JPH06203376A

JPH06203376A - 重合体薄膜を形成する方法及び磁気記録体

Info

Publication number: JPH06203376A
Application number: JP5293474A
Authority: JP
Inventors: Thomas Hall Baum; トーマス・ホール・バウム; Paul Brain Comita; ポール・ブライアン・コミタ; Mark S Crowder; マーク・ステファン・クラウダー; Iii George W Tyndall; ジョージ・ウイリアム・トライダル、サード
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-12-10
Filing date: 1993-11-24
Publication date: 1994-07-22
Also published as: SG43687A1; EP0601839A1

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気記録体に潤滑用の重合体薄膜を被着させ
る方法を与える。【構成】本発明の方法は、潤滑用の重合体薄膜を、例
えば薄膜磁気デイスクとか、磁気ヘツドのスライダのよ
うな磁気記録装体の表面にイオン・ビーム発生装置を用
いて被着させる方法である。【効果】本発明により、デイスクとヘツドの界面にお
ける磨耗及び粘着の問題を顕著に改善する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、重合体薄膜で磁気記録
体を被覆する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、磁気記録装置は薄膜磁気記録デイ
スクと、デイスクに情報を書き込み、またはデイスクか
ら情報を読み取るためのデイスク面に沿つて移動するス
ライダ、またはヘツドを含んでいる。

【０００３】通常、薄膜磁気記録デイスクは、燐ニツケ
ル合金のような粗面（textured）の表面被膜を有するア
ルミニウム・マグネシウム合金のような基板と、コバル
トを主とする合金の薄膜、または酸化γ鉄の薄膜のよう
な磁性体薄膜と、スパツタ付着された水素化炭素の薄膜
とを含んでいる。しばしば、ポリペルフルオロエーテル
のような潤滑剤が上述の炭素薄膜の上に添加されてい
る。このような薄膜デイスクの全般的な構造は米国特許
第４６１０９１１号及び同第４５５２８２０号に記載さ
れている。

【０００４】デイスク面上の潤滑剤は、デイスクとスラ
イダ、またはデイスクとヘツドが動作中に相対運動をし
ている時に、デイスクとヘツドとの境界面に生じる磨耗
を少なくする機能を持つている。過度の磨耗は結局、記
録装置の故障を生じる。潤滑剤の第２の機能はヘツドと
デイスクとの間の静的摩擦（粘着）を減少することであ
る。過度の粘着は、記録装置の始動の時に記録装置の誤
動作を生じる。

【０００５】従来の磁気記録デイスクは液体の潤滑剤を
使用していた。液体の潤滑剤はフルオロカーボン（過フ
ツ化炭化水素）／クロロフルオロカーボンの溶剤を用い
た溶剤の多い処理（solvent intensive process）によ
つて付着される。然しながら、このような溶剤の使用は
省略することができる。更に、液体潤滑剤は、デイスク
の回転動作中に振り落とされることによつて消滅する。
また、液体潤滑剤の使用はデイスク面上の潤滑剤の厚さ
に変化を生じる。潤滑層が、あまりにも薄い場合には、
デイスク面に大きな磨耗が生じ、潤滑剤の層が厚過ぎる
場合には、ヘツドとデイスクの間の粘着力が増加する。
このことは、平滑な面を持つデイスクの場合に特に当て
嵌まることであつて、毛細管現象による力と、メニスカ
スの形成とがヘツドとデイスクの境界面で許容し得ない
高い粘着力を生じる。

【０００６】液体潤滑剤の添加に伴なつた問題を回避す
るために、潤滑剤の気相の付着が開発されている。米国
特許第４８１６３３４号は磁気記録デイスクの面に重合
体潤滑剤の気相の付着処理を開示している。潤滑剤の気
相は、蒸着、スパツタリング、イオン・プレーテイング
等の種々の技術によつて作成される。蒸着処理におい
て、重合体の気相は、加熱することによつて形成される
か、または重合体の表面上にイオン・ビームを衝突させ
ることによつて形成される。次に、気相は潤滑剤の層を
形成するためにデイスクの表面に付着される。然しなが
ら、ガス状の重合体分子の比較的大きな寸法のために、
重合体の薄膜は、デイスク面に良好に接着しないので、
剥離、亀裂などを生じる原因になる。加えて、重合体の
気相の付着は、平滑なデイスク面の粘着性に関連した問
題を生じる液体のような性質を示す薄膜が作られる。

