JPH0620314A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0620314A JPH0620314A JP19449992A JP19449992A JPH0620314A JP H0620314 A JPH0620314 A JP H0620314A JP 19449992 A JP19449992 A JP 19449992A JP 19449992 A JP19449992 A JP 19449992A JP H0620314 A JPH0620314 A JP H0620314A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】一方の磁性膜の組成が、Ｔｂｘ（Ｆｅ
１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ（ｘ：１０−
２５原子％、ｙ：２５−７５原子％、ｚ：１５−５０原
子％）で表されるものであり、これと磁気特性の異なる
磁性膜が直接相対して構成された光磁気記録媒体。 【効果】この光磁気記録媒体は低磁界から高磁界まで十
分なＣ／Ｎを確保でき、記録再生特性の記録時の外部磁
界に対するマ−ジンを大きく確保できる。
１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ（ｘ：１０−
２５原子％、ｙ：２５−７５原子％、ｚ：１５−５０原
子％）で表されるものであり、これと磁気特性の異なる
磁性膜が直接相対して構成された光磁気記録媒体。 【効果】この光磁気記録媒体は低磁界から高磁界まで十
分なＣ／Ｎを確保でき、記録再生特性の記録時の外部磁
界に対するマ−ジンを大きく確保できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関す
る。さらに、詳しくは記録再生特性の向上した光磁気記
録媒体に関するものである。
る。さらに、詳しくは記録再生特性の向上した光磁気記
録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体の中でも書き込み消去のでき
る書き換え可能型として、従来から知られるものとして
相変化型、フォトクロミック型、光磁気型等がある。こ
れらの書き換え可能型の中でも光磁気型が書き込み速度
や繰返し耐性に優れている特徴がある。光磁気記録媒体
には作成が比較的容易で保磁力が大きい希土類−遷移金
属合金膜が用いられることが多い。
る書き換え可能型として、従来から知られるものとして
相変化型、フォトクロミック型、光磁気型等がある。こ
れらの書き換え可能型の中でも光磁気型が書き込み速度
や繰返し耐性に優れている特徴がある。光磁気記録媒体
には作成が比較的容易で保磁力が大きい希土類−遷移金
属合金膜が用いられることが多い。
【０００３】光磁気記録の方式は光照射により記録膜を
加熱し外部磁界を印加して磁化方向を決定する方式であ
る。外部磁界は通常記録媒体ではなく装置に設置される
が、この外部磁界はなるべく小さいことが装置の小形
化、低電力化、低価格化にとって望まれるところであ
る。しかし、外部磁界の強度は媒体の記録再生特性に大
きな影響を与える。一般的に、外部磁界についてはその
強度が低い場合にはキャリアレベルが低下し、ノイズレ
ルが上昇してＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）が劣化す
る。
加熱し外部磁界を印加して磁化方向を決定する方式であ
る。外部磁界は通常記録媒体ではなく装置に設置される
が、この外部磁界はなるべく小さいことが装置の小形
化、低電力化、低価格化にとって望まれるところであ
る。しかし、外部磁界の強度は媒体の記録再生特性に大
きな影響を与える。一般的に、外部磁界についてはその
強度が低い場合にはキャリアレベルが低下し、ノイズレ
ルが上昇してＣ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）が劣化す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような外部磁界が
