JPH06202310A - 位相シフトレチクルの製造方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの製造方法Info
- Publication number
- JPH06202310A JPH06202310A JP35833592A JP35833592A JPH06202310A JP H06202310 A JPH06202310 A JP H06202310A JP 35833592 A JP35833592 A JP 35833592A JP 35833592 A JP35833592 A JP 35833592A JP H06202310 A JPH06202310 A JP H06202310A
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- JP
- Japan
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- film
- phase shift
- shift reticle
- shifter
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シフタ膜の表面を平坦化し得る位相シフトレ
チクルの製造方法を提供する。 【構成】 位相シフトレチクルの製造方法を、基板上に
堆積した遮光膜をパターニング及びエッチングする過程
と、基板上のエッチングにて除去された部分にのみ選択
的に２酸化硅素膜を形成しかつ平坦化する過程と、平坦
化された表面にシフタ膜を成膜する過程とを有するもの
とすることにより、高い解像度が得られるレチクルを製
造する。
チクルの製造方法を提供する。 【構成】 位相シフトレチクルの製造方法を、基板上に
堆積した遮光膜をパターニング及びエッチングする過程
と、基板上のエッチングにて除去された部分にのみ選択
的に２酸化硅素膜を形成しかつ平坦化する過程と、平坦
化された表面にシフタ膜を成膜する過程とを有するもの
とすることにより、高い解像度が得られるレチクルを製
造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ上にデバ
イスパターンを形成するために用いる位相シフトレチク
ルの製造方法に関するものである。
イスパターンを形成するために用いる位相シフトレチク
ルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハへの転写パターンの
解像度を光の干渉を利用して高めるようにした位相シフ
トレチクルが知られている。
解像度を光の干渉を利用して高めるようにした位相シフ
トレチクルが知られている。
【０００３】従来の位相シフトレチクルの製造過程は、
図２に示すように、ガラス基板１上に、エッチングスト
ッパ膜２、遮光膜３、およびレジスト４を堆積する過程
（図２−ａ）、フォトリソグラフィー法などにてレチク
ルの透過領域となるパターンをレジスト４上に転写した
後、ドライエッチングにて遮光膜３を選択的にエッチン
グする過程（図２−ｂ）、エッチングによって残された
レジスト４を除去する過程（図２−ｃ）、その表面にシ
フタ膜５を成膜し、かつその上に再度レジスト４を塗布
する過程（図２−ｄ）、上記と同様にしてレジスト４の
表面にシフタパターンをパターニングした後、シフタ膜
５をエッチングする過程（図２−ｅ）、及びレジスト４
を除去して位相シフトレチクル６を得る過程からなって
いる。
図２に示すように、ガラス基板１上に、エッチングスト
ッパ膜２、遮光膜３、およびレジスト４を堆積する過程
（図２−ａ）、フォトリソグラフィー法などにてレチク
ルの透過領域となるパターンをレジスト４上に転写した
後、ドライエッチングにて遮光膜３を選択的にエッチン
グする過程（図２−ｂ）、エッチングによって残された
レジスト４を除去する過程（図２−ｃ）、その表面にシ
フタ膜５を成膜し、かつその上に再度レジスト４を塗布
する過程（図２−ｄ）、上記と同様にしてレジスト４の
表面にシフタパターンをパターニングした後、シフタ膜
５をエッチングする過程（図２−ｅ）、及びレジスト４
を除去して位相シフトレチクル６を得る過程からなって
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の製造方法に
よって得られる位相シフトレチクルの場合、図２−ｆに
符号Ａで示した部分のように、シフタ膜５の表面に於け
る遮光膜３のパターンと重なる部分が遮光膜３の膜厚分
だけ突出するため、遮光部と透過部との境界でシフタ膜
５の膜厚が不均一になるという不都合がある。実際のと
ころ、シフタ膜５を成膜する段階でエッチングストッパ
膜２の表面と遮光膜３のパターン表面とに段差ができる
ことが避けられないため、シフタ膜５の膜厚制御は非常
に困難であった。
よって得られる位相シフトレチクルの場合、図２−ｆに
符号Ａで示した部分のように、シフタ膜５の表面に於け
る遮光膜３のパターンと重なる部分が遮光膜３の膜厚分
だけ突出するため、遮光部と透過部との境界でシフタ膜
５の膜厚が不均一になるという不都合がある。実際のと
ころ、シフタ膜５を成膜する段階でエッチングストッパ
膜２の表面と遮光膜３のパターン表面とに段差ができる
ことが避けられないため、シフタ膜５の膜厚制御は非常
に困難であった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の不都合を
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
シフタ膜の表面を平坦化し得る位相シフトレチクルの製
造方法を提供することにある。
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
シフタ膜の表面を平坦化し得る位相シフトレチクルの製
造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、基板上に堆積した遮光膜を所定の形状にパ
ターニングする過程と、前記基板上に選択的に２酸化硅
素膜を形成し平坦化する過程と、平坦化された表面にシ
フタ膜を成膜する過程とを有することを特徴とする位相
シフトレチクルの製造方法を提供することによって達成
される。
明によれば、基板上に堆積した遮光膜を所定の形状にパ
ターニングする過程と、前記基板上に選択的に２酸化硅
素膜を形成し平坦化する過程と、平坦化された表面にシ
フタ膜を成膜する過程とを有することを特徴とする位相
シフトレチクルの製造方法を提供することによって達成
される。
【０００７】
【作用】このような構成によれば、シフタ膜を成膜する
べき基板の表面が、遮光パターンの部分を埋め込んだ形
に平坦化されるので、遮光膜がどのような形状であって
も、高い表面平坦度をもってシフタ膜を成膜することが
