JPH06201601A

JPH06201601A - 検査装置とこれを用いたシステム

Info

Publication number: JPH06201601A
Application number: JP5018849A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Tsuji; 俊彦辻; Kyoichi Miyazaki; 恭一宮▲崎▼; Seiji Takeuchi; 誠二竹内; Minoru Yoshii; 実吉井; Tetsushi Nose; 哲志野瀬
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-11-16
Filing date: 1993-02-05
Publication date: 1994-07-22
Anticipated expiration: 2015-10-23
Also published as: JP3101459B2

Abstract

(57)【要約】【目的】従来は検出が難しかった微小な異物や欠陥
を、高いＳ／Ｎ比で検出することができる検査装置の提
供。【構成】周波数がΔωだけ異なり且つ偏光方向が一致
した２つの光成分が含まれるレーザビーム３４を生成す
る。これをハーフミラー１３で分岐し、一方は光電検出
器２４で検出して参照光として同期検出器２５に入力す
る。又、他方はポリゴンミラー１５及びｆθレンズ１６
からなる走査光学系によってレーザビーム３５として検
査面１８上を走査する。検査面１８上の走査スポット位
置においては、レーザビーム３５は光ヘテロダイン干渉
によってビート周波数Δωで強度変調される。検査面１
８に存在する異物や欠陥によって散乱される散乱光３６
は、光電検出器２２で検出され、同期検出器２５に入力
される。同期検出器２５では先の参照光の周波数Δωに
同期して散乱光信号を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は例えば半導体製造などに
おいて、検査面上に存在する微小物や欠陥などを光学的
に検査する技術分野に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣや液晶ディスプレイ等の半導体デバ
イスの製造工程においては、原版（レチクルやフォトマ
スク）の上に形成されている露光用の回路パターンを、
半導体焼付装置によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。

【０００３】この転写の際に、原版面上に微小なゴミ等
の異物が存在すると、異物も同時に転写されてしまい、
ＩＣ製造の歩留りを低下させる原因となる。特にステッ
プアンドリピート法により繰り返してウエハ面上に同一
回路パターンを複数並べて焼付ける場合、原版上の１個
の異物がウエハ全面に焼き付けられてしまい１ウエハ分
が全て不良品となるため、ＩＣ製造の歩留りを大きく低
下させる原因となる。そのため、ＩＣ製造過程において
は原版上の異物の存在を検出するのが不可欠となってお
り、従来より種々の検査方法が提案されている。例えば
図１１は異物による散乱光を検出することで異物の有無
を検査する従来の検査装置の構成図である。

【０００４】同図において、レーザ光源１５１からのレ
ーザビームは、偏光子１５２、フィルタ１５３、コリメ
ート系１５４などによって異物検査に最適なレーザビー
ムとされ、ミラー１５５を介してポリゴン等のスキャニ
ングミラー１５７とｆθレンズ１５８による走査光学系
に導かれる。ｆθレンズ１５８からの走査レーザビーム
は回路パターンが形成されるレチクル等の被検査面１６
０の表面に走査スポット１５９として集光される。走査
ステージ系１６６によって走査スポット１５９による走
査方向と垂直に走査スポット１５９と被検査面１６０を
相対的に移動させることにより被検査面１６０の２次元
的に全面走査することができる。

【０００５】この走査レーザビームの入射方向に対して
後方あるいは側方散乱方向には、レンズ系１６１、偏光
子１６２、アパーチャ１６３、光電検出器１６４により
構成される検出系を配置する。この検出系の配置方向に
ついては、被検査面１６０上の回路パターン等の散乱光
が特定の回折方向を有するので、これを避けて回折光を
検出しないような方向に設定される。

【０００６】このような構成の装置において、走査スポ
ット１５９内に異物が存在しない場合には光電検出器１
６４では散乱光は検出されないが、もし異物が存在する
場合は、微小な異物から散乱光が等方的に発生するため
光電検出器１６４で散乱光が検出されることになる。よ
ってこの検出信号を信号処理系１６５で処理することに
より異物の有無の検査を行なうことができる。

【０００７】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上記
従来の検査装置においては、検出しようとする異物のサ
イズが非常に微小（例えば０．３μｍ以下）になると、
異物から発生する散乱光強度が非常に微弱になり、異物
による散乱光とそれ以外の迷光との区別が困難となり異
物検出が難しくなってしまうという課題があった。