弱い領域での、キャリアレベルの低下、ノイズレベルの
上昇という問題点の改善のため、従来次のような検討が
行われてきた。そのひとつは記録膜の組成の検討であ
る。
弱い領域での、キャリアレベルの低下、ノイズレベルの
上昇という問題点の改善のため、従来次のような検討が
行われてきた。そのひとつは記録膜の組成の検討であ
る。
【０００５】希土類−遷移金属アモルファス合金は、一
般に定性的に室温において希土類金属と遷移金属の磁化
のバランスがとれる補償組成と、この補償組成を境界に
希土類金属の磁化の優勢な組成（ＲＥｒｉｃｈ）と遷移
金属優勢な組成（ＴＭｒｉｃｈ）の三種に分けられる。
従来は、磁性膜のこのような組成を調整することにより
弱い磁界での特性向上がはかられてきた（ＩＥＥＥ Ｔ
ＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，
Ｖｏｌ．ＭＡＧ−２２，Ｎｏ．５，ｐ９３１，１９８
６）。又、交換結合多層膜を用いて低磁界で高いＣ／Ｎ
を得ようとする提案もなされている（特開平１−１３０
３４５）。
般に定性的に室温において希土類金属と遷移金属の磁化
のバランスがとれる補償組成と、この補償組成を境界に
希土類金属の磁化の優勢な組成（ＲＥｒｉｃｈ）と遷移
金属優勢な組成（ＴＭｒｉｃｈ）の三種に分けられる。
従来は、磁性膜のこのような組成を調整することにより
弱い磁界での特性向上がはかられてきた（ＩＥＥＥ Ｔ
ＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，
Ｖｏｌ．ＭＡＧ−２２，Ｎｏ．５，ｐ９３１，１９８
６）。又、交換結合多層膜を用いて低磁界で高いＣ／Ｎ
を得ようとする提案もなされている（特開平１−１３０
３４５）。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気特性の異
なる磁性膜、例えば、ＴｉとＣｏをＴｂＦｅに添加する
ことにより、保磁力、垂直磁気異方性、磁壁エネルギ−
が夫々小さくかつキュリー点の高い磁性膜と、保磁力が
大きくキュリー点の低い膜を直接相対して積層すること
により、記録再生特性、とくに外部磁界強度の低い領域
から高い領域まで高いＣ／Ｎが得られる媒体としたもの
である。この記録媒体は、磁界強度の低い領域から高い
領域まで高いＣ／Ｎが得られるため光を照射しながら磁
界を信号に応じて変調してオ−バ−ライトを行う磁界変
調オ−バ−ライトにも適した媒体を供給できる。
なる磁性膜、例えば、ＴｉとＣｏをＴｂＦｅに添加する
ことにより、保磁力、垂直磁気異方性、磁壁エネルギ−
が夫々小さくかつキュリー点の高い磁性膜と、保磁力が
大きくキュリー点の低い膜を直接相対して積層すること
により、記録再生特性、とくに外部磁界強度の低い領域
から高い領域まで高いＣ／Ｎが得られる媒体としたもの
である。この記録媒体は、磁界強度の低い領域から高い
領域まで高いＣ／Ｎが得られるため光を照射しながら磁
界を信号に応じて変調してオ−バ−ライトを行う磁界変
調オ−バ−ライトにも適した媒体を供給できる。
【０００７】本発明の光磁気記録媒体の特徴は、特性の
異なる複数の垂直磁化膜を近接して設けることを特徴と
する。さらに詳しくは、例えば、ＣｏとＴｉを比較的多
量に添加した、キュリー点が高く保磁力が小さく垂直磁
気異方性の低いＴｂＦｅＣｏＴｉと、この膜に比べキュ
リー点が低く保磁力の大きい膜を連続して即ち直接相対
して積層することを特徴とする。
異なる複数の垂直磁化膜を近接して設けることを特徴と
する。さらに詳しくは、例えば、ＣｏとＴｉを比較的多
量に添加した、キュリー点が高く保磁力が小さく垂直磁
気異方性の低いＴｂＦｅＣｏＴｉと、この膜に比べキュ
リー点が低く保磁力の大きい膜を連続して即ち直接相対
して積層することを特徴とする。
【０００８】キュリー点が低く保磁力の大きい膜は、こ
れ単独で十分に記録情報が保持できる膜であればよく、
低い磁界から高い磁界まで高いＣ／Ｎが得られるもので
ある必要はない。キュリー点が高く保磁力の小さい膜は
保磁力が小さいためこれ単独では記録特性に劣り記録保
