JPH09244284A - 光受容部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電性支持体上に、シリコン原子を母体とす
る非晶質材料からなる光導電層、中間層および表面層を
少なくとも有し、電荷保持特性、残留電位等の電気的特
性が優れかつ耐久性のある光受容部材の製造方法を提供
する。 【解決手段】 真空気密に形成された反応容器の放電空
間内に導電性支持体を設置し、各層の構成原子を含む原
料を導入し、放電により原料ガスを分解して分解ガスを
支持体上に順次積層する工程中、中間層作製時の二種の
原料ガスの流量比の時間的変化を所定の範囲内になるよ
うにして成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線のような電磁波（以下たんに光と略
記する）に対して感受性のある光受容部材を連続して安
定に製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置、あるいは像形成分野にお
ける電子写真用光受容部材や原稿読み取り装置における
光導電層を形成する材料として、高感度でＳＮ比［光電
流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く照射する電磁波の
スペクトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を
有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有する
こと、使用時において人体に無害であること、さらには
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができる等の特性が要求される。特に事務機
としてオフィスで使用される電子写真用光受容部材の場
合には、上記の使用時における無害性は重要な点であ
る。

【０００３】このような観点に立脚して注目されている
材料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリ
ングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以後、
「ａ−Ｓｉ」と表記する）があり、例えば特開昭５４−
８６３４１号公報には電子写真用光受容部材への応用が
記載されている。

【０００４】従来、円筒状支持体上にａ−Ｓｉからなる
光受容部材を形成する形成方法として、スパッタリング
法、熱により原料ガスを分解して分解した原料を支持体
上に堆積し成膜する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料
ガスを分解して分解した原料を支持体上に堆積し成膜す
る方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解
して分解した支持体上に堆積し成膜する方法（プラズマ
ＣＶＤ法）等、多数知られている。中でもプラズマＣＶ
Ｄ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、マイク
ロ波グロー放電等によって分解し、円筒状支持体上に堆
積膜を形成する方法は電子写真用光受容部材の形成方法
等に現在実用化が非常に進んでいる。

【０００５】図５は、典型的なプラズマＣＶＤ装置の断
面略図である。図中、５１００は真空反応容器全体を示
し、５１１１は真空反応容器の側壁を兼ねたカソード電
極であり、５１２０は真空反応容器の上壁となるゲー
ト、５１２１は真空反応容器の底壁である。前記カソー
ド電極５１１１と、上壁５１２０および底壁５１２１と
は、それぞれ碍子５１２２で絶縁されている。

【０００６】５１１２は真空反応容器内に設置された支
持体（基体）であり、この基体５１１２は接地されてア
ノード電極となるものである。支持体５１１２の中に
は、基体加熱用ヒーター５１１３が設置されており、成
膜前に支持体を所定の温度に加熱したり、成膜中に支持
体を所定の温度に維持したり、あるいは成膜後支持体を
アニール処理したりするのに用いる。

【０００７】５１１４は堆積膜形成用原料ガス導入管で
あって、真空反応空間内に該原料ガスを放出するための
ガス放出孔（図示せず）が多数設けられており、この原
料ガス導入管５１１４の他端は、バルブ５２６０を介し
て堆積膜形成用原料ガス供給系５２００に連通してい
る。

【０００８】５１１９は、真空反応容器内を真空排気す
るための排気管であり、排気バルブ５１１８を介して真
空排気装置５１１７に連通している。５１１５は、カソ
ード電極５１１１への電圧印加手段である。

【０００９】こうしたプラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置の操作方法は次のようにして行われる。すなわ
ち、真空反応容器内のガスを、排気管５１１９を介して
真空排気するとともに、加熱用ヒーター５１１３により
支持体５１１２を所定温度に加熱、保持する。次に原料
ガス導入管５１１４を介して、例えばａ−ＳｉＨ堆積膜
を形成する場合であれば、シラン等の原料ガスを真空反
応容器内に導入する。この原料ガスは、ガス導入管の原
料ガス放出孔（図示せず）から真空反応容器内に放出さ
れる。これと同時併行的に、電圧印加手段５１１５か
ら、例えば高周波電圧をカソード電極５１１１と支持体
（アノード電極）５１１２間に印加しプラズマ放電を発
生せしめる。かくして、真空反応容器内の原料ガスは励
起され励起種化し、Ｓｉ^* ，ＳｉＨ^* 等（^* は励起状態
を表す。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子等が生成
され、これらの粒子間または、これらの粒子と支持体表
面との化学的相互作用により、支持体表面上に堆積膜を
形成する。

【００１０】このような堆積膜の製造方法として堆積膜
形成中に条件を変えて作成する方法も検討されている。
例えば、特公平５−５４９５３号公報には、電位保持率
を改善させるために光導電層と表面保護層との間に高抵
抗層である中間層を設ける技術が開示されている。

【００１１】また、特開平２−２０３３５０号公報に
は、光導電層と表面層との間に中間層を設け、光導電層
と中間層との界面のカーボン含有量、中間層と表面層と
の界面のカーボン含有量を適正化し、暗減衰を小さく
し、表面電位を向上させる技術が開示されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の光受
容部材形成方法により、実用的な特性と均一性をもつ光
受容部材を得ることが可能になっった。しかし現在、例
えば電子写真装置においてはさらに高画質、高速、高耐
久性が望まれている。したがって電子写真用光受容部材
のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品に
おいては、光学的特性や電気的特性のさらなる向上とと
もに、高帯電能、高感度を維持しつつあらゆる環境下で
耐久性を延ばすことが求められている。つまり、光受容
部材の電荷保持特性を充分に維持し、表面電位の変化
（電位シフト）を抑えつつ、さらに光受容部材の強度を
向上させて、長期間使用時の表面の摺擦による画像特性
の劣化を低減させる必要がある。

【００１３】このように光需要部材そのものの特性改良
が図られる一方で、上記のような問題が解決されるよう
に、層構成、各層の化学的組成および作製方法等総合的
な観点からの改良を図ることが必要とされている。

【００１４】本発明の目的は、上述のごとき光受容部材
における電荷保持特性を維持し、強度を向上させ、安定
して歩留まりよく高速形成し得る、使い易く耐久性の優
れた光受容部材の製造方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の光受容部材の製
造方法は次のようである。 １．導電性支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶
質材料からなる光導電層、中間層および表面層を少なく
とも有する光受容部材の製造方法において、真空気密に
形成された反応容器の放電空間内に前記導電性支持体を
設置し、前記各層の構成原子を含む原料を導入し、放電
により前記原料ガスを分解し、その分解ガスを前記導電
性支持体上に順次積層する工程を含み、前記中間層の作
製時に、少なくともシリコン原子を供給し得るシリコン
供給用の原料ガスと他原子を供給し得る他原子供給用の
原料ガスを用い、シリコン供給用の原料ガス流量Ｂに対
する他原子供給用の原料ガス流量Ａの比Ｃ＝Ａ／Ｂの時
間当りの変化率Ｓ＝△Ｃ／△ｔを、所定の範囲になるよ
うに原料ガスを反応容器に導入すること特徴とする光受
容部材の製造方法。 ２．前記光導電層が、シリコン原子を母体とする非晶質
材料で構成され、前記表面層がシリコン原子を母体と
し、少なくとも、炭素原子および、水素原子または／お
よびハロゲン原子を含んでなる非晶質材料で構成され、
前記中間層の作製時には、少なくともシリコン原子を供
給し得るシリコン供給用の原料ガスＢと炭素原子を供給
し得る炭素供給用の原料ガスＡを用い、シリコン供給用
の原料ガス流量に対する炭素供給用の原料ガス流量の比
の１秒当りの変化率Ｓを、１×１０^-3≦Ｓ≦１．５×１
０^-2に設定したことを特徴とする前記１に記載の光受容
部材の製造方法。 ３．前記光導電層が、シリコン原子を母体とする非晶質
材料で構成され、前記表面層がシリコン原子を母体と
し、炭素原子および、水素原子または／およびハロゲン
原子を含んでなる非晶質材料で構成され、前記中間層の
作製時には、少なくともシリコン原子を供給し得るシリ
コン供給用の原料ガスと炭素原子を供給し得る炭素供給
用の原料ガスを用い、シリコン供給用の原料ガス流量Ｂ
に対する炭素供給用の原料ガス流量Ａの比の１秒当りの
変化率Ｓを、３×１０^-3≦Ｓ≦１．０×１０^-2に設定し
たことを特徴とする前記１に記載の光受容部材の製造方
法。 ４．前記中間層作製時の初期において、シリコン供給用
の原料ガス流量Ｂに対する炭素供給用の原料ガス流量Ａ
の比Ｃ＝Ａ／Ｂが、０以上２．５以下であることを特徴
とする前記２または３に記載の光受容部材の製造方法。 ５．前記中間層作製時の初期において、シリコン供給用
の原料ガス流量Ｂに対する炭素供給用の原料ガス流量Ａ
の比Ｃ＝Ａ／Ｂが、実質的に０であることを特徴とする
前記２乃至４に記載の光受容部材の製造方法。 ６．前記中間層作製時のシリコン供給用の原料ガス流量
Ｂに対する炭素供給用の原料ガス流量Ａの比の時間的変
化が、直線的または段階的であることを特徴とする前記
２乃至５に記載の光受容部材の製造方法。 ７．前記中間層作製時の堆積膜形成速度を、光導電層作
製時の堆積膜形成速度よりは小とし、表面層作製時の堆
積膜形成速度よりは大としたことを特徴とする前記１乃
至６に記載の光受容部材の製造方法。 ８．前記中間層作製時の堆積膜形成速度を光導電層作製
時の堆積膜形成速度より小とし、かつ、時間の経過とと
もに前記堆積速度が減小するようにして成膜することを
特徴とする前記１乃至７に記載の光受容部材の製造方
法。 ９．前記中間層作製時の堆積速度の減小が、直線的また
は、段階的であることを特徴とする前記８に記載の光受
容部材の製造方法。 １０．前記中間層の層厚が１００乃至５０００オングス
トロームである前記１乃至９に記載の光受容部材の製造
方法。 １１．前記光導電層と前記導電性支持体との間に電荷注
入阻止層を設けることを特徴とする前記１乃至１０に記
載の光受容部材の製造方法。