【０００８】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
ので、その目的は、従来は検出が難しかった微小な異物
や欠陥などを、高いＳ／Ｎ比で検出することができる検
出装置の提供である。又、本発明の別の目的は、上記検
査装置を用いることによって高集積度デバイスを製造す
るシステムの提供である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明のある形態は、検査位置に照射される光ビームを変調
する変調手段と、該検査位置で散乱される光を前記変調
に同期して検出する検出手段を有することを特徴とする
検査装置やこれを用いた露光装置などのシステムであ
る。

【００１０】

【実施例】以下、半導体などのデバイス製造分野などで
使用される露光用原版（レチクルやフォトマスク）やウ
エハなどの被検査面上を検査する装置、具体的には被検
査面上に付着するゴミ等の異物あるいは被検査面上に付
いたキズなどの欠陥を検査する検査装置に本発明を適用
した実施例を説明する。なお本発明の適用範囲は半導体
分野に限らず、面検査装置に広く適用できることは言う
までもない。

【００１１】＜実施例１＞図１は本発明の第１の実施例
を表す図である。また、図２は走査光学系及び検出光学
系を中心とした構成の斜視図である。図１において１は
直線偏光レーザビームを生成するレーザ光源、２はレー
ザビームを適当なビーム径に変換するためのコリメータ
光学系、３はフィルタ系、４，８，９，１４はミラー、
５は分波器（偏光ビームスプリッタ）、６ａ，６ｂはレ
ーザ光を適当なシフト周波数で変調するための音響光学
素子、７ａ，７ｂは各音響光学素子を駆動するドライ
バ、１０は合波器（偏光ビームスプリッタ）、１１は直
線編光を円偏光に変換するためのλ／４板、１２は偏光
子であり、以上の部材により光源部を構成している。１
３はハーフミラーである。１５はポリゴンミラー、１６
はｆθレンズ系で、部材１５及び１６によって走査光学
系を構成している。１８は検査面でありレチクルやマス
ク等の原版である。１７は検査面１８上の走査スポッ
ト、１９は原版を載置して所定方向（図中、矢印方向）
に移動させるためのステージ系である。２０，２３は集
光レンズ系、２１は特定の偏光成分を通過させる偏光子
などのフィルタ系、２２，２４は光電検出器である。集
光レンズ系２０は走査領域全体を光電検出器２２の検出
面に結像するように、シャインプルーフの関係を満たし
て配置されている。又、２５は変調された信号を同期検
出するための同期検出器、２６は信号処理系である。

【００１２】レーザ光源１からのレーザビームはコリメ
ータ光学系２で適当なビーム径に変換し、ＮＤフィルタ
や偏光子を含むフィルタ系３で強度減衰して、検査に最
適な強度のレーザビーム３１とする。このレーザビーム
３１は偏光ビームスプリッタ等の分波器５によって、Ｓ
偏光レーザ３２ａとＰ偏光レーザ３２ｂとに分けられ
る。このうちＳ偏光レーザ３２ａはドライバ７ａにより
駆動される音響光学素子６ａにより、シフト周波数ω１
で変調される。同様にＰ偏光レーザ３２ｂは、ドライバ
７ｂにより駆動される音響光学素子６ｂによりシフト周
波数ω２で変調される。これら変調された２つの直線偏
光レーザは偏光ビームスプリッタ等の合波器１０にて合
波されレーザビーム３３となる。レーザビーム３３は互
いに偏光方向が直交し且つ互いに相対的に周波数Δω
（＝｜ω１−ω２｜）だけ異なる２つの直線偏光からな
る。

【００１３】なお、本実施例では音響光学素子を２個用
いたが、音響光学素子を１個だけ用いてレーザ３２ａと
３２ｂのどちらか一方を周波数Δωで変調する構成とし
ても良い。又、２周波ゼーマンレーザを用いたり、半導
体レーザの注入電流を変調することでも上記レーザビー
ム３３と同じ性質の光を得ることができる。

