JPH0142133B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0142133B2 JPH0142133B2 JP55158902A JP15890280A JPH0142133B2 JP H0142133 B2 JPH0142133 B2 JP H0142133B2 JP 55158902 A JP55158902 A JP 55158902A JP 15890280 A JP15890280 A JP 15890280A JP H0142133 B2 JPH0142133 B2 JP H0142133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- thin film
- membrane
- ring
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D7/00—Producing flat articles, e.g. films or sheets
- B29D7/01—Films or sheets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リトグラフイーに使用されるマスク
の製造に使用されることができる薄膜を製造する
方法に関する。
の製造に使用されることができる薄膜を製造する
方法に関する。
種々の種類のリトグラフイーが、半導体集積回
路の製造中に半導体上に配置されたホトレジスト
を露光するために使用されている。チツプ上に多
数の回路を縮小形成することは、良好な解像度と
小さい寸法を得るため短かい波長の使用を必要と
する。その結果、殊に微細な描写を制限的に許容
する短かい波長を包含するエツクス線リトグラフ
イーが使用された。
路の製造中に半導体上に配置されたホトレジスト
を露光するために使用されている。チツプ上に多
数の回路を縮小形成することは、良好な解像度と
小さい寸法を得るため短かい波長の使用を必要と
する。その結果、殊に微細な描写を制限的に許容
する短かい波長を包含するエツクス線リトグラフ
イーが使用された。
一般に、エツクス線または他の種類の光線を包
含するリトグラフイーは、その上に所望のパター
ンを有するマスクを使用する。このマスクが、線
源および、パターンが露光されるべきレジストで
被覆された半導体ベース間に挿入される。このマ
スクは、使用される光線に不透明である被覆部分
およびその光線に透明であるマスクベースを使用
し、露光されているラインの良好な精度が得られ
なければならない。
含するリトグラフイーは、その上に所望のパター
ンを有するマスクを使用する。このマスクが、線
源および、パターンが露光されるべきレジストで
被覆された半導体ベース間に挿入される。このマ
スクは、使用される光線に不透明である被覆部分
およびその光線に透明であるマスクベースを使用
し、露光されているラインの良好な精度が得られ
なければならない。
光線に透明であるマスクベースは、それぞれマ
イラーおよびカプトン（MYLAR and
KAPTON）なる商標名下に市販されている、熱
可塑性ポリエステル（ポリエチレンテレフタレー
ト）もしくは熱硬化性ポリイミドより成る薄いフ
イルムであることができる。ベース上で光吸収剤
として使用されることができる代表的な物質は金
である。
イラーおよびカプトン（MYLAR and
KAPTON）なる商標名下に市販されている、熱
可塑性ポリエステル（ポリエチレンテレフタレー
ト）もしくは熱硬化性ポリイミドより成る薄いフ
イルムであることができる。ベース上で光吸収剤
として使用されることができる代表的な物質は金
である。
エツクス線リトグラフイー用マスクの製造に使
用される薄膜の寸法が小さいので、マスク支持リ
ングへエポキシ結合することによる付加的な緊張
および貼着が容易になるまで薄膜を処理するため
のキヤリヤを備えることが望ましい。重要なの
は、薄膜が、一般にこれが形成されたベースから
除去される場合に損傷されないことであるが、こ
れは、ベースが激しい化学的方法により溶解され
た際に生じることがある。
用される薄膜の寸法が小さいので、マスク支持リ
ングへエポキシ結合することによる付加的な緊張
および貼着が容易になるまで薄膜を処理するため
のキヤリヤを備えることが望ましい。重要なの
は、薄膜が、一般にこれが形成されたベースから
除去される場合に損傷されないことであるが、こ
れは、ベースが激しい化学的方法により溶解され
た際に生じることがある。
本発明の目的は、リトグラフマスクの製造に使
用するポリマー薄膜の改善された形成法を得るこ
とである。
用するポリマー薄膜の改善された形成法を得るこ
とである。
本発明の他の目的は、ポリマー薄膜を形成しか
つこれを、リトグラフマスク製造に使用するのに
容易になるまで処理する改善された方法を得るこ
とである。
つこれを、リトグラフマスク製造に使用するのに
容易になるまで処理する改善された方法を得るこ
とである。
本発明によれば、ポリマー薄膜は、シリコンウ
エーハまたはガラス板の高度に研磨せる面上で適
当なモノマー溶液を回転塗布することにより形成
される。その後にこの回転塗布されたフイルム
が、ウエーハまたはガラス板上のそのままの状態
で熱的に乾燥および硬化される。
