JPH06203280A - 周波数分割型トランスポンダータグ - Google Patents

周波数分割型トランスポンダータグ

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JPH06203280A
JPH06203280A JP5253491A JP25349193A JPH06203280A JP H06203280 A JPH06203280 A JP H06203280A JP 5253491 A JP5253491 A JP 5253491A JP 25349193 A JP25349193 A JP 25349193A JP H06203280 A JPH06203280 A JP H06203280A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】機能停止に対する耐性の高いトランスポンダー
タグを提供する。 【構成】トランスポンダータグ１０は、二本のアクティ
ブストリップ１２、１４と、二本のバイアスストリップ
１６、１８を有している。四本のストリップ１２、１
４、１６、１８は同一平面上にあり、同一方向を向いて
いる。ハウジング２０は、それぞれのストリップ１２、
１４、１６、１８を収容する四つの空洞２２、２４、２
６、２８を有している。アクティブストリップ１２、１
４は空洞２２、２４の中で自由に振動できるようになっ
ている。空洞２２、２４の壁は、アクティブストリップ
１２、１４を引き付けないように、永久静電防止材料で
被覆されている。バイアスストリップ１６、１８の磁性
材料は、少なくとも１５３０エルステッド程度の高い保
磁力と、少なくとも１９７０ガウス程度の高い残磁性と
を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランスポンダーを内
蔵している存在検知システム用タグに関する。とくに、
所定の強度のバイアス磁場内があるときに周波数を分割
する磁性材料からなるアクティブストリップを有するタ
イプの周波数分割型トランスポンダーを備えたタグの改
良に関する。
【０００２】
【従来の技術とその課題】このタイプの周波数分割型ト
ランスポンダーは、Lucian G. Ferguson と Lincoln
H. Charlot, Jr. による米国特許第４，７２７，３６
０号に開示されている。この米国特許は本願の譲り受け
人に譲渡されている。そこに説明されているトランスポ
ンダーは、磁性材料からなるバイアスストリップを有す
る存在検出用タグを含んでいる。このバイアスストリッ
プは、磁化されたとき、所定磁場強度範囲内になるよう
に磁性材料からなるアクティブストリップをバイアスし
する。これによりトランスポンダーにより周波数が分割
される。周波数分割型トランスポンダーは、磁性材料か
らなるバイアスストリップの磁化を止めることで、その
機能が停止される。このタイプの従来のタグにおいて
は、磁性材料からなるバイアスストリップは特定の寸法
の１０９５カーボンスチールのストリップ（細長板片）
を長手方向に磁化して両端に逆極性の磁極を生じさせた
もので、その保磁力（Ｈc ）が２０ないし４０エルステ
ッドの範囲内にあるものが一般的である。この保磁力は
低いため、バイアスストリップに横向きの往復運動を与
えた際に小型で強力な磁石がバイアスストリップの磁極
の状態を変化させ、トランスポンダーの機能が停止して
しまうことがある。
【０００３】本発明は、従来のタグよりも機能停止に対
する耐性の高い、周波数分割型トランスポンダータグを
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段と作用】本発明のトランス
ポンダータグは、所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁
場内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励起に
反応して、第一の周波数の商である第二の周波数の電磁
放射を放射する、磁性材料からなるアクティブストリッ
プと、アクティブストリップと共にハウジングの中にア
クティブストリップに関連して配置された、所定磁場強
度範囲内にあるバイアス磁場でアクティブストリップを
磁気的にバイアスする、磁性材料からなる一対のバイア
スストリップとを備えていて、バイアスストリップが、
少なくとも１５３０エルステッド程度の高い保磁力と、
少なくとも１９７０ガウス程度の高い残磁性（残留磁
気）とを有している磁性体である。
【０００５】高保磁力磁性体は、研磨や機械加工がしば
しば必要なアルニコ系などのセラミックメタル合金磁石
に比べて安価で、射出成形磁石や加圧加工磁石、プラス
チック製磁石などの他の磁石とも比べても安価である。
【０００６】バイアスストリップの磁性材料が、バリウ
ムフェライトとネオジウム鉄ボロンからなるグループか
ら選択されていて、バイアスストリップが、前述の磁性
材料の粒子を含んだポリマーを有しているとなおよい。
【０００７】バイアスストリップの磁性材料は、最大幅
が約５０ミリで、横方向に平行な磁気モーメントを有し
ている細長いリボン状に作られ、バイアスストリップは
このリボンを横方向に切って作られる。しかし、好まし
い設計パラメーターに合わせるため、トランスポンダー
のアクティブストリップの長さは５０ｍｍよりも長く、
このため仮にバイアスストリップの長さが５０ｍｍ以下
であると、アクティブストリップの両端ではバイアス磁
場がひずんでしまうため、トランスポンダーが満足に働
かなくなる。
【０００８】このため、本発明のトランスポンダータグ
は、所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場内にあると
き、第一の周波数の電磁放射による励起に反応して、第
一の周波数の商である第二の周波数の電磁放射を放射す
る、所定の長さの磁性材料からなるアクティブストリッ
プと、アクティブストリップと共にハウジングの中にア
クティブストリップの両側に配置された、所定磁場強度
範囲内にあるバイアス磁場でアクティブストリップを磁
気的にバイアスする、磁性材料からなる一対のバイアス
ストリップとを備えていて、バイアスストリップは、ア
クティブストリップの長さよりも横幅の狭い、横方向に
平行な磁気モーメントを持つリボンから、横方向に対し
てある傾斜角をもって切り出して作られ、縦成分と横成
分を持つ傾いた磁気モーメントを持っていて、縦成分が
同じ方向を向き、横成分が反対方向を向くように、ハウ
ジングの中に配置されている。
【０００９】また、本発明のトランスポンダータグは、
所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場内にあるとき、
第一の周波数の電磁放射による励起に反応して、第一の
周波数の商である第二の周波数の電磁放射を放射する、
磁性材料からなる第一アクティブストリップと、第一ア
クティブストリップと共にハウジングの中に第一アクテ
ィブストリップに関連して配置された、所定磁場強度範
囲内にあるバイアス磁場で第一アクティブストリップを
磁気的にバイアスする、磁性材料からなる一対の第一バ
イアスストリップと、所定磁場強度範囲内にあるバイア
ス磁場内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励
起に反応して第二の周波数の電磁放射を放射する、磁性
材料からなる第二アクティブストリップと、第二アクテ
ィブストリップと共にハウジングの中に第二アクティブ
ストリップに関連して配置された、所定磁場強度範囲内
にあるバイアス磁場で第二アクティブストリップを磁気
的にバイアスする、磁性材料からなる一対の第二バイア
スストリップとを備えていて、第一アクティブストリッ
プと第一バイアスストリップが、第二アクティブストリ
ップと第二バイアスストリップと同じハウジングの中
に、第一アクティブストリップが第二アクティブストリ
ップと直交するように配置されている。アクティブスト
リップとバイアスストリップからなる第一ストリップ群
と第二ストリップ群は、同じ周波数の電磁放射による励
起に反応して周波数分割を行なう一対のトランスポンダ
ーを構成している。これらは、一方のトランスポンダー
が反応しない向きにあるとき、他方のトランスポンダー
が最適な向きにあり、互いに補償し合うようになってい
る。
【００１０】さらに、本発明のトランスポンダータグ
は、所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場内にあると
き、第一の周波数の電磁放射による励起に反応して、第
一の周波数の商である第二の周波数の電磁放射を放射す
る、磁性材料からなるアクティブストリップと、アクテ
ィブストリップと共にハウジングの中にアクティブスト
リップに関連して配置された、所定磁場強度範囲内にあ
るバイアス磁場でアクティブストリップを磁気的にバイ
アスする、磁性材料からなる一対のバイアスストリップ
とを備えていて、ハウジングは永久静電防止材料で被覆
したプラスチック材料で出来ていて、ハウジングはアク
ティブストリップを振動可能に収容する空洞を有し、空
洞の壁はアクティブストリップを引き付けないように永
久静電防止材料で被覆されている。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。
【００１２】図１と図２に示すように、存在検知システ
ム用タグ１０は、磁性材料からなる第一アクティブスト
リップ１２、磁性材料からなる第二アクティブストリッ
プ１４、磁性材料からなる第一バイアスストリップ１
６、磁性材料からなる第二バイアスストリップ１８を有
している。二本のバイアスストリップ１６、１８は共に
二本のアクティブストリップ１２、１４と同じ面にあ
り、四本のストリップ１２、１４、１６、１８は共に同
じ方向を向いている。
【００１３】タグ１０は、第一アクティブストリップ１
２と第二アクティブストリップ１４を収容する空洞２２
と２４、第一バイアスストリップ１６と第二バイアスス
トリップ１８を収容する空洞２６と２８を定めるハウジ
ング２０を有している。
【００１４】ハウジング２０は、空洞２２、２４、２
６、２８の壁となる、ハードプラスチックカバー３０、
プラスチックベース３２、プラスチックスーペーサー３
４、プラスチックリッジ３６を有している。アクティブ
ストリップ１２、１４は、空洞２２、２４の中で干渉す
ることなく自由に振動でき、また空洞２２、２４の壁か
ら機械的なストレスを受けないようになっている。空洞
２２、２４の壁は永久静電防止材料で覆われていて、ア
クティブストリップ１２、１４が壁に引きつけられるこ
とのないようになっている。
【００１５】空洞２２、２４の寸法は、アクティブスト
リップ１２、１４の寸法よりもわずかに大きけれさえす
ればよい。バイアスストリップ１６、１８は自由に動け
る必要はなく、接着剤やハウジング２０のカバー３０と
ベース３２で挟むことによってハウジング２０に固定し
てもよい。
【００１６】第一アクティブストリップ１２と第二アク
ティブストリップ１４の各々は、横単軸性磁気異方性を
有する軟磁性磁歪アモルファス材料からなる薄膜状リボ
ンで構成されている。その磁気力学共振周波数ｆはリボ
ンの寸法できまる。リボンは、所定磁場強度範囲内のバ
イアス磁場内にあるとき、周波数「２ｆ」の電磁放射に
よる励起に反応して、２ｆの半分の周波数ｆの電磁放射
を放射する。
【００１７】好適な軟磁性磁歪アモルファス材料、これ
でアクティブストリップ１２、１４を構成する際に適し
た処理とその寸法は、前述の米国特許第４，７２７，３
６０号に述べられている。
【００１８】アクティブストリップ１２、１４の寸法
は、長さ６５ｍｍ、幅２．５ｍｍ、厚さ２８ミクロンで
ある。長さは図２にｈで示されている。
【００１９】第一バイアスストリップ１６と第二バイア
スストリップ１８は、第一アクティブストリップ１２の
両側に配置されていて、バイアス磁場により第一アクテ
ィブストリップ１２を所定磁場強度範囲内に磁気的にバ
イアスする。
【００２０】バイアスストリップ１６、１８の磁性材料
は、少なくとも１５３０エルステッド程度の高い保磁力
と、少なくとも１９７０ガウス程度の高い残磁性とを有
している。バイアスストリップ１６、１８の磁性材料
は、バリウムフェライトとネオジウム鉄ボロンからなる
グループから選択されている。バイアスストリップ１
６、１８は、前述の磁性材料の粒子を含んだポリマーの
磁性材料リボンで作られている。
【００２１】図３に示すように、バイアスストリップ１
６、１８は、リボン３８の横方向に平行な磁気モーメン
ト「Ｍ」を持つように磁化した磁性材料リボン３８から
切り出して作られる。磁性材料リボン３８の幅「ｗ」は
約５１ｍｍで、アクティブストリップ１２、１４の長さ
ｈの６５ｍｍよりも短い。バイアスストリップ１６、１
８の二点間の長さｈが約６５ｍｍとなるように、バイア
スストリップ１６、１８はリボン３８の横方向に対して
傾斜角「α」をもって切断される。これにより各バイア
スストリップ１６、１８は、図４に示すように、縦成分
が「ＭLN」、横成分が「ＭLT」の斜めの磁気モーメント
「Ｍ」を持つようになる。
【００２２】バイアスストリップ１６、１８の傾斜角α
と幅の好ましい組み合わせを図５のグラフに示す。図５
から分かるように、バイアスストリップ１６、１８の幅
は、傾斜角αが約１８度のとき、約１．８ｍｍないし
３．３ｍｍの範囲内にあり、傾斜角αが約４２度のと
き、約２．５ｍｍないし４．３ｍｍの範囲内にある。
【００２３】図２と図４に示すように、バイアスストリ
ップ１６、１８は、第一アクティブストリップ１２の両
側で、縦成分は同じ方向を向き、横成分は向き合うよう
に、ハウジング２０の中に配置されている。
【００２４】ストリップ１２、１４、１６、１８の中心
間の間隔「ｄ」（図２参照）は約８．５ｍｍである。
【００２５】第二アクティブストリップ１４は、第二バ
イアスストリップ１８に対して第一アクティブストリッ
プ１２の反対側にあたる、第二バイアスストリップ１８
の側に配置されている。このため、第一アクティブスト
リップ１２と同じ磁場強度範囲内にはバイアスされな
い。第一アクティブストリップ１２と第二アクティブス
トリップ１４のバイアスの目標となっているそれぞれの
磁場強度範囲は重なり合って、周波数を分割し得る所定
磁場強度範囲の一部になっていてもよい。第二アクティ
ブストリップ１４の近くにあるのは第二バイアスストリ