【０００７】米国特許第４４１９４０４号及び米国特許
第４９２５７３３号はプラズマ重合化有機単量体ガスに
よつて記録媒体の磁気層上に重合体薄膜を形成する方法
を開示している。然しながら、プラズマ重合は、付着処
理の制御が難しく、作られる薄膜の組成を制御するのが
困難なので、不充分である。これは、主として、付着処
理の間でデイスク上に衝突する変化された種から生じ
る。例えば、代表的なプラズマは、正符号及び負符号の
両方の符号を持つイオン（両者のエネルギは大きく異な
る）、電子、前駆物質から発生した自由基（free radic
al）及び親分子（parent molecule）を含んでいる。従
つて、磁気記録装置用の部品上に効果的な潤滑用薄膜を
形成する技術が必要である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従つて、本発明の目的
は、磁気記録装体の表面に潤滑用の重合体薄膜を形成す
る方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は磁気記録装体の
表面に、潤滑用の重合体薄膜（polymeric film）を被着
する方法に関しており、下記の処理ステツプを含んでい
る。即ち、その処理ステツプは、（i）真空室中に物
体を置くステツプと、（ii）真空室を排気するステツ
プと、（iii）一方の符号のイオン・ビームを発生す
るステツプと、（iv）物体上に重合体薄膜を形成する
ために、上記物体の面をイオン・ビーム及び前駆物質ガ
スに接触させるステツプとである。

【００１０】本発明の主要な特徴は、一方の符号を持つ
イオンのビームを用いた前駆物質ガスによつて磁気記録
体の表面上に重合体薄膜を形成することである。重合体
薄膜は、動作中に生じる磨耗をなくし、かつ粘着力を減
少するために、磁気記録体のための潤滑剤として機能す
る。良好な実施例として、本発明の処理方法は、薄膜磁
気記録デイスクを被着するのに使用される。前駆物質ガ
スは、真空室の中に流入させ、薄膜形成ステツプの間で
物品の表面を通過する単量体（モノマ）ガスが好まし
い。イオンのビームは、正に充電され、単一エネルギで
イオン・ビーム発生装置により発生されるのが望まし
い。

【００１１】また、本発明は、上述の処理方法で作られ
た磁気記録体にも関連がある。

【００１２】

【実施例】本発明は磁気記録体の表面に重合体薄膜を形
成する方法に関している。

【００１３】図１を参照すると、磁気記録体に重合体薄
膜を形成するための処理装置が示されている。この処理
装置は真空室１０と、ラジオ周波数（ＲＦ）で発生され
たイオン・ビーム供給源（ＲＦイオン・ビーム供給装
置）１２とを含んでいる。ＲＦイオン・ビーム供給装置
１２は、真空室１０の壁面に露出されたセラミツク・ウ
インドウ１６に隣接したＲＦコイル１４（関連する電子
回路を含む）を含んでいる。真空室１０の内部には、イ
オン吸引グリツド２０及び２２と、環状のガス吸入口２
４と、ガス吸入口２６及び２８と基体ホルダ３０とがあ
る。

【００１４】本発明の処理の最初のステツプにおいて、
対象物（例えば、デイスク）が真空室１０内の基体ホル
ダ３０の上に置かれる。良好な実施例において、本発明
の処理は薄膜磁気記録デイスクを被覆するために使用さ
れる。代表的な従来のデイスクは、例えばアルミニウ
ム、アルミナ、ガラス、炭素またはプラスチツクで構成
された粗面、または平滑面の基体と、例えばクロムのよ
うな下層と、例えば白金コバルト、クロム、または酸化
鉄を含む磁性層と、炭素のような表面被覆層とを含んで
いる。スライダ、ヘツド、テープ、あるいはサスペンシ
ヨン構造のヘツドのような他の磁気記録素子を、本発明
の処理を用いて重合体薄膜で被覆することができる。

【００１５】イオン・ビーム供給源はイオン・ビーム発
生装置が好ましい。市販されているイオン・ビーム発生
装置は、直流フイラメントのイオン・ビーム供給源と、
誘導的に結合されたラジオ周波数発生源か、またはマイ
クロウエーブを発生する電子サイクロトロン共振装置の
ような回路を持つフイラメントなしのイオン・ビーム供
給源とを含んでいる。

