JPH06202164A - エレクトロクロミック素子及び電解質膜 - Google Patents
エレクトロクロミック素子及び電解質膜Info
- Publication number
- JPH06202164A JPH06202164A JP34955092A JP34955092A JPH06202164A JP H06202164 A JPH06202164 A JP H06202164A JP 34955092 A JP34955092 A JP 34955092A JP 34955092 A JP34955092 A JP 34955092A JP H06202164 A JPH06202164 A JP H06202164A
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- JP
- Japan
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- electrolyte
- electrode
- electrochromic
- electrochromic device
- electrolyte solution
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 エレクトロクロミック素子の消色時の光透過
率及び注入電荷量を高める。 【構成】 一方の透明基板上には透明電極（収集電極）
を介してエレクトロクロミック電極（例、ＷＯ3)を形成
し、他方の透明基板上には対極を形成し、これらの基板
間に電解質溶液を充填してエレクトロクロミック素子を
構成する。この電解質溶液（電解質及び溶媒）に過酸化
水素を０．１〜６重量％（３１％過酸化水素水として）
添加する。また、この電解質溶液を高分子多孔膜の空孔
中に充填して固体電解質膜として用いてもよい。溶媒と
しては、例えば、ベンジルニトリル、ベンジルシアナイ
ド、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトンなど
を用いる。溶質としては例えばアルカリ金属塩、アルカ
リ土類金属塩などが用いる。
率及び注入電荷量を高める。 【構成】 一方の透明基板上には透明電極（収集電極）
を介してエレクトロクロミック電極（例、ＷＯ3)を形成
し、他方の透明基板上には対極を形成し、これらの基板
間に電解質溶液を充填してエレクトロクロミック素子を
構成する。この電解質溶液（電解質及び溶媒）に過酸化
水素を０．１〜６重量％（３１％過酸化水素水として）
添加する。また、この電解質溶液を高分子多孔膜の空孔
中に充填して固体電解質膜として用いてもよい。溶媒と
しては、例えば、ベンジルニトリル、ベンジルシアナイ
ド、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトンなど
を用いる。溶質としては例えばアルカリ金属塩、アルカ
リ土類金属塩などが用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロクロミック素
子及び固体電解質膜に関する。
子及び固体電解質膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧によって物質の色が可逆的に変化す
るエレクトロクロミック（ＥＣ）現象を応用した素子
（ＥＣＤ）は明るく見やすい、大面積表示が可能であ
る、メモリー性がある（消費電力が少ない）などの特性
を有し、このような特徴を活かした応用として、株価表
示、メッセージボード、案内板などの大型表示板、また
自動車の防眩ミラー、調光ガラス、サングラスなどの調
光素子等がある。
るエレクトロクロミック（ＥＣ）現象を応用した素子
（ＥＣＤ）は明るく見やすい、大面積表示が可能であ
る、メモリー性がある（消費電力が少ない）などの特性
を有し、このような特徴を活かした応用として、株価表
示、メッセージボード、案内板などの大型表示板、また
自動車の防眩ミラー、調光ガラス、サングラスなどの調
光素子等がある。
【０００３】ＥＣＤの構造はエレクトロクロミック電極
と対極の間に電解質を配置して成り、両電極間に電圧を
印加するとエレクトロクロミック電極が電解質からのイ
オンと電源からの電子でカソード還元されて着色するも
のである。対極は、これもエレクトロクロミック電極で
構成して着色表示に利用することができる。このような
エレクトロクロミック素子の電解質溶液の溶質としては
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、プロトン酸など
