干渉が生起し、干渉縞は痕
跡窪み内で分散される。本発明の光受容部材作成方法
は、複数の球状の氷の粒子を自然落下または加圧噴射さ
せ、複数の球状の氷の粒子を支持体の表面に衝突させ
て、支持体の表面に複数の痕跡窪みによる凹凸を形成す
る凹凸形成工程を有することにより、氷の粒子の径を自
由に変えて痕跡窪みの形状を変化させることができるた
め、種々の作成条件にも容易に対応することができる。
また、支持体の表面上の油脂などの汚れがあっても、油
脂は氷の粒子により冷却され硬化収縮されるとともに、
氷の粒子により砕かれてはじき飛ばされてしまうため、
凹凸形成工程時に支持体の表面を清浄することができ
る。

【０３０５】

【実施例】図１は、本発明の光受容部材の一実施例を示
す断面図である。光受容部材１１００は、支持体１１０
１と、支持体１１０１上に形成された光受容層１１０２
（光導電層）とを含み、支持体１１０１の表面が、複数
の球状の氷の粒子を自然落下させ、複数の氷の粒子を支
持体１１０１の表面に衝突させて得られた複数の球状痕
跡窪み（ディンプル）による凹凸を有するものである。
なお、光受容層１１０２は、支持体１１０１上に前記凹
凸の傾斜面に沿って順次形成された第１の層１１０２₁
および第２の層１１０２₂ からなり、第２の層１１０２
₂ の表面は、自由表面１１０３になっている。次に、支
持体１１０１の表面の形状および前記凹凸の好ましい形
成方法の一例について、図７７および図７８を参照して
詳しく説明する。図７７は、支持体１１０１の表面に凹
凸を形成する一方法を示す模式図である。図７７に示し
た方法では、支持体１１０１の表面１１０１₁ より所定
の高さｈの位置から球状の氷の粒子１４０３を自然落下
させて、氷の粒子１４０３を支持体１１０１の表面１１
０１₁ に衝突させることにより、ディンプル１４０４を
形成する。そして、ほぼ同一径Ｒの球状の氷の粒子１４
０３を複数個用い、それらを同一の高さｈから同時ある
いは逐次落下させることにより、ほぼ同一の曲率半径Ｒ
および同一幅Ｄを有する複数のディンプル１４０４を支
持体１１０１の表面１１０１₁ に形成する。

【０３０６】図７８（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、図７７
に示した方法により複数のディンプルによる凹凸が表面
に形成された支持体の典型例を示すものである。図７８
（Ａ）に示す典型例では、支持体１５０１の表面１５０
１₁ の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球状の氷の
粒子１５０３をほぼ同一の高さより規則的に自然落下さ
せて、複数の氷の粒子１５０３を支持体１５０１の表面
１５０１ ₁ に衝突させることにより、ほぼ同一の曲率お
よびほぼ同一の幅の複数のディンプル１５０４を互いに
重複し合うように密に生じさせて、規則的に凹凸を形成
したものである。なお、互いに重複するディンプル１５
０４を形成するには、支持体１５０１の表面１５０１₁
への氷の粒子１５０３の衝突時期が互いにずれるよう
に、複数の氷の粒子１５０３を自然落下させて、各氷の
粒子１５０３を支持体１５０１の表面１５０１₁ に衝突
させる必要があることは言うまでもない。図７８（Ｂ）
に示す典型例では、径が異なる２種類の球状の氷の粒子
１５０３ ₁ ，１５０３₂ をほぼ同一の高さから自然落下
させて、各氷の粒子１５０３₁ ，１５０３₂ を支持体１
５０１の表面１５０１₁ に衝突させることにより、曲率
および幅が異なる２種類のディンプル１５０４₁ ，１５
０４₂ を交互にかつ互いに重複し合うように密に生じさ
せて、高さが不規則な凹凸を支持体１５０１の表面１５
０１₁ に形成したものである。図７８（Ｃ）および
（Ｄ）に示す典型例では、支持体１５０１の表面１５０
１ ₁ に、ほぼ同一の径の複数の球場の氷の粒子１５０３
をほぼ同一の高さより不規則に自然落下させ、各氷の粒
子１５０３を支持体１５０１の表面１５０１₁ に衝突さ
せることにより、ほぼ同一の曲率および複数種の幅を有
するディンプル１５０４を互いに重複し合うように生じ
させて、不規則な凹凸を支持体の表面１５０１₁ に形成
したものである。

【０３０７】以上のように、複数の球状の氷の粒子を自
然落下させ、複数の球状の氷の粒子を支持体の表面に衝
突させることにより、ディンプルによる凹凸を支持体の
表面に形成することが可能である。また、図７７に示し
た方法では、球状の氷の粒子を用いてディンプルによる
凹凸を形成しているため、凹凸の形成と同時に支持体の
洗浄が可能であるという大きな特徴がある。すなわち、
支持体の表面上の油脂などの汚れは、球状の氷の粒子に
より冷却され硬化収縮される。このとき、油脂は、支持
体との収縮率の違いによって剥離され易くなり、さら
に、球状の氷の粒子により砕かれてはじき飛ばされるこ
とにより、除去される。したがって、洗浄雰囲気を必要
とする半導体デバイス製造工程においては洗浄工程が不
可欠であるため、図７７に示した方法は、洗浄工程も兼
ねていることから、半導体デバイス製造工程の簡略化と
いう面からも非常に有利である。図７７に示した方法で
は、複数の球状の氷の粒子を自然落下させて、複数の氷
の粒子を支持体の表面に衝突させることにより、ディン
プルによる凹凸を支持体の表面に形成したが、複数の球
状の氷の粒子を自然落下させる代わりに、複数の球状の
氷の粒子を加圧噴射してもよい。球状の氷の粒子の径、
自然落下させる際の高さ、加圧噴射させる際の圧力、球
状の氷の粒子と支持体の表面の硬度、自然落下または加
圧噴射させて支持体の表面に衝突させる球状の氷の粒子
の量などの諸条件を適宜選択することにより、支持体の
表面に所望の曲率半径および幅を有する複数のディンプ
ルを所定の密度で形成することができる。すなわち、上
記諸条件を選択することにより、支持体の表面に形成さ
れる凹凸の高さやピッチを目的に応じて自在に調整する
ことが可能となり、表面に所望の凹凸を有する支持体を
得ることができる。また、使用する球状の氷の粒子は絶
えず新鮮な粒子が使用されるため、従来の金属性の剛体
球のように長期間の使用に伴う劣化がまったくないため
に、支持体の表面に形成されるディンプルを品質および
形状について再現性良く繰り返し形成することが可能と
なり、ディンプル形成工程に由来する不良品の発生率も
減少可能となり、製品の歩留まりも向上する。したがっ
て、球状の氷の粒子を支持体の表面に衝突させることに
よってディンプルを支持体の表面に形成することによ
り、従来の問題をすべて解決し、所望の形状の凹凸を表
面に備えかつ半導体デバイスとして要求される十分に清
浄な表面を備えた支持体を効率的かつ簡便に作成するこ
とができる。

【０３０８】次に、本発明による光受容部材を電子写真
用光受容部材として用いる場合に、支持体の表面に凹凸
を形成するための製造装置の一例について、図７９を参
照して説明する。この製造装置は、回転軸１６０２を中
心として図示矢印方向に回転する、支持体作成用のアル
ミニウムシリンダー１６０１と、アルミニウムシリンダ
ー１６０１に向けて複数の球状の氷の粒子１６０５を加
圧噴射する噴射手段１６０３と、氷の粒子１６０５を加
圧するための加圧用気体を噴射手段１６０３に供給する
加圧用気体ボンベ１６０４と、氷の粒子１６０５を作製
して噴射手段１６０３に供給する製氷器１６０６と、気
相中に純水を霧状に分散させるスプレーノズル１６０７
と、スプレーノズル１６０７で分散された純水を凍結さ
せる、製氷時に製氷器１６０６内の上部に導入される冷
却手段１６０８と、スプレーノズル１６０７に純水を供
給する純水タンク１６０９と、純水タンク１６０９に純
水加圧用気体を供給する純水加圧用気体ボンベ１６１０
と、純水タンク１６０９に純水を供給する純水供給用配
管１６１１とからなる。ここで、アルミニウムシリンダ
ー１６０１は、表面が適宜の平滑度を有するように予め
仕上げられていてもよい。また、アルミニウムシリンダ
ー１６０１は、回転軸１６０２によって軸芯のまわりで
回転可能に軸支されており、モーターなどの適宜の駆動
手段（不図示）で駆動される。アルミニウムシリンダー
１６０１の回転速度は、形成するディンプルの密度およ
び球状の氷の粒子１６０５の供給量などを考慮して適宜
に決定され、制御される。

【０３０９】球状の氷の粒子１６０５による支持体の表
面の処理および洗浄は、以下のようにして行われる。純
水が純水供給用配管１６１１を介して純水タンク（不図
示）から純水タンク１６０９に導入される。続いて、純
水加圧用気体ボンベ１６１０から送られてくる純水加圧
用気体によって純水タンク１６０９内の純水が加圧され
て製氷器１６０６内に導入されるが、純水はスプレーノ
ズル１６０７で霧状にされたのち、製氷器１６０６内に
導入された冷却手段１６０８によって凍結されて氷の粒
子１６０５とされる。このとき、球状の氷の粒子１６０
５を得るためには、導入する純水の流量および流速、ス
プレーノズル１６０７の形状、冷却温度などを制御する
必要がある。さらに、氷の粒子１６０５のサイズも同様
に、導入する純水の流量、流速などを制御して調整す
る。このようにして得られた球状の氷の粒子１６０５
は、噴射手段１６０３内で加圧用気体１６０４により加
圧されるとともに、噴射手段１６０３によりアルミニウ
ムシリンダー１６０１に向けて加圧噴射される。噴射手
段１６０３により加圧噴射された氷の粒子１６０５は、
アルミニウムシリンダー１６０１の表面に衝突し、ディ
ンプルを形成すると同時にアルミニウムシリンダー１６
０１の表面の洗浄を行う。なお、冷却手段１６０８とし
ては、たとえば液体窒素などが望ましい。また、純水と
しては、特に半導体グレードの純水、最適には超ＬＳＩ
グレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃
のときの抵抗率が１ＭΩ−ｃｍ以上、好ましくは１０Ｍ
Ω−ｃｍ以上、最適には１６ＭΩ−ｃｍ以上のものが適
している。純水内の微粒子量としては、０．２μｍ以上
の微粒子が１ミリリットル中に５００個以下、好ましく
は１００個以下、最適には５０個以下であることが適し
ている。純水内の微生物量としては、総生菌数が１ミリ
リットル中に１０個以下、好ましくは１個以下、最適に
は０．１個以下であることが適している。純水内の有機
物量（ＴＯＣ）としては、１リットル中に１ｍｇ以下、
好ましくは０．２ｍｇ以下、最適には０．１ｍｇ以下で
あることが適している。このような純水を得る方法とし
ては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾
過法、逆浸漬法、紫外線殺菌法などがあるが、これらの
方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高め
ることが望ましい。

【０３１０】アルミニウムシリンダー１６０１の表面に
衝突させる球状の氷の粒子１６０５に求められる粒径と
しては、１０μｍ以上１０ｍｍ以下、好ましくは２０μ
ｍ以上７ｍｍ以下、最適には３０μｍ以上５ｍｍ以下で
あるのがよい。さらに、氷の粒子１６０５の真円度とし
ては、粒子の直径が直角２方向においてその長さの差が
２０％以内、好ましくは１０％以内、最適には５％以内
であるのがよい。以上の説明では、球状の氷の粒子１６
０５は純水を気相中で冷却することによって得たが、球
状の氷の粒子の作製方法として他の方法を用いた場合も
有効である。たとえば、比較的大きい氷を粉砕して、さ
らに加熱処理または機械的な処理などによって角をなく
すことにより球状の粒子にする方法や、純水を球状の型
に導入して冷却することにより球状の粒子にする方法な
どが挙げられる。次に、図７４に示した光受容部材１１
００において干渉縞模様の問題が解決できる理由を、図
７５および図７６を用いて説明する。図７５は、表面を
規則的に荒らした支持体上に、多層構成の光受容層を堆
積させた従来の光受容部材の一部を拡大して示した図で
ある。支持体（不図示）の表面を切削加工などの手段に
より単に規則的に荒らしただけの場合には、通常、支持
体の表面の凹凸に沿って光受容層が形成されるため、支
持体の表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面と
は平行関係をなすものとなる。したがって、光受容層が
第１の層１３０２₁ と第２の層１３０２₂ との二つの層
からなる多層構成のものである図３に示すような光受容
部材１３００においては、第１の層１３０２₁ と第２の
層１３０２₂ との界面１３０４および自由表面１３０３
が平行関係にあるため、界面１３０４での反射光ｒ₁ と
自由表面１３０３での反射光ｒ₂ とは方向が一致し、第
２の層１３０２₂ の層厚に応じた干渉縞が生じる。