【００１４】レーザビーム３３は、λ／４板１１を通過
することによって、直線偏光から円偏光に変換され、周
波数ω１とω２の互いに逆方向に回転する２つの円偏光
レーザが合成されたものとなる。そして、方位軸が所定
方向（ここではＳ偏光方向）に設定された偏光子１２を
更に通過することで偏光方向が揃えられ、これによって
偏光方向が一致した周波数ω１とω２の光が合成された
直線偏光レーザ３４が得られる。

【００１５】次に、このレーザビーム３４はハーフミラ
ー１３によって２つに分岐される。ハーフミラー１３で
反射した一方のレーザビームは、集光レンズ２３により
光電検出器２４の光電変換面に集光される。集光された
レーザは集光位置において光ヘテロダイン干渉によって
光ビートを発生するので、光電検出器によって周波数Δ
ωのビート信号が検出される。この信号は同期検出器２
５での同期検出における参照信号として用いられる。

【００１６】一方、ハーフミラー１３を透過した他方の
レーザビームは、ポリゴンミラー１５とｆθレンズ系１
６から構成される走査光学系に導入される。そしてこの
走査光学系で偏向されたレーザビーム３５は、検査面１
８上に収束されて走査スポット１７を形成する。走査ス
ポット１７はポリゴンミラー１５の回転に伴い、図１の
紙面に対して垂直な方向に移動することで検査面１８の
表面を光走査する。同時に、ステージ１９は該光走査方
向と直交する方向に検査面１８を移動させることによ
り、二次元的に検査面の走査がなされる。図２はこの二
次元走査の様子を分かりやすく表わした斜視図である。

【００１７】ここで走査スポット１７近傍の様子を図３
を用いて詳細に説明する。同図において、５２はｆθレ
ンズ系１６によって決まる焦点深度、５３は走査方向、
５４は強度変調される干渉領域である。ｆθレンズ系１
６から射出されるレーザ３５は、互いに異なる周波数ω
１，ω２を持ち且つ偏光方向が揃った２つの直線偏光レ
ーザが合成されたものである。このレーザ３５は検査面
上で収束して走査スポット１７となるように設計されて
おり、走査スポット位置において直線偏光レーザ同士が
光ヘテロダイン干渉を起こす。光ヘテロダイン干渉を起
こす領域５４は、ｆθレンズ系の焦点深度５２に依存し
ており、本実施例では数１０μｍオーダーの長さであ
る。この干渉領域５４においては、光ヘテロダイン干渉
がワンカラー条件で起こる結果、走査スポット１７の強
度はビート周波数Δωで変調され、図４に示すように正
弦波状（周期Δｔ＝１／Δω）に明暗を繰り返したもの
となる。すなわち走査スポット１７は実質的に周波数Δ
ωで強度変調されていると考えることができる。このよ
うに、光ヘテロダイン干渉によってレーザ３５が強度変
調される領域は微小な領域５４のみであり、レーザ光源
１から領域５４手前までの区間では実質的には強度変調
されていない。よって、仮にこの強度変調されていない
区間において、光学部品等から迷光が発生したとして
も、その迷光は強度変調はされないためΔωの周波数成
分は持たず、後述するΔωの同期検出によって迷光のノ
イズを排除することができる。

【００１８】図５は走査スポットが形成される検査面に
異物や欠陥が存在する場合の拡大図である。６２は異
物、６３は異物からの散乱光、６４は回路パターン等の
エッジ部分からの散乱光、６５は検出系である。走査光
学系からのレーザ光３５は検査面１８に対して角度φで
入射され、検査面上で収束し走査スポットを形成する。
一方、検出系６５は、レーザ光３５の入射方向に対して
図示するように角度β，θの方向で検出するように配置
される。この検出方向は、異物６２以外からの散乱光
（例えば回路パターンからの回折散乱光）がなるべく小
さくなる角度を選定する。本実施例では図２に示すよう
に、検査面上への入射光方向に対して側方方向に検出系
を配置した。ここで検出系は、集光レンズ系２０によっ
て検査面１８上の走査領域が光電検出器２２の検出面に
像として結像されるように、シャインプルーフの関係を
満たしている。

【００１９】図１に戻って、走査スポット１７内の異物
や欠陥によって散乱光が生じると、この散乱光の強度は
走査スポットの強度変調周波数Δωと同期して変調され
たものとなる。この強度変調された散乱光３６は、上記
説明したような最適な検出方向に配置された集光レンズ
２０によって取り込まれ、偏光子等のフィルタ系２１を
によって特定方向の偏光方向成分を通して光電検出器２
２で検出される。このフィルタ系２１は、回路パターン
からの散乱光（入射レーザ光の偏光方向に応じた特定方
向の偏光面を持つ）を排除して、異物や欠陥からの散乱
光（偏光解消により様々な偏光面を持つ）の一部を選択
的に通過させる役割を持ち、回路パターンの影響を低減
させＳ／Ｎ比の向上に寄与する。光電検出器２２により
検出された散乱光の検出信号は同期検出器２５に入力さ
れる。同期検出器２５には先に説明したように光電検出
器２４からの周波数Δωの参照信号も入力されており、
この参照信号に同期させながら散乱光の検出信号の周波
数Δωの成分のみを検出する。そして同期検出器２５で
得られた信号を基に、信号処理系２６にて異物や欠陥の
有無の判定や、データの記憶・表示等の処理が行なわれ
る。

【００２０】同期検出器２５は、例えばロックインアン
プであり、周波数Δωの参照信号に同期して、散乱光検
出信号から周波数Δωの成分を持つ信号だけを検出する
ものである。又、同期検出器２５は、高い周波数選択性
を持つ周波数フィルタと検波回路の組み合せにより構成
することも可能であり、この場合には参照信号を入力す
る必要はなくなる。

【００２１】図６は光電検出器２２で得られる散乱光の
検出信号の例であり、異物や欠陥が存在した場合の信号
波形を示している。７１は信号強度を表す曲線、７２は
包絡線、７３はノイズレベルである。走査スポット１７
が周波数Δωで強度変調されているので、散乱光強度も
これに応じて曲線７１のようにΔω（＝１／Δｔ）で変
調されたものとなる。同期検出器２５及び信号処理系２
６では包絡線７２のような信号を求めてノイズレベル７
３を考慮した上で異物や欠陥の認識を行なう。ここで異
物や欠陥による散乱光が生じる時間幅ΔＴは、図７に示
すように走査スポット１７のサイズと、このスポット１
７が検査面１８上を走査する速度によって決まる。すな
わち図７にて走査スポット１７の端が異物６２にかかっ
てから、走査速度ｖで移動し、スポット１７′の位置に
来るまでの時間が、図６における信号時間幅ΔＴであ
る。

【００２２】なお、強度変調周期Δｔは、異物や欠陥に
よる散乱光が生じる時間ΔＴよりも小さいことが必要で
ある。例えば、Δｔ＜ΔＴ／５となるように走査速度ｖ
と周波数Δωを選定するのが好ましい。つまり光走査周
波数をω_scanとすると Δω ＞５ω_scan の関係になるように、レーザのシフト周波数とポリゴン
ミラーの回転数を選定する。

【００２３】なお、以上の実施例では異物や欠陥を判別
するために散乱光を検出する例を示したが、同様に光照
射位置から散乱される蛍光を検出することで異物や欠陥
を検査する方式にも本発明を適用することができる。す
なわち発生する蛍光強度は照射光の強度に応じたものな
ので、照射光の強度変調に同期して蛍光を検出すること
で高いＳ／Ｎ比で異物や欠陥の検査が行なえる。

【００２４】以上の本実施例によれば以下の効果が得ら
れる。（１）走査スポット部以外からの迷光は強度変調されて
いないことから、同期検出によりノイズを大幅に低減さ
せることができる。（２）変調信号を同期検出することで、光電検出器のシ
ョットノイズ等の１／ｆノイズによる測定信号への悪影
響を排除し、微弱な異物からの散乱光を高いＳ／Ｎ比で
検出することができる。（３）光ヘテロダイン干渉によって走査光を強度変調し
ているため、高い変調周波数（例えば数十Ｍｚ）を容易
に得ることができ、高い走査速度に対応できる。すなわち面検査を高速に行なうことができる。

