JPH06194848A - 電子部品のパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レジスト形成後の断面が短形状となり良好な
微細加工ができ、しかも露光後の放置時間によって感度
及び解像度が変化することのない安定したパターンを形
成できる電子部品のパターン形成方法を提供することを
目的とする。 【構成】 化学放射線の照射により、酸を発生する化合
物と、前記酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有
する化合物とを含有する感放射線組成物を基板上に塗布
して感放射線層を形成する工程と、前記感放射線層の表
面を処理する工程と、前記表面処理された感放射線層に
所望のパターンを形成するための、露光する工程と、前
記感放射線層を現像処理する工程と、より構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、大規模半導体集積回路
（ＬＳＩ）等の電子部品の微細加工に用いられるパター
ン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路を始めとする各種の微細
加工を必要とする電子部品の分野では、フォトリソグラ
フィによる微細加工技術が採用されている。かかる技術
は、例えばシリコンウェハ等の半導体基板上にフォトレ
ジスト膜をスピンコート法により形成する。前記レジス
ト膜をパターン露光した後、現像、リンス等の処理を施
してレジストパターンを形成する。更に、前記レジスト
パターンをエッチングマスクとして露出する基板部分を
エッチングすることにより微細な線や開口部を形成する
ものである。

【０００３】前記パターン露光において、微細なパター
ンを形成するには、使用する光の波長は短い程よくエキ
シマレーザなどの短波長光、更には、波長の短い電子線
またはＸ線を使用することにより、より微細なパターン
形成を行うことができる。

【０００４】しかしながら、従来のレジストは、短波長
光に対する吸収が大きいため、前記光線をレジスト膜の
深部まで十分に到達させることができない。その結果、
現像後のレジストパターンの断面形状がポジ型レジスト
では三角形に、またネガ型レジストでは逆三角形とな
り、エッチングマスクとしての機能が著しく損なわれる
という問題がある。

【０００５】このような問題を解決するレジストとし
て、従来化学増幅型のものが提案されている。前記化学
増幅型レジストは、光照射により酸を発生する化合物
（光酸発生剤）と、発生した酸により疎水性の基が分解
し、親水性の物質に変化する化合物を含む。上記レジス
トの具体的例としては、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレ
ン）の水酸基をブトキシカルボニル基でブロックしたポ
リマーと、オニウム塩を含むポジ型レジスト、また、ｍ
−クレゾールノボラック樹脂とナフタレン−２−カルボ
ン酸−ターシヤリ（ｔｅｒｔ）−ブチルエステルと、ト
リフェニルスルホニウム塩を含むポジ型レジスト、さら
に２，２−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオ
キシフェニル）プロパンやポリフタルアルデヒドとオニ
ウム塩を含むポジ型レジストなどが挙げられる。

【０００６】前記光酸発生剤は、触媒として働くため、
微量でも効率よく反応するため、レジスト膜深部まで十
分に反応が進行し、側面が急峻なレジストパターンを形
成することが可能となる。上述した化学増幅型のレジス
トは下記の文献に記述されている。 １）Ｈ．Ｉｔｏ，Ｃ，Ｇ，Ｗｉｌｓｏｎ，Ｊ．Ｍ．Ｊ，
Ｆｒａｎｃｈｅｔ，Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ ４，４９
１，６２８（１９８５）。

【０００７】ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）の水酸基
をブトキシカルボニル基で変成したポリマーと、光照射
により酸を発生する化合物であるオニウム塩とを含むポ
ジ型レジストが開示されている。

【０００８】２）Ｍ．Ｊ．Ｏ Ｂｒｉｅｎ，Ｊ．Ｖ．Ｃ
ｒｉｖｅｌｌｏ，ＳＰＩＥ Ｖｏｌ，９２０，Ａｄｖａ
ｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，ｐ４２，（１９８
８）。

【０００９】ｍ−クレゾ−ルノボラック樹脂とナフタレ
ン−２−カルボン酸−ターシャリブチルエステルと、光
照射により酸を発生する化合物であるトリフェニルスル
ホニウム塩を含むポジ型レジストが開示されている。

【００１０】３）Ｈ．Ｉｔｏ，ＳＰＩＥ Ｖｏｌ，９２
０，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｎ
ｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，ｐ３３，
（１９８８）。