持も十分ではない。つまり保磁力が小さいため記録した
い情報が冷却過程で保持されず、また例え記録ができて
も情報の保持の面で劣る。
れ単独で十分に記録情報が保持できる膜であればよく、
低い磁界から高い磁界まで高いＣ／Ｎが得られるもので
ある必要はない。キュリー点が高く保磁力の小さい膜は
保磁力が小さいためこれ単独では記録特性に劣り記録保
持も十分ではない。つまり保磁力が小さいため記録した
い情報が冷却過程で保持されず、また例え記録ができて
も情報の保持の面で劣る。
【０００９】本発明者らは、磁気特性の異なる、例えば
前記したような二種類の膜を直接相対して積層すること
により低い磁界から高い磁界まで高いＣ／Ｎが得られる
ことを見出した。即ち本発明は、基板上に少なくとも２
種の磁性膜を持つ光磁気記録媒体であって、これら磁性
膜の少なくとも一つの磁性膜の組成が下記の式 Ｔｂｘ（Ｆｅ１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ ｘ：１０−２５原子％ ｙ：２５−７５原子％ ｚ：１５−５０原子％ で表されるもの（１）であり、これと磁気特性の異なる
磁性膜（２）が前記磁性膜（１）と直接相対して構成さ
れたものである光磁気記録媒体に関するものである。
前記したような二種類の膜を直接相対して積層すること
により低い磁界から高い磁界まで高いＣ／Ｎが得られる
ことを見出した。即ち本発明は、基板上に少なくとも２
種の磁性膜を持つ光磁気記録媒体であって、これら磁性
膜の少なくとも一つの磁性膜の組成が下記の式 Ｔｂｘ（Ｆｅ１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ ｘ：１０−２５原子％ ｙ：２５−７５原子％ ｚ：１５−５０原子％ で表されるもの（１）であり、これと磁気特性の異なる
磁性膜（２）が前記磁性膜（１）と直接相対して構成さ
れたものである光磁気記録媒体に関するものである。
【００１０】磁気特性の異なる一方の磁性膜（１）は、
Ｔｂが１０〜２５原子％で、ＣｏとＴｉがＴｂを除いた
割合で夫々２５〜７５原子％、１５〜５０原子％である
ことが本発明の効果を得る上で必須であり、例えば、キ
ュリー点が高く保磁力の低い膜であって、好ましくはキ
ュリー点が１８０℃以上で、室温での保磁力が５００Ｏ
ｅ以下、又、室温での垂直磁気異方性が５×１０５Ｊ／
ｍ３以下であることである。磁気特性の異なる他方の磁
性膜（２）は、例えば、キュリー点が低く保磁力の大き
い膜で、キュリー点が１５０から２５０℃の範囲で室温
での保磁力が３ｋＯｅ以上であることが好ましい。キュ
リー点が低く保磁力の大きい膜については、保磁力が４
ｋＯｅ以上で、垂直磁気異方性が７×１０５Ｊ／ｍ３以
上であることが更に好ましい。又、前記したこれらの二
種の膜を積層する場合にはキュリー点の差異を３０℃以
上とすることが好ましい。上記した範囲をはずれると本
発明のより以上の効果を得る上で好ましくない。
Ｔｂが１０〜２５原子％で、ＣｏとＴｉがＴｂを除いた
割合で夫々２５〜７５原子％、１５〜５０原子％である
ことが本発明の効果を得る上で必須であり、例えば、キ
ュリー点が高く保磁力の低い膜であって、好ましくはキ
ュリー点が１８０℃以上で、室温での保磁力が５００Ｏ
ｅ以下、又、室温での垂直磁気異方性が５×１０５Ｊ／
ｍ３以下であることである。磁気特性の異なる他方の磁
性膜（２）は、例えば、キュリー点が低く保磁力の大き
い膜で、キュリー点が１５０から２５０℃の範囲で室温
での保磁力が３ｋＯｅ以上であることが好ましい。キュ
リー点が低く保磁力の大きい膜については、保磁力が４
ｋＯｅ以上で、垂直磁気異方性が７×１０５Ｊ／ｍ３以
上であることが更に好ましい。又、前記したこれらの二
種の膜を積層する場合にはキュリー点の差異を３０℃以
上とすることが好ましい。上記した範囲をはずれると本
発明のより以上の効果を得る上で好ましくない。
【００１１】キュリー点が低く保磁力の大きい膜は、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ
などの材料を用いることができ、上記特性を満たす範囲