【００２５】＜実施例２＞図８は本発明の第２の実施例
の構成図であり、図中、図１と同一の符号は同一の部材
を表わす。本実施例は図１及び図２の実施例と基本原理
は同じであるが、光源部の構成を変えている。４０は分
波器であるハーフミラー、４１は合波器であるハーフミ
ラー、４２は強度設定のためのフィルタ系である。本実
施例は、レーザを分割して互いに異なるシフト周波数で
変調する際に、ハーフミラー４０を用いているため分割
された光は偏光方向が揃っている。変調された光はハー
フミラー４１で合波する。合波された光は先の図１のレ
ーザ３４と同様、周波数ω₁、ω₂ で且つ偏光方向が揃
った直線偏光レーザである。ハーフミラー４１によって
２分された一方は光電検出器２４で参照光として検出さ
れ、他方はフィルタ系４２を介して走査光学系へ導かれ
る。本実施例ではハーフミラーを用いているため、先の
実施例のようなλ／４板や偏光子を必要としない構成と
なっている。

【００２６】なお上記の実施例１、実施例２では共に、
光ヘテロダイン干渉によって検査面に照射されるレーザ
光を強度変調しているため、例えば数十ＭＨｚといった
高い変調周波数を容易に得ることができるが、構成をよ
り簡略化するには、音響光学素子やチョッパなどの変調
素子を光路中に配置して強度変調したり、あるいは光源
自体を制御して発光強度を変調する方法をとることもで
きる。

【００２７】＜実施例３＞図９は半導体ウエハ上にレチ
クルやフォトマスク等の原版の回路パターンを焼付けて
半導体デバイスを製造する製造システムの実施例を示す
図である。システムは大まかに、露光装置、原版収納装
置、原版検査装置、コントローラを有し、これらはクリ
ーンルーム内に配置される。

【００２８】９０１はエキシマレーザのような遠紫外光
源であり、９０２は照明系ユニットであって、露光位置
Ｅ．Ｐ．にセットされた原版を上部から同時（一括）に
所定のＮＡ（開口数）で照明する働きを持つ。９０９は
原版上に形成された回路パターンをシリコン基板等のウ
エハ９１０上に転写するための超高解像度レンズ系（も
しくはミラー系）であり、焼付時にはウエハは移動ステ
ージ９１１のステップ送りに従って１ショット毎ずらし
ながら露光を繰り返す。９００は露光動作に先立って原
版とウエハを位置合わせするためのアライメント光学系
であり、少なくとも１つの原版観察用顕微鏡系を有して
いる。以上の部材によって露光装置が構成されている。

【００２９】一方、９１４は原版収納装置であり、内部
に複数の原版を収納する。９１３は原版検査装置であ
り、先の実施例の構成を含んでいる。この原版検査装置
９１３は、選択された原版が原版収納装置９１４から引
き出されて露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされる前に原版上
の異物検査を行なうもので、異物検査の原理及び動作に
ついては前述の実施例と同一である。コントローラ９１
８はシステム全体のシーケンスを制御するためのもの
で、原版収納装置９１４、原版検査装置９１３の動作指
令、並びに露光装置の基本動作であるアライメント・露
光・ウエハのステップ送り等のシーケンス等を制御す
る。

【００３０】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの製造工程を示す。まず、原版収納装置９１４
から使用する原版を取り出し原版検査装置９１３にセッ
トする。次に、原版検査装置９１４で原版上の異物検査
を行なう。検査の結果、異物が無いことが確認されたら
この原版を露光装置の露光位置Ｅ．Ｐ．にセットする。
次に、移動ステージ９１１上に被露光体である半導体ウ
エハ９１０をセットする。そしてステップ＆リピート方
式によって移動ステージ９１１のステップ送りに従って
１ショット毎ずらしながら半導体ウエハの各領域に原版
パターンを縮小投影して露光を繰り返す。１枚の半導体
ウエハ上に露光が済んだら、これを収容して新たな半導
体ウエハを供給し、同様にステップ＆リピート方式で原
版パターンの露光を繰り返す。

【００３１】露光の済んだ露光済半導体ウエハは本シス
テムとは別に設けられた装置で現像やエッチングなどの
処理がなされる。この後にダイシング、ワイヤボンディ
ング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経て、半
導体デバイスが製造される。本実施例によれば、従来は
製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有する高
集積度半導体デバイスを製造することができる。

