JPH0620055B2 - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0620055B2 JPH0620055B2 JP15144188A JP15144188A JPH0620055B2 JP H0620055 B2 JPH0620055 B2 JP H0620055B2 JP 15144188 A JP15144188 A JP 15144188A JP 15144188 A JP15144188 A JP 15144188A JP H0620055 B2 JPH0620055 B2 JP H0620055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cvd
- mesh electrode
- film
- quartz glass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、メッシュ電極の改良を図ったＣＶＤ装置に関
する。
する。
ＣＶＤの手法には、プラズマＣＶＤと光ＣＶＤがある。
前者は成膜速度が早いものの膜表面が荒れるという問題
があるのに対して、後者はその反対に膜質が良好ではあ
るが成膜速度が遅いという問題がある。
前者は成膜速度が早いものの膜表面が荒れるという問題
があるのに対して、後者はその反対に膜質が良好ではあ
るが成膜速度が遅いという問題がある。
そこで、成膜時にこの両手法の長所を取り込んで、異質
の膜との界面となる部分には光ＣＶＤにより良質の膜を
作成し、他の部分はプラズマＣＶＤの手法により迅速に
成膜することが行われる。
の膜との界面となる部分には光ＣＶＤにより良質の膜を
作成し、他の部分はプラズマＣＶＤの手法により迅速に
成膜することが行われる。
第２図はその両ＣＶＤ方法を実施できるようしたＣＶＤ
装置の一例を示す図である。このＣＶＤ装置は、光ＣＶ
Ｄの手法を実施する際には、チャンバ１内のホルダ２に
基板３を装着し内部にSi2H6等のガスを入れて、その基
板３をヒータ４で加熱しながらランプ５からの紫外線エ
ネルギーで当該ガスを分解反応させ、基板３の表面に成
膜するものである。
装置の一例を示す図である。このＣＶＤ装置は、光ＣＶ
Ｄの手法を実施する際には、チャンバ１内のホルダ２に
基板３を装着し内部にSi2H6等のガスを入れて、その基
板３をヒータ４で加熱しながらランプ５からの紫外線エ
ネルギーで当該ガスを分解反応させ、基板３の表面に成
膜するものである。
このとき、基板３の表面以外の場所、特にランプ５を覆
っている窓材料としての石英ガラス６の面にも膜が形成
されるが、これは基板３を取り去った後に別のガス（例
えばＳＦ６ ）を入れて石英ガラス６の表面に設けたメ
ッシュ電極７とチャンバ１との間に高周波電界を印加し
てプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤの手法により、
除去清掃される。
っている窓材料としての石英ガラス６の面にも膜が形成
されるが、これは基板３を取り去った後に別のガス（例
えばＳＦ６ ）を入れて石英ガラス６の表面に設けたメ
ッシュ電極７とチャンバ１との間に高周波電界を印加し
てプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤの手法により、
除去清掃される。
次に、プラズマＣＶＤにより基板３に成膜する場合に
は、上記光ＣＶＤにおける場合と同様なガスを封入して
ヒータ４で加熱したホルダ２とメッシュ電極７との間に
高周波電解を印加してガスをプラズマ化して行われる。
は、上記光ＣＶＤにおける場合と同様なガスを封入して
ヒータ４で加熱したホルダ２とメッシュ電極７との間に
高周波電解を印加してガスをプラズマ化して行われる。
ところが、上記メッシュ電極７は石英ガラス６の表面に
配置されているのみであり、しかも基板３を加熱するた
めのヒータ４の熱の影響を受けるので、反りが生じて、
プラズマＣＶＤの手法による成膜時に、電解分布が不均
一となり膜厚が不均一となる等の大きな問題が生じる。
配置されているのみであり、しかも基板３を加熱するた
めのヒータ４の熱の影響を受けるので、反りが生じて、
プラズマＣＶＤの手法による成膜時に、電解分布が不均
一となり膜厚が不均一となる等の大きな問題が生じる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、メッシュ電極に反りが生じないようにして基
板に形成される膜質を低下させないようにすることであ
る。
の目的は、メッシュ電極に反りが生じないようにして基
板に形成される膜質を低下させないようにすることであ
る。
このために本発明は、光ＣＶＤ用の紫外線照射ランプの
窓材料としての石英ガラス側にプラズマＣＶＤ用のメッ
シュ電極を設けたＣＶＤ装置において、上記メッシュ電
極を上記石英ガラス内に埋込により配置した。
窓材料としての石英ガラス側にプラズマＣＶＤ用のメッ
シュ電極を設けたＣＶＤ装置において、上記メッシュ電
極を上記石英ガラス内に埋込により配置した。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例のメッシュ電極１０を示す図である。この実施
例では、メッシュ電極１０の材質を熱膨張のほとんどな
いインバー合金として、これを石英ガラス６の内部に埋
込により配置した。
一実施例のメッシュ電極１０を示す図である。この実施
例では、メッシュ電極１０の材質を熱膨張のほとんどな
いインバー合金として、これを石英ガラス６の内部に埋
込により配置した。
このインバー合金としては、一般的にＦｅ−Ｎｉ合金が
ある。他には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｆｅ−
Ｐｄ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｎ等があり、Ｆｅを中心とした強
磁性を有する合金が使用される。
ある。他には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｆｅ−
Ｐｄ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｎ等があり、Ｆｅを中心とした強
磁性を有する合金が使用される。
かくして、この実施例では、石英ガラス６そのものが熱
伝導率が小さく、しかもこの中にメッシュ電極１０を埋
め込み、更にそのメッシュ電極１０の材質を熱膨張のほ
とんどないインバー金属としたので、当該メッシュ電極
１０が熱の影響を受けて変形ることはなく、プラズマＣ
ＶＤ時に印加する高周波電解が不均一となることを防止
することができ、膜質を劣化させる虞はない。
伝導率が小さく、しかもこの中にメッシュ電極１０を埋
め込み、更にそのメッシュ電極１０の材質を熱膨張のほ
とんどないインバー金属としたので、当該メッシュ電極
１０が熱の影響を受けて変形ることはなく、プラズマＣ
ＶＤ時に印加する高周波電解が不均一となることを防止
することができ、膜質を劣化させる虞はない。
以上のように本発明によれば、メッシュ電極の変形を防
止でき、膜質低下を防止できるという利点がある。
止でき、膜質低下を防止できるという利点がある。
第１図は本発明の一実施例のメッシュ電極の説明図、第
２図はＣＶＤ装置の説明図である。 ６……石英ガラス、１０……メッシュ電極。
２図はＣＶＤ装置の説明図である。 ６……石英ガラス、１０……メッシュ電極。
Claims (2)
- 【請求項１】光ＣＶＤ用の紫外線照射ランプの窓材料と
しての石英ガラス側にプラズマＣＶＤ用のメッシュ電極
を設けたＣＶＤ装置において、 上記メッシュ電極を上記石英ガラス内に埋込により配置
したことを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】上記メッシュ電極が、熱膨張の小さな金属
を材質とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15144188A JPH0620055B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15144188A JPH0620055B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318232A JPH01318232A (ja) | 1989-12-22 |
| JPH0620055B2 true JPH0620055B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=15518675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15144188A Expired - Lifetime JPH0620055B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620055B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680075B1 (en) * | 1993-11-18 | 2001-11-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrode for generating plasma and method for manufacturing the electrode |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15144188A patent/JPH0620055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01318232A (ja) | 1989-12-22 |
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