JPH04219650A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
- Publication number
- JPH04219650A JPH04219650A JP3086023A JP8602391A JPH04219650A JP H04219650 A JPH04219650 A JP H04219650A JP 3086023 A JP3086023 A JP 3086023A JP 8602391 A JP8602391 A JP 8602391A JP H04219650 A JPH04219650 A JP H04219650A
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- JP
- Japan
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- layer
- recording medium
- film
- optical recording
- recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ビームにより記録・
再生を行うことが可能な光学的記録媒体に関する。
再生を行うことが可能な光学的記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光ディスクに用いられる光学
的記録媒体としては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非
晶質から結晶質への相転移を利用したカルコゲン化合物
等の還元性酸化物薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモ
プラスチック記録媒体等が知られている。例えば、希土
類−遷移金属の合金薄膜で形成される光磁気記録媒体と
しては、 ＭｎＢｉ， ＭｎＣｕＢｉ などの多結晶薄
膜、ＧｄＣｏ， ＧｄＦｅ， ＴｂＦｅ， ＤｙＦｅ，
ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅなどの非晶質薄膜、 Ｔ
ｂＦｅＯ３ などの単結晶薄膜などが知られている。
的記録媒体としては、希土類−遷移金属の合金薄膜、非
晶質から結晶質への相転移を利用したカルコゲン化合物
等の還元性酸化物薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモ
プラスチック記録媒体等が知られている。例えば、希土
類−遷移金属の合金薄膜で形成される光磁気記録媒体と
しては、 ＭｎＢｉ， ＭｎＣｕＢｉ などの多結晶薄
膜、ＧｄＣｏ， ＧｄＦｅ， ＴｂＦｅ， ＤｙＦｅ，
ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅなどの非晶質薄膜、 Ｔ
ｂＦｅＯ３ などの単結晶薄膜などが知られている。
【０００３】これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温
近傍の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エ
ネルギーで書き込むための書き込み効率、および書き込
まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率
等を勘案すると、最近では前記非晶質薄膜が光熱記録媒
体として優れていると考えられている。ＧｄＴｂＦｅ
はカー回転角も大きく、１５０℃前後のキューリー点を
持つので光熱磁気記録媒体として適している。更に発明
者等はカー回転角を向上させる目的で研究した結果、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏがカー回転角が充分に大きく、Ｓ／Ｎ比
の良い読み出しが可能な光磁気記録媒体であることを見
い出した。
近傍の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エ
ネルギーで書き込むための書き込み効率、および書き込
まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率
等を勘案すると、最近では前記非晶質薄膜が光熱記録媒