で添加物、不純物を含んでいても問題はない。キュリー
点が高く保磁力の低い膜は上記の組成範囲で構成される
が、上記特性を満たす範囲で添加物、不純物を含んでも
問題ない。
ｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ
などの材料を用いることができ、上記特性を満たす範囲
で添加物、不純物を含んでいても問題はない。キュリー
点が高く保磁力の低い膜は上記の組成範囲で構成される
が、上記特性を満たす範囲で添加物、不純物を含んでも
問題ない。
【００１２】本発明は、磁気特性の異なる一方の磁性膜
（１）としてＴｂＦｅＣｏＴｉを用いたが、希土類金属
としてＤｙ、ＴｂＤｙ、ＴｂＧｄ、ＤｙＧｄ、ＴｂＤｙ
Ｇｄを用いることができる。又、膜（１）を複数用いる
場合Ｔｉの代わりに非磁性金属として、Ｃｒ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｐｔを単独で、あるいはＴｉを
含めこれらの金属を複数種の組み合わせた膜を用いるこ
ともできる。
（１）としてＴｂＦｅＣｏＴｉを用いたが、希土類金属
としてＤｙ、ＴｂＤｙ、ＴｂＧｄ、ＤｙＧｄ、ＴｂＤｙ
Ｇｄを用いることができる。又、膜（１）を複数用いる
場合Ｔｉの代わりに非磁性金属として、Ｃｒ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｐｔを単独で、あるいはＴｉを
含めこれらの金属を複数種の組み合わせた膜を用いるこ
ともできる。
【００１３】本発明の磁性膜（１）の膜厚は、積層の効
果を得るために２ｎｍ以上で、２０ｎｍ以下であること
が好ましい。２０ｎｍを越えると本来この膜は記録保持
作用に劣るため積層しても記録特性が劣化し、情報の保
存性も悪くなる。又、キュリー点が低く保磁力の大きい
磁性層の膜厚は、記録感度の点から１２０ｎｍ以下が好
ましい。
果を得るために２ｎｍ以上で、２０ｎｍ以下であること
が好ましい。２０ｎｍを越えると本来この膜は記録保持
作用に劣るため積層しても記録特性が劣化し、情報の保
存性も悪くなる。又、キュリー点が低く保磁力の大きい
磁性層の膜厚は、記録感度の点から１２０ｎｍ以下が好
ましい。
【００１４】本発明の磁性膜の作成法は、特性の制御
性、生産性の高さからスパッタリング法によることが好
ましいが、成膜条件は上記に限定されるものでは無く、
他の条件でも可能で在り、蒸着法でも可能である。
性、生産性の高さからスパッタリング法によることが好
ましいが、成膜条件は上記に限定されるものでは無く、
他の条件でも可能で在り、蒸着法でも可能である。
【００１５】本発明の媒体は上記二種の磁性膜を積層す
ることにより、キュリー点の低い層のキュ−リ点以上で
垂直磁気異方性の低い膜に記録されその状態がキュリー
点の低い膜に転写されることにより情報が保持される。
垂直磁気異方性の低い膜は高温域で十分に保磁力が小さ
く、磁壁エネルギ−も小さいが、磁化は有しているため
記録時の外部磁界に反応して、低い磁界でも反転磁区が
ない十分な大きさの磁区が形成され冷却過程でキュリー
点の低い層に転写されて情報が固定される。このような
機構により低い磁界から高い磁界まで高いＣ／Ｎが得ら
れるものと考えられる。
ることにより、キュリー点の低い層のキュ−リ点以上で
垂直磁気異方性の低い膜に記録されその状態がキュリー
点の低い膜に転写されることにより情報が保持される。
垂直磁気異方性の低い膜は高温域で十分に保磁力が小さ
く、磁壁エネルギ−も小さいが、磁化は有しているため
記録時の外部磁界に反応して、低い磁界でも反転磁区が
ない十分な大きさの磁区が形成され冷却過程でキュリー
点の低い層に転写されて情報が固定される。このような
機構により低い磁界から高い磁界まで高いＣ／Ｎが得ら
れるものと考えられる。
【００１６】低磁界から高磁界まで十分なＣ／Ｎを確保
できる特徴は、外部磁界を変調して記録する磁界変調記
録方式においてはより特徴が顕著となる。磁界変調方式
では、通常は光をＤＣ照射し磁界の極性を反転変調する
ため必ず弱い磁界で記録される状態が発生する。この反
転変調の状態では、反転が不十分で磁区が小さく、又、