【００１６】本発明の光受容部材の製造方法は、真空気
密に形成された反応容器の放電空間内に、原料ガスを導
入し、放電して前記原料ガスを分解し、前記放電空間内
に配置された導電性支持体上に、シリコン原子を母体と
する非晶質材料からなる少なくとも光導電層、中間層、
表面層を形成する工程を有する光受容部材の製造方法で
あり、前記中間層の作製時に、シリコン原子を供給し得
るシリコン供給用の原料ガスと他原子を供給し得る他原
子供給用の原料ガスを用い、シリコン供給用の原料ガス
流量Ｂに対する他原子供給用の原料ガス流量Ａの比Ｃ＝
Ａ／Ｂの時間当りの変化率Ｓ＝△Ｃ／△ｔを、所定の範
囲に設定して、前記反応容器内の放電とガス流の安定化
を図ることで、製造される光受容部材の電荷保持特性の
安定化を図りながら引っ掻き強度を向上させることがで
き、かつ、その光受容部材は耐久性に優れた高品位の画
像を得ることができた。このメカニズムに関しては定か
ではないが、本発明者らは以下のように考えている。

【００１７】例えば、電子写真感光体のように、比較的
大面積に比較的厚膜の堆積膜を形成する場合には、膜中
の応力が大きくなり、その結果、光導電特性、電荷保持
特性が低下すると考えられる。またその感光体がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有する多層から形成され
ている場合でも、含有物質の違いによる組成的構造的違
い、あるいは、応力のかかる向き、大きさ等の特性的違
いにより、各層内には、ストレスが発生する。

【００１８】堆積膜を支持体上に形成する場合、科学的
組成の観点から、前述のように堆積膜中の含有物質の含
有量の適正化を行うことにより、光受容部材特性の向上
を図ることはある程度可能である。一方、プラズマＣＶ
Ｄ法により例えばアモルファスシリコン堆積膜を支持体
上に形成する場合、光受容部材特性は、科学的組成の観
点のみでなく、その製造方法によっても、大きく左右さ
れる。プラズマＣＶＤ法による反応は、気相における原
料ガスの分解過程、放電空間から基体表面までの活性種
の輸送過程、支持体表面での表面反応過程の３つに分け
て考えることができる。このうち、分解過程および輸送
過程を制御するパラメータとしては、原料ガスの流量、
放電電力、および内圧等が挙げられる。特に原料ガスの
制御は、プラズマ中のガス流の安定化のみでなく、放電
の安定化にも大きく寄与するパラメーターである。よっ
て、これらパラメーターを制御することによって、堆積
膜の性質を制御できる。

【００１９】本発明のように、中間層の作製時に使用す
る原料ガス流量の比の時間当りの変化量を、所定の範囲
に設定することにより、光導電層と表面層との堆積膜の
構造的特定的違いによる歪みが吸収され、このため、光
導電層および表面層堆積膜中のストレスが大幅に緩和さ
れる働きがあると考えられる。このことから、電荷保持
特性を悪化させないで堆積膜の構造を緻密化することが
可能となり、その結果、電位シフトを変化させることな
く、引っ掻き強度を向上することができると考える。

【００２０】また、この効果は特に繰り返し使用時の画
像特性の劣化の防止に顕著である。電子写真感光体表面
は繰り返し使用する度に、転写紙やクリーニングブレー
ドと表面が摺擦する。そのため表面層の強度が弱いと、
長期間の使用において表面の削れが発生し、画像特性が
劣化しやすくなる。本発明の製造方法では堆積膜中のス
トレスが緩和され、また堆積膜の構造が緻密化すること
により、摺擦による表面の削れが大幅に減少し、長期間
の使用による画像特性の劣化を低減することができる。

【００２１】さらに、前述のプラズマＣＶＤ法による反
応において、支持体表面での表面反応過程に対し、堆積
速度が重要なパラメーターとなってくる。つまり、支持
体表面に到達した活性種やイオン等は、化学的に安定な
状態に落ち着こうとする。しかし、堆積速度が速くなる
と、充分な表面移動が行えず安定な状態に落ち着く前
に、次の活性種等が支持体に到達し、次の堆積が開始さ
れてしまう。つまり、堆積速度の異なる堆積膜が接合す
る場合、例えば同一の元素から構成されているとしても
接合界面近傍において、膜中の歪みが生じてくる。よっ
て、本発明のように、光導電層と表面層の堆積速度の間
の堆積速度で中間層を形成することは、さらに、光導電
層および表面層堆積膜中のストレスが大幅に緩和される
働きがあると考えられる。その結果、光受容部材の特性
を向上させ、さらに引っ掻き強度を向上することができ
ると考える。

【００２２】以下、図面にしたがって本発明の光受容部
材の形成方法について具体例を挙げて詳細に説明する。
本発明の製造方法は、真空堆積膜形成方法によって行わ
れる。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆
積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積
法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規
模、作成される光受容部材に所望される特性等の要因に
よって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有す
る光受容部材を製造するに当っての条件の制御が比較的
容易にあることからグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶ
ＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適
である。

【００２３】以下、高周波プラズマＣＶＤ法によって堆
積膜を形成するための装置および形成方法について詳述
する。図５は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ−ＰＣ
ＶＤ」と表記する）法による光受容部材の製造装置の一
例を示す模式的な構成図である。

【００２４】図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜
の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別
すると、堆積装置５１００、原料ガスの供給装置５２０
０、反応容器５１１１内に減圧にするための排気装置５
１１７から構成されている。堆積装置５１００中の反応
容器５１１１内には、導電性円筒状支持体５１１２、支
持体加熱用ヒーター５１１３、原料ガス導入管５１１４
が設置され、さらに高周波マッチングボックス５１１５
が接続されている。

【００２５】原料ガス供給装置５２００はＳｉＨ₄ 、Ｈ
₂ 、ＣＨ₄ 、ＮＯ、Ｂ₂ Ｈ₆ 、ＧｅＨ₄ 等の原料ガスの
ボンベ５２２１〜５２２６とバルブ５２３１〜５２３
６、５２４１〜５２４６、５２５１〜５２５６およびマ
スフローコントローラ５２１１〜５２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ５２６０を介して反応
容器５１１１内のガス導入管５１１４に接続されてい
る。

【００２６】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。まず、反応容器５１１
１内に円筒状支持体５１１２を設置し、排気装置５１１
７、例えば真空ポンプにより反応容器５１１１内を排気
する。続いて、支持体加熱用ヒーター５１１３をＯＮ
し、円筒状支持体５１１２の温度を２５０℃〜５００℃
の所定の温度に制御する。

【００２７】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器５１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ５２３１〜５
２３６、反応容器のリークバルブ５１２３が閉じられて
いることを確認し、また流入バルブ５２５１〜５２５
６、流出バルブ５２４１〜５２４６、補助バルブ５２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ５
１１８を開いて反応容器５１１１およびガス配管５１１
６内を排気する。次に真空計５１２４の読みが約５×１
０^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ５２６０、流出
バルブ５２５１〜５２５６を閉じる。

【００２８】その後、ガスボンベ５２２１〜５２２６よ
り各ガスをバルブ５２３１〜５２３６を開いて導入し、
圧力調整器５２６１〜５２６６により各ガス圧を例えば
２Ｋｇ／ｃｍ² 調整する。次に、流入バルブ５２４１〜
５２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロ
ーラー５２１１〜５２１６内に導入する。

【００２９】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体５１１２上に例えば電荷注入阻止層、
光導電層、中間層、表面層等の各層の形成を行う。円筒
状支持体５１２２が所定の温度になったところで流出バ
ルブ５２５１〜５２５６のうちの必要なものおよび補助
バルブ５２６０を徐々に開き、ガスボンベ５２２１〜５
２２６から所定のガスをガス導入管５１１４を介して反
応容器５１１１内に導入する。次にマスフローコントロ
ーラー５２１１〜５２１６によって各原料ガスが所定の
流量になるように調整する。その際、反応容器５１１１
内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力なるように真空
計５１２４を見ながらメインバルブ５１１８の開口を調
整する。内圧が安定したところで、ＲＦ電源（図示せ
ず）を所望の電圧に設定して、高周波マッチングボック
ス５１１５を通じて反応容器５１１１内にＲＦ電力を導
入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この放電エネルギ
ーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解さ
れ、円筒状支持体５１１２上に所定のシリコンを主成分
とする堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われ
た後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応
容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。同
様の操作を複数回繰り返すことによって、多層構造の光
受容部材が形成される。

【００３０】図１は、本発明の製造方法における、中間
層の作製時に使用する原料ガスの流量の変化を示す模式
的説明図である。図１において、実線１０１はシリコン
供給用の原料ガスで、一点鎖線１０２は、炭素供給用の
原料ガスである。図１において中間層形成時、シリコン
供給用の原料ガス１０１は、流量＝Ｂ＝Ｂ’で一定と
し、炭素供給用の原料ガス１０２は、流量がＡからＡ’
へと変化している。よって、原料ガス流量の比は、Ｃ＝
Ａ／Ｂから、Ｃ’＝Ａ’／Ｂ’に△ｔ（秒）間で変化し
ている。よって、原料ガス流量の比の１秒当りの変化率
Ｓは、 Ｓ＝（Ｃ’−Ｃ）／△ｔ＝△Ｃ／△ｔ となる。Ｓを所定の範囲内に設定し、中間層を作製後、
表面層を形成する。

【００３１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまで
もなく、また、それえぞれのガスが反応容器５１１１
内、流出バルブ５２５１〜５２５６から反応容器５１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ５２５１〜５２５６を閉じ、補助バルブ５２６０を
開き、さらにメインバルブ５１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【００３２】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成を行っている間は、円筒状支持体５１１２を駆動装置
（図示せず）によって所定の速度で回転させてもよい。
上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
したがって変更が加えられることは言うまでもない。

【００３３】円筒状支持体５１１２の加熱方法は、真空
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース
状ヒータの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミッ
クヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外
線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒
とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段
の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、
銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使
用することができる。また、これ以外にも、反応容器５
１１１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体５１
１２を加熱した後、反応容器５１１１内に真空中で円筒
状支持体５１１２を搬送する等の方法が用いられる。

【００３４】次に、ＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プ
ラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）
法によって形成される光受容部材の製造方法について説
明する。

【００３５】図５に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置５１００を、図６に示す堆積装置
６１００に交換して原料ガス供給装置５２００と接続す
ることにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材製
造装置を得ることができる。この装置は大別すると、真
空気密化構造で減圧にし得る反応容器６１１１、原料ガ
スの供給装置５２００、および反応容器内を減圧にする
ための排気装置（不図示）から構成されている。反応容
器６１１１内には円筒状支持体６１１２、支持体加熱用
ヒーター６１１３、原料ガス導入管（不図示）、電極６
１１５が設置され、電極にはさらに高周波マッチングボ
ックス６１１６が接続されている。また、反応容器６１
１１内は排気管６１２１を通じて不図示の拡散ポンプに
接続されている。

【００３６】原料ガス供給装置５２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ５２２１〜５２２６とバルブ５２３１〜５２
３６、５２４１〜５２４６、５２５１〜５２５６および
マスフローコントローラー５２１１〜５２１６から構成
され、各原料ガスボンベはバルブ５２６０を介して反応
容器６１１１内のガス導入管（不図示）に接続されてい
る。また、円筒状支持体６１１２によって取り囲まれた
空間６１３０が放電空間を形成している。

【００３７】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。まず、
反応容器６１１１内に円筒状支持体６１１２を設置し、
駆動装置６１２０によって支持体６１１２を回転し、不
図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反応容器６
１１１内を排気管６１２１を介して排気し、反応容器６
１１１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。
続いて、支持体加熱用ヒーター６１１３により円筒状支
持体６１１２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温
度に加熱保持する。

【００３８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器６１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ５２３１〜５
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ５２４１〜５２
４６、流出バルブ５２５１〜５２５６、補助バルブ５２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器６１１１およびガス配管内
を排気する。

【００３９】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ５２６０、流出バ
ルブ５２５１〜５２５６を閉じる。その後、ガスボンベ
５２２１〜５２２６より各ガスをバルブ５２３１〜５２
３６を開いて導入し、圧力調整器５２６１〜５２６６に
より各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ² に調整する。次に、流入
バルブ５２４１〜５２４６を徐々に開いて、各ガスをマ
スフローコントーラー５２１１〜５２１６内に導入す
る。

【００４０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体６１１２上に各層の
形成を行う。円筒状支持体６１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ５２５１〜５２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ５２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ５２１１〜５２２６から所定のガスをガス導入管
（不図示）を介して反応容器６１１１内の放電空間６１
３０に導入する。次にマスフローコントローラー５２１
１〜５２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、放電空間６１３０内の圧力が１
Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図
示）を見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整す
る。

【００４１】各層の形成は、圧力が安定したところで、
例えば周波数１０５ＭＨｚのＶＨＦ電源（不図示）の所
望の電圧に設定して、マッチングボックス６１１６を通
じて放電空間６１３０にＶＨＦ電力を導入し、グロー放
電を生起させる。かくして支持体６１１２により取り囲
まれた放電空間６１３０において、導入された原料ガス
は、放電エネルギーにより励起されて解離し、支持体６
１１２上に所定の堆積膜が形成される。このとき、層形
成の均一化を図るため支持体回転用モーター６１２０に
よって、所望の回転速度で回転させる。

【００４２】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複
数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層
が形成される。

【００４３】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器６１１１内、
流出バルブ５２５１〜５２５６から反応容器６１１１に
至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ
５２５１〜５２５６を閉じ、補助バルブ５２６０を開
き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述の
ガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられることは言うまでもない。

【００４４】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下である。

【００４５】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒として熱交換
手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。これ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容
器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を
搬送する等の方法を用いることができる。

【００４６】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放電空間の圧
力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒ
ｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３００ｍＴｏ
ｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴ
ｏｒｒ以下に設定することが望ましい。

【００４７】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさおよび形状は、放電を乱さないな
らばいずれのものでもよいが、実用上は直径１ｍｍ以上
１０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。このとき、電極の長
さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に
設定できる。電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいずれのものでもよく、例えば、ステンレ
ス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または
表面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用さ
れる。

【００４８】本発明において使用される支持体は、導電
性を有するものである。導電性支持体としては、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えば
ステンレス等が挙げられる。これらのほかポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレ
ン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、
ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも
光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体を用
いることができる。

【００４９】本発明において使用される支持体の形状は
平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状無端ベル
ト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受容
部材を形成し得るように適宜決定するが、光受容部材と
しての可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることが
できる。しかしながら、支持体は製造上および取り扱い
上、機械的強度等の点からその厚さは通常は１０μｍ以
上である。

【００５０】レーザー光等の可干渉性光を用いて像記録
を行う場合には、可視画像において現れる、いわゆる干
渉縞模様による画像不良をより効果的に解消するため
に、支持体の表面に凹凸を設けてもよい。支持体の表面
に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公
報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５
４号公報等に記載された公知の方法により作成される。
レーザー光等の可干渉光を用いた場合の干渉縞模様によ
る画像不良を、より効果的に解消する別の方法として、
支持体の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設
けてもよい。すなわち、支持体の表面が電子写真用光受
容部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、し
かもこれら凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものであ
る。支持体の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによ
る凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載され
た公知の方法により作成することができる。

【００５１】本発明の光受容部材の製造法においては、
導電性支持体上にまず電荷注入阻止層を形成し、次いで
光電導層、中間層および表面層を形成することができ
る。電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理を
その自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電
荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯
電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、
いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付
与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原
子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。

【００５２】この層に含有される伝導性を制御する原子
は、層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、あるい
は層厚方向には不均一に分布する状態で含有してもよ
い。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布
するように含有させるのが好適である。しかしながら、
いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向において
は、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方向に
おける特性の均一化を図る点からも必要である。

【００５３】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIb族に属する原子（以後「第IIIb族原子」と略記す
る）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属
する原子（以後 「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いる
ことができる。

【００５４】第IIIb族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（ア
ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。

【００５５】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって、適
宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０³ 原子ｐｐｍ、最適に
は１×１０² 〜１×１０³ 原子ｐｐｍとするのが望まし
い。

【００５６】さらに電荷注入阻止層には、炭素原子、窒
素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、この電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図るこ
とができる。

【００５７】電荷注入阻止層に含有される炭素原子また
は窒素原子または酸素原子は層中に万遍なく均一に分布
されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一に分布す
る状態で含有している部分があってもよい。しかしなが
ら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向にお
いては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方
向における特性の均一化を図る点からも必要である。

