JPH0620201Y2 - Information writing device - Google Patents
Information writing deviceInfo
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- JPH0620201Y2 JPH0620201Y2 JP12837588U JP12837588U JPH0620201Y2 JP H0620201 Y2 JPH0620201 Y2 JP H0620201Y2 JP 12837588 U JP12837588 U JP 12837588U JP 12837588 U JP12837588 U JP 12837588U JP H0620201 Y2 JPH0620201 Y2 JP H0620201Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 以下の順序で本考案を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in the following order.
A産業上の利用分野 B考案の概要 C従来の技術(第5図及び第6図) D考案が解決しようとする問題点(第5図及び第6図) E問題点を解決するための手段(第1図〜第5図) F作用(第1図〜第5図) G実施例 (G1)第1実施例(第1図〜第5図) (G2)他の実施例 H考案の効果 A産業上の利用分野 本考案は情報書込装置に関し、特にバツテリ電源でなる
駆動電源を有する情報カードに適用して好適なものであ
る。A Industrial field B Outline of device C Conventional technology (Figs. 5 and 6) D Problems to be solved by device (Figs. 5 and 6) E Means for solving problems (Figs. 1 to 5) F action (Figs. 1 to 5) G embodiment (G1) First embodiment (Figs. 1 to 5) (G2) Other embodiments H Effect of invention A Industrial Field of Use The present invention relates to an information writing device, and is particularly suitable for being applied to an information card having a driving power supply which is a battery power supply.
B考案の概要 本考案は、情報書込装置において、データ書込用バツフ
ア回路に与える書込情報の信号レベルを当該データ書込
用バツフア回路のスレシヨルドレベルに適応するように
設定できるようにしたことより、一段と確実に情報を書
き込むことができる。B. Outline of the Invention The present invention enables an information writing apparatus to set a signal level of write information to be given to a data writing buffer circuit so as to be adapted to a threshold level of the data writing buffer circuit. As a result, the information can be written more reliably.
C従来の技術 従来この種の情報カードとしてメモリを内蔵するICカ
ード等の電子カードが用いられているが、情報カードの
メモリに情報を書き込む際には、バツテリ電源の種類
や、消耗度に適応するように、各情報カードのスレシヨ
ルドレベルを正確に横切るような信号レベルを有する書
込データ信号を情報カードに供給する必要がある。C Conventional Technology Conventionally, an electronic card such as an IC card having a built-in memory has been used as an information card of this kind, but when writing information to the memory of the information card, it is adapted to the type of battery power supply and the degree of wear. Thus, it is necessary to provide the information card with a write data signal having a signal level that exactly crosses the threshold level of each information card.
すなわち第5図に示すように、書込データ信号DATA
が論理「H」レベル又は論理「L」レベルの電位VH又
はVL間を遷移する場合、情報カードのスレシヨルドレ
ベルVSHが電位VH及びVL間にあるような電位条件を設
定することにより、情報カードは書込データ信号DAT
Aの電位がスレシヨルドレベルVSHを超えて高い電位V
Hになつた時(又は低い電位VLになつた時)書込データ
信号DATAとして論理「H」レベル(又は論理「L」
レベル)のビツトデータが供給されたと判断して論理
「H」レベル(又は論理「L」レベル)のビツトデータ
をメモリに書き込む。That is, as shown in FIG. 5, the write data signal DATA
, The potential condition is such that the threshold level V SH of the information card is between the potentials V H and V L when the transition between the potential V H or V L of the logic “H” level or the logic “L” level is made. By doing so, the information card can write the write data signal DAT.
The potential of A is higher than the threshold level V SH and is a high potential V
When it becomes H (or when it becomes a low potential VL ), it is a logic "H" level (or a logic "L") as the write data signal DATA.
It is determined that the level) bit data has been supplied, and the logic "H" level (or logic "L" level) bit data is written in the memory.
このような条件で動作する情報カードとして第6図の構
成のものを適用し得る。As the information card which operates under such conditions, the information card having the structure shown in FIG. 6 can be applied.
すなわち情報カード1は情報データ処理部2と、入出力
回路3と、正極側及び負極側データ入出力端子P1P及
びP1Nとを有し、負極側データ入出力端子P1Nは入
出力回路3においてアースされている。That is, the information card 1 has an information data processing unit 2, an input / output circuit 3, and positive and negative side data input / output terminals P1P and P1N, and the negative side data input / output terminal P1N is grounded in the input / output circuit 3. ing.
また正極側入出力端子P1Pは入出力回路3において、
例えば電界効果型トランジスタ(FET)でなるデータ
出力用スイツチ回路4を通じてアースに接続されている
と共に、データ書込用バツフア回路5に接続されてい
る。The positive side input / output terminal P1P is
For example, it is connected to the ground through a data output switch circuit 4 formed of a field effect transistor (FET), and is also connected to a data write buffer circuit 5.
情報データ処理部2は中央制御ユニツト(CPU)6に
よつて情報データを書込又は読出制御される情報データ
メモリ7を有し、カード用バツテリ電源8から供給され
るカード電源VCADによつて動作することにより、デー
タ書込モード時、データ書込用バツフア回路5から与え
られる書込データDINを情報データメモリ7に書込むと
共に、読出モード時、情報データメモリ7から得られる
読出データDOUTをデータ出力用スイツチ回路4のゲー
トに与えるようになされている。The information data processing unit 2 has an information data memory 7 in which information data is written or read out by a central control unit (CPU) 6, and a card power source V CAD supplied from a card battery power source 8 is used. By operating, the write data D IN supplied from the data write buffer circuit 5 is written in the information data memory 7 in the data write mode, and the read data D obtained from the information data memory 7 in the read mode. OUT is applied to the gate of the data output switch circuit 4.