反転磁区の形成によりノイズが上昇する。しかし、本発
明によればノイズ上昇が抑制される。また、小さい反転
磁界強度においてもノイズが小さく信号強度のおおきな
媒体が得られる。
できる特徴は、外部磁界を変調して記録する磁界変調記
録方式においてはより特徴が顕著となる。磁界変調方式
では、通常は光をＤＣ照射し磁界の極性を反転変調する
ため必ず弱い磁界で記録される状態が発生する。この反
転変調の状態では、反転が不十分で磁区が小さく、又、
反転磁区の形成によりノイズが上昇する。しかし、本発
明によればノイズ上昇が抑制される。また、小さい反転
磁界強度においてもノイズが小さく信号強度のおおきな
媒体が得られる。
【００１７】光磁気記録膜にＴｉを添加するという提案
は多くなされている（特開昭６１−４００１２、特開昭
６１−６８０７号明細書参照）。しかし、これらの開示
技術は単層の磁性層にＣｒを添加して腐食にたいする耐
久性を向上させることを主眼としたものである。したが
って、Ｃｒを添加した磁性膜は光磁気記録媒体としての
基礎特性を満足する必要がある点で本発明とは内容を異
にするものである。
は多くなされている（特開昭６１−４００１２、特開昭
６１−６８０７号明細書参照）。しかし、これらの開示
技術は単層の磁性層にＣｒを添加して腐食にたいする耐
久性を向上させることを主眼としたものである。したが
って、Ｃｒを添加した磁性膜は光磁気記録媒体としての
基礎特性を満足する必要がある点で本発明とは内容を異
にするものである。
【００１８】Ｔｉを添加した光磁気記録膜を、読み出し
層と記録層の二層磁性膜で構成される媒体として用いる
ことが提案されている（特開平２−１４１９５０号明細
書参照）。しかし、この開示技術はＴｉを添加して腐食
にたいする耐久性を向上させることを主眼としたもの
で、Ｔｉを添加した磁性層は光磁気記録媒体の記録層と
しての基礎特性を満足する必要のあるものであり、この
点で、本発明とは内容を異にするものである。
層と記録層の二層磁性膜で構成される媒体として用いる
ことが提案されている（特開平２−１４１９５０号明細
書参照）。しかし、この開示技術はＴｉを添加して腐食
にたいする耐久性を向上させることを主眼としたもの
で、Ｔｉを添加した磁性層は光磁気記録媒体の記録層と
しての基礎特性を満足する必要のあるものであり、この
点で、本発明とは内容を異にするものである。
【００１９】
【実施例】ガラス基板上にスパッタリング装置で保護膜
としてＳｉＮを１００ｎｍ形成し、次いでＴｂタ−ゲッ
トとＣｏとＴｉのチップ、またはＣｏチップのみをのせ
たＦｅＣｏタ−ゲットを用いた二元スパッタリングで磁
性膜を３０ｎｍ形成し、引き続き保護膜としてＳｉＮを
３０ｎｍ形成した。
としてＳｉＮを１００ｎｍ形成し、次いでＴｂタ−ゲッ
トとＣｏとＴｉのチップ、またはＣｏチップのみをのせ
たＦｅＣｏタ−ゲットを用いた二元スパッタリングで磁
性膜を３０ｎｍ形成し、引き続き保護膜としてＳｉＮを
３０ｎｍ形成した。
【００２０】表１に、このものを蛍光Ｘ線により分析し
た組成、キュリー点、室温での垂直磁気異方性、保磁力
を示す。
た組成、キュリー点、室温での垂直磁気異方性、保磁力
を示す。
【００２１】 表１ 試料 組成 キュリー点 垂直磁気異方性 保磁力 １ ｘ：１２ ２３０ １．４ ０．２ ｙ：３５ ｚ：１６ ２ ｘ：１８ ２４０ １．１ ０．１ ｙ：４１ ｚ：２０ ３ ｘ：２０ ３１０ ０．７ ０．１ ｙ：５２ ｚ：３５ ４ ｘ：２３ ２９０ ０．６ ０．１ ｙ：６１ ｚ：４３ ５ ｘ：１４ １８０ ０．４ ０．１ ｙ：３２ ｚ：５０ ６ ｘ：１８ １８０ ７．６ ５．４ ｙ：８ ｚ：０ ７ ｘ：２２ ２２０ ８．２ １０．８ ｙ：１０ ｚ：０ ８ ｘ：２６ １５０ ６．９ １３．０ ｙ：４ ｚ：０ ９ ｘ：２２ ２４０ ５．８ ６．９ ｙ：１５ ｚ：０ 単位 組成 Ｔｂｘ（Ｆｅ１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ ｘ、ｙ、ｚ 原子％ キュリー点 ℃ 垂直磁気異方性 １０５Ｊ／ｍ３ 保磁力 ｋＯｅ １．６μｍピッチの案内溝を有する直径３．５インチの