【００５８】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量
として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは
１×１０^-3〜５０原子％、より好適には５×１０^-3〜３
０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とするのが
望ましい。

【００５９】本発明における電荷注入阻止層に含有され
る水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在す
る未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注
入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素
原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０
原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜
３０原子％とするのが望ましい。

【００６０】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、最適には１〜４
μｍとするのが望ましい。

【００６１】電荷注入阻止層を形成するには、Ｓｉ供給
用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、
放電電力ならびに支持体の温度を適宜設定することが必
要である。希釈ガスであるＨ₂ および／またはＨｅの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ および／またはＨｅを、
通常の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適に
は５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【００６２】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ，好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【００６３】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合０．１〜５倍、好まし
くは０．５〜３倍、最適には０．７〜２倍の範囲に設定
することが望ましい。

【００６４】支持体の温度は、層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２０
０〜３５０℃、より好ましくは２２０〜３３０℃、最適
には２４０〜３１０℃とするのが望ましい。

【００６５】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する電荷
注入阻止層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づ
いて各層作成ファクターの最適値を決めるのが望まし
い。

【００６６】本発明の光受容部材の光導電層中には水素
原子または／およびハロゲン原子が含有されることが必
要である。これはシリコン原子の未結合手を補償し、層
品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上さ
せるために必須不可欠であるからである。水素原子また
はハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン原
子の和の含有量は層中の全原子数に対して１０〜３０原
子％、より好ましくは１５〜２５原子％が望ましい。

【００６７】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃
Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀、等のガス状態の、またはガス化し
得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率
のよさ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましい。

【００６８】そして、形成される光導電層中に水素原子
を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそ
う容易になるように図り、本発明の目的を達成する膜特
性を得るために、これらのガスにさらにＨ₂ および／ま
たはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所
望量混合して層形成することが必要である。また、各ガ
スは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても
差し支えないものである。

【００６９】本発明において使用されるハロゲン原子供
給用の原料ガスとして有効なのは、例えば、ハロゲンガ
ス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化物、ハ
ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガ
ス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。ま
た、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状の、またはガス化し得るハロゲン原子を含
む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることがで
きる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物
としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ）、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、ＩＦ₇ 等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ
₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。光導電層中に含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば、
支持体の温度、水素原子または／およびハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。

【００７０】本発明においては、光導電層には必要に応
じて伝導性を制御する原子を含有させることが好まし
い。伝導性を制御する原子は、光導電層中に万遍なく均
一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚
方向に不均一な分布状態で含有している部分があっても
よい。前記伝導性を制御する原子としては、半導体分野
における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝
導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原子（第IIIb
族原子）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族
に属する原子第Ｖｂ族原子を用いることができる。第II
Ib属原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａ
が好適である。第Ｖｂ属原子としては、具体的には燐
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス
（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。

【００７１】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１×１０
⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³
原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³ 原子ｐｐ
ｍとするのが望ましい。

【００７２】伝導性を制御する原子、例えば、第IIIb族
原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第
Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に
光導電層１０３を形成するための他のガスとともに導入
してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状または少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものを採用するのが望ましい。

【００７３】このような第IIIb族原子導入用の原料物質
としては具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢ
ｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃、
ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【００７４】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ₄ 、Ｐ₂
Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ ｌ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣｌ
₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、Ｐｌ₃ 等のハロゲン化燐が挙
げられる。この他ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、Ａ
ｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅、
ＳｂＣｌ₃ ，ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、Ｂｉ
Ｂｒ₃ 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙げることができる。また、これら伝導性を制御
する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂ および／
またはＨｅにより希釈して使用してもよい。

【００７５】さらに、本発明においては、光導電層に炭
素原子および／または酸素原子および／または窒素原子
を含有させることも有効である。炭素原子および／また
は酸素原子および／または窒素原子の含有量はシリコン
原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に対して
好ましくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１
×１０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が
望ましい。炭素原子および／または酸素原子および／ま
たは窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するよ
うな不均一な分布をもたせた部分であってもよい。

【００７６】本発明において、光導電層の層厚は所望の
電子写真特性が得られることおよび経済的効果等の点か
ら所望にしたがって適宜決定され、好ましくは２０〜５
０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ，最適には２５
〜４０μｍとするのが望ましい。

【００７７】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈
ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならび
に支持体温度を適宜設定することが必要である。希釈ガ
スとして使用するＨ₂ および／またはＨｅの流量は、層
設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供
給用ガスに対しＨ₂ および／またはＨｅを、通常の場合
１〜２０倍、好ましくは２〜１５倍、最適には４〜１０
倍の範囲に制御することが望ましい。

【００７８】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【００７９】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力（Ｗ／ｃｃ）を、通常の場合０．５〜
７倍、好ましくは０．７〜６倍、最適には１〜５倍の範
囲に設定することが望ましい。

【００８０】支持体の温度は、層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２０
０〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃とする
のが望ましい。

【００８１】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧、放電電力、ガス流量の望まし
い数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する光受容部材を形成すべく相互的かつ有機的
関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。

【００８２】本発明において中間層とは、光導電層と表
面層の間に位置するものである。本発明の中間層は、中
間層の作製時に使用する原料ガス流量の比の１秒当りの
変化量を所定の範囲に設定することで、光導電層と表面
層との堆積膜の構造的特性的違いによる歪みが吸収さ
れ、このため、光導電層および表面層堆積膜中のストレ
スが大幅に緩和される働きがあると考えられる。このこ
とから、電荷保持特性を悪化させないで堆積膜の構造を
緻密化することが可能となり、その結果、電位シフトを
変化させることなく、引っ掻き強度を向上することがで
きると考える。

【００８３】また、この効果は特に繰り返し使用時の画
像特性の劣化の防止に顕著である。電子写真感光体表面
は繰り返し使用する度に、転写紙やクリーニングブレー
ドと表面が摺擦する。そのため表面層が強度面で弱い
と、長期間の使用において表面の削れが発生し、画像特
性が劣化し易くなる。本発明の製造方法は堆積膜中のス
トレスが緩和され、また堆積膜の構造が緻密化すること
で、摺擦による表面の削れが大幅に減少され、長期間の
使用による画像特性の劣化を低減することができる。

【００８４】さらに、本発明の中間層は、光導電層と表
面層の堆積速度の間の堆積速度で形成することで、堆積
速度の異なる堆積膜が接合する場合、接合界面近傍にお
いて生じる膜中の歪みを、大幅に緩和する働きがあると
考えられる。その結果、光受容部材の特性を向上させ、
さらに、引っ掻き強度を向上することができると考え
る。

【００８５】中間層は、アモルファスシリコン系の材料
であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有
し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さ
らに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒
素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）および／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、
酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモル
ファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表
記する）等の材料が好適に用いられるが、表面層と主成
分を同じにすることが好ましい。

【００８６】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、中間層は真空堆積膜形成方法によって、所
望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条
件が設定されて作成される。つまり、中間層の作製時に
使用する複数の原料ガスの流量比の単位時間当りの変化
量を、所定の範囲に設定して作製される。

【００８７】積層の方法は具体的には、例えばグロー放
電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ
波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電Ｃ
ＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄
膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜
堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造
規模、作成される電子写真用光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、光受
容部材の生産性から光導電層および、表面層と同一の堆
積法によることが好ましい。

【００８８】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる中間層を形成する場合、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
ス、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスま
たは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用
の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態を導入して、この反応容器内にグロー放電が生
起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層を
形成した支持体上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形
成すればよい。この際、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスに対する炭素原子（Ｃ）を供
給し得るＣ供給用の原料ガスの流量の比の単位時間当り
の変化率Ｓを所定の範囲に設定し、堆積膜を形成する。

【００８９】さらに、図１、２を用いて詳細に説明す
る。図１は、本発明の製造方法における中間層の作製時
に使用する原料ガスの流量変化を示す模式的説明図であ
る。図１において、実線１０１はシリコン供給用の原料
ガスで、一点鎖線１０２は、炭素供給用の原料ガスであ
る。図１において中間層形成時、シリコン供給用の原料
ガス１０１の流量はＢ＝Ｂ’で一定であり、炭素供給用
の原料ガス１０２は、流量がＡからＡ’へと変化してい
る。よって、原料ガス流量の比はＣ＝Ａ／Ｂから、Ｃ’
＝Ａ’／Ｂ’に△ｔ（秒）間で、変化している。よっ
て、原料ガス流量の比の１秒当りの変化率Ｓは、 Ｓ＝（Ｃ’−Ｃ）／△ｔ＝△Ｃ／△ｔ となる。図１においては、中間層において、１０１は流
量が一定であるが、１０２の流量を一定とし１０１の流
量を変化させてもよいし、また１０１、１０２の両方の
流量を変化させてもよい。

【００９０】Ｓが１×１０^-3より小さいと、電位シフト
が大きくなり、Ｓが５×１０^-2より大きいと、引っ掻き
強度向上の効果が得られない。よって、Ｓは１×１０^-3
≦Ｓ≦１．５×１０^-2の範囲に、さらに３×１０^-3≦Ｓ
≦１．０×１０^-2の範囲に設定するのがより好ましい。