が、また溶媒としては、１−フェニル−シクロプロパン
カルボニトリル、ＤＬ−２フェニルブチロニトリル、４
−フェニルブチロニトリル、２，２ジフェニルプロピオ
ニトリル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、
ポリプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレ
ンカーボネート、γ−ブチロラクトンなどが用いられて
いる。
と対極の間に電解質を配置して成り、両電極間に電圧を
印加するとエレクトロクロミック電極が電解質からのイ
オンと電源からの電子でカソード還元されて着色するも
のである。対極は、これもエレクトロクロミック電極で
構成して着色表示に利用することができる。このような
エレクトロクロミック素子の電解質溶液の溶質としては
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、プロトン酸など
が、また溶媒としては、１−フェニル−シクロプロパン
カルボニトリル、ＤＬ−２フェニルブチロニトリル、４
−フェニルブチロニトリル、２，２ジフェニルプロピオ
ニトリル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、
ポリプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレ
ンカーボネート、γ−ブチロラクトンなどが用いられて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き電解質溶液
を用いたエレクトロクロミック素子では、消色時の光透
過率及び注入電荷量がまだ十分でなく、これらの向上が
望まれている。そこで、本発明は消色時の光透過率及び
注入電荷量の向上したエレクトロクロミック素子、及び
そのために特に有用な固体電解質膜を提供することを目
的とする。
を用いたエレクトロクロミック素子では、消色時の光透
過率及び注入電荷量がまだ十分でなく、これらの向上が
望まれている。そこで、本発明は消色時の光透過率及び
注入電荷量の向上したエレクトロクロミック素子、及び
そのために特に有用な固体電解質膜を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために鋭意努力したところ、電解質溶液に過酸化
水素を添加することによってエレクトロクロミック素子
の消色時の光透過率及び注入電荷量を向上させることが
できることを見出して本発明を完成した。こうして、本
発明によれば、エレクトロクロミック電極と対極をそれ
ぞれ形成した基板の間に電解質層を配したエレクトロク
ロミック素子において、該電解質層として電解質、電解
質溶媒及び過酸化水素を含む電解質溶液を用いたことを
特徴とするエレクトロクロミック素子、および、高分子
多孔膜の空孔中に、電解質、電解質溶媒及び過酸化水素
を含む電解質溶液を充填してなることを特徴とする固体
電解質膜が提供される。
成するために鋭意努力したところ、電解質溶液に過酸化
水素を添加することによってエレクトロクロミック素子
の消色時の光透過率及び注入電荷量を向上させることが
できることを見出して本発明を完成した。こうして、本
発明によれば、エレクトロクロミック電極と対極をそれ
ぞれ形成した基板の間に電解質層を配したエレクトロク
ロミック素子において、該電解質層として電解質、電解
質溶媒及び過酸化水素を含む電解質溶液を用いたことを
特徴とするエレクトロクロミック素子、および、高分子
多孔膜の空孔中に、電解質、電解質溶媒及び過酸化水素
を含む電解質溶液を充填してなることを特徴とする固体
電解質膜が提供される。
【０００６】電解質溶液は、電解質（溶質）と溶媒から
なり、溶質としては例えばアルカリ金属塩、アルカリ土
類金属塩、プロトン酸などが用いられる。これらの溶質
の陰イオンとしては、例えばハロゲンイオン、硫酸イオ
ン、リン酸イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオ
ン、トリフッ化メタンスルホン酸イオン、ホウフッ化イ
オンなどが挙げられる。該溶質の具体例としては、フッ
化リチウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、過塩
素酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、トリフッ化メ
タンスルホン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、ヘキサ