できる。
べき基板の表面が、遮光パターンの部分を埋め込んだ形
に平坦化されるので、遮光膜がどのような形状であって
も、高い表面平坦度をもってシフタ膜を成膜することが
できる。
【０００８】
【実施例】以下に添付の図面に示された具体的な実施例
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
【０００９】図１は、本発明に基づくｉ線（波長＝３６
５ｎｍ）用位相シフトレチクルの製造過程を示してい
る。先ず、エッチングストッパ膜２、遮光膜３、及びレ
ジスト４をガラス基板１上に積層した後（図１−ａ）、
フォトリソグラフィー法でパターニングし、かつドライ
エッチングによって遮光膜３を選択的にエッチングする
（図１−ｂ）。
５ｎｍ）用位相シフトレチクルの製造過程を示してい
る。先ず、エッチングストッパ膜２、遮光膜３、及びレ
ジスト４をガラス基板１上に積層した後（図１−ａ）、
フォトリソグラフィー法でパターニングし、かつドライ
エッチングによって遮光膜３を選択的にエッチングする
（図１−ｂ）。
【００１０】次に、レジスト４を除去する前に、６フッ
化硅素酸のシリカ飽和溶液にほう酸を連続添加するとい
う処理を基板に施すことにより、以下の化学反応によっ
てエッチングストッパ膜２のレジスト４を除く部分にだ
け２酸化硅素膜７が選択的に形成される（図１−ｃ）。
化硅素酸のシリカ飽和溶液にほう酸を連続添加するとい
う処理を基板に施すことにより、以下の化学反応によっ
てエッチングストッパ膜２のレジスト４を除く部分にだ
け２酸化硅素膜７が選択的に形成される（図１−ｃ）。
【００１１】
【数１】
【００１２】この状態でレジスト４を除去すると、遮光
膜３のパターン表面と２酸化硅素膜７との表面が完全に
平坦化される（図１−ｄ）。
膜３のパターン表面と２酸化硅素膜７との表面が完全に
平坦化される（図１−ｄ）。
【００１３】この平坦化された基板表面上に、エッチン
グストッパ膜２としてのＩＴＯ膜と、ｉ線用シフタ膜５
としてのＣＶＤ−ＳｉＯ2膜とを所定の膜厚（３８８ｎ
ｍ）で成膜し、かつこの上にレジスト４を再度塗布する
（図１−ｅ）。
グストッパ膜２としてのＩＴＯ膜と、ｉ線用シフタ膜５
としてのＣＶＤ−ＳｉＯ2膜とを所定の膜厚（３８８ｎ
ｍ）で成膜し、かつこの上にレジスト４を再度塗布する
（図１−ｅ）。
【００１４】次に、シフタパターンをパターニング後、
シフタ膜５をエッチングし（図１−ｆ）、かつ残ったレ
ジスト４を除去すると、ｉ線用位相シフトレチクル６が
得られる（図１−ｇ）。
シフタ膜５をエッチングし（図１−ｆ）、かつ残ったレ
ジスト４を除去すると、ｉ線用位相シフトレチクル６が
得られる（図１−ｇ）。
【００１５】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に示されていない他の材料の遮
光膜、エッチングストッパ膜およびシフタ膜にも適用可
能であり、また他の波長の光源用の位相シフトレチクル
の製造方法にも適用し得る。
が、本発明は上記実施例に示されていない他の材料の遮
光膜、エッチングストッパ膜およびシフタ膜にも適用可
能であり、また他の波長の光源用の位相シフトレチクル
の製造方法にも適用し得る。
【００１６】
【発明の効果】このように本発明によれば、遮光パター
ンの形状に関わらず、膜厚が均一に制御されたシフトパ
ターンをもつ位相シフトレチクルの製造が可能になる。
従って、透過光の位相ずれに基因する解像度の劣化を防
止して高精度かつ微細なパターンの半導体ウェハを製造
可能とするうえに多大な効果を奏することができる。
ンの形状に関わらず、膜厚が均一に制御されたシフトパ
ターンをもつ位相シフトレチクルの製造が可能になる。
従って、透過光の位相ずれに基因する解像度の劣化を防
止して高精度かつ微細なパターンの半導体ウェハを製造
可能とするうえに多大な効果を奏することができる。
【図１】本発明のレチクル製造過程を示す模式図。
【図２】従来のレチクル製造過程を示す模式図。
１ ガラス基板 ２ エッチングストッパ膜 ３ 遮光膜 ４ レジスト ５ シフタ膜 ６ 位相シフトレチクル ７ ２酸化硅素膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に堆積した遮光膜を所定の形状に
パターニングする過程と、 前記基板上に選択的に２酸化硅素膜を形成し平坦化する
過程と、 前記平坦化された表面にシフタ膜を成膜する過程とを有
することを特徴とする位相シフトレチクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35833592A JPH06202310A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35833592A JPH06202310A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202310A true JPH06202310A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18458771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35833592A Withdrawn JPH06202310A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202310A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07209852A (ja) * | 1993-12-23 | 1995-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 |
| KR20030040048A (ko) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 위상시프트마스크 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP35833592A patent/JPH06202310A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07209852A (ja) * | 1993-12-23 | 1995-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 |
| KR20030040048A (ko) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 위상시프트마스크 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |