JPH06196586A - 多層ハイブリッドの製法 - Google Patents
多層ハイブリッドの製法Info
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- JPH06196586A JPH06196586A JP5247685A JP24768593A JPH06196586A JP H06196586 A JPH06196586 A JP H06196586A JP 5247685 A JP5247685 A JP 5247685A JP 24768593 A JP24768593 A JP 24768593A JP H06196586 A JPH06196586 A JP H06196586A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層ハイブリッドを製作する場合に,グリー
ンシートだけを使用する場合には互いに組み合わすこと
のできない誘電率に大きな差のある材料を互いに組み合
わせ得るようにすること。 【構成】 グリーンシート1のパイル10内に,大きな
誘電率を有する材料から成るセラミック板2を配置して
焼結することによって多層ハイブリッドを製作する。
ンシートだけを使用する場合には互いに組み合わすこと
のできない誘電率に大きな差のある材料を互いに組み合
わせ得るようにすること。 【構成】 グリーンシート1のパイル10内に,大きな
誘電率を有する材料から成るセラミック板2を配置して
焼結することによって多層ハイブリッドを製作する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,グリーンシートに導体
路及び接続部を設け,接続部によって導体路の間に電気
的接続が生ぜしめられるように,グリーンシートを重ね
合わせてパイルにする形式の多層ハイブリッドの製法に
関する。
路及び接続部を設け,接続部によって導体路の間に電気
的接続が生ぜしめられるように,グリーンシートを重ね
合わせてパイルにする形式の多層ハイブリッドの製法に
関する。
【0002】
【従来の技術】このような多層ハイブリッドの製法はヨ
ーロッパ特許第345809号によって既に公知であ
る。この場合導体路のための材料としてなかんずく銅及
び銀が使用される。グリーンシートのパイルの焼結温度
は1000°Cよりも低い。
ーロッパ特許第345809号によって既に公知であ
る。この場合導体路のための材料としてなかんずく銅及
び銀が使用される。グリーンシートのパイルの焼結温度
は1000°Cよりも低い。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は,多層
ハイブリッドを製作する場合に,グリーンシートだけを
使用する場合には互いに組み合わすことのできない誘電
率に大きな差のある材料を互いに組み合わせ得るように
することである。
ハイブリッドを製作する場合に,グリーンシートだけを
使用する場合には互いに組み合わすことのできない誘電
率に大きな差のある材料を互いに組み合わせ得るように
することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に,本発明の構成では,最初に述べた形式の多層ハイブ
リッドの製法において,大きな誘電率を有する材料から
成る少なくとも1つのセラミック板をパイル内に配置す
るようにした。
に,本発明の構成では,最初に述べた形式の多層ハイブ
リッドの製法において,大きな誘電率を有する材料から
成る少なくとも1つのセラミック板をパイル内に配置す
るようにした。
【0005】
【発明の効果】この構成によって本発明の課題が解決さ
れ,多層ハイブリッドの製作費が安価になり,品質が改
善される。
れ,多層ハイブリッドの製作費が安価になり,品質が改
善される。
【0006】請求項2以下に記載した手段によって,請
求項1の製法を更に改善することが可能である。セラミ
ック板は別のグリーンシートを焼結することによって,
特に簡単に製作することができる。この場合焼結温度を
1100°Cよりも高くすると,特に誘電率の大きい材
料を気孔のないセラミック板に焼結することができる。
パイルの焼結温度を1000°Cよりも低くすると,特
にわずかな誘電率の材料を使用することができ,したが
って多層ハイブリッドの導電特性が特に有利になる。更
にこのように低い焼結温度は特に低オームの銅又は銀の
使用を可能にする。多層ハイブリッド内にコンデンサを
構成するために,特に誘電率の大きいセラミック板を使
用すると,表面に取り付けられる著しく高価な部品によ
ってしか達成し得ないような大きなコンデンサ容量を実
現することができる。この場合セラミック板を特に薄く
構成すると,特に大きな容量値を達成することができ
る。
求項1の製法を更に改善することが可能である。セラミ
ック板は別のグリーンシートを焼結することによって,
特に簡単に製作することができる。この場合焼結温度を
1100°Cよりも高くすると,特に誘電率の大きい材
