JPH06199847A - ホルミル基を有するジアリールエテン系化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記一般式（１）にて示されるホルミル基を
有するジアリールエテン系化合物。 【化１】 （但し、式中ｎは２〜５の整数を表す。Ａは一般式
（２） 【化２】 を表し、Ｒ¹ 、Ｒ² はアルキル基、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は水素原
子、アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルコキシ基
を表す。Ｂは一般式（３） 【化３】 を表し、ｍは０〜２の整数、Ｒ⁷ はアルキル基、Ｒ⁸ 〜
Ｒ¹⁵は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、シ
アノ基またはアルコキシ基を表す。） 【効果】 熱安定性、耐湿性、感度に優れ、かつ着消色
の繰り返し耐久性の良好なフォトクロミック性を有し、
性能の優れた可逆的光記録材料などに有効に利用するこ
とが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なジアリールエテ
ン系化合物に係り、更に詳細にはフォトクロミック性を
有し光記録材料等に好適なジアリールエテン系化合物に
関する。

【０００２】

【従来の技術】光照射により可逆的に色相変化をする、
いわゆるフォトクロミック化合物は古くから知られてお
り、これらを利用した記録・記憶材料、複写材料、調光
材料、マスキング用材料、光量計、あるいは表示材料等
が種々提案されている。これらフォトクロミック化合物
としては、例えばベンゾスピロピラン類、ナフトオキサ
ジン類、フルギド類、ジアゾ化合物類、あるいはジアリ
ールエテン類等の化合物が提案されている。近年、この
様なフォトクロミック化合物を可逆的な光記録材料とし
て利用すべく、精力的に研究がなされているが、光記録
材料へ応用するためには次の様な基本性能が要求され
る。すなわち、記録の安定性、繰り返し耐久性、
半導体レーザー感受性、高い感度等である。ところ
が、現在知られているフォトクロミック化合物の多く
は、着色状態又は消色状態のどちらか一方が熱的に不安
定であり、室温に於ても、数時間以内により安定な状態
に戻るため、記録の安定性が確保できないという欠点を
有している。これらの中で、光照射による二つの状態が
熱的に比較的安定である化合物として、フルギド類やジ
アリールエテン類が知られているが、記録材料として利
用するには、安定性が未だ不十分である、繰り返し
耐久性が劣っている、半導体レーザー感受性に乏し
い、感度（分子吸光係数）が小さい等といった欠点の
いずれかを有しており、未だ全ての性能を満足するフォ
トクロミック化合物が得られておらず、また、化学構造
面からの性能の向上が必要であるにもかかわらず、製造
上の問題として、合成の段階が多く煩雑であったり、収
率が低かったり、構造の化学修飾に困難が伴っていたの
が実情である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題に鑑みなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、着色状態の熱安定性、繰り返し耐久性、半
導体レーザー感受性、感度（分子吸光係数）等、フォ
トクロミック材料として優れた性能を有し、かつ化学的
構造の修飾の容易な、新規ジアリールエテン系化合物を
提供するにある。

【０００４】

【課題を解決する為の手段】上述の目的は、下記一般式
（１）にて示されるホルミル基を有するジアリールエテ
ン系化合物により達成される。

【化４】 （但し、式中ｎ、Ａ、Ｂは前記に同じ。）

【０００５】次に本発明を詳しく説明する。本発明のジ
アリールエテン系化合物は、前記一般式（１）で示され
るものであり、ｎは２〜５の整数で、二重結合と共同し
て４〜７員環の環状構造を有する。中でもｎが３又は４
の５又は６員環構造が特に好ましいフォトクロミック特
性を示す。Ａは前記一般式（２）で示されるインドリル
基を表す。Ｒ¹ 、Ｒ² はアルキル基を表すが、メチル、
エチル、プロピル基といった低級アルキル基が好まし
い。Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は水素原子、アルキル基、ジアルキルア
ミノ基又はアルコキシ基を表し、化合物の吸収波長を半
導体レーザー発振波長域まで長波長化するためには、Ｒ
³ 〜Ｒ⁶ の少なくとも一つがアルコキシ基又はジアルキ
ルアミノ基であることがより好ましい。Ｂは前記一般式
（３）で示されるベンゾチエニル基を表す。ｍは０〜２
の整数を表し、Ｒ⁷ はアルキル基を表すが、メチル、エ
チル、プロピル基といった低級アルキル基が好ましい。
Ｒ⁸ 〜Ｒ¹⁰は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ
基、シアノ基又はアルコキシ基を表す。電子供与性のイ
ンドリル基と、ベンゾチエニル基を修飾する電子吸引性
のホルミル基との相互作用で吸収波長の長波長化が達成
される。更に、化学的修飾の容易なホルミル基の導入に
より、ホルミル基を他の官能基に変換する事、例えば、
共役二重結合、アミド結合、アゾメチン結合、シアノ
基、カルボン酸基、水酸基、アミノ基等に変換すること
も容易となる。

【０００６】本発明のジアリールエテン系化合物は、公
知の方法から適宜選択して製造することができるが、例
えば次の様な方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（４）

【化５】 （但し、式中ｎは２〜５の整数を表す。）とアリールリ
チウム誘導体ＡＬｉ及びＢＬｉ（Ａ、Ｂは前記に同
じ。）とを同時に反応させる方法、あるいは下記一般式
（５）

【化６】 （但し、式中ｎ、Ｂは前記に同じ。）で示されるよう
に、ＢＬｉのみを反応させて一つのアリール基を導入し
たモノアリールエテン誘導体とし、次に、もう一つのア
リールリチウムＡＬｉ誘導体と反応させる方法、あるい
は下記一般式（６）

【化７】 （但し、式中Ｚは臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ⁷
〜Ｒ¹⁰は前記に同じ。）及びＡＬｉ（Ａは前記に同
じ。）を反応させ、下記一般式（７）

【化８】 （但し、式中Ａ、ｎ、Ｒ⁷ 〜Ｒ¹⁰、Ｚは前記に同じ。）
で示されるハロゲン化ジアリールエテン系化合物とし、
さらにハロゲンを金属に置換したホルミル化後、下記一
般式（８）

【化９】 （但し、式中Ａ、ｎ、Ｒ⁷ 〜Ｒ¹⁰は前記に同じ。）で示
されるホルミル化ジアリールエテン系化合物として、こ
れをホルミルメチレントリフェニルホスホランとウイッ
ティヒ反応を繰り返し行う方法などが挙げられるが、各
段階の収率及び中間体の汎用性から、第３番目の方法が
好ましい。

【０００７】次に好適な製造方法の一例を挙げると次の
通りである。まず、下記一般式（９）

【化１０】 （但し、式中Ｘ、Ｚは臭素原子又はヨウ素原子を表し、
Ｒ⁷ 〜Ｒ¹⁰は前記に同じ。）で示されるジハロゲン化ベ
ンゾチオフェン誘導体を、反応温度−４５〜−１２０
℃、好ましくは−７０〜−１１０℃で、アルキルリチウ
ム又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、３位のハ
ロゲン原子をリチウムに置換したリチオ化ベンゾチオフ
ェン誘導体とする。

【０００８】溶媒としては、テトラヒドロフランやジエ
チルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましく用いられる
が、低温での溶媒凝固を防ぐために、ｎ−ヘキサン、ｎ
−ペンタン等の低級アルカン類を混合してもよい。リチ
オ化剤のアルキルリチウム、リチウムジアルキルアミド
としては、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、
メチルリチウム、フェニルリチウム、リチウムジイソプ
ロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等が挙
げられるが、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適
に用いられる。リチオ化剤の量は、ハロゲン化ベンゾチ
オフェン誘導体の総量に対して１．０〜１．２倍モル使
用するのが好ましい。反応時間は通常２０分〜３時間
で、好ましくは３０分〜２時間である。

【０００９】次に、生成したリチオ化ベンゾチオフェン
誘導体に、前記一般式（４）で示されるパーフルオロシ
クロアルケン誘導体を添加するが、使用するパーフルオ
ロシクロアルケン誘導体の量はジハロゲン化ベンゾチオ
フェン誘導体の１．０〜１．５倍モルが好ましく、希釈
せずに、あるいは溶媒に希釈して添加することができ
る。反応温度は−６０〜−１１０℃、反応時間は３０分
〜２時間が好ましい。以上の操作の後、一般式（１０）

【化１１】 （但し、式中Ｚは臭素原子又はヨウ素原子を表し、ｎ、
Ｒ⁷ 〜Ｒ¹⁰は前記に同じ。）で示されるモノベンゾチエ
ニルエテン系化合物が得られる。

【００１０】次に、一般式（１１）

【化１２】 （但し、式中Ｙは臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ¹
〜Ｒ⁶ は前記に同じ。）で示されるハロゲン化インドー
ル誘導体を前記と同じ方法でリチオ化インドール誘導体
とし、これに前述のモノベンゾチエニルエテン系化合物
のテラヒドロフラン溶液を添加する。使用するモノベン
ゾチエニルエテン系化合物の量はハロゲン化インドール
誘導体の１．０〜１．２倍モルが好ましい。このときの
反応温度は−６０〜−１１０℃、反応時間は３０分〜２
時間が好ましい。

【００１１】製造方法としては、上記の様に一般式
（９）で示されるジハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体
から一般式（１０）で示されるモノベンゾチエニルエテ
ン系化合物を合成した後、これと一般式（１１）で示さ
れるハロゲン化インドール誘導体を反応させる経路とは
逆に、まず、一般式（１１）で示されるハロゲン化イン
ドール誘導体から下記一般式（１２）

【化１３】 （但し、式中ｎ、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ は前記に同じ。）で示され
るモノインドリルエテン系化合物を合成した後に、前記
一般式（６）で示されるリチオ化ベンゾチオフェン誘導
体と反応させてもよい。

【００１２】かくして、一般式（７）で示されるハロゲ
ン化ジアリールエテン系化合物が得られる。得られた一
般式（７）で示されるハロゲン化ジアリールエテン系化
合物のハロゲン原子は、順次有機金属試薬、ホルミル化
剤と、この順に反応し、一般式（８）で示されるホルミ
ル化ジアリールエテン系化合物が得られる。このホルミ
ル化ジアリールエテン系化合物は、ホルミルメチレント
リフェニルホスホランとのウイッティヒ反応により、下
記一般式（１３）

【化１４】 （但し、式中Ａ、Ｒ⁷ 〜Ｒ¹⁰は前記に同じ。）で示され
るジアリールエテン系化合物が得られる。以上の方法で
得られた反応物からジアリールエテン系化合物を得るに
は、抽出、カラムクロマトグラフ、再結晶等の方法を用
いて分離、精製すればよい。

【００１３】本発明のジアリールエテン系化合物は、そ
の一例として、１−（５−メトキシ−１，２−ジメチル
−３−インドリル）−２−（６−（２−ホルミル−１−
エテニル）−２−メチル−３−ベンゾチエニル）−３，
３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの
例について説明すると、有機溶媒や適当な樹脂バインダ
ー等の適当な媒体中に於いて、下記（１４）式の様に、

【化１５】 開環体に紫外光を照射すると、閉環体に変化して着色
し、この閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に戻
り、消色する。

【００１４】本発明のジアリールエテン系化合物を含有
する記録媒体を利用した光記録材料は公知の方法で容易
に得ることが出来る。例えば、本発明のジアリールエテ
ン系化合物を公知の蒸着法により、適当な基板上に蒸着
する方法や、本発明のジアリールエテン系化合物を、ポ
リエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ酢酸ビニル樹 ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リメチルメタクリル酸樹脂、ポリカーボネート樹脂、フ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂の樹脂バインダーと共に、
ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキ
サン、メチルエチルケトン、アセトン、メタノール、エ
タノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、四塩化炭
素、クロロホルム等の溶媒に分散又は溶解させて、適当
な基板上に塗布する方法、あるいは本発明のジアリール
エテン系化合物を前記の様な溶媒に溶解し、適当な基板
上に塗布する方法等によって光記録材料を得ることが出
来る。