【０３１１】図７６は、図１に示した光受容部材１１０
０の一部を拡大した図である。本発明による光受容部材
１１００では、複数の微小なディンプルによる凹凸が支
持体１１０１の表面に形成され、該凹凸に沿って光受容
層１１０２が堆積されるため、光受容層１１０２が第１
の層１１０２₁ と第２の層１１０２₂ との二層からなる
多層構成の光受容部材１１００にあっては、第１の層１
１０２₁ と第２の層１１０２₂ との界面１１０４および
自由表面１１０３にも、ディンプルによる凹凸が形成さ
れる。界面１１０４に形成されるディンプルの曲率半径
をＲ₁ および自由表面１１０３に形成されるディンプル
の曲率半径をＲ₂ とするとＲ₁ ≠Ｒ₂ となるため、界面
１１０４での反射光ｒ₁ と自由表面１１０３での反射光
ｒ ₂ とはそれぞれ異なる反射角度θ₁ ，θ₂ （θ₁ ≠θ
₂ ）を有するので、反射方向が異なる。また、図７６に
示した各長さＬ₁ ，Ｌ₂ ，Ｌ₃ によりＬ₁ ＋Ｌ₂ −Ｌ₃
で表される２つの反射光ｒ₁ ，ｒ₂ の波長のずれも一定
とはならずに変化するため、いわゆるニュートンリング
現象に相当するシェアリング干渉が生起し、干渉縞はデ
ィンプル内で分散される。これにより、光受容部材１１
００を介して現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が
仮に現出していたとしても、それらは視覚的には認識で
きない程度のものとなる。したがって、図７４に示した
ような表面形状を有する支持体１１０１の上に、多層構
成の光受容層１１０２を形成してなる光受容部材１１０
０では、光受容層１１０２を通過した光が層界面および
支持体の表面で反射して、各反射光が干渉することによ
り、画像が縞模様となることを効率的に防止することが
できるため、優れた画像を形成し得る。

【０３１２】支持体１１０１の表面に形成される、ディ
ンプルによる凹凸の曲率半径Ｒおよび幅Ｄは、本発明に
よる光受容部材１１００における干渉縞の発生を防止す
る作用効果を効率的に達成するための重要な要因であ
る。従来の光受容部材では、 Ｘ≦Ｄ／Ｒ （１） で表される定数Ｘを近似的に０．０３５としてディンプ
ルの条件を設定して、各ディンプル内にシェアリング干
渉によるニュートンリングを０．５本以上存在させるこ
とにより、それなりの効果をあげていた。しかし、実際
は、定数Ｘの値は光受容層の屈折率ｎ、層厚ｄ、入射す
るレーザーの波長λに存在するため、さらに高精度で高
品質の画像を最小限のコストで得るには、幅Ｄの値、曲
率半径Ｒの値および幅Ｄと曲率半径Ｒとの比Ｄ／Ｒを、
使用するレーザー光の波長、トナーの粒径、シリンダー
の形状などの条件により最適値（観光体によっても異な
る）にそれぞれ設定する必要が生じた。発明者らは、従
来のディンプル加工よりもさらに効果的にディンプルの
機能を発現させるには、感光体の使用条件によってディ
ンプル加工の条件を制御することが重要であることを発
見した。すなわち、使用するトナーを微粒子化した場
合、支持体の径および厚さを変化させた場合および使用
するレーザーの波長を変えた場合で、各条件に最適なデ
ィンプルの幅Ｄおよび曲率半径Ｒなどは異なるため、使
用する剛体球の径あるいは支持体に衝突させる強度など
を変化させなければならない。具体的には、ディンプル
による凹凸の幅Ｄは、大きすぎるとディンプル内の干渉
縞が視覚的に認識されるため、大きくとも５００μｍ程
度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００
μｍ以下とするのが望ましい。また、曲率半径Ｒに関し
てはトナーの粒径、レーザーの波長および製造コストな
どにより、各光受容部材により最適値は変化する。たと
えば微粒子トナーを使用する場合は、そのクリーニング
性を考慮すると、支持体の表面性には、ディンプル内に
干渉縞を分散させる能力を備えた範囲でより平滑性が高
いことが求められる。すなわち、前述の条件より幅Ｄの
値を５００μｍ以内と限定すれば、曲率半径Ｒは可能な
限り大きい方が望ましい。これに対して、支持体の径が
小径である場合、または支持体の厚さが薄い場合は、曲
率半径Ｒの大きな剛体球により支持体の表面の加工を行
うと、支持体自体がダメージを受けるため好ましくな
い。

【０３１３】その他の具体例として、たとえば複写機の
下位機種（すなわち、低速機種）には、そのコストの制
限により長波長のレーザーが使用されるが、レーザーの
波長が長波長となればディンプル形状が干渉現象防止の
効果を発現するためには、短波長の場合に比較し光学的
距離の大きなものが必要となる（すなわち、比Ｄ／Ｒが
より大きい値を必要とする）。また、入射するレーザー
光の波長が長波長になるにつれて光受容層の屈折率も小
さくなるため、やはり比Ｄ／Ｒはより大きな値が必要と
なる。しかし、幅Ｄの大きさは前述のように限定される
ため、曲率半径Ｒを相対的に小さくする必要がある。曲
率半径Ｒを小さくするには、支持体に衝突させる球状の
粒子の径を小さくすることが必須となるが、以上の条件
で必要とされるような径の小さな金属剛体球は、加工が
困難であり、製造コストが非常に高いものとなる。さら
に、径の小さな金属剛体球は、取扱いが困難なため作業
性が低下し、径の大きな剛体球に比較して耐久性が低い
ため頻繁な交換が必要とされるため、コストアップの要
因となるとともに、径の小さな金属剛体球は、真円度な
どの精度が低く、これを用いて加工した支持体の品質、
歩留まりは低いものとなってしまう。これに対して、複
写機の上位機種（すなわち、高速機種）では、プロセス
スピードが速いため、感度を上げる目的で感光層の吸収
係数が大きな比較的短波長レーザーを使用することが必
要であり、コスト的にも可能である。短波長レーザーを
使用することにより、支持体の加工には粒径の比較的大
きな剛体球を使用できる。したがって、このように複写
機の種類によって求められる支持体の加工条件も異な
り、必然的に従来の金属剛体球を用いたディンプル加工
では、用途に合わせて金属剛体球を使い分けなければな
らず、工程が複雑となり、さらにコストの上昇につなが
る。これに対して、本発明による光受容部材では、金属
剛体球の代わりに氷の粒子を使用するため、その径は純
水の流量または冷却手段を適宜調整することによって自
由に変化させることが可能であり、さらに、氷の粒子を
支持体の表面に衝突させる圧力も可変であるため、それ
ぞれの要求を満たすディンプルを特別な操作を用いるこ
となく形成できる。

【０３１４】本発明による光受容層の作成については、
本発明の前述の目的を効率的に達成するためにその膜厚
を光学的レベルで正確に制御する必要があることから、
堆積膜の形成方法として、スパッタリング法、熱により
原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料
ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原
料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）などの公知
の方法を採用することができるが、中でも、直流または
高周波、マイクロ波グロー放電などによって原料ガスを
分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステ
ンレス、アルミニウムなどの基体上に薄膜上の堆積膜を
形成するプラズマＣＶＤ法が本発明には適している。次
に、図７４に示した光受容部材１１００の支持体１１０
１および光受容層１１０２について詳しく説明する。 （１）支持体１１０１ 支持体１１０１は、その表面が、光受容部材１１００に
要求される解像力よりも微小な、複数のディンプルによ
る凹凸を有するものである。支持体１１０１は、導電性
のものであっても、電気絶縁性のものであってもよい。
導電性支持体としては、たとえば、ＮｉＣｒ、ステンレ
スＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｂなどの金属またはこれらの合金が挙げられる。
また、電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、セルロース、アセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポロアミドなどの合成樹脂のフィ
ルムまたはシート、紙などが挙げられる。これらの電気
絶縁性支持体は、好適にはその一方の表面を導電処理
し、該導電処理された表面側に光受容層を設けるのが望
ましい。たとえば、ポリエステルフィルムなどの合成樹
脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，
Ｔｌ，Ｐｔなどの金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリングなどでその表面に設け、または前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性を付与する。

【０３１５】支持体材料としては、氷の粒子によるディ
ンプルの加工性が良いため、Ａｌ（アルミニウム）が好
ましい。支持体材料としてＡｌを用いた場合には、切削
性を向上させるため、１〜１０重量％のマグネシウムを
含有させることが望ましい。さらに、マグネシウム含有
前のアルミニウムの純度としては、９８重量％以上、好
ましくは９９重量％以上のものが効果的である。支持体
１１０１の形状は、円筒状、ベルト状、板状など任意の
形状でよく、用途または所望によって適宜に決めればよ
い。たとえば、図７４に示した光受容部材１１００を電
子写真用像形成部材として使用し、連続高速複写する場
合には、無端ベルト状または円筒状とするのが望まし
い。支持体１１０１の厚さは、所望通りの光受容部材１
１００を形成し得るように適宜決定するが、光受容部材
１１００として可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が十分発揮される範囲で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体１１０１の製造上
および取扱い上、機械的強度などの点から、支持体１１
０１の厚さは１０μｍ以上とされる。電子写真用の光受
容部材の支持体としては、アルミニウム合金に通常の押
出加工を施して、ボートホール管あるいはマンドレル管
とし、さらに引抜加工して得られる引抜管に、必要に応
じて熱処理や調質などの処理を施した円筒状（シリンダ
ー状）基体を用いる。 （２）光受容層１１０２ 図７４に示した光受容部材１１００は、支持体１１０１
上に光受容層１１０２を有するものである。光受容層１
１０２は、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）で構成され、必要に応
じて伝導性を有する物質を含有させることができる。そ
して、本発明による光受容部材の光受容層は多層構成と
なっており、たとえば、図７４に示した光受容層１１０
２は第１の層１１０２₁ と第２の層１１０２₂ とから構
成され、光受容層１１０２の支持体１１０１側と反対の
側の層である第２の層１１０２₂は、自由表面１１０３
を有している。

【０３１６】光受容層１１０２中に含有させるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、特にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることができる。そして、光受容層１１０２
中に含有される水素原子（Ｈ）の量、ハロゲン原子
（Ｘ）の量および水素原子とハロゲン原子との量の和
（Ｈ＋Ｘ）はそれぞれ、通常１〜４０原子％、好ましく
は５〜３０原子％とされるのが望ましい。本発明による
光受容部材１１００において光受容層１１０２の層厚
は、本発明の目的を効率的に達成するのに重要な要因の
一つであって、光受容部材１１００に所望の特性が与え
られるように、光受容部材１１００の設計の際には十分
な注意を払う必要があり、通常は１〜１００μｍとする
が、好ましくは１〜８０μｍ、より好ましくは２〜５０
μｍとする。本発明において、その目的を効果的に達成
するために、支持体１１０１上に形成される光受容層１
１０２は以下に示す半導体特性を有し、照射される光に
対して光導電性を示すａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）で構成され
る。 ｐ型ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）…アクセプターのみを含む
もの。または、ドナーとアクセプターとの両方を含み、
アクセプターの相対濃度が高いもの。 ｐ^- 型ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）…上記のタイプにおい
てアクセプターの濃度（Ｎａ）が低いかまたはアクセプ
ターの相対濃度が低いもの。 ｎ型ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）…ドナーのみを含むもの。
または、ドナーとアクセプターの両方を含み、ドナーの
相対濃度が高いもの。