フッ化リン酸リチウム、リン酸、硫酸、トリフッ化メタ
ンスルホン酸、テトラフッ化エチレンスルホン酸、ヘキ
サフッ化ブタンスルホン酸などが挙げられ、これらは１
種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
なり、溶質としては例えばアルカリ金属塩、アルカリ土
類金属塩、プロトン酸などが用いられる。これらの溶質
の陰イオンとしては、例えばハロゲンイオン、硫酸イオ
ン、リン酸イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオ
ン、トリフッ化メタンスルホン酸イオン、ホウフッ化イ
オンなどが挙げられる。該溶質の具体例としては、フッ
化リチウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、過塩
素酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、トリフッ化メ
タンスルホン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、ヘキサ
フッ化リン酸リチウム、リン酸、硫酸、トリフッ化メタ
ンスルホン酸、テトラフッ化エチレンスルホン酸、ヘキ
サフッ化ブタンスルホン酸などが挙げられ、これらは１
種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【０００７】電解質溶液の溶媒としては、従来より用い
られている溶媒のほか、上記の如き溶質を溶解できるも
のであれば用いることができるが、例えば、ベンジルニ
トリル、ベンジルシアナイド、１−フェニル−シクロプ
ロパンカルボニトリル、ＤＬ−２フェニルブチロニトリ
ル、４−フェニルブチロニトリル、２，２ジフェニルプ
ロピオニトリル、ポリエチレングリコールジメチルエー
テル、ポリプロピレングリコールジメチルエーテル、プ
ロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトンなどを用い
ることができる。
られている溶媒のほか、上記の如き溶質を溶解できるも
のであれば用いることができるが、例えば、ベンジルニ
トリル、ベンジルシアナイド、１−フェニル−シクロプ
ロパンカルボニトリル、ＤＬ−２フェニルブチロニトリ
ル、４−フェニルブチロニトリル、２，２ジフェニルプ
ロピオニトリル、ポリエチレングリコールジメチルエー
テル、ポリプロピレングリコールジメチルエーテル、プ
ロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトンなどを用い
ることができる。
【０００８】本発明では、上記の溶質及び溶媒からなる
電解質溶液に、さらに過酸化水素を添加する。過酸化水
素の添加量は使用する電極によって多少異なるが、３１
％過酸化水素水で０．１〜６重量％、より好ましくは
０．２〜３．０重量％の範囲内でエレクトロクロミック
素子の消色時の光透過率及び注入電荷量の向上の効果が
大きい。
電解質溶液に、さらに過酸化水素を添加する。過酸化水
素の添加量は使用する電極によって多少異なるが、３１
％過酸化水素水で０．１〜６重量％、より好ましくは
０．２〜３．０重量％の範囲内でエレクトロクロミック
素子の消色時の光透過率及び注入電荷量の向上の効果が
大きい。
【０００９】この電解質溶液は溶液のままエレクトロク
ロミック素子パネルに注入して使用してもよいが、固体
高分子多孔性薄膜の空孔中に充填して電解質膜として使
用する場合に特に効果が大きい。この電解質膜は全体と
しては固体として取扱うことができ、液漏れの心配がな
く、しかもイオン電導性に優れることができる。また、
薄膜化が可能である利点を有している。
ロミック素子パネルに注入して使用してもよいが、固体
高分子多孔性薄膜の空孔中に充填して電解質膜として使
用する場合に特に効果が大きい。この電解質膜は全体と
しては固体として取扱うことができ、液漏れの心配がな
く、しかもイオン電導性に優れることができる。また、
薄膜化が可能である利点を有している。
【００１０】このような固体高分子多孔性薄膜として
は、膜厚が0.１μｍ〜50μｍ、空孔率が40％〜90％、破
断強度が 200kg／cm2 以上、平均貫通孔径が 0.001μｍ
〜1.０μｍのものが好ましく使用される。薄膜の厚さは
一般に0.１μｍ〜50μｍであり、好ましくは0.１μｍ〜
25μｍである。厚さが0.１μｍ未満では支持膜としての
機械的強度の低下および取り扱い性の面から実用に供す
ることが難しい。一方、50μｍを超える場合に実効抵抗