料を気孔のないセラミック板に焼結することができる。
パイルの焼結温度を1000°Cよりも低くすると,特
にわずかな誘電率の材料を使用することができ,したが
って多層ハイブリッドの導電特性が特に有利になる。更
にこのように低い焼結温度は特に低オームの銅又は銀の
使用を可能にする。多層ハイブリッド内にコンデンサを
構成するために,特に誘電率の大きいセラミック板を使
用すると,表面に取り付けられる著しく高価な部品によ
ってしか達成し得ないような大きなコンデンサ容量を実
現することができる。この場合セラミック板を特に薄く
構成すると,特に大きな容量値を達成することができ
る。
【0007】
【実施例】以下においては図1〜図3に示した本発明の
実施例に基づいて本発明の構成を具体的に説明する。
実施例に基づいて本発明の構成を具体的に説明する。
【0008】図1においては,4つのグリーンシート1
及び1つのセラミック板2から成るパイル10が引き離
した状態で示されている。グリーンシート1は導体路3
及び接続部4を備えている。セラミック板2は接続部4
を備えている。更に,セラミック板2のすぐ上下に位置
するグリーンシート1はコンデンサ板5を備えている。
及び1つのセラミック板2から成るパイル10が引き離
した状態で示されている。グリーンシート1は導体路3
及び接続部4を備えている。セラミック板2は接続部4
を備えている。更に,セラミック板2のすぐ上下に位置
するグリーンシート1はコンデンサ板5を備えている。
【0009】グリーンシート1はセラミック粉末と,無
機バインダと,有機バインダとから成っている。焼結の
際にグリーンシート1は1000°Cよりも低い温度に
加熱される。焼結の最初の段階では,有機バインダ,一
般的にはプラスチック,が完全に燃焼せしめられる。焼
結過程が進むと,セラミック粉末,例えばアルミナ,及
び無機バインダ,一般にガラス,がセラミック板に焼結
される。
機バインダと,有機バインダとから成っている。焼結の
際にグリーンシート1は1000°Cよりも低い温度に
加熱される。焼結の最初の段階では,有機バインダ,一
般的にはプラスチック,が完全に燃焼せしめられる。焼
結過程が進むと,セラミック粉末,例えばアルミナ,及
び無機バインダ,一般にガラス,がセラミック板に焼結
される。
【0010】接続部4は一般的に,生の状態のグリーン
シート1に例えば打ち抜きによって孔を形成することに
よって作られる。そしてこのグリーンシート1の孔内に
金属ペーストを満たすのである。このような金属ペース
トは,グリーンシート1上に導体路3のための構造体を
形成するためにも利用される。この場合金属ペーストは
スクリーン印刷される。金属ペーストは金属粉末と,無
機バインダと,有機ペーストとから成っている。焼結過
程の際に有機ペーストは完全に燃焼せしめられ,金属粉
末と無機バインダとは金属の導体路3又は接続部4を形
成する。
シート1に例えば打ち抜きによって孔を形成することに
よって作られる。そしてこのグリーンシート1の孔内に
金属ペーストを満たすのである。このような金属ペース
トは,グリーンシート1上に導体路3のための構造体を
形成するためにも利用される。この場合金属ペーストは
スクリーン印刷される。金属ペーストは金属粉末と,無
機バインダと,有機ペーストとから成っている。焼結過
程の際に有機ペーストは完全に燃焼せしめられ,金属粉
末と無機バインダとは金属の導体路3又は接続部4を形
成する。
【0011】図2においては,図1のパイル10を焼結
して製作した多層ハイブリッド7が示されている。この
多層ハイブリッド7は4つのセラミック板1と1つのセ
ラミック板2とから構成されている。多層ハイブリッド
7の上面には別の部品としてシリコンチップ8が取り付
けられている。このシリコンチップ8は結合線9によっ
て多層ハイブリッドの導体路3に接続されている。更に
多層ハイブリッド7は支持体6上に取り付けられてい
る。コンデンサ板5によってコンデンサが構成されてい
る。セラミック板の高い誘電率によって,このコンデン
サの電気容量は特に大きい。
して製作した多層ハイブリッド7が示されている。この
多層ハイブリッド7は4つのセラミック板1と1つのセ
ラミック板2とから構成されている。多層ハイブリッド
7の上面には別の部品としてシリコンチップ8が取り付
けられている。このシリコンチップ8は結合線9によっ
て多層ハイブリッドの導体路3に接続されている。更に
多層ハイブリッド7は支持体6上に取り付けられてい
る。コンデンサ板5によってコンデンサが構成されてい
る。セラミック板の高い誘電率によって,このコンデン
サの電気容量は特に大きい。
【0012】導体路のために金属ペーストを印刷され,
接続部のために孔に金属ペーストを満たされているグリ
ーンシートを焼結することによって多層ハイブリッドを
製作する場合,グリーンシートのための材料と金属ペー
ストのための材料とを互いに適合させておかなければな
らない。この場合,1000°Cよりも低い焼結温度が
