JPH06204126A - 微小パターン成形体の製造方法 - Google Patents

微小パターン成形体の製造方法

Info

Publication number
JPH06204126A
JPH06204126A JP5171515A JP17151593A JPH06204126A JP H06204126 A JPH06204126 A JP H06204126A JP 5171515 A JP5171515 A JP 5171515A JP 17151593 A JP17151593 A JP 17151593A JP H06204126 A JPH06204126 A JP H06204126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
several
frame member
micro
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5171515A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Hoessel
ペーター、ヘセル
Gerhard Dr Hoffmann
ゲールハルト、ホフマン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF SE
Original Assignee
BASF SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BASF SE filed Critical BASF SE
Priority to US08/273,807 priority Critical patent/US5525074A/en
Publication of JPH06204126A publication Critical patent/JPH06204126A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10Containers or parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0093Microreactors, e.g. miniaturised or microfabricated reactors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/16Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • G03F7/2039X-ray radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00783Laminate assemblies, i.e. the reactor comprising a stack of plates
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00819Materials of construction
    • B01J2219/00833Plastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0844Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using X-ray
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167X-ray
    • Y10S430/168X-ray exposure process

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来法におけるよう限定されずに任意の重合
体と担体との結合をもたらし、しかもこの結合を、少な
くとも数時間内、場合により分のオーダの時間で正確か
つ再現可能にもたらす方法を提供すること。 【構成】 重合体にX線を放射し、重合体の画像形成露
出部分を除去することにより、数μmからmm範囲に至
るパターン深さを有する微小パターン成形体の製造方法
において、画像形成露出前の重合体を加圧下溶融により
数μmからmm範囲に至る層厚さで導電性担体上に装着
し、固着させることを特徴とする方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は重合体にX線を放射し、重合体の
画像形成露出部分を除去することにより、数μmからm
m範囲に至るパターン深さを有する微小パターン成形体
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】マイクロエレクトロニクス技術の発展によ
り、徹底した微細化と集積化が行われ、対応する技術と
共にほとんど展望し得ないほどの多種多様な新規製品が
開発されて来た。ここ数年間、マイクロエレクトロニク
スは、他の産業部門に対し微細化において圧倒的な優位
を獲得した。また将来他の微小技術も大きな進展をと
げ、ことにマイクロメカニックおよび集積光学技術が注
目を集めることになると考えられている。これら諸技術
はマイクロエレクトロニクスと結びついて、思いも及ば
ぬ多数の、新規の電気的、光学的、生物学的、機械的機
能素子を開発するものと期待される。
【0003】マイクロエレクトロニクスの非電気的素
子、システム構成素子、サブシステムの大量生産によ
り、当然のことながら、著しく効率的な半導体技術的製
造方法が、極めて大規模に利用される。同時に、従来の