を低く抑えるという観点から好ましくない。多孔性薄膜
の空孔率は、40％〜90％とするのがよく、好ましくは60
％〜90％の範囲である。空孔率が40％未満では電解質と
してのイオン導電性が不十分となり、一方90％を超える
と支持膜としての機能的強度が小さくなり実用に供する
ことが難しい。
は、膜厚が0.１μｍ〜50μｍ、空孔率が40％〜90％、破
断強度が 200kg／cm2 以上、平均貫通孔径が 0.001μｍ
〜1.０μｍのものが好ましく使用される。薄膜の厚さは
一般に0.１μｍ〜50μｍであり、好ましくは0.１μｍ〜
25μｍである。厚さが0.１μｍ未満では支持膜としての
機械的強度の低下および取り扱い性の面から実用に供す
ることが難しい。一方、50μｍを超える場合に実効抵抗
を低く抑えるという観点から好ましくない。多孔性薄膜
の空孔率は、40％〜90％とするのがよく、好ましくは60
％〜90％の範囲である。空孔率が40％未満では電解質と
してのイオン導電性が不十分となり、一方90％を超える
と支持膜としての機能的強度が小さくなり実用に供する
ことが難しい。
【００１１】平均貫通孔径は、空孔中にイオン導電体を
固定化できればよいが、一般に 0.001μｍ〜1.０μｍで
ある。好ましい平均貫通孔径は高分子膜の材質や孔の形
状にもよる。高分子膜の破断強度は一般に 200kg／cm2
以上、より好ましくは 500kg／cm2 以上を有することに
より支持膜としての実用化に好適である。本発明に用い
る多孔性薄膜は上記のようなイオン導電体の支持体とし
ての機能をもち、機械的強度のすぐれた高分子材料から
なる。
固定化できればよいが、一般に 0.001μｍ〜1.０μｍで
ある。好ましい平均貫通孔径は高分子膜の材質や孔の形
状にもよる。高分子膜の破断強度は一般に 200kg／cm2
以上、より好ましくは 500kg／cm2 以上を有することに
より支持膜としての実用化に好適である。本発明に用い
る多孔性薄膜は上記のようなイオン導電体の支持体とし
ての機能をもち、機械的強度のすぐれた高分子材料から
なる。
【００１２】化学的安定性の観点から、例えばポリオレ
フィン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ピニ
リデンを用いることができるが、本発明の多孔構造の設
計や薄膜化と機械的強度の両立の容易さの観点から好適
な高分子材料の１例は、特に重量平均分子量が５×105
以上のポリオレフィンである。すなわち、オレフィンの
単独重合体または共重合体の、結晶性の線状ポリオレフ
ィンで、その重量平均分子量が５×105 以上、好ましく
は１×105 〜１×107 のものである。
フィン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ピニ
リデンを用いることができるが、本発明の多孔構造の設
計や薄膜化と機械的強度の両立の容易さの観点から好適
な高分子材料の１例は、特に重量平均分子量が５×105
以上のポリオレフィンである。すなわち、オレフィンの
単独重合体または共重合体の、結晶性の線状ポリオレフ
ィンで、その重量平均分子量が５×105 以上、好ましく
は１×105 〜１×107 のものである。
【００１３】別の好適な高分子材料の例はポリカーボネ
ートで、この場合の固体高分子多孔性薄膜はポリカーボ
ネート薄膜に対し原子炉中で荷電粒子を照射し、荷電粒
子が通過した飛跡をアルカリエッチングして孔を形成す
る方法で作製することもできる。このような薄膜は例え
ばニュークリポアー・メンブレンとしてポリカーボネー
ト及びポリエステル製品が上市されている。
ートで、この場合の固体高分子多孔性薄膜はポリカーボ
ネート薄膜に対し原子炉中で荷電粒子を照射し、荷電粒
子が通過した飛跡をアルカリエッチングして孔を形成す
る方法で作製することもできる。このような薄膜は例え
ばニュークリポアー・メンブレンとしてポリカーボネー
ト及びポリエステル製品が上市されている。
【００１４】そのほか、ポリエステル、ポリメタアクリ
レート、ポリアセタール、ポリ塩化ビニリデン、テトラ
フルオロポリエチレン等を用いることができる。高分子
薄膜中に電解質溶液を充填する方法としては、電解質溶
液を固体高分子多孔性薄膜に含浸させるか、塗布または
スプレーし、必要に応じて溶剤を使用し充填後除去する
等の方法を用いることができる。
レート、ポリアセタール、ポリ塩化ビニリデン、テトラ
フルオロポリエチレン等を用いることができる。高分子
薄膜中に電解質溶液を充填する方法としては、電解質溶
液を固体高分子多孔性薄膜に含浸させるか、塗布または