体として優れていると考えられている。ＧｄＴｂＦｅ
はカー回転角も大きく、１５０℃前後のキューリー点を
持つので光熱磁気記録媒体として適している。更に発明
者等はカー回転角を向上させる目的で研究した結果、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏがカー回転角が充分に大きく、Ｓ／Ｎ比
の良い読み出しが可能な光磁気記録媒体であることを見
い出した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
前記 ＧｄＴｂＦｅ 等の光磁気記録媒体をはじめとす
る磁気記録媒体に用いられる非晶質磁性体は、耐食性が
悪いという欠点を持っている。すなわち、大気、水蒸気
に触れると磁気特性が低下し、最終的には完全に酸化さ
れて透明化するに至る。
前記 ＧｄＴｂＦｅ 等の光磁気記録媒体をはじめとす
る磁気記録媒体に用いられる非晶質磁性体は、耐食性が
悪いという欠点を持っている。すなわち、大気、水蒸気
に触れると磁気特性が低下し、最終的には完全に酸化さ
れて透明化するに至る。
【０００５】このような欠点を除くために、従来から、
記録媒体となる磁気記録層の両側に記録光、再生光をほ
ぼ透過する例えば、ＳｉＯ２， ＳｉＯ，Ｓｉ３Ｎ４，
ＡｌＮ の保護層を設けたり、更には、不活性ガスに
より磁気記録層を封じ込めたディスク状記録媒体が提案
されている。
記録媒体となる磁気記録層の両側に記録光、再生光をほ
ぼ透過する例えば、ＳｉＯ２， ＳｉＯ，Ｓｉ３Ｎ４，
ＡｌＮ の保護層を設けたり、更には、不活性ガスに
より磁気記録層を封じ込めたディスク状記録媒体が提案
されている。
【０００６】このような従来の磁気記録媒体の一例とし
て、例えば図２に示すように書き込み側基板１ａ上に保
護層２を形成し、磁気記録層３、スペーサー層４、およ
び反射層５を順次設け、更に接着層６を介して外部プラ
スチック基板１ｂと貼り合わせたものが知られている。 しかし、プラスチック基板の吸水性が大きいために磁気
記録層３が数百オングストロームと薄い場合には、保護
層２、スペーサー層４が存在するにもかかわらず湿度の
高い状態に長時間置かれると磁気特性が劣化するという
欠点が生じやすかった。また、保護層としての窒化物の
膜は、プラスチックなどの基板に対して密着力が弱く、
はく離やクラックが生じやすいという欠点があった。さ
らに窒化物として Ｓｉ３Ｎ４， ＡｌＮ， ＢＮ な
どの熱伝導のよい材料を用い記録媒体の耐久性を向上さ
せるために、その膜厚を厚くすると光ビームによる記録
層の温度上昇が十分でなく記録感度が低下するという欠
点もあった。
て、例えば図２に示すように書き込み側基板１ａ上に保
護層２を形成し、磁気記録層３、スペーサー層４、およ
び反射層５を順次設け、更に接着層６を介して外部プラ
スチック基板１ｂと貼り合わせたものが知られている。 しかし、プラスチック基板の吸水性が大きいために磁気
記録層３が数百オングストロームと薄い場合には、保護
層２、スペーサー層４が存在するにもかかわらず湿度の
高い状態に長時間置かれると磁気特性が劣化するという
欠点が生じやすかった。また、保護層としての窒化物の
膜は、プラスチックなどの基板に対して密着力が弱く、
はく離やクラックが生じやすいという欠点があった。さ
らに窒化物として Ｓｉ３Ｎ４， ＡｌＮ， ＢＮ な
どの熱伝導のよい材料を用い記録媒体の耐久性を向上さ
せるために、その膜厚を厚くすると光ビームによる記録
層の温度上昇が十分でなく記録感度が低下するという欠
点もあった。
【０００７】本発明は、以上の問題点に鑑みなされたも
のであり、磁気記録層の磁気特性を損なうことなく、水
分や酸素等に対する耐食性に優れまた耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供し、かつその記録感度を向上させるこ
とを目的とするものである。
のであり、磁気記録層の磁気特性を損なうことなく、水
分や酸素等に対する耐食性に優れまた耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供し、かつその記録感度を向上させるこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、プ
ラスチック基板上に、光学的記録層が設けられて成る光
学的記録媒体において、基板と記録層との間に、基板に