ポリカ−ボネイト基板と同時に設置したガラス基板上
に、ＳｉＮを１００ｎｍの厚さで形成し、引き続き第１
磁性膜を１０ｎｍ，引き続き第２磁性膜を２０ｎｍ形成
し、さらにＳｉＮを３０ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ形成し
た。磁性膜は表２に示すような組み合わせで作製した。
ポリカ−ボネイト基板と同時に設置したガラス基板上
に、ＳｉＮを１００ｎｍの厚さで形成し、引き続き第１
磁性膜を１０ｎｍ，引き続き第２磁性膜を２０ｎｍ形成
し、さらにＳｉＮを３０ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ形成し
た。磁性膜は表２に示すような組み合わせで作製した。
【００２２】 表２ 試料 第１磁性膜 第２磁性膜 １０ 試料１と同一組成 試料６と同一組成 １１ 試料２と同一組成 試料６と同一組成 １２ 試料３と同一組成 試料７と同一組成 １３ 試料４と同一組成 試料９と同一組成 １４ 試料５と同一組成 試料８と同一組成 これらの試料の記録媒体としての記録再生特性を検討し
た。測定装置は波長７８０ｎｍでＮＡが０．５３の光学
ヘッド、浮上型の磁気ヘッドを備えた磁界変調オ−バ−
ライト型の光磁気ディスク測定装置を用いた。測定条件
は測定半径３０ｍｍ、ディスク回転数２４００ｒｐｍ、
記録再生周波数５．０ＭＨｚ（磁界反転デゥ−ティ１０
０ｎｓ）で記録時の印加磁界を±５０、１００、３００
Ｏｅとして記録パワ−を９ｍＷ（連続光）でＣ／Ｎ比を
求めた。
た。測定装置は波長７８０ｎｍでＮＡが０．５３の光学
ヘッド、浮上型の磁気ヘッドを備えた磁界変調オ−バ−
ライト型の光磁気ディスク測定装置を用いた。測定条件
は測定半径３０ｍｍ、ディスク回転数２４００ｒｐｍ、
記録再生周波数５．０ＭＨｚ（磁界反転デゥ−ティ１０
０ｎｓ）で記録時の印加磁界を±５０、１００、３００
Ｏｅとして記録パワ−を９ｍＷ（連続光）でＣ／Ｎ比を
求めた。
【００２３】各試料の測定結果を表３に示す。 表３ 試料 磁界強度 ±５０ ±１００ ±３００ １０ ４１．６ ４５．２ ４６．８ １１ ４２．２ ４６．４ ４６．７ １２ ４４．９ ４５．８ ４７．１ １３ ４４．８ ４６．１ ４７．２ １４ ４４．６ ４５．９ ４６．９ 単位 Ｃ／Ｎ比 ｄＢ
【００２４】
【比較例】実施例と同様にして表４に示すような磁性膜
が単層の試料を作製した。
が単層の試料を作製した。
【００２５】 表４ 試料 組成 キュリー点 垂直磁気異方性 保磁力 １５ ｘ：２０ ２２０ ４．６ ２．９ ｙ：１０ ｚ：９ １６ ｘ：２０ ２４０ ７．７ ９．２ ｙ：１９ ｚ：７ 単位 組成 Ｔｂｘ（Ｆｅ１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ ｘ、ｙ、ｚ 原子％ キュ−リ点 ℃ 垂直磁気異方性 １０５Ｊ／ｍ３ 保磁力 ｋＯｅ 実施例と同様にしてポリカ−ボネイト基板とガラス基板
上に２層からなる表５に示すような試料を作製した。
上に２層からなる表５に示すような試料を作製した。
【００２６】 表５ 試料 第１磁性膜 第２磁性膜 １７ 試料１５と同一組成 試料６と同一組成 １８ 試料１６と同一組成 試料８と同一組成 １９ 試料２と同一組成 試料９と同一組成 ２０ 試料６と同一組成 試料６と同一組成 実施例と同様に表５の試料を評価した。結果を表６に示
す。
す。
【００２７】 表６ 試料 磁界強度 ±５０ ±１００ ±３００ １７ ３４．２ ３８．５ ４３．１ １８ ２１．３ ３４．５ ３５．９ １９ ３３．４ ３５．７ ４３．１ ２０ ３７．９ ４１．９ ４６．１ これらの試料は特に磁界の低い時にＣ／Ｎが低い。試料
２０はＴｂＦｅＣｏ単層の試料であるが、３００Ｏｅで
は高いＣ／Ｎが得られているが磁界の低い時にＣ／Ｎが
低い。
２０はＴｂＦｅＣｏ単層の試料であるが、３００Ｏｅで
は高いＣ／Ｎが得られているが磁界の低い時にＣ／Ｎが
低い。
【００２８】実施例（試料１０〜１４）と比較例（１７
〜２０）のガラス基板の試料のカ−ル−プをカ−効果測