スプレーし、必要に応じて溶剤を使用し充填後除去する
等の方法を用いることができる。
【００１５】エレクトロクロミック素子の構成として
は、エレクトロクロミック電極を形成した透明基板と、
対極を形成した透明基板の間に電解質溶液を封入する
か、また電解質膜の場合にはこれを透明基板の間に挟持
し、シールする。エレクトロクロミック電極と透明基板
の間には収集電極として透明電極を形成する。なお、エ
レクトロクロミック素子として反射型の場合には一方の
側の基板及び／又は電極は透明でなくてもよい。
は、エレクトロクロミック電極を形成した透明基板と、
対極を形成した透明基板の間に電解質溶液を封入する
か、また電解質膜の場合にはこれを透明基板の間に挟持
し、シールする。エレクトロクロミック電極と透明基板
の間には収集電極として透明電極を形成する。なお、エ
レクトロクロミック素子として反射型の場合には一方の
側の基板及び／又は電極は透明でなくてもよい。
【００１６】このエレクトロクロミック電極は、還元着
色するカソーディック材料と酸化着色するアノーディッ
ク材料の２種類がある。代表的な還元着色材であるＷＯ
3 では、ＷＯ3 は電解質からのＨ+ ( Ｌｉ+ ）と電源か
らの電子が注入されるとＷＯ 3 （無色）＋ｘＨ+ ＋ｘｅ
＝Ｈx ＷＯ3 （青色）の反応を行う。この反応は可逆的
であるが、Ｈx ＷＯ3 の状態で電源回路を開放すると、
青色（還元状態）は長時間保持される。還元着色材とし
てはＷＯ3 のほか、ＩｒＯx ，ＭｏＯ3 ，ＭｏＳ2 ，Ｖ
2 Ｏ5 ，ＭｇＷＯ4 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，Ｗ4 Ｏ8
（Ｃ2 Ｏ4 ）xなども用いることができる。エレクトロ
クロミック電極は500 〜 10000Å程度の厚さであるが、
これは透明電極上に形成する。
色するカソーディック材料と酸化着色するアノーディッ
ク材料の２種類がある。代表的な還元着色材であるＷＯ
3 では、ＷＯ3 は電解質からのＨ+ ( Ｌｉ+ ）と電源か
らの電子が注入されるとＷＯ 3 （無色）＋ｘＨ+ ＋ｘｅ
＝Ｈx ＷＯ3 （青色）の反応を行う。この反応は可逆的
であるが、Ｈx ＷＯ3 の状態で電源回路を開放すると、
青色（還元状態）は長時間保持される。還元着色材とし
てはＷＯ3 のほか、ＩｒＯx ，ＭｏＯ3 ，ＭｏＳ2 ，Ｖ
2 Ｏ5 ，ＭｇＷＯ4 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，Ｗ4 Ｏ8
（Ｃ2 Ｏ4 ）xなども用いることができる。エレクトロ
クロミック電極は500 〜 10000Å程度の厚さであるが、
これは透明電極上に形成する。
【００１７】透明電極は集電電極であり、酸化インジウ
ム（ＩＴＯ）、酸化錫などで形成する。厚さは1000〜20
00Åが一般的である。透明電極はガラス板等の透明基板
上に形成する。対極にはＨ2 ，Ｏ3 の発生の少なく、電
気化学的酸化還元反応に対して可逆性のよい、電気容量
の大きい材料が用いられる。具体的には、金属酸化物、
カーボン、遷移金属化合物とカーボンとの複合材又は金
属酸化物とカーボンとの複合材などがある。対極の厚さ
は1000Å〜10μｍ程度である。
ム（ＩＴＯ）、酸化錫などで形成する。厚さは1000〜20
00Åが一般的である。透明電極はガラス板等の透明基板
上に形成する。対極にはＨ2 ，Ｏ3 の発生の少なく、電
気化学的酸化還元反応に対して可逆性のよい、電気容量
の大きい材料が用いられる。具体的には、金属酸化物、
カーボン、遷移金属化合物とカーボンとの複合材又は金
属酸化物とカーボンとの複合材などがある。対極の厚さ
は1000Å〜10μｍ程度である。
【００１８】また、対極にもエレクトロクロミック電極
(電極II) を配することができ、電極Ｉ（ＷＯ3 ）の還
元着色に加えて、電極IIに酸化着色材料、例えば、Ｉｒ
Ｏxなどを用いると、着色効率の高いエレクトロクロミ
ック素子を作成できる。また、電極IIにせ結晶状態の異
なるＷＯ3 を用いてもよい。またはＮｉＯx ，Ｃｏ
Ｏ x ，プルシアンブルー，ポリアニリンなどが用いられ
る。
(電極II) を配することができ、電極Ｉ（ＷＯ3 ）の還
元着色に加えて、電極IIに酸化着色材料、例えば、Ｉｒ
Ｏxなどを用いると、着色効率の高いエレクトロクロミ
ック素子を作成できる。また、電極IIにせ結晶状態の異
なるＷＯ3 を用いてもよい。またはＮｉＯx ，Ｃｏ
Ｏ x ，プルシアンブルー，ポリアニリンなどが用いられ
る。
【００１９】このようにして構成されるエレクトロクロ