相接して酸化ケイ素から成る下引き層を設け、更に下引
き層と記録層との間に炭化物と窒化物との混合物から成
る保護層を設けることによって達成される。
ラスチック基板上に、光学的記録層が設けられて成る光
学的記録媒体において、基板と記録層との間に、基板に
相接して酸化ケイ素から成る下引き層を設け、更に下引
き層と記録層との間に炭化物と窒化物との混合物から成
る保護層を設けることによって達成される。
【０００９】上記炭化物としては、例えばＴｉ−Ｃ系，
Ｚｒ−Ｃ系，Ｈｆ−Ｃ系，Ｖ−Ｃ 系，Ｔａ−Ｃ系，Ｍ
ｏ−Ｃ系，Ｗ−Ｃ 系，Ｓｉ−Ｃ系，Ｂ−Ｃ 系，Ｃｒ
−Ｃ系，Ａｌ−Ｃ系，Ｂａ−Ｃ系，Ｂｅ−Ｃ系，Ｃｅ−
Ｃ系が用いられる。また、窒化物としては、例えばＳｎ
−Ｎ系，Ｉｎ−Ｎ系，Ｚｒ−Ｎ系，Ｃｒ−Ｎ系，Ａｌ−
Ｎ系，Ｓｉ−Ｎ系，Ｔａ−Ｎ系，Ｖ−Ｎ 系，Ｎｂ−Ｎ
系，Ｍｏ−Ｎ系，Ｗ−Ｎ 系が用いられる。
Ｚｒ−Ｃ系，Ｈｆ−Ｃ系，Ｖ−Ｃ 系，Ｔａ−Ｃ系，Ｍ
ｏ−Ｃ系，Ｗ−Ｃ 系，Ｓｉ−Ｃ系，Ｂ−Ｃ 系，Ｃｒ
−Ｃ系，Ａｌ−Ｃ系，Ｂａ−Ｃ系，Ｂｅ−Ｃ系，Ｃｅ−
Ｃ系が用いられる。また、窒化物としては、例えばＳｎ
−Ｎ系，Ｉｎ−Ｎ系，Ｚｒ−Ｎ系，Ｃｒ−Ｎ系，Ａｌ−
Ｎ系，Ｓｉ−Ｎ系，Ｔａ−Ｎ系，Ｖ−Ｎ 系，Ｎｂ−Ｎ
系，Ｍｏ−Ｎ系，Ｗ−Ｎ 系が用いられる。
【００１０】
【実施例】まず、本発明を光磁気記録媒体に適用した場
合につき、該記録媒体の各層の構成例を、その断面を示
す略図を参照しながら説明する。
合につき、該記録媒体の各層の構成例を、その断面を示
す略図を参照しながら説明する。
【００１１】図１の構成の記録媒体において、書き込み
側基板１ａ、下引き層２及び磁気記録層３は図２で示し
た従来の磁気記録媒体に使用したと同じものによって形
成することができる。例えば基板１ａとして、アクリル
樹脂、ポリカーボネート等のプラスチック板またはガラ
ス板、下引き層２として、ＳｉＯ または ＳｉＯ２
からなる薄膜、磁気記録層３として各種の非晶質薄膜を
使用できる。この非晶質磁性薄膜として、ＧｄＣｏ，
ＧｄＦｅ， ＴｂＦｅ， ＤｙＦｅ， ＧｄＴｂＦｅ，
ＴｂＤｙＦｅ等の非晶質磁性薄膜が好ましい。なかで
も、 ＧｄＴｂＦｅ， ＧｄＴｂＦｅＣｏ はカー回転
角が大きいので特に好ましい。
側基板１ａ、下引き層２及び磁気記録層３は図２で示し
た従来の磁気記録媒体に使用したと同じものによって形
成することができる。例えば基板１ａとして、アクリル
樹脂、ポリカーボネート等のプラスチック板またはガラ
ス板、下引き層２として、ＳｉＯ または ＳｉＯ２
からなる薄膜、磁気記録層３として各種の非晶質薄膜を
使用できる。この非晶質磁性薄膜として、ＧｄＣｏ，
ＧｄＦｅ， ＴｂＦｅ， ＤｙＦｅ， ＧｄＴｂＦｅ，
ＴｂＤｙＦｅ等の非晶質磁性薄膜が好ましい。なかで
も、 ＧｄＴｂＦｅ， ＧｄＴｂＦｅＣｏ はカー回転
角が大きいので特に好ましい。
【００１２】下引き層２の層厚は一般に５００〜３００
０オングストロームで、磁気記録層３の層厚，炭化物と
窒化物との混合物から成る膜７の層厚に応じて異なるが
、耐久性，記録感度の面から１０００オングストローム
程度が好ましい。下引き層として設けるＳｉＯ または
ＳｉＯ２ は、その上に設ける膜の基板との融合性向
上の目的で設けるものである。
０オングストロームで、磁気記録層３の層厚，炭化物と
窒化物との混合物から成る膜７の層厚に応じて異なるが
、耐久性，記録感度の面から１０００オングストローム
程度が好ましい。下引き層として設けるＳｉＯ または
ＳｉＯ２ は、その上に設ける膜の基板との融合性向
上の目的で設けるものである。
【００１３】磁気記録層３の層厚は記録層としての機能
を果す範囲内の所望の層厚に形成するが通常１６０〜１
０００オングストローム程度である。しかし、記録再生
の性能向上の面から１６０オングストローム程度が好ま
しい。
を果す範囲内の所望の層厚に形成するが通常１６０〜１
０００オングストローム程度である。しかし、記録再生
の性能向上の面から１６０オングストローム程度が好ま
しい。
【００１４】炭化物と窒化物との混合物から成る膜７，
８は記録層３の両側または片側に形成する。片側の場合
は下引き層２と磁気記録層３との間に形成する。炭化物
と窒化物との混合物から成る膜は膜自体に酸素を含まな
いので下引き層２からの酸素や基板を通しての水分によ
り、磁気記録層３が腐食されるのを防ぐ機能を果す。炭