【０３１７】ｎ^- 型ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）…上記の
タイプにおいてドナーの濃度（Ｎｄ）が低いかまたはア
クセプターの相対濃度が低いもの。 ｉ型ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）…Ｎａ≒Ｎｄ≒０のもの、
または、Ｎａ≒Ｎｄのもの。 本発明による光受容部材１１００においては、光受容層
１１０２に伝導性を制御する物質を、全層領域または一
部の層領域に均一または不均一な分布状態で含有させる
ことができる。伝導性を制御する物質としては、半導体
分野においていわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型
伝導性を与える周期律表第III 族属する原子（以下、単
に「第III 族原子」と称する。）、または、ｎ型伝導性
を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以下、単に「第
Ｖ族原子」と称する。）が使用される。具体的には、第
III 族原子としては、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウ
ム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ
（タリウム）などを挙げることができるが、特に好まし
いものは、Ｂ，Ｇａである。また、第Ｖ族原子として
は、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂ
ｉ（ビスマス）などを挙げることができるが、特に好ま
しいものは、Ｐ，Ｓｂである。伝導性を制御する物質で
ある第III 族原子または第Ｖ族原子を光受容層１１０２
に含有させる場合、全層領域に含有させるかまたは一部
の層領域に含有させるかは、後述するように、目的とす
るところおよび期待する作用効果によって異なり、した
がって、含有させる量も異なるところとなる。すなわ
ち、光受容層１１０２の伝導型および／または伝導率を
制御することを主たる目的にする場合には、光受容層１
１０２の全領域中に含有させ、この場合、第III 族原子
または第Ｖ族原子の含有量は比較的わずかでよく、通常
は１×１０^-3〜１×１０³ 原子ｐｐｍであり、好ましく
は５×１０^-2〜５×１０² ｐｐｍ、最適には１×１０^-1
〜２×１０² 原子ｐｐｍである。また、支持体１１０１
と接する一部の層領域に第III 族原子または第Ｖ族原子
を均一な分布状態で含有させる場合、または第III 族原
子または第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度が支持体１１
０１と接する側で高濃度となるように含有させる場合に
は、こうした第III 族原子または第Ｖ族原子を含有する
一部の層領域または高濃度に含有する領域は電荷注入阻
止層として機能するところとなる。すなわち、第III 族
原子を含有させた場合には、光受容層１１０２の自由表
面１１０３が＋極性に帯電処理を受けた際に、支持体１
１０１側から光受容層１１０２中へ注入される電子の移
動をより効率的に阻止することができ、また、第Ｖ族原
子を含有させた場合には、光受容層１１０２の自由表面
１１０３が−極性に帯電処理を受けた際に、支持体１１
０１側から光受容層１１０２中へ注入される正孔の移動
をより効率的に阻止することができる。そして、この場
合の含有量は比較的多量である。具体的には、一般的に
は３０〜５×１０⁴原子ｐｐｍとするが、好ましくは５
０〜１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、最適には、１×１０² 〜５
×１０³ 原子ｐｐｍである。そして、この効果を効率的
に奏するためには、一部の層領域の層厚をｔとし、それ
以外の光受容層の層厚をｔ₀ とした場合、ｔ／（ｔ＋ｔ
₀ ）≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好
ましくは０．３５以下、最適には０．３以下となるよう
にするのが望ましい。また、この層領域の層厚は、一般
的には３×１０^-3〜１０μｍとするが、好ましくは４×
１０^-3〜８μｍ、最適には、５×１０^-3〜５μｍであ
る。

【０３１８】光受容層１１０２に含有させる第III 族原
子または第Ｖ族原子の量が、支持体１１０１側において
は比較的多量であって、支持体１１０１側から自由表面
１１０３側に向かって減少し、自由表面１１０３側の端
部付近では比較的少量となるかまたは実質的にゼロに近
くなるように、第III 族原子または第Ｖ族原子を分布さ
せてもよい。そして、このように光受容層１１０２の支
持体１１０１側に近い側に第III 族原子または第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分または実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体
１１０１側に近い部分に第III 族原子または第Ｖ族原子
の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けるこ
と、好ましくはこの局在領域を支持体１１０１の表面と
接触する界面位置から５μｍ以内に設けることにより、
第III 族原子または第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度であ
る層領域が電荷注入阻止層を形成するという前述の作用
効果がより一層効果的に奏される。以上、第III 族原子
または第Ｖ族原子の分布状態について、個々に作用効果
を記述したが、所望の目的を達成し得る光受容部材１１
００を得るについては、これらの第III 族原子または第
Ｖ族原子の分布状態および光受容層に含有させる第III
族原子または第Ｖ族原子の量を、必要に応じて適宜組み
合わせて用いるものであることはいうまでもない。たと
えば、光受容層１１０２の支持体１１０１側の端部に電
荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の光受
容層１１０２中に、電荷注入阻止層に含有させた伝導性
を制御する物質の極性とは別の極性の伝導を制御する物
質を含有させてもよく、または、同極性の伝導性を制御
する物質を、電荷阻止層に含有される量よりも一段と少
ない量にして含有させてもよい。

【０３１９】さらに、本発明の光受容部材１１００にお
いては、支持体１１０１側の端部に設ける層構成とし
て、電荷注入阻止層の代わりに、電気絶縁材料からなる
いわゆる障壁層を設けることもでき、または、この障壁
層と電荷注入阻止層との両方を構成層とすることもでき
る。こうした障壁層を構成する材料としては、Ａｌ₂ Ｏ
₃ ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ などの無機電気絶縁材料やポ
リカーボネートなどの有機電気絶縁材料を挙げることが
できる。次に、光受容層１１０２の形成方法について説
明する。光受容層１１０２を構成する非晶質材料はいず
れもスパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、原料ガスを直流または高周波、マイク
ロ波グロー放電などによって分解して生起したプラズマ
で原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）などに
より行われる。これらの製造法は製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材１１０
０に所望される特性などの要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材１１００
を作成するに当たっての条件の制御が比較的容易であ
り、シリコン原子とともに炭素原子および水素原子の導
入を容易に行い得るなどの理由により、プラズマＣＶＤ
法またはスパッタリング法が好適である。そして、プラ
ズマＣＶＤ法とスパッタリング法とを同一装置系内で併
用してもよい。たとえば、プラズマＣＶＤ法によって、
ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには、
基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとともに、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガ
スおよび／またはハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部を減圧し得る堆積室内に導入して、堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定の位置に設置した所定
の支持体の表面上にａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成する。

【０３２０】Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ
₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄Ｈ₁₀などのガス状
態またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が挙げら
れ、特に、層形成作業の容易性、Ｓｉ供給効率の良さな
どの点で、ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ ₆ が好ましい。また、ハ
ロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多くのハロゲン
化合物が挙げられ、たとえば、ハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体などのガス状態またはガス化し得るハロゲン化合
物が好ましい。具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素のハロゲンガスや、Ｂｒ，Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃ ，Ｂ
ｒＦ₅ ，ＢｒＦ₃ ，ＩＦ₇ ，ＩＣｌ，ＩＢｒなどのハロ
ゲン間化合物や、ＳｉＦ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ ，ＳｉＣｌ₄ ，
ＳｉＢｒ₄などのハロゲン化珪素などが挙げられる。上
述のようなハロゲン化珪素のガス状態またはガス化し得
るものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別途
使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−Ｓ
ｉで構成された層が形成できるので、特に有効である。
水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガス、ＨＦ，
ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩなどのハロゲン化物、ＳｉＨ₄ ，
Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀などの水素化珪素
や、ＳｉＨ₂ Ｆ₂ ，ＳｉＨ₂ Ｉ₂ ，Ｓｉ₂ Ｃｌ₂ ，Ｓｉ
ＨＣｌ₃ ，ＳｉＨ₂ Ｂｒ₂ ，ＳｉＨＢｒ₃ などのハロゲ
ン置換水素化珪素のガス状態またはガス化し得るものを
用いることができ、これらの原料ガスを用いた場合に
は、電気的または光導電的特性の制御という点で極めて
有効であるところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を容
易に行うことができるため、有効である。そして、ハロ
ゲン化水素またはハロゲン置換水素化珪素を用いた場合
には、ハロゲン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導
入されるので、特に有効である。ａ−Ｓｉ層中に含有さ
せる水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
の量の制御は、たとえば、支持体１１０１の温度、水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を導入す
るために用いる出発物質の堆積室内へ導入する量、放電
電力をそれぞれ制御することによって行われる。

【０３２１】反応スパッタリング法またはイオンプレー
ティング法によってａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成するには、たとえば、スパッタリング法の場合に
は、ハロゲン原子を導入するについては、ハロゲン化合
物またはハロゲン原子を含む珪素化合物のガスを堆積室
中に導入して、ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば
よい。たとえば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ
ｉターゲットを使用し、ハロゲン原子導入用のガスおよ
び水素ガスを必要に応じてＨｅ，Ａｒなどの不活性ガス
も含めて堆積室内へ導入してプラズマ雰囲気を形成し、
Ｓｉターゲットをスパッタリングすることによって、支
持体上にａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する。
プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法またはイオンプレ
ーティング法を用いて、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）にさらに
第III 族原子または第Ｖ族原子、酸素原子、炭素原子ま
たは窒素原子を含有させた非晶質材料で構成された層を
形成するには、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際
に、第III 族原子または第Ｖ族原子導入用の出発物質、
酸素原子導入用の出発物質、炭素原子導入用の出発物質
または窒素原子導入用の出発物質を前述したａ−Ｓｉ：
（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成す
る層中へのそれらの量を制御しながら含有させることに
よって行う。たとえば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリ
ング法またはイオンプレーティング法を用いて、第III
族原子または第Ｖ族原子を含有するａ−Ｓｉ：（Ｈ，
Ｘ）で構成される層または層領域を形成するには、上述
のａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
第III 族原子または第Ｖ族原子導入用の出発物質をａ−
Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、
形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有させる
ことによって行う。

【０３２２】第III 族原子導入用の出発物質としては、
具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ ，Ｂ
₄ Ｈ₁₀，Ｂ₅ Ｈ₉ ，Ｂ₅ Ｈ₁₁，Ｂ₆ Ｈ₁₀，Ｂ₆ Ｈ₁₂，Ｂ
₆ Ｈ ₁₄などの水素化ホウ素や、ＢＦ₃ ，ＢＣｌ₃ ，ＢＢ
ｒ₃ などのハロゲン化ホウ素などが挙げられる。この
他、ＡｌＣｌ₃ ，ＣａＣｌ₃ ，Ｇ（ＣＨ₃ ）₂ ，ＩｎＣ
ｌ₃ ＴｌＣｌ₃ なども挙げることができる。また、第Ｖ
族原子導入用の出発物質としては、具体的には、燐原子
導入用としては、ＰＨ₃ ，Ｐ₂ Ｈ₆ などの水素化燐や、
ＰＨ₄ Ｉ，ＰＦ₃ ，ＰＦ₅ ，ＰＣｌ₃ ，ＰＣｌ₅ ，ＰＢ
ｒ₃ ，ＰＢｒ₅ ，Ｐｌ₃ などのハロゲン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ₃ ，ＡｓＦ₃ ，ＡｓＣｌ₃ ，ＡｓＢ
ｒ₃ ，ＡｓＦ₅ ，ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ ，ＳｂＦ₅ ，Ｓｂ
Ｃｌ₃ ，ＳｂＣｌ₅ ，ＢｉＨ₃ ，ＢｉＣｌ₃ ，ＢｉＢｒ
₅ なども第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることができる。酸素原子を含有する層または層
領域を形成するのに、プラズマＣＶＤ法を用いる場合に
は、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望に
従って選択されたものに、酸素原子導入用の出発物質が
加えられる。そのような酸素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物
質またはガス化し得る物質であればほとんどの物が使用
できる。たとえば、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）および／またはハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の
混合比で混合して使用するか、または、シリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（Ｏ）
および水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、
これもまた所望の混合比で混合するか、または、シリコ
ン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子
（Ｏ）および水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガス
とを、これもまた所望の混合比で混合するか、または、
シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シ
リコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（Ｏ）、水素原子（Ｈ）
の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用する
ことができる。また、この他に、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、水素原子（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに、
酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使
用してもよい。具体的には、たとえば、酸素（Ｏ₂ ）、
オゾン（Ｏ₃ ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎ
Ｏ₂ ）、一酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）、三酸化二窒素（Ｎ₂
Ｏ₃ ）、四酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ₄ ）、五酸化二窒素（Ｎ
₂ Ｏ₅ ）、三酸化窒素（ＮＯ₃ ）、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、酸素原子（Ｏ）、水素原子（Ｈ）の３つを構成原
子とする低級シロキサン（たとえば、ジシロキサン（Ｈ
₃ ＳｉＯＳｉＨ₃ ）、トリシロキサン（Ｈ₃ ＳｉＯＳｉ
Ｈ₂ ＯＳｉＨ ₃ ））などを挙げることができる。