特に好ましい。なぜならこの温度範囲においては,特に
安価で導電性のよい材料,例えば銅又は銀を金属ペース
トのために使用できるからである。1100°Cよりも
高い焼結温度は一般に金属ペーストのためにタングステ
ンを使用することを必要とする。しかしながらタングス
テンは導電性が比較的にわずかで,しかも高価である。
1000°Cよりも低い焼結温度においては,セラミッ
クシートはガラス分が大きい。したがってこのようなセ
ラミックシートは誘電率が低い。高い誘電率を達成する
ことのできる充てん材料例えばチタン酸バリウムは10
00°Cよりも低い焼結温度ではセラミックシート内に
使用しにくい。すなわち,1000°Cよりも低い焼結
温度では,このような材料を使用して,気孔のない高品
質の多層ハイブリッドを製作することはできない。高い
誘電率を有している材料は一般に1000°Cよりも高
い焼結温度を必要とする。しかしながらこのような焼結
温度では,1000°Cよりも低い温度で焼結可能なメ
タライズの利点を使用することができない。本発明によ
る製法は両方の利点を多層ハイブリッドにおいて生ぜし
めるのである。すなわち,まず大きな誘電率を有してい
るセラミック板2を製作する。このセラミック板2はも
はや生の状態ではなく,したがって1000°Cよりも
低い温度での焼結過程によってほとんど変化しない。こ
のセラミック板2は1000°Cよりも低い焼結温度を
必要とするグリーンシート1及び金属ペーストと組み合
わされるのである。したがって本発明による製法は,1
000°Cよりも低い温度で焼結される多層ハイブリッ
ドの利点と,1000°Cよりも高い焼結温度を必要と
するセラミック板の利点とを組み合わせるのである。
接続部のために孔に金属ペーストを満たされているグリ
ーンシートを焼結することによって多層ハイブリッドを
製作する場合,グリーンシートのための材料と金属ペー
ストのための材料とを互いに適合させておかなければな
らない。この場合,1000°Cよりも低い焼結温度が
特に好ましい。なぜならこの温度範囲においては,特に
安価で導電性のよい材料,例えば銅又は銀を金属ペース
トのために使用できるからである。1100°Cよりも
高い焼結温度は一般に金属ペーストのためにタングステ
ンを使用することを必要とする。しかしながらタングス
テンは導電性が比較的にわずかで,しかも高価である。
1000°Cよりも低い焼結温度においては,セラミッ
クシートはガラス分が大きい。したがってこのようなセ
ラミックシートは誘電率が低い。高い誘電率を達成する
ことのできる充てん材料例えばチタン酸バリウムは10
00°Cよりも低い焼結温度ではセラミックシート内に
使用しにくい。すなわち,1000°Cよりも低い焼結
温度では,このような材料を使用して,気孔のない高品
質の多層ハイブリッドを製作することはできない。高い
誘電率を有している材料は一般に1000°Cよりも高
い焼結温度を必要とする。しかしながらこのような焼結
温度では,1000°Cよりも低い温度で焼結可能なメ
タライズの利点を使用することができない。本発明によ
る製法は両方の利点を多層ハイブリッドにおいて生ぜし
めるのである。すなわち,まず大きな誘電率を有してい
るセラミック板2を製作する。このセラミック板2はも
はや生の状態ではなく,したがって1000°Cよりも
低い温度での焼結過程によってほとんど変化しない。こ
のセラミック板2は1000°Cよりも低い焼結温度を
必要とするグリーンシート1及び金属ペーストと組み合
わされるのである。したがって本発明による製法は,1
000°Cよりも低い温度で焼結される多層ハイブリッ
ドの利点と,1000°Cよりも高い焼結温度を必要と
するセラミック板の利点とを組み合わせるのである。
【0013】図3には接続部4とコンデンサ板5とを有
するセラミック板2が示されている。このセラミック板
2を製作するために,接続部4のための孔を有するグリ
ーンシートを焼結する。セラミック板2のためには,高
い誘電率を有している材料が使用されるので,この場合
1000°Cよりも大きい焼結温度が必要である。他面
において,接続部4のための孔を焼結の後で,例えばレ
ーザーによって形成することも可能である。次いでスク
リーン印刷によってコンデンサ板5及び接続部4のため
の金属ペーストを取り付ける。しかしながらこの場合,
金属ペーストは1000°Cよりも低い温度で焼結する
ものを使用する。図1のセラミック板2と異なって,図
3のセラミック板2においては,コンデンサ板5は直接
にセラミック板2上に取り付けられる。多層ハイブリッ
ド内にコンデンサを構成することは,これら両方のやり
方によることができる。重要なことは,図3に示したや
り方の場合,コンデンサ板5のための金属ペーストが低
い温度範囲で焼結可能なことである。
するセラミック板2が示されている。このセラミック板
2を製作するために,接続部4のための孔を有するグリ
ーンシートを焼結する。セラミック板2のためには,高
い誘電率を有している材料が使用されるので,この場合