化物と窒化物との混合物から成る膜の膜厚は１００〜２
０００オングストロームの範囲が好ましい。１００オン
グストロームより薄いと耐湿効果が不充分であり、一方
２０００オングストロームより厚いと磁気記録媒体の記
録感度が低下し好ましくない。
８は記録層３の両側または片側に形成する。片側の場合
は下引き層２と磁気記録層３との間に形成する。炭化物
と窒化物との混合物から成る膜は膜自体に酸素を含まな
いので下引き層２からの酸素や基板を通しての水分によ
り、磁気記録層３が腐食されるのを防ぐ機能を果す。炭
化物と窒化物との混合物から成る膜の膜厚は１００〜２
０００オングストロームの範囲が好ましい。１００オン
グストロームより薄いと耐湿効果が不充分であり、一方
２０００オングストロームより厚いと磁気記録媒体の記
録感度が低下し好ましくない。
【００１５】ＳｉＯ， ＳｉＯ２ などのスペーサー層
４， Ｃｕ，Ａｌ， Ａｕ などの反射層５，シリコン
系接着剤などの接着層６およびガラス，プラスチックま
たはアルミニウムなどの金属よりなる保護基板１ｂのそ
れぞれが果す機能は従来の記録媒体の場合と同様である
。
４， Ｃｕ，Ａｌ， Ａｕ などの反射層５，シリコン
系接着剤などの接着層６およびガラス，プラスチックま
たはアルミニウムなどの金属よりなる保護基板１ｂのそ
れぞれが果す機能は従来の記録媒体の場合と同様である
。
【００１６】図１の例では、炭化物と窒化物との混合物
から成る膜は記録層に相接して設けてあり、耐食性はこ
の場合がより効果的ではあるが相接して設けることは本
発明において必須ではなく、炭化物と窒化物との混合物
から成る膜と記録層との間に他の補助層が介在していて
も発明の目的は達成出来る。また、図３に他の例を示す
ようにスペーサー層４，反射層５などの補助層を欠いて
いる構成の記録媒体もまた本発明に属するものである。
から成る膜は記録層に相接して設けてあり、耐食性はこ
の場合がより効果的ではあるが相接して設けることは本
発明において必須ではなく、炭化物と窒化物との混合物
から成る膜と記録層との間に他の補助層が介在していて
も発明の目的は達成出来る。また、図３に他の例を示す
ようにスペーサー層４，反射層５などの補助層を欠いて
いる構成の記録媒体もまた本発明に属するものである。
【００１７】本発明の記録媒体の作製方法は、図１の例
について述べれば、書き込み側基板１ａ上に下引き層２
を蒸着法などにより形成し、次いで炭化物と窒化物との
混合物から成る膜７，記録層３、再び炭化物と窒化物と
の混合物から成る膜８を順次スパッタリングなどにより
形成する。更にその上にスペーサー層４，反射層５を蒸
着法などにより積層したのち、保護基板１ｂを接着層６
を介して貼り合わせることにより図１の構成の記録媒体
が完成する。尚、図１には示していないが、耐久性向上
の目的で反射層５の上に更に窒化物膜などの保護層をス
パッタリングなどにより介在させることも出来る。
について述べれば、書き込み側基板１ａ上に下引き層２
を蒸着法などにより形成し、次いで炭化物と窒化物との
混合物から成る膜７，記録層３、再び炭化物と窒化物と
の混合物から成る膜８を順次スパッタリングなどにより
形成する。更にその上にスペーサー層４，反射層５を蒸
着法などにより積層したのち、保護基板１ｂを接着層６
を介して貼り合わせることにより図１の構成の記録媒体
が完成する。尚、図１には示していないが、耐久性向上
の目的で反射層５の上に更に窒化物膜などの保護層をス
パッタリングなどにより介在させることも出来る。
【００１８】以下に本発明を光磁気記録媒体に適用した
場合につき実施例を示して更に具体的に説明する。
場合につき実施例を示して更に具体的に説明する。
【００１９】実施例１
ポリアクリレート樹脂基板１ａの上に下引き層２として
約１０００オングストロームの ＳｉＯ２ 膜を蒸着に
より形成し、反応性スパッタリングにより約７００オン
グストロームの Ｓｉ３Ｎ４と ＳｉＣとの混合膜７、
スパッタリングにより約１０００オングストロームの
ＧｄＴｂＦｅＣｏ ４元系非晶質薄膜３、再び反応性ス
パッタリングにより約２０００オングストロームの Ｓ
ｉ３Ｎ４と ＳｉＣとの混合膜８を次々にその上に成膜
した。更にシリコン接着剤からなる接着層６を介してポ
リアクリレート樹脂基板１ｂを貼り合わせることにより
図３に示す構成の光磁気記録媒体を得た。窒化物と炭化