【００１６】本発明の処理の第２のステツプにおいて、
真空室１０は、排出口３８から排気させて、約１×１０
^-3トル（torr）以下（好ましくは約１×１０^-4トル、よ
り望ましくは約１×１０^-5トル）の圧力に減圧されるの
が望ましい。

【００１７】次に、前駆物質ガスが真空室中に流入され
る。前駆物質ガスは薄膜形成ステツプの間で真空室内に
流されるのが好ましいが、前駆物質ガスは、薄膜形成処
理の間、デイスク面と接触するデイスク３６の面上に流
されるのが更に好ましい。本発明の処理方法の１実施例
において、磁気記録デイスクの表面は、デイスクの表面
を前処理するために、真空室の中の前駆物質ガスの導入
前にイオンのビームに晒される。代案として、前駆物質
ガスは、イオンのビームが磁気記録デイスクの表面に接
触する前に真空室中に導入することができる。前駆物質
ガスは、デイスク３６の方に差し向けられた複数の開孔
を有する環状の管を含むリング状ガス吸入口２４を通し
て、毎分１乃至１５立方センチメートル（ｓｃｃｍ）の
流量で真空室１０の中に導入されるのが望ましい。

【００１８】本発明の処理に用いられる適当な重合化可
能な前駆物質ガスは、単量体ガス、あるいは、望ましく
は約１０以下の、より望ましくは約５以下の重合度を有
する低分子量のオリゴマー・ガスである。前駆物質ガス
は、室温で、約１ミリ・トル以上、好ましくは約５０ミ
リ・トル以上、より好ましくは約１トル以上の部分圧力
を持つのが望ましい。適当なガスは、炭化水素ガス、ハ
ロ炭化水素（halocarbon）ガス、シリコンを含むガス、
窒素を含む炭化水素ガス及びそれらの混合物のガスなど
を含む。

【００１９】適当な炭化水素ガスは、ヘキサン、ペンタ
ン、シクロペンタン、ブテン、１、３−ブタジエン、２
−ブチン及びベンゼンなどのアルカン、アルケン及びア
ルキンなどを含む。好ましい炭化水素ガスは、ジエン、
アクリル、スチレン、アルケン及びアルキン等の容易に
重合化し得るモイエテイ（moiety）を含む。

【００２０】適当なハロ炭化水素ガスは、カーボン・テ
トラフルオライド（cabon tetrafluoride）、ヘキサフ
ルオロエチレン、ペルフルオロプロパン、ペルフルオロ
ブタン及びペルフルオロシクロブタンのようなフツ化ア
ルカンと、ペルフルオロプロペン、ペルフルオロブテ
ン、ペルフルオロシクロペンテン、ヘクサフルオロブタ
ジエン、ビニール・フルオライド、ペンタフルオロスチ
レンのようなフツ化アルキンと、トリフルオロプロピ
ン、ヘキサフルオロブチン及びフルオロアセチレンのよ
うなフツ化アルキンと、ヘキサフルオロプロピレンのよ
うな他のハロ炭化水素と、上述のガスの共重合体のよう
なクロロカーボン・ガス及びフルオロカーボン・ガスを
含んでいる。

【００２１】他の適当なガスはジメチルジフルオロシラ
ン、メチルトリフルオロシラン、テトラメチルシラン、
トリシリルメチレン、シラン、テトラエトキシシラン、
トリフルオロメチラニライン、トリフルオロアセトアミ
ド及びそれらの混合物である。他の適当なガスはこの道
の専門家に公知である。本発明の処理に用いられる良好
なガスはペンタフルオロスチレン、ヘキサフルオロエチ
レン及びそれらの混合物である。

【００２２】本発明の処理の次のステツプは、正イオ
ン、または負イオンのいずれかのイオンのビームがイオ
ン・ビーム発生装置中で発生される。イオン・ビーム発
生装置のデザイン及び動作は周知である。フイラメント
式及び非フイラメント式の両方及びグリツド式及び非グ
リツド式の両方のイオン・ビーム発生装置が本発明の処
理に使用することができる。然しながら、イオン・ビー
ム発生装置の劣下を回避し、ビームの収束を可能とする
ために、非フイラメントでグリツド式のイオン・ビーム
発生装置の方が本発明の処理に適している。