【００１１】２，２−ビス（４−ターシャリブトキシカ
ルボニルオキシフェニル）プロパンやポリフタルアルデ
ヒド、光照射により酸を発生する化合物であるオニウム
塩を含むポジ型レジストが開示されている。

【００１２】しかしながら、前記化学増幅型レジストは
高感度であるためにプロセス雰囲気中の影響を受け易
く、特に露光後の放置時間によって感度および解像性が
変化するという問題がある。このことは下記の文献に記
述されている。

【００１３】Ａ．ＭａｃＤｏｎａｌｄ，ａｌ．ＳＰＩＥ
Ｖｏｌ，１４６６，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓ
ｉｓｔ Ｔｅｃｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ，ｐ２，（１９９１）。 雰囲気中に含まれる微量のジメチルアニリンによりレジ
スト膜表面に難溶化層が生成し、レジストの解像性能を
低下させる旨開示されている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、化学放射線
の照射が深部まで到達し、レジスト形成後の断面が短形
状となり良好な微細加工ができしかも、露光後の放置時
間によって感度及び解像度が変化することのない安定し
たパターンを形成できる電子部品のパターン形成方法を
提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品のパタ
ーン形成方法は、化学放射線の照射により、酸を発生す
る化合物と、前記酸により分解し得る結合を少なくとも
１つ有する化合物とを含有する感放射線組成物を基板上
に塗布して感放射線層を形成する工程と、前記感放射線
層の表面を処理する工程と、前記表面処理された感放射
線層に所望のパターンを形成するため、露光する工程
と、前記感放射線層を現像処理する工程と、より成る。

【００１６】

【作用】化学放射線の照射により、酸を発生する化合物
と、前記酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有す
る化合物とを含有するレジストを基板上に塗布してレジ
スト層を形成する。前記レジスト層の表面を有機溶媒又
は塩基性化合物で処理し、表面に変質層を形成すること
により、前記化合物の分解反応を阻害するプロセス雰囲
気中の有害成分を遮断する。その後、所望のパターンを
形成するため、露光し、次いで現像処理する。その結
果、化学放射線の照射がレジスト層の深部まで到達する
のでレジスト層の断面は短形状となり、しかも露光後の
放置時間によって感度及び解像度が変化することのない
安定したパターンを形成できる。

【００１７】

【実施例】以下本発明の電子部品のパターン形成方法の
実施例を説明する。

【００１８】まず、基板上に化学放射線の照射により酸
を発生し得る化合物と前記酸により分解し得る結合を少
なくとも１つ有する化合物とを含有する感放射線組成物
を回転塗布法や堆積法により塗布した後、２００℃以
下、好ましくは７０〜１５０℃で乾燥して感放射線組成
物層（レジスト膜）を形成する。

【００１９】前記基板としては、例えばシリコンウェ
ハ、表面に各種の絶縁膜や電極、配線が形成された段差
を有するシリコンウェハ、ブランクマスク、および各種
半導体ウェハ等を挙げることができる。

【００２０】前記化学放射線は、前記第１成分である化
学放射線の照射により酸を発生し得る化合物の性質に応
じて最適なものが選ばれ、例えば水銀ランプのｉ線、ｈ
線、ｇ線、エキシマレーザであるＫr Ｆ線、Ａr Ｆ線な
どの各種の紫外線またはＸ線、電子線、イオンビーム等
が挙げられる。

【００２１】前記感放射線組成物の第１成分である化学
放射線の照射により酸を発生し得る化合物は、特に限定
されるものでなく、各種の公知化合物及び混合物を用い
ることができる。例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウ
ム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、有機ハロゲン
化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド等
を挙げることができる。

【００２２】前記感放射線組成物の第２成分である前記
酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有する化合物
は、酸により分解して現像液に対する溶解性が変化する
ものなら特に限定されないが、具体的にはフェノール化
合物のエステルまたはエーテルが好適である。前記フェ
ノール化合物としては、例えばフェノール、クレゾー
ル、キシレゾール、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、ヒドロキシベンゾフェノン、フェノールフタレイ
ン、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂等を挙げる
ことができる。これらのヒドロキシ基を適当なエステル
化剤またはエーテル化剤を用いてエステル化またはエー
テル化する。導入するエステルまたはエーテルとして
は、例えばメチルエステル、エチルエステル、ｎ−プロ
ピルエステル、イソプロピルエステル、ターシャリ（ｔ
ｅｒｔ）−ブチルエステル、ｎ−ブチルエステル、イソ
ブチルエステル、ベンジルエステル、テトラヒドロピラ
ニルエーテル、ベンジルエーテル、メチルエーテル、エ
チルエーテル、ｎ−プロピルエーテル、イソプロピルエ
ーテル、ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、アリルエーテル、
メトキシメチルエーテル、ｐ−ブロモフェナシフエーテ
ル、トリメチルシリルエーテル、ベンジルオキシカルボ
ニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエーテ
ル、ｔｅｒｔ−ブチルアセテート、４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルベンジルエーテル等を挙げることができる。