ップ１８だけなので、第二アクティブストリップ１４を
バイアスする磁場は、第一アクティブストリップ１２を
バイアスする磁場よりも弱い。周囲の磁場が、第一バイ
アスストリップ１６と第二バイアスストリップ１８とに
より与えられる磁場と結合して、第一アクティブストリ
ップ１２を所定磁場強度範囲を越えたバイアス磁場でバ
イアスするような強さにあるとき、第二アクティブスト
リップ１４をバイアスする磁場は、周波数を分割し得る
所定磁場強度範囲内にまだあるかもしれない。
【００２６】本発明による存在検知システム用トランス
ポンダータグの別の実施例を図６に示す。トランスポン
ダータグ４０は第一ストリップ群と第二ストリップ群を
共通のハウジング５０の中に有している。第一ストリッ
プ群は、磁性材料からなる一本のアクティブストリップ
４２と磁性材料からなる一対のバイアスストリップ４４
とを有し、第二ストリップ群は、磁性材料からなる一本
のアクティブストリップ４６と磁性材料からなる一対の
バイアスストリップ４８とを有している。第一ストリッ
プ群のアクティブストリップ４２と一対のバイアススト
リップ４４は同一平面上に同じ向きに配置されている。
第二ストリップ群のアクティブストリップ４６と一対の
バイアスストリップ４８は同一平面上に同じ向きに配置
されていて、その向きは第一ストリップ群のストリップ
４２、４４の向きと直交している。第一ストリップ群の
ストリップ４２、４４と第二ストリップ群のストリップ
４６、４８の間の磁気結合による有害な相互作用は、ふ
たつのストリップ群の向きを直交させることにより最小
になっている。ハウジング５０は、ストリップ４２、４
４、４６、４８を分離する空洞（図示せず）を形づくっ
ている。空洞は図１の実施例と同じ様に作られている。
ハウジング５０は、タグ４０を検査商品に取り付けるた
めの取付機構５２を有している。取り付けは、ピンを商
品に通し取付機構に挿入することで行なわれる。
【００２７】アクティブストリップ４２、４６とバイア
スストリップ４４、４８はそれぞれ、図１の実施例のア
クティブストリップ１２、１４とバイアスストリップ１
６、１８と同じ材料、同じ大きさ、同じ構造となってい
る。
【００２８】第一ストリップ群の二本のバイアスストリ
ップ４４はハウジング５０の中に、縦成分は同じ方向を
向き、横成分は反対方向を向くよう、第一ストリップ群
のアクティブストリップ４２の両側に設けられている。
【００２９】第二ストリップ群の二本のバイアスストリ
ップ４８はハウジング５０の中に、縦成分は同じ方向を
向き、横成分は反対方向を向くよう、第二ストリップ群
のアクティブストリップ４６の両側に設けられている。
【００３０】第一ストリップ群のアクティブストリップ
４２と第二ストリップ群のアクティブストリップ４６の
各々は、横単軸性磁気異方性を有する軟磁性磁歪アモル
ファス材料からなる薄膜状リボンで構成されている。そ
の磁気力学共振周波数ｆはリボンの寸法できまる。リボ
ンは、所定磁場強度範囲内のバイアス磁場内にあると
き、周波数「２ｆ」の電磁放射による励起に反応して、
２ｆの半分の周波数ｆの電磁放射を放射する。
【００３１】したがって、一本のアクティブストリップ
４２と一対のバイアスストリップ４４からなる第一スト
リップ群と、一本のアクティブストリップ４６と一対の
バイアスストリップ４８からなる第二ストリップ群は、
同じ周波数の電磁放射による励起に反応して周波数分割
を行なう一対のトランスポンダーを構成している。これ
らは、一方のトランスポンダーが反応しない向きにある
とき、他方のトランスポンダーが最適な向きにあり、互
いに補償し合うようになっている。
【００３２】タグ１０、４０は、図７に示す存在検知シ
ステムに使用される。このようなシステムの実施例は、
タグ１０のほかに、発信機５６と検出系５８を有してい
る。発信機５６は検査領域６２の中に送信信号６０を送
信する。送信信号６０は、アクティブストリップ１２、
１４の磁気力学共振周波数ｆの二倍にあたる周波数２ｆ
を有している。検出系５８は、第一アクティブストリッ
プ１２と第二アクティブストリップ１４の共振周波数ｆ
の電磁信号６４を検出し、これにより検査領域６２の中
のタグ１０の存在を検知する。
【図面の簡単な説明】
【図１】非機能停止周波数分割型トランスポンダーを内
蔵した存在検知システム用タグの実施例を示す図であ
る。
【図２】図１のタグのアクティブストリップとバイアス
ストリップの相対位置を示す図である。
【図３】磁性材料からなるリボンからバイアスストリッ
プが作られる様子を示す図である。
【図４】磁性材料からなるバイアスストリップの磁気モ
ーメントの向きを示す図である。
【図５】バイアスストリップの磁気モーメントの向きと
バイアスストリップの幅の最適な組み合わせのグラフで
ある。
【図６】一対の非機能停止周波数分割型トランスポンダ
ーを内蔵している存在検知システム用タグの別の実施例
のアクティブストリップとバイアスストリップの相対位
置を示す図である。
【図７】本発明による機能停止可周波数分割型トランス
ポンダータグを含めた存在検知システムのダイアグラム
である。
【符号の説明】
１０…トランスポンダータグ、１２…アクティブストリ
ップ、１６、１８…バイアスストリップ、２０…ハウジ
ング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルシアン・ジー・ファーグソン アメリカ合衆国、ワシントン州 98115、 シアトル、スート 200、ルーズベルト・ ウエイ・エヌイー 6920 (72)発明者 ウイリアム・ディー・トーマス アメリカ合衆国、フロリダ州 33714、セ イント・ピータースバーグ、フォーティー エイス・アベニュー・エヌ 6633

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場
    内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励起に反
    応して、第一の周波数の商である第二の周波数の電磁放
    射を放射する、所定の長さの磁性材料からなるアクティ
    ブストリップ（１２）と、 アクティブストリップと共にハウジング（２０）の中に
    アクティブストリップ（１２）の両側に配置された、所
    定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場でアクティブスト
    リップを磁気的にバイアスする、磁性材料からなる一対
    のバイアスストリップ（１６、１８）とを備えていて、 バイアスストリップは、アクティブストリップの長さよ
    りも横幅の狭い、横方向に平行な磁気モーメントを持つ
    リボン（３８）から、横方向に対してある傾斜角をもっ
    て切り出して作られ、縦成分と横成分を持つ傾いた磁気
    モーメントを持っていて、縦成分が同じ方向を向き、横
    成分が反対方向を向くように、ハウジングの中に配置さ
    れている、トランスポンダータグ（１０）。
  2. 【請求項２】 バイアスストリップ（１６、１８）が、
    傾斜角が約１８度のときにその幅が約０．０７インチ
    （１．８ミリ）ないし０．１３インチ（３．３ミリ）の
    範囲内にあり、傾斜角が約４４度のときにその幅が約
    ０．１０インチ（２．５ミリ）ないし０．１７インチ
    （４．３ミリ）の範囲内にある請求項１に記載のトラン
    スポンダータグ（１０）。
  3. 【請求項３】 バイアスストリップ（１６、１８）の磁
    性材料が、少なくとも１５３０エルステッド程度の高い
    保磁力と、少なくとも１９７０ガウス程度の高い残磁性
    とを有している請求項１に記載のトランスポンダータグ
    （１０）。
  4. 【請求項４】 バイアスストリップ（１６、１８）の磁
    性材料が、バリウムフェライトとネオジウム鉄ボロンか
    らなるグループから選択されていて、バイアスストリッ
    プ（１６、１８）が、前述の磁性材料の粒子を含んだポ
    リマーを有している請求項３に記載のトランスポンダー
    タグ（１０）。
  5. 【請求項５】 ハウジング（２０）はアクティブストリ
    ップ（１２）を振動可能に収容する空洞（２２）を有
    し、空洞の壁はアクティブストリップを引き付けないよ
    うに永久静電防止材料で被覆されている請求項１に記載
    のトランスポンダータグ（１０）。
  6. 【請求項６】 アクティブストリップと一対のバイアス
    ストリップからなる第一ストリップ群（４２、４４）
    と、アクティブストリップと一対のバイアスストリップ
    からなる第二ストリップ群（４６、４８）とを有し、第
    一ストリップ群と第二ストリップ群はひとつのハウジン
    グ（５０）の中に、第一ストリップ群のアクティブスト
    リップと第二ストリップ群のアクティブストリップが直
    交するように配置されている請求項１に記載のトランス
    ポンダータグ（４０）。
  7. 【請求項７】 前記磁場強度範囲内にあるバイアス磁場
    内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励起に反
    応して、第一の周波数の商である第二の周波数の電磁放
    射を放射する、磁性材料からなる第二アクティブストリ
    ップ（１４）をさらに備え、 第二アクティブストリップ（１４）は一方のバイアスス
    トリップ（１８）の近くに、第一アクティブストリップ
    （１２）の反対側にあたるバイアスストリップの側に配
    置されていて、第一アクティブストリップ１２と同じ磁