定装置（波長７８０ｎｍ）を用いて室温からキュリー点
まで測定した。その結果、実施例の試料は全て図１に示
すような結果となった。図中（１）は保磁力を、（２）
は飽和カ−回転角を、（３）は残留カ−回転角を示す。
図中の（２、３）は、飽和カ−回転角と残留カ−回転角
が一致していることを示す。即ち、キュリー点の低い点
（Ｔｃ１）までは残留カ−回転角と飽和カ−回転角は一
致しており良好な角型比を示し、保磁力も比較的大きな
値をもっている。低いキュリー点（Ｔｃ１）を越えると
残留カ−回転角と飽和カ−回転角の差が大きくなり角型
比と保磁力は急激に低下する。
〜２０）のガラス基板の試料のカ−ル−プをカ−効果測
定装置（波長７８０ｎｍ）を用いて室温からキュリー点
まで測定した。その結果、実施例の試料は全て図１に示
すような結果となった。図中（１）は保磁力を、（２）
は飽和カ−回転角を、（３）は残留カ−回転角を示す。
図中の（２、３）は、飽和カ−回転角と残留カ−回転角
が一致していることを示す。即ち、キュリー点の低い点
（Ｔｃ１）までは残留カ−回転角と飽和カ−回転角は一
致しており良好な角型比を示し、保磁力も比較的大きな
値をもっている。低いキュリー点（Ｔｃ１）を越えると
残留カ−回転角と飽和カ−回転角の差が大きくなり角型
比と保磁力は急激に低下する。
【００２９】比較例試料１７、１８のの結果を図２に示
す。図中（４）は保磁力を、（５）は飽和カ−回転角と
残留カ−回転角を示し両者が一致していることを示す。
これらの試料は低いキュリー点（Ｔｃ１）を越えても比
較的大きい保磁力を示し、残留カ−回転角と飽和カ−回
転角は一致しており良好な角型比を有す。これらの試料
は、高温まで保磁力が大きため特に磁界強度の低い場合
には十分な記録ができないと考えられる。比較例試料１
９は２種の磁性膜のキュリー点の差異がなく実施例の試
料のように保磁力と角型比の急激な減少が認められなか
った。また、比較例試料２０のは、比較例試料１９と同
様の結果が得られた。
す。図中（４）は保磁力を、（５）は飽和カ−回転角と
残留カ−回転角を示し両者が一致していることを示す。
これらの試料は低いキュリー点（Ｔｃ１）を越えても比
較的大きい保磁力を示し、残留カ−回転角と飽和カ−回
転角は一致しており良好な角型比を有す。これらの試料
は、高温まで保磁力が大きため特に磁界強度の低い場合
には十分な記録ができないと考えられる。比較例試料１
９は２種の磁性膜のキュリー点の差異がなく実施例の試
料のように保磁力と角型比の急激な減少が認められなか
った。また、比較例試料２０のは、比較例試料１９と同
様の結果が得られた。
【００３０】これらの結果から、低いキュリー点以上で
保磁力が低く、磁化を十分に保持しているため外部磁界
に対し反転しやすく低い磁界でも大きいＣ／Ｎが得られ
る。この保磁力が小さく磁化が比較的大きい点は、垂直
磁気異方性が低いことによるものと考えられ角型比が小
さい事につながる。低いキュリー点以下では交換結合力
により良好な角型比が保たれると考えられる。このよう
な特性を満たすためにはキュリー点の差が３０℃以上必
要であることが判る。
保磁力が低く、磁化を十分に保持しているため外部磁界
に対し反転しやすく低い磁界でも大きいＣ／Ｎが得られ
る。この保磁力が小さく磁化が比較的大きい点は、垂直
磁気異方性が低いことによるものと考えられ角型比が小
さい事につながる。低いキュリー点以下では交換結合力
により良好な角型比が保たれると考えられる。このよう
な特性を満たすためにはキュリー点の差が３０℃以上必
要であることが判る。
【００３１】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体の構成とするこ
とにより低磁界から高磁界まで十分なＣ／Ｎを確保でき
る。
とにより低磁界から高磁界まで十分なＣ／Ｎを確保でき
る。
【００３２】又、複数の連続した磁性膜の組成、キュリ
ー点、保磁力、垂直磁気異方性を規定することにより、
記録再生特性の記録時の外部磁界に対するマ−ジンを大
きく確保できる。
ー点、保磁力、垂直磁気異方性を規定することにより、
記録再生特性の記録時の外部磁界に対するマ−ジンを大