【００２３】図１を参照すると、本発明の処理に用いら
れる処理装置は真空室１０とＲＦイオン・ビーム発生装
置１２を含んでいる。処理中において、前駆物質ガス、
または不活性ガス（アルゴン、ヘリウム、水素、窒素、
キセノン及びそれらの混合物）が吸入口２６を通してイ
オン化室４０の中に導入される。ＲＦコイルが活性化さ
れ（望ましいパワーは約１００ワツト乃至１５０ワツト
である）、ガスをイオン化するために、ラジオ周波数の
エネルギがセラミツク・ウインドウ１６を通してイオン
化室４０の中に入射される。導入されたガスのうちのほ
んの一部のみがイオン化される。イオン化されないガス
はグリツド２０及び２２と、デイスク３６の表面上を通
つてイオン化室４０から排出される。

【００２４】本発明の薄膜を形成する処理ステツプにお
いて、吸引及び封じ込め（containment）グリツド２０
及び２２は、イオン化室４０中の一方の記号を持つ殆ど
のイオン（即ち、すべて負のイオン）を留置して、ビー
ム中で他方の記号を持つ殆どのイオンを、グリツド２０
及び２２を通してデイスク３６の方に加速するために、
正グリツド２０に対して約＋２００ボルト乃至＋１００
０ボルト（好ましくは、約＋３００ボルト）の正の直流
電圧を印加し、反対に、負グリツド２２に対して約−５
０ボルト乃至−３００ボルト（好ましくは約−６０ボル
ト）の負の直流電圧を印加して、両方のグリツドを反対
に充電する。イオン・ビームは不活性ガス、前駆物質ガ
ス、またはそれらの混合物の正イオンを含むのが望まし
く、前駆物質ガスの正イオンを含むのがより望ましい。
通常、イオン・ビーム中のイオンは約１００電子ボルト
（ｅＶ）から約１０００電子ボルトのエネルギを持つて
おり、約３００ｅＶのエネルギを持つのが望ましい。イ
オン・ビーム中のイオンは通常、約±１０％、好ましく
は約±５％、より好ましくは±２％のエネルギ配分を持
つ単一エネルギである。イオン・ビームはパルスでも連
続波でもよいが、連続波の方が望ましい。本発明の処理
の薄膜形成ステツプの間で、前駆物質ガスがデイスクの
表面と接触しデイスクの表面上を流れるように、前駆物
質ガスがリング状吸入口２４を通して、真空室１０の中
に導入されるのが好ましい。イオン・ビーム発生装置の
吸引グリツドを通つて加速されたイオンは、前駆物質ガ
スの重合と、デイスク表面上に重合体薄膜の形成とを生
じるように、デイスクの表面に前駆物質ガスの分子を衝
突させて、デイスクの表面に被着させる。重合体薄膜が
デイスクの表面上に形成された後、イオン・ビームを終
了する前に真空室１０を排気するのが望ましい。結果の
重合体薄膜は５オングストロームから１ミクロンまで変
化する均一の厚さを持つており、デイスク面上で秀れた
接着力を持つている。本発明の処理を用いて被着された
デイスクは、通常の飛翔式記録ヘツド、または接触式記
録ヘツドの両方に適している。更に、本発明の処理の間
で、デイスクに向つてイオンの加速を増加し、付着の速
度を早め、かつ真空室中に生じる不所望の重合体の付着
を最小限にとどめるために、デイスクは、イオン・ビー
ム供給源に対して約１０ボルト乃至１０００ボルトの電
圧、好ましくは１００ボルトの電圧で電気的にバイアス
することができる。

【００２５】本発明の処理の他の実施例において、本発
明の処理方法を使用する１つの動作ステツプにおいてデ
イスクの両方の側に重合体薄膜を形成するために、イオ
ン・ビーム発生装置をデイスクの両面の側に配置するこ
とができる。この実施例において、イオン・ビーム発生
装置は順次に、あるいは同時に動作することができる。

【００２６】また、本発明は以下のステツプによつて形
成された重合体薄膜で被覆された磁気記録体にも関係が
ある。即ち、そのステツプは、（i）真空室中に物体
を置くステツプと、（ii）真空室を排気するステツプ
と、（iii）一方の符号のイオン・ビームを発生する
ステツプと、（iv）物体上に重合体薄膜を形成するた
めに、上記物体の面をイオン・ビーム及び前駆物質ガス
に接触させるステツプとを含んでいる。