【００１５】この様な光記録材料中に於いて、本発明の
ジアリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に
熱安定性が高く、水分、酸素に対しても安定で長期間構
造が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性にも
優れている。又、着色状態の吸収極大波長は６２０ｎｍ
を越え、吸収端も８００ｎｍ以上であることから、６７
０ｎｍや７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザー
に対する感受性を有しており、更に、その波長領域での
感度が高い（大きな分子吸光係数を有する）等といった
優れたフォトクロミック特性を有する為、可逆的な光情
報記録材料等に有効に使用することが出来る。

【００１６】

【発明の効果】以上の様に、本発明のジアリールエテン
系化合物は、熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特
性を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に用
いることができる。次に、本発明を実施例により具体的
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。

【００１７】（実施例１） １−（１，２−ジメチル−３−インドリル）−２−（６
−ホルミル−２−メチル−３−ベンゾチエニル）−３，
３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの
製造 ａ）３−ブロモ−６−ヨード−２−メチルベンゾチオフ
ェンの製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコにヨウ素１１．８ｇ
（４６．５ｍｍｏｌ）ヨウ素酸４．７４ｇ（２６．９ｍ
ｍｏｌ）、硫酸０．７８ｍｌ、酢酸４６．２ｍｌ、水１
７．４ｍｌ、四塩化炭素２２．８ｍｌと３−ブロモ−２
−メチルベンゾチオフェン１６．７ｇ（７３．４ｍｍｏ
ｌ）を入れ、７０〜８０℃に加熱し、４８時間かく拌し
た。反応後、反応液をチオ硫酸ナトリウム飽和水溶液１
００ｍｌに開け、酢酸エチル２００ｍｌで３回抽出し、
洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、下記構造式（化１６）の化合物２１．９ｇ（収率８
４．０％）を得た。

【化１６】

【００１８】分析値： １）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ 中） δ（ｐｐｍ） ２．５０（ｓ １Ｈ） ７．１５〜８．２１（ｍ １Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３５３（Ｍ⁺ ）

【００１９】ｂ）１−（６−ヨード−２−メチル−３−
ベンゾチエニル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプ
タフルオロシクロペンテンの製造 容量１０００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）
で製造された３−ブロモ−６−ヨード−２−メチルベン
ゾチオフェン２１．２ｇ（６０ｍｍｏｌ）とテトラヒド
ロフラン４５０ｍｌを入れ、窒素気流下で−９５℃に冷
却後、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液４５ｍｌ（７
２ｍｍｏｌ）を滴下し１時間かく袢した。次に、パーフ
ルオロシクロペンテン２５．５ｇ（１２０ｍｍｏｌ）の
テトラヒドロフラン溶液１２０ｍｌを滴下し、１時間反
応させた。反応終了後メタノール５０ｍｌを加えて反応
を停止し、更に水３００ｍｌを加えた後、酢酸エチル４
００ｍｌで３回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥
の後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構
造式（化１７）の化合物１３．７ｇ（収率４９．０％）
を得た。

【化１７】

【００２０】分析値： １）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ 中） δ（ｐｐｍ） ２．４９（ｓ １Ｈ） ７．２０〜７．８０（ｍ ２Ｈ）７．９０（ｓ １Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ４６６（Ｍ⁺ ）

【００２１】ｃ）１−（５−メトキシ−１，２−ジメチ
ル−３−インドリル）−２−（６−ヨ−ド−２−メチル
−３−ベンゾチエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘ
キサフルオロシクロペンテンの製造 容量１０００ｍｌの２つ口フラスコに、３−ブロモ−５
−メトキシ−１，２−ジメチルインドール７．４８ｇ
（２９．２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン３２０ｍｌ
を入れ、窒素気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリ
チウム−ヘキサン溶液２２．０ｍｌ（３５．２ｍｍｏ
ｌ）を滴下し１時間かく袢した。次に、実施例１−ｂ）
で製造された１−（６−ヨード−２−メチル−３−ベン
ゾチエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオ
ロシクロペンテン１３．７ｇ（２９．２ｍｍｏｌ）のテ
トラヒドロフラン溶液３０ｍｌを滴下し、１時間反応さ
せた。反応終了後、メタノール５０ｍｌを加え反応を停
止し、更に水３００ｍｌを加えた後、酢酸エチル４００
ｍｌで３回抽出した。この有機層を集め、洗浄、乾燥の
後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造
式（化１８）の化合物８．２ｇ（収率４６．０％）を得
た。