【００２３】前記感放射線組成物は、前記第１成分、第
２成分の他にアルカリ可溶性重合体を第３成分として配
合することを許容する。かかるアルカリ可溶性重合体
は、アルカリ現像液に対する前記感放射線層の溶解速度
を調節してパターンの解像性を高める作用を有する。前
記アルカリ可溶性樹脂としては、フェノールノボラック
樹脂、クレゾールノボラック樹脂、キシレゾールノボラ
ック樹脂、ビニルフェノール樹脂、等を挙げることがで
きる。

【００２４】前記感放射線組成物は、前記第１成分、第
２成分、および第３成分の他にさらに必要に応じて塗膜
改質剤としての界面活性剤、または反射防止剤としての
塗料を配合してもよい。

【００２５】前記第１成分である化学放射線の照射によ
り酸を発生し得る化合物の配合量は、感放射線組成物の
固形分中に０．１〜３０重量％、より好ましくは０．３
〜１５重量％の範囲とすることが好ましい。この理由
は、配合量を０．１重量％未満にすると十分な感光特性
を得ることが困難となり、一方３０重量％を越えると均
一な感放射線層を形成することが困難になる恐れがあ
る。

【００２６】前記第３成分であるアルカリ可溶性重合体
は、前記第２成分である、前記酸により分解し得る結合
を少なくとも１つ有する化合物と前記アルカリ可溶性重
合体の合計量を１００重量部とした時、９０重量部以
下、好ましくは８０重量部以下に配合することが望まし
い。この理由は、前記アルカリ可溶性重合体の配合量が
９０重量部を越えると露光部と未露光部の溶解速度の差
が小さくなり、パターン形成における解像性が低下する
恐れがある。

【００２７】前記感放射線組成物は、前記第１成分、第
２成分、必要に応じて配合される第３成分である前記ア
ルカリ可溶性重合体等を有機溶剤に溶解し、濾過するこ
とにより調製される。

【００２８】かかる有機溶剤としては例えばシクロヘキ
サノン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン等のケトン系溶媒、メチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、エチルセ
ロソルナアセテート、ブチルセロソルブ、ブチルセロソ
ルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、乳酸メチル等
のエステル系溶媒、２−ブタノール、イソアミルアルコ
ール、ジエチレングリコール等のアルコール系溶媒、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチルカルビトール等の多価
アルコール誘導体溶媒、モノホリン、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン等を挙げることができる。

【００２９】これらの溶剤は単独で使用しても混合物の
形で使用してもよい。次いで前記感放射線組成物層の表
面を有機溶媒で処理することによって感放射線組成物層
の表面に変質層を形成する。

【００３０】表面処理に用いる有機溶媒としては、特に
限定されるものでなく、各種有機溶剤を用いることがで
きる。例えば、トルエン、クロルベンゼン、キシレン、
エチルベンゼン、メチレンクロライド、プロピレンクロ
ライド、ヘキサン、シクロヘキサン等を挙げることがで
きる。

【００３１】前記有機溶媒による表面処理の方法として
は、有機溶媒の蒸気にさらす方法や、有機溶媒に浸漬す
る方法、有機溶媒を塗布する方法等が挙げられるが、特
に限定されるものではない。