1000°Cよりも大きい焼結温度が必要である。他面
において,接続部4のための孔を焼結の後で,例えばレ
ーザーによって形成することも可能である。次いでスク
リーン印刷によってコンデンサ板5及び接続部4のため
の金属ペーストを取り付ける。しかしながらこの場合,
金属ペーストは1000°Cよりも低い温度で焼結する
ものを使用する。図1のセラミック板2と異なって,図
3のセラミック板2においては,コンデンサ板5は直接
にセラミック板2上に取り付けられる。多層ハイブリッ
ド内にコンデンサを構成することは,これら両方のやり
方によることができる。重要なことは,図3に示したや
り方の場合,コンデンサ板5のための金属ペーストが低
い温度範囲で焼結可能なことである。
【図1】グリーンシートと1つのセラミック板とのパイ
ルを示した図である。
ルを示した図である。
【図2】図1のパイルから製作された多層ハイブリッド
を示した図である。
を示した図である。
【図3】別の実施例のセラミック板を示した図である。
1 グリーンシート又はセラミックシート, 2 セラ
ミック板, 3 導体路, 4 接続部, 5 コンデ
ンサ板, 6 支持体, 7 多層ハイブリッド, 8
シリコンチップ, 9 結合線, 10 パイル
ミック板, 3 導体路, 4 接続部, 5 コンデ
ンサ板, 6 支持体, 7 多層ハイブリッド, 8
シリコンチップ, 9 結合線, 10 パイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴァルター レートリングスヘーファー ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ケー ニッヒシュトレッスレ 129
Claims (7)
- 【請求項1】 グリーンシート(1)に導体路(3)及
び接続部(4)を設け,接続部(4)によって導体路
(3)の間に電気的接続が生ぜしめられるように,グリ
ーンシート(1)を重ね合わせてパイル(10)にする
形式の多層ハイブリッドの製法において,大きな誘電率
を有する材料から成る少なくとも1つのセラミック板
(2)をパイル(10)内に配置することを特徴とする
多層ハイブリッドの製法。 - 【請求項2】 セラミック板(2)を別のグリーンシー
トの焼結によって製作し,別のグリーンシートの材料
を,焼結温度が1000°Cよりも高いように選択する
請求項1記載の製法。 - 【請求項3】 パイル(10)の焼結温度を1000°
Cよりも低くする請求項2記載の製法。 - 【請求項4】 導体路(3)及び接続部(4)の材料と
して銅又は銀を選択する請求項3記載の製法。 - 【請求項5】 セラミック板(2)に接続部(4)を設
ける請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の
製法。 - 【請求項6】 多層ハイブリッドに少なくとも1つのコ
ンデンサを設けるために,セラミック板(2)の両側に
コンデンサ板(5)を設けてパイル(10)内に配置す
る請求項1から請求項5まどのいずれか1項に記載の製
法。 - 【請求項7】 セラミック板(2)の厚さをセラミック
シート(1)の厚さよりも薄く選択する請求項1から請
求項6までのいずれか1項に記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4233403.9 | 1992-10-05 | ||
| DE4233403A DE4233403C2 (de) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196586A true JPH06196586A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=6469644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5247685A Pending JPH06196586A (ja) | 1992-10-05 | 1993-10-04 | 多層ハイブリッドの製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196586A (ja) |
| DE (1) | DE4233403C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0857961A2 (en) | 1997-02-05 | 1998-08-12 | Muto Pure Chemicals Company Ltd. | Sample preparing apparatus used with preparation disk with filter |
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1993
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