物の混合膜７，８は Ｓｉ ターゲットを用い、 Ａｒ
とＣＨ４ と Ｎ２ のガス導入比を９０：５：５と
した混合ガス中での反応性スパッタリングにより得た。
約１０００オングストロームの ＳｉＯ２ 膜を蒸着に
より形成し、反応性スパッタリングにより約７００オン
グストロームの Ｓｉ３Ｎ４と ＳｉＣとの混合膜７、
スパッタリングにより約１０００オングストロームの
ＧｄＴｂＦｅＣｏ ４元系非晶質薄膜３、再び反応性ス
パッタリングにより約２０００オングストロームの Ｓ
ｉ３Ｎ４と ＳｉＣとの混合膜８を次々にその上に成膜
した。更にシリコン接着剤からなる接着層６を介してポ
リアクリレート樹脂基板１ｂを貼り合わせることにより
図３に示す構成の光磁気記録媒体を得た。窒化物と炭化
物の混合膜７，８は Ｓｉ ターゲットを用い、 Ａｒ
とＣＨ４ と Ｎ２ のガス導入比を９０：５：５と
した混合ガス中での反応性スパッタリングにより得た。
【００２０】得られた記録媒体に関し、そのカー回転角
θｋ ，保磁力Ｈｃ の測定とともに４５℃、相対湿度
９５％の恒温恒湿槽にて１０００時間の耐湿テストを行
なった。
θｋ ，保磁力Ｈｃ の測定とともに４５℃、相対湿度
９５％の恒温恒湿槽にて１０００時間の耐湿テストを行
なった。
【００２１】比較のため、炭化物と窒化物との混合物か
ら成る膜７，８を設けない他は上記と同様の構成を有す
る記録媒体についても試験を行なった。結果は表１に示
すとおりで、本発明の光磁気記録媒体は磁性特性の劣化
も認められず、耐久性が向上した。また磁気特性，記録
感度，読み出し効率の劣化も認められなかった。尚、表
１の耐湿テスト後の数値は、初期値を１．０ とした場
合の比率で示してある。
ら成る膜７，８を設けない他は上記と同様の構成を有す
る記録媒体についても試験を行なった。結果は表１に示
すとおりで、本発明の光磁気記録媒体は磁性特性の劣化
も認められず、耐久性が向上した。また磁気特性，記録
感度，読み出し効率の劣化も認められなかった。尚、表
１の耐湿テスト後の数値は、初期値を１．０ とした場
合の比率で示してある。
【００２２】実施例２
実施例１の ＳｉＣと Ｓｉ３Ｎ４との混合膜の代りに
ＳｉＣと ＡｌＮとの混合膜を保護層として設けた外
は実施例１と同様の膜構成の光磁気記録媒体を作成した
。ＳｉＣ とＡｌＮ の混合膜は５インチφの ＳｉＣ
化合物ターゲットの上にほぼ１０ｍｍ角の Ａｌ 片を
４つ均一に並べて Ａｒ と Ｎ２ の比を１：１とし
た混合ガス中でスパッタリングにより成膜した。
ＳｉＣと ＡｌＮとの混合膜を保護層として設けた外
は実施例１と同様の膜構成の光磁気記録媒体を作成した
。ＳｉＣ とＡｌＮ の混合膜は５インチφの ＳｉＣ
化合物ターゲットの上にほぼ１０ｍｍ角の Ａｌ 片を
４つ均一に並べて Ａｒ と Ｎ２ の比を１：１とし
た混合ガス中でスパッタリングにより成膜した。
【００２３】この記録媒体についても実施例１と同様の
テストを行なったが実施例１と同様耐久性は向上した。 この実施例２の耐久結果を表１に示す。
テストを行なったが実施例１と同様耐久性は向上した。 この実施例２の耐久結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
表１ ┌────┬─────┬
───────────┐ │
│初期特性 │ 耐湿テスト１０００Ｈ後
│ │ ├──┬─
─┼─────┬─────┤ │
│Ｈｃ │θｋ │ Ｈｃ │
θｋ │ ├────┼─
─┼──┼─────┼─────┤
│実施例１│１．０ │１．０ │ ０．９
│ ０．９〜１．０ │ │実施例２
│１．０ │１．０ │ ０．９ │ ０．
９〜１．０ │ │比較例 │１．０
│１．０ │ ０．２〜０．３ │ ０．２〜０．３
│ └────┴──┴──┴───
──┴─────┘
表１ ┌────┬─────┬
───────────┐ │
│初期特性 │ 耐湿テスト１０００Ｈ後
│ │ ├──┬─
─┼─────┬─────┤ │
│Ｈｃ │θｋ │ Ｈｃ │
θｋ │ ├────┼─
─┼──┼─────┼─────┤
│実施例１│１．０ │１．０ │ ０．９
│ ０．９〜１．０ │ │実施例２
│１．０ │１．０ │ ０．９ │ ０．
９〜１．０ │ │比較例 │１．０
│１．０ │ ０．２〜０．３ │ ０．２〜０．３
│ └────┴──┴──┴───
──┴─────┘
【００２５】