情報カード1への情報データの書込み又は読出しは、情
報書込読出装置11に情報カード1を装用することによ
り、情報カード1の正極側及び負極側データ入出力端子
P1P及びP1Nを情報書込読出装置11の正極側及び
負極側データ入出力端子P2P及びP2Nに接触させ
る。これにより、情報データ処理部12が正極側及び負
極側データ入出力端子P2P及びP2N間の電位を論理
「H」又は論理「L」レベルの電位VH又はVLに遷移さ
せたとき、情報書込読出装置11が情報カード1にデー
タを書込み又は読出す処理を実行する。To write or read information data to or from the information card 1, by mounting the information card 1 on the information writing / reading device 11, the positive / negative data input / output terminals P1P and P1N of the information card 1 are written / read. The positive and negative side data input / output terminals P2P and P2N of the device 11 are brought into contact with each other. As a result, when the information data processing unit 12 shifts the potential between the positive and negative side data input / output terminals P2P and P2N to the potential V H or V L of the logic “H” or logic “L” level, The embedded reading device 11 executes a process of writing or reading data to or from the information card 1.
ここで情報データ処理部12には主電源VCCが供給さ
れ、この主電源VCCを出力抵抗13を通じて正極側デー
タ入出力端子P2Pに供給し、これにより情報書込読出
装置11の主電源VCCから出力抵抗13、正極側データ
入出力端子P2P、P1Pを通じて情報カード1に電源
を供給することにより、カード用バツテリ電源8の消耗
を軽減するようになされている。Here, the main power supply V CC is supplied to the information data processing unit 12, and this main power supply V CC is supplied to the positive electrode side data input / output terminal P2P through the output resistor 13, whereby the main power supply V CC of the information writing / reading device 11 is supplied. Power is supplied from the CC to the information card 1 through the output resistor 13 and the positive-side data input / output terminals P2P and P1P to reduce the consumption of the card battery power supply 8.
D考案が解決しようとする問題点 第6図の構成において、情報データ読出モード時、情報
カード1の情報データ処理部2は情報データメモリ7か
ら読み出した読出データDOUTによつて、この読出デー
タDOUTが論理「H」(又は論理「L」)のときデータ
出力用スイツチ回路4をオフ(又はオン)動作させるこ
とにより、正極側データ入出力端子P1P及びP2Pの
電位を主電源VCCの電位(又はアース電位)に維持させ
るようにし、このとき正極側データ入出力端子P2Pに
生ずる電位の変化を読出データDREADとして情報データ
処理装置12に取り込む。D Problem to be solved by the device D In the configuration of FIG. 6, in the information data read mode, the information data processing unit 2 of the information card 1 reads the read data according to the read data D OUT read from the information data memory 7. By turning off (or on) the data output switch circuit 4 when D OUT is logic “H” (or logic “L”), the potentials of the positive side data input / output terminals P1P and P2P are changed to those of the main power supply V CC . The potential is maintained at the potential (or the ground potential), and a change in the potential generated at the positive electrode side data input / output terminal P2P at this time is taken into the information data processing device 12 as read data D READ .
これに対して情報データ書込モード時、情報書込読出装
置11の情報データ処理部12は正極側データ入出力端
子P2Pに書込データDWRITEを送出することにより主
電源VCCの電位を情報カード1の正極側データ入出力端
子P1Pを介してデータ出力用スイツチ回路4に与え、
これによりデータ出力用スイツチ回路4を高インピーダ
ンス状態に設定すると共に、書込データDWRIETをデー
タ書込用バツフア回路5に取り込ませる。On the other hand, in the information data writing mode, the information data processing unit 12 of the information writing / reading device 11 sends the write data D WRITE to the positive electrode side data input / output terminal P2P to inform the potential of the main power supply V CC. It is applied to the data output switch circuit 4 through the positive side data input / output terminal P1P of the card 1.
As a result, the data output switch circuit 4 is set to a high impedance state, and the write data D WRIET is taken into the data write buffer circuit 5.
データ書込用バツフア回路5は、カード用バツテリ電源
8のカード電源VCADに基づいて決まる所定電位(例え
ばカード電源VCADの約半分の電位VCAD/2)のスレシ
ヨルドレベルVSHによつて情報カード1に与えられる情
報データDATAの論理レベルを判断して書込みデータ
DINを情報データ処理部2の情報データメモリ7に書き
込む。The data writing buffer circuit 5 uses a threshold level V SH of a predetermined potential (for example, a potential V CAD / 2 which is about half of the card power V CAD ) determined based on the card power V CAD of the card power source 8. Then, the logical level of the information data DATA given to the information card 1 is judged and the write data D IN is written in the information data memory 7 of the information data processing unit 2.
かかる情報データ書込モードにおいて、情報データDA
TAの論理「H」及び「L」レベルの電位がデータ書込
用バツフア回路5のスレシヨルドレベルVSHを超えるよ
うに遷移すれば、当該データ書込用バツフア回路5は正
しく動作して同じように論理レベルが遷移する書込デー
タDINを出力することができる。In the information data writing mode, the information data DA
If the logic “H” and “L” level potentials of TA are changed so as to exceed the threshold level V SH of the data write buffer circuit 5, the data write buffer circuit 5 operates correctly and is the same. Thus, the write data D IN whose logic level changes can be output.
ところが情報カード1に搭載されているカード用バツテ
リ電源8の種別又はその消耗度に基づいてカード電源V
CADの値が変動することにより、第5図に示すように、
データ書込用バツフア回路5のスレシヨルドレベルVSH
が電位VSHX1、VSHX2に変動した結果、情報書込読出装
置11から供給される情報データDATAの論理「H」
(又は「L」)レベルの電位VH(又はVL)が当該変動
したスレシヨルドレベルVSHX1(又はVSHX2)より低く
なり(又は高くなる)と、データ書込用バツフア回路5
は書込データ信号DATAを正しく取り込み得なくな
る。However, based on the type of the battery power source 8 for the card mounted on the information card 1 or the consumption level thereof, the card power source V
As the CAD value fluctuates, as shown in Fig. 5,
Threshold level V SH of buffer circuit 5 for writing data
Changes to the potentials V SHX1 and V SHX2 as a result, the logic "H" of the information data DATA supplied from the information writing / reading device 11
When the potential V H (or V L ) of the (or “L”) level becomes lower (or higher) than the changed threshold level V SHX1 (or V SHX2 ), the data write buffer circuit 5
Cannot correctly take in the write data signal DATA.
またデータ書込用バツフア回路5のスレシヨルドレベル
VSHが、第5図に示すように、書込データ信号VH(又
はVL)の電位に近い電位VSHX3、(又はVSHX4)にな
ると、書込データ信号DATAの電位VH(又はVL)、
又はデータ書込用バツフア回路5のスレシヨルドレベル
VSHが互いに僅かに変動しても、データ書込用バツフア
回路5が書込データ信号DATAを正しく取り込み得な
くなる。Further, as shown in FIG. 5, the threshold level V SH of the data write buffer circuit 5 becomes a potential V SHX3 , (or V SHX4 ) close to the potential of the write data signal V H (or V L ). Then, the potential V H (or V L ) of the write data signal DATA,
Alternatively, even if the threshold levels V SH of the data write buffer circuit 5 slightly change, the data write buffer circuit 5 cannot correctly take in the write data signal DATA.
本考案は以上の点を考慮してなされたもので、カード用
バツテリ電源の電位が情報カードの種類によつて異なる
場合や、カード用バツテリ電源が消耗してカード電源の
電位が低下したような場合にも、確実に情報データを情
報カードに読み込み得るようにした情報書込装置を提案
しようとするものである。The present invention has been made in consideration of the above points, and it seems that the potential of the card battery power supply differs depending on the type of information card, or the card battery power supply is consumed and the card power supply potential drops. Even in such a case, the present invention intends to propose an information writing device capable of surely reading information data into an information card.
E問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため第1の考案においては、情
報データ信号S16を情報カード23のデータ書込用バ
ツフア回路26を通じて情報データメモリ32に入力す
る情報書込装置において、情報データ信号S16の動作
点電位VSを所定のステツプ電位ΔVづつ上昇させて行
く動作点電位上昇手段(42、44、46、47)と、
情報データ信号S16の動作点電位VSがデータ書込用
バツフア回路26のスレシヨルドレベルVSHを超えて当
該データ書込用バツフア回路26を通じて情報データメ
モリ32に情報データS3を書込み得る状態になつたこ
とを確認して動作点電位の上昇動作を停止させる動作点
電位設定手段(42、43、44、45)とを設けるよ
うにする。E Means for Solving the Problems In order to solve the problems, in the first invention, the information writing is performed by inputting the information data signal S16 to the information data memory 32 through the data writing buffer circuit 26 of the information card 23. In the apparatus, operating point potential raising means (42, 44, 46, 47) for raising the operating point potential V S of the information data signal S16 by a predetermined step potential ΔV,
The operating point potential V S of the information data signal S16 exceeds the threshold level V SH of the data writing buffer circuit 26, and the information data S3 can be written in the information data memory 32 through the data writing buffer circuit 26. The operating point potential setting means (42, 43, 44, 45) for stopping the rising operation of the operating point potential after confirming that it has been established is provided.
これに加えて第2の考案においては、動作点電位設定手
段(42、43、44、45)は、情報データメモリ3
2に情報データS4を書き込み得る状態になつたことを
確認したとき、当該動作点電位を所定数ステツプだけ上
昇させた後、停止動作をするようにする。In addition to this, in the second invention, the operating point potential setting means (42, 43, 44, 45) includes the information data memory 3
When it is confirmed that the information data S4 can be written in 2, the operating point potential is raised by a predetermined number of steps, and then the stop operation is performed.
F作用 情報データ信号S16の動作点電位を、情報カード23
に搭載されているデータ書込用バツフア回路26のスレ
シヨルドレベルVSHの変動に適応するように設定できる
ことにより、情報カード23の電源電圧の相違や消耗に
よる電源電圧の低下等があつたとしても、当該データ書
込用バツフア回路26を常時正しく動作させて情報デー
タS3を正確に情報データメモリ34に書き込むことが
できる。F action, the operating point potential of the information data signal S16, the information card 23
Since the setting can be made to adapt to the variation of the threshold level V SH of the data writing buffer circuit 26 mounted in, it is possible that the power supply voltage of the information card 23 is different and the power supply voltage is lowered due to consumption. Also, the data write buffer circuit 26 can always be operated correctly and the information data S3 can be accurately written in the information data memory 34.
G実施例 以下図面について、本考案の一実施例を詳述する。G Embodiment One embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
(G1)第1実施例 第1図において、21は全体として情報カード書込シス
テムを示し、情報書込装置22に対して情報カード23
を装用することにより、情報カード23の正極側及び負
極側データ入出力端子P11P及びP11Nが情報書込
装置22の正極側及び負極側データ書込端子P12P及
びP12Nに電気的に接触することにより情報データD
ATA11を受け渡すことができるようになされてい
る。(G1) First Embodiment In FIG. 1, reference numeral 21 indicates an information card writing system as a whole, which is an information writing device 22 and an information card 23.
By installing the information card 23, the positive and negative data input / output terminals P11P and P11N of the information card 23 are electrically contacted with the positive and negative data write terminals P12P and P12N of the information writing device 22, respectively. Data D
It is designed to be able to deliver ATA11.
この実施例の場合、情報カード23は、第6図について
上述したと同様にしてFET構成のデータ出力用スイツ
チ回路25及びデータ書込用バツフア回路26でなる入
出力回路24を有し、読出モード時、書込読出制御回路
31によつて読出動作状態に制御すれば情報データメモ
リ32から読み出した読出情報データS4を情報データ
出力回路33に与えることにより読出データDOUTを形
成し、この読出データDOUTによつてデータ出力用スイ
ツチ回路25を制御することにより、読出データDOUT
を情報データDATA11として情報カード23から情
報書込装置22に供給できるようになされている。In the case of this embodiment, the information card 23 has an input / output circuit 24 composed of a data output switch circuit 25 and a data write buffer circuit 26 of the FET structure in the same manner as described above with reference to FIG. At this time, if the write / read control circuit 31 controls the read operation state, the read information data S4 read from the information data memory 32 is applied to the information data output circuit 33 to form the read data D OUT, and the read data D OUT is formed. by controlling the Yotsute data output switching circuit 25 to the D OUT, read data D OUT
Can be supplied from the information card 23 to the information writing device 22 as the information data DATA11.
これに対して書込モード時、情報書込装置22から情報
データDATA11が送出されることによりデータ出力
用スイツチ回路25は高インピーダンスを呈するバイア
ス条件に設定されて当該データ出力用スイツチ回路25
を通じて読出データDOUTを出力し得ない状態に制御さ
れる。かくして情報書込装置22から供給されるデータ
DATA11がデータ書込用バツフア回路26を通じて
情報データ処理部27の書込コード読出回路34及び情
報データ入力回路35に取り込まれる。On the other hand, in the write mode, the information output device 22 sends the information data DATA11 so that the data output switch circuit 25 is set to a bias condition exhibiting a high impedance, and the data output switch circuit 25 is set.
The read data D OUT is controlled so that it cannot be output. Thus, the data DATA11 supplied from the information writing device 22 is taken into the write code reading circuit 34 and the information data input circuit 35 of the information data processing unit 27 through the data writing buffer circuit 26.
情報データ処理部27は中央処理ユニツト(CPU)を
もたない受動回路で構成され、書込データDINに基づい
て書込コード読取回路34が書込コード信号S1を読み
取つて書込読出制御回路31に与えられたとき、情報デ
ータメモリ32をクロツク信号発生回路36から与えら
れるクロツク信号S2に同期させながら書込動作させる
ことにより、書込データDINに基づいて情報データ入力
回路35に得られる書込情報データS3を情報データメ
モリ32に書き込ませるようになされている。The information data processing unit 27 is composed of a passive circuit which does not have a central processing unit (CPU), and the write code reading circuit 34 reads the write code signal S1 based on the write data D IN and the write / read control circuit. When the data is supplied to 31, the information data memory 32 performs the write operation in synchronization with the clock signal S2 supplied from the clock signal generation circuit 36 to obtain the information data input circuit 35 based on the write data D IN. The write information data S3 is written in the information data memory 32.
ここで書込読出制御回路31は書込コード信号が与えら
れない時はいつでも、情報データメモリ32をクロツク
信号S2と同期しながら読出動作する状態にセツトする
ようになされ、かくして読み出された読出情報データS
4に基づいて情報データ出力回路33において形成さ
れ、読出データDOUTの論理レベルに応じてデータ出力
用スイツチ回路25をオン、オフ動作させることによ
り、読出データDOUTに対応する情報データDATA1
1を正極側及び負極側データ入出力端子P11P及びP
11Nから情報データ処理部41へ送出し得るようにな
されている。Here, the write / read control circuit 31 is adapted to set the information data memory 32 to a read operation in synchronization with the clock signal S2 whenever a write code signal is not applied, and the read thus read. Information data S
It is formed in the information data output circuit 33 on the basis of 4, on the data output switching circuit 25 in accordance with the logic level of the read data D OUT, by off operation, information data DATA1 corresponding to the read data D OUT
1 is the positive and negative side data input / output terminals P11P and P
11N can be sent to the information data processing unit 41.
情報書込装置22は情報カード23が装用状態に差し込
まれたとき、これを差込検出素子40によつて検出して
差込検出信号S17を情報データ処理部41の中央処理
ユニツト(CPU)42に与える。このときCPU42
は、第4図に示すように、動作点設定モード状態にな
り、最大所定回数例えば6回の動作点設定動作を繰り返
すことができるようになされている。When the information card 23 is inserted into the wearing state, the information writing device 22 detects this by the insertion detection element 40 and outputs the insertion detection signal S17 to the central processing unit (CPU) 42 of the information data processing unit 41. Give to. At this time, the CPU 42
As shown in FIG. 4, the operating point setting mode is set, and the operating point setting operation can be repeated a maximum of a predetermined number of times, for example, six times.
第1、第2、……、第6の動作点設定動作期間T1、T
2、……、T6はそれぞれ書込モード期間MODE1及
び読出モード期間MODE2でなり、CPU42は書込
モード期間MODE1において情報カード23を書込モ
ードに制御することにより情報書込装置22から情報デ
ータDATA11を読み込ませるような状態に設定した
後、読出モード期間MODE2において情報カード23
を読出モードに制御することにより情報書込装置22に
情報データDATA11を読み取らせるような状態に設
定する。First, second, ..., Sixth operating point setting operation periods T1, T
2, ..., T6 are a write mode period MODE1 and a read mode period MODE2, respectively, and the CPU 42 controls the information card 23 to the write mode during the write mode period MODE1 to cause the information writing device 22 to write the information data DATA11. Is set so that the information card 23 is read in during the read mode period MODE2.