【０３２３】スパッタリング法によって酸素原子を含有
する層または層領域を形成するには、単結晶または多結
晶のＳｉウエハー、ＳｉＯ₂ ウエハーまたはＳｉとＳｉ
Ｏ₂が混合されて含有されているウエハーをターゲット
として、これらを種々のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行えばよい。たとえば、Ｓｉウエハー
をターゲットとして使用すれば、酸素原子と必要に応じ
て水素原子および／またはハロゲン原子を導入するため
の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希釈して、スパッ
タリング用の堆積室中に導入し、これらのガスプラズマ
を形成してＳｉウエハーをスパッタリングすればよい。
また、別には、ＳｉとＳｉＯ₂ とは別のターゲットとし
て、またはＳｉとＳｉＯ₂ の混合した一枚のターゲット
を使用することによって、スパッター用のガスとしての
希釈ガスの雰囲気中で、または少なくとも水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を構成原子と
して含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって形成できる。水素原子導入用の原料ガスとして
は、前述したプラズマＣＶＤ法の例で示した原料ガスの
中の酸素原子導入用の原料ガスが、スパッタリングの場
合にも有効なガスとして使用できる。窒素原子を含有す
る層または層領域を形成するのにプラズマＣＶＤ法を用
いる場合には、前述した光受容層形成用の出発物質の中
から所望に従って選択されたものに、窒素原子導入用の
出発物質を加える。そのような窒素原子導入用の出発物
質としては、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス
状またはガス化し得る物質であればほとんどのものが使
用できる。たとえば、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原
料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、または、シリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）
および水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、
これもまた所望の混合比で混合して使用することができ
る。また、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）
を構成原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。
窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするかまたはＮとＨ
とを構成原子とする、たとえば窒素（Ｎ₂ ）、アンモニ
ア（ＮＨ₃ ）、ヒドラジン（Ｈ₂ ＮＮＨ₂ ）、アジ化水
素（ＨＮ₃ ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ₄ Ｎ₃ ）など
のガス状またはガス化し得る窒素、窒化物およびアジ化
物などの窒素化合物を挙げることができる。この他に、
窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の
導入も行えるという点から、三フッ化窒素（Ｆ₃ Ｎ）、
四フッ化二窒素（Ｆ₄ Ｎ₂ ）などのハロゲン化窒素化合
物を挙げることができる。

【０３２４】スパッタリング法によって、窒素原子を含
有する層または層領域を形成するには、単結晶または多
結晶のＳｉウエハー、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ウエハーまたはＳｉと
Ｓｉ ₃ Ｎ₄ とが混合されて含有されているウエハーをタ
ーゲットとして、これらを種々のガス雰囲気中でスパッ
ターすることによって行えばよい。たとえば、Ｓｉウエ
ハーをターゲットとして使用する場合には、窒素原子と
必要に応じて水素原子および／またはハロゲン原子を導
入するための原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希釈し
たのちスパッター用の堆積室中に導入することにより、
これらのガスプラズマを形成して、Ｓｉウエハーをスパ
ッタリングすればよい。また、別には、ＳｉとＳｉ₃ Ｎ
₄ とは別々のターゲットとして、または、ＳｉとＳｉ₃
Ｎ₄ を混合した一枚のターゲットを使用することによっ
て、スパッター用のガスとしての希釈ガスの雰囲気中で
または少なくとも水素原子（Ｈ）および／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって形成できる。窒素原子
導入用の原料ガスとしては、前述したプラズマＣＶＤの
例で示した原料ガス中の窒素原子導入用のガスが、スパ
ッタリングの場合にも有効なガスとして使用できる。ま
た、たとえば、炭素原子を含有するａ−Ｓｉ：（Ｈ，
Ｘ）層をプラズマＣＶＤ法により形成するには、シリコ
ン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子
（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、または、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原
料ガスと炭素原子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）を構成原
子とする原料ガスとを、これもまた所望の混合比で混合
するか、または、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）
および水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合
するか、さらにまた、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスと炭素原子（Ｃ）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用する。

【０３２５】スパッタリング法によってａ−Ｓｉ：
（Ｈ，Ｘ）で構成される光受容層１０２を形成するに
は、単結晶または多結晶のＳｉウエハー、Ｃ（グラファ
イト）ウエハーまたはＳｉとＣとが混合されて含有され
ているウエハーをターゲットとして、これらを所望のガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって行う。た
とえば、Ｓｉウエハーをターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、水素原子および／またはハロゲン原子
を導入するための原料ガスを必要に応じてＡｒ，Ｈｅな
どの希釈ガスで希釈してスパッタリング用の堆積室内に
導入することにより、これらのガスプラズマを形成し
て、Ｓｉウエハーをスパッタリングすればよい。また、
ＳｉとＣとは別々のターゲットとするか、あるいはＳｉ
とＣとを混合した一枚のターゲットとして使用する場合
には、スパッタリング用のガスとして水素原子および／
またはハロゲン原子導入用のガスを必要に応じて希釈ガ
スで希釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入する
ことにより、ガスプラズマを形成して、スパッタリング
すればよい。スパッタリング法に用いる各原子導入用の
原料ガスとしては、前述のプラズマＣＶＤ法に用いる原
料ガスがそのまま使用できる。このような原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀などの
シラン（Ｓｉｌａｎｅ）類などの水素化珪素ガス、Ｃと
Ｈとを構成原子とする、たとえば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素などが挙げられる。具体的
には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ₄ ）、プロ
パン（Ｃ₃ Ｈ₈ ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄ Ｈ₁₀）、ペン
タン（Ｃ ₅ Ｈ₁₂）などが挙げられ、また、エチレン系炭
化水素としては、エチレン（Ｃ₂Ｈ₄ ）、プロピレン
（Ｃ₃ Ｈ₆ ）、ブテン−１（Ｃ₄ Ｈ₈ ）、ブテン−２
（Ｃ₄Ｈ₈ ）、イソブチレン（Ｃ₄ Ｈ₈ ）、ペンテン
（Ｃ₅ Ｈ₁₀）などが挙げられ、さらに、アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（Ｃ₂ Ｈ₂ ）、メチルアセ
チレン（Ｃ₃ Ｈ₄ ）、ブチン（Ｃ₄ Ｈ₆ ）などが挙げら
れる。ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Ｓｉ（ＣＨ₃ ）₄ ，Ｓｉ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ などの珪化
アルキルを挙げることができる。これらの原料ガスの
他、Ｈ導入用の原料ガスとしては、Ｈ₂ も使用できる。

【０３２６】プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法また
はイオンプレーティング法により本発明による光受容層
１１０２を形成する場合、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）に導入
する酸素原子、炭素原子および窒素原子、第III 族原子
または第Ｖ族原子の含有量の制御は、堆積室内に導入さ
れる出発物質のガス流量、ガス流量比を制御することに
より行われる。また光受容層１１０２の形成時の支持体
１１０１の温度、堆積室内のガス圧、放電パワーなどの
条件は、所望の特性を有する光受容部材１１００を得る
ためには重要な要因であり、形成する層の機能に考慮を
はらって適宜選択されるものである。さらに、これらの
層形成条件は、光受容層１１０２に含有させる上記の各
原子の種類および量によっても異なることもあることか
ら、含有させる原子の種類または量などにも考慮をはら
って決定する必要がある。具体的には、支持体１１０１
の表面上の温度は、通常５０〜３５０℃とするが、特に
好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内のガス圧
は、通常０．０１〜１Ｔｏｒｒとするが、特に好ましく
は０．１〜０．５Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは
０．００５〜５０Ｗ／ｃｍ² とするのが通常であるが、
より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃｍ² 、特に好まし
くは０．０１〜２０Ｗ／ｃｍ² とする。しかし、これら
の層形成を行うについての支持体１１０１の温度、放電
パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常には個
々に独立しては容易には決め難いものである。したがっ
て、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相互的か
つ有機的関連性に基づいて、層形成の最適条件を決める
のが望ましい。

【０３２７】ところで、光受容層１１０２に含有させる
酸素原子、炭素原子、窒素原子、第III 族原子または第
Ｖ族原子、水素原子および／またはハロゲン原子の分布
状態を均一とするためには、光受容層１１０２を形成す
るに際して前記の諸条件を一定に保つことが必要であ
る。また、光受容層１１０２の形成の際に、光受容層１
１０２中に含有させる酸素原子、炭素原子、窒素原子、
第III 族原子または第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に
変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する光受容層
１１０２を形成するには、プラズマＣＶＤ法を用いる場
合であれば、酸素原子、炭素原子、窒素原子、第III 族
原子または第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室
内に導入する際のガス流量を所望の変化率に従って適宜
変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そ
して、ガス流量を変化させるには、具体的には、たとえ
ば手動あるいは外部駆動モーターなどの通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を
行えばよい。このとき、流量の変化率は曲線型である必
要はなく、たとえばマイコンなどを用いて予め設計され
た変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線
を得ることもできる。また、光受容層１１０２をスパッ
タリング法を用いて形成する場合、酸素原子、炭素原
子、窒素原子、第III 族原子または第Ｖ族原子の層厚方
向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の
分布状態を形成するには、プラズマＣＶＤ法に用いて場
合と同様に、酸素原子、炭素原子、窒素原子、第III 族
原子または第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で使
用し、これらのガスを堆積室内へ導入する際のガス流量
を所望の変化率に従って変化させる。

【０３２８】次に、本発明による光受容部材を実験例１
〜実験例３と実施例７６〜実施例８４と比較例２２およ
び比較例２３とに従ってより詳細に説明する。なお、各
試作例においては、光受容層をプラズマＣＶＤ法を用い
て形成した。図８０は、プラズマＣＶＤ法による光受容
部材の製造装置を示す概略構成図である。各ガスボンベ
１７０２，１７０３，１７０４，１７０５，１７０６に
は、各層を形成するための原料ガスが密封されており、
その一例として、たとえば、ガスボンベ１７０２はＳｉ
Ｈ₄ ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、ガスボンベ１
７０３はＨ₂ で希釈されたＢ₂ Ｈ₆ ガス（純度９９．９
９９％、以下、「Ｂ₂ Ｈ₆／Ｈ₂ ガス」と称する。）ボ
ンベ、ガスボンベ１７０４はＣＨ₄ ガス（純度９９．９
９９％）ボンベ、ガスボンベ１７０５はＳｉＦ₄ ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、ガスボンベ１７０６は
Ｈ₂ ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。これら
の原料ガスを反応室１７０１に流入させるには、各ガス
ボンベ１７０２〜１７０６の各バルブ１７２２〜１７２
６およびリークバルブ１７３５がすべて閉じられている
ことを確認し、また、各流入バルブ１７１２〜１７１６
と各流出バルブ１７１７〜１７２１と各補助バルブ１７
３２，１７３３とがすべて開かれていることを確認し
て、メインバルブ１７３４を開いて反応室１７０１およ
び各ガス配管内を排気する。次に、真空計１７３６の読
みが約５×１０^-6Ｔｏｒｒになった時点で、各補助バル
ブ１７３２，１７３３および各流出バルブ１７１７〜１
７２１をそれぞれ閉じる。

【０３２９】以下、基体シリンダー１７３７上に光受容
層を形成する場合の一例を示す。ガスボンベ１７０２よ
りＳｉＨ₄ ガス、ガスボンベ１７０３よりＢ₂ Ｈ₆ ／Ｈ
₂ ガス、ガスボンベ１７０４よりＣＨ₄ ガスを各バルブ
１７２２，１７２３，１７２４，１７２６をそれぞれ開
いたのち、各出口圧ゲージ１７２７，１７２８，１７２
９，１７３１の圧を１ｋｇ／ｃｍ² にそれぞれ調整し、
各流入バルブ１７１２，１７１３，１７１４，１７１６
を徐々にそれぞれ開けて、各マスフローコントローラー
１７０７，１７０８，１７０９，１７１１内に各ガスを
それぞれ流入させる。引き続いて、各流出バルブ１７１
７，１７１８，１７１９，１７２１、各補助バルブ１７
３２，１７３３を徐々にそれぞれ開いて、各ガスを反応
室１７０１内にそれぞれ流入させる。このときのＳｉＨ
₄ ガス流量、Ｂ₂ Ｈ₆ ／Ｈ₂ガス流量、ＣＨ₄ ガス流量
およびＨ₂ ガス流量の比がそれぞれ所望の値になるよう
に、各流出バルブ１７１７，１７１８，１７１９，１７
２１をそれぞれ調整し、また、反応室１７０１内の圧力
が所望の値になるように真空計１７３６の読みを見なが
らメインバルブ１７３４の開口を調整する。そして、基
体シリンダー１７３７の温度が加熱ヒーター１７３８に
より５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていること
を確認したのち、電源１７４０を所望の電力に設定して
反応室１７０１内にグロー放電を生起させるとともに、
マイクロコンピューター（図示せず）を用いて、予め設
計された変化率線に従ってＳｉＨ₄ ガス流量、Ｂ₂ Ｈ₆
／Ｈ₂ ガス流量、ＣＨ₄ ガス流量およびＨ₂ ガス流量を
それぞれ制御しながら、基体シリンダー１７３７上に炭
素原子とホウ素原子とを含有するａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）
で構成された層を形成する。所定時間経過後、Ｂ₂ Ｈ₆
／Ｈ₂ ガスを反応室１７０１内に導入するためのバルブ
１７２６、流入バルブ１７１３および流出バルブ１７１
８をすべて閉じて、ＳｉＨ₄ ガス、ＣＨ₄ ガスおよびＨ
₂ ガスのみを反応室１７０１内に導入することにより、
炭素原子とホウ素原子とを含有するａ−Ｓｉ：（Ｈ，
Ｘ）で構成された層の上に、炭素原子を含有するがホウ
素原子を含有しないａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）で構成された
層を形成することができる。