【００３２】＜実施例４＞図１０は半導体デバイスを製
造するための原版の洗浄検査システムの実施例を示す図
である。システムは大まかに、原版収納装置、洗浄装
置、乾燥装置、検査装置、コントローラを有し、これら
はクリーンチャンバ内に配置される。

【００３３】９２０は原版収納装置であり、内部に複数
の原版を収納し洗浄すべき原版を供給する。９２１は洗
浄装置であり、純水によって原版の洗浄を行なう。９２
２は乾燥装置であり、洗浄された原版を乾燥させる。９
２３は原版検査装置であり、先の実施例の構成を含み洗
浄された原版上の異物検査を行なう。９２４はコントロ
ーラでシステム全体のシーケンス制御を行なう。

【００３４】以下、動作について説明する。まず、原版
収納装置９２０から洗浄すべき原版を取り出し、これを
洗浄装置９２１に供給する。洗浄装置９２１で洗浄され
た原版は乾燥装置９２２に送られて乾燥させる。乾燥が
済んだら検査装置９２３に送られ、検査装置９２３にお
いては先の実施例の方法を用いて原版上の異物を検査す
る。検査の結果、異物が確認されなければ、原版を原版
収納装置９２０に戻す。又、異物が確認された場合は、
この原版を洗浄装置９２１に戻して洗浄・乾燥動作を行
なった後に再度検査を行ない、異物が完全に除去される
までこれを繰り返す。そして完全に洗浄がなされた原版
を原版収納装置９２０に戻す。

【００３５】この後に、この洗浄された原版を露光装置
にセットして、半導体ウエハ上に原版の回路パターンを
焼付けて半導体デバイスを製造する。これによって従来
は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有する
高集積度半導体デバイスを製造することができる。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、従来は検出が難しかっ
た微小な異物や欠陥などを、高いＳ／Ｎ比で検出するこ
とができる。又、本発明をデバイス製造に応用すれば、
従来は製造が難しかった高集積度デバイスを製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。

【図２】走査光学系及び検出光学系を中心とした構成の
斜視図である。

【図３】走査スポット部分近傍の様子の説明図である。

【図４】走査スポットでの強度変調の波形を示す図であ
る。

【図５】走査スポット周辺の拡大図である。

【図６】検出される散乱光信号を表す図である。

【図７】異物を走査する時間幅の説明図である。

【図８】本発明の第２実施例の構成図である。

【図９】半導体製造システムの実施例の構成図である。

【図１０】原版洗浄検査システムの実施例の構成図であ
る。

【図１１】従来の検査装置の構成図である。

【符号の説明】

１レーザ光源２コリメータ光学系３フィルタ系５分波器（偏光ビームスプリッタ）６ａ，６ｂ音響光学素子１０合波器（偏光ビームスプリッタ）１１ λ／４板１２偏光子１５ポリゴンミラー１６ｆθレンズ系２０，２３集光レンズ系２１偏光子２２，２４光電検出器２５同期検出器２６信号処理系

フロントページの続き (72)発明者吉井実東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者野瀬哲志東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検査位置に照射される光ビームを変調す
る変調手段と、該検査位置で散乱される光を、前記変調に同期して検出
する検出手段を有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】前記光ビームによって検査面を走査する
走査手段を有する請求項１の検査装置。
【請求項３】前記検出手段は光ビームの入射方向に対
して側方方向に散乱される光を検出する請求項１の検査
装置。
【請求項４】前記変調手段は、互いに周波数が異なる
２つの光束同士を光ヘテロダイン干渉させることで強度
変調する請求項１又は２の検査装置。
【請求項５】露光パターンが形成された原版を検査す
るための請求項１又は請求項２の検査装置と、該検査装
置で検査された原版の露光パターンを被露光体に露光す
るための露光装置とを有することを特徴とする露光シス
テム。
【請求項６】原版を洗浄するための洗浄装置と、該洗
浄装置で洗浄した原版を検査する請求項１又は請求項２
の検査装置とを有することを特徴とする原版洗浄検査シ
ステム。
【請求項７】請求項１又は請求項２の検査装置で転写
パターンが形成された原版を検査するステップと、検査
された原版の回路パターンを被転写物に露光転写するス
テップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】請求項７の製造方法で製造されたことを
特徴とするデバイス。