ミック素子の構造の例を示すと図１の如くである。図
中、１は電解質膜、２はエレクトロクロミック電極、３
は透明電極、４は透明基板、５は対極（透明電極）、６
は透明基板である。
ミック素子の構造の例を示すと図１の如くである。図
中、１は電解質膜、２はエレクトロクロミック電極、３
は透明電極、４は透明基板、５は対極（透明電極）、６
は透明基板である。
【００２０】
【実施例】イオンプレーティングでＩＴＯ（酸化インジ
ウム／酸化錫）を１６００オングストローム製膜した５
０mm角１．１mm厚ノンアルカリガラス上にＮｉアルコキ
シドトルエン溶液（１モル／kg）を１次回転数７００／
分、２次回転数１６００／分でスピンコートし、昇温速
度１℃／分で３５０℃まで加熱後、３時間保持し、１℃
／分で室温まで降温し、３４００オングストローム厚の
酸化ニッケルエレクトロクロミック電極を得た。
ウム／酸化錫）を１６００オングストローム製膜した５
０mm角１．１mm厚ノンアルカリガラス上にＮｉアルコキ
シドトルエン溶液（１モル／kg）を１次回転数７００／
分、２次回転数１６００／分でスピンコートし、昇温速
度１℃／分で３５０℃まで加熱後、３時間保持し、１℃
／分で室温まで降温し、３４００オングストローム厚の
酸化ニッケルエレクトロクロミック電極を得た。
【００２１】イオンプレーティングでＩＴＯ（酸化イン
ジウム／酸化錫）を１６００オングストローム厚製膜し
た５０mm角１．１mm厚ノンアルカリガラス上に酸化タン
グステン（高純度化学製）を３０００オングストローム
厚イオンプレーティングで製膜して、酸化タングステン
電極（エレクトロクロミック電柱（２））を得た。二軸
延伸して得た２５ミクロン厚ポリエチレン微多孔膜（空
孔率５６％）に２，２ジフェニルプロピオニトリル６
４．５wt％、ｎ−メチルピロリドン３０wt％、過塩素酸
リチウム５wt％、過酸化水素３１％水溶液０．５％から
なる電解質溶液（試料）を真空含浸させて固定化液
膜電解質を製作した。
ジウム／酸化錫）を１６００オングストローム厚製膜し
た５０mm角１．１mm厚ノンアルカリガラス上に酸化タン
グステン（高純度化学製）を３０００オングストローム
厚イオンプレーティングで製膜して、酸化タングステン
電極（エレクトロクロミック電柱（２））を得た。二軸
延伸して得た２５ミクロン厚ポリエチレン微多孔膜（空
孔率５６％）に２，２ジフェニルプロピオニトリル６
４．５wt％、ｎ−メチルピロリドン３０wt％、過塩素酸
リチウム５wt％、過酸化水素３１％水溶液０．５％から
なる電解質溶液（試料）を真空含浸させて固定化液
膜電解質を製作した。
【００２２】これらの電極の間に試料の電解質を挾
み、エポキシ接着剤でシールしてエレクトロクロミック
素子を製作した。酸化タングステン電極／酸化ニッケル
間にマイナス１．５〔ｖ〕及びプラス０．２〔ｖ〕のス
テップ電圧（各１０秒）かけるサイクルを１００回行っ
た後着色透過率と消色透過率を測定した。
み、エポキシ接着剤でシールしてエレクトロクロミック
素子を製作した。酸化タングステン電極／酸化ニッケル
間にマイナス１．５〔ｖ〕及びプラス０．２〔ｖ〕のス
テップ電圧（各１０秒）かけるサイクルを１００回行っ
た後着色透過率と消色透過率を測定した。
【００２３】其の結果過酸化水素水溶液を微量添加する
ことによって、透過率及びヘイズ率は表１のように変化
した。比較のために２，２ジフェニルプロピオニトリル
６５wt％、ｎ−メチルピロリドン３０wt％、過塩素酸リ
チウム５wt％電解質溶液（試料）を用いたエレクト
ロクロミック素子を製作した場合の透過率及びヘイズ率
を示した。
ことによって、透過率及びヘイズ率は表１のように変化
した。比較のために２，２ジフェニルプロピオニトリル
６５wt％、ｎ−メチルピロリドン３０wt％、過塩素酸リ
チウム５wt％電解質溶液（試料）を用いたエレクト
ロクロミック素子を製作した場合の透過率及びヘイズ率
を示した。
【００２４】また電解質溶液の試料と試料を用いた
場合の注入電荷量を表２に示す。 表１：０．５％過酸化水素水溶液を含む電解質 溶液の消色時透過率及びヘイズ率 電解質溶液 透過率Ｔ〔％〕 ヘイズ率〔％〕 試料 ６２．４ ２．８ 試料 ５５．９ ３．３ 表２：エレクトロクロミック素子の注入電荷量〔ｍＣ／ｃｍ2 〕 掃引電圧 試料 試料 −１．２Ｖ〜＋０．２Ｖ ３．６ ２．８ −１．３Ｖ〜＋０．３Ｖ ３．９ ３．３
場合の注入電荷量を表２に示す。 表１：０．５％過酸化水素水溶液を含む電解質 溶液の消色時透過率及びヘイズ率 電解質溶液 透過率Ｔ〔％〕 ヘイズ率〔％〕 試料 ６２．４ ２．８ 試料 ５５．９ ３．３ 表２：エレクトロクロミック素子の注入電荷量〔ｍＣ／ｃｍ2 〕 掃引電圧 試料 試料 −１．２Ｖ〜＋０．２Ｖ ３．６ ２．８ −１．３Ｖ〜＋０．３Ｖ ３．９ ３．３
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、過酸化水素を添加した
ことにより電解質膜が光透過率が向上し、またエレクト
ロクロミック素子に適用して消色時の透過率及び注入電
荷量が向上したエレクトロクロミック素子が提供される
効果がある。
ことにより電解質膜が光透過率が向上し、またエレクト
ロクロミック素子に適用して消色時の透過率及び注入電
荷量が向上したエレクトロクロミック素子が提供される
効果がある。
【図１】図１はエレクトロクロミック素子の構造の例を
示す。
示す。
１…電解質膜 ２…エレクトロクロミック電極 ３…透明電極 ４…透明基板 ５…対極 ６…透明基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 櫻田 智 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡１丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 エレクトロクロミック電極と対極をそれ
ぞれ形成した基板の間に電解質層を配したエレクトロク
ロミック素子において、該電解質層として電解質、電解
質溶媒及び過酸化水素を含む電解質溶液を用いたことを
特徴とするエレクトロクロミック素子。 - 【請求項２】 高分子多孔膜の空孔中に、電解質、電解
質溶媒及び過酸化水素を含む電解質溶液を充填してなる
ことを特徴とする電解質膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34955092A JPH06202164A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | エレクトロクロミック素子及び電解質膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34955092A JPH06202164A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | エレクトロクロミック素子及び電解質膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202164A true JPH06202164A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18404482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34955092A Pending JPH06202164A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | エレクトロクロミック素子及び電解質膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789858A4 (en) * | 1994-10-26 | 1999-03-24 | Donnelly Corp | ELECTROCHROME DEVICES AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
| US6246505B1 (en) | 1995-02-10 | 2001-06-12 | Donnelly Corporation | Photochromic devices |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34955092A patent/JPH06202164A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789858A4 (en) * | 1994-10-26 | 1999-03-24 | Donnelly Corp | ELECTROCHROME DEVICES AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
| US6246505B1 (en) | 1995-02-10 | 2001-06-12 | Donnelly Corporation | Photochromic devices |
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