【０３３０】各層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは、すべて閉じることは言うまでも
なく、また、各層を形成する際、前の層の形成に使用し
たガスが反応室１７０１内、各流出バルブ１７１７〜１
７２１から反応室１７０１内に至る各ガス配管内に残留
することを避けるために、各流出バルブ１７１７〜１７
２１をすべて閉じかつ各補助バルブ１７３２，１７３３
をすべて開くとともにメインバルブ１７３４を全開し
て、系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。 ［実験例１］純水（抵抗率１ＭΩｃｍ：２５℃，０．２
μｍ以上の微粒子数５００個／１ミリリットル、総生菌
数１０個／ミリリットル、有機物量（ＴＯＣ）≦１ｍ
ｇ）と、冷却手段として液体窒素とを用いて、図７９に
示した製造装置により球状の氷の粒子を作製することに
より、純水の水量と氷の粒子の粒径との関係を調べた。
その結果を表１３６に示す。

【０３３１】

【表１３６】 表１３６から明らかなように、図７９に示した製造装置
においては、純水の水量を適宜調整することによって、
任意の粒径を有する球状の氷の粒子を得ることができ
る。 ［実験例２］種々の粒径を有する球状の氷の粒子を実験
例１と同様にして作製し、噴射圧力、氷の粒子の噴射手
段と支持体との距離、支持体の回転速度などを変化させ
て、アルミニウム合金製シリンダー（径６０ｍｍ、長さ
２９８ｍｍ）の表面を処理することにより、凹凸を形成
した。そして、氷の粒子の径Ｒｉと噴射圧力ｐとディン
プルの曲率Ｒおよび幅Ｄとの関係を調べたところ、ディ
ンプルの曲率Ｒおよび幅Ｄは、氷の粒子の径Ｒｉと噴射
圧力ｐなどの条件により決められることが確認された。
また、ディンプルのピッチ（ディンプルの密度、また、
凹凸のピッチ）は、アルミニウム合金製シリンダーの回
転速度および回転数や球状の氷の粒子の落下量などを制
御することによって所望のピッチに制御できることが確
認された。

【０３３２】［実験例３］洗浄効果の確認をするため
に、アルミニウム合金製シリンダー（径６０ｍｍ、長さ
２９８ｍｍ）の表面にシリンダー切削用オイルポリブテ
ンＬＶ−１０（日本石油化学株式会社製）を塗布し、球
状の氷の粒子を衝突させることによって支持体の洗浄を
行い、洗浄後の支持体の表面を顕微鏡により観察し、さ
らに、支持体の表面に墨汁を塗布し、この墨汁のハジキ
具合によって、洗浄の度合いを評価した。表２に、評価
結果を示す。ここで、「表面状態」については、◎は
「非常に良好」、○は「良好」、△は「実用上問題な
し」、×は「実用不能」を表し、また、「ハジキ」につ
いては、◎は「非常に良好」、○は「良好」、△は「部
分的にハジキ有り」、×は「大部分ハジキ有り」を表し
てる。

【０３３３】

【表１３７】 この評価結果から、氷の粒子を用いたディンプル加工は
洗浄効果も兼ね備えていることが確認された。 ［実施例７６］純水（抵抗率１ＭΩｃｍ：２５℃，０．
２μｍ以上の微粒子数５００個／１ミリリットル、総生
菌数１０個／ミリリットル、有機物量（ＴＯＣ）≦１ｍ
ｇ）と液体窒素（冷却手段）とを用い、図７９に示した
製造装置により、作製条件を変化させて、球状の氷の粒
子を作製した。さらに、氷の粒子の噴射圧力、氷の粒子
の噴射手段と支持体との距離、支持体の回転速度をそれ
ぞれ２〜５ｋｇ／ｃｍ²，２０〜８０ｍｍ，３００〜８
００ｒｐｍ．とそれぞれ変化させて、アルミニウム合金
製シリンダー（径６０ｍｍ、長さ２９８ｍｍ）の表面を
処理することにより、表１３８の上欄に示す幅Ｄおよび
比Ｄ／Ｒを有するシリンダー状アルミ支持体（シリンダ
ーＮｏ．１０１〜１０６）を得た。

【０３３４】

【表１３８】 次に、シリンダー状アルミ支持体（シリンダーＮｏ．１
０１〜１０６）上に、表１３９に示す層形成条件で、図
８０に示した製造装置により光受容層を形成した。

【０３３５】

【表１３９】 これらの光受容部材について、図８１（Ａ），（Ｂ）に
それぞれ示す画像露光装置を用いて、波長７８０ｎｍ、
スポット径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を
行い、現像転写を行って画像を得た。得られた画像の干
渉縞の発生状況は表１３８下欄に示す通りであった。表
１３８において、◎は「非常に良好」、○は「良好」、
△は「実用上問題なし」、×は「実用不能」を表してい
る。

【０３３６】なお、使用した画像露光装置は、図８１
（Ａ），（Ｂ）に示すように、半導体レーザー１８０２
と、半導体レーザー１８０２から出射したレーザー光を
偏向するポリゴンミラー１８０４と、ポリゴンミラー１
８０４で反射されたレーザー光を光受容部材１８０１の
走査面に結像させるｆθレンズ８０３とを有するもので
ある。 ［比較例２２］次に、比較として、従来のダイアモンド
バイトにより表面処理されたアルミニウム合金製シリン
ダー（径６０ｍｍ、長さ２９８ｍｍ、凹凸ピッチ１００
μ、凹凸の深さ３μｍ、シリンダーＮｏ．１０７）を用
いて、実施例７６と同様にして光受容部材を作成した。
得られた光受容部材を電子顕微鏡で観察したところ、支
持体の表面と光受容層との層界面および光受容層の表面
とは平行をなしていた。この光受容部材を用いて前述と
同様にして画像形成を行い、得られた画像について前述
と同様の評価を行った。その結果を実施例７６の結果と
合わせて表１３８の下欄に示す。表１３８より、本発明
によるディンプルは可干渉光であるレーザー光による干
渉現象を効率よく防止できることが確認された。 ［実施例７７］図７９に示した製造装置を用いて、実施
例７６と同様にアルミニウム合金製シリンダー表面を処
理することにより、表１４０および表１４１に示す幅Ｄ
および比Ｄ／Ｒを有するシリンダー状アルミ支持体（シ
リンダーＮｏ．１０８〜１１９）を得た。

【０３３７】

【表１４０】

【０３３８】

【表１４１】 次に、このシリンダーを用いて実施例７６と同様の条件
で光受容部材を作成した。作成した光受容部材と通常の
トナーと実験的に作製した粒径が約１／２のトナーとを
用いて、実施例７６と同様に図８１に示した画像露光装
置に組み込み、波長７８０ｎｍ、スポット径８０μｍの
レーザー光を照射して画像露光を行い、現像転写を行っ
て画像を得た。この操作を繰り返し、画像を１０万枚出
したのち、光受容部材を取り出して、クリーニング性を
評価した。評価結果を表１４０および表１４１に示す。
ここで、比Ｄ／Ｒは従来の値を１として相対値で変化さ
せた。なお、表１４０および表１４１において、◎は
「非常に良好」、○は「良好」、△は「実用上問題な
し」、×は「実用不能」を表している。

【０３３９】表１４０および表１４１より、使用するト
ナーの粒径によって最適な曲率半径Ｒが存在することが
確認された。また、同時に本発明においては、氷の粒子
の径および氷の粒子を支持体に衝突させる圧力を適宜調
整することにより、使用するトナーの粒径が異なっても
容易に対応できることが確認された。 ［実施例７８］実施例７７と同様にして、表１４０およ
び表１４１に示した幅Ｄと比Ｄ／Ｒとを有するシリンダ
ー状アルミ支持体（シリンダーＮｏ．１０８〜１１９）
を得た。次に、このシリンダーを用いて、実施例７６と
同様の条件で光受容部材を作成した。作成した光受容部
材を実施例７６と同様に図８１に示した画像露光装置に
組み込み、２種類の波長のレーザー光（一方が他方の波
長の１．５倍）を用いて画像露光を行い、現像転写を行
って画像を得た。得られた画像については実施例７６と
同様の評価を行った。その評価結果を実施例７７の評価
結果と合わせて表１４０および表１４１に示す。ここ
で、比Ｄ／Ｒは従来の値を１として相対値で変化させ
た。表１４０および表１４１から、使用するレーザーの
波長によって最適な曲率半径Ｒが存在することが確認さ
れた。また、氷の粒子の径、支持体に衝突させる圧力を
適宜調整することにより、使用するレーザーの波長が異
なっても容易に対応できることが確認された。 ［実施例７９〜８３］実施例７６のシリンダー状アルミ
支持体（シリンダーＮｏ．１０３〜１０６）上に、表１
４２〜表１４６に示す層形成条件に従って光受容層を形
成した以外は、すべて実施例７６と同様にして光受容部
材を作成した。得られた光受容部材似ついて、実施例７
６と同様にして画像形成を行った。

【０３４０】

【表１４２】

【０３４１】

【表１４３】

【０３４２】

【表１４４】

【０３４３】

【表１４５】

【０３４４】

【表１４６】 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

【０３４５】以上の結果より、本発明によるディンプル
は光受容層の処方によらず充分に機能を発現するもので
あることが確認された。 ［実施例８４］図７９に示した製造装置を用いて、シリ
ンダーＮｏ．１０５の条件で１０００本のシリンダー表
面にディンプル処理を行い、１００本目ごとにシリンダ
ーの表面を顕微鏡で観察したのち、実施例７６と同様の
条件で光受容部材を作成した。得られた光受容部材につ
いて、実施例７６と同様にして画像形成を行ったのち、
画像評価を行った。その評価結果を表１４７に示す。な
お、表１４７において、「表面状態」については、○は
「良好」、△は「部分的に傷有り」、×は「傷跡多い」
を表しており、「画像評価」については、○は「良
好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用不能」を表
している。

【０３４６】

【表１４７】 ［比較例２３］従来の金属性の剛体球を用いてディンプ
ル処理を行う以外は、実施例８４と同様の実験を行った
のち、同様の評価を行った。評価結果を実施例８４の評
価結果と合わせて表１４７に示す。第１４７表から、剛
体球が金属である場合は、長期間使用すると剛体球が劣
化して、切粉などにより支持体の表面を傷つける場合が
あることが確認された。これに対して、本発明によるデ
ィンプルの処理方法は、絶えず新鮮な球状の氷の粒子が
供給されるため、長期間の使用においても支持体の表面
を傷つけることはまったくなかった。

【０３４７】

【発明の効果】以上説明したように、第１の発明によれ
ば、金属基体上に機能性膜を形成する工程を含む電子写
真感光体製造方法に於いて、特に金属基体上に本発明の
層構成であるアモルファスシリコンを母体とした電子写
真感光体膜をプラズマＣＶＤ法により形成する工程を含
む電子写真感光体製造方法において、前記光受容層を形
成する工程の前に、前記導電性基体の表面層を所定の精
度で切削する工程と、この切削工程後に、切削された導
電性基体表面を洗浄する工程および洗浄された導電性基
体の表面を純水に接触させる工程とを行うようにしたの
で、均一な高品位の画像を与える電子写真感光体を安価
に、かつ安定してしかも環境汚染の心配もなく製造する
ことが可能である。さらに、本発明によれば光導電層を
導電性基体から炭素原子を連続的に変化させることによ
って、電荷（フォトキャリア）の発生と該発生した電荷
の輸送という電子写真感光体にとっての重要な機能をな
めらかに接続させることが可能となり、従来の電荷発生
層と電荷輸送層を分離した、いわゆる機能分離型光受容
部材で問題となる、電荷発生層と電荷輸送層の間の光学
的エネルギーギャップの差による電荷の走行不良を防
ぎ、光感度の向上および残留電位の低減に貢献する。ま
た、光導電層に炭素が含有されていることにより光受容
層の誘電率を小さくすることができるために、層厚当り
の静電容量を減少させることができて高い帯電能と光感
度において著しい改善がみられ、さらに高電圧に対する
耐圧性も向上する。