【００９１】図２は、中間層作製中のＳの変化パターン
を示す模式的説明図である。前述のように、図１の場合
には、Ｓは中間層形成中一定であるので、図２の（Ａ）
のパターンとなる。しかし、Ｓは、図２（Ｂ）−（Ｅ）
に示すように段階的に中間層作成中に変化してもよい。

【００９２】中間層作製時の堆積膜形成速度を光導電層
作製時の堆積膜形成速度より大とし、表面層作製時の堆
積膜形成速度より小とすることにより、光導電層および
表面層堆積膜中のストレスがさらに大幅に緩和される。
その結果、光受容部材の特性を向上させ、さらに、引っ
掻き強度を向上することができる。この場合、中間層作
製時の堆積膜形成速度を、光導電層作製時の堆積膜形成
速度より小とし、表面層に向かうにしたがい前記堆積速
度を減少させることにより、よりストレスが緩和され好
ましい。図３は、中間層作製中の堆積速度の変化パター
ンを示す模式的説明図である。前述のように、中間層作
製時の堆積速度を変化させる場合には、図３（Ｂ）〜
（Ｅ）に示すように、直線的、段階的、または曲線的の
いずれの場合でもよい。

【００９３】本発明において用いる中間層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならいずれでも
よいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。中間層をａ−
ＳｉＣを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコ
ン原子と炭素原子の和に対して０原子％から９０原子％
の範囲が好ましい。

【００９４】また、本発明において中間層中に水素原子
または／およびハロゲン原子が含有されることが必要で
ある。これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質
の向上、特に光導電特性および電荷保持特性を向上させ
るために必要不可欠である。水素含有量は、構成原子の
総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３
５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが
望ましい。また、ハロゲン原子の含有量として、通常の
場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原
子％、最適には０．６〜４原子％とするのが望ましい。
中間層中の炭素含有量、ハロゲン含有量、水素含有量
は、ガス流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によ
って制御し得る。

【００９５】本発明の中間層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、層作成時の取
り扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓ
ｉ₂ Ｈ₆ が好ましい。また。これらのＳｉ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用してもよい。

【００９６】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ 、Ｃ₃ Ｈ₈ 、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が挙げられ、さらに層
作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＣ
Ｈ₄ が好ましい。また、これらのＣ供給用の原料ガスを
必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希
釈して使用してもよい。

【００９７】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としてはＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ 、Ｏ₂ 、ＣＯ、
ＣＯ₂ 、Ｎ₂ 等のガス状態の単体または化合物が挙げら
れる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。

【００９８】形成される中間層中に導入され水素原子の
導入割合の制御をいっそう容易になるように図るため
に、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子を含
む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが
好ましい。また、各ガスの単独種のみでなく所定の混合
比で複数種混合しても差し支えない。

【００９９】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導等のガス状またはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものと
して挙げることができる。本発明において好適に使用し
得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ
₂ ），ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ
₅ 、ＩＦ₃ ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることが
できる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロ
ゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的に
は例えばＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。

【０１００】中間層中に含有される水素原子または／お
よびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体の
温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させ
るために使用される原料物質の反応容器内へ導入する
量、放電電力、圧力等を制御すればよい。

【０１０１】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、中間層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、中間層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分であってもよい。

【０１０２】さらに本発明においては、中間層には必要
に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ま
しい。伝導性を制御する原子は、中間層中に万遍なく均
一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚
方向に不均一な分布状態で含有しいている部分があって
もよい。

【０１０３】前記の導伝性を制御する原子としては、半
導体分野におけるいわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原子
（第IIIb族原子）またはｎ型伝導特性を与える周期律表
第Ｖｂ族に属する原子（第Ｖｂ族原子）を用いることが
できる。

【０１０４】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ属原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。

【０１０５】中間層に含有される伝導性を制御する原子
の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×１０³
原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１０² 原
子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原子ｐｐｍ
とするのが望ましい。伝導性を制御する原子、例えば、
第IIIb族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入する
には、層形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、中間層１０４を形成するための他のガスとと
もに導入してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るも
のとしては、常温常圧でガス状または少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものを採用するのが望まし
い。そのような第IIIb族原子導入用の原料物質としては
具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄
Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆
Ｈ ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ 、
ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、ＴｌＣｌ
₃ 等も挙げることができる。

【０１０６】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ₄ 、Ｐ₂
Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ ｌ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣｌ
₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、Ｐｌ₃ 等のハロゲン化燐が挙
げられる。この他ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、Ａ
ｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅、
ＳｂＣｌ₃ ，ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、Ｂｉ
Ｂｒ₃ 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙げることができる。また、これら伝導性を制御
する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。本
発明における中間層の層厚としては、通常１００〜５０
００オングストローム、好適には３００〜３０００オン
グストローム、最適には５００〜２０００オングストロ
ームとするのが望ましい。層厚が１００オングストロー
ムよりも薄いとブロッキング層としての効力が失われ、
５０００オングストロームを越えると残留電位の増加等
の電子写真特性の低下が見られる。

【０１０７】本発明による中間層は、その要求される特
性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。
すなわち、Ｓｉ，Ｃおよび／またはＮおよび／または
Ｏ、Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質はその形
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態をとり、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成され
るように、その形成条件の選択が厳密になされる。

【０１０８】本発明の目的を達成し得る特性を有する中
間層を形成するには、支持体の温度、反応容器内のガス
圧等を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。支
持体の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範
囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３
５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２
５０〜３１０℃とするのが望ましい。反応容器内のガス
圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択され
るが、通常の場合、好ましくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒ
ｒ、より好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には
１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒである。

【０１０９】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合０．１〜５倍、好まし
くは０．５〜３倍、最適には０．７〜２倍の範囲に設定
することが望ましい。

【０１１０】炭素原子を供給し得る炭素供給用原料ガス
の流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択され
るが、Ｓｉ供給用ガスに対し炭素供給用原料ガスを、通
常の場合、前記中間層作製時の初期において、シリコン
供給用の原料ガスに対する炭素供給用の原料ガスが０以
上２．５以下の範囲に制御することが望ましい。特に光
導電層がシリコン原子を母体とする材料からなる場合に
は、シリコン供給用の原料ガスに対する炭素供給様の原
料ガスを初期は０とし、表面層側に積層するにしたがっ
て増加させることにより、界面での屈折率の変化が滑ら
かとなり、感光層と中間層との界面での入射光の反射が
低減される。よって、特にレーザー等の単一波長の光源
を使用する場合に、光の干渉対策に有効である。

【０１１１】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧放電電力、ガス流量の望ましい数
値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常
の独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性
を有する光受容部材を形成すべく相互的かつ有機的関連
性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。

【０１１２】本発明においては、前述の中間層の上に、
表面層が形成される。この表面層は自由表面を有し、主
に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するため
に設けられる。

【０１１３】表面層は、アモルファスシリコン系の材料
であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、前述
の［ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ］、［ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ］，
［ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ］、［ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ］
等の材料が好適に用いられる。

【０１１４】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層は真空堆積膜形成方法によって、所
望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条
件が設定されて作成される。具体的には、例えばグロー
放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイク
ロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電
ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、触媒ＣＶ
Ｄ法等の数々の薄膜堆積法によって形成することができ
る。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下
の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部
材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採
用されるが、光受容部材の生産性から中間層と同等の堆
積法によることが好ましい。

【０１１５】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層を形成する場合、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスま
たは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用
の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態を導入して、この反応容器内にグロー放電が生
起させ、あらかじめ所定の位置に設置された中間層を形
成した支持体上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成
すればよい。

【０１１６】本発明において用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならいずれでも
よいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【０１１７】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０原子％から９０原子％の範囲が好ましい。

【０１１８】本発明において表面層中に水素原子または
／およびハロゲン原子が含有されることが必要である。
これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向
上、特に光導電特性および電荷保持特性を向上させるた
めに必要不可欠である。水素含有量は、構成原子の総量
に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３５〜
６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが望ま
しい。また、ハロゲン原子の含有量として、通常の場合
は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子
％、最適には０．６〜４原子％とするのが望ましい。

【０１１９】これらの水素および／またはハロゲン含有
量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面において
従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るも
のである。表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子
や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容
部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られてい
る。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣
化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化
することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や
光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前
記表面内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り
返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げ
られる。表面層中のハロゲン含有量は、水素含有量と同
様にガス流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によ
って制御し得る。

【０１２０】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、層作成時の取
り扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓ
ｉ₂ Ｈ₆ が好ましい。また。これらのＳｉ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用してもよい。

【０１２１】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ 、Ｃ₃ Ｈ₈ 、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が挙げられ、さらに層
作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＣ
Ｈ₄ が好ましい。また、これらのＣ供給用の原料ガスを
必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希
釈して使用してもよい。

【０１２２】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としてはＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ 、Ｏ₂ 、ＣＯ、
ＣＯ₂ 、Ｎ₂ 等のガス状態のまたはガス化し得る化合物
が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これ
らの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂ 、
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【０１２３】また、形成される表面層中に導入され水素
原子の導入割合の制御をいっそう容易になるように図る
ために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子
を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成するこ
とが好ましい。また、各ガスの単独種のみでなく所定の
混合比で複数種混合しても差し支えないものである。

【０１２４】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導等のガス状またはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものと
して挙げることができる。本発明において好適に使用し
得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ
₂ ）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ
₅ 、ＩＦ₃ ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることが
できる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロ
ゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的に
は例えばＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。

【０１２５】表面層中に含有される水素原子または／お
よびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体の
温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させ
るために使用される原料物質の反応容器内へ導入する
量、放電電力等を制御すればよい。

【０１２６】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分であってもよい。

【０１２７】さらに本発明においては、表面層には必要
に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ま
しい。伝導性を制御する原子は、表面層中に万遍なく均
一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚
方向に不均一な分布状態で含有しいている部分があって
もよい。

【０１２８】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野におけるいわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原子
（第IIIb族原子）またはｎ型伝導特性を与える周期律表
第Ｖｂ族に属する原子（第Ｖｂ族原子）を用いることが
できる。

【０１２９】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ属原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１３０】表面層に含有される伝導性を制御する原子
の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×１０³
原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１０² 原
子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原子ｐｐｍ
とするのが望ましい。伝導性を制御する原子、例えば、
第IIIb族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入する
には、層形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に表面層を形成するための他のガスとともに導入
してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状または少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものを採用するのが望ましい。その
ような第IIIb族原子導入用の原料物質としては具体的に
は、硼素原子導入用としては、Ｂ ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ
₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の
水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ 、ＧＡＣｌ
₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、ＴｌＣｌ₃ 等も挙
げることができる。

【０１３１】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ₄ 、Ｐ₂
Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ ｌ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣｌ
₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、Ｐｌ₃ 等のハロゲン化燐が挙
げられる。この他ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、Ａ
ｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅、
ＳｂＣｌ₃ ，ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、Ｂｉ
Ｂｒ₃ 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙げることができる。また、これら伝導性を制御
する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１３２】本発明における表面層の層厚としては、通
常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適
には０．１〜１μｍとされるのが望ましい。層厚が０．
０１μｍより薄いと光受容部材を使用中に摩耗等の理由
により表面層が失われてしまい、３μｍを越えると残留
電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる。

【０１３３】本発明による表面層は、その要求される特
性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。
すなわち、Ｓｉ，Ｃおよび／またはＮおよび／または
Ｏ、Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質はその形
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態をとり、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成され
るように、その形成条件の選択が厳密になされる。例え
ば、表面層を耐圧性の向上を主な目的として設けるに
は、使用環境において電気絶縁性的挙動の顕著な非単結
晶材料として作成される。連続繰り返し使用特性や使用
環境特性の向上を主たる目的として表面層が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合いはある程度緩和さ
れ、照射される光に対してある程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。

【０１３４】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層を形成するには、支持体の温度、反応容器内のガス
圧等を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。支
持体の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範
囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３
５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２
５０〜３１０℃とするのが望ましい。反応容器内のガス
圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択され
るが、通常の場合、好ましくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒ
ｒ，より好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には
１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【０１３５】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力（Ｗ／ｃｃ）を、通常の場合１〜５０
倍、好ましくは３〜４０倍、最適には５〜３０倍の範囲
とすることが望ましい。

【０１３６】炭素原子を供給し得る炭素供給用原料ガス
の流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択され
るが、Ｓｉ供給用ガスに対し炭素供給用原料ガスを、通
常の場合１〜１００倍、好ましくは１０〜８０倍、最適
には３０〜７０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１３７】本発明においては、表面層を形成するため
に支持体温度、ガス圧、放電電力、ガス流量の望ましい
数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特
性を有する光受容部材を形成すべく相互的かつ有機的関
連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。

【０１３８】本発明の方法で製造された光受容部材は、
電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービーム
プリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液
晶プリンター、レーザー製版機等の電子写真応用分野に
も広く用いることができる。

【０１３９】

【実施例】以下、本発明の製造方法およびその効果を、
実施例を用いて具体的に説明するが、本発明はこれらに
より何ら限定されるものではない。

【０１４０】実施例１ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、基体には、珪素原子の含有量が１
００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダーを用い、表１に示す条件で、
基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図
４（ａ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。

【０１４１】

【表１】 図４（ａ）において、４０２は光受容部材を示し、４０
１、４０３、４０４および４０５は、それぞれアルミニ
ウム基体、光導電層、中間層および表面層を示してい
る。

【０１４２】本実施例では、中間層作製時のＳｉＨ₄ ガ
スの流量は一定とし、中間層作製時初期のＣＨ₄ ガスの
流量は０とし中間層終了時のＣＨ₄ ガスの流量を変化さ
せ、シリコン供給用の原料ガスに対する炭素供給用の原
料ガスの比の１秒当りの変化率Ｓを、変化させた。この
とき、ＣＨ₄ ガスは図１の１０２に示すように直線的に
増加させており、よってＳとしては、図２（Ａ）に示す
よう中間層作製中は、一定の値とした。

【０１４３】作製した電子写真感光体を電子写真装置
（キャノン製ＮＰ６４５０をテスト用に改造）を用い、
以下の評価を行った。 『引っ掻き強度』作製した電子写真感光体の引っ掻き強
度の評価として、０．１Ｒのダイヤ針を垂直に当て、荷
重をかけながら電子写真感光体を長手方向に移動させる
装置（図７）を用い、表面を引っ掻き、その後、電子写
真装置にセットして、ハーフトーン画像（キャノン製中
間調チャート「部品番号ＦＹ９−９０４２」のコピー画
像）により、表面の引っ掻き傷（白スジ）が８０％以上
確認できる時点の荷重を引っ掻き強度として判定した。
そして、Ｓ＝１７×１０^-3のときを１００として、以下
の相対評価を行った。

【０１４４】 相対評価の値Ｘ 評価記号 内容 Ｘ≧１５０ ◎ 特に良好 １２５≦Ｘ＜１５０ ○ 良好 １００≦Ｘ＜１２５ △ 実用上問題なし Ｘ＜１００ × 実用上問題あり 『電位シフト』電子写真感光体を電子写真装置にセット
し、帯電器に８００μＡの電流を流し、コロナ帯電を行
い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位測
定する。この状態を２分間行い、帯電初期の暗部表面電
位（Ｖｄ１）と、２分後の暗部表面電位（Ｖｄ）の差
（｜Ｖｄ１−Ｖｄ｜）をもって、電位シフトとする。そ
して、Ｓ＝０．５×１０^-3のときを１００として、以下
の相対評価を行った。

【０１４５】 ◎は ｜Ｖｄ１−Ｖｄ｜≦５０ ○は ５０＜｜Ｖｄ１−Ｖｄ｜≦１００ △は １００＜｜Ｖｄ１−Ｖｄ｜≦２００ ×は ２００＜｜Ｖｄ１−Ｖｄ｜ 『通紙耐久』作製した光受容部材を電子写真装置に設置
し、１００万枚の通紙耐久試験を行い、電気写真特性お
よび画像評価を行った。

【０１４６】 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 『総合評価』 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 このようにして得られた結果を表２に示す。

【０１４７】

【表２】 表２から明らかなように、中間層の作製時に使用する原
料ガス流量の比の１秒当りの変化量を、所定の範囲に設
定することにより、電位の変動を抑え、引っ掻き強度を
向上させることができ、かつ、耐久性に優れた高品位の
画像を得ることができた。特に原料ガス流量比の単位時
間当りの変化率Ｓを１×１０^-3≦Ｓ≦１．５×１０^-2に
設定することが好ましく、さらに３×１０^-3≦Ｓ≦１．
０×１０ ^-2に設定することで、より良好な結果が得られ
る。

【０１４８】実施例２ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、基体には、珪素原子の含有量が１
００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダーを用い、表３に示す条件で、
基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図
４（ａ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。

【０１４９】

【表３】 図４（ａ）において、４０２は光受容部材を示し、４０
１、４０３、４０４および４０５は、それぞれアルミニ
ウム基体、光導電層、中間層および表面層を示してい
る。

【０１５０】本実施例では、中間層作製時初期のＣＨ₄
ガスの流量を変化させることにより、中間層作製時初期
シリコン供給用の原料ガスに対する炭素供給用の原料ガ
ス流量の比を変化させた。このとき、ＣＨ₄ ガスは図１
の１０２に示すように直線的に増加させており、よって
Ｓとしては、図２（Ａ）に示すよう中間層作製中は、一
定の値とした。作製した電子写真感光体を電子写真装置
（キャノン製ＮＰ６４５０をテスト用に改造）を用い、
以下の評価を行った。 『残留電位』電子写真感光体を電子写真装置にセット
し、電子写真感光体を４００（Ｖ）の暗部表面電位に帯
電させる。そして、直ちに一定光量（０．４ｌｕｘ／ｓ
ｅｃ）を照射する。光像のハロゲンランプ光源を用い、
長波カットフィルターを通した光を照射した。このと
き、表面電位計により、光受容部材の明部表面電位を測
定する。そして、得られた明部表面電位をもって、残留
電子とする。ＣＨ₄ ／ＳｉＨ₄ 比が３のときを１００と
して、以下の相対評価を行った。実施例１に示した評価
記号（◎〜×）と相対評価値Ｘとの関係は次のようであ
る。

【０１５１】 ◎は Ｘ≦４０ ○は ４０＜Ｘ≦１００ △は１００＜Ｘ≦１４０ ×は１４０＜Ｘ このようにして得られた結果を表４に示す。

【０１５２】

【表４】 表４から明らかなように、中間層作製時の初期におい
て、シリコン供給用の原料ガス流量に対する炭素供給用
の原料ガス流量の比を、０以上２．５以下にすることに
より残留電位を減少させることができる。特に、シリコ
ン供給用の原料ガスに対する炭素供給用の原料ガスが、
０のときより良好な結果が得られる。

【０１５３】実施例３ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、基体には、珪素原子の含有量が１
００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダーを用い、表５に示す条件で、
基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図
４（ａ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。

【０１５４】

【表５】 図４（ａ）において、４０２は光受容部材を示し、４０
１、４０３、４０４および４０５は、それぞれアルミニ
ウム基体、光導電層、中間層および表面層を示してい
る。

【０１５５】本実施例では、中間層作製時のの堆積速度
を変化させた。このとき、シリコン供給用の原料ガスに
対する炭素供給用の原料ガスの比の単位時間当りの変化
量Ｓは、４×１０^-3とし、また中間層の膜厚は２０００
オングストロームとした。さらに、感光層の堆積速度は
１５オングストローム／ｓｅｃ、表面層の堆積速度は３
オングストローム／ｓｅｃとした。中間層の堆積速度の
変化は、原料ガス流量（ＳｉＨ₄ 、ＣＨ₄ ）、ＲＦパワ
ーを変化させて行い、中間層形成中堆積速度は、図３
（Ａ）のようにほぼ一定となるようにした（条件１〜
８）。また、中間層作製時の初期の堆積速度を１１オン
グストローム／ｓｅｃとし、中間層形成中に徐々に堆積
速度を減少させ、中間層終了時の堆積速度を５オングス
トローム／ｓｅｃとなるようにした（条件９）。

【０１５６】作製した電子写真感光体を電子写真装置
（キャノン製ＮＰ６４５０をテスト用に改造）を用い、
以下の評価を行った。 『引っ掻き強度』実施例１と同様に行った。そして堆積
速度の１．５（オングストローム／ｓｅｃ）時を１００
として、以下の相対評価を行った。実施例１に示した評
価記号（◎〜×）と相対評価の値Ｘとの関係は次のよう
である。

【０１５７】 ◎は１６０≦Ｘ ○は１３０≦Ｘ＜１６０ △は１００≦Ｘ＜１３０ ×は Ｘ＜１００ このようにして得られた結果を表６に示す。

【０１５８】

【表６】 表６により明らかなように、中間層作製時の堆積速度
を、感光層と表面層の堆積速度の中間の速度とすること
により、引っ掻き強度をより向上させることができる。
特に、堆積速度を表面層に向かうにしたがって減少させ
ることにより、より良好な結果が得られる。

【０１５９】実施例４ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、基体には、珪素原子の含有量が１
００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダーを用い、表７に示す条件で、
基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図
４（ｂ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製し
た。

【０１６０】

【表７】 図４（ｂ）において、４０１、４０６、４０３、４０４
および４０５は、それぞれアルミニウム基体、電荷注入
阻止層、光導電層、中間層および表面層を示している。

【０１６１】作製した電子写真感光体を電子写真装置
（キャノン製ＮＰ６４５０をテスト用に改造）を用い、
以下の評価を行った。

【０１６２】『引っ掻き強度』、『電位シフト』および
『通紙耐久』は実施例１と同様に行った。

【０１６３】これらの評価結果を表８に示す。いずれの
評価項目についてもその結果は非常に良好であった。

【０１６４】

【表８】 実施例５ 図６に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、実施例４と同様に直径８０ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に表９に示す条件で、電荷注入阻止層、光導電層、中間
層、表面層を積層し光受容部材を作製した。

【０１６５】

【表９】 作製した光受容部材を実施例４と同様な手段で同様の評
価を行った。

【０１６６】その結果、実施例４と同様非常に良好な結
果であった。

【０１６７】実施例６ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、基体には、珪素原子の含有量が１
００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長
さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダーを用い、表１０に示す条件
で基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行
い、図４（ｃ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を
作製した。図４（ｃ）において、４０１、４０６、４０
７、４０８、４０３、４０４および４０５は、それぞれ
アルミニウム基体、電荷注入阻止層、電荷輸送層、電荷
発生層、光導電層、中間層および表面層を示している。

【０１６８】

【表１０】 本実施例においては、中間層作成中のＳｉＨ₄ およびＣ
Ｈ₄ ガス流量、ならびに成膜時間を変化させることで、
シリコン供給用の原料ガス流量に対する炭素供給用の原
料ガス流量の比の１秒当りの変化率Ｓの変化パターン
を、図２（Ａ）〜（Ｄ）のように変化させ、４種類の光
受容部材を作製した。このとき、Ｓの値は、３×１０^-3
≦Ｓ≦１．０×１０^-2の範囲で、中間層の膜厚は３００
０〜５０００（オングストローム）の範囲で変化させて
いる。また、中間層作製時の堆積速度は、光導電層作製
時の堆積速度より遅く、表面層作製時の堆積速度より速
い範囲で作製し、さらに、中間層初期から徐々に堆積速
度を低下させた。

【０１６９】作製した光受容部材の電子写真装置（キャ
ノン製ＮＰ６０６０をテスト用に改造）を用い、以下の
評価を行った。 『引っ掻き強度』作製した電子写真感光体の引っ掻き強
度の評価として、０．１Ｒのダイヤ針を垂直に当て、荷
重をかけながら電子写真感光体を長手方向に移動させる
装置（図７）を用い、表面を引っ掻き、その後、電子写
真装置にセットして、ハーフトーン画像（キャノン製中
間調チャート「部品番号ＦＹ９−９０４２」のコピー画
像）により、表面の引っ掻き傷（白スジ）が８０％以上
確認できる時点の荷重を引っ掻き強度として判定した。 『電位シフト』電子写真感光体を電子写真装置にセット
し、帯電器に６００μＡの電流を流し、コロナ帯電を行
い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位測
定する。この状態を２分間行い、帯電初期の暗部表面電
位（Ｖｄ１）と、２分後の暗部表面電位（Ｖｄ）の差
（Ｖｄ１−Ｖｄ）をもって、電位シフトとする。 『通紙耐久』作製した光受容部材を電子写真装置に設置
し、１００万枚の通紙耐久試験を行い、電子写真特性お
よび画像評価を行った。

【０１７０】その結果、いずれの光受容部材も実施例４
と同様非常に良好な結果であった。

【０１７１】実施例７ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、珪素原子の含有量が１００ｐｐｍ
のアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施したアルミ
ニウムシリンダー上に、表１１に示す条件でアモルファ
スシリコン堆積膜の形成を行い、図４（ｂ）に示す層構
成の阻止型電子写真感光体を作製した。図４（ｂ）にお
いて、４０１、４０６、４０３、４０４および４０５
は、それぞれアルミニウム基体、電荷注入阻止層、光導
電層、中間層および表面層を示している。

【０１７２】

【表１１】 本実施例においては、中間層作成中のＳｉＨ₄ およびＣ
Ｈ₄ ガス流量、ならびにパワーを変化させることで、中
間層作製時の堆積速度の変化パターンを、図３（Ａ）〜
（Ｅ）のように変化させ、５種類の光受容部材を作製し
た。このとき、Ｓの値は、３×１０^-3≦Ｓ≦１．０×１
０^-2の範囲で、中間層の膜厚は３０００〜５０００（オ
ングストローム）の範囲で変化させている。

【０１７３】作製した光受容部材を実施例６と同様の手
段で同様の評価を行った。

【０１７４】その結果、いずれの光受容部材も実施例６
と同様非常に良好な結果であった。特に、表面層に向か
って堆積速度を低下させる（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｅ）の変
化パターンは、他のパターンに比べ引っ掻き強度が、２
０％前後向上しており、（Ａ）、（Ｃ）のパターンより
良好な結果が得られた。

【０１７５】実施例８ 図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、珪素原子の含有量が１００ｐｐｍ
のアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面加工を施したアルミ
ニウムシリンダー上に、表１２，１３に示す条件でアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４（ｄ）に示
す層構成の電子写真感光体を作製した。図４（ｄ）にお
いて、４０１、４０９、４０６、４０３、４０４および
４０５は、それぞれアルミニウム基体、長波長光吸収
層、電荷注入阻止層、光導電層、中間層および表面層を
示している。