エーハまたはガラス板の高度に研磨せる面上で適
当なモノマー溶液を回転塗布することにより形成
される。その後にこの回転塗布されたフイルム
が、ウエーハまたはガラス板上のそのままの状態
で熱的に乾燥および硬化される。
その後に金属キヤリヤが薄膜へ取付けられる。
板、薄膜およびリングを包含するこの集合体の縁
が、薄膜状フイルムおよびウエーハまたは板間の
結合を得るため化学溶液中へ浸漬される。この集
合体を水中に浸漬し、ウエーハまたは板を、薄膜
がキヤリヤリングに付着したままで薄膜から除去
する。
板、薄膜およびリングを包含するこの集合体の縁
が、薄膜状フイルムおよびウエーハまたは板間の
結合を得るため化学溶液中へ浸漬される。この集
合体を水中に浸漬し、ウエーハまたは板を、薄膜
がキヤリヤリングに付着したままで薄膜から除去
する。
以下に、本発明の他の目的および利点を図面実
施例につき詳述する。
施例につき詳述する。
本発明による方法の１実施例は、0.5〜15μｍの
範囲の厚さを有する15cm×15cm平方程度の大きさ
の任意固定のポリイミド薄膜に関する。
範囲の厚さを有する15cm×15cm平方程度の大きさ
の任意固定のポリイミド薄膜に関する。
第１図において、適当な組成の溶液１０が、例
えば、高度に研磨された面を有するシリコンウエ
ーハまたはガラス板より成ることができる部材１
２上に配置される。その後にこの部材１２が相対
的に大きい速度で回転し、溶液を、部材１２の表
面にわたり流延させる。
えば、高度に研磨された面を有するシリコンウエ
ーハまたはガラス板より成ることができる部材１
２上に配置される。その後にこの部材１２が相対
的に大きい速度で回転し、溶液を、部材１２の表
面にわたり流延させる。
１実施例において、3.5μｍの膜厚を形成するた
め、ポリアミツク酸４部、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン１部およびアセトン１部より成るモノマー
溶液が2300rpmで120秒回転塗布され、十分な結
果が得られた。回転塗布のサイクルが完結する
と、この回転塗布膜が、その状態で熱的に乾燥お
よび硬化され、シリコンまたはガラスベースもし
くは部材１２上でポリイミドになる。この硬化工
程の結果、薄膜がわずかに緊張する。
め、ポリアミツク酸４部、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン１部およびアセトン１部より成るモノマー
溶液が2300rpmで120秒回転塗布され、十分な結
果が得られた。回転塗布のサイクルが完結する
と、この回転塗布膜が、その状態で熱的に乾燥お
よび硬化され、シリコンまたはガラスベースもし
くは部材１２上でポリイミドになる。この硬化工
程の結果、薄膜がわずかに緊張する。
部材１２上のフイルムまたは薄膜１４の形成に
引続き、アルミニウムであることができるリング
１６が、第２図に示したようにそれに取付けられ
る。このアルミニウムリングが、両面テープまた
は適当な方法により薄膜１４に取付けられ、部材
１２、薄膜１４およびリング１６を包含する集合
体１８を形成することができる。リング１６は、
リトグラフに使用されるマスクの製造に使用する
のが容易になるまで薄膜１４を処理または搬送す
るように形成されている。
引続き、アルミニウムであることができるリング
１６が、第２図に示したようにそれに取付けられ
る。このアルミニウムリングが、両面テープまた
は適当な方法により薄膜１４に取付けられ、部材
１２、薄膜１４およびリング１６を包含する集合
体１８を形成することができる。リング１６は、
リトグラフに使用されるマスクの製造に使用する
のが容易になるまで薄膜１４を処理または搬送す
るように形成されている。
その後に、集合体１８のエツジが、１つのエツ
ジ当り約20秒、容器２２中の濃弗化水素酸２０中
に浸漬される。この酸が、部材１２および薄膜１
４間の結合と反応しかつ、薄膜１４の、ベースま
たは部材１２からの引続く除去を準備する。
ジ当り約20秒、容器２２中の濃弗化水素酸２０中
に浸漬される。この酸が、部材１２および薄膜１
４間の結合と反応しかつ、薄膜１４の、ベースま
たは部材１２からの引続く除去を準備する。
実際に、薄膜１４の外縁が部材１２と分離さ
れ、それにより薄膜１４および部材１２間に水が
施こされることを許容するとともに、薄膜または
ベース１４の重量が作用し、これら２つを第４図
に示したように分離する。
れ、それにより薄膜１４および部材１２間に水が
施こされることを許容するとともに、薄膜または
ベース１４の重量が作用し、これら２つを第４図
に示したように分離する。
弗化水素酸溶液中の浸漬に引続き、第４図に示
すように、集合体１８が、容器２４中の１組の支
持部材２５および２７に載置される。集合体１８
は、リング１６が支持部材２５および２７上に載
りかつ板またはベース１２が最低位置に配置され
るように載置される。冷水２６が水源２８から容
器２４へ注入される。集合体１８が、部材または
ベース１２が薄膜１４と分離するまで浸漬され
る。ベース１２の重量が、薄膜１４およびベース
１２間の大部分の結合が除去されたという事実以
外に、これら部材の最終的な分離を可能にする。
すように、集合体１８が、容器２４中の１組の支
持部材２５および２７に載置される。集合体１８