シリコンプレート技術の狭い領域を離れ、多種多様な形
態、材料で構成されるべき新規技術形成の可能性を開拓
可能ならしめるために、マイクロメカニック用微細材料
技術の古典的方法を洗練させ、これに対応して改変され
る半導体大量生産技術と融合させるための研究が行われ
ねばならない。この必要性は、例えばいわゆるLIGA
法で大いに充足される。このLIGA法は、次の工程、
すなわちリトグラフィー(Lithographi
e)、電気的成形(alvanoformung)お
よびモールド成形(bformung)から成り、ケ
ルンフォルシュングスツェントルム、カルルスルーエ
(KfK)(Kernforschungszentr
um Karlsruhe)で開発されたものである。
【0004】関心が寄せられている微細パターン製品
は、加速、流動ないし循環、超音波、湿分ないし湿度な
どのセンサ、マイクロモータ、微小空気力学的構成素
子、マイクロエレクトロニクス用コネクタ、マイクロ光
学素子、ファイバーオプティクス、マイクロエレクトロ
ード、紡糸ノズル、マイクロフィルタ、マイクロベアリ
ング、薄膜などである。
【0005】LIGA法の本質的処理工程は、使用され
る重合体の精密な放射線露出である。LIGA法の原則
的な実施可能性は、特別に製造されたポリメチルメタク
リレート(以下PMMAと略称する)による微小パター
ン成形体に依存することが実証されている。
【0006】数μmからmm領域のパターン深さを有す
る複雑な三次元構造体を形成するには上述したLIGA
法により、PMMAを導電性担体板上に装着しなければ
ならない。これまでは特殊なモールド成形法により、メ
チルメタクリレートに溶解させたPMMAを材料として
使用し、特別の重合開始剤、触媒および接着剤を添加し
た流動体を導電性担体板上に注下し、光もしくは熱の影
響下に重合させていた。
【0007】しかしながら、このようなモールド成形樹
脂の処理は以下のような問題があった。すなわち、 (a)成形樹脂の担体板上における重合によりもたらさ
れる重合収縮が、重層体に張力を生起させる。
【0008】(b)この張力を解消するためには、24
時間にも及ぶ、重合に際しての長い加熱処理時間および
冷却時間を必要とする。
【0009】(c)重合体の選択性が制約される。すな
わちモールド成形樹脂としての重合体もしくはその重層
処理重合可能単量体のみが使用され得るに止まる。
【0010】(d)任意の固体形態、例えば顆粒もしく
は粉末状の、市販されているいかなるサーモプラストも
使用できない。
【0011】(e)これまでのところLIGA法による
上述した処理によるPMMAのみが使用し得るに過ぎな
い。
【0012】数μmからmm領域のパターン深さを有す
る複雑な三次元パターンを上述LIGA法により形成す
る際に、PMMAは高コストの放射線放射量を必要とす
ることが明らかになった。
【0013】さらに放射線に露出された重合体部分を適
当な現像剤で現像する際に、非露出重合体部分が膨潤
し、微小パターンが傷害を受ける可能性があった。さら
に重合体の膨潤部分を乾燥するに際して張力による亀裂
が生じ、これは電気的成形処理の際に使用可能の微小パ
ターンをもたらすことになる。これはPMMAの溶媒な
いし現像剤に対する高感度が原因である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的と
するところは、上述した種々の問題の解決を可能ならし
めることである。本発明による新規方法によれば、例え
ば西独特許出願公開1470662号、4107851
号、4141352号各公報に記載されているような任
意の重合体を、担体との永続的な結合をもたらすように
処理することができる。さらに本発明の目的とするとこ
ろは、このような重合体/担体結合をできるだけ短時間
で、すなわち数時間内で、場合により分のオーダで正確
かつ再現可能にもたらし得る方法を提供することであ
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】しかるに上述の目的は、
重合体層の容積を規制する枠部材を使用する方法により
達成され得る。本発明方法の対象は、画像形成露出前の
重合体を加圧下溶融により数μmからmm範囲に至る層
厚さで導電性担体上に装着し、固着させることを特徴と
する方法である。
【0016】本発明方法に使用されるべき重合体として
は、プレス処理の間に溶融されるべき、無定形サーモプ
ラストならびに部分的結晶性サーモプラストが挙げられ
る。
【0017】また画像形成に使用されるべきX線として
はシンクロトロン放射線が好ましい。
【0018】本発明方法は、ことにパターン深さが3μ
mから2000μm、横方向寸法が10μm以下の微小
パターン成形体の製造にことに適する。
【0019】また本発明方法の好ましい実施態様では、
重合体の放射線露出前に、枠部材内の重合体が圧力下溶
融により担体上に重層される。
【0020】加圧処理用治具としては、横方向寸法にお
いて望ましいレジスト面を与え、高さ(上下方向寸法)
においてほぼレジスト厚さをもたらす枠部材を使用する
のが好ましい。この枠部材用材料としては、例えば鋼鉄
を使用するのが好ましい。層厚さとしては、一般的に3
から2000μmが必要であり、ことに40から650
μmの層厚さが好ましい。
【0021】枠部材は担体板上に単に載置されるか、も
しくは保持具により担体板上に固着され、あるいは加圧
処理の間だけ担体板上にねじ止めされるのが好ましい。
加圧処理の間、枠部材と担体板の間の重合体の滲透を阻
止するため、枠部材の下方を研磨しあるいはラップ処理
して表面粗さを200nm以下とするのが好ましい。