【発明の効果】本発明の光学的記録媒体によれば、記録
層が例えば約数百オングストロームの厚さの磁性層であ
ってもその書き込み側基板側またはその両側に膜自体に
酸素を含まない耐湿性のすぐれた炭化物と窒化物との混
合物より成る膜を設けることにより記録媒体の耐食性を
顕著に改善出来る。その効果は、上記炭化物と窒化物と
の混合物より成る膜を記録層に相接して設けた場合特に
すぐれている。またＳｉＯ または ＳｉＯ２ の膜を
下引き層として書き込み側基板上に設けることによりそ
の上に設ける膜の基板との融合性を向上することが出来
る。
層が例えば約数百オングストロームの厚さの磁性層であ
ってもその書き込み側基板側またはその両側に膜自体に
酸素を含まない耐湿性のすぐれた炭化物と窒化物との混
合物より成る膜を設けることにより記録媒体の耐食性を
顕著に改善出来る。その効果は、上記炭化物と窒化物と
の混合物より成る膜を記録層に相接して設けた場合特に
すぐれている。またＳｉＯ または ＳｉＯ２ の膜を
下引き層として書き込み側基板上に設けることによりそ
の上に設ける膜の基板との融合性を向上することが出来
る。
【００２６】尚、本発明は光磁気記録媒体に限定される
ものでなく、たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸化
され易い記録層を有する他の光学的記録媒体の耐食性向
上に関しても同様に効果的である。
ものでなく、たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸化
され易い記録層を有する他の光学的記録媒体の耐食性向
上に関しても同様に効果的である。
【図１】本発明の記録媒体の各層の構成例の断面略図で
ある。
ある。
【図２】従来の記録媒体の各層の構成例の断面略図であ
る。
る。
【図３】本発明の記録媒体の各層の構成例の断面略図で
ある。
ある。
１ａ 書き込み側基板
１ｂ 保護用基板
２ 下引き層
３ 記録層
４ スペーサー層
５ 反射層
６ 接着層
Claims (1)
- 【請求項１】 プラスチック基板上に、光学的記録層
が設けられて成る光学的記録媒体において、前記基板と
記録層との間に、基板に相接して酸化ケイ素から成る下
引き層を設け、更に該下引き層と記録層との間に炭化物
と窒化物との混合物から成る保護層を設けたことを特徴
とする光学的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3086023A JPH04219650A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3086023A JPH04219650A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光学的記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21144284A Division JPS6192459A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219650A true JPH04219650A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=13875065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3086023A Pending JPH04219650A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219650A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153063A (en) * | 1996-03-11 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
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1991
- 1991-03-27 JP JP3086023A patent/JPH04219650A/ja active Pending
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