【００３２】次いで、前記有機溶媒で表面処理された感
放射線層に所望のパターンを有するマスクを通して水銀
ランプのｉ線、ｈ線、ｇ線、エキシマレーザであるＫr
Ｆ線、Ａr Ｆ線などの紫外線またはＸ線等を照射してパ
ターン露光を行なう。また、マスクを用いずに電子線、
イオンビーム等を走査して直接パターン露光を行っても
よい。前記化学放射線照射による露光により、前記感放
射線組成物の第１成分である酸を発生し得る化合物から
酸を発生し、前記酸は同感放射線組成物の第２成分であ
る酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有する化合
物と反応する。つづいてパターン露光後の感放射線層を
一般的に７０〜１６０℃、好ましくは８０〜１３０℃の
温度で加熱処理して増幅反応を促進する。次いで、前記
加熱処理後の感放射線層を、アルカリ水溶液で現像処理
し、純水で前記現像液を洗い流した後、基板を乾燥させ
る。

【００３３】前記現像液であるアルカリ水溶液として
は、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナ
トリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムな
どの無機アルカリ水溶液、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキシド水溶液、トリメチルヒドロキシエチルア
ンモニウムヒドロオキシド水溶液などの有機アルカリ水
溶液、又はこれらのアルコール、界面活性剤などを添加
したもの等を用いることができる。

【００３４】上述した実施例によれば、基板上に感放射
線層を形成し、感放射線層の表面を有機溶媒で処理した
後、紫外線等の化学放射線を用いてパターン露光を行う
ことにより、前記感放射線組成物の第１成分である化学
放射線照射により酸を発生し得る化合物より酸を発生
し、前記酸は前記感放射線組成物中の第２成分である酸
により分解し得る結合を少なくとも１つ有する化合物と
反応して前記化合物を分解する。パターン露光後に所定
の温度で加熱することにより、前記反応は前記感放射線
層の表面のみならず、その深さ方向にまで進行させるこ
とができる。また、感放射線層の表面を有機溶媒で処理
することによって表面に変質層を形成することにより、
前記反応を阻害するプロセス雰囲気中の有害成分を遮断
することができる。その結果化学増幅型レジストで問題
となる露光後の雰囲気による感度および解像性の変化を
抑制することができる。

【００３５】尚、上記実施例においては、感放射線層の
表面処理は有機媒体で処理したが、塩基性化合物で処理
してもよい。この場合、有機媒体で処理したときに得ら
れた効果と同様な効果を得ることができる。

【００３６】表面処理に用いる塩基性化合物としては特
に限定されるものではなく各種アミン化合物等を用いる
ことができる。例えば、トリエチルアミン、アニリン、
ピリジン、ジエチルアミン、アンモニア、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキシド、ヘキサメチルジシラザ
ン、トリフェニルアミン、２，４，５−トリフェニルイ
ミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、ニコチン酸アミド、２−エチ
ルイミダゾール、３，３′−ジアミノ−４−４′−ジハ
イドロキシジフェニル、２，２，２−トリフルオロアセ
トアミド、ベンゾチアゾール、等を挙げることができ
る。

【００３７】前記塩基性化合物による表面処理の方法と
しては、塩基性化合物の蒸気にさらす方法や、塩基性化
合物を溶解した液に浸漬する方法、塩基性化合物を溶解
した液をスプレーする方法等が挙げられるが特に限定さ
れるものではない。塩基性化合物で表面処理された感放
射線組成物質に、所望のパターンを形成するために露光
する工程及び前記感放射線層を現像処理する工程は前述
した、感放射線層の表面処理を有機媒体で行なった例と
同様に行う。次に、具体的な感放射線組成物の調整例に
ついて以下に説明する。

【００３８】下記表１に示す放射線照射により酸を発生
し得る化合物（酸を発生する化合物）と、下記表２に示
す発生した酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有
する化合物（酸により分解する化合物）と下記表３に示
すアルカリ可溶性重合体とを下記表４に示す割合で配合
し、同表４に示す種類および量の有機溶媒で溶解させた
後、０．２μｍのセルロース製メンブランフィルタを用
いて濾過することにより６種の感放射線組成物を調製し
た。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】 以下第１乃至第４の実施例と，夫々の実施例に対して前
記感放射線組成物の表面処理を行なわなかった例との比
較結果について述べる。 実施例１