【0022】枠部材はまた追加的に側方の導溝を具備
し、加圧処理に際し過剰量の重合体材料が、これにより
排出されるようにすることができる。またレジスト面を
与える枠部材内寸法は必要に応じて選定され得るが、例
えば20×50mm2 から125×125mm2 とする
ことができる。
【0023】また導電性担体としては、例えば70ない
し150×50から150×2ないし15mm3 、こと
に100ないし125×70から125×8mm3 の、
銅、アルミニウム、鋼鉄から成る板体が使用され得る。
ことに層厚さが1から10μm、ことに3.5から6μ
mの、それぞれの場合の使用される重合体に特に適合す
る導電性接着層を有する銅板体を使用するのが好まし
い。表面が酸化されたチタンからなる導電性接着層が特
に有利である。
【0024】重合体としては、原則的に公知の無定形な
いし部分的結晶性のサーモプラスト、すなわち熱可塑性
樹脂のすべてが使用されるが、ことにガラス転移点が5
0から200℃の無定形もしくは部分的結晶性サーモプ
ラスト、例えば120℃以上の軟化温度を有する無定形
サーモプラストもしくは120℃以上の溶融点を有する
部分的結晶性サーモプラストが好ましい。
【0025】例えば西独特許4107662号、410
7851号、4141352号明細書に記載されている
ような、溶融点140から240℃の、ポリオキシメチ
レン、ポリアルケンスルホン、脂肪族ポリエステルのよ
うな部分的結晶性重合体ならびに平均分子量10000
0から400000のポリメチレンメタクリレート顆粒
がことに適当である。
【0026】本発明方法において加圧処理は、100か
ら350℃、ことに180から240℃の範囲の温度で
行われる。
【0027】圧力作用を及ぼす前に、担体板上に在る枠
部材中に固体状重合体が充満される。重合体は過剰量使
用するのが好ましく、この過剰量は枠部材の幾何学的形
状ならびに使用される重合体の種類により相違する。
【0028】約1から10分の保持時間が経過した後、
約1分から10分の間、20から400バールの圧力が
重合体ないし枠部材に掛けられる。保持時間および圧力
は、使用される重合体の種類により相違する。20から
30℃に冷却する時間は、一般的に10から40分であ
る。
【0029】上述の方法によりもたらされる重合体(レ
ジスト)は、2000μmまでの、好ましくは、40か
ら650μmの層厚さを有する。表面粗さは200nm
以下である。微小フライス盤で重合体層を加工して、全
レジスト面にわたる層厚さ全体の偏差を15μm以下に
する。
【0030】特殊なX線マスクを経てシンクロトロン放
射線による露出および本発明による重合体の現像で形成
される重合体/担体結合体を製造して、所望の精密度の
微小パターンが得られる。
【0031】導電性担体上に重合体が載置されているの
で、次いでLIGA法による慣用の事後処理、すなわち
電気的成形およびモールド成形の各処理が行われ得る。
【0032】
【実施例】8mm厚さの銅板上に、過酸化水素で酸化さ
れた表面を有する約6μmのチタン層を施した。このよ
うに予備処理された担体板上に、内面積80.00×3
0.00mm2 、高さ0.350mmの枠部材を装着し
た。この枠部材内に平均分子量(Mw)が300000
の重合体1.260gを注下し、次いで120℃におい
て予備加熱プレス処理した。
【0033】1から4分の保持後、210℃の温度、1
00バールの圧力で重合体ないし枠部材をプレスし、次
いで30分間で25℃に冷却した。
【0034】離型後、重合体層厚さは150±50μ
m、微小フライス盤による加工後の厚さは350±15
μmである。表面粗さは0.2μm以下とする。
【0035】特殊なX線マスクを経てシンクロトロン放
射線による露出および適合する現像剤(GG現像剤、西
独特許出願公開3039110号公報参照)による現像
により、チタンから成る導電性層上における、直径45
μmを有する、ポリメチルメタクリレートの微小パター
ンを有する円盤体が得られる。次いでLIGA法による
慣用の電気的成形およびモールド成形が行われる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 重合体にX線を放射し、重合体の画像形
    成露出部分を除去することにより、数μmからmm範囲
    に至るパターン深さを有する微小パターン成形体の製造
    方法において、画像形成露出前の重合体を加圧下溶融に
    より数μmからmm範囲に至る層厚さで導電性担体上に
    装着し、固着させることを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】 重合体として無定形もしくは部分結晶性
    のサーモプラストを使用し、加圧押圧処理の間にこれを
    溶融させることを特徴とする請求項(1)による方法。
  3. 【請求項3】 導電性担体上に装着された枠部材により
    重合体を包囲することを特徴とする請求項(1)による
    方法。
  4. 【請求項4】 パターン深さ3μmから2000μmで
    あり、横方向寸法が10μm以下である微小パターン成
    形体を製造する請求項(1)による方法。
JP5171515A 1992-07-21 1993-07-12 微小パターン成形体の製造方法 Withdrawn JPH06204126A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/273,807 US5525074A (en) 1993-07-12 1994-07-12 Panel mounted connector