きく確保できる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体のカ−ル−プの温度特
性の一例を示す図。
性の一例を示す図。
【図２】比較例の光磁気記録媒体のカ−ル−プの温度特
性の一例を示す図。
性の一例を示す図。
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に少なくとも２種の磁性膜を持つ光
磁気記録媒体であって、これら磁性膜の少なくとも一つ
の磁性膜の組成が下記の式で表されるもの（１）であ
り、これと磁気特性の異なる磁性膜（２）が磁性膜
（１）と直接相対して構成されたものである光磁気記録
媒体。 Ｔｂｘ（Ｆｅ１００−ｙ−ｚＣｏｙＴｉｚ）１００−ｘ ｘ：１０−２５原子％ ｙ：２５−７５原子％ ｚ：１５−５０原子％ - 【請求項２】Ｔｉを含む少なくとも一つの磁性膜の保磁
力が室温で５００Ｏｅ以下であることを特徴とする請求
項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】Ｔｉを含む少なくとも一つの磁性膜のキュ
リー点が１８０℃以上である請求項１又は２記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項４】磁気特性の異なる磁性膜がそれらのキュリ
ー点において３０℃以上の差を持つ磁性膜同士である請
求項１〜３項いずれか記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19449992A JPH0620314A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19449992A JPH0620314A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620314A true JPH0620314A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16325539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19449992A Pending JPH0620314A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620314A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760592A (en) * | 1995-08-02 | 1998-06-02 | Yazaki Corporation | Method and device for inspecting connectors |
| US5926026A (en) * | 1995-11-14 | 1999-07-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Male terminal inspecting tool of connector |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP19449992A patent/JPH0620314A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760592A (en) * | 1995-08-02 | 1998-06-02 | Yazaki Corporation | Method and device for inspecting connectors |
| US5926026A (en) * | 1995-11-14 | 1999-07-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Male terminal inspecting tool of connector |
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