は、リング１６が支持部材２５および２７上に載
りかつ板またはベース１２が最低位置に配置され
るように載置される。冷水２６が水源２８から容
器２４へ注入される。集合体１８が、部材または
ベース１２が薄膜１４と分離するまで浸漬され
る。ベース１２の重量が、薄膜１４およびベース
１２間の大部分の結合が除去されたという事実以
外に、これら部材の最終的な分離を可能にする。
分離された後、薄膜１４はベース１２なしに、
但しリング１８に取付けられたままである。今度
はリング１８が、薄膜１４の処理装置またはキヤ
リヤとして使用され、エツクス線リトグラフ用マ
スクを製造する際のマスク支持リングへ引続き緊
張およびエポキシ結合させるための引続く処理を
可能にする。
但しリング１８に取付けられたままである。今度
はリング１８が、薄膜１４の処理装置またはキヤ
リヤとして使用され、エツクス線リトグラフ用マ
スクを製造する際のマスク支持リングへ引続き緊
張およびエポキシ結合させるための引続く処理を
可能にする。
集合体１８を構成する部材が支持装置上に水平
に配置されていることに留意すべきである。プレ
ートまたはベース１２が、集合体中で最低位置の
部材でありかつ支持部材２５および２７から離れ
ている。従つてベース１２の重量が、薄膜１４か
ら離れる下降力を生じる。最後に分離が、薄膜の
表面を損傷しかつこれをリトグラフマスクに使用
不能にする傾向のある強い薬品に再貯蔵せずに得
られる。
に配置されていることに留意すべきである。プレ
ートまたはベース１２が、集合体中で最低位置の
部材でありかつ支持部材２５および２７から離れ
ている。従つてベース１２の重量が、薄膜１４か
ら離れる下降力を生じる。最後に分離が、薄膜の
表面を損傷しかつこれをリトグラフマスクに使用
不能にする傾向のある強い薬品に再貯蔵せずに得
られる。
第１図〜第４図は、本発明による方法によりキ
ヤリヤを有する薄膜を形成する工程を順次に略示
するそれぞれ側面図である。 １０……薄膜用の溶液、１２……ベース部材、
１４……薄膜、１６……リング、１８……集合
体、２２……容器、２４……容器、２５，２７…
…支持部材、２６……冷水、２８……水源。
ヤリヤを有する薄膜を形成する工程を順次に略示
するそれぞれ側面図である。 １０……薄膜用の溶液、１２……ベース部材、
１４……薄膜、１６……リング、１８……集合
体、２２……容器、２４……容器、２５，２７…
…支持部材、２６……冷水、２８……水源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ ベース部材にプラスチツク薄膜を形成
し、 ｂ リング部材を前記薄膜に接着して集合体とな
し、 ｃ 前記集合体を化学溶液中に浸漬し、前記薄膜
および前記ベース部材間の１部分の結合を解除
し、かつ ｄ 前記集合体を水中に浸漬し、前記ベース部材
を、前記リング部材に固定された前記プラスチ
ツク薄膜と分離する：これら工程より成るリト
グラフマスク製造用の任意固定薄膜の形成法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/093,331 US4246054A (en) | 1979-11-13 | 1979-11-13 | Polymer membranes for X-ray masks |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5683941A JPS5683941A (en) | 1981-07-08 |
| JPH0142133B2 true JPH0142133B2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=22238351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15890280A Granted JPS5683941A (en) | 1979-11-13 | 1980-11-13 | Method of forming arbitrary stationary thin film for manufacturing lithographic mask |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4246054A (ja) |
| JP (1) | JPS5683941A (ja) |
| DE (1) | DE3041168A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4453828A (en) * | 1981-12-02 | 1984-06-12 | Advanced Semiconductor Products, Inc. | Apparatus and methods for measuring the optical thickness and index of refraction of thin, optical membranes |
| US4536240A (en) | 1981-12-02 | 1985-08-20 | Advanced Semiconductor Products, Inc. | Method of forming thin optical membranes |