【０３４８】そして、炭素を多く含む層を導電性基体側
に設置することにより導電性基体からの電荷の注入を阻
止することにより帯電能が改善され、さらに導電性基体
と光導電層との密着性が向上し、膜の剥離や微少な欠陥
の発生を抑制することができる。本発明の光導電層を用
いることにより、高帯電能、高感度、低残留電位で、優
れた電気特性を維持したままで耐久性を飛躍的に向上さ
せることができる。すなわち、膜の密着性が向上するた
め、連続して大量に画像形成を行なってもクリーニング
ブレードや分離爪へのダメージが少なく、クリーニング
性および転写紙の分離性も良好になる。従って、画像形
成装置としての耐久性を飛躍的に向上することができ
る。さらに誘電率の低下により高電圧に対する耐久性も
向上するため光受容部材の一部が絶縁破壊することによ
って起こる「リークポチ」がさらに発生しにくくなる。
本発明の表面層は撥水性に富むため対湿性が向上してい
る。さらに機械的強度や電気的耐圧性が向上し、また帯
電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるのを効果
的に阻止でき帯電能、使用環境特性、耐久性および電気
的耐圧性を向上することができる。さらに表面層での光
の吸収が減少するために感度の向上を図ることができ
る。さらに本発明によれば、さらに改造後の感光体の表
面の曇りといった外観不良での歩留まりを大幅に改良す
ることができる。第２の発明によれば、金属基体上に機
能性膜を形成する工程を含む電子写真感光体製造方法に
於いて、特に金属基体上に本発明の層構成であるアモル
ファスシリコンを母体とした電子写真感光体膜をプラズ
マＣＶＤ法により形成する工程を含む電子写真感光体製
造方法において、前記光受容層を形成する工程の前に、
前記導電性基体の表面層を所定の精度で切削する工程
と、この切削工程後に、切削された導電性基体表面を洗
浄する工程および洗浄された導電性基体の表面を純水に
接触させる工程とを行うようにしたので、均一な高品位
の画像を与える電子写真感光体を安価に、かつ安定して
しかも環境汚染の心配もなく製造することが可能であ
る。

【０３４９】さらに、本発明によれば光導電層を導電性
基体から炭素原子を連続的に変化させることによって、
電荷（フォトキャリア）の発生と該発生した電荷の輸送
という電子写真感光体にとっての重要な機能をなめらか
に接続させることが可能となり、従来の電荷発生層と電
荷輸送層を分離した、いわゆる機能分離型光受容部材で
問題となる、電荷発生層と電荷輸送層の間の光学的エネ
ルギーギャップの差による電荷の走行不良を防ぎ、光感
度の向上および残留電位の低減した感光体を提供するこ
とができる。また、光導電層に炭素が含有されているこ
とにより光受容層の誘電率を小さくすることができるた
めに、層厚当りの静電容量を減少させることができて高
い帯電能と光感度において著しい改善がみられ、さらに
高電圧に対する耐圧性も向上した感光体を提供すること
ができる。そして、炭素を多く含む層を導電性基体側に
設置することにより導電性基体からの電荷の注入を阻止
することにより帯電能が改善され、さらに導電性基体と
光導電層との密着性が向上し、膜の剥離や微少な欠陥の
発生を抑制した感光体を提供することができる。本発明
の光導電層を用いることにより、高帯電能、高感度、低
残留電位で、優れた電気特性を維持したままで耐久性を
飛躍的に向上させることができる。すなわち、膜の密着
性が向上するため、連続して大量に画像形成を行なって
もクリーニングブレードや分離爪へのダメージが少な
く、クリーニング性および転写紙の分離性も良好にな
る。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的に向
上することができる。さらに誘電率の低下により高電圧
に対する耐久性も向上するため光受容部材の一部が絶縁
破壊することによって起こる「リークポチ」がさらに発
生しにくい感光体を提供することができる。

【０３５０】以上のような効果は、例えばマイクロ波Ｃ
ＶＤ法のように堆積速度を速くして層形成を行なったと
きに特に顕著に現われる。さらに膜質が緻密になるた
め、帯電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるの
を効果的に阻止でき、帯電能、使用環境特性、耐久性及
び電気的耐圧性を向上することができる。さらに、光導
電層と表面層の界面におけるキャリアの蓄積が減少させ
ることができるために、帯電能を高い状態に維持しても
画像流れを抑制することが出来る。また、特にゴースト
が大幅に改善された感光体を提供することができる。本
発明によれば、さらに製造後の感光体の表面の曇りとい
った外観不良での歩留まりを大幅に改良することができ
る。さらに、本発明によれば定期的な反応容器の清掃直
後に製造した電子写真感光体の特性のばらつきをなくし
均一な特性の感光体を安定して供給する方法を提供す
る。また第３の発明によれば、基体上にアモルファスシ
リコンを母体とした電子写真感光体膜をプラズマＣＶＤ
法により形成する工程を含む電子写真感光体製造方法に
おいて、前記光受容層を形成する工程の前に、前記基体
の表面を所定の精度で切削する工程と、この切削工程後
に、切削された導電性基体表面を洗浄する工程、および
洗浄された導電性基体の表面を純水に接触させる工程と
を行うことにより、均一な高品位の画像を与える電子写
真感光体を安価に、かつ安定してしかも環境汚染の心配
もなく製造することが可能になった。

【０３５１】さらに、本発明によれば光導電層を導電性
基体から炭素原子を連続的に変化させることによって、
電荷（フォトキャリア）の発生と該発生した電荷の輸送
という電子写真感光体にとっての重要な機能をなめらか
に接続させることが可能となり、従来の電荷発生層と電
荷輸送層を分離した、いわゆる機能分離型光受容部材で
問題となる、電荷発生層と電荷輸送層の間の光学的エネ
ルギーギャップの差による電荷の走行不良を防ぎ、光感
度の向上および残留電位の低減に貢献する。また、光導
電層に炭素が含有されていることにより光受容層の誘電
率を小さくすることができるために、層厚当りの静電容
量を減少させることができて高い帯電能と光感度におい
て著しい改善がみられ、さらに高電圧に対する耐圧性も
向上する。そして、炭素を多く含む層を導電性基体側に
設置することにより導電性基体からの電荷の注入を阻止
することにより帯電能が改善され、さらに導電性基体と
光導電層との密着性が向上し、膜の剥離や微少な欠陥の
発生を抑制することができる。本発明の光導電層を用い
ることにより、高帯電能、高感度、低残留電位で、優れ
た電気特性を維持したままで耐久性を飛躍的に向上させ
ることができる。すなわち、膜の密着性が向上するた
め、連続して大量に画像形成を行なってもクリーニング
ブレードや分離爪へのダメージが少なく、クリーニング
性および転写紙の分離性も良好になる。従って、画像形
成装置としての耐久性を飛躍的に向上することができ
る。さらに誘電率の低下により高電圧に対する耐久性も
向上するため光受容部材の一部が絶縁破壊することによ
って起こる「リークポチ」がさらに発生しにくくなる。

【０３５２】本発明の方法により作製した表面層は撥水
性に富むため耐湿性が向上している。さらに機械的強度
や電気的耐圧性が向上し、また帯電処理を受けた際に表
面より電荷が注入されるのを効果的に阻止でき帯電能、
使用環境特性、耐久性および電気的耐圧性を向上するこ
とができる。さらに表面層での光の吸収が減少するため
に感度の向上を図ることができる。また特に再生紙を用
いた場合においても耐久性を大幅に伸ばすことが可能に
なった。さらに本発明によれば、改造後の感光体の表面
の曇りといった外観不良での歩留まりを大幅に改良する
ことができる。また第４の発明によれば、基体上にアモ
ルファスシリコンを母体とした電子写真感光体膜をプラ
ズマＣＶＤ法により形成する工程を含む電子写真感光体
製造方法において、前記光受容層を形成する工程の前
に、前記基体の表面を所定の精度で切削する工程と、こ
の切削工程後に、切削された導電性基体表面を洗浄する
工程、および洗浄された導電性基体の表面を純水に接触
させる工程とを行なうことにより、均一な高品位の画像
を与える電子写真感光体を安価に、かつ安定してしかも
環境汚染の心配もなく製造することが可能になった。さ
らに、本発明によれば光導電層を導電性基体から炭素原
子を連続的に変化させることによって、電荷（フォトキ
ャリア）の発生と該発生した電荷の輸送という電子写真
感光体にとっての重要な機能をなめらかに接続させるこ
とが可能となり、従来の電荷発生層と電荷輸送層を分離
した、いわゆる機能分離型光受容部材で問題となる、電
荷発生層と電荷輸送層の間の光学的エネルギーギャップ
の差による電荷の走行不良を防ぎ、光感度の向上および
残留電位の低減に貢献する。

【０３５３】また、光導電層に炭素が含有されているこ
とにより光受容層の誘電率を小さくすることができるた
めに、層厚当りの静電容量を減少させることができて高
い帯電能と光感度において著しい改善がみられ、さらに
高電圧に対する耐圧性も向上する。そして、炭素を多く
含む層を導電性基体側に設置することにより導電性基体
からの電荷の注入を阻止することにより帯電能が改善さ
れ、さらに導電性基体と光導電層との密着性が向上し、
膜の剥離や微少な欠陥の発生を抑制することができる。
本発明の光導電層を用いることにより、高帯電能、高感
度、低残留電位で、優れた電気特性を維持したままで耐
久性を飛躍的に向上させることができる。すなわち、膜
の密着性が向上するため、連続して大量に画像形成を行
なってもクリーニングブレードや分離爪へのダメージが
少なく、クリーニング性および転写紙の分離性も良好に
なる。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的に
向上することができる。さらに誘電率の低下により高電
圧に対する耐久性も向上するため光受容部材の一部が絶
縁破壊することによって起こる「リークポチ」がさらに
発生しにくくなる。本発明の方法により作製した表面層
は撥水性に富むため耐湿性が向上している。さらに機械
的強度や電気的耐圧性が向上し、また帯電処理を受けた
際に表面より電荷が注入されるのを効果的に阻止でき帯
電能、使用環境特性、耐久性および電気的耐圧性を向上
することができる。さらに表面層での光の吸収が減少す
るために感度の向上を図ることができる。また特に再生
紙を用いた場合においても耐久性を大幅に伸ばすことが
可能になった。

【０３５４】さらに本発明によれば、改造後の感光体の
表面の曇りといった外観不良での歩留まりを大幅に改良
することができる。また、第５の発明によれば、金属基
体上に機能性膜を形成する工程を含む電子写真感光体製
造方法に於いて、特に金属基体上に本発明の層構成であ
るアモルファスシリコンを母体とした電子写真感光体膜
をプラズマＣＶＤ法により形成する工程を含む電子写真
感光体製造方法において、前記光受容層を形成する工程
の前に、前記導電性基体の表面層を所定の精度で切削す
る工程と、この切削工程後に、切削された導電性基体表
面を洗浄する工程および洗浄された導電性基体の表面を
純水に接触させる工程とを行うようにしたので、均一な
高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に、かつ安
定してしかも環境汚染の心配もなく製造することが可能
である。さらに、本発明によれば光導電層を導電性基体
から炭素原子を連続的に変化させることによって、電荷
（フォトキャリア）の発生と該発生した電荷の輸送とい
う電子写真感光体にとっての重要な機能をなめらかに接
続させることが可能となり、従来の電荷発生層と電荷輸
送層を分離した、いわゆる機能分離型光受容部材で問題
となる、電荷発生層と電荷輸送層の間の光学的エネルギ
ーギャップの差による電荷の走行不良を防ぎ、光感度の
向上および残留電位の低減に貢献する。また、光導電層
に炭素が含有されていることにより光受容層の誘電率を
小さくすることができるために、層厚当りの静電容量を
減少させることができて高い帯電能と光感度において著
しい改善がみられ、さらに高電圧に対する耐圧性も向上
する。

【０３５５】そして、炭素を多く含む層を導電性基体側
に設置することにより導電性基体からの電荷の注入を阻
止することにより帯電能が改善され、さらに導電性基体
と光導電層との密着性が向上し、膜の剥離や微少な欠陥
の発生を抑制することができる。本発明の光導電層を用
いることにより、高帯電能、高感度、低残留電位で、優
れた電気特性を維持したままで耐久性を飛躍的に向上さ
せることができる。すなわち、膜の密着性が向上するた
め、連続して大量に画像形成を行なってもクリーニング
ブレードや分離爪へのダメージが少なく、クリーニング
性および転写紙の分離性も良好になる。従って、画像形
成装置としての耐久性を飛躍的に向上することができ
る。さらに誘電率の低下により高電圧に対する耐久性も
向上するため光受容部材の一部が絶縁破壊することによ
って起こる「リークポチ」がさらに発生しにくくなる。
本発明の表面層は撥水性に富むため対湿性が向上してい
る。さらに機械的強度や電気的耐圧性が向上し、また帯
電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるのを効果
的に阻止でき帯電能、使用環境特性、耐久性および電気
的耐圧性を向上することができる。さらに表面層での光
の吸収が減少するために感度の向上を図ることができ
る。さらに本発明によれば、さらに改造後の感光体の表
面の曇りといった外観不良での歩留まりを大幅に改良す
ることができる。更に第６の発明の光受容部材は、球状
の氷の粒子を支持体の表面に衝突させて得られた痕跡窪
みによる凹凸を支持体の表面が有することにより、従来
のアモルファスシリコンで構成された光受容層を有する
光受容部材に生じていた諸問題のすべてを解決でき、特
に可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用い
た場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞模
様の現出を顕著に防止し、極めて良好な可視画像を形成
することができる。また、特に、電子写真用光受容部材
として適用した場合には、使用するトナーの粒径が変化
しても画像形成への残留電位の影響がまったくなく、そ
の電気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有す
るものであって、耐光疲労、繰り返し使用特性に長け、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、かつ解像度の
高い高品質の画像を安定して繰り返し得ることができ
る。

【０３５６】また第７の発明の光受容部材作成方法は、
痕跡窪み形成用の球状が氷の粒子であることにより、容
易に痕跡窪みの形状を調整できるため、使用する支持体
の材質および形状や、使用するレーザー光の波長によら
ず、再現性よく光受容部材の特性を発現させることがで
きる。特に、半導体レーザーとのマッチングに優れ、か
つ光応答が速く、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性および使用環境特性を示す光受容
部材を作成することができる。また、有機溶剤を使用す
ることなく支持体の洗浄を行うことが可能であり、環境
問題に対しても極めて有効であり、かつ作業工程の簡略
化が容易であることから製造コストの削減も容易とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体製造方法を実施するた
めに使用される基体表面処理装置の概略断面図。

【図２】（ａ）はマイクロ波プラズマＣＶＤ法により円
筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の
概略縦断面図。（ｂ）は同横断面図。

【図３】従来の方法において、堆積膜形成の前処理とし
て基体の洗浄を行うための洗浄装置の概略断面図。

【図４】高周波プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に
堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面
図。

【図５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の電子写真感
光体の製法において、構成された層構成。

【図６】従来の電子写真感光体の層構成を示す断面図。

【図７】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パター
ン。

【図８】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パター
ン。

【図９】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パター
ン。

【図１０】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図１１】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図１２】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図１３】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図１４】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図１５】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図１６】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図１７】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図１８】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図１９】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図２０】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図２１】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図２２】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図２３】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図２４】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図２５】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図２６】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図２７】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図２８】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図２９】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図３０】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図３１】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図３２】マイクロ波プラズマＣＶＤ法により連続して
電子写真感光体を製造するためのシステム。

【図３３】本発明による電子写真感光体を連続して製造
したときの特性の変化。

【図３４】本発明外による電子写真感光体を連続して製
造したときの特性の変化。

【図３５】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図３６】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図３７】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図３８】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図３９】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図４０】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図４１】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図４２】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図４３】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図４４】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図４５】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図４６】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図４７】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図４８】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図４９】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図５０】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図５１】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図５２】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図５３】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図５４】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図５５】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図５６】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図５７】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図５８】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図５９】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図６０】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図６１】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図６２】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図６３】本発明の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーン。

【図６４】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図６５】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターン。

【図６６】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図６７】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図６８】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図６９】本発明の光導電層でのフッ素含有量の分布パ
ターン。

【図７０】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図７１】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図７２】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図７３】本発明の光導電層での酸素含有量の分布パタ
ーン。

【図７４】本発明の光受容部材の一実施例を示す断面図
である。

【図７５】表面を規則的に荒らした支持体上に、多層構
成の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡
大して示した図である。