【００２７】前駆物質ガスは、薄膜形成ステツプの間で
真空室の中及び物体の表面上に流されるのが望ましい。
この磁気記録体は薄膜デイスクであるのが好ましい。

【００２８】下記の実施例は本発明の処理方法の細部を
説明するものである。これらの実施例によつて本発明の
技術思想の範囲は限定されるものではない。

【００２９】実施例１直流フイラメント式のイオン供
給源ａ）燐ニツケル合金をメツキしたアルミニウム基体、
ｂ）クロム被着層、ｃ）強磁性体層、ｄ）アモルフアス
の水素化炭素の保護被覆を含む薄膜磁気記録粗面（text
ured）デイスク（ＲＭＳの粗さ６０乃至７０オングスト
ローム）が、カウフマン型イオン・ビーム供給源（直流
フイラメント励起）を装着した真空室であつて、１０^-5
トル以下の圧力に排気された真空室中に置かれた。薄膜
デイスクは通常の入射ビームにおいて、イオン・ビーム
供給源から約１０センチメートルの距離に置かれた。真
空室内の圧力が約５×１０^-4トルに上昇するまで、ヘキ
サフルオロイソプロピル・メタクリレート（ＨＩＰＭ）
がイオン・ビーム供給源中に流入させた（分子リーク・
バルブによつて制御された）。イオン・ビーム発生装置
のフイラメントは充電されるので、イオン・ビーム供給
源に放電を生じる。イオン・ビーム源において発生され
た正のイオンはイオン・ビーム源のグリツドによつて吸
引され、約９００ｅＶに加速された。薄膜デイスクは約
１分間の間、ＨＩＰＭに露出された。次に、イオン・ビ
ーム源はオフにされ、ガス流は止められ、真空室は排気
され、そして、薄膜デイスクが真空室から取り出され
た。このデイスクの機械的な性能は、変形されたシーゲ
ート（Seagate）駆動装置を用いて標準的な接触始動／
停止（ＣＳＳ）を用いて評価された。このテストは、デ
イスク上に６グラムの負荷をかけたＩＢＭ社の標準的な
スライダを用いて、湿度１０％（空気中）で遂行され
た。テストはＣＳＳを１００００回繰り返して行なわれ
た。テスト結果は、目で見えるような磨耗は観測されな
かつた。テストの終了における粘着値は、平均約４グラ
ムであつた。

【００３０】実施例２ＲＦイオン・ビーム供給源粗面の基体、クロムの下層、強磁性体層及び炭素の保護
被覆を含む薄膜磁気記録デイスクがＲＦイオン・ビーム
供給源を装着した高真空室の中に置かれた。デイスクは
電気的に接地された。真空室は排気され、次いで１×１
０^-5ミリ・トルの圧力を維持するのに充分な流量のアル
ゴンが真空室の中に導入された。ガス状のペンタフルオ
ロスチレン（ＰＦＳ）が部分圧力１×１０^-4ミリ・トル
で真空室の中に流入され、付着処理の間、デイスクの表
面上に流された。イオン・ビーム源中にイオン発生を開
始するために、ＲＦイオン・ビーム供給源は１００ワツ
トで通電された。イオン取り出しは、正のイオン・ビー
ムを形成するために、第１グリツドに＋３００ボルトを
印加し、第２グリツドに−１００ボルトを印加した。付
着処理は１０秒間の間実行された。被覆されたデイスク
は標準的な始動／停止のテスト方法を用いてテストされ
た。テストした結果のデイスクの機械的性能は１０００
０回の接触始動／停止サイクルの後、粘着値は４グラム
±１グラムであつた。