【０１７６】

【表１２】

【０１７７】

【表１３】 本実施例においては、表１２、１３のいずれの場合にお
いてもＳ＝１．０×１０^-2とした。

【０１７８】作製した光受容部材を電子写真装置（キャ
ノン製ＮＰ９３３０をテスト用に改造）を用い、以下の
評価を行った。 『引っ掻き強度』作製した電子写真感光体の引っ掻き強
度の評価として、０．１Ｒのダイヤ針を垂直に当て、荷
重をかけながら電子写真感光体を長手方向に移動させる
装置（図７）を用い、表面を引っ掻き、その後、電子写
真装置にセットして、ハーフトーン画像（キャノン製中
間調チャート「部品番号ＦＹ９−９０４２」のコピー画
像）により、表面の引っ掻き傷（白スジ）が８０％以上
確認できる時点の荷重を引っ掻き強度として判定した。 『電位シフト』電子写真感光体を電子写真装置にセット
し、帯電器に８００μＡの電流を流し、コロナ帯電を行
い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位測
定する。この状態を２分間行い、帯電初期の暗部表面電
位（Ｖｄ１）と、２分後の暗部表面電位（Ｖｄ）の差
（Ｖｄ１−Ｖｄ）をもって、電位シフトとする。 『残留電位』電子写真感光体を電子写真装置にセット
し、電子写真感光体を４００（Ｖ）の暗部表面電位に帯
電させる。そして、直ちに一定光量（２．８μＪ／ｃｍ
² ）を照射する。光源には、スポット径８０μｍの半導
体レーザー（波長７８０ｎｍ）を使用した。このとき、
表面電位計により、光受容部材の明部表面電位を測定す
る。そして、得られた明部表面電位をもって、残留電位
とする。 『通紙耐久』作製した光受容部材を電子写真装置に設置
し、１００万枚の通紙耐久試験を行い、電子写真特性お
よび画像評価を行った。

【０１７９】その結果、いずれの光受容部材も非常に良
好な結果であった。特に、表１３のように、中間層作製
時初期の炭素供給用の原料ガス流量を０とし次第に増量
した場合には、表１２の条件で作成した光受容部材に比
べ、残留電位が５０％以下となり、また、得られたハー
フトーン画像は、非常に均一性のよいものであり、より
良好な結果が得られた。

【０１８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電荷保持特性、残留電位等の電気的特性に優れ、耐久性
のある光受容部材が安価に安定して得られ、これを用い
た電子写真装置においては優れた電子写真物性を有する
高品位の画像を長期にわたり提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法における光導電層、中間層お
よび表面層のガス流量と成膜時間との関係の一例を示す
図である。

【図２】本発明の製造方法における中間層形成時の時間
の経過と原料ガスの流量比の時間当りの変化率Ｓの関係
の典型例を説明する図である。

【図３】本発明の製造方法における光導電層、中間層お
よび表面層の形成時の時間の経過と堆積速度の関係の典
型例を説明する図である。

【図４】本発明の製造方法で製造される光受容部材の４
種の実施態様の模式的断面図である。

【図５】本発明における光受容部材を形成するための装
置の一例であるＲＦグロー放電法による製造装置の模式
的説明図である。

【図６】本発明における光受容部材を形成するための装
置の他の例であるＶＨＦグロー放電法による製造装置の
模式的説明図である。

【図７】本発明の光受容部材の性能試験に使用した引っ
掻き強度試験装置の模式的説明図である。

【符号の説明】

４００ 光受容部材 ４０１ 導電性支持体 ４０２ 光受容層 ４０３ 光導電層 ４０４ 中間層 ４０５ 表面層 ４０６ 電荷注入阻止層 ４０７ 電荷輸送層 ４０８ 電荷発生層 ４０９ 長波長光吸収層 ４１０ 自由表面 ５１００，６１００ 堆積装置 ５１１１，６１１１ 反応容器 ５１１２，６１１２ 円筒状支持体 ５１１３，６１１３ 支持体加熱用ヒーター ５１１４ 原料ガス導入管 ５１１５，６１１６ マッチングボックス ５１１６ 原料ガス配管 ５１１７ 反応容器リークバルブ ５１１８ メイン排気バルブ ５１２４ 真空計 ５２００ 原料ガス供給装置 ５２１１〜５２１６ マスフローコントローラー ５２２１〜５２２６ 原料ガスボンベ ５２３１〜５２３６ 原料ガスボンベバルブ ５２４１〜５２４６ ガス流入バルブ ５２５１〜５２５６ ガス流出バルブ ５２６１〜５２６６ 圧力調整器 ６１１５ 電極 ６１２０ 支持体回転用モーター ６１２１ 排気管 ６１３０ 放電空間

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上にシリコン原子を母体と
   する非晶質材料からなる光導電層、中間層および表面層
   を少なくとも有する光受容部材の製造方法において、真
   空気密に形成された反応容器の放電空間内に前記導電性
   支持体を設置し、前記各層の構成原子を含む原料を導入
   し、放電により前記原料ガスを分解し、その分解ガスを
   前記導電性支持体上に順次積層する工程を含み、前記中
   間層の作製時に、少なくともシリコン原子を供給し得る
   シリコン供給用の原料ガスと他原子を供給し得る他原子
   供給用の原料ガスを用い、シリコン供給用の原料ガス流
   量Ｂに対する他原子供給用の原料ガス流量Ａの比Ｃ＝Ａ
   ／Ｂの時間当りの変化率Ｓ＝△Ｃ／△ｔを、所定の範囲
   になるように原料ガスを反応容器に導入すること特徴と
   する光受容部材の製造方法。
2. 【請求項２】 前記光導電層が、シリコン原子を母体と
   する非晶質材料で構成され、前記表面層がシリコン原子
   を母体とし、少なくとも、炭素原子および、水素原子ま
   たは／およびハロゲン原子を含んでなる非晶質材料で構
   成され、前記中間層の作製時には、少なくともシリコン
   原子を供給し得るシリコン供給用の原料ガスＢと炭素原
   子を供給し得る炭素供給用の原料ガスＡを用い、シリコ
   ン供給用の原料ガス流量に対する炭素供給用の原料ガス
   流量の比の１秒当りの変化率Ｓを、１×１０^-3≦Ｓ≦
   １．５×１０^-2に設定したことを特徴とする請求項１に
   記載の光受容部材の製造方法。
3. 【請求項３】 前記光導電層が、シリコン原子を母体と
   する非晶質材料で構成され、前記表面層がシリコン原子
   を母体とし、炭素原子および、水素原子または／および
   ハロゲン原子を含んでなる非晶質材料で構成され、前記
   中間層の作製時には、少なくともシリコン原子を供給し
   得るシリコン供給用の原料ガスと炭素原子を供給し得る
   炭素供給用の原料ガスを用い、シリコン供給用の原料ガ
   ス流量Ｂに対する炭素供給用の原料ガス流量Ａの比の１
   秒当りの変化率Ｓを、３×１０ ^-3≦Ｓ≦１．０×１０^-2
   に設定したことを特徴とする請求項１に記載の光受容部
   材の製造方法。
4. 【請求項４】 前記中間層作製時の初期において、シリ
   コン供給用の原料ガス流量Ｂに対する炭素供給用の原料
   ガス流量Ａの比Ｃ＝Ａ／Ｂが、０以上２．５以下である
   ことを特徴とする請求項２または３に記載の光受容部材
   の製造方法。
5. 【請求項５】 前記中間層作製時の初期において、シリ
   コン供給用の原料ガス流量Ｂに対する炭素供給用の原料
   ガス流量Ａの比Ｃ＝Ａ／Ｂが、実質的に０であることを
   特徴とする請求項２乃至請求項４に記載の光受容部材の
   製造方法。
6. 【請求項６】 前記中間層作製時のシリコン供給用の原
   料ガス流量Ｂに対する炭素供給用の原料ガス流量Ａの比
   の時間的変化が、直線的または段階的であることを特徴
   とする請求項２乃至請求項５に記載の光受容部材の製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記中間層作製時の堆積膜形成速度を、
   光導電層作製時の堆積膜形成速度よりは小とし、表面層
   作製時の堆積膜形成速度よりは大としたことを特徴とす
   る請求項１乃至請求項６に記載の光受容部材の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記中間層作製時の堆積膜形成速度を、
   光導電層作製時の堆積膜形成速度より小とし、かつ、時
   間の経過とともに前記堆積速度が減小するようにして成
   膜することを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載の
   光受容部材の製造方法。
9. 【請求項９】 前記中間層作製時の堆積速度の減小が、
   直線的または、段階的であることを特徴とする請求項８
   に記載の光受容部材の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記中間層の層厚が１００乃至５００
    ０オングストロームである請求項１乃至請求項９に記載
    の光受容部材の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記光導電層と前記導電性支持体との
    間に電荷注入阻止層を設けることを特徴とする請求項１
    乃至請求項１０に記載の光受容部材の製造方法。