【図７６】図７４に示した光受容部材の一部を拡大した
図である。

【図７７】図７４に示した支持体の表面に凹凸を形成す
る一方法を示す模式図である。

【図７８】図７７に示した方法により複数のディンプル
による凹凸が表面に形成された支持体の典型例を示すも
のである。

【図７９】本発明による光受容部材を電子写真用光受容
部材として用いる場合に、支持体の表面に凹凸を形成す
るための製造装置の一例を示す概略構成図である。

【図８０】プラズマＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を示す概略構成図である。

【図８１】評価に用いた、レーザー光による画像露光装
置を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１０１ 基体 １０２ 処理層 １０３ 基体搬送機構 １１１ 基体投入台 １２１ 基体洗浄槽 １２２ 洗浄液 １３１ 純水接触槽 １３２，１４２ ノズル １４１ 乾燥槽 １５１ 基体搬出台 １６１ 搬送アーム １６２ 移動機構 １６３ チャッキング機構 １６４ エアーシリンダー １６５ レール ２０１ 反応容器 ２０２ マイクロ波導入窓 ２０３ 導波管 ２０４ 排気管 ２０５ 円筒状基体 ２０６ 放電空間 ２０７ ヒーター ２０９ 回転軸 ２１０ モーター ２１１ 直流バイアス電源 ２１２ バイアス印加用電極 ３０１ 基体 ３０２ 処理槽 ３０３ 基体搬送機構 ３１１ 基体投入台 ３２１ 基体洗浄槽 ３２２ 洗浄液 ３５１ 基体搬出台 ３６１ 搬送アーム ３６２ 移動機構 ３６３ チャッキング機 ３６４ エアーシリンダ ３６５ レール ４００ 堆積膜形成装置 ４０１ 反応容器 ４０２ 円筒状基体 ４０３ 円筒状基体加熱用ヒーター ４０４ 原料ガス導入管 ４０５ 高周波マッチングボックス ４０６ 原料ガス導入用配管 ４０７ 反応容器リークバルブ ４０８ メイン排気バルブ ４０９ 真空計 ４１０ 原料ガス供給装置 ４１１〜４１６ マスフローコントローラー ４１７〜４２２ 原料ガスボンベ ４２３〜４２８ 原料ガスボンベバルブ ４２９〜４３４ 原料ガス流入バルブ ４３５〜４４０ 原料ガス流出バルブ ４４１〜４４６ 圧力調整器 ４４７ バルブ ５０１，６０１ 基体 ５０２ 光導電層 ５０２’ 第１の光導電層 ５０３’ 第２の光導電層 ５０４，６０４ 表面層 ５０５，６０５ 電子写真感光体 ６０２ 電荷輸送層 ６０３ 電荷発生層 １１００，１３００，１８０１ 光受容部材 １１０１，１５０１ 支持体 １１０１₁ ，１５０１₁ 表面 １１０２ 光受容層 １１０２₁ ，１３０２₁ 第１の層 １１０２₂ ，１３０２₂ 第２の層 １１０３，１３０３ 自由表面 １１０４，１３０４ 界面 １４０３，１５０３，１５０３₁ ，１５０３₂ ，１６０
５ 氷の粒子 １４０４，１５０４，１５０４₁ ，１５０４₂ ディ
ンプル １６０１ アルミニウムシリンダー １６０２ 回転軸 １６０３ 噴射手段 １６０４ 加圧用気体ボンベ １６０６ 製氷器 １６０７ スプレーノズル １６０８ 冷却手段 １６０９ 純水タンク １６１０ 純水加圧用気体ボンベ １６１１ 純水供給用配管 １７０１ 反応室 １７０２〜１７０６ ガスボンベ １７０７〜１７１１ マスフローコントローラー １７１２〜１７１６ 流入バルブ １７１７〜１７２１ 流出バルブ １７２２〜１７２６ バルブ １９０１ 加熱容器 １９０２ 反応容器 １９０３ 冷却容器 １９０４ 真空搬送容器 １９０５〜１９１０ バルブ １９１１〜１９１４ ゲートバルブ １９１５〜１９２０ 真空装置 １９２１ レール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高井 康好 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 片桐 宏之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 瀬木 好雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (56)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基体の表面を所定の精度で切削す
   る工程、切削後の基体表面を水で洗浄する工程、該導電
   性基体の表面を純水に接触させる工程、そして該導電性
   基体上に、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構
   成された光導電層および表面層からなる光受容部層を形
   成する工程を備えた電子写真感光体の製造方法であっ
   て、前記光導電層中に全層に渡って炭素原子および水素
   原子を含有し、該炭素原子の含有量が層厚方向に不均一
   に分布し、かつ前記導電性基体側で高く分布しており、
   前記表面層中に炭素原子、水素原子、酸素原子および窒
   素原子を含有している光受容層をプラズマＣＶＤ法によ
   り導電性基体上に形成することを特徴とする電子写真感
   光体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記表面層中の炭素原子、酸素原子、窒
   素原子の含有量の和が、（炭素原子＋酸素原子＋窒素原
   子）／（シリコン原子＋炭素原子＋酸素原子＋窒素原
   子）で表される値で、４０〜９０原子％であり、かつハ
   ロゲンを含み、該ハロゲン原子の含有量が２０原子％以
   下、かつ水素原子とハロゲン原子の含有量の和が３０〜
   ７０原子％である請求項１記載の電子写真感光体の製造
   方法。
3. 【請求項３】 前記光導電層中の炭素原子の含有量が前
   記導電性基体との界面において、０．５〜５０原子％、
   前記表面層との界面において実質的に０％であり、前記
   光導電層中の水素原子の含有量が１〜４０原子％である
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体
   の製造方法。
4. 【請求項４】 前記光導電層中にハロゲン原子を含有す
   ることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体の製
   造方法。
5. 【請求項５】 前記光導電層中のハロゲン原子が、前記
   表面層との界面、または界面近傍において最大値を有す
   るように分布することを特徴とする請求項４記載の電子
   写真感光体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記表面層中の炭素原子、酸素原子、窒
   素原子の含有量の和が前記光導電層表面から最表面に向
   かって多くなるように分布することを特徴とする請求項
   ２記載の電子写真感光体の製造方法。
7. 【請求項７】 導電性基体の表面を所定の精度で切削す
   る工程、切削後の基体表面を水で洗浄する工程、該導電
   性基体の表面を純水に接触させる工程、そして該導電性
   基体上に、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構
   成された光導電層および表面層からなる光受容部層を形
   成する工程を備えた電子写真感光体の製造方法であっ
   て、前記光導電層中に全層に渡って炭素原子、水素原
   子、ハロゲン原子、酸素原子を含有し、該炭素原子の含
   有量が層厚方向に不均一に分布し、かつ前記導電性基体
   側で高く分布しており、前記表面層中に炭素原子および
   水素原子を含有している光受容層をプラズマＣＶＤ法に
   より導電性基体上に形成することを特徴とする電子写真
   感光体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記光導電層と前記表面層の間にさらに
   珪素原子を母体とし、水素原子または、およびハロゲン
   原子からなり実質的に炭素原子が０原子％である第２の
   光導電層を設けることを特徴とする請求項７記載の電子
   写真感光体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記光導電層中の炭素原子の含有量が前
   記導電性基体との界面において０．５〜５０原子％、前
   記表面層との界面又は界面近傍において実質的に０原子
   ％であり、前記光導電層中の水素原子の含有量が１〜４
   ０原子％であることを特徴とする請求項７記載の電子写
   真感光体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記光導電層中に含有するハロゲン原
    子が１〜９５原子ｐｐｍであり、酸素原子が１０〜５０
    ００原子ｐｐｍであることを特徴とする請求項７記載の
    電子写真感光体の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記光導電層中に含有するハロゲン原
    子が、前記表面層側との界面、または界面近傍において
    最大値を有するように分布することを特徴とする請求項
    ７記載の電子写真感光体の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記光導電層中に含有する酸素原子
    が、前記表面層側との界面、または界面近傍において最
    大値を有するように分布することを特徴とする請求項７
    記載の電子写真感光体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記表面層中の炭素原子の含有量が、
    ４０〜９０原子％であり、かつハロゲン原子を含み、該
    ハロゲン原子の含有量が２０原子％以下、かつ水素原子
    とハロゲン原子の含有量の和が３０〜７０原子％である
    請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
14. 【請求項１４】 導電性基体の表面を所定の精度で切削
    する工程、切削後の基体表面を水で洗浄する工程、該導
    電性基体の表面を純水に接触させる工程、そして該導電
    性基体上に、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された光導電層および表面層からなる光受容部層を
    形成する工程を備えた電子写真感光体の製造方法であっ
    て、前記光導電層中に全層に渡って炭素原子および水素
    原子を含有し、該炭素原子の含有量が層厚方向に不均一
    に分布し、かつ前記導電性基体側で高く分布しており、
    前記表面層中に炭素原子、水素原子、周期律表第III 族
    元素を含有している光受容層をプラズマＣＶＤ法により
    導電性基体上に形成することを特徴とする電子写真感光
    体の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記表面層中の炭素原子の含有量が、
    炭素原子／（シリコン原子＋炭素原子）で表される値
    で、４０〜９０原子％であり、かつハロゲンを含み、該
    ハロゲン原子の含有量が２０原子％以下、かつ水素原子
    とハロゲン原子の含有量の和が３０〜７０原子％である
    請求項１４記載の電子写真感光体の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記光導電層中の炭素原子の含有量が
    前記導電性基体との界面において、０．５〜５０原子
    ％、前記表面層との界面において実質的に０％であり、
    前記光導電層中の水素原子の含有量が１〜４０原子％で
    あることを特徴とする請求項１４又は１５記載の電子写
    真感光体の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記光導電層中にハロゲン原子を含有
    することを特徴とする請求項１４記載の電子写真感光体
    の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記光導電層中のハロゲン原子が、前
    記表面層との界面、または界面近傍において最大値を有
    するように分布することを特徴とする請求項１７記載の
    電子写真感光体の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記光導電層中にハロゲン原子に加え
    て更に酸素原子を含有することを特徴とする請求項１７
    記載の電子写真感光体の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記光導電層中に含有する酸素原子が
    前記表面層との界面、または界面近傍において最大値を
    有するように分布することを特徴とする請求項１７記載
    の電子写真感光体の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記表面層中に含有される周期律表第
    III 族の含有量が全原子数に対して１×１０⁵ ｐｐｍ以
    下である請求項１５記載の電子写真感光体の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記表面層中の炭素原子の含有量が前
    記光導電層表面から最表面に向って多くなるように分布
    することを特徴とする請求項１５記載の電子写真感光体
    の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記表面層中に、更に酸素原子、窒素
    原子を含有することを特徴とする請求項１４記載の電子
    写真感光体の製造方法。
24. 【請求項２４】 （ａ）導電性基体の表面を所定の精度
    で切削する工程、（ｂ）切削後の基体表面を水で洗浄す
    る工程、（ｃ）洗浄した基体表面を純水に接触させて基
    体表面を清浄化する工程、（ｄ）清浄化した基体表面
    に、炭素原子および水素原子を含有すると共に前記炭素
    原子の含有量が層厚方向に不均一かつ前記導電性基体側
    において高く分布してなるシリコン原子と炭素を母体と
    する非単結晶材料で構成された第１の光導電層をプラズ
    マＣＶＤ法により形成する工程、（ｅ）前記形成した第
    １の光導電層上にシリコン原子を母体とする第２の光導
    電層をプラズマＣＶＤ法により形成する工程、（ｆ）前
    記形成した第２の光導電層上にシリコン原子を母体と
    し、炭素原子、水素原子および周期律表第III 族元素を
    含有した表面層をプラズマＣＶＤ法により形成する工
    程、上記各工程を有することを特徴とする電子写真感光
    体の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記表面層中の炭素原子の含有量が、
    炭素原子／（シリコン原子＋炭素原子）で表される値
    で、４０〜９０原子％であり、かつハロゲンを含み、該
    ハロゲン原子の含有量が２０原子％以下、かつ水素原子
    とハロゲン原子の含有量の和が３０〜７０原子％である
    請求項２４記載の電子写真感光体の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記第１の光導電層中の炭素原子の含
    有量が前記導電性基体との界面において、０．５〜５０
    原子％、前記表面層との界面において実質的に０％であ
    り、前記光導電層中の水素原子の含有量が１〜４０原子
    ％であることを特徴とする請求項２４又は２５記載の電
    子写真感光体の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記第１の光導電層中にハロゲン原子
    を含有することを特徴とする請求項２４記載の電子写真
    感光体の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記第１の光導電層中のハロゲン原子
    が、前記表面層との界面、または界面近傍において最大
    値を有するように分布することを特徴とする請求項２７
    記載の電子写真感光体の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記第１の光導電層中にハロゲン原子
    に加えて更に酸素原子を含有することを特徴とする請求
    項２７記載の電子写真感光体の製造方法。
30. 【請求項３０】 前記第１の光導電層中に含有する酸素
    原子が前記表面層との界面、または界面近傍において最
    大値を有するように分布することを特徴とする請求項２
    ７記載の電子写真感光体の製造方法。
31. 【請求項３１】 前記表面層中に含有される周期律表第
    III 族の含有量が全原子数に対して１×１０⁵ 原子ｐｐ
    ｍ以下である請求項２５記載の電子写真感光体の製造方
    法。
32. 【請求項３２】 前記表面層中の炭素原子の含有量が前
    記第２の光導電層表面から最表面に向って多くなるよう
    に分布することを特徴とする請求項２５記載の電子写真
    感光体の製造方法。
33. 【請求項３３】 前記表面層中に、更に酸素原子、窒素
    原子を含有することを特徴とする請求項２４記載の電子
    写真感光体の製造方法。
34. 【請求項３４】 （ａ）導電性基体の表面を所定の精度
    で切削する工程、（ｂ）切削後の基体表面を水で洗浄す
    る工程、（ｃ）洗浄した基体表面を純水に接触させて基
    体表面を清浄化する工程、（ｄ）清浄化した基体表面
    に、炭素原子および水素原子を含有すると共に前記炭素
    原子の含有量が層厚方向に不均一かつ前記導電性基体側
    において高く分布してなるシリコン原子と炭素を母体と
    する非単結晶材料で構成された第１の光導電層をプラズ
    マＣＶＤ法により形成する工程、（ｅ）前記形成した第
    １の光導電層上にシリコン原子を母体とする第２の光導
    電層をプラズマＣＶＤ法により形成する工程、（ｆ）前
    記形成した第２の光導電層上にシリコン原子を母体と
    し、炭素原子、水素原子、酸素原子、および窒素原子を
    含有した表面層をプラズマＣＶＤ法により形成する工
    程、上記各工程を有することを特徴とする電子写真感光
    体の製造方法。
35. 【請求項３５】 前記表面層中の炭素原子、酸素原子、
    窒素原子の含有量の和が、（炭素原子＋酸素原子＋窒素
    原子）／（シリコン原子＋炭素原子＋酸素原子＋窒素原
    子）で表される値で、４０〜９０原子％であり、かつハ
    ロゲンを含み、該ハロゲン原子の含有量が該表面層中の
    全原子含有量に対して２０原子％以下、かつ水素原子と
    ハロゲン原子の含有量の和が３０〜７０原子％である請
    求項３４記載の電子写真感光体の製造方法。
36. 【請求項３６】 前記第１の光導電層中の炭素原子の含
    有量が前記導電性基体との界面において、０．５〜５０
    原子％、前記第２の光導電層との界面において実質的に
    ０％であり、前記第１の光導電層中の水素原子の含有量
    が１〜４０原子％であることを特徴とする請求項３４又
    は３５記載の電子写真感光体の製造方法。
37. 【請求項３７】 前記第１の光導電層中にハロゲン原子
    を含有することを特徴とする請求項３４記載の電子写真
    感光体の製造方法。
38. 【請求項３８】 前記第１の光導電層中のハロゲン原子
    が、前記第２の光導電層との界面、または界面近傍にお
    いて最大値を有するように分布することを特徴とする請
    求項３７記載の電子写真感光体の製造方法。
39. 【請求項３９】 前記第１の光導電層中にさらに酸素原
    子を含有することを特徴とする請求項３７記載の電子写
    真感光体の製造方法。
40. 【請求項４０】 前記第１項の光導電層中の酸素原子が
    前記第２の光導電層との界面、または界面近傍において
    最大値を有するように分布することを特徴とする請求項
    ３９記載の電子写真感光体の製造方法。
41. 【請求項４１】 前記表面層中の炭素原子、酸素原子、
    窒素原子の含有量の和が前記第２の光導電層との界面か
    ら最表面に向かって多くなるように分布することを特徴
    とする請求項３５記載の電子写真感光体の製造方法。
42. 【請求項４２】 支持体と、支持体上に形成された多層
    構成の光受容層とを含み、 前記支持体の表面が、複数の球状の氷の粒子を自然落下
    または加圧噴射させ、該複数の球状の氷の粒子を前記支
    持体の表面に衝突させて得られた複数の痕跡窪みによる
    凹凸を有していることを特徴とする光受容部材。
43. 【請求項４３】 前記複数の痕跡窪みによる凹凸が、ほ
    ぼ同一の曲率半径の球状痕跡窪みによる凹凸である請求
    項４２記載の光受容部材。
44. 【請求項４４】 前記複数の痕跡窪みによる凹凸が、ほ
    ぼ同一の曲率半径およびほぼ同一の幅の球状痕跡窪みに
    よる凹凸である請求項４２または４３記載の光受容部
    材。
45. 【請求項４５】 前記複数の痕跡窪みによる凹凸が、ほ
    ぼ同一大きさの複数の球状の氷の粒子をほぼ同一の高さ
    から自然落下またはほぼ同一の圧力で加圧噴射させ、該
    複数の球状の氷の粒子を前記支持体の表面に衝突させて
    得られたものである請求項４２乃至４４いずれか記載の
    光受容部材。
46. 【請求項４６】 前記複数の球状の氷の粒子が、気相中
    で純水を霧状に分散させ、該分散された純水を冷却手段
    によって凍結させて作製されたものである請求項４２乃
    至４５いずれか記載の光受容部材。
47. 【請求項４７】 前記痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下
    である請求項４２乃至４６いずれか記載の光受容部材。
48. 【請求項４８】 前記球状の氷の粒子の径が、１０μｍ
    〜１０ｍｍである請求項４２乃至４７いずれか記載の光
    受容部材。
49. 【請求項４９】 前記支持体が金属体である請求項４２
    乃至４８いずれか記載の光受容部材。
50. 【請求項５０】 支持体と、支持体上に形成された多層
    構成の光受容層とを含む光受容部材を作成する光受容部
    材作成方法において、 複数の球状の氷の粒子を自然落下または加圧噴射させ、
    該複数の球状の氷の粒子を前記支持体の表面に衝突させ
    て、該支持体の表面に複数の痕跡窪みによる凹凸を形成
    する凹凸形成工程と、 前記支持体上に前記光受容層を形成する光受容層形成工
    程とを含むことを特徴とする光受容部材作成方法。
51. 【請求項５１】 前記凹凸形成工程が、ほぼ同一大きさ
    の複数の球状の氷の粒子をほぼ同一の高さから自然落下
    またはほぼ同一の圧力で加圧噴射させ、該複数の球状の
    氷の粒子を前記支持体の表面に衝突させる請求項５０記
    載の光受容部材作成方法。
52. 【請求項５２】 前記凹凸形成工程が、気相中で純水を
    霧状に分散させたのち、該分散された純水を冷却手段に
    よって凍結させて、前記複数の球状の氷の粒子を作製す
    る製氷工程を含む請求項５０または５１記載の光受容部
    材作成方法。
53. 【請求項５３】 前記痕跡窪みの幅が５００μｍ以下と
    なるように、前記複数の球状の氷の粒子の自然落下の落
    下距離または加圧噴射の圧力を設定する請求項５０乃至
    ５２いずれか記載の光受容部材作成方法。
54. 【請求項５４】 前記凹凸形成工程が、前記支持体の洗
    浄を行う支持体洗浄工程を兼ねる請求項５０乃至５３い
    ずれか記載の光受容部材作成方法。
55. 【請求項５５】 前記球状の氷の粒子の径が、１０μｍ
    〜１０ｍｍである請求項５０乃至５４いずれか記載の光
    受容部材作成方法。
56. 【請求項５６】 前記支持体が金属体である請求項５０
    乃至５５いずれか記載の光受容部材作成方法。