    場強度範囲内にはバイアスされない請求項１に記載のト
    ランスポンダータグ（１０）。
  8. 【請求項８】 所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場
    内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励起に反
    応して、第一の周波数の商である第二の周波数の電磁放
    射を放射する、磁性材料からなるアクティブストリップ
    （１２）と、 アクティブストリップと共にハウジング（２０）の中に
    アクティブストリップ（１２）に関連して配置された、
    所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場でアクティブス
    トリップを磁気的にバイアスする、磁性材料からなる一
    対のバイアスストリップ（１６、１８）とを備えてい
    て、 バイアスストリップが、少なくとも１５３０エルステッ
    ド程度の高い保磁力と、少なくとも１９７０ガウス程度
    の高い残磁性（残留磁気）とを有している磁性体であ
    る、トランスポンダータグ（１０）。
  9. 【請求項９】 バイアスストリップ（１６、１８）の磁
    性材料が、バリウムフェライトとネオジウム鉄ボロンか
    らなるグループから選択されていて、バイアスストリッ
    プが、前述の磁性材料の粒子を含んだポリマーを有して
    いる請求項８に記載のトランスポンダータグ（１０）。
  10. 【請求項１０】 所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁
    場内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励起に
    反応して、第一の周波数の商である第二の周波数の電磁
    放射を放射する、磁性材料からなる第一アクティブスト
    リップ（４２）と、 第一アクティブストリップと共にハウジング（５０）の
    中に第一アクティブストリップ（４２）に関連して配置
    された、所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場で第一
    アクティブストリップを磁気的にバイアスする、磁性材
    料からなる一対の第一バイアスストリップ（４４）と、 所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場内にあるとき、
    第一の周波数の電磁放射による励起に反応して第二の周
    波数の電磁放射を放射する、磁性材料からなる第二アク
    ティブストリップ（４６）と、 第二アクティブストリップと共にハウジング（５０）の
    中に第二アクティブストリップ（４６）に関連して配置
    された、所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場で第二
    アクティブストリップを磁気的にバイアスする、磁性材
    料からなる一対の第二バイアスストリップ（４８）とを
    備えていて、 第一アクティブストリップ（４２）と第一バイアススト
    リップ（４４）が、第二アクティブストリップ（４６）
    と第二バイアスストリップ（４８）と同じハウジング
    （５０）の中に、第一アクティブストリップが第二アク
    ティブストリップと直交するように配置されている、ト
    ランスポンダータグ（１０）。
  11. 【請求項１１】 所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁
    場内にあるとき、第一の周波数の電磁放射による励起に
    反応して、第一の周波数の商である第二の周波数の電磁
    放射を放射する、磁性材料からなるアクティブストリッ
    プ（１２）と、 アクティブストリップと共にハウジング（２０）の中に
    アクティブストリップ（１２）に関連して配置された、
    所定磁場強度範囲内にあるバイアス磁場でアクティブス
    トリップを磁気的にバイアスする、磁性材料からなる一
    対のバイアスストリップ（１６、１８）とを備えてい
    て、 ハウジングは永久静電防止材料で被覆したプラスチック
    材料で出来ていて、ハウジング（２０）はアクティブス
    トリップ（１２）を振動可能に収容する空洞（２２）を
    有し、空洞の壁はアクティブストリップを引き付けない
    ように永久静電防止材料で被覆されている、トランスポ
    ンダータグ。
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