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4223888.9 1992-07-21
DE4223888A DE4223888A1 (de) 1992-07-21 1992-07-21 Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06204126A true JPH06204126A (ja) 1994-07-22

Family

ID=6463672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5171515A Withdrawn JPH06204126A (ja) 1992-07-21 1993-07-12 微小パターン成形体の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5302421A (ja)
EP (1) EP0580052A2 (ja)
JP (1) JPH06204126A (ja)
KR (1) KR940006250A (ja)
DE (1) DE4223888A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2102857T3 (es) * 1993-06-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg Utensilio de reproduccion maquinado por laser.
US5730924A (en) * 1994-12-28 1998-03-24 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Micromachining of polytetrafluoroethylene using radiation
US6352948B1 (en) 1995-06-07 2002-03-05 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Fine fiber composite web laminates
WO1997016585A1 (en) * 1995-10-30 1997-05-09 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Fiber spin pack
AU6402900A (en) * 1999-06-08 2000-12-28 Biomicro Systems, Inc. Laser ablation of doped fluorocarbon materials and applications thereof
TW448084B (en) * 1999-10-20 2001-08-01 Lin Ching Bin Manufacture method of microstructure with high aspect ratio
DE10021490C2 (de) * 2000-05-03 2002-03-28 Lin Ching Bin Mikroherstellungsprozess zur Herstellung von geometrisch miniaturisierten Mikrostrukturen aus dreidimensionalen Gebilden
US6589716B2 (en) * 2000-12-20 2003-07-08 Sandia Corporation Microoptical system and fabrication method therefor
KR102695866B1 (ko) * 2019-01-04 2024-08-19 엘지전자 주식회사 의류처리장치 및 그 제어방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3338489A1 (de) * 1982-10-28 1984-05-03 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von lichtempfindlichen schichten auf basis von polyamiden
DE4107662A1 (de) * 1991-03-09 1992-09-10 Basf Ag Verfahren zur herstellung von mikroformkoerpern mit hohem aspektverhaeltnis
DE4107851A1 (de) * 1991-03-12 1992-09-17 Basf Ag Verfahren zur herstellung von mikroformkoerpern mit hohem aspektverhaeltnis
DE4141352A1 (de) * 1991-12-14 1993-06-17 Basf Ag Verfahren zur herstellung von mikrostrukturkoerpern

Also Published As

Publication number Publication date
DE4223888A1 (de) 1994-01-27
EP0580052A3 (ja) 1994-03-23
EP0580052A2 (de) 1994-01-26
KR940006250A (ko) 1994-03-23
US5302421A (en) 1994-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Crivello et al. Photopolymer materials and processes for advanced technologies
CN100446192C (zh) 微米结构和纳米结构的复制和转移
JP3366405B2 (ja) 予備成形フォトレジストシートを使用した超小型構造の製造
US20050064344A1 (en) Imprint lithography templates having alignment marks
CA2247777C (en) A process for manufacturing microstructure bodies
JP2005515617A (ja) 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製
JP3039165B2 (ja) 光記録膜及びその製造方法
CN1057724A (zh) 利用递增光成型的固体成像系统
JP4444823B2 (ja) 実用微細構造を具えた湾曲主要面を有するモールド部品を製造する方法
US5298367A (en) Production of micromoldings having a high aspect ratio
US7001541B2 (en) Method for forming multiply patterned optical articles
US5302421A (en) Production of microstructure elements
US5518865A (en) Production of microstructure elements
Scheer et al. Nanoimprint techniques
JPH0142133B2 (ja)
US5415977A (en) Production of micromoldings having a high aspect ratio
Tuteleers et al. Replication of refractive micro-optomechanical components made with deep lithography with protons
JP3181998B2 (ja) 重合体の製造方法及び架橋体の製造方法
JPH0559199A (ja) 寸法比の大きい微小パターン成形体の製造方法
JPH06177015A (ja) 微小構造素子の製造方法
JPS59204519A (ja) 合成樹脂平面レンズの製造方法
JPH03132941A (ja) 光ディスク製造方法
JP3286157B2 (ja) 樹脂製の型およびその製造方法
JP2002256091A (ja) 樹脂成形体の表面加工法
JPS62161533A (ja) プラスチツク・レンズ等の作製法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20001003