【化１８】

【００２２】分析値： １）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ 中） δ（ｐｐｍ） １．９５（ｓ １Ｈ） ２．２０（ｓ
１Ｈ） ３．５０（ｓ １Ｈ） ３．６９（ｓ １Ｈ） ６．８０〜７．８２（ｍ ２Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６２１（Ｍ⁺ ）

【００２３】ｄ）１−（５−メトキシ−１，２−ジメチ
ル−３−インドリル）−２−（６−ホルミル−２−メチ
ル−３−ベンゾチエニル）−３，３，４，４，５，５−
ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 容量５００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ｃ）で
製造された１−（５−メトキシ−１，２−ジメチル−３
−インドリル）−２−（６−ヨード−２−メチル−３−
ベンゾチエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフ
ルオロシクロペンテン８．２ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）と
テトラヒドロフラン１４０ｍｌを入れ、窒素気流下で−
９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液１
０．０ｍｌ（１６．４ｍｍｏｌ）を滴下し１時間かく袢
した。次に、ジメチルホルムアミド１．２ｇ（１２．４
ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１２ｍｌを滴下
し、１時間反応させた。反応終了後、メタノール２０ｍ
ｌを加え反応を停止し、更に水３００ｍｌを加えた後、
酢酸エチル３００ｍｌで３回抽出した。この有機層を集
め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られた反
応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、下記構造式（化１９）の化合物６．０ｇ（収率
８２．０％）を得た。

【化１９】

【００２４】分析値： １）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ 中） δ（ｐｐｍ） １．９５（ｓ １Ｈ） ２．２０（ｓ
１Ｈ） ３．５０（ｓ １Ｈ） ３．６９（ｓ １Ｈ） ６．８０〜７．８２（ｍ ２Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ５２３（Ｍ⁺ ） ３）ＩＲ （ＫＢｒ） ν （ｃｍ^-1） １６９２（ＣＨＯ）

【００２５】（実施例２） １−（５−メトキシ−１，２−ジメチル−３−インドリ
ル）−２−（６−（２−ホルミル−１−エテニル）−２
−メチル−３−ベンゾチエニル）−３，３，４，４，
５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 容量５０ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ｄ）で製
造された、１−（５−メトキシ−１，２−ジメチル−３
−インドリル）−２−（６−ホルミル−２−メチル−３
−ベンゾチエニル−３，３，４，４，５，５−ヘキサフ
ルオロシクロペンテン３．３ｇ（６．２ｍｍｏｌ）と、
ホルミルメチレントリフェニルホスホラン１．９ｇ
（６．２ｍｍｏｌ）、トルエン２０ｍｌを入れ２４時間
還流し反応させた。反応後、反応液の溶媒を減圧留去し
た後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物をろ別し
た。ろ液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生成物物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下
記構造式（化２０）の化合物２．５ｇ（収率７３．７
％）を得た。

【化２０】

【００２６】分析値： １）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ 中） δ（ｐｐｍ） １．９７（ｓ １Ｈ） ２．２５（ｓ
１Ｈ） ３．４９（ｓ １Ｈ） ３．６９（ｓ １Ｈ） ６．８０〜７．８２（ｍ ２Ｈ） ９．６７，９．７０（ｄ １Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ５４９（Ｍ⁺ ） ３）ＩＲ （ＫＢｒ） ν （ｃｍ^-1） １６７３（ＣＨＯ）