| US4421608A (en) * | 1982-03-01 | 1983-12-20 | International Business Machines Corporation | Method for stripping peel apart conductive structures |
| JPS58219023A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
| EP0119387B1 (en) * | 1983-02-14 | 1988-08-03 | The Perkin-Elmer Corporation | A method for fabricating pellicle cover for photomask |
| US4465759A (en) * | 1983-02-14 | 1984-08-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system |
| US4812191A (en) * | 1987-06-01 | 1989-03-14 | Digital Equipment Corporation | Method of forming a multilevel interconnection device |
| EP0300540B1 (en) * | 1987-07-23 | 1994-07-27 | Dsm N.V. | Process for the production of polymer films partially provided with stiffened segments |
| US5261977A (en) * | 1991-08-01 | 1993-11-16 | Powell Stephen F | Method of fabrication free-standing thin films of polyimide |
| JPH08148452A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Sony Corp | 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法 |
| US5965065A (en) * | 1994-12-05 | 1999-10-12 | Powell; Stephen Forbes | Method of filtering x-rays |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| US6632314B1 (en) * | 1999-12-29 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Method of making a lamination and surface planarization for multilayer thin film interconnect |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1188307A (en) * | 1967-07-31 | 1970-04-15 | Ilford Ltd | Film Assembly |
| US3742229A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask alignment system |
| US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
| US4170512A (en) * | 1977-05-26 | 1979-10-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacture of a soft-X-ray mask |
| JPS5473574A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Nec Corp | Transfer mask and production of the same |
-
1979
- 1979-11-13 US US06/093,331 patent/US4246054A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-10-31 DE DE19803041168 patent/DE3041168A1/de active Granted
- 1980-11-13 JP JP15890280A patent/JPS5683941A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4246054A (en) | 1981-01-20 |
| DE3041168A1 (de) | 1981-05-14 |
| DE3041168C2 (ja) | 1990-04-26 |
| JPS5683941A (en) | 1981-07-08 |
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