Is set to a read mode so that the information writing device 22 can read the information data DATA11.
書込モード期間MODE1においてCPU42は、アド
レス信号S14を書込データメモリ43に与えることに
より書込情報データS11をデータ制御回路44に供給
し、これに応じて時間直列データ列でなる情報データD
ATA11を正極側及び負極側データ書込端子P12P
及びP12Nから送出する。In the write mode period MODE1, the CPU 42 supplies the write information data S11 to the data control circuit 44 by supplying the address signal S14 to the write data memory 43, and accordingly, the information data D formed of a time series data string.
ATA11 is connected to the positive and negative side data write terminals P12P
And from P12N.
ここで、書込情報データS11は書込コードデータと書
込情報データとでなる。Here, the write information data S11 includes write code data and write information data.
これに対してデータ制御回路44は読出データ時情報カ
ード23から送出された情報データDATA11を受け
ることができたとき、入力データS12をデータ判別回
路45に与えることにより入力データS12に含まれる
クロツク信号を検出する。On the other hand, when the data control circuit 44 can receive the information data DATA11 sent from the information card 23 at the time of read data, the data control circuit 44 gives the input data S12 to the data discriminating circuit 45 to output the clock signal included in the input data S12. To detect.
ここでクロツク信号を検出することができたことは、情
報カード23から正規の情報データDATA11が送ら
れて来たことを意味し、このときデータ判別回路45は
データ判別信号S13をCPU42に供給する。The fact that the clock signal can be detected here means that the normal information data DATA11 has been sent from the information card 23, and at this time, the data discriminating circuit 45 supplies the data discriminating signal S13 to the CPU 42. .
かくしてCPU42は情報カード23が情報書込装置2
2から書込データを取り込むことができる状態になつた
ことを認識することができ、各動作点設定動作期間T1
〜T6を継続するか又は中断するかを判断する。Thus, in the CPU 42, the information card 23 is the information writing device 2
It can be recognized that the write data can be fetched from 2 and each operating point setting operation period T1
Determine whether to continue or interrupt T6.
すなわちCPU42は、第n回目の動作点設定動作期間
Tnの読出モード期間MODE2においてデータ判別信
号S13が得られないとき、続いて第(n+1)回目の
動作点設定動作期間T(n+1)についての書込モード
及び読出モードの制御に入る。That is, when the data discrimination signal S13 is not obtained in the read mode period MODE2 of the n-th operating point setting operation period Tn, the CPU 42 subsequently writes the (n + 1) th operating point setting operation period T (n + 1). The control of the write mode and the read mode is entered.
これに対して、第n回目の動作点設定動作期間Tnにお
いてデータ判別信号S13が得られたとき、次の動作点
設定動作期間T(n+1)の制御に入らずに動作点決定
動作モードに入る。On the other hand, when the data determination signal S13 is obtained in the n-th operating point setting operation period Tn, the operating point determining operation mode is entered without entering the control of the next operating point setting operation period T (n + 1). .
CPU42は動作点設定モードの書込モードMODE1
(第4図)において、第3図に示すように、データ制御
回路44から書込情報データS11を情報データDAT
A11として送出する際に、その動作点レベルVsの電
位VS1、VS2、……、VS6を1ステツプずつ上昇させな
がら設定し直して行くような制御をする。The CPU 42 uses the writing mode MODE1 of the operating point setting mode.
In FIG. 4, as shown in FIG. 3, the write information data S11 is transferred from the data control circuit 44 to the information data DAT.
When sending out as A11, the control is performed such that the potentials V S1 , V S2 , ..., V S6 of the operating point level Vs are reset while being increased step by step.
すなわち、動作点設定動作期間T1、T2、……、T6
の書込モードMODE1において、CPU42は、動作
点レベルVS1、VS2、……、VS6を指定する動作点レベ
ルデータS15をデイジタル/アナログ変換回路46を
介して動作点レベル制御回路47に与える。このとき動
作点レベル制御回路47は出力データ信号S16として
第3図(A1)、(A2)……(A6)に示すように、
データ制御回路44から情報データDATA11として
送出するデータのピーク対ピーク電圧VP-P(論理
「H」及び「L」レベルの電位差)と、その動作点電位
(例えばピーク対ピーク電圧VP-Pの中心電位)VS1、
VS2、……、VS6を指定する。That is, operating point setting operation period T1, T2, ..., T6
In the writing mode MODE1 of the above, the CPU 42 supplies the operating point level data S15 designating the operating point levels V S1 , V S2 , ..., V S6 to the operating point level control circuit 47 via the digital / analog conversion circuit 46. . At this time, the operating point level control circuit 47 outputs the output data signal S16 as shown in FIGS. 3 (A1), (A2) ... (A6).
The peak-to-peak voltage V PP (potential difference between logic “H” and “L” levels) of the data transmitted as the information data DATA11 from the data control circuit 44 and its operating point potential (for example, the central potential of the peak-to-peak voltage V PP ). V S1 ,
Designate V S2 , ..., V S6 .
データ制御回路44は出力データ信号S16によつて指
定された動作点電位VS1、VS2、……、VS6を中心電位
として論理「H」及び「L」レベルの電位VH及びVLを
もつデータ信号を書込情報データS11に対応する論理
データ列に変換して情報データDATA11として送出
する。The data control circuit 44 uses the operating point potentials V S1 , V S2 , ..., V S6 designated by the output data signal S16 as central potentials to generate potentials V H and V L of logic “H” and “L” levels. The data signal it has is converted into a logical data string corresponding to the write information data S11 and sent as information data DATA11.
情報カード23には情報カード電源30が設けられ、こ
れによりデータ書込用バツフア回路26から取り込まれ
た書込データDINの情報データメモリ32への情報デー
タの書込、保持、読出動作を実行させる。The information card 23 is provided with an information card power supply 30, which executes writing, holding, and reading operations of the information data of the write data D IN fetched from the data writing buffer circuit 26 into the information data memory 32. Let
以上の構成において、情報書込装置22は情報カード2
3が差し込まれたとき、その情報データメモリ32に新
たなデータを書き込む。In the above configuration, the information writing device 22 is the information card 2
When 3 is inserted, new data is written in the information data memory 32.
すなわち情報書込装置22は、情報カード23が差し込
まれたとき、これを差込検出素子40によつて検出し、
その差込検出信号S17をCPU42に入力する。That is, the information writing device 22 detects, when the information card 23 is inserted, by the insertion detection element 40,
The insertion detection signal S17 is input to the CPU 42.
このときCPU42は、第4図に示すように、まず時点
t1において第1回目の動作点設定動作期間T1に入つ
てその書込モード期間MODE1において、第1の動作
点電位VS1を表す動作点電位レベルデータS15を送出
することにより、デイジタル/アナログ変換回路46、
動作点レベル制御回路47を順次介して出力データ信号
S16によつてデータ制御回路44を制御し、情報デー
タDATA11の中心電位を動作点電位VS1に設定す
る。At this time, as shown in FIG. 4, the CPU 42 first enters the first operating point setting operation period T1 at the time point t 1 and operates in the write mode period MODE1 to represent the first operating point potential V S1. By transmitting the point potential level data S15, the digital / analog conversion circuit 46,
The data control circuit 44 is controlled by the output data signal S16 through the operating point level control circuit 47 in sequence to set the center potential of the information data DATA11 to the operating point potential V S1 .
CPU42はこの動作点電位を書込モード期間MODE
1の間維持し、これにより対応する信号レベルを有する
情報データDATA11が情報カード23の正極側デー
タ入出力端子P11Pを介して入出力回路24に供給さ
れる。The CPU 42 uses this operating point potential MODE in the write mode period.
Information data DATA11 which is maintained for one hour and has a corresponding signal level is supplied to the input / output circuit 24 via the positive side data input / output terminal P11P of the information card 23.
やがて第1回目の動作点設定動作期間T1が経過した時
点t2において、CPU42は動作点レベルデータS1
5を動作点電位VS2を指定するデータに切り換える。そ
の結果データ制御回路44の出力データ信号S16の中
心電位が、第3図(A2)に示すように、1ステツプ分
の電位差ΔVだけ高い動作点電位VS2に切り換えられ
る。Eventually, at the time point t 2 when the first operating point setting operation period T1 has elapsed, the CPU 42 sets the operating point level data S1.
5 is switched to data designating the operating point potential V S2 . As a result, the central potential of the output data signal S16 of the data control circuit 44 is switched to the operating point potential V S2 which is higher by the potential difference ΔV for one step, as shown in FIG. 3 (A2).
以下同様にしてCPU42は、動作点設定動作期間T
2、T3、T4、T5が経過する時点t3、t4、t5、
t6ごとに動作点電位Vs3、Vs4、Vs5、Vs6を順次指
定するような動作点レベルデータS15を送出し、これ
により出力データ信号S16の中心電位を1ステツプ分
の電位差ΔVずつ高い動作点電位Vs3、Vs4、Vs5、V
s6に設定し直して行くような動作を続けて行く。Similarly, the CPU 42 operates the operating point setting operation period T
2, T3, T4, T5 elapses t 3 , t 4 , t 5 ,
At every t 6 , operating point level data S15 for sequentially designating operating point potentials V s3 , V s4 , V s5 , and V s6 is sent out, whereby the central potential of the output data signal S16 is incremented by one step difference ΔV. High operating point potentials V s3 , V s4 , V s5 , V
It continues to operate as if it was reset to s6 .
ところがこのようなCPU42の制御の下に情報カード
23のデータ書込用バツフア回路26に到来する情報デ
ータDATA11の中心電位がステツプ的に上昇して行
く間に、出力データ信号S16のピーク電位(すなわち
論理「H」レベルの電位VH)がデータ書込用バツフア
回路26のスレシヨルドレベルVSH(第5図)を超える
ことができない状態にあるとき、データ書込用バツフア
回路26は当該論理「H」レベルのデータが到来したこ
とを判定できないことにより、書込データDINとして取
り込み得ない動作状態になる。However, under the control of the CPU 42 as described above, while the central potential of the information data DATA11 arriving at the data writing buffer circuit 26 of the information card 23 rises stepwise, the peak potential of the output data signal S16 (that is, When the potential V H of the logic “H” level cannot exceed the threshold level V SH (FIG. 5) of the data write buffer circuit 26, the data write buffer circuit 26 determines that the logic Since it cannot be determined that the "H" level data has arrived, the operation state cannot be taken in as the write data D IN .
やがて出力データ信号S16のピーク電位(すなわち論
理「H」レベルの電位VH)がデータ書込用バツフア回
路26のスレシヨルドレベルVSHを超えるような状態に
なるまで出力データ信号S16の中心電位が上昇する
と、データ書込用バツフア回路26が当該「H」レベル
の電位VHに応動して論理「H」レベルの書込データD
INを発生するような状態になる。Until the peak potential of the output data signal S16 (that is, the potential V H at the logic “H” level) exceeds the threshold level V SH of the data write buffer circuit 26, the center potential of the output data signal S16 is reached. When but rises, data write for buffer circuit 26 in response to the potential V H of the "H" level logic "H" level of the write data D
It will be in a state where IN is generated.
このとき書込コード読取回路34は書込コード信号S1
を発生して書込読取制御回路31を介して情報データメ
モリ32を書込モードに制御する。At this time, the write code reading circuit 34 outputs the write code signal S1.
Is generated to control the information data memory 32 in the write mode via the write / read control circuit 31.
かくして書込モードMODE1(第4図)において書込
データDINがデータ書込用バツフア回路26を通じて取
り込まれ、これが情報データ入力回路35を介して情報
データメモリ32のデータ部32Bに書き込まれる。Thus, in the write mode MODE1 (FIG. 4), the write data D IN is taken in through the data write buffer circuit 26 and is written in the data section 32B of the information data memory 32 through the information data input circuit 35.
その後CPU42は、読出モードMODE2(第4図)
に切り換わることにより、データ制御回路44を、出力
データ信号S16を送出させない状態に制御し、これに
より情報データメモリ32のヘツダ部32A及びデータ
部32Bから読出された読出情報データS4が情報デー
タ出力回路33を介して読出データDOUTとしてデータ
出力用スイツチ回路25に与えられる。After that, the CPU 42 reads the read mode MODE2 (FIG. 4).
By switching to the data control circuit 44, the data control circuit 44 is controlled so as not to output the output data signal S16, whereby the read information data S4 read from the header section 32A and the data section 32B of the information data memory 32 is output as the information data output. The read data D OUT is given to the data output switch circuit 25 via the circuit 33.
かくして情報データDATA11が情報書込装置22の
データ制御回路44に読み出される。Thus, the information data DATA11 is read by the data control circuit 44 of the information writing device 22.
このときデータ制御回路44は伝送されて来る情報デー
タDATA11をデータ判別回路45に与えてこれが書
込モードMODE1において情報カード23に送出した
書込データと一致するか否かを判断させる。At this time, the data control circuit 44 gives the transmitted information data DATA11 to the data discriminating circuit 45 to judge whether or not this coincides with the write data sent to the information card 23 in the write mode MODE1.
ここでデータ判別回路45が一致を判別してデータ判別
信号S13を送出すると、CPU42は動作点レベルデ
ータS15として、所定ステツプ数、例えば2ステツプ
分だけ高い動作点レベルを指定するデータに切り換えて
当該動作点設定モードを終了する。When the data discriminating circuit 45 discriminates the coincidence and sends out the data discriminating signal S13, the CPU 42 switches the operating point level data S15 to the data for designating the operating point level higher by a predetermined number of steps, for example, two steps. Exit the operating point setting mode.
その結果データ制御回路44は、出力データ信号S16
の論理「H」レベルの電位VH(第3図)が初めてデー
タ書込用バツフア回路26のスレシヨルドレベルを超え
た状態になつたとき、さらに2ステツプ分だけ高い動作
点レベルをもつように出力データ信号S16の信号レベ
ルを設定する。これにより以後データ書込用バツフア回
路26は、確実に書込動作をすることができるようなバ
イアス条件に設定されたことになる。As a result, the data control circuit 44 outputs the output data signal S16.
When the potential V H (see FIG. 3) of the logic "H" level of ## EQU1 ## exceeds the threshold level of the data write buffer circuit 26 for the first time, the operating point level is further increased by 2 steps. The signal level of the output data signal S16 is set to. As a result, the data write buffer circuit 26 is set to the bias condition so that the write operation can be surely performed thereafter.
以上の構成によれば、情報カード電源30として使用さ
れるバツテリの種類が異なる情報カード23が装用され
たり、情報カード電源37が消耗して電源電圧が低下し
たりすることにより、データ書込用バツフア回路26の
バイアス条件が変化しても、情報カード23に情報を書
き込む際には、当該電源電圧の変化に過不足なく適応す
るような動作点電位を有する出力データ信号S16を情
報カード23に与えることができ、その結果情報カード
23に対して一段と正確な情報を書き込むことができ
る。According to the above configuration, the information card 23 used for the information card power source 30 having a different type of battery is worn, or the information card power source 37 is consumed and the power supply voltage is lowered, so that the data writing is performed. Even when the bias condition of the buffer circuit 26 changes, when writing information to the information card 23, the output data signal S16 having an operating point potential that adapts to the change of the power supply voltage is supplied to the information card 23. As a result, more accurate information can be written in the information card 23.
(G2)他の実施例 (1)上述の実施例においては、情報カード23の入出力
端子P11P及びP11Nを情報書込装置22のデータ
書込端子P12P及びP12Nに電気的に接触させるよ
うに構成した場合に本考案を適用したが、本考案はこれ
に限らず、例えば光学式、電磁式等のように、非接触型
情報カード書込システムにも適用し得る。(G2) Other Embodiments (1) In the above embodiment, the input / output terminals P11P and P11N of the information card 23 are electrically contacted with the data write terminals P12P and P12N of the information writing device 22. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to a non-contact type information card writing system such as an optical type or an electromagnetic type.
(2)上述の実施例においては、情報カード23として正
極側データ入出力端子P11Pを共通に用いて情報の書
込み及び読出しをなし得るようにした場合について述べ
たが、これに代え、情報書込用端子と情報読出用端子と
を別個に設けるようにしても上述の場合と同様の効果を
得ることができる。(2) In the above-mentioned embodiment, the case where the positive side data input / output terminal P11P is commonly used as the information card 23 to write and read information has been described, but instead of this, information writing is performed. Even if the data read terminal and the information read terminal are separately provided, the same effect as in the above case can be obtained.