【００４３】まず、前記表４に記載された感放射線組成
物ＲＥ−１を、６インチのシリコンウェハ上にスピンコ
ートし９０℃のホットプレート上で９０秒間プリベーク
して厚さ１．０μｍの感放射線層（レジスト膜）を形成
した。つづいてヘキサメチルジシラザン雰囲気中に５分
間放置し、表面処理を施した。次いでＫr Ｆエキシマレ
ーザステッパで露光した後、未放置のサンプルと２時間
放置したサンプルを１００℃のホットプレート上で９０
秒間ベークした後、２．３８％濃度のテトラメチルアン
モニウムハイドロオキシド水溶液（以下、ＴＭＡＨ水溶
液と略す）に３０秒間浸漬して、前記レジスト膜を現像
し、さらに水洗、乾燥することによりレジストパターン
を形成した。

【００４４】得られたレジストパターンを走査型電子顕
微鏡（以下、ＳＥＭと略す）で観察したところ、露光後
未放置のサンプルと２時間放置したサンプルともに露光
量２５ｍＪ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像さ
れており、露光後放置による影響は全く認められなかっ
た。 比較例１ 前記実施例１において、ヘキサメチルジシラザンによる
レジスト膜の表面処理を行わない以外、同一の条件でレ
ジストパターンを形成した。

【００４５】得られたレジストパターンをＳＥＭにより
観察したところ露光後未放置のサンプルは露光量２０ｍ
Ｊ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像されたが、
２時間放置したサンプルは、露光量４０ｍＪ／ｃｍ² で
０．５０μｍのパターンまでしか解像することができな
かった。 実施例２

【００４６】まず、前記表４に記載された感放射線組成
物ＲＥ−２を、６インチのシリコンウェハ上にスピンコ
ートし、９０℃のホットプレート上で３００秒間プリベ
ークして厚さ１．０μｍの感放射線層（レジスト膜）を
形成した。つづいてトリエチルアミン雰囲気中で１０分
間放置し、表面処理を施した。次いでＫｒＦエキシマレ
ーザステッパで露光した後、未放置のサンプルと、２時
間放置したサンプルを１２０℃のホットプレート上で１
２０秒間ベークした。つづいて、２．３８％濃度のＴＭ
ＡＨ水溶液に３０秒間浸漬して前記レジスト膜を現像
し、さらに水洗、乾燥することによりレジストパターン
を形成した。

【００４７】得られたレジストパターンをＳＥＭで観察
したところ、露光後未放置、２時間放置のサンプルとも
に露光量４５ｍＪ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが
解像されており、露光後放置による影響は全く認められ
なかった。 比較例２ 前記実施例２において、トリエチルアミンによるレジス
ト膜の表面処理を行わない以外、同一の条件でレジスト
パターンを形成した。

【００４８】得られたレジストパターンをＳＥＭにより
観察したところ露光後未放置のサンプルは露光量４０ｍ
Ｊ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像されたが、
２時間放置したサンプルは、露光量６０ｍＪ／ｃｍ² で
０．５μｍのパターンまでしか解像することができなか
った。 実施例３

【００４９】まず、前記表４に記載された感放射線組成
物ＲＥ−３を、６インチのシリコンウェハ上にスピンコ
ートし１３０℃のホットプレート上で１２０秒間プリベ
ークして厚さ１．０μｍの感放射線層（レジスト膜）を
形成した。つづいてアニリン雰囲気中に１０分間放置
し、表面処理を施した。次いで電子線を加速電圧２０ｋ
ｅＶの条件で照射してパターン描画を行った後、未放置
のサンプルと描画後２時間放置したサンプルを、１００
℃のホットプレート上で１２０秒間ベークした後、２．
３８％濃度のＴＭＡＨ水溶液に３０秒間浸漬して前記レ
ジスト膜を現像し、さらに水洗、乾燥することによりレ
ジストパターンを形成した。

【００５０】得られたレジストパターンをＳＥＭで観察
したところ、描画後未放置、２時間放置のサンプルとも
電子線照射量５μｃ／ｃｍ² で０．２５μｍのパターン
が解像されており描画後放置による影響は、全く認めら
れなかった。 比較例３ 前記実施例３において、アニリンによるレジスト膜の表
面処理を行わない以外同一の条件でレジストパターンを
形成した。

【００５１】得られたパターンをＳＥＭにより観察した
ところ描画後未放置のサンプルは電子線照射量５μｃ／
ｃｍ² で０．２５μｍのパターンが解像されたが、描画
後２時間放置したサンプルは、電子線照射量８μｃ／ｃ
ｍ² で０．４０μｍのパターンまでしか解像することが
できなかった。 実施例４

