JPH0619860B2 - 光磁気記録担体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は情報の記録に用いられる光磁気メモリの記録担
体の改良に関するものである。

従来の技術 近年、情報化社会の進展と共に書き換え可能な大容量光
ディスクの実用化が強く望まれている。その中で特に注
目を集めている光磁気メモリは、ディジタル・メモリと
してのすぐれた特性を有していることが最近になって確
かめられて来た。

ところで、光磁気記録担体は、記録感度を決定する主要
因であるキュリー温度、再生信号の品質を決定するカー
回転角、及び低温での膜作製等の制約から、希土類遷移
金属非晶質磁性体が用いられる。この希土類遷移金属
は、Fe，Co，Niのいずれか１種以上と、Gd，Tb，Dyを中
心とする希土類元素のいずれか１種以上に合金で構成さ
れる。具体的には、TbFe，GdTbFe，TbFeCoなどである。

しかしながら、TbFeをはじめとするこれら希土類遷移金
属磁性体は、一般に耐食性が悪いという欠点を有してい
る。すなわち、希土類が極めて酸化しやすいため、大気
あるいは水蒸気に触れると磁気特性が変化し、さらに
は、膜面に対し垂直な磁化容易軸が損われ、最終的には
遷移金属も酸化されて透明になる。

このような欠点を除くために、従来から、光磁気記録担
体の構成に於いて、磁性体層の上に、例えば透明誘電体
であるSiOx，SiNx，Al₂O₃，AlN等の保護膜を設けたり、
あるいは不活性ガスにより封じ込めたディスク構造が提
案されている（例えば、特開昭５９−１４０６５２号公
報）。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、酸化物あるいは窒化物から成る誘電体
膜、膜厚が薄いと耐食性に十分な効果が得られず、膜厚
が厚いとクラックが生じるなどの欠点を有し、十分な効
果は得られていない。

また、不活性ガスを封じ込める構造に於いても、希土類
の酸化力が極めて強いため、不活性ガス中に含まれる微
量な酸素あるいは水蒸気のために、十分な効果は得られ
ていない。

本発明は上記問題点に鑑み、適切な保護層により、従来
のものよりも耐食性の優れた光磁気記録担体を提供する
ものである。

問題点を解決するための手段 この目的を達成するため本発明の光磁気記録担体は、基
板上に磁性膜を形成し、さらに誘電体膜とジルコニウム
膜を積層する構成となっている。誘電体膜及びジルコニ
ウム膜は、真空蒸着、またはスパッタリングなどの公知
の方法により、希土類遷移金属磁性層上に形成される。

これら一連の薄膜作製は、界面に於ける酸素、水蒸気の
吸着を避けるため、同一真空槽内にて行うことが望まし
い。

作 用 誘電体膜は、磁性膜上に直接ジルコニウム膜を形成した
時に生ずる記録感度の低下を回避する役割を果たし、熱
伝導率の小さい酸化膜、窒化膜で構成される。この誘電
体膜の厚さは、１０００Å〜５０００Åが好ましい。こ
の下限よりも薄ければ断熱効果が不十分となり、記録感
度の低下が避けられない。またこの上限よりも厚ければ
クラックが生じ易くなり、逆に耐食性を悪化させる。一
方ジルコニウム膜の厚みは２０００Å〜１００００Åが
好ましい。この下限よりも薄ければ耐食効果は薄れ、保
護層として満足した機能を有することができない。また
この上限よりも厚ければ内部応力の増大により保護層の
はくりが生じる恐れがある。

この構成により、従来の光磁気記録担体と比較し、記録
感度の低下を招くことなく、従来に増して耐食性を向上
できる。

実施例 実施例１ 以下本発明の一実施例について詳述する。

薄膜形成には、電子ビーム蒸発源を２台装備した２元同
時蒸着装置を用いている。２×１０^−７Torrまで排気し
た後、直径１２０mmφのガラス基板を６０rpmにて回転
させながらTbFe膜を約１０００Å形成させる。それぞれ
の蒸着速度はTb４Å／sec，Fe６Å／secである。その後
直ちにSiOを１０Å／secの蒸着速度で２０００Å形成さ
せ、さらにジルコニウム膜を１０Å／secの蒸着速度で
３０００Å形成させる。このディスクをさらに紫外線硬
化樹脂にて別のガラス基板と貼り合わせる。このように
して作製された光磁気記録担体を用い、記録磁場３００
oe、ディスク回転数６００rpmにて記録した結果、直径
８０mmの位置では、記録パワー３mW以下で記録すること
ができた。

比較のために、保護層を有しないもの、SiO２０００Å
の保護層のみを有するもの、誘電体膜を介さず、磁性体
上ジルコニウム膜３０００Åを直接形成させたものにつ
いての同様の条件で記録に必要なレーザパワーを下表に
示す。

さらにこれら４種の記録担体について、温度６０℃、相
対湿度９０％の恒温恒湿槽に入れて耐食性試験を行っ
た。その結果を第１図に示す。耐食性を評価するパラメ
ータとして、希土類の選択酸化によって生じる保磁力の
変化量を、初期値を１として示した。保磁力変化の大き
いものほど、腐食の進行が激しいことを示している。ジ
ルコニウム膜により、耐食性が向上することがわかる。

実施例２ 実施例１と同様にしてSiOの膜厚のみを変化させたディ
スクを作製し、そのときの記録に必要なレーザパワーに
ついて、実施例１と同様にして求めた結果を第２図にに
示す。膜厚１０００Å以上で顕著な断熱効果を示し、低
いレーザパワーで記録することができる。

実施例３ 実施例１と同様にしてジルコニウムの薄膜のみを変化さ
せたディスクを作製し、温度６０℃，相対湿度９０％の
恒温恒湿槽に入れて、１０００時間後の保磁力変化を測
定した。その結果を第３図に示す。膜厚２０００Å以上
で顕著な耐食効果を示すことがわかる。

実施例４ 記録用磁性膜であるTbFeをGdTbFeに変えたことを除いて
実施例１と同様のディスクを作製し、実施例１と同様の
耐食試験を行った結果、第１図に示したと同様の結果が
得られた。

なお、本実施例では、誘電体膜としてSiOを用いたが、
誘電体膜としてSi₃N₄，AlN，BN，GaN等の窒素化合物を
用いても本発明は有効である。

なお、本実施例では、貼合わせディスクを用いたが、単
板構造ディスクにおいても本発明は有効である。

発明の効果 本発明は、光磁気記録膜上にジルコニウム膜を設けるこ
とにより従来に比べ著しく耐食性を向上することがで
き、さらに記録膜としてジルコニウム膜との境界面に熱
伝導率の小さい誘電体膜を形成させることにより、記録
感度の低下という問題を回避させるという効果を得るこ
とができる優れた光磁気記録担体を実現できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光磁気記録担体の保護層を有しな
いもの、SiO膜の保護層のみのもの及びジルコニウム膜
の保護層のみのものの特性図、第２図は本発明による光
磁気記録担体の記録感度を示す誘電体膜の膜厚依存特性
図、第３図は本発明による光磁気記録担体のジルコニウ
ム膜の膜厚移存特性図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光学的に透明な基板上に、直接もしくは透
   明誘電体層を介して積層された希土類遷移金属磁性薄膜
   に、さらに誘電体層を介してジルコニウム薄膜の保護層
   を積層したことを特徴とする光磁気記録担体。