【００３１】実施例３粗面デイスク誘導式に結合され、ラジオ周波数で発生されたイオン・
ビーム源を装着した真空室中に、実施例１において記載
した薄膜デイスクが置かれた。デイスクは、通常の入射
ビーム量でイオン・ビーム・グリツドから約１０センチ
メートルの位置に置かれ、真空室の背景圧力は１０^-5ト
ル以下に排気された。標準的な毎分約１立方センチメー
トル（ｓｃｃｍ）のアルゴンがイオン・ビーム源に流入
された。次に、ＲＦイオン・ビーム発生装置がアルゴン
・イオンを発生するよう通電された。デイスクの表面に
向つてアルゴン・イオンを吸引し、加速するために（約
５００ｅＶのイオン・エネルギ）、グリツドは電気的に
充電された。同時に、ペンタフルオロスチレン（ＰＦ
Ｓ）が真空室内に導入され、薄膜デイスクの表面に流さ
れ、デイスク表面はアルゴン・イオンを吸引して重合体
層を形成する。デイスクは約１０秒間の間、上述した処
理を施した。次に、真空室は排気され、デイスクが取り
出された。ＣＳＳテストが行なわれ、１０００００サイ
クルの後の粘着値は５グラム±２グラムであつた。

【００３２】実施例４平滑デイスク燐ニツケル合金薄膜を持つ超平滑面の炭素被覆の薄膜デ
イスク（ＲＭＳ粗さ１０乃至１２オングストローム）が
ＲＦイオン・ビーム源を持つ真空室中に置かれた。イオ
ン・ビーム源は、名目値で毎分１立方センチメートル
（ｓｃｃｍ）の流量のアルゴンと、前駆物質ガスの部分
圧と、アルゴンの量の約２乃至４倍の量のヘキサフルオ
ロプロピレン（ＨＦＰ）とで動作された。付着は約５０
０ｅＶのイオン・エネルギを用いて約１５乃至３０秒間
行なわれた。その後に、デイスクは取り出され、ＣＳＳ
テストが行なわれた結果、３００００回の繰り返しテス
トの後に、粘着値は１１グラム±３グラムを示した。比
較し得る粗さを持つ潤滑されたデイスクは、通常、３０
０００回のＣＳＳテストの後に３０グラム乃至１２０グ
ラムの範囲の粘着値を示す。

【００３３】実施例５双方向イオン・ビームの処理２つのイオン・ビーム発生装置が、相互に対向する位置
で、バリアン（Varian）デイスク付着ツール中に置かれ
た。全体として実施例３のプロシージヤ（１ｓｃｃｍ流
量のＰＦＳ及びアルゴン、１０秒間の付着及び３００ｅ
Ｖのイオン・エネルギ）に従つて、炭素の付着と潤滑剤
の付着との間で真空を損なうことなく、幾つかの薄膜デ
イスクが両方の側に潤滑された。各デイスクは成功裡に
潤滑処理された。ＣＳＳテストの結果、磨耗による誤動
作は見出されず、１００００回のテストの後、３グラム
乃至６グラムの粘着値が観測された。

【００３４】実施例６共重合体薄膜の形成全体として実施例３のプロシージヤに従つて、比較的平
滑なデイスク（ＲＭＳ粗さ＝２０乃至２５オングストロ
ーム）がペンタフルオロスチレン（ＰＦＳ）の単量体と
ヘキサフルオロエチレン（ＨＦＥ）の単量体の反応から
形成された共重合体で潤滑された。ＰＦＳがデイスク上
に流され、ＨＦＥがイオン・ビーム室中に導入された。
全体として実施例３に従つて（ＰＦＳ／ＨＦＥ１：１、
３００ボルトの加速電圧、１０秒間の付着）付着が行な
われた。結果のデイスクは、３００００回のＣＣＳテス
トの後に、磨耗はなく、４グラム乃至８グラムの粘着値
を示した。