【００５２】まず、前記表４に記載された感放射線組成
物ＲＥ−４を、６インチのシリコンウェハ上にスピンコ
ートし９０℃のホットプレート上で３００秒間プリベー
クして厚さ１．０μｍの感放射線層（レジスト膜）を形
成した。つづいてアンモニア雰囲気中に５分間放置し、
表面処理を施した。次いでｉ線ステッパで露光した後、
未放置のサンプルと２時間放置したサンプルを、１２０
℃のホットプレート上で１２０秒間ベークした後、２．
３８％濃度のＴＭＡＨ水溶液に３０秒間浸漬して前記レ
ジスト膜を現像し、さらに水洗、乾燥することによりレ
ジストパターンを形成した。

【００５３】得られたレジストパターンをＳＥＭで観察
したところ、露光後未放置のサンプルと２時間放置した
サンプルとも露光時間７５ｍｓｅｃで０．３５μｍのパ
ターンが解像されており露光後放置による影響は全く認
められなかった。 比較例４ 前記実施例４において、アンモニアによるレジスト膜の
表面処理を行わない以外、同一の条件でレジストパター
ンを形成した。

【００５４】得られたレジストパターンをＳＥＭにより
観察したところ、露光後未処理のサンプルは、露光時間
７５ｍｓｅｃで０．３５μｍのパターンが解像された
が、露光後２時間放置したサンプルは、露光時間９０ｍ
ｓｅｃで０．４５μｍまでしか解像することができなか
った。 実施例５ 感放射線組成物として、前記表４に記載されたＲＥ−５
を使用した以外、前記実施例１と同一の条件でレジスト
パターンを形成した。

【００５５】得られたレジストパターンをＳＥＭで観察
したところ、露光後未放置、２時間放置サンプルとも露
光量３４ｍＪ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像
されており、露光後放置による影響は全く認められなか
った。 比較例５ 前記実施例５においてヘキサメチルジシラザンによるレ
ジスト膜の表面処理を行なわない以外同一の条件でレジ
ストパターンを形成した。

【００５６】得られたレジストパターンをＳＥＭにより
観察したところ露光後未放置のサンプルは露光量３２ｍ
Ｊ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像されたが、
２時間放置したサンプルは、露光量４５ｍＪ／ｃｍ² で
０．５０μｍのパターンまでしか解像することができな
かった。 実施例６ 感放射線組成物として、前記表４に記載されたＲＥ−６
を使用した以外、前記実施例１と同一の条件でレジスト
パターンを形成した。

【００５７】得られたレジストパターンをＳＥＭで観察
したところ露光後未放置、２時間放置サンプルとも露光
量３０ｍＪ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像さ
れており露光後放置による影響は全く認められなかっ
た。 比較例６ 前記実施例６においてヘキサメチルジシラザンによるレ
ジスト膜の表面処理を行わない以外同一の条件でレジス
トパターンを形成した。

【００５８】得られたレジストパターンをＳＥＭにより
観察したところ露光後未放置のサンプルは露光量２８ｍ
Ｊ／ｃｍ² で０．３０μｍのパターンが解像されたが、
２時間放置したサンプルは、露光量４０ｍＪ／ｃｍ² で
０．４５μｍのパターンまでしか解像することができな
かった。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば、化学放射線の照射が深
部まで到達し、レジスト形成後の断面が短形状となり、
特にＬＳＩ等の半導体装置における微細加工に有効に利
用できると共に、露光後の放置時間によって感度及び解
像度が変化することなく安定したパターンを形成できる
電子部品のパターン形成方法を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/30 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 化学放射線の照射により、酸を発生する
   化合物と、前記酸により分解し得る結合を少なくとも１
   つ有する化合物とを含有する感放射線組成物を基板上に
   塗布して感放射線層を形成する工程と、 前記感放射線層の表面を処理する工程と、 前記表面処理された感放射線層に所望のパターンを形成
   するため、露光する工程と、 前記感放射線層を現像処理する工程と、より成る電子部
   品のパターン形成方法。
2. 【請求項２】 前記感放射線層の表面を処理する工程
   は、有機溶媒で処理する工程を含む請求項１記載の電子
   部品のパターン形成方法。
3. 【請求項３】 前記感放射線層の表面を処理する工程は
   塩基性化合物で処理する工程を含む請求項１記載の電子
   部品のパターン形成方法。