【００２７】（実施例３） 吸収スペクトルの測定 実施例２で得られた化合物をベンゼンに３．５×１０^-5
ｍｏｌ／ｌになるように溶解して得た溶液を１ｃｍ×１
ｃｍ×４ｃｍの石英ガラスセルに入れた。これにガラス
フィルターを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯を用いてか
く袢しながら３６５ｎｍの光を３０分間照射し、溶液を
着色させた後、この光定常状態に於ける溶液の吸収スペ
クトルを測定した。次に、上記水銀灯のガラスフィルタ
ーを紫外光カットフィルターに換装して、５００ｎｍ以
上の光を３０分間照射し溶液を着色させた後、再度、吸
収スペクトルを測定した。実施例２の化合物について、
着色体、及び消色体の吸収スペクトルを図１に示す。着
色状態の吸収スペクトルの吸収極大は６４０ｎｍであ
り、吸収端は８００ｎｍに達し、吸収極大位置での化合
物の分子吸光係数は、ε＝１４，２００という高い値を
示した。又、この着消色反応は可逆的に行う事ができ
た。

【００２８】次に、実施例１，２の化合物について同様
な測定をした、着色体の吸収極大波長（λmax ）と、こ
の極大波長に於ける化合物の分子吸光係数（ε・λmax
）を表１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】この様に、インドール環へのメトキシ基の
導入及びベンゾチオフェン環への共役二重結合鎖の導入
により、着色体の吸収極大波長は長波長化し、発振波長
６７０ｎｍ、あるいは７８０ｎｍの半導体レーザー感受
性が付与された。更に、このベンゾチオフェン環への共
役二重結合鎖の導入により、化合物の分子吸光係数を増
大させることができた。

【００３１】（実施例４） 着消色反応の繰り返し耐久性評価 ａ）有機溶媒中での繰り返し耐久性 実施例２で得られた化合物を、トルエンに２×１０^-5ｍ
ｏｌ／ｌとなるように溶解して得た透明な溶液を、１ｃ
ｍ×１ｃｍ×４ｃｍの石英ガラスセルに封入し、これに
ガラスフィルターを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯によ
り紫外光を４分間照射した後、６４０ｎｍにおける吸光
度を測定した。次に、この着色状態の溶液にカットフィ
ルターを換装した上記水銀灯で５００ｎｍ以上の可視光
を６０秒照射した後、６４０ｎｍに於ける吸光度を測定
した。この紫外光、可視光の交互の照射による着消色を
１サイクルとして、繰り返し耐久試験を行った結果を図
２に示す。図２に示した様に、１０００回着消色を繰り
返してもほとんど吸光度の低下はなく、良好な繰り返し
特性を有していた。

【００３２】 ｂ）高分子フィルム媒体中での繰り返し耐久性 実施例２で得られた化合物の１０ｍｇをポリスチレン１
００ｍｇと共にテトラヒドロフラン１ｍｌに溶解し、こ
れを１ｃｍ×３ｃｍ角の石英ガラス板上にスピンコーテ
ィング法により塗布、乾燥して、記録媒体を得た。この
記録媒体に、ガラスフィルターを装着した１００Ｗ水銀
灯により紫外光を５分照射した後、６４０ｎｍに於ける
吸光度を測定した。この紫外光、可視光の交互の照射に
よる着消色を１サイクルとして、繰り返し耐久試験を行
った結果を図３に示す。図３に示した様に、１００回着
消色を繰り返してもほとんど吸光度の低下はなく、良好
な繰り返し特性を有していた。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。

【図２】実施例２で得られた化合物の、トルエン溶液中
での可視光及び紫外光の交互照射に伴う、６４０ｎｍに
於ける吸光度変化を示した図。

【図３】実施例２で得られた化合物を添加して作製した
ポリスチレンフィルム媒体中での、可視光及び紫外光の
交互照射に伴う、６４０ｎｍに於ける吸光度変化を示し
た図。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 209:00 333:00） 9165−4Ｃ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）にて示されるホルミル
   基を有するジアリールエテン系化合物。 【化１】 （但し、式中ｎは２〜５の整数を表す。Ａは一般式
   （２） 【化２】 を表し、Ｒ¹ 、Ｒ² はアルキル基、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は水素原
   子、アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルコキシ基
   を表す。Ｂは一般式（３） 【化３】 を表し、ｍは０〜２の整数、Ｒ⁷ はアルキル基を表し、
   Ｒ⁸ 〜Ｒ¹⁰は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ
   基、シアノ基又はアルコキシ基を表す。）