【００３５】実施例７ヘツド（スライダ）本発明に従つたイオン・ビーム被膜技術は磁気記録ヘツ
ド上に重合体薄膜を付着するのに用いることができる。
上述した処理方法に従つて、サスペンシヨン式の磁気記
録ヘツドが真空室中に置かれて、真空室は１０^-6トルに
排気された。ヘツドは、直流フイラメントのイオン・ガ
ンの外側グリツドから約１０センチメートル離して置か
れた。アルゴンが毎分５立方センチメートルの流量でイ
オン・ガンの中に導入された。イオン・ガンの中に発生
された正のアルゴン・イオンを６００ボルトで加速し
て、磁気記録ヘツドの表面に衝突させた。これと同時
に、ペンタフルオロスチレンを真空室に導入して、ヘツ
ドの表面を通つて流入させた。付着処理は５乃至１５秒
間遂行され、その後、イオン・ガンのパワーをオフに
し、ガスの流入を停止した。結果の重合体薄膜は、露出
時間に従つて４０オングストローム乃至１２０オングス
トロームの厚さを持つている。磁気記録ヘツドに重合体
被覆を被着した場合の利益を確かめるために、上述の態
様で被着された１２個の磁気記録ヘツドに対して、ＣＣ
Ｓテストが行なわれた。２つのタイプのペルフルオロポ
リエーテルの液体潤滑剤で潤滑された８枚のデイスク
と、ペンタフルオロスチレンのイオン・ビーム重合化に
よつて潤滑された４枚のデイスクとが、被着処理された
ヘツドと、被着処理されないヘツドとでテストされた。
各デイスクの場合、デイスクに用いられた潤滑剤のタイ
プとは無関係に、粘着性の測定値が劇的に減少した。代
表例において、１００００回の繰り返しテストの後で、
被着処理されないヘツドは約８グラム±２グラムの粘着
値であるのに反して、イオン・ビームの重合化されたペ
ンタフルオロスチレンで被着されたヘツドは、同じデイ
スクで１００００回の繰り返しテストの後で４グラム±
１グラムの粘着値が見出された。

【００３６】

【発明の効果】本発明により、デイスクとヘツドとの界
面に於ける磨耗及び粘着の問題が顕著に改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜形成処理を遂行するための処理装
置の模式図である。

【符号の説明】

１０真空室１２イオン・ビーム供給源１４ラジオ周波数発生コイル１６セラミツク・ウインドウ２０、２２イオン吸引グリツド２４環状のガス吸入口２６、２８ガス吸入口３０基体ホルダ３６磁気デイスク３８排気口４０イオン化室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ポール・ブライアン・コミタアメリカ合衆国カリフォルニア州、メンロ・パーク、ハーモサ・ウエイ 350 (72)発明者マーク・ステファン・クラウダーアメリカ合衆国カリフォルニア州、ギルロイ、ランチョ・ヒルズ・ドライブ 8860 (72)発明者ジョージ・ウイリアム・トライダル、サードアメリカ合衆国カリフォルニア州、サンノゼ、サニー・オークス・ドライブ 5535

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録体の表面に重合体薄膜を形成する
方法において、（i）真空室中に物体を置くステツプと、（ii）真空室を排気するステツプと、（iii）一方の符号のイオン・ビームを発生するステ
ツプと、（iv）物体上に重合体薄膜を形成するために、上記物
体の面をイオン・ビーム及び前駆物質ガスに接触させる
ステツプとからなる重合体薄膜を形成する方法。
【請求項２】イオン・ビームはイオン・ビーム発生装置
において発生される請求項１記載の重合体薄膜を形成す
る方法。
【請求項３】イオン・ビームは正電荷を持つイオンのビ
ームである請求項２記載の重合体薄膜を形成する方法。
【請求項４】前駆物質ガスはハロ炭化水素ガスである請
求項３記載の重合体薄膜を形成する方法。
【請求項５】上記前駆物質ガスはペンタフルオロスチレ
ン、ヘキサフルオロエチレン、またはそれらの混合物か
ら選択された請求項４記載の重合体薄膜を形成する方
法。
【請求項６】磁気記録デイスクの表面に重合体薄膜を形
成する方法において、（i）真空室中に上記磁気記録デイスクを置くステツ
プと、（ii）真空室から排気するステツプと、（iii）イオン・ビーム発生装置中に静電荷を持つイ
オン・ビームを発生するステツプと、（iv）上記磁気記録デイスクの表面に重合体薄膜を形
成するために、イオン・ビームとハロ炭化水素ガスとを
上記磁気記録デイスクの表面に接触させるステツプとか
らなる重合体薄膜を形成する方法。
【請求項７】上記イオンは単一エネルギである請求項３
又は６記載の重合体薄膜を形成する処理方法。
【請求項８】上記イオンは約１００電子ボルト乃至約１
０００電子ボルトのエネルギを持つていることを特徴と
する請求項７記載の重合体薄膜を形成する方法。
【請求項９】（i）真空室中に物体を置くステツプ
と、（ii）真空室を排気するステツプと、（iii）一方の符号のイオン・ビームを発生するステ
ツプと、（iv）物体上に重合体薄膜を形成するために、上記物
体の面をイオン・ビーム及び前駆物質ガスに接触させる
ステツプとを含む処理により形成された重合体薄膜を表
面に有する磁気記録体。