(3)上述の実施例においては、情報カード23のデータ
書込用バツフア回路26の動作点レベルを設定する場合
について述べたが、本考案はこれに限らず、情報書込装
置22側において情報カード23から読出されて来るデ
ータをデータ制御回路44に取り込むための入力回路の
動作点レベルの設定に用いるようにしても良い。(3) In the above-described embodiment, the case where the operating point level of the data writing buffer circuit 26 of the information card 23 is set has been described, but the present invention is not limited to this, and the information writing device 22 side can perform the information writing. It may be used to set the operating point level of the input circuit for fetching the data read from the card 23 into the data control circuit 44.
(4)上述の実施例においては、出力データ信号S16の
ピーク電位すなわち論理「H」レベルの電位VHが、初
めてデータ書込用バツフア回路26のスレシヨルドレベ
ルを超えた後、出力データ信号S16の動作点電位を2
ステツプ分だけ上昇させることにより、出力データ信号
S16の信号レベルを設定するようにしたが、これに限
らず要は、必要に応じて1ステツプ又は複数ステツプだ
け上昇させるようにすれば良い。(4) In the above-described embodiment, after the peak potential of the output data signal S16, that is, the potential V H of the logic "H" level exceeds the threshold level of the data write buffer circuit 26 for the first time, the output data signal Set the operating point potential of S16 to 2
Although the signal level of the output data signal S16 is set by raising it by the step, the point is not limited to this, and the point is that the step may be raised by one step or a plurality of steps as necessary.
(5)上述の実施例においては、本考案を1/2波長ダイ
ポールアンテナの反射率を変更することにより情報デー
タメモリ32の情報データを読み出すようにしたが、ア
ンテナの種類、構成を変更したり、受信信号を一旦内部
に取り込んで処理した後再放射する等種々の方式のもの
に本考案を適用し得る。(5) In the above embodiment, the present invention reads the information data of the information data memory 32 by changing the reflectance of the 1/2 wavelength dipole antenna, but the kind and configuration of the antenna may be changed. The present invention can be applied to various types of systems in which a received signal is once taken in, processed, and then re-emitted.
H考案の効果 上述のように本考案によれば、情報カードのデータ書込
用バツフア回路に与える書込データの信号レベルを当該
データ書込用バツフア回路のスレシヨルドレベルに適応
させて設定できるようにしたことにより、情報カードへ
の情報の書込みを一段と正確になし得る情報カード書込
装置を実現し得る。H Effect of the Invention As described above, according to the present invention, the signal level of the write data given to the data writing buffer circuit of the information card can be set by adapting it to the threshold level of the data writing buffer circuit. By doing so, it is possible to realize an information card writing device that can more accurately write information to the information card.
第1図は本考案による情報書込装置の一実施例を示すブ
ロツク図、第2図及び第3図は第1図の動作点設定動作
の説明に供する信号波形図、第4図はその動作点設定モ
ードの説明に供する略線図、第5図は書込データの説明
に供する信号波形図、第6図は従来の情報書込読出装置
を示すブロツク図である。 21……情報カード書込システム、22……情報書込装
置、23……情報カード、24……入出力回路、25…
…データ出力用スイツチ回路、26……データ書込用バ
ツフア回路、27、41……情報データ処理部、42…
…CPU、43……書込データメモリ、44……データ
制御回路、45……データ判別回路、47……動作点レ
ベル制御回路。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an information writing device according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are signal waveform diagrams for explaining the operating point setting operation of FIG. 1, and FIG. 4 is its operation. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the point setting mode, FIG. 5 is a signal waveform diagram for explaining write data, and FIG. 6 is a block diagram showing a conventional information writing / reading device. 21 ... Information card writing system, 22 ... Information writing device, 23 ... Information card, 24 ... Input / output circuit, 25 ...
... switch circuit for data output, 26 ... buffer circuit for data writing, 27, 41 ... information data processing section, 42 ...
... CPU, 43 ... write data memory, 44 ... data control circuit, 45 ... data determination circuit, 47 ... operating point level control circuit.
Claims (2)
用バツフア回路を通じて情報データメモリに入力する情
報書込装置において、 上記情報データ信号の動作点電位を所定のステツプ電位
ずつ上昇させて行く動作点電位上昇手段と、 上記情報データ信号の動作点電位が上記データ書込用バ
ツフア回路のスレシヨルドレベルを超えて当該データ書
込用バツフア回路を通じて上記情報データメモリに情報
データを書き込み得る状態になつたことを確認して動作
点電位の上昇動作を停止させる動作点電位設定手段と を具えることを特徴とする情報書込装置。1. An information writing device for inputting an information data signal to an information data memory through a data writing buffer circuit of an information card, in which an operating point potential of the information data signal is raised by a predetermined step potential. Point potential raising means and a state in which the operating point potential of the information data signal exceeds the threshold level of the data writing buffer circuit and information data can be written in the information data memory through the data writing buffer circuit. An information writing device, comprising: an operating point potential setting means for confirming that the operating point potential has risen and stopping the operation of raising the operating point potential.
メモリに情報データを書き込み得る状態になつたことを
確認したとき、上記動作点電位を所定数ステツプだけ上
昇させた後、上記停止動作をするようにしたことを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第1項に記載の情報書込
装置。2. When the operating point potential setting means confirms that information data can be written in the information data memory, the operating point potential is raised by a predetermined number of steps, and then the stop operation is performed. The information writing apparatus according to claim 1, wherein the utility model registration is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12837588U JPH0620201Y2 (en) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Information writing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12837588U JPH0620201Y2 (en) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Information writing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250774U JPH0250774U (en) | 1990-04-10 |
| JPH0620201Y2 true JPH0620201Y2 (en) | 1994-05-25 |
Family
ID=31381658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12837588U Expired - Lifetime JPH0620201Y2 (en) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Information writing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620201Y2 (en) |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP12837588U patent/JPH0620201Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250774U (en) | 1990-04-10 |
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